專利名稱：：通過(guò)蝕刻帽層和前置防護(hù)涂層而提高抗腐蝕性的顆粒狀磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及提高薄記錄介^蝕性的方法，也涉及由此方法獲得的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明在禾,顆粒，型磁記錄層希隨的高面積(areal)記錄密度介質(zhì)(例如5體)中具有特定的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：磁介質(zhì)廣，用于各種應(yīng)用，特別地，通常以MS，用^fi十^nx業(yè)中的i^/信息存儲(chǔ)及信息檢索(retrieval)應(yīng)用，并且人們?yōu)榱颂岣呙嬗涗浢芏鹊哪繕?biāo)(即磁介質(zhì)的比特密度)而不行研發(fā)。傳統(tǒng)的薄,-，型磁介質(zhì)，其中以一個(gè)細(xì)一微粒(fine-grained)多晶磁性合金層作為有效記錄層，這種磁介質(zhì)通常根據(jù)磁性材料顆粒的磁疇的方向而被分成"縱向"或"垂直"兩類。在圖1中以簡(jiǎn)化的截面圖示意地說(shuō)明傳統(tǒng)的縱向記錄、薄膜、硬#記錄介質(zhì)1的"^P分，上述部分通常用于與計(jì)Ml有關(guān)的應(yīng)用，而且戶皿部^S括一個(gè)完全M5更的、圳贜性的織基底IO，一般由鋁(Al)或比如鋁鎂(A1-Mg)合金的基于鋁的合金構(gòu)成，在基底io的一個(gè)面ioajy,或者反向地沉積形成一^1觀11，金屬鶴ll由比如非結(jié)晶的(amorphous)鎳磷(Ni-P)構(gòu)成；一種由非結(jié)晶的或細(xì)一顆粒狀的材料，例如鎳鋁(Ni-Al)合金或者鉻鈦(OTi)合金構(gòu)成的種子(seed)層12A;—個(gè)多晶(polycrystalline)墊層12B，通常由鉻驢雅的合金構(gòu)成；一個(gè)磁記錄層13，例如由具有鉬(Pt)、鉻、硼(B)等一種或多種金屬的基于鈷的合金(Co)構(gòu)成；一個(gè)保護(hù)性的防護(hù)涂層14，一般包含碳(C)，例如菱^K碳("DLC");以及一個(gè)潤(rùn)滑的夕卜涂層15，例如由全驟醚(perfluoropolyether)構(gòu)成。11-14層中的每一層可以通ilil當(dāng)?shù)奈锢須庀喑练e("PVD")技術(shù)(例如，濺射，sputtering)進(jìn)行沉積，而層15—般iM31，(dipping)或噴鍍(spraying)進(jìn)行沉積。在介質(zhì)1的操作過(guò)程中，艦一個(gè)寫(xiě)入傳驗(yàn)或者寫(xiě)入"頭"局部地磁化磁層13，從而記錄并由此儲(chǔ)存其中的數(shù)據(jù)/信息。所述寫(xiě)入傳自或?qū)懭腩^產(chǎn)生一個(gè)非常集中的磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)tl據(jù)待存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息而交,換方向。當(dāng)M^，寫(xiě)入傳^產(chǎn)生的局部磁場(chǎng)大于記錄介質(zhì)層13的材料的f^頁(yè)磁力時(shí)，泡卩個(gè)位置的多晶材料顆粒即被磁化。在由戶腿寫(xiě)入傳麟產(chǎn)生的磁場(chǎng)除去之后，這^粒保持化強(qiáng)度。磁化的方向與所施加的磁場(chǎng)牧方向相一致。記錄介質(zhì)層13的磁化隨后會(huì)辦在一個(gè)讀取傳自或讀取"頭"中產(chǎn)生一個(gè)允許讀取存儲(chǔ)信息的電氣響應(yīng)。所謂的"垂直"記錄介質(zhì)B^被認(rèn)為在獲得超高比特密度方面大大優(yōu)于更傳統(tǒng)的"縱向"介質(zhì)。在垂直磁記錄介質(zhì)中，在垂直于磁介質(zhì)(一般是在賴的基底上的磁材料層)表面的方向形成剩余磁化強(qiáng)度。利用帶有這種垂直磁介質(zhì)的一個(gè)"對(duì)及"磁傳離或磁"頭"可以獲得超高線性記錄密度。禾擁垂直磁介質(zhì)的高效、高比特密度記錄需要在非磁性基底和"硬"磁性記錄層之間插入一個(gè)相對(duì)(與磁記錄層相比而言)厚的、帶磁的"軟"墊層("SUL")，其中"軟"M即一個(gè)具有低于約1千奧,(kOe)的相對(duì)低矯頑磁力的磁層(比如一種鎳鐵合金(坡莫合金))，非磁性基底比如是由玻璃、鋁或者基TO的始構(gòu)成，而"硬"磁性記錄層則具有比較高的f^頁(yè)磁力，約3-8千奧,(例如一種基于鈷的合金，諸如CoGPtfi的鈷船金)，具有正交各向共性。軟磁的墊層用來(lái)引導(dǎo)(guide)經(jīng)由所述讀取頭的硬垂直磁記錄層所發(fā)散的繊量。在圖2中說(shuō)明一種典型的傳統(tǒng)垂直磁記錄系統(tǒng)20，所皿^t用一種垂直定向磁介質(zhì)21，磁介質(zhì)21具有一個(gè)比,的軟磁i^M,—個(gè)比較薄的硬磁記錄層和一個(gè)單極磁頭。其中t疏數(shù)字10、11、4、5和6分別表示一個(gè)一喊性的基底，一個(gè)粘附層(可選)、一個(gè)軟磁',層、至少一個(gè)一繊性中間層和至少—個(gè)垂直硬磁記錄層。1斜己數(shù)字7和8，分別表示一個(gè)單極磁傳自頭6的單磁極和輔助磁極。比較薄的中間層5(也稱為"居間"層)，由一個(gè)或多個(gè)非磁性材料層組成，用來(lái)(1)防止層4和至少一個(gè)硬記錄層6之間的互磁作用，以及(2)提升至少一個(gè)硬記錄層所需的微結(jié)構(gòu)的和磁的屬性。圖中戶;f^ft頭指出^i量-的路徑，通量辨皮視為從對(duì)及磁傳自頭6的單極7發(fā)出，m并纟磁對(duì)及7下方區(qū)域中的至少一個(gè)垂直的硬磁記錄層5,3SA并在軟層3中傳播一超巨離，然后湖哩流出并在單極磁傳自頭6的輔助磁極8下方區(qū)^^M少一個(gè)垂直硬磁記錄層6。在圖中以介質(zhì)21上方的箭頭表示垂直磁介質(zhì)21經(jīng)過(guò)傳^頭6的運(yùn)動(dòng)方向。繼^#考圖2，垂線9表明組成介質(zhì)21的層堆疊的多晶層5和6的顆粒邊界。硬磁的主要記錄層6形成于中間層5^±，并且當(dāng)每個(gè)多晶層的顆?？赡芫哂幸灶w粒尺寸、分布棘示的不同寬度(以7jC平方向測(cè)量)時(shí)，這彌粒通常被垂直地配準(zhǔn)(即，垂直地"關(guān)聯(lián)"或排列)。在硬磁層6上形成一個(gè)比如^f^的碳(DLC)的保護(hù)性的防護(hù)涂層14，從而完成^M層堆疊，并且在保護(hù)性的防護(hù)涂層上形成一個(gè)比如全皿醚材料的潤(rùn)滑的外涂層15?；?0—般是圓盤(pán)形的，并且由一種一喊'I^M或合金(例如，鋁驢于鋁的合金)組成，鋁合金可以諸如在沉積表面具有鎳磷電鍍(plating)層,鎂合金；赫基底10由一種M的鵬、陶瓷、鵬陶瓷、聚合材料或這些材料的混合或SM組成。如果存在可選粘附層11，粘附層11可以包含一他到約30A厚度的銷或鈦合金的材料層。軟層4一m由一個(gè)約500到4000A厚的軟碰才料層會(huì)賊，軟^t才料從下列材料中選擇鎳、鎳鐵(坡莫合金)、鈷、CoZr、CoZrCr、CoZrNb、CoFeZrNb、CoFe、鐵、FeN、FeSiAl、FeS謹(jǐn)、FeCoB、FeCoC等。中間層5—般包括一層或多層超l購(gòu)300A厚的詞隨性材料層，非磁性材料諸如釕、TiCr、Ru/CoCr37Pt6、RuCr/CoCrPt，；以及至少一個(gè)硬磁層6—般地由一4^勺100到250A厚的基于鈷的合親組成，戶膽合金層包括一種或多種從鉻、鐵、鉭、鎳、鉬、鈾、釩、鈮、鍺、硼和鈀、鐵氮化物或氧化物中選出的元素，或者包括一種(CoX/Pd或鉬)n的多層磁性超晶格結(jié)構(gòu)，其中n題約10到25的一個(gè)微。超晶格的基預(yù)的磁性合金的齡替代的薄層大約2到3.5A厚，X是一種從鉻、鉭、硼、鉬、鈾、鉤和鐵中選出的元素，并且艦鈾的割戈的非磁性薄層超喲10A厚。每種硬磁記錄層材料具有來(lái)自磁晶態(tài)各向異性(第一類型)和/或界面各向異性(第二類型)的正交各向共性。一種當(dāng)前使用的磁記錄介質(zhì)分類方、皿于相互分離的記錄層的磁，粒，即，隔離，以便物理地和磁性地分離顆粒，并且麟改進(jìn)的介質(zhì)工作特性。根據(jù)這種分類方法，具有基于鈷的^id錄層(例如，CoQ合金)被分成截然不同的兩類(1)第一類型，其中顆粒的分離通過(guò)離的鉻原子擴(kuò)散到戶腿層的顆粒邊界而發(fā)生，從而形成富含鉻的顆f她界，所述擴(kuò)tfel程要求在形成(沉積)磁層期間加熱介質(zhì)的基底；以及(2)第二類型，其中顆粒的分離艦在相鄰磁性的顆粒直接的邊界上形自化物、氮化物和自化物而發(fā)生，從而形成附胃的"顆粒狀，，介質(zhì)，臓氧化物、氮化物和/繊化物可艦在基預(yù)合金的磁層的iiit沉積期間，將一種少量的包含氧、，/或碳原子至少一種的活性氣體(例如，氧氣、氮?dú)?、二氧化碳靜)導(dǎo)入到惰性氣體(例如，氬)氣而形成。帶有顆粒狀磁記錄層的磁記錄介質(zhì)具備實(shí)i^高面記錄密度的巨，力。如上戶皿，當(dāng)前制，粒狀類型的磁記錄介質(zhì)的方、皿括在一種包M性氣體(例如，氧氣、氮?dú)?環(huán)境的環(huán)境中的磁記錄層的反應(yīng)賺，以便混合其中的氧化物和/或氮化物，并且實(shí)i硬小和更分離的磁,粒。然而，根據(jù)戰(zhàn)方法形成的與利用傳統(tǒng);^法形成的介質(zhì)相比，一般具有很多孔隙并且表面粗糙。顆粒狀記錄介質(zhì)的腐蝕測(cè)鄉(xiāng)環(huán)境測(cè)微明其娜蝕能力和抗環(huán)境能力很差，并且甚至相對(duì)厚(例如約40A)的基于碳的做性的防護(hù)涂層都無(wú)^it^足夠的抗腐蝕能力和抗環(huán)境能力。研究已經(jīng)確定了顆粒狀磁記錄介質(zhì)的，腐ii特性的根本原因在于由于高度的小尺度粗糙、多L氧化物顆,界和/，差的粘附到氧化物的碳，從而做性的防護(hù)涂層(一般是碳)無(wú)法完全覆蓋磁記錄層表面。上述研究被公開(kāi)在普通分配、共同待審批的申請(qǐng)?zhí)枮?0/776,223、$|^于2004年2月12日的專利申請(qǐng)中，全文合并引用于此，以作參考。戶脫申ifi兌明可在碳保護(hù)性的防護(hù)涂層之上進(jìn)行沉積之前通過(guò)離子蝕刻(例如濺射蝕刻，sputteretching)顆粒狀磁記錄層的表面，從而gfcM粒狀磁記錄介質(zhì)的腐蝕特性。然而，這種方法具有缺點(diǎn)，因?yàn)榇庞涗泴邮艿街苯与x子嫩啲影響，磁性材料被除去，其結(jié)麟成磁性發(fā)生改變。鑒于前述內(nèi)容，存在一種明確的方法需求，以制造細(xì)記錄密度、高性能顆粒狀類型的縱向和垂直磁記錄介質(zhì)，這種介質(zhì)具有改進(jìn)的,蝕性和最優(yōu)的磁性，這種方法完全滿;^S種高性能磁記錄介質(zhì)的高生產(chǎn)處理能力、#合理、自動(dòng)帝隨的需求。因此，本發(fā)明描述并解決了J^制造包括顆粒狀類型磁記錄層的高性能磁記錄介質(zhì)的方法相關(guān)的難題、缺陷和不利條件，而保持了與自動(dòng)制造磁記錄介質(zhì)所有方面的全部兼容性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一種優(yōu)點(diǎn)在^IJ3t^立狀縱向和垂l^^狀磁記錄介質(zhì)的gfcS方法，這種磁記錄介質(zhì)帶有增強(qiáng)的,蝕性和跡境性。本發(fā)明的另一種優(yōu)點(diǎn)在于，的顆粒狀縱向和垂直磁記錄介質(zhì)，這種磁記錄介質(zhì)帶有增強(qiáng)的，蝕性和,境性。本發(fā)明公開(kāi)的其他優(yōu)點(diǎn)及其他特點(diǎn)將在下文中描述，并且CT以下內(nèi)容進(jìn)行檢驗(yàn)或者對(duì)本發(fā)明進(jìn)行實(shí)際學(xué)習(xí)以后，在某種驗(yàn)掘本領(lǐng)職術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn)的。如所附加的權(quán)利要求特別指出的那樣，可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這靴點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，M—種帝i，粒狀磁記錄介質(zhì)的方法可以部分地獲得J^其他優(yōu)點(diǎn)，臓方魏^^的步驟(a),包括一^面的一個(gè)一喊性基底；(b)^^脫基驗(yàn)面上形成一個(gè)層堆疊，戶;f^M堆疊包括具有一頓卜面的顆粒狀磁記錄層，戶;^粒狀磁記錄層具有一個(gè)暴露表面；(c)舒;^粒狀磁記錄層的皿暴露表面上形成一個(gè)帽材料層，戶，帽層具有一個(gè)暴露表面；(d)，IM^帽層的戶，暴露表面以除去至少其1分厚度并皿成一個(gè)處理表面；以及(e)舒;M處理表面上形成一個(gè)，性的防護(hù)涂層。根據(jù)本發(fā)明方法的實(shí)施例，步驟(b)包括形成一個(gè)層堆疊，戶M層堆疊包括一個(gè)最外面的垂直磁記錄層或一4^卜面的縱向磁記錄層；步驟(C)包括形成一個(gè)金屬的帽層，即，一個(gè)非結(jié)晶的或結(jié)晶的金屬帽層，厚度從約5A到100A，從下述材料中選擇含鉻合金、含鉭合金、含船金；步驟(d)包括離Tt^U戶欣帽層的戶脫暴露表面，t^Wl鄉(xiāng)蝕刻帶有離子的一種惰性氣體(如氬離子)，以留下約0到50A的厚度；步驟(e)包括形成一4^碳f，性的防護(hù)涂層，厚度為約15至U50A，ttm，皿離子束沉積(IBD)、等離子增強(qiáng)的化爭(zhēng)糊沉積方法(PECVD)^!濾陰極弧沉積(filtoedCAD)形成一倌皿(DLC)的，性的防護(hù)涂層。本發(fā)明公開(kāi)的,實(shí)施例包括其中步驟(c)包括;S^f^粒狀磁記錄層的戶M暴露表面上形成一個(gè)抗m胖才料層，并且然后在抗|」材料層;^±形^0述帽層，而步驟(d)包括完^t^!l臓帽層的齡厚度。ttiiJ4k，步驟(c)包括形成一個(gè)抗mitt^附料層(如一個(gè)非結(jié)晶碳層)，厚度約為5A到25A。根據(jù)本發(fā)明方法的實(shí)施例，步驟(b)包括形成一個(gè)層堆疊，層堆疊包含顆粒狀基TO合金的磁記錄層，所述磁記錄層由一種CoPtX合M成，其中X至少為以下戶腿的一種元素^t才料鉻、鉭、硼、鉬、釩、鈮、鉤、鋯、錸、釕、銅、銀、鉿、銥、釔、氧、硅、鈦、氮磷、鎳、二氧化硅、SiO、SisN4、A1A、A1N、TiO、T102TiOX、T1N、TiC、Ta205、NiO和CoO，并且其中含鈷磁性的顆米Mil包括至少一種氧化物、氮化物和碳化物的顆)^ii界進(jìn)行隔離。本發(fā)明的另一個(gè)方面是根據(jù)Jd^ff^制造的顆粒狀磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明的再另一個(gè)方面是一種顆粒狀磁記錄介質(zhì)，包括(a)具有一，面的一個(gè)一隨性基底；(b)在戶;f^基驗(yàn)面上的一個(gè)層堆疊，戶/f^M堆疊包括具有一^h^卜面的顆粒狀磁記雜；(c)在戶;粒狀磁記錄層;^±的一個(gè)帽層，戶皿帽層具有一個(gè)蝕刻的外表面；以及(d)在戶皿帽層的所^拼表面之上的一^呆護(hù)性的防護(hù)涂層。根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的實(shí)施例，所，fi^t磁記錄層是一個(gè)垂直磁記錄層或一個(gè)縱向磁記錄層；臓帽層包括一個(gè)非結(jié)晶的或結(jié)晶的金屬層，從下述材料中選擇含鉻合金、含鉭合金、含鈮合金；戶M帽層，一步的包括位于戶;f^粒狀磁記錄層和所M屬材料層中間的一個(gè)lfCW^^U材禾斗層，例如一個(gè)非結(jié)晶碳層；所^^粒狀基，合金的磁記錄層包括一種CoPtX合金，其中X至少為以下戶腿的一種元素或材料鉻、鉭、硼、鉬、釩、鈮、鵒、鋯、錸、釕、銅、銀、鉿、銥、紀(jì)、氧、硅、鈦、氮、磷、鎳、二氧化硅、SiO、Si3N4、A1203、A1N、TiO、Ti02TiOX、TiN、TiC、Ta205、NiO和CoO，并且其中含鈷磁性的顆米aa包括至少一種氧化物、氮化物和碳化物的顆粒邊界進(jìn)行隔離；戶皿保護(hù)性的防護(hù)涂層包括一種含碳(C)材料。從以下詳細(xì)說(shuō)明中，本領(lǐng),術(shù)人員可以顯而易見(jiàn)本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和方面，其中簡(jiǎn)單iMl為了實(shí)踐本發(fā)明而設(shè)計(jì)的最佳方式的說(shuō)明，從而表示和描述了本方法的實(shí)施例。如同^S述的那樣，本發(fā)明公開(kāi)肯辦具有其他的和不同的實(shí)施例，并且其若干細(xì)節(jié)可在各種顯而易見(jiàn)的方面進(jìn)行修改，所有這對(duì)參改不脫離本發(fā)明之精神。因此，這些附圖和描述本質(zhì)上被認(rèn)為是說(shuō)明性的，而不是限定性的。.當(dāng)閱讀以下附圖時(shí)，可以，理解本發(fā)明公開(kāi)的以下具體實(shí)施方式，其中各，征(例如，層)不必按比例織lj，而織lj臓恰當(dāng)?shù)卣f(shuō)明有嫌征，其中圖1示意地在簡(jiǎn)化的剖視圖中說(shuō)明一個(gè)傳統(tǒng)薄膜縱向磁記錄介質(zhì)的一部分；圖2示意地在簡(jiǎn)化的剖視圖中說(shuō)明一個(gè)磁記錄存儲(chǔ)器的一部分，以及由一個(gè)垂直磁記錄介質(zhì)和一個(gè)對(duì)及傳繊頭鄉(xiāng)賊的信息檢索系統(tǒng)；圖3示意地在簡(jiǎn)化的剖視圖中說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明方法實(shí)施例的一系列處理步驟；圖4是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的圖表，說(shuō)明帶有顆粒狀M單元的磁性變化與帽層厚度和,lj處理性能有關(guān)。圖5是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的圖表，說(shuō)明帶有顆粒狀M單元的，蝕性的相關(guān)性與帽層厚度和嫩U處理性能有關(guān)。圖6示意地在簡(jiǎn)化的咅艦圖中說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明方法的另一個(gè)實(shí)施例的一系列處理步驟；具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出和解決了根據(jù)在先方法制造的顆粒狀縱向和垂直磁記錄介質(zhì)的較差抗腐蝕和抗環(huán)境性能相關(guān)的難題、缺點(diǎn)和缺陷，并且基于本發(fā)明人最近的研究，已經(jīng)確定了導(dǎo)，種介質(zhì)腐蝕特性較差的根本原因尤其可歸因于未完全覆蓋保護(hù)性的防護(hù)涂層表面(一般是一種DLC材料)，其原因在于相對(duì)于m1其他類型磁記錄層，增加了顆粒狀磁記錄層的小尺度粗糙度，出現(xiàn)了多孑,粒邊界，以及頓f敏界的〗跌性防護(hù)涂層的較差的粘附性。本發(fā)明皿一步的基于本發(fā)明人的認(rèn)識(shí)，aai在保護(hù)性的防護(hù)涂層上成形之前進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚?，即使不能完，決也可以,，的顆粒狀磁記錄層較差抗腐蝕性和抗環(huán)境性能的難題。更具體地說(shuō)，本發(fā)明人已經(jīng)確定，當(dāng)完成成形時(shí)，艦在顆粒狀磁記錄層的粗糙、多孑L表面上形成一個(gè)薄的、做性的"帽"層，可以顯著地^m種介質(zhì)的IM蝕性，然后蝕刻臓帽層的表面以除去其至少一部分的厚度，從而—個(gè)相對(duì)平滑的、連續(xù)的表面以在保護(hù)性的防護(hù)涂層戰(zhàn)行沉積。嫩做飽括帶有一種惰性氣體離子(例如氬離子)的蝕刻，以便形成一個(gè)足夠的間隔，從而實(shí)現(xiàn)除去戶M帽層至少一部分表面。根據(jù)本方、;4Jli共的帽層與先前公開(kāi)的方法相比具有優(yōu)點(diǎn)，即在帽層下面的磁層有效地免受懶蟛響，因此有效地消除了由al^嫩lj過(guò)程的離子照射引起的損傷、有害的磁性變化以及儲(chǔ)存、最優(yōu)化磁ia^層的特征，而通過(guò)在{，性的防護(hù)涂層沉積之前嫩價(jià)質(zhì)表面，從而保持了皿介質(zhì)的的織蝕性。根據(jù)本發(fā)明的魏一步的實(shí)施例，一個(gè)附瞻即一個(gè)薄的"嫩u-停止"層，由一種對(duì)特定t^ij過(guò)程更有抵抗力的材料組成，例如一個(gè)抗,蝕刻材料的薄層，提供在沉積的顆粒狀磁記錄層和帽層之間，以便在嫩u過(guò)程期間將完全除去帽層的可能性降到最低，這種|放程可不利地導(dǎo)致戶，磁層的蝕刻、磁性及其磁性特征的變化。現(xiàn)在參考圖3，參考以下本發(fā)明方法說(shuō)明性而非限定性的例子，現(xiàn)在將詳細(xì)描寫(xiě)本發(fā)明公開(kāi)原則所包含的一系列處理步驟。根據(jù)本方法的最初步驟，提!似圖1所示的和前述的帶有層堆疊的一個(gè)磁"ifi^介質(zhì)，并且一包括一個(gè)圓，非磁性基底，基底從以下非磁性材料中選擇鋁、Ni-P電鍍鋁、鋁鎂合金、其它基于鋁的合金、其它一喊性金屬、其它非磁性合金、玻璃、陶瓷、高聚物、鵬陶瓷、以^J^的材料的混合和/^ii層板，以及在其上形成的層堆疊，其中包括一個(gè)影卜面的顆粒狀縱向或垂直磁記錄片廳。后者說(shuō)明性地(而不是限制地)由一種CoPtX合^^賊，其中x至少為以下麟的一種元素或材料鉻、鉭、硼、鉬、釩、鈮、鴿、鋯、錸、釕、銅、銀、鉿、銥、釔、氧、硅、鈦、氮、磷、鎳、二氧化硅、SiO、SisN4、A1203、A1N、TiO、Ti02TK)X、TiN、TiC、Ta205、NiO和CoO，并且其中含鈷磁性的顆茅M1M,界進(jìn)行隔離，顆粒邊界包括例如艦反應(yīng)形成的至少一種氧化物、氮化物和碳化物形成。參考圖3，根據(jù)本方法的下一步，艦任1當(dāng)?shù)谋※i積技術(shù)(例如濺射)在暴露的最上層表面上形成一個(gè)薄的帽層。根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)，所述帽層即一個(gè)厚度約為5A到100A的非結(jié)晶或結(jié)晶金屬層，tt^ife由一種金屬材料組成，并且可由^蟲(chóng)一種金屬元素或者多元素合金形成。根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)，適合用作帽層的元素和合金材料從以下元素中選擇含鉻合金、含鉭合金、以及含鈮合金。1t據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的下一步，如圖3所示，帽層進(jìn)行一^^ij過(guò)程，以除去其至少一部分厚度。為了可控地除去帽層所需的厚度，^S的t^lM^包括離子蝕刻，ttiM包括帶有一種惰性氣體離子(例如氬離子)的鵬嫩U。根據(jù)本方法，在離T^喊除去^h厚度后，可以保持帽層的一部分厚度。因此，在離TW化后，帽層厚度的范圍從0到50A。繼考圖3，根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的下一步，M31任一^S的技術(shù)，在剩余的帽層的暴露表面上或顆粒狀磁記錄層的暴露表面上形成一個(gè)保護(hù)性的防護(hù)涂層，一般是一^碳(c)保護(hù)性的防護(hù)涂層。^ife，做性的防護(hù)涂層包括一^^J15到50A厚的菱靴碳(DLC)層，戶;MM艦離子束沉積(IBD)、等離子增強(qiáng)的化學(xué)，沉積方法(PECVD)^濾波陰極弧^f只(filteredCAD)形成。參考以下說(shuō)明性而非限定性的實(shí)例描^J^方法的實(shí)用性。實(shí)例—組圓娜單元，齡都帶被非磁性基底上制造的—個(gè)驗(yàn)狀鵬和—個(gè)驗(yàn)的CrNb帽層。GNb帽層的厚度范圍從0到30A，以10A遞增，并且—些單^i^lW嫩iJ達(dá)到6秒鐘。在一個(gè)NCT站，具有40sccm的氬氣流，陽(yáng)極電壓90伏和120伏基底偏置。在^]"嫩ij之后，單，面鍍有25A、35A或45A厚的利用乙炔(C2H2)涂層材料氣體的IBDDLC保護(hù)性的防護(hù)涂層。為作對(duì)比，也準(zhǔn)備了帽層沒(méi)有被M1^IJ處理的單元。下表1總結(jié)了*單元的描述和對(duì)齡單，湖亍的處理。表I<table>complextableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>參考圖4，其中所示圖表說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)方法，帶有顆粒狀磁膜的，單元RDM進(jìn)行測(cè)量)的磁性變化與帽層最初的厚度以及這些單元是否受蝕刻處理有關(guān)。由圖4顯而易見(jiàn)，在戶標(biāo)6秒鐘內(nèi)，當(dāng)QNb帽層最初厚度小于20A時(shí)，Mrt和Hcr低于控制單元C5的情況。氬離子M蝕刻除去了QNb帽層的^厚度，以及一些下面的顆粒狀磁記錄層。相反，當(dāng)QNb帽層最初的厚度是20A駄于20A時(shí)，在6秒鬼離TO^之后鵬剩余一些CrNb帽層。因此，下面的顆粒狀,不受離^^膨響，并且嫩U之后Mrt和Hcr值縦控制單元C5。注意圖5，其中所示圖表說(shuō)明，單元Cl-C7的抗腐蝕性的相關(guān)性與帽層最初的厚度以及是否執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的嫩U處理有關(guān)。維離些單元在80'C/80%相對(duì)鵬恒溫恒濕箱中達(dá)到4天，以及其上由于ESCA測(cè)量的腐蝕而生長(zhǎng)的CoOx(來(lái)源于基于鈷的合金的顆粒狀磁記錄層)，確定了iW蝕性。由圖5顯而易見(jiàn)，那些承魏離子鵬嫩ij處理的單元顯示出比夷陛未承魏離子賺嫩1JM的單元低得多的Coa百分比。那徵魏離子ait嫩lj過(guò)程的單元，帶有20A和30A厚的CrNb帽層最初的厚度，在環(huán)境暴露之后顯得幾乎沒(méi)有CoOx生長(zhǎng)。因此，M;控制帽層最初的厚度和蝕刻過(guò)程，本方法肖激帝臘繊蝕性得至腫大艦的顆粒狀磁記錄介質(zhì)，并且不會(huì)弓胞磁記錄層的'頓或辦征退化。理想地，iSB^M:蝕刻處理將帽層最初厚度^b至iJ盡可能的薄，以便縮小讀/寫(xiě)傳自頭和磁記錄層表面之間的距離。無(wú)論如何，由于離子照射和|』導(dǎo)致信號(hào)-介質(zhì)-噪聲比(SMNR)退化，因而獲取嫩U后的最小帽層的厚度可能不利地導(dǎo)致下層顆粒狀磁記錄層損傷。因此，根據(jù)本方法的另一個(gè)方面，在圖6中顯示了簡(jiǎn)化、示意的1i^面，一個(gè)基本上為抗蝕刻材料的非常薄的ra入在顆粒狀磁記錄層和帽層之間，以作為"mU-停止"層。根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例包^^樣的嫩W亭ihM，禾U用相比于金屬帽層材料具有抵抗性的非結(jié)晶^^抵抗氬離子鵬蝕刻。更具體地說(shuō)，非結(jié)晶碳在利用氬離子的典型,|放程中的材料切除速度的數(shù)量級(jí)約為0.05納米/#，戶;^iJt顯著地小于在大體上相1以^^牛下金屬層的^iW嫩iJiM，即~0.3-0.5納^/#。因此，鄉(xiāng)粒狀垂直磁記錄層和帽層中間隨一個(gè)非結(jié)晶碳薄層(例如，約5A到25A厚)，便于為了最小化傳S^頭-磁層的距離而進(jìn)行的最大ftt刀除，同時(shí)防止在嫩搠間損傷和嫩碟ij戶;M磁層。值得注意的是，戰(zhàn)公開(kāi)方法的實(shí)施例是本發(fā)明麟的有益效果，其僅僅是說(shuō)明性的而非限制性的。具體地說(shuō)，方法不局限于^ffl所^^l的CoPtX磁性合金，也可以提供增強(qiáng)的抗腐蝕性和抗環(huán)境性能的記錄介質(zhì)，記錄介質(zhì)包括各種各樣顆粒狀縱向或垂直磁記錄層,其表面帶有小尺寸的凹凸和孔隙。同樣地，本發(fā)明公開(kāi)離，刻處理不局限于所舉例的氬離子，并且可以用許多其他惰性離子類型鄉(xiāng)行良好的離^Ilj，^來(lái)說(shuō)，其他惰性離子類型包括氦、氪、氤和氖離子。另外，在本公開(kāi)方法的一，殊的應(yīng)用中可以容易地確定執(zhí)行離子嫩啲具條作剝牛，包繊,性氣體的流動(dòng)速率、基底偏壓、離^^lj間隔、離子育遣和嫩iMJt。例如統(tǒng)的基底偏壓、離子育遣和嫩iMJ^的范圍分別是0—300伏、10—400電子伏和0.1—20A/秒。最后，，性的防護(hù)涂層不局限于IBDDLC,而是各種各樣的保護(hù)性的防護(hù)涂層材料和由此可用的沉積方法。在戰(zhàn)的描述中，闡明了許多的細(xì)節(jié)，諸如具糊料、結(jié)構(gòu)過(guò)程等等。以艦本發(fā)明離得更為透徹。無(wú)論如何,本發(fā)明不依靠具體闡明的細(xì)節(jié)而實(shí)現(xiàn)。在其他例子中，沒(méi)有詳細(xì)描寫(xiě)眾所周知的處理材料和技術(shù)，以免不必要地混淆本發(fā)明。在本發(fā)明公開(kāi)中僅僅示出和描述了本發(fā)明的，實(shí)施例和其多用途中的一徵仔?？梢?，本發(fā)明會(huì)^^頓各種其^#且合和環(huán)境，而且在臓發(fā)明的構(gòu)思范圍內(nèi)允許進(jìn)行變化和/或修改。權(quán)利要求1.一種制造顆粒狀磁記錄介質(zhì)的方法，包括以下連續(xù)步驟(a)提供包括一個(gè)表面的非磁性基底；(b)在所述基底的表面上形成層堆疊，所述層堆疊包括具有最外面的顆粒狀磁記錄層，所述顆粒狀磁記錄層具有暴露表面；(c)在所述顆粒狀磁記錄層的所述暴露表面上形成帽材料層，所述帽層具有暴露表面；(d)蝕刻所述帽層的所述暴露表面以除去其至少一部分厚度并且形成處理表面；以及(e)在所述處理表面上形成保護(hù)性的防護(hù)涂層。2.如權(quán)利要求1自的方法，^在于步驟(b)包括形離堆疊，f^M堆疊包括一^ft^卜面的縱向磁記錄層或垂直磁記錄層。3.如權(quán)利要求1戶，的方法，，征在于步驟(c)包括形成一個(gè)大約5A至IOOA的非結(jié)晶或結(jié)晶金屬帽層，^JS材料從以下材料中選擇含鉻合金、含鉭合金、以及含f&^金。4.如權(quán)利要求1所述的方法，，征在于-步驟(d)包括離Ti^ij戶，帽層的戶;f^暴露表面。5.如權(quán)利要求4戶，的方法，，征在于步驟(d)包括OTfti4氣體離子對(duì)戶;M帽層的ff^暴露表面進(jìn)fiWi^ij。6.如權(quán)利要求5戶皿的方法，，征在于步驟(d)包^t^U戶腿帽層，從而留下約o到約50A的厚度。7.如權(quán)利要求1戶皿的方法，，征在于步驟(e)包括形成一^"碳(C)的M^性的防護(hù)涂層。8.如權(quán)利要求1戶皿的方法，，征在于步驟(c)包括在戶/^粒狀磁記錄層的戶脫暴露表面上形成一個(gè)抗嫩附料層，然后^^，抗|』材料層^±形^^帽層。9.如權(quán)利要求8戶腿的方法，，征在于步驟(d)包^^U戶腿帽層的基本,厚度。10.如權(quán)利要求8臓的方法，辦征在于步驟(C)包括形成一個(gè)抗賺鵬材料層。11.如權(quán)利要求10戶，的方法，，征在于-步驟(c)包括形成一個(gè)以非結(jié)晶碳為戶;^^it嫩附料的層。12.如權(quán)利要求1所述的方法，，征在于步驟(b)包括形戯;MM堆疊，BfMM堆疊包括一個(gè)顆粒狀基于鈷合金的磁記錄層，所述磁記錄層由一種CoPtX合勉且成，其中X至少為以下所選的一種元素或材料鉻、鉭、硼、鉬、釩、鈮鉤、鋯、錸、.釕、銅、銀、鉿、銥、釔、氧、硅、鈦、氮、磷、鎳、SiOz、SiO、SisN4、A1203、A1N、TiO、Ti02、TiOx、TiN、TiC、Ta205、NiO和CoO，并且其中含鈷磁14^茅M31包括至少一種氧化物、氮化物和碳化物的顆茅M界進(jìn)行隔離。13.Sil^利要求1臓旅帝隨的一種顆粒狀磁記錄介質(zhì)。14.—種顆粒狀磁記錄介質(zhì)，包括(a)具有—僧面的微性基底；(b)S^腿基驗(yàn)面上的層堆疊，戶;f^堆疊具有影卜面的顆粒狀磁記錄層；(c)在戶;^粒狀磁記錄層上的帽層，戶;f^帽層具有iw嫩啲外表面；以及(d)在戶腿帽層的所^w嫩u外表面上的保護(hù)性的防護(hù)涂層。15.如權(quán)利要求14戶M的介質(zhì)，，征在于戶;^粒狀磁記錄層是垂直或縱向磁記錄層。16.如權(quán)利要求14戶脫的介質(zhì)，辦征在于戶腿帽層包括一個(gè)非結(jié)晶或結(jié)B曰B金屬層，金屬層的材料從以下材料中選擇:含鉻合金、含鉭合金、以及含fg^。17.如權(quán)利要求14戶皿的介質(zhì)，，征在于戶，帽層，一步包括在戶;^粒狀磁記錄層和所:^1材料層中間的抗W鵬材料層。18.如權(quán)利要求17戶皿的介質(zhì)，，征在于-^!tW鵬材料層包括非結(jié)晶碳。19.如權(quán)禾腰求14臓的介質(zhì)，辦征在于-所述顆粒狀基TO合金磁記錄層由一種CoPtX^M，其中X至少為以下所選的一種元素謝料鉻、鉭、硼、鉬、釩、鈮、鉤、鋯、錸、釕、銅、銀、鉿、銥、釔、氧、硅、鈦、氮、磷、鎳、二氧化硅、SiO、SisN4、A1203、A1N、TiO、TiOz、TiOx、TiN、TiC、Ta205、NiO和CoO，并且其中含鈷磁',^WS包括至少一種氧化物、氮化物和碳化物的顆^iii界進(jìn)行隔離。20.如權(quán)利要求14所述的介質(zhì)，其特征在于所述做性的防護(hù)涂層包括一種含碳(c)材料。全文摘要本發(fā)明涉及一種顆粒狀磁記錄介質(zhì)，包括具有一個(gè)表面的一個(gè)非磁性基底，一個(gè)在基底表面上的層堆疊，層堆疊包括一個(gè)最外面的顆粒狀磁記錄層，一個(gè)在顆粒狀磁記錄層上的具有一個(gè)濺射蝕刻外表面的帽層，以及一個(gè)在帽層的濺射-蝕刻外表面上的保護(hù)性的防護(hù)涂層。文檔編號(hào)G11B5/68GK101197139SQ20061006412公開(kāi)日2008年6月11日申請(qǐng)日期2006年12月5日優(yōu)先權(quán)日2006年12月5日發(fā)明者G·C·勞奇,H·唐,J·R·魏斯,J·桂,M·J·施蒂曼,R·坦加賈,S·D·哈克尼斯四世,T·P·諾蘭,X·馬申請(qǐng)人:希捷科技有限公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