專利名稱：：具有真空側(cè)壁子的相變存儲(chǔ)單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器器件，特別是涉及使用相變存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器器件。
背景技術(shù)：
：相變?yōu)榛A(chǔ)的存儲(chǔ)器材料已廣泛用于讀寫光盤，且這些材料也逐漸使用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器器件中。這些材料具有至少二種固相，通常為非晶固相及通常結(jié)晶固相。激光脈沖用于讀寫光譜，以在這二種相之間切換，并讀取該材料在相變之后的光學(xué)性質(zhì)，而電子脈沖則以相同的方式使用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器器件中。相變?yōu)榛A(chǔ)的存儲(chǔ)器材料，如硫?qū)倩?Chalcogenide)及其類似的材料，也可以通過施加適合于集成電路操作的電流而改變狀態(tài)。通常為非晶狀態(tài)具有的特征在于比通常為結(jié)晶狀態(tài)具有更高的電阻，其可以被快速感應(yīng)以指示數(shù)據(jù)。該性質(zhì)有利于作為非易失性存儲(chǔ)器電路的可編程電阻材料，其可以用隨機(jī)方式進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取與寫入。自非晶(amorphous)狀態(tài)改變?yōu)榻Y(jié)晶(crystalline)狀態(tài)的相變通常是較低電流的操作。而自結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)榻Y(jié)非晶狀態(tài)的相變，在此稱為重置，通常是較高電流的操作，會(huì)包含一個(gè)短的高電流脈沖以融化或崩解此結(jié)晶結(jié)構(gòu)，當(dāng)此相變材料快速冷卻后，為焠煉此相變過程，造成至少一部分的相變結(jié)構(gòu)可以穩(wěn)定在此非晶狀態(tài)。通常希望此相變材料自結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)榻Y(jié)非晶狀態(tài)的重置電流是越小越好?？梢酝ㄟ^縮小單元內(nèi)相變材料尺寸以及電極與此相變材料的接觸面積的方式，來減小重置所需的重置電流值，所以高電流密度可以藉由較小電流通過此相變材料元件的方式來達(dá)成。目前發(fā)展的方向之一已經(jīng)朝向在集成電路結(jié)構(gòu)內(nèi)形成細(xì)小毛孔，和利用少量可編程電阻材料填充于此細(xì)小毛孔中。公開了朝向細(xì)小毛孔發(fā)展的專利有Ovshinsky于1997年11月11日獲準(zhǔn)的美國(guó)專利No.5,687,112、發(fā)明名稱為“MultibitSingleCellMemoryElementHavingTaperedContact(具尖形接觸窗的多位單一單元存儲(chǔ)器單元)”的專利，Zahorik等人于1998年8月4日獲準(zhǔn)美國(guó)專利No.5,789,277、發(fā)明名稱為“MethodofMakingChalcogenide[sic]MemoryDevice(制造硫?qū)倩颷sic]存儲(chǔ)器單元的方法)”的專利，Doan等人于2000年11月21日獲準(zhǔn)美國(guó)專利No.6,150,253，發(fā)明名稱為“ControllableOvonicPhase-ChangeSemiconductorMemoryDeviceandMethodsofFabricatingtheSame(可控制雙向相變半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元及其制造方法)”。以及Reinberg于1999年7月6日獲準(zhǔn)美國(guó)專利No.5,920,788，發(fā)明名稱為“ChalcogenideMemoryCellwithaPluralityofChalcogenideElectrodes(有著許多硫?qū)倩镫姌O之硫?qū)倩锎鎯?chǔ)單元)”。當(dāng)使用傳統(tǒng)的相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)時(shí)，一個(gè)特殊的熱傳導(dǎo)問題會(huì)在此傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中發(fā)生。通常而言，這些現(xiàn)有技術(shù)教導(dǎo)在該相變存儲(chǔ)單元的兩側(cè)使用金屬電極，且金屬電極的大小相當(dāng)于此相變構(gòu)件的大小。如此的電極會(huì)構(gòu)成熱導(dǎo)體，金屬的高導(dǎo)熱性會(huì)很快將熱帶離此相變材料。因?yàn)橛捎诎l(fā)熱的結(jié)果而發(fā)生相變，此熱傳導(dǎo)效應(yīng)會(huì)造成需要更高的電流，才能產(chǎn)生所預(yù)期的相變。一種解決此熱傳導(dǎo)效應(yīng)問題的方式可見于美國(guó)專利No.6,815,704，發(fā)明名稱為“SelfAlignedAire-GapThermalInsulationforNano-scaleInsulatedChalcogenideElectronics(NICS)RAM(自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)空氣間隙熱絕緣之納米等級(jí)硫?qū)倩镫娮邮?NICE)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM))”，其中公開了一種絕緣此存儲(chǔ)單元的方法。此結(jié)構(gòu)及其制造過程是非常復(fù)雜的，然而仍無法達(dá)到此存儲(chǔ)器器件內(nèi)的最小電流通過。因此，必須要提供有著小尺寸以及低重置電流的存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)，此外，此結(jié)構(gòu)必須解決熱傳導(dǎo)問題，且其制造方法必須符合大規(guī)模存儲(chǔ)器器件所需的嚴(yán)謹(jǐn)工藝改變異規(guī)范。更需要提供一種結(jié)構(gòu)及其制造方法，可以同時(shí)適用于同一晶片中周邊電路的制造。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)重要目的為提供一種存儲(chǔ)器單元，包含第一電極和第二電極構(gòu)件，在襯底上相互分離。相變?cè)c該第一電極和第二電極構(gòu)件電性接觸且連接分離兩者間的空間。此相變?cè)瑑蓚€(gè)區(qū)段，每一段與該電極構(gòu)件中的一個(gè)接觸。這兩個(gè)區(qū)段在兩電極之間的一個(gè)位置處相連，使得該相連位置有著小于該相變?cè)溆嗖糠值臋M截面積。該電極、該襯底和該相變?cè)x一個(gè)氣室(chamber)。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件的立體圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件的詳細(xì)剖面圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明圖1的相變存儲(chǔ)器器件的操作示意圖；圖4a到4h示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造相變存儲(chǔ)器器件的工藝步驟；以及圖5示出了本發(fā)明如圖1的相變存儲(chǔ)器器件。主要元件符號(hào)說明10存儲(chǔ)單元12襯底13上方元件14、16電極20、20a、20b相變?cè)?3電極間的空間24真空側(cè)壁子25接觸區(qū)域26介質(zhì)填充材料具體實(shí)施方式以下參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與方法。本
發(fā)明內(nèi)容說明章節(jié)目的并非在于定義本發(fā)明。本發(fā)明是由權(quán)利要求所定義的。所有本發(fā)明的實(shí)施例、特征、觀點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)等將可通過下列說明及附圖獲得充分了解。如圖1所示，為根據(jù)本發(fā)明的相變存儲(chǔ)器元件10的基本布局圖。如業(yè)界所熟知，相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)單元包含相變?cè)?0，其由具有兩個(gè)固態(tài)相的材料構(gòu)成。優(yōu)選的，此材料可以在施加適當(dāng)?shù)碾娏髅}沖下由非晶改變至結(jié)晶且可回復(fù)至非晶。此存儲(chǔ)單元的一般操作原則，可以參閱先前所提到的參考資料，而關(guān)于該相變材料的操作細(xì)節(jié)，則會(huì)在以下詳加敘述。以下會(huì)先描述關(guān)于此存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)以及功能，之后則會(huì)詳述其工藝。此單元最好是形成在介質(zhì)層或是襯底12之上，最好包含有氧化硅或是已知的替代品，如高分子材料、氮化硅或是其他介質(zhì)填充材料(dielectricfillmaterial)。在一個(gè)實(shí)施例中，此介質(zhì)層包含相對(duì)較好的熱絕緣以及電絕緣性質(zhì)，以提供熱絕緣及電絕緣之用。兩個(gè)電極14和16，優(yōu)選地是由耐熱金屬，如鎢所構(gòu)成，形成在此介質(zhì)層之上。其它的耐熱金屬也可以使用，包括鈦(Ti)，鉬(Mo)，鋁(Al)，鉭(Ta)，銅(Cu)，鉑(Pt)，銥(Ir)，鑭(La)，鎳(Ni)及釕(Ru)，以及這些金屬的氧化物或是氮化物。這兩個(gè)電極稍微分開，其距離大約介于30到70納米之間，最好是50納米。必須注意的是，自圖面下方向上延伸的方向稱為垂直方向，兩側(cè)延伸方向稱為側(cè)向或是水平方向，僅是為了方便說明起見。并不影響實(shí)際元件在制造或是操作時(shí)的真實(shí)走向。相變?cè)?0通常是在這二個(gè)電極之間包含細(xì)長(zhǎng)條的相變材料，并橋接這二個(gè)電極。此元件的寬度大約介于10到30納米之間，最好是20納米，而厚度約為10納米。介質(zhì)填充材料26(參閱圖4h)位于電極以及此相變?cè)?。此介質(zhì)填充材料最好是與襯底12的材料相同，或是選自與其類似的族群之中。此材料的導(dǎo)熱性應(yīng)該低于氧化硅，或是小于0.014J/cm*degK*sec。這樣的介質(zhì)填充材料包括低介質(zhì)系數(shù)材料熱絕緣物質(zhì)，如具硅(Si)、碳(C)、氧(O)、氟(F)及氫(H)等組合者。做為介質(zhì)填充材料26的熱絕緣材料例如包括SiCOH、聚亞醯胺(polyimide)、聚酰亞胺(polyimide)及氟碳聚合物。其他可作為介質(zhì)填充材料的實(shí)例包括氟二氧化硅、硅氧烷(silsesquioxane)、聚亞芳香醚(polyaryleneether)、聚對(duì)二甲苯(parylene)、含氟聚合物、含氟非晶碳、金剛石類碳、多孔性二氧化硅(poroussilica)、中孔性二氧化硅(mesoporoussilica)、多孔性硅氧烷、多孔性聚亞酰胺、以及多孔性聚亞芳香醚。此介質(zhì)填充材料填充封閉介于兩電極上方的空隙，因此兩個(gè)電極和兩個(gè)介質(zhì)層在這二個(gè)電極之間可以定義出一個(gè)真空側(cè)壁子。此相變?cè)?0可以選自一組優(yōu)選地包含硫?qū)倩?Chalcogenide)材料的群組之中。硫?qū)倩锇ㄏ铝行纬稍刂芷诒砩系赩I族的部分的四種元素之中任意一種氧(O)、硫(S)、硒(Se)、以及碲(Te)。硫?qū)倩锸菍⒘驅(qū)僭嘏c更為正電性的元素或自由基結(jié)合而得到。硫硫?qū)倩衔锖辖鹗菍⒘驅(qū)倩衔锱c例如過渡金屬等的其它物質(zhì)結(jié)合。硫?qū)倩衔锖辖鹜ǔ０ㄒ粋€(gè)以上的選自元素周期表第六欄的元素，例如鍺(Ge)以及錫(Sn)。通常，硫?qū)倩衔锖辖鸢ㄏ铝性刂幸粋€(gè)以上的復(fù)合物銻(Sb)、鎵(Ga)、銦(In)、以及銀(Ag)。許多以相變?yōu)榛A(chǔ)的存儲(chǔ)器材料已經(jīng)在技術(shù)文件中進(jìn)行了描述，包括下列的合金Ga/Sb，In/Sb，In/Se，Sb/Te，Ge/Te，Ge/Sb/Te，In/Sb/Te，Ga/Se/Te，Sn/Sb/Te，In/Sb/Ge，Ag/In/Sb/Te，Ge/Sn/Sb/Te，Ge/Sb/Se/Te及Te/Ge/Sb/S。在Ge/Sb/Te合金族群里，有許多的合金組成可以使用。組成的特征在于TeaGebSb100-(a+b)，其中a及b代表占構(gòu)成元件總原子數(shù)的原子百分比。一位研究員描述了最有用的合金為在沉積材料中所包含的平均Te濃度遠(yuǎn)低于70％，典型地低于60％，并且Te含量通常在從最低23％至最高58％的范圍內(nèi)，且最佳地是介于48％至58％的Te含量。Ge的濃度高于約5％，且其在材料中的平均范圍從最低8％至最高30％，一般為低于50％。最佳地，Ge的濃度范圍介于8％至40％。在此成分中所剩下的主要成分則為Sb。(Ovshinky‘112專利，欄10～11)。由另一研究者所評(píng)估的特殊合金包括Ge2Sb2Te5、GeSb2Te4、以及GeSb4Te7(NoboruYamada，“PotentialofGe-Sb-TePhase-changeOpticalDisksforHigh-Data-RateRecording”，SPIEv.3109，pp.28-37(1997))。更一般地，過渡金屬例如鉻(Cr)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、以及上述的混合物或合金，可與Ge/Sb/Te結(jié)合以形成相變合金，其具有可編程的電阻特性?？墒褂玫拇鎯?chǔ)器材料的特殊示例如Ovshinsky‘112專利中欄11-13所述，在此引入該示例作為參考。在此存儲(chǔ)器單元的活性溝道區(qū)域中，相變合金可在第一結(jié)構(gòu)態(tài)與第二結(jié)構(gòu)態(tài)之間按照其局部次序進(jìn)行切換，其中第一結(jié)構(gòu)態(tài)一般為非晶固態(tài)(amorphoussolidphase)，而第二結(jié)構(gòu)態(tài)一般為結(jié)晶固態(tài)(crystallinesolidphase)。這些相變材料至少是雙穩(wěn)態(tài)(bistable)的。術(shù)語“非晶”用于指示相對(duì)較無次序的結(jié)構(gòu)，其與單晶相比更加無次序性，而具有可檢測(cè)的特征，例如與結(jié)晶態(tài)相比具有更高的電阻值。術(shù)語“結(jié)晶態(tài)”用于指示相對(duì)較有次序的結(jié)構(gòu)，其與非晶態(tài)相比更有次序，因此包括可檢測(cè)的特征，例如比非晶態(tài)更低的電阻值。典型地，相變材料可以在完全結(jié)晶態(tài)與完全非晶態(tài)之間的所有可檢測(cè)的不同狀態(tài)之間進(jìn)行電切換。其它受到非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)之間的改變的影響的材料特征包括原子次序、自由電子密度、以及活化能。此材料可切換成為不同的固態(tài)，或者可切換成為由兩種以上固態(tài)所形成的混合物，提供從非晶態(tài)至結(jié)晶態(tài)之間的灰度級(jí)部分。此材料中的電特性也可能隨之改變。相變材料可通過施加電脈沖而從一種相態(tài)切換至另一種相態(tài)。先前觀察指出，較短、較大幅度的脈沖傾向于將相變材料的相態(tài)改變成大體為非晶態(tài)，其一般稱為重置脈沖。較長(zhǎng)、較低幅度的脈沖傾向于將相變材料的相態(tài)改變成大體為結(jié)晶態(tài)，其一般稱為編程脈沖。在較短、較大幅度脈沖中的能量足夠大，因此足以破壞結(jié)晶結(jié)構(gòu)的結(jié)合鍵，同時(shí)其足夠短，因此可以防止原子再次排列成結(jié)晶態(tài)。適合脈沖的狀況可以依照經(jīng)驗(yàn)法則判斷，不需要過多的實(shí)驗(yàn)，就能找出適用于特定的相變材料及元件結(jié)構(gòu)的條件。在本文的后續(xù)部分，此相變材料稱為GST，同時(shí)應(yīng)該理解的是，也可以使用其它類型的相變材料。用于實(shí)施在此所述的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的材料為Ge2Sb2Te5。其他可編程電阻存儲(chǔ)器材料也可以使用于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，包括摻雜N2的GST，GexSbb，或其它以不同結(jié)晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)換來決定電阻的物質(zhì)；PrxCayMnO3，PrSrMnO，ZrOx或其它使用電脈沖來改變電阻狀態(tài)的物質(zhì)；TCNQ、PCBM、TCNQ-PCBM、Cu-TCN、Ag-TCNQ、C60-TCNQ、以其它物質(zhì)摻雜的TCNQ、或包括用電脈沖控制的雙穩(wěn)定或多穩(wěn)定電阻態(tài)的任何其它高分子材料。參閱圖2，為本發(fā)明的存儲(chǔ)單元的一個(gè)更詳細(xì)的圖示，顯示出此相變?cè)?shí)際上包含兩個(gè)區(qū)段20a和20b，每一段有著圓形端點(diǎn)。這兩區(qū)段在真空側(cè)壁子24上方相連，造成接觸區(qū)域橫截面積小于相變?cè)渌麉^(qū)域橫截面積。關(guān)于此元件的形成，將會(huì)于底下的敘述厘清此點(diǎn)。參閱圖3，顯示了本發(fā)明存儲(chǔ)單元的操作。在圖中顯示，自電極14流出的操作電流，箭頭標(biāo)示為I，跟著箭頭進(jìn)入此相變?cè)?0a和20b，最后自電極16流出。必須注意的是，電流的方向僅是為了例示而任意選取的，在實(shí)際操作時(shí)也可以是相反的方向。如圖中所示，在此二相變?cè)械碾妶?chǎng)和電流密度，相較于此二相變?cè)嘤龅慕佑|區(qū)域25而言是較低的。接觸區(qū)域中相對(duì)較小的橫截面積會(huì)產(chǎn)生比相變?cè)渌麉^(qū)域高的電流和電場(chǎng)密度。其結(jié)果是，接觸區(qū)域內(nèi)會(huì)產(chǎn)生比相變?cè)渌麉^(qū)域更多的熱量，而且相變僅會(huì)在此接觸區(qū)域內(nèi)發(fā)生(如圖中的深色區(qū)域)。除此之外，此真空側(cè)壁子24的低導(dǎo)熱性會(huì)減少熱量自接觸區(qū)域內(nèi)傳導(dǎo)出去，有效地增加此相變材料單位面積內(nèi)所產(chǎn)生的熱量。此接觸區(qū)域的熱絕緣特性可以使存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)需要比傳統(tǒng)方式更小的電流，如此也可以減少存儲(chǔ)單元本身的尺寸。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中如何制造相變存儲(chǔ)器器件的制作流程圖，自圖3開始顯示。為了簡(jiǎn)明起見，圖示中僅顯示此相變?cè)捌湎嚓P(guān)特征，并沒有顯示圖1中的電極及其相關(guān)結(jié)構(gòu)?？梢悦髁说氖?，電極結(jié)構(gòu)與相變結(jié)構(gòu)兩者結(jié)合構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施例的一部份，本領(lǐng)域技術(shù)人員都能夠輕易明了如何將本發(fā)明所教示的特征運(yùn)用于傳統(tǒng)的工藝與技術(shù)之中。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中的如何制造如圖1所示的相變存儲(chǔ)器器件的制作流程圖，顯示于圖4a到4h。第一步驟，如圖4a所示，是從提供襯底開始的，其優(yōu)選地由介質(zhì)材料形成，諸如二氧化硅，正如先前所描述的材料。此襯底然后被初始圖案化及蝕刻，優(yōu)選地是使用業(yè)界熟知的光刻技術(shù)，以減少整體的厚度，僅保留如圖4b所示的襯底中央部份的上方元件13。此兩個(gè)電極元件會(huì)在下兩個(gè)步驟所形成。圖4c顯示沉積電極材料15(如上所述)于襯底上的結(jié)果，其厚度大于襯底中央部份的上方元件13。此電極材料然后被平坦化，最好是使用化學(xué)機(jī)械研磨(chemical-mechanicalpolishing，CMP)技術(shù)，直到厚度可以使得襯底中央部份的上方元件13的上半部裸露出來為止，如圖4d所示。此蝕刻形成兩個(gè)電極14和16。使用選擇性蝕刻工藝來除去上方元件13的物質(zhì)，僅留下電極間空間23，如圖4e所示。在此，假設(shè)此介質(zhì)物質(zhì)是氧化硅，則最好是使用濕蝕刻工藝，最好是緩沖氫氟酸(bufferedHF)。替代的方法是，干蝕刻，如氟化物為基礎(chǔ)的等離子蝕刻，也可以在此使用。必須理解的是，不同的物質(zhì)必須使用不同的蝕刻配方。此步驟的結(jié)果是在襯底上產(chǎn)生兩個(gè)分離的電極14和16，其中間是電極間空間23。圖4f顯示此相變?cè)?0的沉積，以形成此存儲(chǔ)單元10。此沉積最好是利用濺鍍工藝。如此可以形成較小橫截面積的中央部份，如圖4g所示的近視圖，其中，沉積正在進(jìn)行中。如業(yè)界人士所熟知，濺鍍工藝將產(chǎn)生如圖中所示的表面邊緣彎曲。額外生長(zhǎng)的物質(zhì)會(huì)造成自兩邊開始沉積，直到最后兩邊在縫隙中央上方接觸為止。新沉積的物質(zhì)會(huì)與原先已沉積的物質(zhì)接合，所以此物質(zhì)會(huì)造成自兩邊開始沉積，直到兩邊在縫隙中央上方接觸，如圖中所示。這兩邊的接觸會(huì)造成電極間空間23的封閉，因此定義出真空側(cè)壁子24。最后，此相變?cè)?0裁剪至合適的尺寸，令其不會(huì)超越電極的寬度，且額外的介質(zhì)填充材料26被沉積，如圖4h所示。此物質(zhì)封閉此真空側(cè)壁子24，使得此元件保持在其間保持真空。必須明了的是，這些圖示僅是顯示了理想的情形。圖5則是比較符合現(xiàn)實(shí)的狀況，其顯示了電極14和16的邊緣不是垂直向上的，而是在蝕刻上方元件13以形成真空側(cè)壁子24時(shí)，會(huì)有一側(cè)削的情況發(fā)生。此外，也會(huì)在濺鍍時(shí)殘留一些相變?cè)谡婵諅?cè)壁子的底部，但是這些少量的相變?cè)⒉粫?huì)影響到此元件的操作。雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并非限制于所述內(nèi)容。先前描述中已經(jīng)建議了可替換方案及修改方式，并且其它可替換方案及修改方式是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的。特別是，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與方法，所有具有實(shí)質(zhì)上相同于本發(fā)明的構(gòu)件組合從而實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)果的技術(shù)都不脫離本發(fā)明的精神范疇。因此，所有這些可替換方案及修改方式都會(huì)落在本發(fā)明的附帶的權(quán)利要求以及等價(jià)物所界定的范圍中。權(quán)利要求1.一種存儲(chǔ)器單元，包含第一電極和第二電極構(gòu)件，其在襯底上相互分離；相變?cè)?，其與所述第一電極和第二電極構(gòu)件電性接觸且連接分離兩者間的空間，其中所述相變?cè)瑑蓚€(gè)區(qū)段，每一段與所述電極構(gòu)件中的一個(gè)接觸，并在所述兩個(gè)電極之間的一個(gè)位置處相連，使得所述相連位置有著小于所述相變?cè)溆嗖糠值臋M截面積；以及所述電極、所述襯底和所述相變?cè)x一個(gè)氣室。2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其中，所述相變?cè)N(Ge)、銻(Sb)、鍗(Te)的組合。3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其中，所述相變?cè)ǘN或二種以上選自下列族群中的材料的組合鍺(Ge)、銻(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鉍(Bi)、錫(Sn)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉛(Pb)、銀(Ag)、硫(S)及金(Au)。4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，還包括介質(zhì)填充材料，其與所述電極構(gòu)件接觸且環(huán)繞于所述相變?cè)€封閉由所述電極構(gòu)件與所述相變?cè)x的所述氣室。5.一種制造存儲(chǔ)器單元的方法，所述方法包含提供襯底；在所述襯底上形成兩個(gè)電極，所述兩個(gè)電極由一個(gè)電極間的空間所分離；在所述兩個(gè)電極之上形成相變存儲(chǔ)元件，包含下列步驟開始，在所述兩個(gè)電極之上沉積相變材料，使得所述相變材料向所述電極間的空間延伸；以及繼續(xù)所述沉積直到沉積在所述兩個(gè)電極上的所述材料在所述電極間的空間互相連接而定義真空側(cè)壁子。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述相變存儲(chǔ)元件包含鍺(Ge)、銻(Sb)、鍗(Te)的組合。7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述相變存儲(chǔ)元件包括二種或二種以上選自下列族群中的材料的組合鍺(Ge)、銻(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鉍(Bi)、錫(Sn)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉛(Pb)、銀(Ag)、硫(S)及金(Au)。8.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括在由所述電極與所述相變存儲(chǔ)元件形成的結(jié)構(gòu)之上沉積介質(zhì)填充材料層。全文摘要一種存儲(chǔ)器單元包含第一電極和第二電極構(gòu)件，在襯底上相互分離；相變?cè)?，與該第一電極和第二電極構(gòu)件電性接觸且連接分離兩者間的空間。此相變?cè)瑑蓚€(gè)區(qū)段，每一段與該電極構(gòu)件中的一個(gè)接觸。這兩個(gè)區(qū)段在兩電極之間的一個(gè)位置處相連，使得該相連位置有著小于該相變?cè)溆嗖糠值臋M截面積。該電極、該襯底和該相變?cè)x一個(gè)氣室。文檔編號(hào)G11C11/56GK101060161SQ200710100818公開日2007年10月24日申請(qǐng)日期2007年4月18日優(yōu)先權(quán)日2006年4月21日發(fā)明者龍翔瀾申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司