專利名稱：在光驅(qū)內(nèi)設(shè)置激光功率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及激光功率的設(shè)置方法，尤其涉及在光驅(qū)內(nèi)設(shè)置激光輸出功率電平的方法。
背景技術(shù)：
近來，已經(jīng)開發(fā)出允許將數(shù)據(jù)記錄在盤片的數(shù)據(jù)表面上并將具有預(yù)期設(shè)計(jì)的標(biāo)簽印在盤片數(shù)據(jù)表面的反面或非數(shù)據(jù)或標(biāo)簽表面之上的光盤。在其上印有標(biāo)簽的盤片表面被稱為盤片的標(biāo)簽表面。通常使用激光刻蝕技術(shù)(常被稱為光雕LightScribe)可將標(biāo)簽轉(zhuǎn)移到盤片的標(biāo)簽表面上，其中激光將圖像燒蝕或刻蝕到光盤上特別準(zhǔn)備的、非數(shù)據(jù)一面之上。
一般說來，必須在光盤上記錄數(shù)據(jù)的激光功率基于記錄速度和其他記錄介質(zhì)特性而變化。通常使用受控的集成電路(IC)射頻(R/F)輸入電壓(DAC)在期望的量級(jí)上設(shè)置激光功率。然而，對(duì)給定輸入電壓(DAC)的激光功率輸出實(shí)際量級(jí)會(huì)基于光學(xué)拾取器和R/F IC特性的差異和偏差而變化。因此，在光驅(qū)制造期間，就為每個(gè)設(shè)備測量輸入電壓(DAC)和相關(guān)于該輸入電壓(DAC)的實(shí)際輸出激光功率(P)之間的關(guān)系并將其存儲(chǔ)在ROM(只讀存儲(chǔ)器)中，從而能夠基于測量結(jié)果設(shè)置期望量級(jí)的輸出激光功率。
通常為了計(jì)算輸入電壓和輸出激光功率之間的關(guān)系，就使用專為此目的設(shè)計(jì)的設(shè)備(例如激光功率計(jì))在光驅(qū)制造期間測量實(shí)際輸出激光功率。施加給R/F IC的輸入電壓和光學(xué)拾取器生成的激光功率之間的關(guān)系通常至少部分呈線性。因此，廣泛使用反映制造過程中被選點(diǎn)的功率設(shè)置的關(guān)于輸入電壓(DAC)和激光功率(P)的線性方程來建立此種關(guān)系。
當(dāng)在光盤的標(biāo)簽表面印制諸如上述光雕的標(biāo)簽時(shí)，就使用輸入電壓和在光驅(qū)制造過程中檢測到的期望激光功率之間的線性關(guān)系來計(jì)算對(duì)應(yīng)于期望激光功率的輸入電壓。將算出的輸入電壓施加給R/F IC，從而能夠使用預(yù)定量級(jí)的激光功率執(zhí)行標(biāo)簽印制操作。
然而，此種標(biāo)簽印制操作要求激光器的輸出功率大大高于在盤片數(shù)據(jù)表面上執(zhí)行記錄通常操作所需的功率。若如圖1所示，激光器的輸出值基于輸入電壓的增加而超過預(yù)定值，則輸入電壓和激光功率之間就不再是線性關(guān)系，并且輸出激光功率對(duì)輸入電壓之比(即斜率)就逐漸降低。由此，如果輸入電壓和輸出激光功率之間的線性關(guān)系發(fā)生改變，則會(huì)在激光功率建立過程中產(chǎn)生由式ΔP誤差＝P實(shí)際-P理想所示的非期望誤差，這就導(dǎo)致了盤片標(biāo)簽表面上印刷質(zhì)量的劣化。
上述內(nèi)容被包括在此以作參考，適用于另外的或可選的細(xì)節(jié)、特性和/或技術(shù)背景。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于至少解決上述問題和/或缺點(diǎn)并至少提供下文所描述的優(yōu)點(diǎn)。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種設(shè)置激光功率從而能夠在光雕盤片上印制高質(zhì)量標(biāo)簽的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種用于設(shè)置激光二極管的激光功率的方法，使得在光雕盤片上印制標(biāo)簽時(shí)可以正確輸出所要求的高輸出激光功率。
根據(jù)在此具體實(shí)現(xiàn)并廣泛描述的本發(fā)明，用于設(shè)置其中可存儲(chǔ)功率建立數(shù)據(jù)和激光二極管內(nèi)部傳感器的靈敏度數(shù)據(jù)的光驅(qū)的激光功率方法包括控制使用功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)在標(biāo)簽表面的預(yù)定區(qū)域內(nèi)控制激光功率，并若要是光雕盤片位于光驅(qū)內(nèi)的標(biāo)簽表面上，就在標(biāo)簽表面內(nèi)的標(biāo)簽區(qū)域中執(zhí)行標(biāo)簽印制操作。
在某些實(shí)施例中，可以在光驅(qū)制造期間檢測并存儲(chǔ)功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度，并可使用指示輸入值和輸出激光功率之間關(guān)系的大致呈線性的方程來表示所述功率建立數(shù)據(jù)。
在某些實(shí)施例中，預(yù)定區(qū)域可以是不與由激光功率控制操作所引起的激光輸出起反應(yīng)的區(qū)域，諸如控制特性區(qū)域。
在某些實(shí)施例中，對(duì)激光功率的控制包括計(jì)算傳感器輸出值的目標(biāo)值，其中所述傳感器的輸出值對(duì)應(yīng)于要使用靈敏度數(shù)據(jù)設(shè)置的輸出激光功率；計(jì)算用于生成要使用功率建立數(shù)據(jù)設(shè)置的輸出激光功率的輸入值，使用算出的輸入值操作激光二極管，同時(shí)檢測傳感器輸出值并使用算出的目標(biāo)值比較測出的傳感器輸出值，隨后根據(jù)比較結(jié)果控制激光功率，并且在所測傳感器輸出值高于算出目標(biāo)值的情況下增加激光功率。
在某些實(shí)施例中，可以在光驅(qū)制造期間檢測并存儲(chǔ)功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度，并可使用指示輸入值和輸出激光功率之間關(guān)系的大致呈線性的方程來表示所述功率建立數(shù)據(jù)，同時(shí)檢測并存儲(chǔ)與至少一個(gè)最好至少兩個(gè)輸出激光功率區(qū)域相關(guān)聯(lián)的功率建立數(shù)據(jù)。
在某些實(shí)施例中，可以將輸出激光功率區(qū)域分類成包括用于光盤記錄表面的第一記錄功率的第一區(qū)域和包括用于光雕盤片標(biāo)簽表面的第二記錄功率的第二區(qū)域。
在某些實(shí)施例中，在預(yù)定數(shù)目的輸出激光功率區(qū)域中檢測獨(dú)立的功率建立數(shù)據(jù)單元并存儲(chǔ)檢測到的功率建立數(shù)據(jù)單元可包括在希望包含在相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的值將被生成生成處檢測兩個(gè)預(yù)定輸入值的輸出激光功率，并且在兩個(gè)預(yù)定的輸入值和所述測得的輸出激光功率的基礎(chǔ)上計(jì)算關(guān)于輸入值和輸出激光功率關(guān)系的線性方程，并且存儲(chǔ)算出的線性方程。
可選地，在預(yù)定數(shù)目的輸出激光功率區(qū)域中檢測獨(dú)立的功率建立數(shù)據(jù)單元并存儲(chǔ)檢測到的功率建立數(shù)據(jù)單元可包括在希望包含在相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的值將被生成生成處檢測預(yù)定輸入值的輸出激光功率，并且在預(yù)定輸入值、檢測的輸出激光功率和輸入值和輸出激光功率之間斜率特性的基礎(chǔ)上計(jì)算關(guān)于輸入值和輸出激光功率關(guān)系的線性方程，并且存儲(chǔ)算出的線性方程。
可選地，在預(yù)定數(shù)目的輸出激光功率區(qū)域中檢測獨(dú)立的功率建立數(shù)據(jù)單元并存儲(chǔ)檢測到的功率建立數(shù)據(jù)單元可包括檢測與預(yù)定輸入值相關(guān)聯(lián)的輸出激光功率，搜索從存儲(chǔ)曲線數(shù)據(jù)中生成的被測激光功率的第二輸入值，計(jì)算第二輸入值和預(yù)定輸入值之間的差值，在該差值和存儲(chǔ)線性方程的基礎(chǔ)上計(jì)算關(guān)于光盤輸入值和輸出激光功率關(guān)系的線性方程，并且存儲(chǔ)算出的線性方程。
本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)、目的和特性將會(huì)在下面的描述中得到部分闡明，并且當(dāng)本領(lǐng)域的技術(shù)人員在查看下面的內(nèi)容時(shí)或通過實(shí)施本發(fā)明都可以清楚地看到本發(fā)明的這些優(yōu)點(diǎn)、目的和特性。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可以像所附的權(quán)利要求書中所特別指出的那樣得到實(shí)現(xiàn)和獲得。


參照下面的附圖，將詳細(xì)描述本發(fā)明，其中相同的數(shù)字指代相同的元件，其中圖1是輸入電壓(DAC)和激光功率(P)之間的關(guān)系圖；圖2是在其中可以實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光功率建立方法的光驅(qū)框圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種用于設(shè)置光驅(qū)激光功率的方法流程圖；圖4示出了典型光盤標(biāo)簽表面的布局；圖5是激光功率(P)和FPDO電壓之間的關(guān)系圖；圖6示出了圖4所示典型光盤的控制特性區(qū)域的布局；圖7是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種用于設(shè)置光驅(qū)激光功率的方法流程圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的輸入電壓和激光功率之間的關(guān)系圖，其中使用所述激光功率確定在最低和最高參考激光功率電平處的線性函數(shù)；圖9是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的輸入電壓和相關(guān)于三個(gè)設(shè)備的激光功率之間的非線性關(guān)系圖；圖10是當(dāng)實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的方法時(shí)的實(shí)際激光功率與使用傳統(tǒng)方法的激光功率輸出相比較的表格；以及圖11是圖10所示表格數(shù)據(jù)的圖示。
具體實(shí)施例方式
圖2是在其中可以實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光功率建立方法的光盤驅(qū)動(dòng)器(ODD)的框圖。ODD可以包括具有增益& S/H(采樣/保持)單元21和運(yùn)放(OP-AMP)的自動(dòng)功率控制(APC)電路20；具有激光二極管(LD)驅(qū)動(dòng)器31和前光電檢測器(FPD)32的光學(xué)拾取單元30；用于檢測由FPD 32輸出的信號(hào)電平的前光電檢測輸出(FPDO)；諸如閃存ROM的存儲(chǔ)器51；以及微處理器50。
APC電路20在輸FPDO信號(hào)和輸入電壓(WDAC)信號(hào)的基礎(chǔ)上生成激光功率電壓(VMDC)。LD驅(qū)動(dòng)31輸出對(duì)應(yīng)于輸出激光功率電壓VWDC的光束。FPD 32檢測由LD驅(qū)動(dòng)31生成的光束并輸出對(duì)應(yīng)于被測光束的FPDO信號(hào)。存儲(chǔ)器51存儲(chǔ)在ODD制造期間檢測到的功率建立數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)LD傳感器(未示出)的靈敏度數(shù)據(jù)“m”，所述傳感器包括在光學(xué)拾取單元30的LD(未示出)內(nèi)。微處理器50使用上述存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)的值在光盤10的標(biāo)簽表面上執(zhí)行功率建立操作，并由上述功率建立操作確定的一個(gè)輸出激光功率來執(zhí)行標(biāo)簽印制操作。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中，可以在ODD制造期間檢測相關(guān)于盤片數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面的功率建立數(shù)據(jù)單元并將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)。微處理器50隨后可基于上述存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)的功率建立數(shù)據(jù)確定相關(guān)于該光盤10數(shù)據(jù)表面或標(biāo)簽表面的激光功率電平。
假設(shè)建立激光功率基本等于記錄功率，于是就能把根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例用于設(shè)置輸出激光功率的方法以上述建立激光功率相同的方式施加給記錄功率和再現(xiàn)功率。
APC 20包含在ODD的R/F IC內(nèi)并要求預(yù)定量級(jí)的激光功率以使得ODD在盤片10上執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄操作。激光功率由APC 20的輸入電壓(WDAC)確定，并可由APC 20保持在大致恒定的電平。
FPDO信號(hào)對(duì)應(yīng)于由LD驅(qū)動(dòng)31生成并由FPD 32饋回的激光束輸出功率。輸入電壓(WDAC)對(duì)應(yīng)于建立激光功率。APC 20生成從FPD 32饋回的FPDO信號(hào)，以及對(duì)應(yīng)于經(jīng)由外部數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)(未示出)接收的輸入電壓(WDAC)的激光功率輸出信號(hào)(VWDC)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種用于設(shè)置光驅(qū)激光功率的方法流程圖。
在ODD制造期間建立一關(guān)于施加給R/F IC的輸入電壓WDAC和由光學(xué)拾取單元30生成的激光功率的線性方程。如果光學(xué)拾取單元30基于施加給R/FIC的輸入電壓(WDAC1)生成激光功率(P1)，則微處理器50測量激光功率(P1)，同時(shí)基于在由FPD 32生成之后由FPDO檢測器40檢測到的FPDO值(F1)來計(jì)算與光學(xué)拾取單元30相關(guān)聯(lián)的靈敏度m。
微處理器50可以使用恰當(dāng)?shù)臏y量設(shè)備(例如激光功率計(jì))測量激光功率(P1)，并使用與光學(xué)拾取單元30各組件(例如LD傳感器)相關(guān)聯(lián)的信息來確定靈敏度m。微處理器50可以使用式1表示的預(yù)定方程來計(jì)算靈敏度m。
m＝(2.5-F1)/P1 (式1)在ODD制造期間檢測并包括與輸入電壓和激光功率相關(guān)的線性方程和LD傳感器的靈敏度m的功率建立數(shù)據(jù)可被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51中。
現(xiàn)在將參考圖3描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種用于設(shè)置光驅(qū)激光功率的方法。
如果將包括了標(biāo)簽表面(諸如上述光雕)的光盤10放入ODD，則在步驟S10微處理器50確定光盤10的放入表面是否是標(biāo)簽表面。如圖4所示，盤片10的標(biāo)簽表面包括其中記錄有速度控制信息和媒體信息的控制特性區(qū)域以及在其中執(zhí)行標(biāo)簽印制操作的標(biāo)簽區(qū)域。如果在步驟S10處放入的是標(biāo)簽表面，則在步驟S11處微處理器50將光學(xué)拾取單元30切換至光盤10的控制特性區(qū)域，并根據(jù)將在其后詳述的一個(gè)本發(fā)明的實(shí)施例執(zhí)行功率記錄操作。
微處理器50設(shè)置在盤片10的標(biāo)簽表面上執(zhí)行標(biāo)簽印制操作所需的輸出激光功率，并在步驟S12處計(jì)算對(duì)應(yīng)于該設(shè)置輸出激光功率的目標(biāo)FPDO值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，此輸出激光功率可以是60mW。然而，其他的值也是合適的?？捎墒?表示的預(yù)定方程計(jì)算目標(biāo)FPDO。
F(X)＝-m*X+2.5(式2)在式2中，X等于輸出激光功率，m等于LD傳感器靈敏度，而f(X)等于對(duì)應(yīng)于輸出激光功率X的FPDO值?？梢栽诖鎯?chǔ)器51內(nèi)存儲(chǔ)X和m的值。輸出激光功率和FPDO之間的關(guān)系如圖5所示。
在步驟S12處，微處理器50使用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)的功率建立數(shù)據(jù)來計(jì)算對(duì)應(yīng)于輸出激光功率的輸入電壓(WDAC)。在此情況下，功率建立數(shù)據(jù)就對(duì)應(yīng)于在ODD制造期間建立的關(guān)于輸入電壓和激光功率的線性方程。
微處理器50把算出的輸入電壓(WDAC)送給APC 20的OP Amp 22。APC 20生成對(duì)應(yīng)于該輸入電壓的激光功率電壓(VWDC)。在步驟S13處，LD驅(qū)動(dòng)器31生成對(duì)應(yīng)于輸出激光功率電壓(VWDC)的發(fā)光束。
FPD 32檢測由LD驅(qū)動(dòng)器31生成的發(fā)光束并輸出相應(yīng)的FPDO信號(hào)。在步驟S14處，F(xiàn)PDO檢測器40檢測輸出FPDO信號(hào)的值，并把為討論方便而被稱為當(dāng)前FPDO的所測FPDO值發(fā)送給微處理器50。
在步驟S20處，微處理器50比較目標(biāo)FPDO的值和當(dāng)前FPDO的值。如果目標(biāo)FPDO的值大于當(dāng)前FPDO的值，微處理器50就保持已建立的輸出激光功率而不做變化。然而，若目標(biāo)FPDO的值等于或小于當(dāng)前FPDO的值，則在步驟S21處微處理器50就基于目標(biāo)FPDO的值和當(dāng)前FPDO的值之間的差值通過增加預(yù)定值來增加輸出激光功率。重復(fù)上述操作步驟以建立期望的激光功率。
在標(biāo)簽印制操作期間需要高于數(shù)據(jù)表面所需的輸出激光功率。通常若基于輸入電壓的增加使得激光輸出增加超過預(yù)定值，就如上參考圖1所述無法建立輸入信號(hào)和輸出信號(hào)之間的線性關(guān)系，這就導(dǎo)致了激光功率建立過程中的非期望誤差。于是雖然可為標(biāo)簽印制提供高輸出激光功率，但仍可實(shí)現(xiàn)上述功率建立操作以建立用于激光輸出功率并大致無誤差的最佳值。
圖6示出了光盤(諸如上述光雕盤片)標(biāo)簽表面的控制特性區(qū)域的詳細(xì)結(jié)構(gòu)?？刂铺匦詤^(qū)域包括速度控制特性區(qū)域，控制特性外環(huán)區(qū)域和鏡像區(qū)域。
微處理器50將光學(xué)拾取單元30移至控制特性區(qū)域并在控制特性區(qū)域內(nèi)執(zhí)行上述激光功率建立操作。微處理器50控制光學(xué)拾取單元30檢測來自控制特性外環(huán)區(qū)域內(nèi)索引標(biāo)記圖案的索引標(biāo)記，在索引標(biāo)記圖案起始處檢測輻條值為0的輻條，并執(zhí)行從一系列媒體ID字段中讀取媒體ID信息的同步操作。
如果由上述功率建立操作來確定最佳輸出激光功率，則在步驟S22處微處理器50將光學(xué)拾取單元30移至光盤10的標(biāo)簽區(qū)域，并在步驟S23處使用由上述功率建立步驟S14、S20和S21所調(diào)整的輸出激光功率來執(zhí)行標(biāo)簽印制操作。在標(biāo)簽印制操作過程中，由APC 20將被確定輸出激光功率保持在大致恒定的電平。
因?yàn)榧词巩?dāng)功率建立操作時(shí)也可能在標(biāo)簽表面上生成非期望的軌跡或標(biāo)記，所以光學(xué)拾取單元30移動(dòng)至標(biāo)簽表面的控制特性區(qū)域以執(zhí)行功率建立操作。僅能將標(biāo)簽印制操作引導(dǎo)入其上首先已沉積對(duì)激光輸出敏感的染料的標(biāo)簽區(qū)域。染料僅能沉積在盤片標(biāo)簽表面的標(biāo)簽區(qū)域部分，而不能沉積在控制特性區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，可以在ODD制造期間檢測并存儲(chǔ)在盤片數(shù)據(jù)表面記錄數(shù)據(jù)所需的第一功率建立數(shù)據(jù)以及在盤片標(biāo)簽表面印制標(biāo)簽所需的第二功率建立數(shù)據(jù)。通過基于記錄操作的不同分類來選擇的功率建立數(shù)據(jù)，確定相應(yīng)的激光功率。
與輸入電壓(DAC)相關(guān)聯(lián)的輸入電壓(DAC)的量級(jí)可以基于光學(xué)拾取器和R/F IC特征的差異而變化。針對(duì)這些矛盾，可以在ODD制造期間為每個(gè)設(shè)備執(zhí)行激光功率建立操作，同時(shí)檢測并存儲(chǔ)輸入電壓和對(duì)應(yīng)于輸入電壓的實(shí)際激光功率之間的關(guān)系?？梢栽谟糜诠獗P數(shù)據(jù)表面的第一參考記錄功率處執(zhí)行激光功率建立操作，并且該操作也可在用于光盤標(biāo)簽表面的第二參考記錄功率處執(zhí)行，從而可以檢測并存儲(chǔ)用于數(shù)據(jù)表面記錄的第一功率建立數(shù)據(jù)和用于標(biāo)簽表面記錄的第二功率建立數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一參考記錄功率約為20mW，而第二參考記錄功率約為40mW。然而也可使用其他合適的值。
圖7是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種用于設(shè)置光驅(qū)(ODD)激光功率的方法流程圖，在其后還將參考圖2進(jìn)行描述。
在ODD制造期間，基于為光盤10數(shù)據(jù)表面使用的低輸出參考記錄功率(PL)執(zhí)行激光功率建立操作，還也可基于為光盤10標(biāo)簽表面使用的高輸出參考記錄功率(PH)執(zhí)行該操作。如圖8所示，基于參考記錄功率值PL和PH檢測用于相應(yīng)的預(yù)定輸入電壓DAC1-DAC4的輸出激光功率值P1-P4。對(duì)應(yīng)于被測輸出激光功率值P1-P4的線性函數(shù)可被確定為功率建立數(shù)據(jù)并在步驟S30處被分別存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)。
更具體地，由預(yù)定值DAC_L相互分開并在此可生成期望低輸出參考記錄功率(諸如20mW)的兩個(gè)輸入電壓DAC1和DAC2可被順序施加給R/F IC，并且可由諸如激光功率計(jì)的設(shè)備來檢測實(shí)際輸出激光功率值P1和P2。上述兩個(gè)輸入電壓DAC1和DAC2應(yīng)該是在低輸出參考激光功率附近的值。如果為了討論的目的，假定低輸出參考激光功率為20mW，則DAC1和DAC2就可以是例如15mW和25mW。兩個(gè)用于線性方程y＝ax+b (式3)
的值a和b，其中y＝輸出激光功率，而x＝輸出電壓，可由兩點(diǎn)(DAC1，P1)和(DAC2，P2)確定的的y和x來計(jì)算，并將算出的結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)作為用于數(shù)據(jù)表面的功率建立數(shù)據(jù)。可以基于上述函數(shù)簡單算出生成低輸出參考激光功率的輸入電壓(例如20mW)，并將算出的輸入電壓值作為功率建立數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)。
由預(yù)定值DAC H相互分開并在此可生成期望高輸出參考記錄功率(諸如40mW)的兩個(gè)輸入電壓DAC3和DAC4可被順序施加給R/F IC，并可檢測實(shí)際輸出激光功率值P3和P4。上述兩個(gè)輸入電壓DAC3和DAC4應(yīng)該是在高輸出參考激光功率附近的值。如果為了討論的目的，假定高輸出參考激光功率為40mW，則DAC3和DAC4就可以是例如35mW和45mW。兩個(gè)用于線性方程y＝cx+d (式4)的值c和d可由兩點(diǎn)(DAC3，P3)和(DAC4，P4)所確定的值來計(jì)算，并將算出的結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)作為用于標(biāo)簽表面的功率建立數(shù)據(jù)。同樣地，可以基于上述函數(shù)簡單算出生成高輸出參考激光功率的輸入電壓(例如40mW)，并將算出的輸入電壓值作為功率建立數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)。雖然為討論便利將40mW的高輸出參考記錄功率稱為標(biāo)簽表面的參考記錄功率，但最大值小于約70mW的輸出激光功率的其他值也適于作為參考記錄功率。
于是，具有在制造過程中存儲(chǔ)的并用于數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面的功率建立數(shù)據(jù)的光驅(qū)(ODD)可基于上述功率建立數(shù)據(jù)設(shè)置合適的激光輸出功率電平，并可在數(shù)據(jù)表面執(zhí)行記錄操作和/或在標(biāo)簽表面執(zhí)行標(biāo)簽印制操作。
在步驟40處將光盤10放入光驅(qū)，并且在步驟50處微處理器50確定被放入的光盤10是否包括數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面(諸如上述的光雕盤片)。如果在步驟50被放入的光盤10包括數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面，則在步驟60處微處理器50確定光盤10放入的表面是否是標(biāo)簽表面。反射表面的位置和來自入射標(biāo)簽表面激光束的光反射量與數(shù)據(jù)表面的那些不同，于是就可基于不同的反射表面位置和反射光輕易確定光盤10的放入表面。
微處理器50隨后基于與來自存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)多個(gè)功率建立數(shù)據(jù)單元的相應(yīng)放入表面相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)，設(shè)置具有期望度量的激光功率，并且執(zhí)行恰當(dāng)?shù)挠涗洸僮?。更具體地，如果在步驟S60處確定光盤10的放入表面是標(biāo)簽表面，則在步驟S61處微處理器50檢測對(duì)應(yīng)于記錄激光功率的輸入電壓(DAC)，其中所述記錄激光功率與來自存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)多個(gè)功率建立數(shù)據(jù)單元內(nèi)的標(biāo)簽表面相關(guān)聯(lián)。將檢測到的輸入電壓(DAC)施加到包含在APC 20內(nèi)的OPAmp 22。APC 20生成由FPD 32饋回的FPDO信號(hào)以及對(duì)應(yīng)于輸入電壓的激光功率電壓(VWDC)，從而在步驟S62處在光盤10的標(biāo)簽表面上執(zhí)行諸如標(biāo)簽印制操作的記錄操作。
如果在步驟S70處確定光盤10的放入表面是數(shù)據(jù)表面，則微處理器50在步驟S71處檢測對(duì)應(yīng)于記錄激光功率的輸入電壓(DAC)，其中所述記錄激光功率與來自存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51內(nèi)多個(gè)功率建立數(shù)據(jù)單元內(nèi)的標(biāo)簽表面相關(guān)聯(lián)。將檢測到的輸入電壓(DAC)施加到APC 20的OP Amp 22。生成由對(duì)應(yīng)于輸入電壓(DAC)的激光功率電壓(VWDC)，并于步驟S72在數(shù)據(jù)表面上執(zhí)行記錄操作。
能夠以不同的方式執(zhí)行光盤制造期間的激光功率建立操作。
圖9是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的輸入電壓(DAC)和用于三個(gè)設(shè)備的激光功率(P)之間的非線性關(guān)系圖。至少部分由于與光學(xué)拾取單元相關(guān)聯(lián)的特征，并且更具體地是由于光學(xué)拾取單元的激光二極管特征，所以三條曲線互相多少有些類似。假設(shè)識(shí)別了指示輸入電壓和輸出激光功率關(guān)系的線性函數(shù)的斜率特征，那么就可以在僅檢測到與每個(gè)設(shè)備內(nèi)預(yù)定輸入電壓相關(guān)聯(lián)的輸出激光功率的情況下識(shí)別所述線性函數(shù)?；谇笆龇治龅慕Y(jié)果，就能預(yù)先檢測并存儲(chǔ)與每個(gè)數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面相關(guān)聯(lián)的斜率特征。當(dāng)執(zhí)行激光功率建立操作時(shí)，就可為每個(gè)數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面檢測用于預(yù)定輸入電壓的輸出激光功率。
更具體地，在激光功率建立操作期間，用于數(shù)據(jù)表面參考記錄功率的第一輸入電壓(DAC5)和用于標(biāo)簽表面參考記錄功率的第二輸入電壓(DAC6)被順序施加給R/F IC，并且可使用諸如激光功率計(jì)的合適設(shè)備來檢測相應(yīng)的實(shí)際輸出激光功率值P5和P6。上述用于數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面的線性函數(shù)分別為y＝ax+b (式3)y＝cx+d (式4)其中x等于DAC，y等于激光功率，a和c表示預(yù)存儲(chǔ)的斜率特征，而b和d則可從輸出激光功率值P5和P6中算出，并可使用輸入電壓DAC5和DAC6來計(jì)算相應(yīng)的功率建立數(shù)據(jù)，并在隨后將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器51中。
能夠以不同的方式執(zhí)行在光驅(qū)制造期間導(dǎo)入的激光功率建立操作。
圖9中示出的三條曲線表示了輸入電壓和激光功率之間獨(dú)立的函數(shù)關(guān)系，并且多少相互間有些類似。也就是說，若預(yù)定曲線沿著輸入電壓軸或沿著激光功率軸移動(dòng)，則是與其他曲線幾乎相同的。因此，如果在相關(guān)于輸入電壓和激光功率之間函數(shù)關(guān)系已經(jīng)預(yù)存儲(chǔ)用于若干光學(xué)拾取單元的平均或均值處僅為預(yù)定的光學(xué)拾取單元測量一個(gè)點(diǎn)，那么就能方便地計(jì)算輸入電壓和用于確定光學(xué)拾取單元的激光功率之間的函數(shù)關(guān)系。
在可測量并存儲(chǔ)包含在平均曲線內(nèi)的若干個(gè)點(diǎn)或輸入電壓和激光功率之間的函數(shù)關(guān)系?；谶@些點(diǎn)計(jì)算至少能使低輸出參考激光功率附近曲線線性化的第一線性函數(shù)(諸如式3)和至少能使高輸出參考激光功率附近曲線線性化的第二線性函數(shù)(諸如式4)，并將這些計(jì)算結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
當(dāng)為預(yù)定光驅(qū)執(zhí)行激光功率建立操作時(shí)，對(duì)R/F IC施加預(yù)定輸入電壓(DAC7)并檢測實(shí)際輸出激光功率(P7)。如圖9所示，在平均曲線的情況下，在施加預(yù)定輸入電壓(DAC7)時(shí)生成的輸出激光功率指示P7的預(yù)定數(shù)目。預(yù)定輸入電壓(DAC7)可以是位于能夠生成低輸出參考激光功率的第一輸入電壓和能夠生成高輸出參考激光功率的第二輸入電壓之間的預(yù)定值。
參考圖9中的曲線S1，對(duì)應(yīng)于預(yù)定輸入電壓(DAC7)的輸出激光功率由點(diǎn)Ps1表示，點(diǎn)(DAC7，Ps1)位于平均曲線S1之上，而為平均曲線上的輸出激光功率Ps1提供的輸入電壓是DACs1。因此，如果平均曲線向左移動(dòng)g1的距離(即DACs1至DAC7)，那么它就大致與曲線S1重合。
參考圖9中的曲線S2，對(duì)應(yīng)于預(yù)定輸入電壓(DAC7)的輸出激光功率由點(diǎn)Ps2表示，點(diǎn)(DAC7，Ps2)位于平均曲線S1之下，而為平均曲線上的輸出激光功率Ps2提供的輸入電壓是DACs2。因此，如果平均曲線向右移動(dòng)g2的距離(即DAC7至DACs2)，那么它就大致與曲線S1重合。
假設(shè)由式y(tǒng)＝ax+b表示在相關(guān)于平均曲線的低輸出參考激光功率附近的第一線性函數(shù)，并且由y＝cx+d表示在相關(guān)于平均曲線的高輸出參考激光功率附近的第二線性函數(shù)。
第一和第二線性函數(shù)值和相關(guān)曲線S1可分別由第一方程y＝a*(x+g1)+b和第二方程y＝c*(x+g1)+d計(jì)算。結(jié)果是，由y＝a*x+b+a*g1表示第一線性函數(shù)的值并由y＝c*x+d+c*g1表示第二線性函數(shù)的值。
相關(guān)于曲線S2的第一和第二線性函數(shù)的值可分別通過方程y＝a*(x-g2)+b和y＝c*(x-g2)+d計(jì)算。結(jié)果是，由y＝a*x+b-a*g2表示第一線性函數(shù)的值并由y＝c*x+d-c*g2表示第二線性函數(shù)的值。因此，斜率a和c都未改變，僅是y軸截距值b和d變化。在曲線S1的情況下，y軸截距值由b’＝b+a*g1和d’＝d+c*g1表示。在曲線S2的情況下，y軸截距值由b”＝b-a*g2和d”＝d-c*g2表示。
因此，當(dāng)在光驅(qū)制造期間執(zhí)行激光功率建立操作時(shí)，就可方便地測量僅與一個(gè)輸入電壓相關(guān)聯(lián)的輸出激光功率，并可以方便地計(jì)算在每個(gè)低輸出參考激光功率和高輸出參考激光功率附近的線性函數(shù)。
圖11是當(dāng)實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的方法時(shí)的實(shí)際激光功率與使用傳統(tǒng)方法的激光功率輸出相比較并在圖10中列表示出的圖示。如圖10和圖11所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法在目標(biāo)功率和輸出功率之間的誤差和偏離方面要優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)楸景l(fā)明產(chǎn)生的激光功率誤差小于現(xiàn)有技術(shù)。當(dāng)在例如60mW的高輸出激光功率處在標(biāo)簽表面記錄數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)際輸出激光功率比現(xiàn)有技術(shù)更接近60mW的激光功率。此外，示出的本發(fā)明輸出激光功率的偏差要小于現(xiàn)有技術(shù)的偏差。
從以上描述中顯而易見，根據(jù)本發(fā)明的一種用于設(shè)置光驅(qū)激光功率的方法能夠確定標(biāo)簽表面的最佳激光功率而無需在標(biāo)簽表面形成圖形并能最小化輸出激光功率的誤差，從而導(dǎo)致改善標(biāo)簽印制操作和標(biāo)簽質(zhì)量。
前述的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅是示例性的并不被解釋為要限制本發(fā)明。本發(fā)明的原理可以很容易應(yīng)用于其它類型的裝置。本發(fā)明的說明旨在解釋性的而并非限制權(quán)利要求書的范圍。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，許多替代、修改以及變化都將是明顯的。在權(quán)利要求書中，手段加功能條款旨在覆蓋此處所描述的、作為執(zhí)行所引述的功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)等價(jià)方案還覆蓋等價(jià)結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種用于在可記錄介質(zhì)上進(jìn)行印制的方法，包括基于與使用輻條檢測器在上述可記錄介質(zhì)的內(nèi)周附近提供的與輻條相對(duì)應(yīng)的第一圖案確定所述可記錄介質(zhì)是否具有可記錄標(biāo)簽表面；基于光反射是出現(xiàn)在所述可記錄介質(zhì)表面還是內(nèi)部來確定面對(duì)光學(xué)拾取設(shè)備的表面是對(duì)應(yīng)于所述可記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)表面還是標(biāo)簽表面；同步多個(gè)輻條中對(duì)應(yīng)于位置“0”的輻條，所述多個(gè)輻條提供涉及索引標(biāo)記、鋸齒區(qū)域和媒體ID區(qū)域的位置信息，并控制所述可記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)速；檢測所述可記錄介質(zhì)上的媒體ID；以及在所述可記錄介質(zhì)的標(biāo)簽表面上印制包括確定用于數(shù)據(jù)表面的所述光學(xué)拾取設(shè)備的第一功率電平并在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)該第一功率電平；并且確定用于標(biāo)簽表面的所述光學(xué)拾取設(shè)備的第二功率電平，其中所述第一功率電平要低于所述第二功率電平；并且在印制期間施加所述第二功率電平。
2.一種在光驅(qū)中設(shè)置激光功率電平的方法，包括基于先前存儲(chǔ)的與所述光驅(qū)激光二極管相關(guān)聯(lián)的靈敏度數(shù)據(jù)來設(shè)置要求的輸出激光功率并計(jì)算相應(yīng)的目標(biāo)激光二極管輸出值，并且基于先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)來計(jì)算對(duì)應(yīng)于所需輸出激光功率的輸入電壓；檢測實(shí)際激光二極管輸出值；比較實(shí)際激光二極管的輸出值和目標(biāo)激光二極管的輸出值；并且基于上述比較結(jié)果調(diào)整建立輸出激光功率。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特性在于，基于所述比較結(jié)果調(diào)整建立輸出激光功率包括在目標(biāo)激光二極管的輸出值大于實(shí)際激光二極管的輸出值的情況下將所述建立輸出激光功率保持在其當(dāng)前電平上。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述比較結(jié)果調(diào)整建立輸出激光功率包括在目標(biāo)激光二極管的輸出值小于實(shí)際激光二極管的輸出值的情況下按一預(yù)定值增加所述建立輸出激光功率。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)表示輸入電壓和相應(yīng)輸出激光功率之間的基本線性關(guān)系。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，先前存儲(chǔ)的與所述光驅(qū)激光二極管相關(guān)聯(lián)的靈敏度數(shù)據(jù)和先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)包括涉及光盤標(biāo)簽表面的先前存儲(chǔ)的靈敏度數(shù)據(jù)和功率建立數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，先前存儲(chǔ)的與所述光驅(qū)激光二極管相關(guān)聯(lián)的靈敏度數(shù)據(jù)和先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)包括涉及光盤數(shù)據(jù)表面的先前存儲(chǔ)的靈敏度數(shù)據(jù)和功率建立數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，先前存儲(chǔ)的與所述光驅(qū)激光二極管相關(guān)聯(lián)的靈敏度數(shù)據(jù)和先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)是在所述光驅(qū)制造期間被收集并存儲(chǔ)的。
9.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述可記錄介質(zhì)是光雕盤片。
10.一種在光驅(qū)中設(shè)置激光功率電平的方法，包括檢測用于至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域的功率建立數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)測得的功率建立數(shù)據(jù)；基于位于光驅(qū)內(nèi)的光盤放入表面標(biāo)識(shí)所需的輸出激光功率；以及基于與其中包括了標(biāo)識(shí)的輸出激光功率的輸出激光功率區(qū)域相關(guān)聯(lián)的功率建立數(shù)據(jù)將激光功率設(shè)置在預(yù)定的量級(jí)上。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，檢測用于至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域的功率建立數(shù)據(jù)并存儲(chǔ)測得的功率建立數(shù)據(jù)包括檢測并存儲(chǔ)用于至少兩個(gè)輸出激光功率區(qū)域的功率建立數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，至少兩個(gè)輸出激光功率區(qū)域包括含有用于光盤數(shù)據(jù)表面的第一記錄功率的第一區(qū)域以及含有用于光盤標(biāo)簽表面的第二記錄功率的第二區(qū)域。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，檢測并存儲(chǔ)用于至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域的功率建立數(shù)據(jù)包括為至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域檢測用于至少一個(gè)預(yù)定輸入值的相應(yīng)輸出激光功率；以及基于兩個(gè)預(yù)定輸入值以及相應(yīng)的檢測輸出激光功率來計(jì)算關(guān)于輸入值和輸出激光值的大致呈線性的方程，并存儲(chǔ)該線性方程。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述至少一個(gè)預(yù)定輸入值包括期望其能生成落入至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域內(nèi)的相應(yīng)輸出激光功率的兩個(gè)預(yù)定輸入值。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括預(yù)先計(jì)算并存儲(chǔ)與至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域相關(guān)聯(lián)的輸入值和輸出激光功率之間的斜率特征。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，基于兩個(gè)預(yù)定輸入值以及相應(yīng)的檢測輸出激光功率來計(jì)算并存儲(chǔ)關(guān)于輸入值和輸出激光值的大致呈線性的方程還包括基于與至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域相關(guān)聯(lián)的輸入值和輸出激光功率之間的斜率特征來計(jì)算并存儲(chǔ)所述大致呈線性的方程。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括預(yù)先計(jì)算并存儲(chǔ)與至少一個(gè)輸出激光功率區(qū)域相關(guān)聯(lián)的輸入值和輸出激光功率之間的非線性函數(shù)關(guān)系以及輸入值和輸出激光功率之間的斜率特征；檢測對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)預(yù)定輸入值的第一輸入值的輸出激光功率；基于先前存儲(chǔ)的非線性函數(shù)關(guān)系來搜索期望生成被測輸出激光功率的第二輸入值，并計(jì)算所述第二輸入值和第一輸入值之間的差值；以及基于算出的差值計(jì)算并存儲(chǔ)在輸入值和輸出激光功率之間大致呈線性的關(guān)系。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述可記錄介質(zhì)是光雕盤片。
19.一種在可記錄介質(zhì)上印制標(biāo)簽的方法，其中所述介質(zhì)包括配置用于在所述可記錄介質(zhì)的第一側(cè)接收并存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)表面以及配置用于在與第一側(cè)相對(duì)的所述可記錄介質(zhì)的第二側(cè)面上接收其上印制的標(biāo)簽的標(biāo)簽表面，所述方法包括從所述可記錄介質(zhì)中讀取圖案并確定面對(duì)光驅(qū)光學(xué)拾取單元的放入表面是標(biāo)簽表面還是數(shù)據(jù)表面；以及如果確定面對(duì)光驅(qū)光學(xué)拾取單元的放入表面是標(biāo)簽表面就訪問與所述光學(xué)拾取單元相關(guān)聯(lián)的第一組先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)，基于在所述標(biāo)簽表面的預(yù)定區(qū)域內(nèi)的所述第一組先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)來控制激光功率，并且在所述盤片標(biāo)簽表面的標(biāo)簽區(qū)域上執(zhí)行標(biāo)簽印制操作。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述預(yù)先存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)表示在輸入電壓和相應(yīng)輸出激光功率之間大致呈線性的關(guān)系。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，基于在所述標(biāo)簽表面的預(yù)定區(qū)域內(nèi)預(yù)先存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)來控制激光功率包括基于在不與激光功率輸出起反應(yīng)并預(yù)先存儲(chǔ)在標(biāo)簽表面某區(qū)域內(nèi)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)來控制激光功率。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述標(biāo)簽表面的預(yù)定區(qū)域包括所述光盤標(biāo)簽表面的控制特性區(qū)。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述靈敏度數(shù)據(jù)包括與所述光學(xué)拾取單元的內(nèi)部激光二極管傳感器相關(guān)的靈敏度數(shù)據(jù)。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，基于在所述標(biāo)簽表面的先前區(qū)域內(nèi)預(yù)先存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)來控制激光功率包括基于先前存儲(chǔ)的靈敏度數(shù)據(jù)計(jì)算對(duì)應(yīng)于期望輸出激光功率的目標(biāo)激光二極管傳感器值，并基于先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)計(jì)算生成所述期望輸出激光功率所需的輸入值；基于算出的輸入值操作激光二極管并檢測相應(yīng)的激光二極管傳感器輸出值；以及比較測得的激光二極管傳感器輸出值和算出的目標(biāo)激光二極管傳感器值，并基于所述比較的結(jié)果控制激光功率。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，比較測得的激光二極管傳感器輸出值和算出的目標(biāo)激光二極管傳感器值并基于所述比較的結(jié)果控制激光功率包括在測得的激光二極管傳感器輸出值大于算出的目標(biāo)激光二極管傳感器值的情況下增加激光功率。
26.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，如果確定面對(duì)光驅(qū)光學(xué)拾取單元的放入表面是數(shù)據(jù)表面就訪問與所述光學(xué)拾取單元相關(guān)聯(lián)的第二組先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)，基于所述第二組先前存儲(chǔ)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)來控制激光功率，并且在所述盤片數(shù)據(jù)表面上執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄操作。
27.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，還包括在所述光驅(qū)制造期間檢測并存儲(chǔ)與所述光學(xué)拾取單元的內(nèi)部激光二極管傳感器相關(guān)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)。
28.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述可記錄介質(zhì)是光雕盤片。
全文摘要
提供了一種用于設(shè)置光驅(qū)激光功率的方法。為在光盤標(biāo)簽表面執(zhí)行標(biāo)簽印制操作，就把光學(xué)拾取單元切換至標(biāo)簽表面的控制特性區(qū)，并使用在光驅(qū)制造過程中測得的與光學(xué)拾取單元內(nèi)部激光二極管傳感器相關(guān)的功率建立數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)而在初始標(biāo)簽印制之前執(zhí)行激光功率操作。另外，可在光驅(qū)制造期間檢測并存儲(chǔ)與光盤數(shù)據(jù)表面和標(biāo)簽表面都相關(guān)的功率建立數(shù)據(jù)；并基于先前存儲(chǔ)的并與光盤的放入表面相關(guān)聯(lián)的功率建立數(shù)據(jù)來確定預(yù)定量級(jí)的激光功率。功率建立數(shù)據(jù)可由關(guān)于輸入電壓和輸出激光功率的大致呈線性的方程表示。因此，可在標(biāo)簽表面上實(shí)際印制圖像之前確定標(biāo)簽表面的最佳激光功率，從而最小化與輸出激光功率相關(guān)聯(lián)的誤差并提高激光印制質(zhì)量。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1892843SQ20061007765
公開日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月29日
發(fā)明者盧尚澈 申請(qǐng)人:日立-Lg數(shù)據(jù)存儲(chǔ)韓國公司