專(zhuān)利名稱(chēng)：：在磁盤(pán)制造中用于反射uv光線的反射板和uv處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在磁盤(pán)制造中用于反射uv光線的反射板和采用該反射板的uv處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
：用于例如計(jì)算機(jī)中的諸如磁盤(pán)等磁性記錄介質(zhì)通常以高速轉(zhuǎn)動(dòng)，從而在磁盤(pán)與讀寫(xiě)頭之間形成空氣膜。該空氣膜將讀寫(xiě)頭支撐在位于磁盤(pán)上方的非接觸位置。當(dāng)磁盤(pán)從停止?fàn)顟B(tài)開(kāi)始轉(zhuǎn)動(dòng)或者它承受機(jī)械沖擊時(shí)，空氣膜不能支撐讀寫(xiě)頭，從而使之接觸磁盤(pán)，而這將會(huì)由于磁性材料的磨損和刮擦導(dǎo)致盤(pán)面的損壞。當(dāng)然，包括磁盤(pán)表面與讀寫(xiě)頭之間長(zhǎng)久接觸在內(nèi)的操作也導(dǎo)致顯著的力。在具有讀寫(xiě)頭的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，例如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，讀寫(xiě)頭在盤(pán)驅(qū)動(dòng)器停止操作時(shí)接觸磁盤(pán)，且通常采用所謂的接觸開(kāi)始停止驅(qū)動(dòng)方法，其中磁盤(pán)的驅(qū)動(dòng)從讀寫(xiě)頭接觸磁盤(pán)表面的狀態(tài)下開(kāi)始。然而，如果盤(pán)驅(qū)動(dòng)器在讀寫(xiě)頭與盤(pán)面彼此接觸的情況下長(zhǎng)時(shí)間不用，在讀寫(xiě)頭與盤(pán)之間會(huì)發(fā)生較大的靜態(tài)阻力，可能會(huì)發(fā)生磁盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)不能適當(dāng)進(jìn)行的情形。因此，為了解決這一問(wèn)題，在磁材料層上形成諸如DLC(類(lèi)金剛石炭)膜等防護(hù)層，而在DLC防護(hù)層上形成潤(rùn)滑膜。通過(guò)在磁盤(pán)表面上設(shè)置潤(rùn)滑膜，讀寫(xiě)頭與盤(pán)面之間的摩擦得以減小，使得它們的壽命得以延長(zhǎng)且操作特性得以改善。此外，潤(rùn)滑膜在磁盤(pán)表面上分布的均勻性也對(duì)磁盤(pán)和讀寫(xiě)頭的操作特性具有顯著影響。通常，在潤(rùn)滑膜施加于磁盤(pán)表面上后，磁盤(pán)需要進(jìn)一步處理以便潤(rùn)滑膜固化并粘結(jié)于磁盤(pán)表面。用于處理磁盤(pán)的通常方法是向潤(rùn)滑膜照射紫外線(下文簡(jiǎn)稱(chēng)為UV光線)。專(zhuān)利文獻(xiàn)JP2001-134924A公開(kāi)了一種通過(guò)將UV光線照射到磁盤(pán)表面上對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行處理的設(shè)備。在磁盤(pán)表面上施加有潤(rùn)滑膜，該潤(rùn)滑膜由具有交聯(lián)官能團(tuán)的分子構(gòu)成，而將UV光線照射到潤(rùn)滑膜上引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，使得分子構(gòu)成橋，并因而潤(rùn)滑膜固化并粘接于盤(pán)的表面。圖1A-1C是示意圖，示出了JP2001-134924A中所公開(kāi)的傳統(tǒng)UV處理設(shè)備，其中圖1A是透視圖，圖1B是側(cè)視圖，而圖1C是正視圖。如圖1A-1C所示，UV固化設(shè)備包括反應(yīng)室41以及傳送系統(tǒng)42,在反應(yīng)室41中，通過(guò)將UV光線照射到磁盤(pán)的表面上對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行處理，而傳送系統(tǒng)傳送并將有待處理的磁盤(pán)供送入反應(yīng)室41中。UV處理設(shè)備包括4條作業(yè)線，換句話說(shuō)，可以在反應(yīng)室中同時(shí)處理四個(gè)磁盤(pán)。在反應(yīng)室中，設(shè)置有UV光源41A，用于將UV光線照射到磁盤(pán)的表面上以便引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)；以及紅外光源41B,用于加熱磁盤(pán)。如圖1A-1C所示，UV光源41A包括UV燈41a和位于UV燈41a后面的相關(guān)聯(lián)的反射板41b,一反射板41b用于反射來(lái)自UV燈41a的光線。類(lèi)似地，紅外光源41B包括紅外燈41c和位于紅外燈41a后面的相關(guān)聯(lián)的反射板41d，反射板41c用于反射來(lái)自紅外燈41c的光線。如圖1A所示，氮?dú)釴2通過(guò)進(jìn)入管41C引入反應(yīng)室并從排出管41D排出，而溫度控制器41c設(shè)置在進(jìn)入管上以調(diào)節(jié)引入反應(yīng)室的氮?dú)獾臏囟?。通過(guò)將氮?dú)庖敕磻?yīng)室，磁盤(pán)在進(jìn)行處理時(shí)處于氮?dú)猸h(huán)境下以便防止氧化。下面說(shuō)明傳統(tǒng)UV處理設(shè)備的操作。傳送帶42C將其上裝設(shè)有多個(gè)^t盤(pán)10的傳送托架42A傳送到f茲盤(pán)之一與反應(yīng)室41的開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)的位置，然后傳送工具42B將磁盤(pán)移入反應(yīng)室使得石茲盤(pán)位于兩個(gè)紅外燈41c之間，并由紅外光源41B加熱至預(yù)期溫度。其后，傳送工具42B將》茲盤(pán)移動(dòng)到位于兩個(gè)UV燈41a之間的位置，而UV光源41A將UV光線照射到磁盤(pán)的表面上以引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，以使?jié)櫥す袒⒄辰佑诒P(pán)面。通過(guò)將UV光線照射于磁盤(pán)表面，交聯(lián)反應(yīng)被引發(fā)，使得潤(rùn)滑膜固化并粘接到磁盤(pán)表面，從而形成附著于磁盤(pán)表面的潤(rùn)滑膜。不過(guò)，除了別的以外，潤(rùn)滑膜在盤(pán)面上分布的均勻性還取決于照射到盤(pán)面上的UV光線的均勻性。如果照射到盤(pán)面上的UV光線在盤(pán)面上不均勻分布，則UV光線的強(qiáng)度將隨位置而變化。因此，潤(rùn)滑膜之于盤(pán)面的固化率(或稱(chēng)粘結(jié)率)將隨位置而變化，且相應(yīng)地，未與盤(pán)的基底表面相結(jié)合而可以自由移動(dòng)的活動(dòng)成分的量將隨位置而變化，而這將導(dǎo)致兩個(gè)問(wèn)題1.由于活動(dòng)成份可以移動(dòng)，那么在盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)它將移動(dòng)到盤(pán)的邊緣部分并聚集在盤(pán)外圍處，這將導(dǎo)致潤(rùn)滑膜的不均勻分布；以及2.由于所產(chǎn)生的活動(dòng)成份的量隨位置而變化，活動(dòng)成份移向盤(pán)外圍自身導(dǎo)致潤(rùn)滑膜的不均勻分布。當(dāng)采用圖1所示截面呈V形的反射板41b時(shí)，UV光線在盤(pán)面上的分布不能令人滿意。圖2示出了當(dāng)采用截面呈V形的反射板時(shí)UV光線在盤(pán)面上的分布。從圖2可見(jiàn)，l)V光線在盤(pán)面上的分布不均勻，具體而言，盤(pán)的中央部分比盤(pán)的外緣部分具有更濃密的照光強(qiáng)度，從而導(dǎo)致劣化的潤(rùn)滑膜分布。而且試驗(yàn)還表明，與不采用反射板的情形相比，采用截面呈V形的反射板并沒(méi)有取得什么技術(shù)效果。因此，存在進(jìn)一步改進(jìn)潤(rùn)滑膜在盤(pán)面上分布均勻性的需求。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明旨在解決與傳統(tǒng)UV處理設(shè)備相關(guān)聯(lián)的問(wèn)題并提供一種磁盤(pán)制造中用于反射UV光線的反射板，該反射板能實(shí)現(xiàn)照射到^f茲盤(pán)表面的UV光線的均勻分布，以及提供一種uv處理設(shè)備，其能夠改善潤(rùn)滑膜在磁盤(pán)表面上的分布以便提高磁盤(pán)的質(zhì)量。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一方面，提供了一種在磁盤(pán)制造中用于反射uv光線的反射板，該反射板包括中央腹板和一對(duì)對(duì)置的翼緣，各翼緣與所述中央腹板之間的夾角為鈍角，而所述反射板具有用于反射uv光線的反射面。優(yōu)選地，所述反射板包括基板，而鋁層施加在所述基板上以形成所述反射面。優(yōu)選地，所述反射板包括基板，而鉻層施加在所述基板上以形成所述反射面。優(yōu)選地，所述反射板由鋁制成。優(yōu)選地，所述夾角彼此相等。優(yōu)選地，所述磁盤(pán)是硬盤(pán)。根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供了一種用于制造磁盤(pán)的uv處理設(shè)備，所述UV處理設(shè)備包括反應(yīng)室和至少一個(gè)設(shè)置在所述反應(yīng)室中的UV光源，所述uv光源包括反射板和關(guān)聯(lián)設(shè)置的uv燈，所述反射板具有面對(duì)所述uv燈的反射面，所述uv燈將uv光線照射到有待進(jìn)行處理的磁盤(pán)的表面上，而所述反射板將來(lái)自所述uv燈的uv光線反射到所述磁盤(pán)的所述表面上，其中所述反射板是根據(jù)本發(fā)明第一方面的反射板。優(yōu)選地，所述uv光源包括一對(duì)彼此面對(duì)設(shè)置的反射板，每個(gè)所述反射板設(shè)置有相關(guān)聯(lián)的uv燈。優(yōu)選地，每個(gè)反射板設(shè)置有兩個(gè)相關(guān)聯(lián)的uv燈，所述兩個(gè)uv燈設(shè)置成一個(gè)位于另一個(gè)上方。優(yōu)選地，所述反應(yīng)室中并排設(shè)置有多個(gè)uv光源。優(yōu)選地，每個(gè)uv光源中的位于同一側(cè)的所述反射板一體形成而形成整體反射板。優(yōu)選地，每個(gè)uv光源中的位于同一側(cè)且處于相同高度處的各uv燈形成沿所述uv光源布置方向延伸的整體長(zhǎng)形uv燈。優(yōu)選地，所述uv燈基本上呈u形，具有在端部連接在一起的兩個(gè)腿部，所述兩個(gè)腿部布置成一個(gè)位于另一個(gè)上方。本發(fā)明實(shí)施例將參照附圖進(jìn)行詳細(xì)描述，其中圖1A-1C示意圖，表明傳統(tǒng)UV處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其中圖IA是透視圖，圖1B是側(cè)視圖，以及圖IC是正視圖；圖2是示意圖，表明采用傳統(tǒng)反射板時(shí)盤(pán)表面上UV光線的分布；圖3A-3B是表明本發(fā)明實(shí)施例的反射板的視圖，其中圖3A是透視圖，以及圖3B是剖視圖；圖4是示意圖，表明不采用反射板時(shí)盤(pán)表面上UV光線的分布；圖5是示意圖，表明采用本發(fā)明反射板時(shí)盤(pán)表面上UV光線的分布；圖6示意圖，表明采用本發(fā)明反射板的UV處理設(shè)備的主要部分，為清晰起見(jiàn)，僅只示出了UV處理設(shè)備的主要組成部件，其它組成部件省略；圖7是示意平面圖，表明用以進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)的UV處理設(shè)備；圖8是圖7所示UV處理設(shè)備的側(cè)視圖；圖9是曲線圖，示出了固化率與磁盤(pán)徑向位置的對(duì)應(yīng)關(guān)系，其中帶有符號(hào)翻的線表明使用本發(fā)明反射板的情形，而帶有符號(hào)令的線表明不使用反射板的情形；圖10是曲線圖，示出了達(dá)到58%固化率所需的曝光時(shí)間，其中帶有符號(hào)園的線表明使用本發(fā)明反射板的情形，而帶有符號(hào)令的線表明不使用反射板的情形；圖ll是曲線圖，示出了固化率差，其中帶有符號(hào)翻的線表明使用本發(fā)明反射板的情形，而帶有符號(hào)命的線表明不使用反射板的情形；圖12是曲線圖，表明抗腐蝕試驗(yàn)的結(jié)果；圖13是本發(fā)明VU燈的前視圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在，參見(jiàn)圖3,其中示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反射板51b，其中圖3A是反射板的透視圖，而圖3B是反射板的剖視圖。如圖3A和3B所示，反射板51b截面呈槽形，具有中央腹板11和一對(duì)對(duì)置的翼緣12。所述對(duì)對(duì)置翼緣12中的每一個(gè)與中央腹板11形成鈍角6,圖中示出的兩個(gè)鈍角彼此相等，但兩個(gè)鈍角也可以彼此不同；此外，中央腹板與翼緣之間的夾角可以按照實(shí)際應(yīng)用情況而改變。再者，中央腹板11的尺寸L1以及翼緣12的尺寸L2可以按照實(shí)際應(yīng)用情況而改變。反射板51b通過(guò)彎折板來(lái)制造，且反射板優(yōu)選地由鋁制成?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖2、4和5,將說(shuō)明采用本發(fā)明反射板所獲得的效果。圖4表面沒(méi)有采用反射板的情形。如圖4所示，兩個(gè)UV燈20用來(lái)將UV光線照射到磁盤(pán)10的表面上，兩個(gè)燈沿鉛直方向一個(gè)設(shè)置在另一個(gè)上方。從圖4可見(jiàn)，UV光線在磁盤(pán)IO表面上的分布在整個(gè)盤(pán)面上是不均勻的，盤(pán)的中央和外圍部分不具有UV光線，由此導(dǎo)致劣化的潤(rùn)滑膜分布。圖2表面采用JP2001-134924中公開(kāi)的截面呈V形的反射板的情形。如圖2所示，截面呈圓形的UV燈41a用來(lái)將UV光線照射到磁盤(pán)10的表面上，且設(shè)置在有待處理的盤(pán)IO和反射板41b之間。從圖2可見(jiàn)，UV光線在磁盤(pán)表面上的分布在整個(gè)盤(pán)面上是不均勻的，盤(pán)的中央部分比盤(pán)的外圍部分具有更濃的光照強(qiáng)度，由此導(dǎo)致劣化的潤(rùn)滑膜分布。以點(diǎn)線標(biāo)示的矩形框表明反射板的不具有反射功能的區(qū)域，因?yàn)橛靡哉丈浔P(pán)面的UV光線傳播的不夠遠(yuǎn)而不能到達(dá)這一區(qū)域，而這被認(rèn)為是導(dǎo)致UV光線在盤(pán)面上劣化分布的因素之一。圖5示出了采用本發(fā)明反射板的情形。如圖5所示，兩個(gè)UV燈20用來(lái)將UV光線照射到-茲盤(pán)10的表面上，兩個(gè)燈以與圖4所示相同的方式布置。從圖5可見(jiàn)，借助于本發(fā)明反射板51b實(shí)現(xiàn)的反射效果，UV光線在盤(pán)面上的分布相當(dāng)均勻，由此導(dǎo)致良好的潤(rùn)滑膜分布。其結(jié)果，磁盤(pán)的質(zhì)量得以大大改善。圖6是采用本發(fā)明反射板的UV處理設(shè)備的視圖，為清晰起見(jiàn)，圖6中僅只示出了UV處理設(shè)備的主要組成部件，而省略了其它部件。如圖6所示，兩個(gè)反射板51b設(shè)置在類(lèi)似于圖1中所示的反應(yīng)室中且設(shè)置成彼此相對(duì)，反射板51b可以利用適當(dāng)?shù)木o固裝置籍由其中央腹板的背側(cè)裝接于反應(yīng)室中的支撐部件，裝接反射板的方式對(duì)本發(fā)明來(lái)說(shuō)是不重要的，而是可以采用任何適當(dāng)?shù)木o固方法。兩個(gè)反射板51b彼此面對(duì)并以預(yù)定距離間隔開(kāi)。與每個(gè)反射板相關(guān)聯(lián)的是兩個(gè)UV燈20,這兩個(gè)UV燈在鉛直方向上一個(gè)位于另一個(gè)上方地設(shè)置。圖6還示出了UV光線如何由反射板反射到盤(pán)面上來(lái)獲得UV光線的均勻分布。施加了潤(rùn)滑膜的磁盤(pán)放置在類(lèi)似于圖1所示那樣的托架上，而其上放置磁盤(pán)的托架移動(dòng)到反應(yīng)室下方。當(dāng)一個(gè)盤(pán)與反應(yīng)室的開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)時(shí)，該盤(pán)被引入反應(yīng)室并置于兩對(duì)UV燈20之間。在于UV光線之下曝光預(yù)定時(shí)段之后，該盤(pán)被移出反應(yīng)室，而托架繼續(xù)移動(dòng)使得下一個(gè)磁盤(pán)可以引入反應(yīng)室進(jìn)行處理。在圖1和2所示的傳統(tǒng)UV處理設(shè)備中，采用了截面呈圓形的UV燈41a。根據(jù)本發(fā)明，采用了一種新型的UV燈20。如圖13所示，UV燈基本上呈U形，具有兩個(gè)在端部連接在一起的平行的段30和31,兩個(gè)段截面呈圓形。如圖5和6所示，優(yōu)選地，采用兩個(gè)此種UV燈，在使用中沿鉛直方向一個(gè)設(shè)置在另一個(gè)上方。試驗(yàn)表明，采用這種類(lèi)型UV燈可以獲得良好的技術(shù)效果。雖然圖13所示的UV燈是優(yōu)選的，但其他類(lèi)型的UV燈也可結(jié)合本發(fā)明反射板使用而獲得良好的技術(shù)效果。在上述實(shí)施例中，結(jié)合每個(gè)反射板使用兩個(gè)UV燈。然而，所使用的UV燈的數(shù)量不限于兩個(gè)，而是可以按照實(shí)際應(yīng)用情況使用更少或更多的UV燈。且在實(shí)際應(yīng)用中，反射板的尺寸(包括中央腹板的尺寸、兩個(gè)翼緣的尺寸以及腹板與翼緣之間的夾角)和反射板與UV燈之間的距離可以根據(jù)有待處理的盤(pán)的尺寸、UV燈的尺寸和形狀等予以改變。此外，在反應(yīng)室中設(shè)置多條作業(yè)線的情況下，UV燈的布置形式可以呈現(xiàn)不同的形式。例如，每個(gè)反射板可以配置其自用的UV燈，或沿作業(yè)線布置方向延伸的一長(zhǎng)的uv燈可以由多個(gè)反射板共用。此外，若干或所有反射板可以一體形成而形成一整體反射板。此外，在上述實(shí)施例中，盤(pán)的每一側(cè)均設(shè)置有反射板以及相關(guān)聯(lián)的uv燈，以便處理盤(pán)的兩側(cè)。在僅只盤(pán)的一個(gè)表面需要處理的情況下，只需在盤(pán)的一側(cè)設(shè)置反射板以及相關(guān)聯(lián)的uv燈。此外，雖然在上述實(shí)施例中，反射板由鋁制成，但反射板可以以其它方式制備。例如，反射板的基板可以由諸如鋼等其他材料制成，而在基板上形成一鋁層，或者其他具有良好uv光線反射特性的材料諸如鉻可以通過(guò)例如鍍l支施加于基斗反。為了證實(shí)本發(fā)明的技術(shù)效果，進(jìn)行了對(duì)比試驗(yàn)。為了進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)，采用了圖7所示的包括兩個(gè)反應(yīng)室的UV處理設(shè)備，每個(gè)反應(yīng)室具有三條并排設(shè)置的作業(yè)線，使得在每個(gè)反應(yīng)室中可以同時(shí)處理三個(gè)盤(pán)，如圖7示意所示。六條作業(yè)線分別標(biāo)示為作業(yè)線1至作業(yè)線6。反應(yīng)室1即左側(cè)反應(yīng)室中的三條作業(yè)線1-3設(shè)置有本發(fā)明的反射板；而反應(yīng)室2即右側(cè)反應(yīng)室中的三條作業(yè)線4-6沒(méi)有設(shè)置反射板。兩個(gè)反應(yīng)室均采用一組圖13中所示的本發(fā)明的新型燈。圖8是UV處理設(shè)備的側(cè)視圖。如圖8所示，承載多個(gè)磁盤(pán)10的托架42A位于反應(yīng)室41下方，而傳送工具42B用于將盤(pán)10移入或移出反應(yīng)室。I.固化率(下文簡(jiǎn)稱(chēng)為BR)對(duì)比圖9是曲線圖，示出了固化率與磁盤(pán)徑向位置的對(duì)應(yīng)關(guān)系，圖9中，帶有符號(hào)B的線表明使用本發(fā)明反射板的情形，而帶有符號(hào)命的線表明不使用反射板的情形。試驗(yàn)中針對(duì)磁盤(pán)的不同徑向位置進(jìn)行檢測(cè)，而試驗(yàn)條件如下設(shè)備類(lèi)型UV處理設(shè)備3001樣件數(shù)量?jī)杉V光線曝光時(shí)間相同目標(biāo)固化率58%從圖9可見(jiàn)，在相同的曝光時(shí)間下，通過(guò)釆用本發(fā)明反射板，潤(rùn)滑膜的固化率顯著增加。II.曝光時(shí)間對(duì)比圖10是曲線圖，示出了達(dá)到58%固化率所需的曝光時(shí)間。圖10中，帶有符號(hào)畫(huà)的線表明使用本發(fā)明反射板的情形，而帶有符號(hào)命的線表明不使用反射板的情形。而試驗(yàn)條件如下設(shè)備類(lèi)型UV處理設(shè)備3001樣件數(shù)量11件從圖IO可見(jiàn)，通過(guò)采用本發(fā)明反射板，減少了達(dá)到58%固化率所需的曝光時(shí)間。III.固化率差對(duì)比圖ll是曲線圖，示出了固化率差。圖11中，帶有符號(hào)B的線表明使用本發(fā)明反射板的情形，而帶有符號(hào)令的線表明不使用反射板的情形。盤(pán)面不同位置處固化率的差異是潤(rùn)滑膜均勻性的指標(biāo)之一，差異越小，均允性越好。固化率差定義如下BR差(W-盤(pán)的最大BR(W-盤(pán)的最小BR(W試驗(yàn)條件如下設(shè)備類(lèi)型UV處理設(shè)備3001樣件數(shù)量11測(cè)試點(diǎn)的數(shù)量每盤(pán)8點(diǎn)(每個(gè)表面4點(diǎn))從圖ll可見(jiàn)，通過(guò)采用本發(fā)明反射板，減小了固化率差，并因而利用本發(fā)明反射板改善了潤(rùn)滑膜的均勻性。IV.產(chǎn)出對(duì)比表1示出了采用本發(fā)明反射板時(shí)的產(chǎn)出以及不使用反射板時(shí)的產(chǎn)出。試-瞼條件如下設(shè)備類(lèi)型ATSUV處理設(shè)備UV燈4吏用時(shí)間511小時(shí)UV燈強(qiáng)度3.1mw/cm2從表1可見(jiàn)，與不采用反射板的情形相比，具有反射板的反應(yīng)室1的產(chǎn)出改善了16.4%。表1反射板反應(yīng)室作業(yè)線產(chǎn)出改善率11361有1213974128;3137016.4%41161無(wú)21128354761258V.反應(yīng)室1和反應(yīng)室2之間的曝光時(shí)間對(duì)比表2中示出了處理一個(gè)盤(pán)所需的、對(duì)應(yīng)于反應(yīng)室1和2中每條作業(yè)線的曝光時(shí)間。從表2可見(jiàn)，反應(yīng)室1的平均曝光時(shí)間比反應(yīng)室2的平均曝光時(shí)間少約2秒，從而生產(chǎn)率提高了約11%。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>VI.耐腐蝕性對(duì)比針對(duì)采用本發(fā)明反射板制造的磁盤(pán)和不采用反射板制造的磁盤(pán)進(jìn)行耐腐蝕性試驗(yàn)。試驗(yàn)中，6-9個(gè)磁盤(pán)放入用于生產(chǎn)的托架中，而其上帶有磁盤(pán)的托架放入形成有兩個(gè)孔的塑料袋中。其后，托架放入具有預(yù)定相對(duì)濕度的測(cè)試室中，且對(duì)測(cè)試室進(jìn)行加熱并隨后冷卻。之后，；險(xiǎn)測(cè)每個(gè)盤(pán)上的腐蝕點(diǎn)的數(shù)量。圖12示出了表明每個(gè)盤(pán)上平均腐蝕點(diǎn)數(shù)的結(jié)果。從圖12可見(jiàn)，與不用反射板時(shí)制造的磁盤(pán)相比，利用本發(fā)明反射板制造的磁盤(pán)耐腐蝕性大大改善，因?yàn)槿鐖D12所示，平均腐蝕點(diǎn)數(shù)顯著減少。雖然上面描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但對(duì)業(yè)內(nèi)人士顯而易見(jiàn)的是，可以對(duì)實(shí)施例進(jìn)行各種修改而不背離本發(fā)明的范圍和精神。權(quán)利要求1.一種在磁盤(pán)制造中用于反射UV光線的反射板，該反射板包括中央腹板和一對(duì)對(duì)置的翼緣，各翼緣與所述中央腹板之間的夾角為鈍角，而所述反射板具有用于反射UV光線的反射面。2.如權(quán)利要求1所述的反射板，其中所述反射板包括基板，而鋁層施加在所述基板上以形成所述反射面。3.如權(quán)利要求1所述的反射板，其中所述反射板包括基板，而鉻層施加在所述基板上以形成所述反射面。4.如權(quán)利要求1所述的反射板，其中所述反射板由鋁制成。5.如權(quán)利要求1_4中任一項(xiàng)所述的反射板，其中所述夾角彼此相等。6.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的反射板，其中所述磁盤(pán)是硬盤(pán)。7.如權(quán)利要求5所述的反射板，其中所述磁盤(pán)是硬盤(pán)。8.—種用于制造磁盤(pán)的UV處理設(shè)備，所述UV處理設(shè)備包括反應(yīng)室和至少一個(gè)設(shè)置在所述反應(yīng)室中的UV光源，所述UV光源包括反射板和關(guān)聯(lián)設(shè)置的UV燈，所述反射板具有面對(duì)所述UV燈的反射面，所述UV燈將UV光線照射到有待進(jìn)行處理的磁盤(pán)的表面上，而所述反射板將來(lái)自所述UV燈的UV光線反射到所述磁盤(pán)的所述表面上，其中所述反射板是權(quán)利要求l-7中任一項(xiàng)所述的反射板。9.如;^又利要求8所述的UV處理設(shè)備，其中所述UV光源包括一對(duì)彼此面對(duì)設(shè)置的反射板，每個(gè)所述反射板設(shè)置有相關(guān)聯(lián)的UV燈。10.如權(quán)利要求8或9所述的UV處理設(shè)備，其中每個(gè)反射板設(shè)置有兩個(gè)相關(guān)聯(lián)的UV燈，所述兩個(gè)UV燈設(shè)置成一個(gè)位于另一個(gè)上方。11.如權(quán)利要求8-10中任一項(xiàng)所述的UV處理設(shè)備，其中所述反應(yīng)室中并排設(shè)置有多個(gè)UV光源。12.如權(quán)利要求11所述的UV處理設(shè)備，其中每個(gè)UV光源中的位于同一側(cè)的所述反射板一體形成而形成整體反射板。13.如權(quán)利要求11所述的UV處理設(shè)備，其中每個(gè)UV光源中的位于同一側(cè)且處于相同高度處的各UV燈形成沿所述UV光源布置方向延伸的整體長(zhǎng)形UV燈。如權(quán)利要求8-13中任一項(xiàng)所述的UV處理設(shè)備，其中所述UV燈基本上呈U形，具有在端部連接在一起的兩個(gè)腿部，所述兩個(gè)腿部布置成一個(gè)位于另一個(gè)上方。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種在磁盤(pán)制造中用于反射UV光線的反射板，該反射板包括中央腹板和一對(duì)對(duì)置的翼緣，各翼緣與所述中央腹板之間的夾角為鈍角，而所述反射板具有用于反射UV光線的反射面。此外，本發(fā)明還公開(kāi)了一種用于制造磁盤(pán)的UV處理設(shè)備，所述UV處理設(shè)備包括反應(yīng)室和至少一個(gè)設(shè)置在所述反應(yīng)室中的UV光源，所述UV光源包括反射板和關(guān)聯(lián)設(shè)置的UV燈，所述反射板具有面對(duì)所述UV燈的反射面，所述UV燈將UV光線照射到有待進(jìn)行處理的磁盤(pán)的表面上，而所述反射板將來(lái)自所述UV燈的UV光線反射到所述磁盤(pán)的所述表面上，其中所述反射板是根據(jù)本發(fā)明的反射板。文檔編號(hào)G11B5/72GK101276600SQ20071009192公開(kāi)日2008年10月1日申請(qǐng)日期2007年3月30日優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日發(fā)明者朱剛磊,李恩亮,華黃申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司