專利名稱：焦距偏離檢測(cè)裝置及利用該裝置的光盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及焦距偏離檢測(cè)裝置及利用該裝置的光盤裝置。
背景技術(shù)：
作為本發(fā)明的背景技術(shù)，例如有日本專利公開(kāi)平8-185637號(hào)公報(bào)。在該公報(bào)中，記載了“通過(guò)對(duì)焦距誤差信號(hào)與規(guī)定電位的基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行電平比較，檢測(cè)從記錄中或再現(xiàn)中的記錄層到其它記錄層的焦距吻合的焦距偏離”。
另外，作為本發(fā)明的背景技術(shù)，例如有日本專利公開(kāi)平8-203108號(hào)公報(bào)。在該公報(bào)中，記載了“在發(fā)生了焦距偏離的情況下，最初發(fā)生比較大的焦距誤差信號(hào)，其后注目面積平均反射光量的下降，在焦距伺服中，檢測(cè)到散焦?fàn)顟B(tài)后，檢測(cè)到在規(guī)定時(shí)間內(nèi)面積平均反射光量變成不足第2基準(zhǔn)值時(shí)，驅(qū)動(dòng)聚焦驅(qū)動(dòng)器，以使物鏡遠(yuǎn)離盤面”。

發(fā)明內(nèi)容
近年來(lái)，具有多個(gè)記錄層的記錄型光盤在實(shí)用化。由于在對(duì)于所述記錄型光盤進(jìn)行再現(xiàn)或記錄過(guò)程當(dāng)中，如果有來(lái)自外部的振動(dòng)等外來(lái)干擾因素而引起焦距伺服偏離時(shí)，就不能進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄，所以在光盤裝置在檢測(cè)出焦距偏離時(shí)，暫時(shí)中斷數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄，之后再次使焦距伺服與跟蹤伺服系統(tǒng)為ON狀態(tài)，從再現(xiàn)或記錄中斷的位置繼續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄。
作為焦距偏離的檢測(cè)方法，例如專利文獻(xiàn)1中給出了將焦距誤差信號(hào)(以下稱為FE信號(hào))與規(guī)定的閾值進(jìn)行比較的方法。該專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的焦距偏離的檢測(cè)方法，是使用正負(fù)的閾值檢測(cè)在焦距偏離時(shí)對(duì)于FE信號(hào)中所表現(xiàn)的基準(zhǔn)電位進(jìn)行正負(fù)變動(dòng)的波形的方法。
然而，在光盤的制造工序中要求記錄面要高精度、平坦地制作，但在有些情況下，在完成的光盤的一部分的記錄面上會(huì)局部存在非意識(shí)的微小變形。
由該記錄面變形的形狀而產(chǎn)生焦距偏離時(shí)，有在FE信號(hào)中發(fā)生同樣的波形的情況。因此，在使用專利文獻(xiàn)1所示的方法的情況下，由于將由記錄面的微小變形所引起的FE信號(hào)的變動(dòng)作為焦距偏離而誤檢測(cè)，發(fā)生不需要的記錄停止或再現(xiàn)停止，所以會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)的記錄時(shí)間或再現(xiàn)時(shí)間增加的問(wèn)題。
而且，作為迅速檢測(cè)出焦距偏離的發(fā)生，而使物鏡從盤離開(kāi)的方法，例如專利文獻(xiàn)2給出了在FE信號(hào)超出了規(guī)定值，而在規(guī)定時(shí)間內(nèi)使面積平均反射光量不足基準(zhǔn)值時(shí)，強(qiáng)制地使物鏡離開(kāi)的方法。在該專利文獻(xiàn)2給出的焦距偏離檢測(cè)方法中，在盤記錄面的微小變形附近存在有損傷的情況下由這些位置關(guān)系的微小變形引起FE信號(hào)的大的變動(dòng)，由損傷可能使面積平均反射光量下降到基準(zhǔn)值以下。在這樣的情況下，由于檢測(cè)出焦距偏離而發(fā)生不需要的記錄停止或再現(xiàn)停止，所以會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)的記錄時(shí)間或再現(xiàn)時(shí)間增加的問(wèn)題。
本發(fā)明的目的在于提供高性能的焦距偏離檢測(cè)裝置及利用該裝置的光盤裝置。
本發(fā)明的目的，作為一例由權(quán)利要求范圍中記述的構(gòu)成而達(dá)到。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供高性能的焦距偏離檢測(cè)裝置及利用該裝置的光盤裝置。
通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的說(shuō)明，可以更好的了解本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是表示本發(fā)明的第1及第2實(shí)施方式的方框圖。
圖2是具有2層記錄層的光盤的截面模式圖。
圖3是說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的動(dòng)作的波形圖。
圖4是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的流程圖。
圖5是說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的動(dòng)作的另一波形圖。
圖6是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的另一流程圖。
圖7是具有3層記錄層的光盤的截面模式圖。
圖8是具有3層記錄層的光盤中焦距伺服偏離時(shí)的波形圖。
圖9是具有3層記錄層的光盤中焦距伺服偏離時(shí)的另一波形圖。
圖10是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的流程圖。
圖11是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的方框圖。
圖12是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的流程圖。
圖13是具有2層記錄層的光盤中焦距伺服偏離時(shí)的波形圖。
圖14是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的方框圖。
圖15是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式中平坦檢測(cè)電路的方框圖。
圖16是說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施方式中平坦檢測(cè)電路的動(dòng)作的波形圖。
圖17是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的流程圖。
圖18是說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施方式的動(dòng)作的波形圖。
圖19是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的方框圖。
圖20是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施例方式
對(duì)記錄面變形與FE信號(hào)的關(guān)系進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖2是具有2層記錄層的光盤的截面圖。第1記錄層200及第2記錄層201由相變化膜及有機(jī)膜等所構(gòu)成，其中間具有透明的間隔層202。進(jìn)而，上述記錄層200、201及間隔層202是被由聚碳酸酯等透明材料所構(gòu)成的透明基板203及204夾持所構(gòu)成。而且，在將上述光盤安裝于光盤裝置時(shí)，進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)的激光從透明基板203向第1記錄層200照射。就是說(shuō)，透明基板203的正面是盤的正面，透明基板204的正面是印刷盤標(biāo)題等的標(biāo)簽面。在圖2中，第1記錄層200的由虛線所包圍的部分存在有由盤的制造工序所發(fā)生的微小記錄面變形205。
在光盤裝置對(duì)于圖2所示的第1記錄層200進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)時(shí)，在聚焦伺服為穩(wěn)定動(dòng)作的狀態(tài)下，在進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)的激光點(diǎn)通過(guò)記錄面變形205時(shí)，在有些情況下FE信號(hào)中會(huì)發(fā)生與因該記錄面變形205的形狀而引起的焦距偏離同樣的波形。因此，在使用上述專利文獻(xiàn)1所示的方法的情況下，由于將由記錄面的微小變形所引起的FE信號(hào)的變動(dòng)作為焦距偏離而誤檢測(cè)，使不需要的記錄停止或再現(xiàn)停止，所以會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)的記錄時(shí)間或再現(xiàn)時(shí)間增加的問(wèn)題。
第1實(shí)施例具有多個(gè)記錄層的光盤的情況，有某種外來(lái)干擾使焦距伺服偏離，激光點(diǎn)向其它記錄層移動(dòng)時(shí)，可以認(rèn)為記錄層之間來(lái)自光盤的反射光量會(huì)有臨時(shí)的下降。第1實(shí)施例對(duì)注目于此事的焦距偏離檢測(cè)裝置進(jìn)行以下的說(shuō)明。
以下使用圖1對(duì)第1實(shí)施例加以說(shuō)明。
符號(hào)1是4分割光檢測(cè)器，4個(gè)光檢測(cè)器分別輸出與來(lái)自光盤的反射光的量相對(duì)應(yīng)的電氣信號(hào)。
符號(hào)2是焦距誤差信號(hào)生成電路，從4分割光檢測(cè)器所輸出的4個(gè)輸出信號(hào)而生成由共知的像散法產(chǎn)生的FE信號(hào)，并進(jìn)行輸出。
符號(hào)3是總和信號(hào)生成電路，將計(jì)算4分割光檢測(cè)器所輸出的4個(gè)輸出信號(hào)的總和、并限制頻帶的信號(hào)作為SUM信號(hào)而輸出。而且，總和信號(hào)生成電路3的輸出頻率帶為100kHz左右，相當(dāng)于將RF信號(hào)平均化的信號(hào)。
符號(hào)4是第1基準(zhǔn)電壓，對(duì)于FE信號(hào)的基準(zhǔn)電位輸出正電位的電壓Vth1。
符號(hào)5是第1比較電路，在非反向輸入端子輸入FE信號(hào)，在反向輸入端子輸入第1基準(zhǔn)電壓4的輸出電壓Vth1。第1比較電路5在FE信號(hào)電位比第1基準(zhǔn)電壓Vth1大時(shí)輸出高電位的信號(hào)，除此之外則輸出低電位的信號(hào)。第1比較電路5的輸出信號(hào)為Det1。
符號(hào)6是第2基準(zhǔn)電壓，對(duì)于FE信號(hào)的基準(zhǔn)電位輸出負(fù)電位的電壓Vth2。
符號(hào)7是第2比較電路，在反向輸入端子輸入FE信號(hào)，在非反向輸入端子輸入第2基準(zhǔn)電壓6的輸出電壓Vth2。第2比較電路7在FE信號(hào)電位比第2基準(zhǔn)電壓Vth2小時(shí)輸出高電位的信號(hào)，除此之外則輸出低電位的信號(hào)。第2比較電路7的輸出信號(hào)為Det2。
符號(hào)8是第3基準(zhǔn)電壓，輸出電位為聚焦伺服為OFF時(shí)的SUM信號(hào)電位與聚焦伺服為ON時(shí)的SUM信號(hào)電位之間的電位的電壓。在本實(shí)施例中，第3基準(zhǔn)電壓8的輸出電壓Vth3。
符號(hào)9是第3比較電路，在非反向輸入端子輸入SUM信號(hào)，在反向輸入端子輸入第3基準(zhǔn)電壓8的輸出電壓Vth3。第3比較電路9在SUM信號(hào)電位比第3基準(zhǔn)電壓Vth3大時(shí)輸出高電位的信號(hào)，除此之外則輸出低電位的信號(hào)。第3比較電路9的輸出信號(hào)為Det3。
符號(hào)10是系統(tǒng)控制器，輸入第1比較電路5、第2比較電路7及第3基準(zhǔn)電壓8的輸出信號(hào)Det1，Det2，Det3。系統(tǒng)控制器10使用輸入信號(hào)Det1，Det2，Det3，按照后述的程序檢測(cè)焦距偏離，輸出焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。而且，系統(tǒng)控制器10可以使用內(nèi)藏有監(jiān)視計(jì)時(shí)器的一般的CPU(中央處理器Central Processing Unit)。
符號(hào)11是系統(tǒng)控制器10輸出的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。
而且，4分割光檢測(cè)器1、焦距誤差信號(hào)生成電路2及總和信號(hào)生成電路3并非是限于本發(fā)明的構(gòu)成要素，而是光盤裝置所必須的要素，所以關(guān)于本實(shí)施例的焦距偏離檢測(cè)裝置的部分用虛線包圍，添加符號(hào)100。上述構(gòu)成中各信號(hào)的波形示于圖3。
圖3(a)是在具有由虛線部所示的第1及第2記錄層的光盤中，用實(shí)線描繪進(jìn)行記錄或再現(xiàn)的激光點(diǎn)所通過(guò)的軌跡的模式圖。在實(shí)施例中，表示的是激光點(diǎn)在對(duì)第2記錄層進(jìn)行記錄或再現(xiàn)的狀態(tài)，由于某種外來(lái)干擾而發(fā)生焦距偏離，激光點(diǎn)向第1記錄層移動(dòng)的情形。而且，在圖3(a)中，在時(shí)刻T1發(fā)生焦距偏離，在時(shí)刻T5激光點(diǎn)通過(guò)第1記錄層。
圖3(b)是FE信號(hào)。由于到時(shí)刻T1聚焦伺服是正常的動(dòng)作，所以FE信號(hào)幾乎是基準(zhǔn)電位(圖中的0電位)，但在時(shí)刻T1焦距偏離后到通過(guò)第1記錄層的時(shí)刻T5的期間，F(xiàn)E信號(hào)在正電位與負(fù)電位之間變化。而且，在時(shí)刻T5通過(guò)第1記錄層之后，F(xiàn)E信號(hào)變化為正電位之后收斂于0電位。
圖3(c)是SUM信號(hào)。直到時(shí)刻T1，由于聚焦伺服為ON，所以從光盤反射的激光入射到4分割光檢測(cè)器1，SUM信號(hào)就成為對(duì)應(yīng)于來(lái)自光盤的反射光量的電位，所以比0電位大。在本實(shí)施例中，聚焦伺服ON字的SUM信號(hào)電位為S1。在圖3的時(shí)刻T1，由于焦距伺服偏離，激光點(diǎn)向著第1記錄層的光，來(lái)自光盤的反射光量下降，所以SUM信號(hào)電位也下降，在激光點(diǎn)到達(dá)第1及第2記錄層的大體中間位置時(shí)，SUM信號(hào)電位成為底峰(bottom peak)。
而且，隨著激光點(diǎn)進(jìn)一步移動(dòng)并接近第1記錄層，來(lái)自光盤的反射光量增加，所以SUM信號(hào)電位再次接近S1，在時(shí)刻T5激光點(diǎn)通過(guò)第1記錄層時(shí)SUM信號(hào)電位成為S1。而且，在時(shí)刻T5以后，隨著激光點(diǎn)進(jìn)一步移動(dòng)并離開(kāi)第1記錄層，SUM信號(hào)下降，激光點(diǎn)離開(kāi)第1記錄層充分遠(yuǎn)時(shí)，由于來(lái)自向4分割光檢測(cè)器1入射的光盤的反射光量為0，所以SUM信號(hào)也為0。
圖3(d)是第1比較電路5的輸出信號(hào)Det1。在FE信號(hào)(b)大于第1基準(zhǔn)電壓Vth1的期間為高電位。
圖3(e)是第3比較電路9的輸出信號(hào)Det3。在SUM信號(hào)(c)大于第3基準(zhǔn)電壓Vth3的期間為高電位。
圖3(f)是第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2。在FE信號(hào)(a)小于第2基準(zhǔn)電壓Vth2的期間為高電位。
圖3(g)是系統(tǒng)控制器10輸出的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)，在根據(jù)以下說(shuō)明的程序檢測(cè)出焦距偏離時(shí)，輸出高電位的脈沖信號(hào)。
圖4是表示系統(tǒng)控制器10檢測(cè)出焦距偏離的程序的流程圖。
焦距偏離的檢測(cè)開(kāi)始后(S000)，對(duì)于第1比較電路5的輸出信號(hào)Det1判定電位(S001)。圖3(d)所示的Det1為低電位，即在FE信號(hào)電位小于第1基準(zhǔn)電壓Vth1的情況下回到步驟S001。
在步驟S001中系統(tǒng)控制器10動(dòng)作的狀態(tài)下，在圖3的時(shí)刻T2，圖3(d)的Det1信號(hào)為高電位，即FE信號(hào)電位大于第1基準(zhǔn)電壓Vth1時(shí)，系統(tǒng)控制器10越過(guò)步驟S001，啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量計(jì)時(shí)器(S002)。該計(jì)時(shí)器是為了檢測(cè)焦距偏離檢測(cè)的超時(shí)的裝置，可以使用內(nèi)藏于系統(tǒng)控制器10的監(jiān)控計(jì)時(shí)器。
計(jì)時(shí)開(kāi)始后，系統(tǒng)控制器10對(duì)于第3比較電路9的輸出信號(hào)Det3進(jìn)行電位判定(S003)。在Det3信號(hào)(圖3(e))為高電位，即SUM信號(hào)大于第3基準(zhǔn)電壓的情況下，比較測(cè)量時(shí)間是否比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)(S004)。在測(cè)量時(shí)間比規(guī)定的超時(shí)短的情況下，回到S003，繼續(xù)進(jìn)行對(duì)Det3信號(hào)的電位判定。另一方面，在計(jì)時(shí)器的值比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)的情況下，得到焦距偏離檢測(cè)的超時(shí)成立的、即在步驟S001中檢測(cè)的FE信號(hào)的變動(dòng)不是由焦距偏離所引起的，回到步驟S001。
在系統(tǒng)控制器10循環(huán)于步驟S003與步驟S004而動(dòng)作的狀態(tài)下，在圖3的時(shí)刻T3，第3比較電路9的輸出信號(hào)Det3(圖3(e))信號(hào)為低電位，即在SUM信號(hào)小于第3基準(zhǔn)電壓Vth3的情況下，系統(tǒng)控制器10對(duì)于第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2進(jìn)行電位判定(S005)。
在步驟S005，Det2(圖3(f))信號(hào)為低電位，即在FE信號(hào)大于第2基準(zhǔn)電壓Vth2的情況下，比較測(cè)量時(shí)間是否比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)(S006)。在測(cè)量時(shí)間比規(guī)定的超時(shí)短的情況下，回到S005，繼續(xù)進(jìn)行對(duì)Det2信號(hào)的電位判定。另一方面，在測(cè)量時(shí)間比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)的情況下，由于超時(shí)成立，回到步驟S001。
在系統(tǒng)控制器10循環(huán)于步驟S005與步驟S006而動(dòng)作的狀態(tài)下，在圖3的時(shí)刻T4，第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2(圖3(f))信號(hào)為高電位，即在FE信號(hào)小于第2基準(zhǔn)電壓Vth2的情況下，系統(tǒng)控制器10作為焦距偏離輸出表示于圖3的信號(hào)(g)的高電位的脈沖信號(hào)(S007)，并結(jié)束(S008)。
以上的說(shuō)明是焦距伺服偏離時(shí)激光點(diǎn)從第2記錄層向第1記錄層移動(dòng)的例子，但是，在激光點(diǎn)以相反方向從第1記錄層向第2記錄層移動(dòng)的情況下，F(xiàn)E信號(hào)的變化也相反。對(duì)于這種情況使用圖5加以說(shuō)明。
圖5是與圖3的情況相反，從對(duì)第1記錄層進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄的狀態(tài)，由于某種外來(lái)的因素而發(fā)生焦距偏離，激光點(diǎn)向第2記錄層移動(dòng)的情況。圖5的各波形的名稱與圖3相同。
在這種情況下，在時(shí)刻T1焦距伺服偏離時(shí)，F(xiàn)E信號(hào)(b)與圖3的情況極性相反地變化，因此，第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2(圖5(f))在時(shí)刻T2成為高電位，第1比較電路5的輸出信號(hào)Det1(圖5(d))在時(shí)刻T4成為高電位。就是說(shuō)，第1及第2比較電路的輸出信號(hào)Det1、Det2變化的定時(shí)(timing)的時(shí)間關(guān)系與圖3相反。
另一方面，由于SUM信號(hào)(c)與圖3的情況當(dāng)然大體相同，所以第3比較電路9的輸出信號(hào)Det3(圖5(e))是與圖3的Det3信號(hào)(e)同樣的波形。
在這種情況下，系統(tǒng)控制器10根據(jù)圖6所示的流程圖生成圖5所表示的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。圖3與圖5的流程圖的不同之處在于，圖3的步驟S001及步驟S005分別被步驟S009及步驟S010所取代。其它步驟中的動(dòng)作與圖3相同。
在圖5中，取代圖3中的步驟S001對(duì)第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2進(jìn)行電位判定(S009)。在Det2信號(hào)(圖5(f))為低電位，即FE信號(hào)電位大于第2基準(zhǔn)電壓Vth2的情況下，回到步驟S009。另一方面，在Det2信號(hào)(圖5(f))為高電位，即FE信號(hào)電位小于第2基準(zhǔn)電壓Vth2的情況下，啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量計(jì)時(shí)器(S002)。
而且，在圖5中，取代圖3中的步驟S005對(duì)第1比較電路5的輸出信號(hào)Det1進(jìn)行電位判定(S010)。在Det1信號(hào)(圖5(d))為低電位，即FE信號(hào)電位小于第1基準(zhǔn)電壓Vth1的情況下，移動(dòng)到步驟S006。另一方面，在Det1信號(hào)(圖5(d))為高電位，即FE信號(hào)電位大于第1基準(zhǔn)電壓Vth1的情況下，移動(dòng)到步驟S007，對(duì)焦距偏離檢測(cè)信號(hào)輸出高電位的脈沖信號(hào)。
而且，系統(tǒng)控制器10是使用圖4及圖6所示的流程中的哪一個(gè)，是根據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄的層而決定。由于光盤裝置中所裝載的系統(tǒng)控制器(圖1中的系統(tǒng)控制器10與其它的系統(tǒng)控制器)，能夠從進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄的地址信息而識(shí)別激光點(diǎn)現(xiàn)在處于哪一層，所以采用與該層相對(duì)應(yīng)，對(duì)于圖1中的系統(tǒng)控制器10指示使用圖3或圖5中哪一個(gè)流程的結(jié)構(gòu)即可。
以上說(shuō)明的第1實(shí)施例的焦距偏離檢測(cè)裝置，由于是在歷來(lái)的方法的FE信號(hào)電位的正負(fù)變動(dòng)檢測(cè)之上，將表示來(lái)自光盤的反射光量的SUM信號(hào)的電位下降檢測(cè)添加于焦距偏離的條件，由此能夠避免記錄層的微小缺陷的影響，所以能夠提高2層光盤的焦距偏離的檢測(cè)精度。
第2實(shí)施例上述第1實(shí)施例是對(duì)關(guān)于2層光盤的焦距偏離裝置進(jìn)行的說(shuō)明，下面對(duì)具有3層以上記錄層的多層光盤的問(wèn)題進(jìn)行說(shuō)明。
圖7是具有3層記錄層的光盤的截面模式圖。
圖7所示的3層光盤，與圖2所示的2層光盤的不同之處在于，具有第3記錄層206及第2間隔層207。其它是與圖2所示的2層光盤相同的結(jié)構(gòu)。而且，在圖7中，第1記錄層接近光盤的物鏡，第3記錄層接近光盤的標(biāo)簽面?zhèn)取?br> 在圖7的3層光盤中，在第2記錄層201進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)時(shí)由于某種外來(lái)的干擾而使焦距偏離時(shí)的FE信號(hào)波形示于圖8及圖9。
圖8(a)是表示激光點(diǎn)從第2記錄層向第1記錄層移動(dòng)的情形。
此時(shí)的FE信號(hào)波形圖示于圖8(b)。FE信號(hào)的電位變動(dòng)為正、負(fù)、正。
圖9(a)是表示激光點(diǎn)從第2記錄層向第3記錄層移動(dòng)的情形。
此時(shí)的FE信號(hào)波形圖示于圖9(b)。FE信號(hào)的電位變動(dòng)與圖8的FE信號(hào)相反，為負(fù)、正、負(fù)。
就是說(shuō)，在從第2記錄層進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄的狀態(tài)發(fā)生了聚焦伺服偏離的情況下，根據(jù)激光點(diǎn)是向第1或第3中哪一個(gè)記錄層移動(dòng)，F(xiàn)E信號(hào)的變化圖形不同。而且，不能預(yù)測(cè)焦距伺服偏離時(shí)激光點(diǎn)是向哪一層移動(dòng)。因此，不能決定使用第1實(shí)施例中說(shuō)明的圖4或圖6中的哪一個(gè)流程來(lái)檢測(cè)焦距偏離。
因此，對(duì)解決該問(wèn)題的焦距偏離的檢測(cè)加以說(shuō)明。以下使用圖10所示的流程圖，對(duì)系統(tǒng)控制器10檢測(cè)焦距偏離的程序加以說(shuō)明。而且，由于第2實(shí)施例的方框圖與圖1所示的第1實(shí)施例的方框圖相同，所以其說(shuō)明予以省略。
在系統(tǒng)控制器10對(duì)焦距偏離的檢測(cè)開(kāi)始后(S000)，對(duì)于第1比較電路5的輸出信號(hào)Det1進(jìn)行判定電位(S011)。在Det1為低電位，即在FE信號(hào)電位小于第1基準(zhǔn)電壓Vth1的情況下，對(duì)于第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2進(jìn)行判定電位(S012)。在Det2為低電位，即在FE信號(hào)電位大于第2基準(zhǔn)電壓Vth2的情況下，回到步驟S011。在聚焦伺服為ON，正常工作的情況下，為巡回于步驟S011與步驟S012的工作。
在步驟S011中，如果Det1信號(hào)為高電位，即FE信號(hào)電位大于第1基準(zhǔn)電壓Vth1，則系統(tǒng)控制器10對(duì)表示激光點(diǎn)移動(dòng)方向的DIR標(biāo)記設(shè)定1(S013)。這里，由于使Det1信號(hào)早于Det2信號(hào)成為高電位相當(dāng)于第1實(shí)施例中說(shuō)明的圖3的情況，所以相當(dāng)于圖8所示的激光點(diǎn)從第2記錄層向第1記錄層移動(dòng)的情況。由此，DIR標(biāo)記為1意味著激光點(diǎn)向光盤裝置的物鏡移動(dòng)。
而且，在步驟S012中，如果Det2信號(hào)為高電位，即FE信號(hào)電位小于第2基準(zhǔn)電壓Vth2，則系統(tǒng)控制器10對(duì)表示激光點(diǎn)移動(dòng)方向的DIR標(biāo)記設(shè)定0(S014)。這里，由于使Det2信號(hào)早于Det1信號(hào)成為高電位相當(dāng)于第1實(shí)施例中說(shuō)明的圖5的情況，所以相當(dāng)于圖9所示的激光點(diǎn)從第2記錄層向第3記錄層移動(dòng)的情況。由此，DIR標(biāo)記為0意味著激光點(diǎn)遠(yuǎn)離光盤裝置的物鏡而移動(dòng)。
系統(tǒng)控制器10在步驟S013或步驟S014中設(shè)定了DIR標(biāo)記之后，啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量計(jì)時(shí)(S002)。步驟S002與第1實(shí)施例中說(shuō)明的圖4的步驟S002同樣。
計(jì)時(shí)開(kāi)始后，系統(tǒng)控制器10對(duì)于第3比較電路9的輸出信號(hào)Det3進(jìn)行電位判定(S003)。在步驟S003中判定了Det3信號(hào)為高電位的情況下，比較測(cè)量時(shí)間是否比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)(S004)。在測(cè)量時(shí)間比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)的情況下，得到超時(shí)成立的結(jié)論，回到步驟S011。而在測(cè)量時(shí)間比規(guī)定的超時(shí)短的情況下，回到步驟S003。
在步驟S003中，判定了Det3信號(hào)為低電位的情況下，判定DIR標(biāo)記(S015)。在步驟S015中，判定了DIR標(biāo)記為1的情況下，判定第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2的電位(S016)。而在判定了DIR標(biāo)記為0的情況下，判定第1比較電路5的輸出信號(hào)Det1的電位(S017)。
在步驟S016中，判定了Det2信號(hào)為低電位的情況下，比較測(cè)量時(shí)間是否比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)(S006)。而判定了Det2信號(hào)為高電位的情況下，將高電位的脈沖信號(hào)輸出到焦距偏離檢測(cè)信號(hào)(S007)。
另外，在步驟S017中，在Det1信號(hào)為低電位的情況下，比較測(cè)量時(shí)間是否比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)(S006)。另一方面，判定了Det1信號(hào)為高電位的情況下，將高電位的脈沖信號(hào)輸出到焦距偏離檢測(cè)信號(hào)(S007)。
而且，在步驟S006中，在測(cè)量時(shí)間比規(guī)定的超時(shí)短的情況下，回到步驟S015。而在測(cè)量時(shí)間是否比規(guī)定的超時(shí)長(zhǎng)的情況下，超時(shí)成立，回到步驟S011。
系統(tǒng)控制器10在步驟S007中向焦距偏離信號(hào)輸出高電位的脈沖信號(hào)時(shí)，結(jié)束焦距偏離的檢測(cè)(S008)。
以上說(shuō)明的第2實(shí)施例的焦距偏離檢測(cè)裝置，是從最初電位檢測(cè)的FE信號(hào)的極性存儲(chǔ)激光點(diǎn)的移動(dòng)方向，根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的移動(dòng)方向而切換SUM信號(hào)的電位下降后進(jìn)行的FE信號(hào)的電位檢測(cè)方法。通過(guò)使用該方法，即使是具有3層記錄層的光盤的內(nèi)層記錄層中的焦距伺服偏離，也能夠在激光點(diǎn)到達(dá)另一層之前檢測(cè)出焦距偏離，例如能夠防止向非意圖層的誤記錄。另外，由于通過(guò)將SUM信號(hào)的電位下降檢知附加于焦距偏離的條件，能夠與第1實(shí)施例同樣避免記錄層的微小缺陷的影響，所以能夠提高3層光盤的焦距偏離檢測(cè)精度。
而且，第2實(shí)施例的焦距偏離檢測(cè)裝置對(duì)于具有2層及4層以上的記錄層的多層光盤，也同樣適用。
第3實(shí)施例光盤表面有損傷及指紋等時(shí)，也存在使SUM信號(hào)的電位呈尖峰狀下降的情況。該SUM信號(hào)的電位下降與光盤記錄層的微小缺陷相重合時(shí)，第1實(shí)施例及第2實(shí)施例中說(shuō)明的焦距偏離檢測(cè)的過(guò)程，就會(huì)將FE信號(hào)的變動(dòng)與SUM信號(hào)的下降的組合誤檢測(cè)為焦距偏離。因此，在第3實(shí)施例中，說(shuō)明避免由損傷引起的SUM信號(hào)的下降，高精度地檢測(cè)焦距偏離的焦距偏離檢測(cè)裝置的例子。
圖3是表示第1實(shí)施例中說(shuō)明的焦距偏離時(shí)的信號(hào)波形，但是，設(shè)Det1信號(hào)(圖3(d))是高電位的期間為P1，當(dāng)Det3信號(hào)(圖3(e))是低電位的期間為P3時(shí)，雖然期間P1與期間P3的絕對(duì)值隨著焦距伺服偏離時(shí)物鏡與光盤的相對(duì)速度而變化，但期間P1與期間P3的比值K大體一定。而且，在焦距偏離時(shí)激光點(diǎn)的移動(dòng)方向相反的圖5的情況下，設(shè)Det2信號(hào)(圖5(f))是高電位的期間為P1，Det3信號(hào)(圖5(e))是低電位的期間為P3時(shí)，則與圖3的情況同樣，期間P1與期間P3的比值K也與上述相同。
該期間比K由光拾波器的光學(xué)設(shè)計(jì)所決定。以下對(duì)注目于此的焦距偏離檢測(cè)裝置的例3進(jìn)行以下的說(shuō)明。
圖11是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的方框圖。圖11的結(jié)構(gòu)與表示第1實(shí)施例及第2實(shí)施例的圖1的不同點(diǎn)在于，添加了第1計(jì)時(shí)電路12及第2計(jì)時(shí)電路13。其余都賦予同樣的符號(hào)，其說(shuō)明予以省略。
第1計(jì)時(shí)電路12輸入第1比較電路5輸出的Det1信號(hào)及第2比較電路7輸出的Det2信號(hào)。第1計(jì)時(shí)電路12在Det1信號(hào)及Det2信號(hào)中的一個(gè)成為高電位時(shí)，從初始值0啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量。而且，在啟動(dòng)了第1計(jì)時(shí)電路12的信號(hào)成為低電位時(shí)，結(jié)束測(cè)量，保持測(cè)量時(shí)間的最終值。就是說(shuō)，第1計(jì)時(shí)電路12僅在Det1信號(hào)及Det2信號(hào)中的任一個(gè)先成為高電位的信號(hào)為高的期間進(jìn)行時(shí)間測(cè)量。而且，設(shè)第1計(jì)時(shí)電路的測(cè)量時(shí)間為L(zhǎng)1，將輸出信號(hào)L1輸入到系統(tǒng)控制器10。另外，在第1計(jì)時(shí)電路的測(cè)量時(shí)間期間，輸出信號(hào)L1時(shí)時(shí)刻刻在變化。
第2計(jì)時(shí)電路13在輸入了第3比較電路9所輸出的Det3信號(hào)，Det3信號(hào)成為低電位時(shí)，從初始值0開(kāi)始啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量。另外，在Det3信號(hào)成為高電位時(shí)結(jié)束測(cè)量并保持測(cè)量時(shí)間的最終值。而且，設(shè)第2計(jì)時(shí)電路輸出的測(cè)量時(shí)間為L(zhǎng)2，將輸出信號(hào)L2輸入到系統(tǒng)控制器10。另外，在第2計(jì)時(shí)電路的測(cè)量時(shí)間期間，輸出信號(hào)L2時(shí)時(shí)刻刻在變化。
以下使用圖12的流程圖對(duì)第3實(shí)施例的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)的生成方法加以說(shuō)明。
圖12的流程圖與第2實(shí)施例的流程圖的圖10的不同點(diǎn)在于，添加了步驟S017及步驟S018。對(duì)于同一內(nèi)容都賦予相同的符號(hào)，其說(shuō)明予以省略。
在圖12中，在步驟S016中Det2信號(hào)為高電位的情況下，或在步驟S017中Det1信號(hào)為高電位的情況下，系統(tǒng)控制器10讀取第1計(jì)時(shí)電路的輸出L1與第2計(jì)時(shí)電路的輸出L2(S017)。
而且，求出時(shí)間L1與時(shí)間L2的比L2/L1，判斷該比值是否在規(guī)定的范圍內(nèi)(S018)。由于時(shí)間L1與時(shí)間L2相當(dāng)于前面說(shuō)明的期間P1與P3，所以其比值L2/L1應(yīng)該是一定值K，但由于實(shí)際上光拾波器每次都會(huì)發(fā)生偏差，所以決定最小值A(chǔ)與最大值B，判斷是否在該范圍內(nèi)。具體地A＝K×0.8，B＝K×1.2即可。
在步驟S018中，在求出的比L2/L1在規(guī)定范圍以外的情況下，沒(méi)有焦距偏離，回到步驟S011。另一方面，在求出的比L2/L1在規(guī)定范圍以內(nèi)的情況下，將高電位的脈沖信號(hào)輸出到焦距偏離檢測(cè)信號(hào)(S007)，結(jié)束焦距偏離檢測(cè)(S008)。
以上說(shuō)明的第3實(shí)施例，測(cè)量FE信號(hào)的最初變動(dòng)電位超過(guò)第1基準(zhǔn)電壓Vth1或第2基準(zhǔn)電壓Vth2的時(shí)間L1，與SUM信號(hào)電位小于第3基準(zhǔn)電壓Vth3的時(shí)間L2，通過(guò)判別L2與L1是否有規(guī)定的關(guān)系，區(qū)別SUM信號(hào)的下降是由光盤表面的損傷及指紋所引起，還是由焦距偏離所引起。由此，即使是在光盤記錄層的微小變形與光盤表面的損傷的位置相重合的情況下，也能夠防止焦距偏離的誤檢測(cè)。
第4實(shí)施例近年來(lái)實(shí)用化的藍(lán)光盤(Blue-ray Disk)，是在進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄再現(xiàn)的激光光源中使用藍(lán)紫色的激光，由此提高與DVD相比的數(shù)據(jù)的記錄密度。在這樣使用藍(lán)紫色激光設(shè)計(jì)光拾波器的光學(xué)體系的情況下，有恰好焦距位置附近FE信號(hào)線性變化的范圍、即FE信號(hào)的檢測(cè)范圍DVD相比狹窄的情況。使用圖13對(duì)此時(shí)的FE信號(hào)加以說(shuō)明。
圖13(a)是在具有2層記錄層的光盤中，聚焦伺服從在第2記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄的狀態(tài)偏離，激光點(diǎn)向第1記錄層移動(dòng)的情形。在圖13(a)中用實(shí)線表示激光點(diǎn)的軌跡。
此時(shí)的FE信號(hào)示于圖13(b)，在圖13中，由于FE信號(hào)的檢測(cè)范圍窄，所以在激光點(diǎn)從第2記錄面向第1記錄面移動(dòng)期間，F(xiàn)E信號(hào)(b)中出現(xiàn)由虛線所包圍的平坦部。
而且，在與圖13相反，在激光點(diǎn)從第1記錄面向第2記錄面移動(dòng)的情況下，F(xiàn)E信號(hào)當(dāng)然會(huì)成為與圖13(b)反極性的信號(hào)，但與圖13(b)同樣，在記錄層間出現(xiàn)FE信號(hào)的平坦部。
在本實(shí)施例中，對(duì)注目于該FE信號(hào)的平坦部的焦距偏離裝置加以說(shuō)明。圖14是表示本發(fā)明的第4實(shí)施例的實(shí)施方式的方框圖。圖14的結(jié)構(gòu)與第3實(shí)施例的方框圖11的不同點(diǎn)在于，添加了平坦檢測(cè)電路14及第3計(jì)時(shí)電路15。其余都賦予相同的符號(hào)，其說(shuō)明予以省略。
平坦檢測(cè)電路14輸入FE信號(hào)，檢測(cè)FE信號(hào)的平坦部，輸出高電位的檢測(cè)信號(hào)。平坦檢測(cè)電路14的輸出信號(hào)名為Flat。圖15是表示平坦檢測(cè)電路14的詳細(xì)方框圖，以下對(duì)其結(jié)構(gòu)加以說(shuō)明。
符號(hào)16是第4基準(zhǔn)電壓，對(duì)于FE信號(hào)的基準(zhǔn)電位輸出正電位的電壓Vth4。
符號(hào)17是第4比較電路，在非反向輸入端子輸入FE信號(hào)，在反向輸入端子輸入第4基準(zhǔn)電壓Vth4。在FE信號(hào)大于第4基準(zhǔn)電壓Vth4的情況下輸出高電位的信號(hào)，在小于第4基準(zhǔn)電壓Vth4的情況下輸出低電位的信號(hào)。
符號(hào)18是第5基準(zhǔn)電壓，對(duì)FE信號(hào)的基準(zhǔn)電位輸出負(fù)電位的高壓Vth5。
符號(hào)19是第5比較電路，在反向輸入端子輸入FE信號(hào)，在非反向輸入端子輸入第5基準(zhǔn)電壓Vth5。在FE信號(hào)小于第5基準(zhǔn)電壓Vth5的情況下輸出高電位的信號(hào)，在大于的情況下輸出低電位的信號(hào)。
符號(hào)20、21是非電路，分別將第4比較電路17的輸出信號(hào)及第5比較電路19的輸出信號(hào)進(jìn)行反向。
符號(hào)22是與電路，輸出非電路20、21的輸出信號(hào)的邏輯積。而且，與電路22的輸出信號(hào)是Flat信號(hào)。
以上結(jié)構(gòu)的平坦檢測(cè)電路14的動(dòng)作波形示于圖16。
圖16的波形(a)是FE信號(hào)波形，與圖13(b)的波形相同。
圖16的波形(b)是第4比較電路17的輸出波形，在FE信號(hào)大于第4基準(zhǔn)電壓Vth4時(shí)為高電位。
圖16的波形(c)是第5比較電路19的輸出波形，在FE信號(hào)小于第5基準(zhǔn)電壓Vth5時(shí)為高電位。
圖16的波形(d)是與電路22的輸出波形，在第4比較電路輸出(b)與第5比較電路輸出(c)同時(shí)是低電位時(shí)為高電位。
由于在FE信號(hào)處于基準(zhǔn)電壓Vth4與Vth5之間的電位時(shí)，平坦檢測(cè)電路14為高電位，所以能夠檢測(cè)出FE信號(hào)大體平坦。
這里，設(shè)FE信號(hào)(a)的電位大于第1基準(zhǔn)電壓Vth1的期間為L(zhǎng)1，在第1及第2記錄層間，F(xiàn)E信號(hào)(a)的電位處于第4基準(zhǔn)電壓Vth4與第5基準(zhǔn)電壓Vth5之間的期間為L(zhǎng)3時(shí)，則期間L1與期間L3的比值成為由光拾波器的光學(xué)設(shè)計(jì)所決定的一定的值M。
這里，回到圖14繼續(xù)進(jìn)行說(shuō)明。
符號(hào)15為第3計(jì)時(shí)電路，在平坦檢測(cè)電路14所輸出的Flat信號(hào)成為高電位時(shí)，從初始值0開(kāi)始時(shí)間測(cè)量。而且，F(xiàn)lat信號(hào)成為低電位時(shí)測(cè)量結(jié)束，保持測(cè)量時(shí)間的最終值。而且，第3計(jì)時(shí)電路15的輸出信號(hào)輸入到系統(tǒng)控制器10。另外，第3計(jì)時(shí)電路15輸出的測(cè)量時(shí)間為L(zhǎng)3。進(jìn)而，在第3計(jì)時(shí)電路15時(shí)間測(cè)量期間，輸出信號(hào)L3在時(shí)時(shí)刻刻變化。
以下使用圖17的流程圖對(duì)第4實(shí)施例的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)的生成方法加以說(shuō)明。
圖17的流程圖與第3實(shí)施例的流程圖的圖12的不同點(diǎn)在于，由步驟S019取代步驟S017，添加了步驟S020。對(duì)于同一內(nèi)容都賦予相同的符號(hào)，其說(shuō)明予以省略。
在圖17的步驟S019中，系統(tǒng)控制器10讀入第1計(jì)時(shí)電路12、第2計(jì)時(shí)電路13及第3計(jì)時(shí)電路15輸出的測(cè)定時(shí)間L1、L2、L3。
而且，在步驟S018中，在測(cè)定時(shí)間的比L2/L1在規(guī)定的范圍之內(nèi)的情況下，求出第2測(cè)定時(shí)間的比L3/L1，判斷是否在規(guī)定的范圍之內(nèi)(S020)。關(guān)于規(guī)定范圍的最小值C與最大值D，后面進(jìn)行敘述。
在步驟S020中，在測(cè)定時(shí)間比L3/L1在規(guī)定的范圍之外的情況下，作為焦距偏離未發(fā)生，回到步驟S011。另一方面，在測(cè)定時(shí)間比L3/L1在規(guī)定的范圍之內(nèi)的情況下，將高電位的脈沖信號(hào)輸出到焦距偏離檢測(cè)信號(hào)(S007)，結(jié)束焦距偏離的檢測(cè)(S008)。
這里，第4實(shí)施例的動(dòng)作波形示于圖18。
圖18(a)是在時(shí)刻T1中在第2記錄層焦距伺服偏離，激光點(diǎn)向第1記錄層移動(dòng)的情形。
波形(b)是FE信號(hào)，與圖16(a)的波形相同。
波形(c)是SUM信號(hào)。
波形(d)是第1比較電路5的輸出信號(hào)Det1，在從FE信號(hào)大于第1基準(zhǔn)電壓Vth1的時(shí)刻T2到T3的期間，為高電位。在圖17的步驟S019中，系統(tǒng)控制器10讀入的L1是從圖18的時(shí)刻T2到T3的時(shí)間差。
波形(e)是第3比較電路9的輸出信號(hào)Det3，在從SUM信號(hào)(c)小于第3基準(zhǔn)電壓Vth3的時(shí)刻T4到T7的期間，為低電位。在圖17的步驟S019中，系統(tǒng)控制器10讀入的L2是從圖18的時(shí)刻T4到T7的時(shí)間差。
波形(f)是平坦檢測(cè)電路14輸出的Flat信號(hào)，在FE信號(hào)處于第4基準(zhǔn)電壓Vth4與第5基準(zhǔn)電壓Vth5之間時(shí)，為高電位。在圖17的步驟S019中，系統(tǒng)控制器10讀入的L3是從圖18的時(shí)刻T5到T6的時(shí)間差。
波形(g)是第2比較電路7的輸出信號(hào)Det2，在從FE信號(hào)小于第2基準(zhǔn)電壓Vth2的時(shí)刻T8到T9的期間，為高電位。
波形(h)是系統(tǒng)控制器10輸出的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。
這里，在圖17的步驟S020中，如圖16的說(shuō)明中所述，時(shí)間比L3/L1應(yīng)該是由光拾波器的光學(xué)設(shè)計(jì)所決定的一定的值M。但是，實(shí)際上由于每次光拾波都有偏差，所以決定最小值C與最大值D，判斷是否在該范圍內(nèi)。具體地C＝M×0.8，D＝M×1.2即可。
以上說(shuō)明的第4實(shí)施例，在第3實(shí)施例上追加了以下的內(nèi)容。
判別FE信號(hào)最初的變動(dòng)電位超過(guò)了第1基準(zhǔn)電壓Vth1或第2基準(zhǔn)電壓Vth2的時(shí)間L1與在記錄層間FE信號(hào)為平坦的時(shí)間L3之間是否具有規(guī)定的關(guān)系，由此能夠提高在FE信號(hào)的檢測(cè)范圍窄的光拾波器中焦距偏離的檢測(cè)精度。
第5實(shí)施例使用上述第1至第4實(shí)施例中任一個(gè)焦距偏離檢測(cè)裝置的光盤裝置的實(shí)施例示于圖19。以下對(duì)圖19的結(jié)構(gòu)加以說(shuō)明。
符號(hào)1是4分割光檢測(cè)器。
符號(hào)2是焦距誤差信號(hào)生成電路。
符號(hào)3是總和信號(hào)生成電路。
符號(hào)100是第1至第4實(shí)施例中說(shuō)明的任一個(gè)焦距偏離檢測(cè)裝置，焦距偏離檢測(cè)裝置100所輸出的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)為FOUT。
上述符號(hào)1～符號(hào)3及符號(hào)100的構(gòu)成要素，由于與第1至第4實(shí)施例的構(gòu)成要素相同，所以其說(shuō)明予以省略。
符號(hào)23是具有多層記錄層的光盤，記錄層的軌道構(gòu)成為溝狀的岸面、凹槽(land、groove)，進(jìn)而軌道在行進(jìn)方向上彎曲行進(jìn)規(guī)定的長(zhǎng)度。以下將軌道中形成的彎曲行進(jìn)稱為擺動(dòng)。而且，擺動(dòng)由相位調(diào)制而記錄光盤的地址信息。
符號(hào)24是擺動(dòng)信號(hào)生成電路，將從4分割光檢測(cè)器1的各輸出檢測(cè)出的擺動(dòng)成分的擺動(dòng)信號(hào)供給到地址檢測(cè)電路40。進(jìn)而，擺動(dòng)信號(hào)生成電路24將檢測(cè)出擺動(dòng)信號(hào)的載波成分的擺動(dòng)載波信號(hào)供給到主軸控制電路25。
符號(hào)25是主軸控制電路，生成主軸控制信號(hào)，以使擺動(dòng)信號(hào)生成電路24輸出的擺動(dòng)載波信號(hào)的頻率為一定。由于在軌道中形成的擺動(dòng)的長(zhǎng)度為一定，所以如果將擺動(dòng)載波信號(hào)的周期控制為一定，光盤23的旋轉(zhuǎn)線速度就一定(CLV恒定線速度)。
符號(hào)26是第1驅(qū)動(dòng)電路，生成并輸出對(duì)主軸控制電路25輸出的主軸控制信號(hào)進(jìn)行放大的主軸驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
符號(hào)27是主軸馬達(dá)，根據(jù)第1驅(qū)動(dòng)電路26所輸出的主軸驅(qū)動(dòng)信號(hào)而使光盤23旋轉(zhuǎn)。
符號(hào)28是焦距控制電路，生成并輸出對(duì)FE信號(hào)進(jìn)行增益與相位的補(bǔ)償焦距控制信號(hào)。焦距控制電路28根據(jù)系統(tǒng)控制器41的指示而進(jìn)行聚焦伺服的ON/OFF切換。而且，還有未圖示的焦距跳躍信號(hào)生成電路，根據(jù)來(lái)自系統(tǒng)控制器41的指示，進(jìn)行將激光點(diǎn)移動(dòng)到目的記錄層的焦距跳躍。進(jìn)而，焦距控制電路28具有使物鏡39上下等速動(dòng)作的掃描(sweep)信號(hào)發(fā)生裝置，根據(jù)來(lái)自系統(tǒng)控制器41的指示而使物鏡39掃描動(dòng)作，使聚焦伺服在恰好焦距位置為ON，由此能夠進(jìn)行焦距的引入。
符號(hào)29是第2驅(qū)動(dòng)電路，生成并輸出對(duì)焦距控制電路28輸出的焦距控制信號(hào)進(jìn)行放大的焦距驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
符號(hào)30是跟蹤誤差信號(hào)生成電路，使用公知的推挽(push-pull)法等，從4分割光檢測(cè)器1的各輸出而生成并輸出跟蹤誤差信號(hào)(以下稱為TE信號(hào))。
符號(hào)31是跟蹤控制電路，生成并輸出對(duì)上述TE信號(hào)進(jìn)行增益與相位的跟蹤控制信號(hào)。而且，跟蹤控制電路31根據(jù)來(lái)自系統(tǒng)控制器41的指示，進(jìn)行跟蹤伺服的ON/OFF切換。進(jìn)而，還有未圖示的軌道跳躍信號(hào)生成電路，根據(jù)來(lái)自系統(tǒng)控制器41的指示，進(jìn)行將激光點(diǎn)移動(dòng)到目的記錄層的軌道跳躍。
符號(hào)32是第3驅(qū)動(dòng)電路，生成并輸出對(duì)跟蹤控制電路31輸出的跟蹤控制信號(hào)進(jìn)行放大的跟蹤驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
符號(hào)33是滑觸頭控制電路，提取跟蹤控制電路30輸出的跟蹤控制信號(hào)的低通(low-pass)成分，生成并輸出進(jìn)行增益與相位補(bǔ)償?shù)幕|頭控制信號(hào)。
符號(hào)34是第4驅(qū)動(dòng)電路，生成并輸出對(duì)滑觸頭控制電路33輸出的滑觸頭控制信號(hào)進(jìn)行放大的滑觸頭驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
符號(hào)35是滑觸頭馬達(dá)，根據(jù)第4驅(qū)動(dòng)電路34所輸出的滑觸頭驅(qū)動(dòng)信號(hào)而旋轉(zhuǎn)。
符號(hào)36是導(dǎo)螺桿，與滑觸頭馬達(dá)35相連接，對(duì)應(yīng)于滑觸頭馬達(dá)35動(dòng)作而旋轉(zhuǎn)。
符號(hào)37是光拾波器，內(nèi)藏有4分割光檢測(cè)器1、激光二極管驅(qū)動(dòng)器38、未圖示的焦距促動(dòng)器、跟蹤促動(dòng)器、以及激光二極管。而且，光拾波器37與導(dǎo)螺桿36相連接，對(duì)應(yīng)于導(dǎo)螺桿36的旋轉(zhuǎn)而在光盤23的內(nèi)周方向或外周方向上移動(dòng)。
符號(hào)38是激光二極管驅(qū)動(dòng)器，輸出使光拾波器37內(nèi)的激光二極管發(fā)光的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
符號(hào)39是物鏡，將光拾波器37內(nèi)的激光二極管發(fā)出的激光聚焦于光盤23的記錄面。而且，物鏡39可以由光拾波器37內(nèi)的焦距促動(dòng)器而大體向激光的光軸方向移動(dòng)。進(jìn)而，物鏡39還可以由光拾波器37內(nèi)的跟蹤促動(dòng)器而在光盤23的大致半徑方向上移動(dòng)。
符號(hào)40是地址檢測(cè)電路，從擺動(dòng)信號(hào)生成電路24輸出的擺動(dòng)信號(hào)而檢測(cè)出光盤23的地址信息。
符號(hào)41是系統(tǒng)控制器，在控制焦距控制電路28、跟蹤控制電路31的動(dòng)作的同時(shí)，還控制激光二極管驅(qū)動(dòng)器38的發(fā)光波形。而且，能夠從地址檢測(cè)電路40輸出的地址信息而取得光盤23的地址信息。進(jìn)而，供給焦距偏離檢測(cè)裝置100輸出的焦距偏離檢測(cè)信號(hào)FOUT。
使用圖20的流程圖對(duì)以上結(jié)構(gòu)的光盤裝置檢測(cè)出焦距偏離時(shí)的動(dòng)作加以說(shuō)明。
光盤23進(jìn)行CLV旋轉(zhuǎn)，以使擺動(dòng)信號(hào)生成電路24輸出的擺動(dòng)載波信號(hào)的周期一定，聚焦伺服、跟蹤伺服、及滑觸頭伺服為ON，進(jìn)行正常的動(dòng)作。
在該狀態(tài)下，系統(tǒng)控制器41發(fā)出對(duì)于激光二極管驅(qū)動(dòng)器38記錄發(fā)光的指示，開(kāi)始向光盤23的數(shù)據(jù)記錄，同時(shí)開(kāi)始監(jiān)視焦距偏離檢測(cè)信號(hào)(S200)。
系統(tǒng)控制器41監(jiān)視焦距偏離檢測(cè)裝置100輸出的FOUT信號(hào)的電位(S201)。
在步驟S201中，在FOUT信號(hào)為低的情況下，繼續(xù)對(duì)步驟S201的FOUT進(jìn)行監(jiān)視。
另一方面，在由某種外來(lái)干擾引起焦距偏離時(shí)，由第1實(shí)施例至第4實(shí)施例中說(shuō)明的動(dòng)作在FOUT信號(hào)輸出高電位的脈沖信號(hào)。系統(tǒng)控制器41在檢測(cè)出FOUT信號(hào)的高電位的脈沖信號(hào)時(shí)，檢測(cè)出焦距偏離信號(hào)的高電位的脈沖信號(hào)時(shí)，瞬時(shí)對(duì)激光二極管驅(qū)動(dòng)器38發(fā)出指示，停止記錄發(fā)光，使發(fā)光功率下降(S202)。在本實(shí)施例中，下降發(fā)光功率至再現(xiàn)功率電位。而且，也可以使激光發(fā)光OFF。
進(jìn)而，系統(tǒng)控制器41使聚焦伺服為OFF(S203)，使跟蹤伺服也為OFF(S204)。
其后，系統(tǒng)控制器41作為重試處理而重新引入聚焦伺服(S205)。而且，在步驟S202中使激光發(fā)光為OFF的情況下，當(dāng)然也可以是在重新引入聚焦伺服之前使激光發(fā)光為ON。
系統(tǒng)控制器41進(jìn)而使跟蹤伺服為ON(S206)，訪問(wèn)所希望的地址位置(S207)。所謂所希望的地址，是指重新開(kāi)始數(shù)據(jù)的記錄的地址。數(shù)據(jù)記錄的重新開(kāi)始的地址一般是設(shè)定為緊接著數(shù)據(jù)記錄停止之后的地址，但在光盤的內(nèi)周部或外周部預(yù)先準(zhǔn)備了交替區(qū)域的光盤的情況下，也可以是交替區(qū)域的地址。
到達(dá)重新開(kāi)始記錄的地址之后，重新開(kāi)始記錄發(fā)光(S208)，并結(jié)束(S209)。
以上所述的第5實(shí)施例的光盤裝置，由于是在記錄中檢測(cè)到了焦距偏離時(shí)瞬間下降激光二極管的發(fā)光功率至再現(xiàn)電位，所以能夠防止數(shù)據(jù)向其它層的誤記錄，由此能夠提供可靠性高的光盤裝置。
另外，如第1實(shí)施例至第4實(shí)施例中所述，由于焦距偏離檢測(cè)裝置100能夠防止光盤記錄面的微小變形及光盤表面的損傷而引起的焦距偏離的誤檢測(cè)，所以能夠防止不必要的記錄停止。就是說(shuō)，由于防止了由焦距偏離誤檢測(cè)引起的記錄時(shí)間的增加，所以能夠提高光盤的記錄性能。
而且，第5實(shí)施例是對(duì)數(shù)據(jù)的記錄時(shí)進(jìn)行的說(shuō)明，但是，當(dāng)然在數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí)省去圖20的步驟S202，也同樣可以適用。在這種情況下，由于能夠防止由焦距偏離誤檢測(cè)引起的記錄時(shí)間的增加，所以能夠提高光盤的記錄性能。
而且，在圖19中，系統(tǒng)控制器41與焦距偏離檢測(cè)裝置100內(nèi)的系統(tǒng)控制器10是作為其他的構(gòu)成要素，但也可以是共同化為一個(gè)系統(tǒng)控制器。
以上，能夠防止光盤記錄面的微小變形引起的焦距偏離的誤檢測(cè)。而且，通過(guò)使用上述焦距偏離檢測(cè)裝置，能夠提供防止數(shù)據(jù)的再現(xiàn)或記錄時(shí)間的增加的光盤裝置。
而且，上述實(shí)施方式僅是為了實(shí)施本發(fā)明的具體化的例子，并不能由此對(duì)本發(fā)明的技術(shù)范圍進(jìn)行限定性的解釋。就是說(shuō)，本發(fā)明的內(nèi)容如權(quán)利要求中所述，在不脫離其技術(shù)思想、或其主要特征的前提下，能夠以各種形式進(jìn)行實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種焦距偏離檢測(cè)裝置，檢測(cè)在具有多個(gè)記錄層的盤上聚光的激光的焦距偏離，其特征在于在焦距誤差信號(hào)超過(guò)第一電平，其后，在規(guī)定期間內(nèi)來(lái)自光盤的反射光量低于規(guī)定電平，或者，規(guī)定期間焦距誤差信號(hào)在0電平附近成為平坦，其后，在焦距誤差信號(hào)超過(guò)與第一電平反極性的第二電平時(shí)，輸出焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。
2.一種具有權(quán)利要求1所述的焦距偏離檢測(cè)裝置的光盤裝置，其特征在于具有在輸出所述焦距偏離檢測(cè)信號(hào)時(shí)中斷數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)的控制部。
3.一種具有多個(gè)記錄層的光盤的焦距偏離檢測(cè)裝置，其特征在于，具有對(duì)應(yīng)于來(lái)自光盤的反射光而輸出電氣信號(hào)的光檢測(cè)單元，從所述光檢測(cè)單元的輸出生成焦距誤差信號(hào)的焦距誤差信號(hào)生成單元，從所述光檢測(cè)單元的輸出生成表示來(lái)自光盤的反射光量總和的反射光量總和信號(hào)的反射光量總和信號(hào)生成單元，檢測(cè)焦距誤差信號(hào)超過(guò)第一規(guī)定值的第一比較單元，檢測(cè)焦距誤差信號(hào)超過(guò)與所述第一規(guī)定值反極性的第二規(guī)定值的第二比較單元，以及比較反射光量總和信號(hào)和第三規(guī)定值的第三比較單元；在從所述第一比較單元輸出表示焦距誤差信號(hào)超過(guò)第一規(guī)定值的信號(hào)后的規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，所述第三比較單元輸出表示反射光量總和信號(hào)小于第三規(guī)定值的信號(hào)之后，在所述第二比較單元輸出表示焦距誤差信號(hào)超過(guò)第二規(guī)定值的信號(hào)時(shí)，或者，在從所述第二比較單元輸出表示焦距誤差信號(hào)超過(guò)第二規(guī)定值的信號(hào)后的規(guī)定時(shí)間內(nèi)，所述第三比較單元輸出表示反射光量總和信號(hào)小于第三規(guī)定值的信號(hào)之后，所述第一比較單元輸出表示焦距誤差信號(hào)超過(guò)第一規(guī)定值的信號(hào)時(shí)，輸出焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。
4.一種具有多個(gè)記錄層的光盤的焦距偏離檢測(cè)裝置，其特征在于，具有對(duì)應(yīng)于來(lái)自光盤的反射光而輸出電氣信號(hào)的光檢測(cè)單元，從所述光檢測(cè)單元的輸出生成焦距誤差信號(hào)的焦距誤差信號(hào)生成單元，從所述光檢測(cè)單元的輸出生成表示來(lái)自光盤的反射光量總和的反射光量總和信號(hào)的反射光量總和信號(hào)生成單元，檢測(cè)焦距誤差信號(hào)超過(guò)第一規(guī)定值的第一比較單元，檢測(cè)焦距誤差信號(hào)超過(guò)與第一規(guī)定值反極性的第二規(guī)定值的第二比較單元，比較所述反射光量總和信號(hào)和第三規(guī)定值的第三比較單元，對(duì)所述第一或第二比較電路的哪一者先輸出了焦距誤差信號(hào)超過(guò)規(guī)定值的信號(hào)進(jìn)行存儲(chǔ)的存儲(chǔ)單元，在所述第一或第二比較電路任何一者焦距誤差信號(hào)首先超過(guò)規(guī)定值時(shí)，測(cè)定該比較電路對(duì)焦距誤差信號(hào)超過(guò)規(guī)定值進(jìn)行輸出的期間的第一時(shí)間測(cè)定單元，測(cè)定所述第三比較電路對(duì)所述反射光量總和信號(hào)小于第三規(guī)定值進(jìn)行輸出的期間的第二時(shí)間測(cè)定單元，對(duì)焦距誤差信號(hào)在0電平附近成為平坦的平坦部進(jìn)行檢測(cè)的平坦檢測(cè)單元，以及對(duì)所述平坦檢測(cè)單元檢測(cè)焦距誤差信號(hào)的平坦部的期間進(jìn)行測(cè)定的第三時(shí)間測(cè)定單元；在從所述第一比較單元輸出表示焦距誤差信號(hào)超過(guò)第一規(guī)定值的信號(hào)、或從所述第二比較單元輸出表示焦距誤差信號(hào)超過(guò)第二規(guī)定值的信號(hào)后的規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，所述第三比較單元輸出表示反射光量總和信號(hào)小于第三規(guī)定值的信號(hào)之后，與所述存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的第一或第二比較電路不同的第一或第二比較電路輸出了焦距誤差信號(hào)超過(guò)規(guī)定值時(shí)，所述第一時(shí)間測(cè)定單元所測(cè)定的期間與所述第二時(shí)間測(cè)定單元所測(cè)定的期間之比在規(guī)定的范圍內(nèi)，而且所述第一時(shí)間測(cè)定單元所測(cè)定的期間與所述第三時(shí)間測(cè)定單元所測(cè)定的期間之比在規(guī)定的范圍內(nèi)的情況下，輸出焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的焦距偏離檢測(cè)裝置，其特征在于所述平坦檢測(cè)單元，具有，比較焦距誤差信號(hào)和第四規(guī)定值的第四比較單元，比較焦距誤差信號(hào)和與所述第四規(guī)定值反極性的第五規(guī)定值的第五比較電路，在焦距誤差信號(hào)電平位于所述第四規(guī)定值與所述第五規(guī)定值之間時(shí)，作為平坦部而輸出檢測(cè)信號(hào)。
6.一種光盤裝置，其特征在于在設(shè)置有如權(quán)利要求1、3、4中任何一項(xiàng)所述的焦距偏離檢測(cè)裝置的光盤裝置中，在向光盤記錄數(shù)據(jù)或從光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)中，焦距偏離檢測(cè)裝置輸出了焦距偏離檢測(cè)信號(hào)時(shí)，再次引入聚焦伺服，重新開(kāi)始數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)。
7.一種光盤裝置，其特征在于在設(shè)置有如權(quán)利要求1、3、4中任何一項(xiàng)所述的焦距偏離檢測(cè)裝置的光盤裝置中，在向光盤記錄數(shù)據(jù)中，焦距偏離檢測(cè)裝置輸出了焦距偏離檢測(cè)信號(hào)時(shí)，將激光的發(fā)光功率切換為低于記錄功率的水平，使聚焦伺服和跟蹤伺服為關(guān)，再次引入聚焦伺服，在重新開(kāi)始記錄數(shù)據(jù)的位置訪問(wèn)光拾取器，重新開(kāi)始數(shù)據(jù)的記錄。
8.一種光盤裝置，其特征在于在設(shè)置有如權(quán)利要求1、3、4中任何一項(xiàng)所述的焦距偏離檢測(cè)裝置的光盤裝置中，在向光盤記錄或從光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)中，焦距偏離檢測(cè)裝置輸出了焦距偏離檢測(cè)信號(hào)時(shí)，使聚焦伺服和跟蹤伺服為關(guān)，再次引入聚焦伺服，在重新開(kāi)始記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的位置訪問(wèn)光拾取器，重新開(kāi)始數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在對(duì)具有多個(gè)記錄層的光盤進(jìn)行記錄再現(xiàn)時(shí)，能夠正確地檢測(cè)出焦距偏離的焦距偏離檢測(cè)裝置。進(jìn)而，提供一種通過(guò)使用該裝置提高數(shù)據(jù)記錄再現(xiàn)性能的光盤裝置。本發(fā)明的焦距偏離檢測(cè)裝置，在焦距誤差信號(hào)超過(guò)第1電位后，在規(guī)定期間內(nèi)將來(lái)自光盤的反射光量下降到規(guī)定的第3電位之下，其后，在焦距誤差信號(hào)超過(guò)與第1電位反極性的第2電位時(shí)，輸出焦距偏離檢測(cè)信號(hào)。由此提供在向具有多層記錄層的光盤的再現(xiàn)或記錄中，能夠正確地檢測(cè)焦距偏離的焦距偏離檢測(cè)裝置。
文檔編號(hào)G11B7/085GK101079277SQ200710001909
公開(kāi)日2007年11月28日 申請(qǐng)日期2007年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月23日
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