專利名稱：：用于磁記錄介質(zhì)的硅基底以及磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)，其作為記錄介質(zhì)而廣泛用于各種電子裝置(計(jì)算機(jī)等)中，以及一種硅基底，其可適合用作在磁記錄介質(zhì)的形成中的基底。技術(shù)背景近來，隨著各種技術(shù)的發(fā)展，磁記錄裝置的記錄容量得到了增加。特別地，主要用作用于計(jì)算機(jī)的外存儲(chǔ)器的磁盤的記錄容量和記錄密度逐年增加，并且需要進(jìn)一步t艮來以更高的密度記錄。例如，作為筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的發(fā)展的結(jié)果，期望提供小型且抗沖擊的記錄裝置，并因此還期望提供能夠以更高的密度記錄且具有對沖擊的抵抗性的小型磁記錄介質(zhì)。最近的趨勢是將超小型的磁記錄裝置應(yīng)用在車輛導(dǎo)航系統(tǒng)以及便攜式音樂再現(xiàn)系統(tǒng)中。以前，將鋁合金基底、具有MP鍍lt^面的鋁合金基底以及玻璃基底用作用于磁記錄介質(zhì)的基底。然而，鋁合金基底具有差的耐磨性和可加工性，并且，為了克服這些缺點(diǎn)，進(jìn)一步對基底進(jìn)行NiP鍍層。該NiP鍍敷的鋁合金基底可容易地產(chǎn)生彎曲，且另外，可引起例如在較高溫度下處理時(shí)磁化的缺陷。而且，玻璃基底遭受的問題是，基底可以在其表面中產(chǎn)生應(yīng)變層，從而在加固處理期間引起壓縮應(yīng)力，并且還可容易地在加熱基底時(shí)產(chǎn)生彎曲。在用于磁記錄裝置的基底領(lǐng)域中，要求其具有例如高剛性的機(jī)械特性，以便基底可耐受由于其重量的減小而導(dǎo)致的基底厚度的減小，并避免在高速旋轉(zhuǎn)期間磁盤的變形。另外，非常需要增大記錄的密度。為了獲得高的記錄密度，將磁頭的在磁記錄介質(zhì)的基底上方的浮動(dòng)高度減小到非常小的距離，且為了實(shí)現(xiàn)此目的，需要磁記錄介質(zhì)的基底非常平坦如鏡面，且具有小的表面M度。而且，需要從基底的表面盡可能多地去除例如微刮痕、微孔(micro-pits)等缺陷。對于超小型磁記錄介質(zhì)，期望基底較薄、在施加外力期間可以抵抗形變、具有平坦表面并且由能夠容易地形成磁記錄層的材料制成。因此，作為用于磁記錄介質(zhì)的基底，已提議使用廣泛用作半導(dǎo)體器件基底的硅基底(例如，參見日本未審查的專利公開(Kokai)No.6-76282)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，將單晶硅用于實(shí)現(xiàn)這樣的潔凈的基底表面，該基底表面具有可與鏡面匹敵的平坦度以及小的表面粗糙度，且盡可能沒有例如微刮痕和微孔的表面缺陷。而且，與鋁相比，硅具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如較小的比重、較大的楊氏模量、較小的熱膨脹、良好的高溫特性以及良好的導(dǎo)電性，因此，優(yōu)選硅作為用于磁記錄介質(zhì)的基底材料。而且，由于基底受到的沖擊隨著基底直徑的減小而降低，因此即便使用硅基底時(shí)，也可以提供耐用的磁記錄設(shè)備。通常，當(dāng)磁頭浮動(dòng)在磁盤上方時(shí)，磁頭必須穩(wěn)定運(yùn)行并且盡可能地靠近磁盤。當(dāng)缺U盤和磁頭的這種靠近調(diào)整時(shí)，就會(huì)在高速記錄或讀取中以及在高密度記錄中出現(xiàn)問題。在這種情況下，磁盤和磁頭之間用于使磁頭穩(wěn)定地浮動(dòng)而不接觸磁頭的距離稱為"雪崩點(diǎn)"。當(dāng)浮動(dòng)高度低于雪崩點(diǎn)時(shí)，故障信號(hào)會(huì)突然增加。在磁記錄盤中，一個(gè)寬闊的區(qū)域延伸到外周部分，如果可能，其用于增加磁盤的記錄容量。然而，與數(shù)據(jù)承栽面相比，磁盤的外周部分具有差的平坦性，且許多改進(jìn)已經(jīng)應(yīng)用到》茲盤的外端形狀(例如，參見日本未審查的專利7>開(Kokai)No.5-1290365)。近來，強(qiáng)烈需要進(jìn)一步減小磁頭的浮動(dòng)高度以滿足高密度記錄的需求。但是，當(dāng)使用現(xiàn)有技術(shù)的硅基底時(shí)，難于獲得小的雪崩點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠解決上述現(xiàn)有技術(shù)問題的磁記錄介質(zhì)，以及提供一種能夠適用于這種磁記錄介質(zhì)的珪基底。本發(fā)明的另一目的是提供一種能夠提供小的雪崩點(diǎn)以允許較高記錄密度的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，以及提供一種使用該硅基底的磁記錄介質(zhì)。通過對本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的下列詳細(xì)描述，將容易地理解本發(fā)明的這些以及其它目的。作為集中研究的結(jié)果，本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，將硅基底的數(shù)據(jù)承載面外側(cè)區(qū)域中的dub-off值控制到特定的水平對于實(shí)現(xiàn)上述目的非常有效，并且基于該發(fā)現(xiàn)構(gòu)思了本發(fā)明。在本發(fā)明的一個(gè)方面中，本發(fā)明提供一種用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述基底在其用于形成包括磁性層的層的數(shù)據(jù)承栽面(表面)與其外周端面(豎直面)之間具有倒棱面，其特征在于，所述數(shù)據(jù)承栽面的外周側(cè)的dub-off值不大于120A,其中，當(dāng)?shù)谝晃恢?A)是在所迷數(shù)據(jù)承載面上的與所述基底的所述外周端面相距l(xiāng)mm的在徑向上向內(nèi)設(shè)置的一個(gè)點(diǎn)時(shí)，第二位置(B)是在所述數(shù)據(jù)承載面上的與所述第一位置(A)進(jìn)一步相距1.6mm的在徑向上向內(nèi)設(shè)置的一個(gè)點(diǎn)，此外，如果垂直線落到連接所述第一位置(A)和所速第二位置(B)的直線(A-B)，則第三位置(C)是所述垂直線與所述數(shù)據(jù)承載面相交的點(diǎn)，以及第四位置(H)是所述垂直線與所述直線(A-B)相交的點(diǎn)，所述dub-off值定義為所述第三位置(C)和所述第四位置(H)之間的距離(C-H)的最大值。在根據(jù)本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底中，優(yōu)選所述數(shù)據(jù)承載面的所述外周側(cè)具有滾降形狀。在本發(fā)明的另一方面中，本發(fā)明提供一種包含硅基底的磁記錄介質(zhì)，所述硅基底用于根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，且至少一個(gè)磁記錄層施加在所述基底的所述數(shù)據(jù)承載面上。使用具有上述結(jié)構(gòu)特征的根據(jù)本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底或者該磁記錄介質(zhì)，可以獲得小的且合適的雪崩點(diǎn)。根據(jù)發(fā)明人的發(fā)現(xiàn)，認(rèn)為原因在于下述幾點(diǎn)也就是，在用于磁記錄介質(zhì)的現(xiàn)有技術(shù)的硅基底中，可在磁盤的外周部分中發(fā)現(xiàn)非常微細(xì)的斜坡狀凸起(滑雪跳躍(ski-jump)和凹陷(滾降(roll-off))，因此認(rèn)為磁頭將以不穩(wěn)定的方式浮動(dòng)，且因此不能獲得小的且合適的雪崩點(diǎn)。與此相反，如上所述，在本發(fā)明中，因?yàn)閷⑻囟ǖ膁ub-off部分應(yīng)用到硅基底的數(shù)據(jù)承載面上的外周側(cè)，所以可以抑制或去除在磁盤外周部分中的任何斜坡狀凸起(滑雪跳躍)和凹陷(滾降)。結(jié)果，認(rèn)為可以在磁盤中獲得小的且合適的雪崩點(diǎn)。圖l是示例根據(jù)本發(fā)明的珪基底的基本實(shí)施例的簡化透視圖(a)和截面圖(b);圖2是示例圖1的具有滾降形狀的珪基底的簡化放大的截面圖；圖3是示例圖1的具有滑雪跳躍形狀的硅基底的簡化放大的截面圖；圖4是示例在測量設(shè)備Micro-Xam中的測量結(jié)果的指示部分的圖；圖5是示例在測量設(shè)備Micro-Xam中的測量目標(biāo)的指示部分的圖；圖6是示出在測量設(shè)備Micro-Xam中的監(jiān)視顯示的一個(gè)實(shí)例的圖表(a)和(b);圖7是示出雪崩點(diǎn)和dub-off值之間關(guān)系的圖表。具體實(shí)施方式下文中，必要時(shí)，將參照附圖進(jìn)一步描述本發(fā)明。注意，在下述描述中，除非另行注釋，"…分之一，，和"o/。"表示基于重量的體積和比率。(硅基底)本發(fā)明的a底具有在其數(shù)據(jù)承載面(表面)與其外周端面(豎直面)之間的倒棱面，其中數(shù)據(jù)承載面具有包括磁性層的層，且硅基底在其數(shù)據(jù)承載面外周側(cè)具有不大于120A的dub-off值。(一個(gè)基本實(shí)施例)圖l是示例本發(fā)明的硅基底l的基本實(shí)施例的簡化透視圖(a)和截面圖(b)。圖2和3各自是在本發(fā)明的珪基底1的最外端部分的放大截面圖。在圖1到3中，示例了硅基底1，該>^底1在其數(shù)據(jù)承載面10與其外周端面(豎直面)12之間具有倒棱面11,其中數(shù)據(jù)承栽面IO具有包括磁性層的層。注意，這些附圖中，基底的尺寸與基底的實(shí)際尺寸不成比例，且在圖2和3中，特別是在長度方向上，其尺寸顯著的放大了。而且，附圖2和3中半徑"r"的值是在基底具有65mm的直徑時(shí)獲得的。(dub-off值的確定)在這樣的情況下將基底描述為具有滾降形狀，如圖2中所示，數(shù)據(jù)承載面IO位于直線(A-B)上方，該直線(A-B)連接點(diǎn)(A)和點(diǎn)(B)，該點(diǎn)(A)在數(shù)據(jù)承載面10上且位于與基底的外周端面12在徑向向內(nèi)的方向上相距l(xiāng).Omm處，該點(diǎn)(B)在數(shù)據(jù)承載面上且位于與點(diǎn)(A)在徑向向內(nèi)的方向上進(jìn)一步相距1.6mm(即，總共2.6mm)處。此外，當(dāng)數(shù)據(jù)承載面10位于直線(A-B)下方時(shí)，將基底描述為具有滑雪跳躍形狀。注意，通常，倒棱面11包含在從基底的外周端面12開始寬度約為0.1到0.2mm的內(nèi)部區(qū)域中。對于本發(fā)明，如圖2和3中所示例的，在基底具有滾降形狀或滑雪跳躍形狀的兩種情況下，dub-off值定義為交點(diǎn)(C)與交點(diǎn)(H)之間的距離(C-H)的最大值。這里，點(diǎn)(C)是在直線(A-B)的垂直線上與數(shù)據(jù)承栽面的交點(diǎn)，以及點(diǎn)(H)是在垂直線和直線(A-B)上的交點(diǎn)。本發(fā)明中，dub-off值不大于120人。當(dāng)dub-off值超過l加人時(shí)，就變得難于獲得合適的雪崩點(diǎn)。(硅材料)用于磁記錄介質(zhì)的硅基底受到關(guān)注，這是因?yàn)樵摶拙哂休^高的剛度及其對減薄的適應(yīng)性，且另外，可以獲得例如較高的抗沖擊性等優(yōu)點(diǎn)。用于該基底的硅材料可利用單晶、多晶或非晶材料的形式。(合適的硅材料)適合用于本發(fā)明的硅材料不局限于特定材料，只要其可形成具有上述特定的dub-off部分的珪基底。(a底的制造)可用于本發(fā)明的硅基底的制造方法不局限于特定的制造方法，只要其可形成具有上述特定的dub-off部分的硅基底。(磁記錄介質(zhì))本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)在本發(fā)明的上述硅基底的數(shù)據(jù)承載面上具有磁記錄層。磁記錄層的形成方法不局限于特定的方法，只要其基本上不會(huì)不利地影響本發(fā)明的具有上述特定的dub-off部分的硅基底的效果。實(shí)例將參考其實(shí)例，進(jìn)一步描述本發(fā)明。(dub-off值的測量糾)使用測量設(shè)備(商品名Micro-Xam，由ADEPhaseshiftCo.制造)來確定磁盤的dub-off值。在此使用的測量條件如下1.磁盤尺寸65mm2.樣本數(shù)量1片(兩個(gè)表面)/批次3.測量點(diǎn)總共測量兩個(gè)點(diǎn)，每一表面一個(gè)隨機(jī)點(diǎn)，且另一點(diǎn)從上述測量點(diǎn)旋轉(zhuǎn)180度4.其它表l<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>(dub-off值的讀取)如圖4所示，在上述測量設(shè)備的指示部分中，在"P，，欄中數(shù)值的絕對值和"S"欄中數(shù)值的絕對值之間進(jìn)行比較，以讀取一個(gè)較大的值作為dub-off值。這里，在圖4的指示部分中，"P，，欄的數(shù)值表示圖2中所示例的滾降形狀的C和H之間距離的最大值，以及"S，，欄的數(shù)值表示圖3中所示例的滑雪跳躍形狀的C和H之間距離的最大值。注意，在"R"欄和"S"欄的每一個(gè)中的數(shù)值都表示為負(fù)值，但是本發(fā)明的dub-off值由絕對值評(píng)估。在圖4所示例的指示部分中，"n"為96。&示通過選擇測量目標(biāo)區(qū)域(大約5.2mmx3.6mm)，對96條線進(jìn)行測量，該測量目標(biāo)區(qū)域從透鏡指示在測量設(shè)備的指示部分中并且示于圖5中，隨后將測量目標(biāo)區(qū)域的具有約4.7mm寬度的區(qū)域劃分為96條線。這些96條線中，獲得的數(shù)據(jù)的最大值和最小值指示在圖4中示例的指示部分中。為了參考，圖6中描述了所獲得的實(shí)際圖像的一些實(shí)例，其中"％"表示dub-off值。[實(shí)例I通常，根據(jù)下述步驟制造硅基底。即，首先，對盤狀硅進(jìn)行研磨工藝，以提高基底的形狀精度和尺寸精度。近來，許多可利用的盤狀硅基底具有約200mm的外徑。在以下研磨設(shè)備中，分兩階段進(jìn)行研磨工藝，以獲得不大于lnm的拋光表面精度和不大于6jim的表面粗糙度Rmax。完成第一研磨階段之后，所得到的硅基底的尺寸通常大于對于磁記錄介質(zhì)的基底所期望的尺寸，因此，接著使基底經(jīng)歷激光擦洗器以獲得具有合適的內(nèi)徑和外徑的基底。，對基底的外周和內(nèi)周部分進(jìn)行預(yù)定的倒棱工藝。在該倒棱工藝步驟中，所得到的基底的內(nèi)周端部和外周端部處的表面粗糙度R隨控制為約4nm。接著，佳l底經(jīng)歷第二研磨階段，以獲得不大于lnm的表面精度和不大于6jim的表面粗糙度Rmax。接著，對在基底內(nèi)周部分和外周部分中的倒棱區(qū)域進(jìn)行拋光工藝，以在基底中實(shí)現(xiàn)鏡面。最后，對施加了磁記錄層的基底的主表面進(jìn)行進(jìn)一步的拋光工藝。該拋光工藝分成兩階段，包括用于去除在先前工藝期間形成的刮痕和應(yīng)變的第一拋光工藝以及用于實(shí)現(xiàn)鏡面的第二拋光工藝。使用常規(guī)雙面研磨機(jī)進(jìn)行第一拋光工藝，并且將膠態(tài)二氧化硅和水的混合物用作拋光溶液。接著，對經(jīng)過第一拋光工藝的硅基底應(yīng)用用于最后加工的第二拋光工藝。使用膠態(tài)二氧化硅和水的拋光溶液進(jìn)行作為最后拋光的第二拋光工藝的拋光條件。所使用的拋光劑的粒度小于第一拋光工藝的拋光劑的粒度。在該實(shí)例中，在幾種不同的水平下改變拋光條件，以產(chǎn)生具有不同dub-off值的樣品。在完成第二拋光工藝步驟之后，將珪基底依次浸入氨和過氧化氫的水溶液、純水、純水和IPA(異丙醇)的混合物、以及用于超聲清洗的IPA(氣相干燥)的各清洗槽中。通過上述工藝步驟獲得具有滾降形狀的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底。通過z厶知的常規(guī)方法例如使用直列(in-line)式'減射設(shè)備等，將CrMo底層、CoCrPtTa磁性層和氬化的碳保護(hù)層順序沉積到所獲得的用于磁記錄介質(zhì)的珪基底的兩面，然后，通過浸漬方法，沉積全氟代聚醚液體的潤滑層，以獲得磁記錄^h質(zhì)。在所得到的磁記錄介質(zhì)中，利用介質(zhì)缺陷評(píng)估設(shè)備(GraidTester)來評(píng)估在其外周部分處的雪崩點(diǎn)。結(jié)果示于表2和圖7中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>由表2和圖7可以認(rèn)識(shí)到，當(dāng)dub-off值小于或等于120^時(shí)，雪崩點(diǎn)的值小于或等于5nm。與此相反，當(dāng)dub-off值大于120A時(shí)，發(fā)現(xiàn)雪崩點(diǎn)突然增大。工業(yè)適用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其能夠?qū)崿F(xiàn)小的且合適的雪崩點(diǎn)以增加記錄密度，且提供一種使用這種基底的磁記錄介質(zhì)。權(quán)利要求1.一種用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述基底在其具有包括磁性層的層的數(shù)據(jù)承載面(表面)與其外周端面(豎直面)之間具有倒棱面，其特征在于，所述數(shù)據(jù)承載面的外周側(cè)的dub-off值不大于120，其中，當(dāng)?shù)谝晃恢?A)是在所述數(shù)據(jù)承載面上的與所述基底的所述外周端面相距1mm的在徑向上向內(nèi)設(shè)置的一個(gè)點(diǎn)時(shí)，第二位置(B)是在所述數(shù)據(jù)承載面上的與所述第一位置(A)進(jìn)一步相距1.6mm的在徑向上向內(nèi)設(shè)置的一個(gè)點(diǎn)，此外，如果垂直線落到連接所述第一位置(A)和所述第二位置(B)的直線(A-B)，則第三位置(C)是所述垂直線與所述數(shù)據(jù)承載面相交的點(diǎn)，以及第四位置(H)是所述垂直線與所述直線(A-B)相交的點(diǎn)，所述dub-off值定義為所述第三位置(C)和所述第四位置(H)之間的距離(C-H)的最大值。2.根據(jù)權(quán)利要求l的用于磁記錄介質(zhì)的珪基底，其中所述數(shù)據(jù)承載面的所述外周側(cè)具有滾降形狀。3.—種磁記錄介質(zhì)，其包括權(quán)利要求1或2中所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底以及至少一個(gè)施加于所述基底的所述數(shù)據(jù)承載面上的磁記錄層。全文摘要提供一種用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中該基底在其具有包括磁性層的層的數(shù)據(jù)承載面(表面)與其外周端面(豎直面)之間具有倒棱面。該硅基底的特征在于，數(shù)據(jù)承載面的外周側(cè)的dub-off值不大于120，其中，當(dāng)?shù)谝晃恢?A)是在數(shù)據(jù)承載面上的與基底的外周端面相距1mm處在徑向上向內(nèi)設(shè)置的一個(gè)點(diǎn)時(shí)，第二位置(B)是在數(shù)據(jù)承載面上的與第一位置(A)進(jìn)一步相距1.6mm的在徑向上向內(nèi)設(shè)置的一個(gè)點(diǎn)，此外，如果垂直線落到連接第一位置(A)和第二位置(B)的直線(A-B)，則第三位置(C)是該垂直線與數(shù)據(jù)承載面相交的點(diǎn)，以及第四位置(H)是該垂直線與直線(A-B)相交的點(diǎn)，dub-off值定義為第三位置(C)和第四位置(H)之間的距離(C-H)的最大值。使用這種硅基底，對于磁記錄介質(zhì)，可以獲得用于較高記錄密度的小的雪崩點(diǎn)。還提供一種使用這種硅基底的磁記錄介質(zhì)。文檔編號(hào)G11B5/82GK101268508SQ200680034998公開日2008年9月17日申請日期2006年9月12日優(yōu)先權(quán)日2005年9月22日發(fā)明者會(huì)田克昭,町田裕之申請人:昭和電工株式會(huì)社