專利名稱：：光學(xué)信息記錄介質(zhì)及光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種使用激光光線的照射等光學(xué)手段，能夠進(jìn)行信息的記錄再生及重寫的光學(xué)記錄信息介質(zhì)、及光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法。
背景技術(shù)：
：作為能夠大容量地記錄信息，且可在高速下再生及重寫的介質(zhì)，光磁記錄介質(zhì)和相變型記錄介質(zhì)等為人所知。這些光學(xué)信息記錄介質(zhì)在記錄再生及重寫時利用局部地照射激光而產(chǎn)生的記錄材料的光學(xué)特性的不同。例如，在光磁記錄介質(zhì)中，利用了由于磁化狀態(tài)的不同而產(chǎn)生的反射光偏光面的旋轉(zhuǎn)角的不同。另一方面，在相變型記錄介質(zhì)中，利用了相對于特定波長的光的反射光量在結(jié)晶狀態(tài)和非晶質(zhì)狀態(tài)下的不同，通過調(diào)制激光器的輸出功率，能夠在消去記錄的信息的同時寫上新的信息。因此，具有能夠高速地重寫信息信號的優(yōu)點。如圖2所示，以作為具有單面4.7GB容量的DVD—RAM而廣泛普及的相變型記錄介質(zhì)為例，表示現(xiàn)有的光學(xué)信息記錄介質(zhì)(以下，稱為記錄介質(zhì))200的層結(jié)構(gòu)。記錄介質(zhì)200在透明基板101上依次具有光入射側(cè)保護(hù)層102、光入射側(cè)擴(kuò)散防止層103、記錄層104、反射側(cè)擴(kuò)散防止層105、反射側(cè)保護(hù)層106、光吸收層107、反射層108。這些層主要由濺射法形成。進(jìn)一步，在反射層108上具有樹脂層109、粘接層110、粘合用基體材料111。此處，在入射側(cè)保護(hù)層的材料中使用例如以ZnS為主成分的材料(相對于激光的波長的折射率為2.0以上的材料)的情況下，為滿足記錄介質(zhì)200的光學(xué)特性，需要將保護(hù)層的膜厚增厚到130nm左右。因而存在成膜時間變長，生產(chǎn)成本提高的問題。另一方面，在使用例如以Si02為主成分的材料(相對于激光的波長的折射率為2.0以下的材料)的情況下，通過將保護(hù)層的膜厚減薄到50nm以下，可滿足記錄介質(zhì)200的光學(xué)特性。但是，因為記錄層和透明基板之間的距離變近，所以如果反復(fù)進(jìn)行記錄，則存在由于發(fā)熱了的記錄層的熱量，透明基板受到損壞，從而記錄信號的品質(zhì)惡化的問題。因此，為解決這些問題，提出如下一種方案，即，作為光入射側(cè)保護(hù)層的主成分，使用A1氧化物、Si氧化物、Mg氧化物、或者氟化物等其他材料的光學(xué)信息記錄介質(zhì)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)h特開2005—4950號公報但是，在上述現(xiàn)有的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，如果減薄光入射側(cè)保護(hù)層的膜厚(例如，50nm以下)，則記錄介質(zhì)的耐蝕性、信號的長期保存性、及反復(fù)記錄再生特性容易惡化。此外，將該記錄介質(zhì)在一般的旋轉(zhuǎn)速度(例如，線速度812m/s)下記錄再生時，由于激光照射導(dǎo)致記錄層發(fā)熱，且其熱量容易傳導(dǎo)到樹脂層。因此，如果進(jìn)行數(shù)百次左右的重復(fù)記錄，則存在樹脂層容易受到熱損壞，信號的品質(zhì)惡化的問題。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述問題，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)至少依次具有基板、反射層、記錄層、保護(hù)層、樹脂層、透明基板，保護(hù)層與樹脂層接觸，保護(hù)層的主成分為Zn的氧化物。此處，基板具有引導(dǎo)槽，記錄層為在激光的照射下光學(xué)特性可逆地變化的層。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明，得到具有良好的耐蝕性及記錄再生特性的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。圖1是表示本發(fā)明的實施方式中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示現(xiàn)有的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的圖。圖中，OOl—基板；002、108—反射層；003、107—光吸收層；004、106—反射側(cè)保護(hù)層；005、105—反射側(cè)擴(kuò)散防止層；006、104—記錄層;007、103—光入射側(cè)擴(kuò)散防止層；008、102—光入射側(cè)保護(hù)層；009、109一樹脂層；010、110—粘接層；011、101—透明基板；lll一粘合用基體材料。具體實施方式以下，對本發(fā)明所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)(以下，稱為記錄介質(zhì))等進(jìn)行詳細(xì)的說明。(實施方式1)記錄介質(zhì)至少依次具有基板、反射層、記錄層、光入射惻保護(hù)層、樹脂層、透明基板。基板具有用于引導(dǎo)激光的引導(dǎo)槽，其他的層在基板上疊層。作為材料，可以使用PMMA等數(shù)脂，或者玻璃等。此外，在基板上交替形成有槽部與平面(land)部。而且，可以使用槽部與平面部的寬度的比不同的基板。基板的膜厚沒有特別地限定，但優(yōu)選OJmm以上1.2mm以下。如果在O.lmm以上，則易于克服薄膜形成時的熱損壞，如果在1.2nrni以下，則能夠確保記錄介質(zhì)的攜帶性。設(shè)置反射層的目的為有助于記錄介質(zhì)的散熱和記錄層的有效的光吸收。層材料優(yōu)選含有散熱效果好的Ag，并與上述基板接觸地構(gòu)成。通過使含有Ag的反射層的薄膜與具有引導(dǎo)槽的基板接觸，能夠不損壞基板的槽形狀，且能夠在基板的相反側(cè)的反射層表面上復(fù)制該槽形狀。即，可以在保持槽形狀的情況下形成接下來的記錄層。從而，在激光照射時，易于判別槽形狀的凹凸。反射層的膜厚只要在60nm以上且不足200nm即可。如果在60nm以上，則能得到足夠的散熱效果，如果不足200nm,則易于正確地復(fù)制基板的槽形狀。記錄層由于激光的照射而在光學(xué)特性不同的狀態(tài)間相變。此處，光學(xué)特性例如指反射率、折射率。由此，能夠進(jìn)行信息的記錄等。作為層材料，能夠使用以Te、Se為主成分的硫族化物系材料，例如，以Te—Sb—Ge，Te_Sn_Ge，Te_Sb_Ge—Se，Te—Sn—Ge—Au，Ag—In—Sb—Te，In一Sb—Se，In—Te—Se等為主成分的材料。記錄層的膜厚優(yōu)選5nm以上且不足12nm。如果在5nm以上，則能夠確保記錄層在結(jié)晶狀態(tài)下的記錄介質(zhì)的反射率與非晶質(zhì)狀態(tài)下的反射率的差即反差(contrast)。如果不足12nm，則能夠抑制記錄層的熱容量。從而，在記錄時促進(jìn)向非晶質(zhì)狀態(tài)的相轉(zhuǎn)移，且能夠充分確保記錄標(biāo)識的大小。光入射側(cè)保護(hù)層具有防止記錄層材料的氧化、蒸發(fā)及變形的記錄層的保護(hù)功能。此外，通過調(diào)節(jié)其膜厚，可以調(diào)節(jié)記錄介質(zhì)的光吸收率及記錄部分和消去部分之間的反射率差，所以還具有記錄介質(zhì)的光學(xué)特性的調(diào)節(jié)功能。作為層材料，至少含有Zn，作為主成分含有Zn的氧化物(ZnO)。這是因為ZnO的折射率低，是適合于使光入射側(cè)保護(hù)層薄膜化的材料。此外，主成分的意思是在光入射側(cè)保護(hù)層內(nèi)含有50%以上的材料(成分)。光入射側(cè)保護(hù)層的折射率優(yōu)選相對于激光的波長在1.30以上且2.00以下。折射率在1.30以上的材料能夠比較容易地得到。此外，如果折射率在2.00以下，則能夠確保記錄層在結(jié)晶狀態(tài)下的記錄介質(zhì)的反射率與非晶質(zhì)狀態(tài)下的反射率之間的差即反差，并能夠確保批量生產(chǎn)率。光入射側(cè)保護(hù)層的膜厚只要在5nm以上50nm以下的范圍內(nèi)即可。如果膜厚在5nm以上，則能夠?qū)⒂涗泴优c樹脂層之間的距離增大到樹脂層不受熱損壞的程度。此外，膜厚如果在50nm以下，則能夠?qū)⒊赡r間縮短到可以確保足夠的批量生產(chǎn)率的程度。而且，作為光入射側(cè)保護(hù)層的材料，也可以在上述材料中包含Si的氧化物，優(yōu)選包含Si02。這是為了進(jìn)一步降低光入射側(cè)保護(hù)層的折射率。樹脂層起到將光入射側(cè)保護(hù)層與透明基板之間平坦化的涂層的作用。此外，還起到防止由于光入射側(cè)保護(hù)層的薄膜化，激光的照射產(chǎn)生的溫度上升而導(dǎo)致的光入射側(cè)保護(hù)層發(fā)生變形等的作用。因此，樹脂層與光入射側(cè)保護(hù)層接觸地構(gòu)成。作為層材料，使用耐熱性的樹脂材料。該樹脂材料優(yōu)選在氧氣氣氛中在200。C以上加熱后，變?yōu)榧訜崆暗闹亓康囊话胍韵碌牟牧?。這是為了防止由于記錄信號時的記錄層的發(fā)熱而導(dǎo)致的樹脂層的損壞，且抑制記錄信號的品質(zhì)的惡化。樹脂材料是與基板或下述粘接層的樹脂不同的材料，具體地，使用將56份的丙烯系紫外線固化性樹脂(大日本一V年化學(xué)工業(yè)(株)制Cl一860)、0.3份的苯基酮系光聚合引發(fā)劑(千^力V年一制的0力'年二7A及B)、IO份的氟系表面改良劑(大日本一y年化學(xué)工業(yè)(株)制fV7工y，TR—220k)混合而成的溶劑。透明基板還起到使激光透過并保護(hù)記錄介質(zhì)的作用。作為材料及結(jié)構(gòu)，能夠使用與上述基板相同的材料及結(jié)構(gòu)。以上為本發(fā)明所述的記錄介質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)，但是也可進(jìn)一步包括以下的層。例如，也可以在反射層和記錄層之間、在反射層上依次具有光吸收層、反射側(cè)保護(hù)層、及反射側(cè)擴(kuò)散防止層。進(jìn)一步，也可以在記錄層和光入射側(cè)保護(hù)層之間具有光入射側(cè)擴(kuò)散防止層，在樹脂層和透明基板之間具有粘接層。光吸收層起到補(bǔ)正記錄層的結(jié)晶狀態(tài)和非晶質(zhì)狀態(tài)的光吸收差的作用。由此能夠改正記錄的標(biāo)識的變形，得到良好的改寫(overwrite)餘性。作為層材料，能夠使用Ge、Sb、Te、Pb、Mo、Ta、Cr、Si、W或這些材料的混合物。反射側(cè)保護(hù)層起到與光入射側(cè)保護(hù)層同樣的作用。作為層材料使用以ZnS為主成分，還包含Si的材料，優(yōu)選包含Si02的材料。此外，膜厚可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)整，使得記錄層在非晶質(zhì)狀態(tài)時的反射率Rc(其中Rc〉16。/。)與結(jié)晶狀態(tài)時的反射率Ra的差最大。設(shè)置反射側(cè)擴(kuò)散防止層的主要目的在于，防止反射側(cè)保護(hù)層和記錄層之間的原子擴(kuò)散，特別是在保護(hù)層中包含硫磺或者硫化物的情況下，防止硫磺或者硫化物的擴(kuò)散。作為層材料，能夠使用以氮化物、氮氧化物、或者碳化物為主成分的材料。例如，可以使用作為氮化物的GeN、CrN、SW、A1N、NbN、MoN、FeN、TiN、ZrN等，作為氮氧化物的GeON、CrON、SiON、AION、NbON、MoON等，作為碳化物的CrC、SiC、A1C、TiC、TaC、ZrC等。設(shè)置光入射側(cè)擴(kuò)散防止層的主要目的在于，防止光入射側(cè)保護(hù)層與記錄層之間的原子擴(kuò)散。作為層材料能夠使用與反射側(cè)擴(kuò)散防止層同樣的材料。粘接層起到將樹脂層與透明基板粘合的作用，作為層材料使用混合了丙烯酸酯低聚物(acrylateoligomer)、丙烯酸酯單體(acrylatemonomer)和光聚合引發(fā)劑的樹脂。此外，作為樹脂層的材料不限定于上述材料。也可以為例如以丙烯酸酯化合物為主成分，并添加了具有疏水性的化合物的材料。例如，可以使用三羥甲基丙垸三丙烯酸酯、新戊基二醇二丙烯酸酯、對二甲基氨基安息香酸乙基酯、三環(huán)癸垸一3.8—二羥甲基二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙氧基三丙烯酸酯、二氧雜環(huán)乙烷二醇二丙烯酸酯、新戊基二醇二丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯等溶劑中含有垸基三烷氧基硅垸、四垸氧基硅垸、氟烷基三甲氧基硅烷的疏水性的化合物、及/或氟系表面活性劑。作為氟表面活性劑，優(yōu)選例如大日本一y年化學(xué)工業(yè)社制的^^7:r:y夕F—142D、F—144D、F_150、F—171、F—177、F—183、f、7工乂廿TR—220K。(實施方式2)接下來敘述上述實施方式1所示的記錄介質(zhì)的制造方法的一例。各層以下述順序形成。此外，只要沒有特別記載，則利用RF濺射法形成。首先，將基板設(shè)置在濺射裝置的真空成膜室內(nèi)。向真空成膜室內(nèi)流入Ar氣體，在Ar氣體氣氛中，使用包含反射層的材料的濺射靶，由濺射形成反射層。此時，反射層在引導(dǎo)槽一側(cè)形成。記錄層通過使用包含記錄層的材料的濺射靶，而由濺射形成。光入射側(cè)保護(hù)層通過使用光入射側(cè)保護(hù)層的材料例如包含ZnO的靶，而由濺射形成。樹脂層通過在光入射側(cè)保護(hù)層上利用旋涂法涂敷實施方式1所述的樹脂材料后，照射紫外線使其固化而形成。最后，粘合透明基板。進(jìn)一步，在具有光吸收層、反射側(cè)保護(hù)層、反射側(cè)擴(kuò)散防止層、光入射側(cè)擴(kuò)散防止層、及粘接層的情況下，對各層的制造方法進(jìn)行敘述。光吸收層在反射層形成后，在Ar氣體氣氛中，使用包含光吸收層的材料的濺射靶，由濺射形成。反射側(cè)保護(hù)層在Ar氣體氣氛中，使用包含反射側(cè)保護(hù)層的材料的濺射靶，由濺射形成。反射側(cè)擴(kuò)散防止層如下形成，即進(jìn)一步向真空成膜室流入氮氣，在Ar氣體和氮氣的混合氣體氣氛中，使用包含反射側(cè)擴(kuò)散防止層的材料的濺射靶，由濺射形成。光入射側(cè)擴(kuò)散防止層在形成上述記錄層后，使用包含光入射側(cè)擴(kuò)散防止層的材料的濺射靶，由濺射形成。粘接層如下形成，即將層材料涂敷在樹脂層的內(nèi)周側(cè)后，在其上搭載基板，由旋涂法全面均一地展開，并照射UV光使其固化而形成。而且，作為上述濺射法使用了RF濺射法，但本發(fā)明并不限定于此。例如，也可以使用DC濺射法，其使用欠缺氧從而具備傳導(dǎo)性的靶，并在Ar氣體與氧氣混合的氣氛中由脈沖DC法濺射。(實施方式3)接下來，對在上述實施方式1中所示的記錄介質(zhì)中記錄再生及消去信號的方法的一例進(jìn)行敘述。在信號的記錄再生及消去中使用記錄再生裝置，其至少具備光頭，其具有半導(dǎo)體激光光源及物鏡；驅(qū)動裝置，其用于將激光向照射位置引導(dǎo)；跟蹤及聚焦控制裝置，其用于控制軌道方向及與膜面垂直的方向的位置；激光器驅(qū)動裝置，其用于調(diào)制激光器功率；旋轉(zhuǎn)控制裝置，其用于使記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)。信號的記錄及消去是使用旋轉(zhuǎn)控制裝置使記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)，并通過將激光積聚于微小點來照射而進(jìn)行的。作為信號方式使用EFM調(diào)制方式。此處，通過使激光的功率級在記錄層的一部分可向非晶質(zhì)狀態(tài)可逆地變化的非晶質(zhì)狀態(tài)生成功率級與可向結(jié)晶狀態(tài)可逆地變化的結(jié)晶狀態(tài)生成功率級之間調(diào)制，形成記錄標(biāo)識或者消去部分，從而進(jìn)行信息的記錄、消去、或者覆蓋記錄。此處，照射非晶質(zhì)狀態(tài)生成功率級的功率的部分由脈沖列、所謂的多脈沖形成。而且，也可由非多脈沖的脈沖形成。此時，優(yōu)選將記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)為線速度18m/s以上。這是為了在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，在18m/s以上的情況下，能夠抑制樹脂層的損傷并能夠放出足夠的熱量。此外，記錄時的激光的波長只要在380nm以上且700nm以下即可。透鏡的數(shù)值孔徑只要在0.55以上且0.9以下即可。為增大記錄密度，更優(yōu)選0.55以上0.7以下。接下來，基于上述實施方式制作各種記錄介質(zhì)IOO并對進(jìn)行評價的結(jié)果，利用實施例進(jìn)行敘述。(實施例1)參照圖1說明本實施例的記錄介質(zhì)的構(gòu)成。記錄介質(zhì)100在基板001上依次具有反射層102、光吸收層003、反射側(cè)保護(hù)層004、反射側(cè)擴(kuò)散防止層005、記錄層006、光入射側(cè)擴(kuò)散防止層007、光入射側(cè)保護(hù)層008、樹脂層009、粘接層OIO、透明基板Oll?；?01由聚碳酸酯樹脂形成，其形狀為厚度0.6mm、直徑120mm，并具有引導(dǎo)槽。此處，使用了1.20um的磁道間距的基板，即每隔0.60um交替形成有槽部與平面部的基板。反射層002使用Ag98Pd!Cu！(at%)合金靶，形成了120nm的膜厚。光吸收層003使用Si66Cr34(at%)合金靶，形成了30nm的膜厚。反射側(cè)保護(hù)層004使用在ZnS中混合了20mol。/。的Si02的靶，形成了24nm的膜厚。反射側(cè)擴(kuò)散防止層005在Ar氣與氮氣的混和氣體中氮氣分壓為20%的氣氛中，使用GesoCr20(at%)合金靶，形成了5nm的膜厚。記錄層006使用Ge38Sb3Bi5Te54(at%)靶，形成了8nm的膜厚。光入射側(cè)擴(kuò)散防止層007使用Ge8。Cr2()(at%)合金靶，形成了5nm的膜厚。光入射側(cè)保護(hù)層008使用ZnO靶，形成了15nm的膜厚。此時，相對于激光的650nm波長的折射率為1.89。樹脂層009將實施方式1中具體表示的由丙烯系紫外線固化性樹脂等構(gòu)成的樹脂材料由旋涂法在光入射側(cè)保護(hù)層008上涂敷至膜厚20Pm后，照射紫外線使其固化，從而形成了5um的膜厚。粘接層010將實施方式1中的層材料形成了25Pm的膜厚。最后，粘合了厚度0.57mm的透明基板011。(實施例2)除將光入射側(cè)保護(hù)層008的膜厚設(shè)為25nm，反射側(cè)保護(hù)層004的膜厚設(shè)為20nm以外，其他與實施例1相同地制作了記錄介質(zhì)100。(實施例3)除使用在ZnO中含有30molM的Si02的靶，將光入射側(cè)保護(hù)層008的膜厚形成為15nm以外，其他與實施例1相同地制作了記錄介質(zhì)100。(實施例4)除將樹脂層009的膜厚設(shè)為18iim，粘接層010設(shè)為12um以外，其他與實施例3相同地制作了記錄介質(zhì)100。(比較例〗)除將光入射側(cè)保護(hù)層008的膜厚設(shè)為3nm，反射側(cè)保護(hù)層004的膜厚設(shè)為28nm以外，其他與實施例1相同地制作了記錄介質(zhì)100。(比較例2)除使用在ZnO中含有50moP/。的Si02的靶，將光入射側(cè)保護(hù)層008的膜厚形成為15nm以外，其他與實施例1相同地制作了記錄介質(zhì)100。(比較例3)除將發(fā)熱反應(yīng)的溫度為18(TC的丙烯酸酯化合物的樹脂劑用于樹脂層009，將反射側(cè)保護(hù)層004的膜厚形成為24nm以外，其他與實施例1相同地制作了記錄介質(zhì)100。(比較例4)與實施例1同樣地制作了記錄介質(zhì)100。但是，寫入信號時的記錄介質(zhì)100的旋轉(zhuǎn)速度減慢到線速度為12m/s。這些記錄介質(zhì)100的評價方法如下所述。將由于激光的照射而記錄層006的一部分可向非晶質(zhì)狀態(tài)可逆地變化的非晶質(zhì)狀態(tài)生成功率級設(shè)為Pl，同樣由于激光的照射而可向結(jié)晶狀態(tài)可逆地變化的結(jié)晶狀態(tài)生成功率級設(shè)為P2。此外，將在激光的照射下記錄標(biāo)識的光學(xué)狀態(tài)不會受到影響，且能夠從記錄介質(zhì)IOO獲得足以用作再生記錄標(biāo)識的反射率的功率級設(shè)為再生功率級P3。而且，P3比P1、P2的任意一個功率級都低。由檢測器讀取通過照射功率級P3的激光得到的來自記錄介質(zhì)100的信號，并測定了進(jìn)行信息信號再生時的起伏值。P1及P2適當(dāng)調(diào)整至起伏值最低的值，P3設(shè)為l.OmW。在槽部和平面部求得起伏值達(dá)到最低的Pl及P2的值，并調(diào)查了10次改寫時的起伏值Jl與1000次改寫時的起伏值J2的差即起伏變化量AJ^2—J1。該AJ是表示記錄介質(zhì)的記錄再生特性的基準(zhǔn)。將AJ不足2%的情況評價為〇，2%以上且不足5。/。的情況評價為A，5M以上的情況評價為X。關(guān)于記錄介質(zhì)的耐蝕性，調(diào)查了在9CTC80。/o的環(huán)境下投入100小時時的腐蝕的有無。確認(rèn)沒有腐蝕的情況設(shè)為O，確認(rèn)腐蝕的程度在記錄介質(zhì)100的使用中不存在問題的情況設(shè)為A，確認(rèn)腐蝕的程度給記錄介質(zhì)100的使用帶來阻礙的情況設(shè)為X。此外，樹脂層的發(fā)熱溫度的測定由TG—DTA法進(jìn)行。具體地，在樹脂層上涂以規(guī)定的厚度量，并進(jìn)行紫外線固化后，從記錄介質(zhì)上剝離且細(xì)小地進(jìn)行粉碎，制成了樣品。將該樣品在氧氣氣氛中以0.4'C/秒的升溫速度持續(xù)加溫。將此時的樣品的質(zhì)量變?yōu)槭覝叵碌臉悠返闹亓康囊话霑r的溫度設(shè)為發(fā)熱溫度。進(jìn)而，照射波長650nm、物鏡的數(shù)值孔徑0.6的激光，測定了記錄層在非晶質(zhì)狀態(tài)時的反射率Rc與結(jié)晶狀態(tài)時的反射率Ra的差即AR。評價實驗的結(jié)果如(表l)所示。(表1)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>根據(jù)上述結(jié)果，在本發(fā)明的實施例14的記錄介質(zhì)100中，AJ全部不足2%，且未見腐蝕。從而可知，得到了記錄再生特性及耐蝕性良好的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。另一方面，在比較例1中，未得到AJ和耐蝕性都如實施例那樣良好的結(jié)果。在比較例2中，存在耐蝕性的問題。在比較例3、4中，AJ未得到如實施例l那樣良好的結(jié)果。(工業(yè)上的可利用性)根據(jù)本發(fā)明，可以提供記錄再生特性及耐蝕性良好的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，因此能夠應(yīng)用于各種記錄介質(zhì)中。權(quán)利要求1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其至少依次包括具有引導(dǎo)槽的基板、反射層、在激光的照射下光學(xué)特性可逆地變化的記錄層、保護(hù)層、樹脂層、和透明基板，所述保護(hù)層與所述樹脂層接觸，所述保護(hù)層的主成分為Zn的氧化物。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述基板與所述反射層接觸。3.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述保護(hù)層還包含Si的氧化物。4.如權(quán)利要求13中任一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述保護(hù)層的膜厚為5nm以上且50nm以下。5.如權(quán)利要求14中任一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述保護(hù)層相對于所述激光的波長的折射率為1.30以上且2.00以下。6.如權(quán)利要求15中任一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，在氧氣氣氛中在20(TC以上加熱后，所述樹脂層的重量變?yōu)榧訜崆暗闹亓康囊话胍韵隆?.—種光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，在具有引導(dǎo)槽的基板上依次形成反射層、在激光的照射下光學(xué)特性可逆地變化的記錄層、主成分為Zn的氧化物的保護(hù)層、進(jìn)一步與所述保護(hù)層接觸的樹脂層、和透明基板。8.—種光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法，是權(quán)利要求16中任一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法，其中，從所述透明基板側(cè)入射所述激光，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)相對于所述激光的記錄時的線速度為18m/s以上。9.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法，其中，記錄時的所述激光的波長在380nm以上且700nm以下，照射所述激光的透鏡的數(shù)值孔徑為0.55以上且0.90以下。全文摘要本發(fā)明提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其批量生產(chǎn)率優(yōu)良，且記錄再生特性和耐蝕性良好。在照射激光從而進(jìn)行信息的記錄及再生的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，至少依次包括具有引導(dǎo)槽的基板、反射層、在激光的照射下光學(xué)特性可逆地變化的記錄層、保護(hù)層、樹脂層、和透明基板，保護(hù)層和樹脂層接觸，且保護(hù)層的主成分為Zn的氧化物。文檔編號G11B7/257GK101133451SQ20058004055公開日2008年2月27日申請日期2005年11月9日優(yōu)先權(quán)日2004年11月26日發(fā)明者山田升,草田英夫申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社