專利名稱：讀寫(xiě)頭控制裝置、存儲(chǔ)裝置以及最大功率確定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種讀寫(xiě)頭控制裝置、存儲(chǔ)裝置以及最大功率確定方法。
背景技術(shù)：
通常通過(guò)讀寫(xiě)頭，在不與盤(pán)介質(zhì)接觸的情況下，在諸如磁盤(pán)裝置或 磁光盤(pán)裝置的存儲(chǔ)裝置中的盤(pán)介質(zhì)中存儲(chǔ)或?qū)懭霐?shù)據(jù)。當(dāng)讀寫(xiě)頭對(duì)通過(guò) 磁體或激光束產(chǎn)生的信號(hào)進(jìn)行感測(cè)時(shí)，讀寫(xiě)頭對(duì)信號(hào)的靈敏度隨讀寫(xiě)頭 和盤(pán)介質(zhì)之間的距離的接近而增加，從而讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的精確度增加。隨著 盤(pán)介質(zhì)的表面密度增加，讀寫(xiě)頭和盤(pán)介質(zhì)之間的距離(被稱為浮置量
(floatingmagnitude))被設(shè)置為10納米或更小的微小值。
浮置量的微小程度的增加需要更嚴(yán)格地監(jiān)測(cè)由于環(huán)境變化而引起的 浮置量的波動(dòng)。例如，日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)No.H11-45436公開(kāi)了一種用于 通過(guò)由讀寫(xiě)頭產(chǎn)生的信號(hào)波形的振幅或抖動(dòng)量來(lái)監(jiān)測(cè)浮置量的波動(dòng)的技 術(shù)。
此外，為了滿足精確地控制讀寫(xiě)頭的前端位置的需要和保持讀寫(xiě)頭 的前端與盤(pán)介質(zhì)表面之間的恒定距離(下文中稱為"間距")，日本專利申 請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)No. 2003-272335公開(kāi)了一種用于調(diào)整該間距的技術(shù)。在該技術(shù)中， 在讀寫(xiě)頭內(nèi)設(shè)置加熱線圈和熱膨脹構(gòu)件，并且通過(guò)向該加熱線圈提供電 流并使該熱膨脹構(gòu)件伸長(zhǎng)來(lái)調(diào)整該間距，由此使讀寫(xiě)頭的面向磁盤(pán)的表 面朝向磁盤(pán)突出。換句話說(shuō)，如圖11所示，通過(guò)加熱諸如在讀寫(xiě)頭100 內(nèi)部設(shè)置的加熱線圈的加熱器并使數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)元件101中設(shè)置的讀寫(xiě) 頭端部102朝向磁盤(pán)200突出，來(lái)調(diào)整該間距。
但是，如果通過(guò)加熱該加熱器來(lái)調(diào)整間距，則加熱器功率可能變得 過(guò)大，導(dǎo)致讀寫(xiě)頭端部與盤(pán)介質(zhì)的表面接觸(下文中稱為"降落 (touchdown)")，從而損壞讀寫(xiě)頭端部和盤(pán)介質(zhì)的表面，并阻礙盤(pán)介質(zhì)
的旋轉(zhuǎn)。換句話說(shuō)，如圖12所示，加熱器的加熱器功率的增加使得讀寫(xiě) 頭端部102降落在磁盤(pán)200的表面上。如果在降落之后，該加熱器功率
繼續(xù)增加，則由于磁盤(pán)200的表面上的微小的不均勻性，而使得在磁盤(pán) 200旋轉(zhuǎn)時(shí)，讀寫(xiě)頭端部102和磁盤(pán)200的表面將被損壞。
特別地，當(dāng)通過(guò)調(diào)整加熱器功率來(lái)調(diào)整間距時(shí)，需要準(zhǔn)備進(jìn)行校準(zhǔn)， 以使得可以獲得加熱器功率和間距的對(duì)應(yīng)關(guān)系。為了進(jìn)行校準(zhǔn)，加熱器 功率必須被增加到超出正常工作條件，并且如果加熱器功率被過(guò)度地增 加，則在正常工作條件下，讀寫(xiě)頭端部和盤(pán)介質(zhì)可能被損壞，導(dǎo)致在將 信號(hào)記錄到盤(pán)介質(zhì)上或從盤(pán)介質(zhì)讀取信號(hào)時(shí)的錯(cuò)誤。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是至少部分地解決常規(guī)技術(shù)中的問(wèn)題。 根據(jù)本發(fā)明的一方面， 一種讀寫(xiě)頭控制裝置通過(guò)由加熱器引起的熱 膨脹來(lái)控制讀寫(xiě)頭的位置，該讀寫(xiě)頭面對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)并讀取記錄在存儲(chǔ)介
質(zhì)上的數(shù)據(jù)的信號(hào)，該讀寫(xiě)頭控制裝置包括控制單元，該控制單元將
加熱器的加熱器功率增加預(yù)定范圍；獲得單元，該獲得單元獲得在由該 控制單元控制的各個(gè)加熱器功率下從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信號(hào)電平的指標(biāo)值 (indexvalue)的樣本；函數(shù)確定單元，該函數(shù)確定單元基于在加熱器功 率增加到最后一個(gè)加熱器功率之前獲得的樣本，來(lái)確定用于確定當(dāng)前加 熱器功率的確定函數(shù)；計(jì)算單元，該計(jì)算單元基于該確定函數(shù)，計(jì)算與
當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的比較值；以及最大功率確定單元，該最大功率 確定單元通過(guò)將該比較值和與當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平的指標(biāo) 值進(jìn)行比較，來(lái)確定當(dāng)前加熱器功率是否為最大功率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面， 一種在存儲(chǔ)介質(zhì)中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置包 括記錄和再現(xiàn)單元，該記錄和再現(xiàn)單元面對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)并從存儲(chǔ)介質(zhì)讀 取信號(hào)和將信號(hào)寫(xiě)入到存儲(chǔ)介質(zhì)中；加熱器，該加熱器通過(guò)熱膨脹來(lái)調(diào) 整該記錄和再現(xiàn)單元的位置；控制單元，該控制單元將該加熱器的加熱 器功率增加預(yù)定范圍；獲得單元，該獲得單元獲得在由該控制單元控制 的各個(gè)加熱器功率下從該存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信號(hào)電平的指標(biāo)值的樣本；函
數(shù)確定單元，該函數(shù)確定單元基于在加熱器功率增加到最后一個(gè)加熱器 功率之前獲得的樣本，來(lái)確定用于確定當(dāng)前加熱器功率的函數(shù)；計(jì)算單 元，該計(jì)算單元基于該函數(shù)，計(jì)算與當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的比較值； 以及最大功率確定單元，該最大功率確定單元通過(guò)將該比較值和與當(dāng)前 加熱器功率相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平的指標(biāo)值進(jìn)行比較，來(lái)確定當(dāng)前加熱器功 率是否為最大功率。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面， 一種用于確定加熱器(該加熱器通過(guò)熱膨 脹來(lái)控制讀寫(xiě)頭的位置，該讀寫(xiě)頭面對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)并讀取記錄在該存儲(chǔ)介 質(zhì)上的數(shù)據(jù)的信號(hào))的最大功率的最大功率確定方法，該方法包括將 加熱器的加熱器功率第一次增加預(yù)定范圍；獲得在第一次增加時(shí)控制的 各個(gè)加熱器功率下從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信號(hào)電平的指標(biāo)值的樣本；基于該 樣本確定用于確定當(dāng)前加熱器功率的函數(shù)；將該加熱器的加熱器功率第 二次增加預(yù)定范圍；基于該函數(shù)計(jì)算與第二次增加時(shí)控制的加熱器功率 相對(duì)應(yīng)的比較值；比較該比較值和與第二次增加時(shí)控制的加熱器功率相 對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平的指標(biāo)值；以及確定在第二次增加時(shí)控制的加熱器功率 是否為最大功率。
當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)閱讀本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施方式的以下詳 細(xì)描述，將更好地理解本發(fā)明的上述及其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù) 和工業(yè)重要性。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的框圖； 圖2是根據(jù)第一實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的主要部分的框圖； 圖3是根據(jù)第一實(shí)施方式的最大功率確定處理的流程圖； 圖4A、 4B和4C是用于說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施方式的信號(hào)電平確定處理 的曲線圖5是用于說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施方式的最大功率確定的曲線圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的主要部分的框圖7是根據(jù)第二實(shí)施方式的最大功率確定處理的流程圖8A、8B以及8C是用于說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施方式的樣本值的曲線圖； 圖9是用于說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施方式的最大功率確定的曲線圖； 圖IOA和10B是用于說(shuō)明降落點(diǎn)的檢測(cè)結(jié)果的直方圖； 圖11是讀寫(xiě)頭和磁盤(pán)表面的放大視圖；以及 圖12是表示降落的讀寫(xiě)頭和磁盤(pán)表面的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。在下面的描述 中，采用磁盤(pán)裝置作為存儲(chǔ)裝置的示例。然而，本發(fā)明同樣可以應(yīng)用于 通過(guò)讀寫(xiě)頭來(lái)從其讀取數(shù)據(jù)的其他類型的存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，磁光盤(pán)裝置 或光盤(pán)裝置)，或者應(yīng)用于讀寫(xiě)頭測(cè)試器，該讀寫(xiě)頭測(cè)試器被固定以測(cè)量 和分析讀寫(xiě)頭特性。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置1的框圖。磁盤(pán)裝置 1包括主機(jī)接口 (IF)控制單元2、緩沖控制單元3、緩沖存儲(chǔ)器4、格 式控制單元5、讀取通道單元6、讀寫(xiě)頭集成電路(IC) 7、微處理單元 (MPU) 8、存儲(chǔ)器9、非易失性存儲(chǔ)器IO、伺服控制單元ll、音圈電機(jī) (VCM) 12、主軸電機(jī)(SPM) 13、讀寫(xiě)頭14、磁盤(pán)15以及公共總線 16。
主機(jī)IF控制單元2將磁盤(pán)裝置1連接到主機(jī)(其為高級(jí)裝置)，并 控制磁盤(pán)裝置1和主機(jī)之間的通信。緩沖控制單元3控制緩沖存儲(chǔ)器4。 緩沖存儲(chǔ)器4臨時(shí)地存儲(chǔ)在主機(jī)和磁盤(pán)裝置1之間交換的數(shù)據(jù)。
格式控制單元5控制數(shù)據(jù)讀取，并且例如對(duì)所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行錯(cuò)誤 校驗(yàn)。讀取通道單元6在數(shù)據(jù)讀取過(guò)程中對(duì)從讀寫(xiě)頭IC 7輸出的數(shù)據(jù)信 號(hào)進(jìn)行放大，并執(zhí)行諸如模數(shù)(AD)轉(zhuǎn)換和解調(diào)的預(yù)定處理。讀寫(xiě)頭IC 7包括未示出的前置放大器，并且在數(shù)據(jù)讀取過(guò)程中，對(duì)由讀寫(xiě)頭14讀 取的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行放大。
MPU 8通過(guò)預(yù)定的控制程序(固件程序)來(lái)執(zhí)行對(duì)磁盤(pán)裝置1的總 控制。換句話說(shuō)，MPU 8對(duì)由主機(jī)發(fā)出的命令進(jìn)行譯碼，并通過(guò)控制各 種處理單元，來(lái)執(zhí)行從磁盤(pán)15讀取數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到磁盤(pán)15的集中
控制。在第一實(shí)施方式中，MPU 8確定加熱器功率的上限，該加熱器功 率確定了讀寫(xiě)頭14的前端的位置，MPU 8控制設(shè)置在讀寫(xiě)頭14內(nèi)的加 熱器，以使加熱器功率處于所設(shè)定的上限內(nèi)，由此控制讀寫(xiě)頭14的前端 和磁盤(pán)15的表面之間的距離(間距)。稍后描述通過(guò)MPU8進(jìn)行的加熱 器功率的上限的確定處理。
存儲(chǔ)器9和非易失性存儲(chǔ)器10中存儲(chǔ)有由MPU 8運(yùn)行的固件程序 和用于控制處理所需的各種類型的數(shù)據(jù)。伺服控制單元11在驅(qū)動(dòng)VCM12 和SPM 13的同時(shí)檢査它們的工作狀態(tài)。VCM 12調(diào)整讀寫(xiě)頭14的位置。 SPM 13使磁盤(pán)15旋轉(zhuǎn)并通過(guò)讀寫(xiě)頭14來(lái)調(diào)整數(shù)據(jù)讀取位置。
未示出的記錄再現(xiàn)元件設(shè)置在讀寫(xiě)頭14的前端，與磁盤(pán)15相鄰。 該記錄再現(xiàn)元件將數(shù)據(jù)信號(hào)寫(xiě)到磁盤(pán)15和從磁盤(pán)15讀取數(shù)據(jù)信號(hào)。讀 寫(xiě)頭14還包括未示出的加熱器，加熱器被設(shè)置用于調(diào)整讀寫(xiě)頭14的前 端和磁盤(pán)15的表面之間的距離(間距)。該加熱器使該前端熱膨脹，從 而減小該間距。磁盤(pán)15是具有磁體的存儲(chǔ)介質(zhì)，并且當(dāng)磁體的磁化狀態(tài) 被改變時(shí)，磁性地記錄數(shù)據(jù)。公共總線16連接磁盤(pán)裝置1的所有處理單 元，并且使處理單元之間的數(shù)據(jù)交換便利。
圖2示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置1的讀取通道單元6和 MPU 8的框圖。讀取通道單元6包括可變?cè)鲆娣糯髥卧?01、可變均衡 單元602、 AD轉(zhuǎn)換單元603、解調(diào)單元604以及寄存單元605。
可變?cè)鲆娣糯髥卧?01包括可以改變?cè)鲆娴目勺冊(cè)鲆娣糯笃?。可?增益放大單元601根據(jù)來(lái)自AD轉(zhuǎn)換單元603的反饋增益信號(hào)，設(shè)置可 變?cè)鲆娣糯笃鞯脑鲆?，并?duì)從讀寫(xiě)頭IC7輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行放大?？?變?cè)鲆娣糯髥卧?01通過(guò)使放大后輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平穩(wěn)定的方式來(lái) 設(shè)置增益。換句話說(shuō)，可變?cè)鲆娣糯髥卧?01、可變均衡單元602以及 AD轉(zhuǎn)換單元603在一起構(gòu)成自動(dòng)增益控制(AGC)回路。
可變均衡單元602調(diào)整由可變?cè)鲆娣糯髥卧?01放大的數(shù)據(jù)信號(hào)的 頻率特性，并將所得到的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到AD轉(zhuǎn)換單元603。
AD轉(zhuǎn)換單元603將從可變均衡單元602輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字 數(shù)據(jù)信號(hào)，并將該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)輸出給解調(diào)單元604。 AD轉(zhuǎn)換單元603
還基于從可變均衡單元602輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電平，產(chǎn)生用于控制可變 增益放大單元601的增益的反饋增益信號(hào)，并將該反饋增益信號(hào)輸出給
可變?cè)鲆娣糯髥卧?01和寄存單元605。
解調(diào)單元604對(duì)作為AD轉(zhuǎn)換的結(jié)果而輸出的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行解 調(diào)，并將所得到的解調(diào)信號(hào)輸出到格式控制單元5，格式控制單元5對(duì)數(shù) 據(jù)進(jìn)行錯(cuò)誤校驗(yàn)。
寄存單元605臨時(shí)地保存從AD轉(zhuǎn)換單元603輸出的增益信號(hào)并將 所述增益信號(hào)饋送到MPU 8。由寄存單元605保存的增益信號(hào)表示用于 對(duì)輸入到可變?cè)鲆娣糯髥卧?01的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行放大的增益，以保持?jǐn)?shù) 據(jù)信號(hào)的電平穩(wěn)定。如果通過(guò)讀寫(xiě)頭14讀取的信號(hào)的電平較小，則增益 較大，而如果信號(hào)的電平較大，則增益較小。由此，可以基于由寄存單 元605保存的增益信號(hào)，來(lái)獲得通過(guò)讀寫(xiě)頭14讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)電 平。
返回到圖2， MPU 8包括加熱器控制單元801、信號(hào)電平計(jì)算單元 802、樣本產(chǎn)生單元803、近似線確定單元804、線移動(dòng)單元805、比較值 計(jì)算單元806以及上限確定單元807。
加熱器控制單元801控制設(shè)置在讀寫(xiě)頭14內(nèi)的加熱器14a的加熱器 功率。具體地說(shuō)，當(dāng)獲得加熱器功率和間距之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系以用于校準(zhǔn) 時(shí)，加熱器控制單元801將加熱器功率從零提高預(yù)定控制范圍，同時(shí)將 該加熱器功率傳達(dá)給樣本產(chǎn)生單元803和比較值計(jì)算單元806。當(dāng)上限確 定單元807傳達(dá)已經(jīng)達(dá)到加熱器功率的上限(下文中稱為"最大功率") 時(shí)，加熱器控制單元801停止提高加熱器功率。在正常工作條件下，加 熱器控制單元801將加熱器功率控制為低于最大功率的級(jí)別，以獲得所 需大小的間距。
在第一實(shí)施方式中，當(dāng)加熱器控制單元801對(duì)設(shè)置在讀寫(xiě)頭14內(nèi)的 加熱器14a的加熱器功率進(jìn)行控制時(shí)，通過(guò)讀寫(xiě)頭端部14b朝向磁盤(pán)15 的熱膨脹來(lái)調(diào)整該間距。設(shè)置在讀寫(xiě)頭端部14b中的未示出的記錄再現(xiàn) 元件從磁盤(pán)15讀取數(shù)據(jù)信號(hào)以及將數(shù)據(jù)信號(hào)寫(xiě)入到磁盤(pán)15中。
信號(hào)電平計(jì)算單元802基于從讀取通道單元6的寄存單元605饋送
的增益信號(hào)，來(lái)計(jì)算通過(guò)讀寫(xiě)頭14的讀寫(xiě)頭端部14b讀取的信號(hào)電平。
換句話說(shuō)，信號(hào)電平計(jì)算單元802在由讀取通道單元6將信號(hào)電平轉(zhuǎn)換 成穩(wěn)定電平之前計(jì)算該信號(hào)電平，并將所計(jì)算的信號(hào)電平輸出到樣本產(chǎn) 生單元803和上限確定單元807。
樣本產(chǎn)生單元803將由加熱器控制單元801傳達(dá)的加熱器功率與從 信號(hào)電平計(jì)算單元802輸出的信號(hào)電平進(jìn)行關(guān)聯(lián)，并產(chǎn)生將在上限確定 處理中使用的樣本。因?yàn)楫?dāng)加熱器功率處于零附近時(shí)，由信號(hào)電平計(jì)算 單元802輸出的信號(hào)電平往往不穩(wěn)定，所以樣本產(chǎn)生單元803可以被配 置為僅當(dāng)加熱器功率高于預(yù)定初始值時(shí)才產(chǎn)生樣本。具體地說(shuō)，樣本產(chǎn) 生單元803可以被配置為當(dāng)加熱器功率達(dá)到大約8mW (毫瓦)時(shí)產(chǎn)生樣 本。樣本產(chǎn)生單元803將所產(chǎn)生的樣本存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器9中。
近似線確定單元804從存儲(chǔ)器9讀取樣本，并在二維坐標(biāo)系中確定 對(duì)這些樣本進(jìn)行近似的近似線，其中加熱器功率和信號(hào)電平構(gòu)成坐標(biāo)軸。 具體地說(shuō)，近似線確定單元804對(duì)與各個(gè)加熱器功率值相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電 平應(yīng)用最小二乘法(least-squaremethod),以確定近似線，對(duì)于該近似線，
與所有樣本相對(duì)應(yīng)的距離的總和最小。
線移動(dòng)單元805移動(dòng)由近似線確定單元804確定的近似線，并確定
信號(hào)電平確定線，該信號(hào)電平確定線用于在逐步增大加熱器功率時(shí)確定 信號(hào)電平。換句話說(shuō)，線移動(dòng)單元805通過(guò)這樣的方式移動(dòng)近似線對(duì) 于由近似線確定單元804確定的近似線，與各個(gè)加熱器功率值相對(duì)應(yīng)的 信號(hào)電平減小預(yù)定百分比。具體地說(shuō)，線移動(dòng)單元805移動(dòng)該近似線， 以使得與各個(gè)加熱器功率值相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平減小4%。因此，如果該近 似線由下面給出的公式(l)中所示的近似值函數(shù)表示，則線移動(dòng)單元805 通過(guò)將該近似線移動(dòng)4%，來(lái)確定由下面給出的公式(2)的信號(hào)電平確 定函數(shù)形成的線。
y=ax+b (a和b是近似線參數(shù)) (1)
y=0.96ax+0.96b (2) 其中，y表示信號(hào)電平，x表示加熱器功率。
比較值計(jì)算單元806計(jì)算比較值，用于使用由線移動(dòng)單元805確定
的線來(lái)比較與當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平。換句話說(shuō)，比較值計(jì) 算單元806通過(guò)使用當(dāng)前加熱器功率替代公式(2)的信號(hào)電平確定函數(shù)，
來(lái)計(jì)算該比較值。比較值計(jì)算單元806使用基于在加熱器功率小于當(dāng)前
加熱器功率一個(gè)控制范圍之前的周期中獲得的樣本確定的線，來(lái)計(jì)算該
比較值。因此，當(dāng)計(jì)算該比較值時(shí)，比較值計(jì)算單元806不必等待用于 諸如產(chǎn)生與當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的樣本或確定近似線等的處理的其他 處理器。
上限確定單元807比較由比較值計(jì)算單元806計(jì)算的比較值和由信 號(hào)電平計(jì)算單元802計(jì)算的信號(hào)電平，并確定該加熱器功率是否達(dá)到最 大功率。最大功率是指讀寫(xiě)頭端部14降落在磁盤(pán)15上的加熱器功率， 并且如果加熱器功率的提高持續(xù)超過(guò)該最大功率，則讀寫(xiě)頭端部14b和 磁盤(pán)15的表面將彼此磨損。因此，如果信號(hào)電平大于比較值(表示信號(hào) 電平隨著加熱器功率的增加的增加率大于預(yù)定閾值)，則上限確定單元 807確定讀寫(xiě)頭端部14b沒(méi)有降落在磁盤(pán)15上，并且因此確定加熱器功 率沒(méi)有達(dá)到最大功率。如果該信號(hào)電平小于比較值(表示信號(hào)電平隨著 加熱器功率的增加的增加率小于預(yù)定閾值)，則上限確定單元807確定讀 寫(xiě)頭端部14b已經(jīng)降落在磁盤(pán)15上，并因此確定加熱器功率已達(dá)到最大 功率。
降落是指讀寫(xiě)頭端部14b和磁盤(pán)15互相接觸的時(shí)候。即使加熱器功 率被提高為超過(guò)降落發(fā)生時(shí)的點(diǎn)，導(dǎo)致讀寫(xiě)頭端部14b熱膨脹，間距也 不會(huì)進(jìn)一步減小，并且信號(hào)電平不會(huì)增加。因此，在第一實(shí)施方式中， 使用低于比較值的信號(hào)電平作為信號(hào)電平的增加率受到約束以及已發(fā)生 降落時(shí)的點(diǎn)。通過(guò)將發(fā)生降落(降落點(diǎn))時(shí)的加熱器功率視為最大功率， 防止了對(duì)讀寫(xiě)頭端部14b和磁盤(pán)15的表面的損壞。
下面描述通過(guò)如上所述構(gòu)造的磁盤(pán)裝置1執(zhí)行的最大功率確定處 理。圖3是通過(guò)磁盤(pán)裝置1執(zhí)行的最大功率確定處理的流程圖。
加熱器控制單元801將設(shè)置在讀寫(xiě)頭14內(nèi)的加熱器14a的加熱器功 率增加預(yù)定控制范圍(步驟5101)，并將該加熱器功率傳達(dá)給樣本產(chǎn)生單 元803。由于加熱器功率的增加，而使得讀寫(xiě)頭端部14b熱膨脹，并且記 錄再現(xiàn)元件朝向磁盤(pán)15的表面突出。該記錄再現(xiàn)元件從磁盤(pán)15讀取數(shù) 據(jù)，并且通過(guò)信號(hào)電平計(jì)算單元802計(jì)算所讀取數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)電平(步
驟S102)。
換句話說(shuō)，在加熱器功率增加之后，將通過(guò)設(shè)置在熱膨脹的讀寫(xiě)頭 端部14b中的記錄再現(xiàn)元件讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)，經(jīng)由讀寫(xiě)頭IC 7輸入到讀 取通道單元6中。由讀取通道單元6中的AGC回路產(chǎn)生的增益信號(hào)被饋 送到信號(hào)電平計(jì)算單元802。信號(hào)電平計(jì)算單元802基于該增益信號(hào)計(jì)算 信號(hào)電平。如果當(dāng)前加熱器功率大于預(yù)定初始值，則樣本產(chǎn)生單元803 對(duì)加熱器功率值和信號(hào)電平進(jìn)行關(guān)聯(lián)，并產(chǎn)生樣本(步驟S103)。具體地 說(shuō)，由于考慮到僅當(dāng)加熱器功率大于預(yù)定初始值(例如，8mW)時(shí)，才 獲得信號(hào)電平的穩(wěn)定輸出，所以在達(dá)到規(guī)定的加熱器功率之后，樣本產(chǎn) 生單元803才產(chǎn)生樣本。這些樣本被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器9中(步驟S104)。
當(dāng)在由加熱器功率和信號(hào)電平構(gòu)成坐標(biāo)軸的二維坐標(biāo)系中繪制存儲(chǔ) 在存儲(chǔ)器9中的樣本時(shí)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器9中的樣本沿大致直線排列，如 圖4A所示。但是，當(dāng)加熱器功率接近降落點(diǎn)時(shí)，信號(hào)電平的增加率隨著 加熱器功率的增加而下降，從而這些樣本沒(méi)有沿單條直線排列。在圖4A
中，達(dá)到40mW的加熱器功率的樣本被示出為沿單條直線排列，由于達(dá) 到大約40mW的加熱器功率，所以在讀寫(xiě)頭端部14b和磁盤(pán)15之間有清 楚的間隙。
近似線確定單元804從存儲(chǔ)器9讀取樣本并應(yīng)用最小二乘法，確定 對(duì)樣本進(jìn)行近似的近似線(步驟S105)。該近似線由公式(1)表示。該 近似線表示信號(hào)電平隨著加熱器功率增加到由加熱器控制單元801控制 的當(dāng)前加熱器功率的平均增加率，并且是如圖4B所示的線。圖4B示出 了在當(dāng)前加熱器功率為40mW時(shí)獲得的近似線。
在通過(guò)近似線確定單元804確定了近似線時(shí)，線移動(dòng)單元805移動(dòng) 該近似線(步驟S106)。具體地說(shuō)，線移動(dòng)單元805移動(dòng)在將該近似線上 的各個(gè)點(diǎn)處的信號(hào)電平減小預(yù)定百分比時(shí)獲得的近似線。具體地說(shuō)，通 過(guò)在該近似線上的各個(gè)點(diǎn)處將信號(hào)電平減小4%，將由公式(1)的近似 函數(shù)表示的近似線移動(dòng)到由公式(2)的信號(hào)電平確定函數(shù)表示的線。由
此獲得的信號(hào)電平確定線被輸出到比較值計(jì)算單元806。
同時(shí)，加熱器控制單元801將加熱器14a的加熱器功率增加一控制 范圍(步驟S107)。假定該控制范圍是4mW，如果40mW的加熱器功率 增加了 4mW，則加熱器控制單元801將44mW的加熱器功率傳達(dá)給樣本 產(chǎn)生單元803和比較值計(jì)算單元806。加熱器功率的增加使得讀寫(xiě)頭端部 14b熱膨脹，并且使得記錄再現(xiàn)元件突出得更接近磁盤(pán)15的表面。該記 錄再現(xiàn)元件從磁盤(pán)15讀取數(shù)據(jù)信號(hào)，并且信號(hào)電平計(jì)算單元802計(jì)算由 記錄再現(xiàn)元件讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)電平(步驟S108)。
在計(jì)算信號(hào)電平之后，信號(hào)電平計(jì)算單元802基于在40mW的加熱 器功率下確定的信號(hào)電平確定線，來(lái)確定44mW的加熱器功率是否為最 大功率。換句話說(shuō)，在加熱器控制單元801傳達(dá)了加熱器功率時(shí)，比較 值計(jì)算單元806計(jì)算用于與當(dāng)前加熱器功率進(jìn)行比較的比較值(步驟 S109)。具體地說(shuō)，比較值計(jì)算單元806在40mW的加熱器功率下確定的 信號(hào)電平確定線上計(jì)算44mW的加熱器功率下的信號(hào)電平作為比較值。 因此，公式(2)的x被當(dāng)前加熱器功率替代，并且計(jì)算y作為比較值。
在圖4C中，該近似線由虛線表示，該信號(hào)電平確定線由實(shí)線表示， 并且在44mW的加熱器功率下計(jì)算的比較值由Th表示。該比較值Th表 示信號(hào)電平，基于該信號(hào)電平確定出在44mW的當(dāng)前加熱器功率下已發(fā) 生降落。
因此，上限確定單元807將由信號(hào)電平計(jì)算單元802計(jì)算的信號(hào)電 平與由比較值計(jì)算單元806計(jì)算的比較值進(jìn)行比較，并確定該信號(hào)電平 和比較值的大小(步驟SllO)。如果作為結(jié)果，該信號(hào)電平高于比較值(步 驟S110中為"否")，如圖4C所示，則上限確定單元807確定當(dāng)信號(hào)電 平隨著加熱器功率的增加的增加率沒(méi)有減小到預(yù)定閾值時(shí)不發(fā)生降落。 樣本產(chǎn)生單元803產(chǎn)生44mW的加熱器功率下的樣本，并且近似線確定 單元804再次確定近似線，并且線移動(dòng)單元805再次確定信號(hào)電平確定 線。
如果作為該比較結(jié)果，上限確定單元807確定信號(hào)電平低于該比較 值，如圖5所示(步驟S110為"是")，則上限確定單元807確定當(dāng)信號(hào)
電平隨著加熱器功率的增加的增加率減小到預(yù)定閾值時(shí)已發(fā)生降落，并
將當(dāng)前加熱器功率視為最大功率(在圖5中由"Max"表示)。將由此確定 的最大功率設(shè)置在加熱器控制單元801中(步驟Slll)。因此，加熱器控 制單元801停止提高加熱器功率，并且即使在正常工作條件下，也對(duì)加 熱器功率進(jìn)行控制，以使加熱器功率不超過(guò)最大功率。
因此，保持加熱器功率，以使其不超過(guò)讀寫(xiě)頭端部14b和磁盤(pán)15的 表面互相接觸的降落點(diǎn)，從而防止對(duì)讀寫(xiě)頭端部14b和磁盤(pán)15的表面的 損傷。
因此，根據(jù)第一實(shí)施方式，使加熱器功率增加預(yù)定控制范圍，并獲 得信號(hào)電平?；谶@些信號(hào)電平產(chǎn)生樣本，并且根據(jù)這些樣本確定近似 線。移動(dòng)該近似線，以確定信號(hào)電平確定線。如果與當(dāng)前加熱器功率相 對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平低于根據(jù)在先前加熱器功率下確定的信號(hào)電平確定線而 獲得的比較值，則將當(dāng)前加熱器功率視為最大功率。換句話說(shuō)，當(dāng)信號(hào) 電平隨著加熱器功率增加的增加率減小到預(yù)定閾值并導(dǎo)致降落時(shí)，將此 時(shí)的加熱器功率視為最大功率。結(jié)果，對(duì)加熱器功率適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行了控制， 以防止讀寫(xiě)頭端部和磁盤(pán)的表面持續(xù)互相接觸，由此防止對(duì)讀寫(xiě)頭端部 和磁盤(pán)的表面的損傷。
在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，根據(jù)增益的變化而不是根據(jù)信號(hào)電平 來(lái)獲得樣本值，并通過(guò)使樣本值偏移來(lái)確定近似線。
除了 MPU8的結(jié)構(gòu)之外，根據(jù)第二實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的結(jié)構(gòu)與圖 1所示的根據(jù)第一實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置相同(如圖2中所示)。
圖6示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置的讀取通道單元6和MPU 8的框圖。圖6中的與圖2中相同的部分被賦予相同的標(biāo)號(hào)，并且這里不 再描述。如圖6所示，MPU 8包括加熱器控制單元801、樣本值計(jì)算單 元851、樣本產(chǎn)生單元852、樣本值移動(dòng)單元853、近似線確定單元854、 比較值計(jì)算單元806以及上限確定單元807。
樣本值計(jì)算單元851通過(guò)組合由讀取通道單元6的寄存單元605饋 送的增益信號(hào)表示的增益和旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)15的增益按扇區(qū)的變化(下文中稱 為"sigma")，來(lái)計(jì)算與加熱器功率相對(duì)應(yīng)的樣本值。樣本值計(jì)算單元851
將所產(chǎn)生的樣本值輸出到樣本產(chǎn)生單元852和上限確定單元807。
如果從磁盤(pán)15讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)電平較小，則增益較大，而如 果信號(hào)電平較大，則增益較小。因此，可以通過(guò)增益的變化來(lái)確定是否 發(fā)生了降落。此外，如果在圓周方向上將磁盤(pán)15分為多個(gè)扇區(qū)，并且當(dāng) 沒(méi)有發(fā)生降落時(shí)，與從各個(gè)扇區(qū)讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的增益(或信號(hào) 電平)大致相同，因此sigma可以被認(rèn)為是小的。但是，如果己經(jīng)發(fā)生 了降落，在與從各個(gè)扇區(qū)讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的增益(或信號(hào)電平) 中存在變化，從而導(dǎo)致大的sigma。因此，也可以通過(guò)sigma的變化來(lái)確 定是否發(fā)生了降落。因?yàn)樵诘诙?shí)施方式中組合了增益和sigma，所以可 以獲得對(duì)降落的發(fā)生更敏感和響應(yīng)于降落的發(fā)生的樣本值。
樣本產(chǎn)生單元852對(duì)由加熱器控制單元801傳達(dá)的加熱器功率和從 樣本值計(jì)算單元851輸出的樣本值進(jìn)行關(guān)聯(lián)，并產(chǎn)生要在上限確定處理 中使用的樣本。因?yàn)楫?dāng)加熱器功率處于零附近時(shí)信號(hào)電平(由此，樣本 值)往往不穩(wěn)定，所以樣本產(chǎn)生單元852可以被配置為僅當(dāng)加熱器功率 高于預(yù)定初始值時(shí)才產(chǎn)生樣本。具體地說(shuō)，樣本產(chǎn)生單元852可以被配 置為當(dāng)加熱器功率達(dá)到大約8mW時(shí)產(chǎn)生樣本。樣本產(chǎn)生單元852將所產(chǎn) 生的樣本存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器9中。
樣本值移動(dòng)單元853從存儲(chǔ)器9讀取樣本，并通過(guò)將與各個(gè)樣本相 對(duì)應(yīng)的樣本值增加預(yù)定范圍，來(lái)移動(dòng)樣本值。然后樣本值移動(dòng)單元853 將這些樣本輸出到近似線確定單元854，這些樣本是加熱器功率值和經(jīng)移 動(dòng)的樣本值的組合。
近似線確定單元854在二維坐標(biāo)系中確定對(duì)經(jīng)移動(dòng)的樣本值進(jìn)行近 似的近似線，其中加熱器功率和樣本值構(gòu)成坐標(biāo)軸。具體地說(shuō)，近似線 確定單元854對(duì)與各個(gè)加熱器功率值相對(duì)應(yīng)的經(jīng)移動(dòng)的樣本值使用最小 二乘法，以確定近似線，對(duì)于該近似線，與所有樣本相對(duì)應(yīng)的距離的總 和最小。
下面描述由根據(jù)第二實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置執(zhí)行的最大功率確定處 理。圖7是由根據(jù)第二實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置執(zhí)行的最大功率確定處理的 流程圖。圖7中的與圖3中相同的步驟被賦予相同的標(biāo)號(hào)，并且這里不
再描述。
加熱器控制單元801將設(shè)置在讀寫(xiě)頭14內(nèi)的加熱器14a的加熱器功 率增加預(yù)定控制范圍(步驟S101)，并將加熱器功率傳達(dá)給樣本產(chǎn)生單元 852。由于加熱器功率的增加，而使得從磁盤(pán)15讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào) 電平增加，并且由讀取通道單元6輸出以保持信號(hào)電平穩(wěn)定的增益減小。 換句話說(shuō)，如圖8A所示，當(dāng)加熱器功率增加時(shí)，增益減小，直到發(fā)生降 落時(shí)的點(diǎn)為止。 一旦發(fā)生降落，則增益不再減小。
樣本值計(jì)算單元851獲取在讀取通道單元6中產(chǎn)生的增益信號(hào)(步 驟S201)，并計(jì)算表示增益按扇區(qū)的變化的sigma，并且通過(guò)組合增益和 sigma來(lái)計(jì)算樣本值(步驟S202)。如圖8B所示，即使加熱器功率增加， 表示增益按扇區(qū)的變化的sigma也基本上保持穩(wěn)定，直到發(fā)生降落的點(diǎn) 為止。然而， 一旦發(fā)生降落，則sigma增加。降落的發(fā)生可以通過(guò)增益 或sigma來(lái)檢測(cè)。然而，如果通過(guò)樣本值計(jì)算單元851組合增益和sigma 來(lái)獲得樣本值，則可以更精確地檢測(cè)降落，如圖8C所示。
如果當(dāng)前加熱器功率大于預(yù)定初始值，則樣本產(chǎn)生單元852對(duì)加熱 器功率值和樣本值進(jìn)行關(guān)聯(lián)，并產(chǎn)生樣本(步驟S203)。具體地說(shuō)，由于 考慮到僅當(dāng)加熱器功率大于預(yù)定初始值(例如，8mW)時(shí)，才能獲得信 號(hào)電平的穩(wěn)定輸出，并由此獲得穩(wěn)定的樣本值，所以在達(dá)到規(guī)定的加熱 器功率之后，樣本單元852產(chǎn)生樣本。這些樣本被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器9中(步 驟S104)。
樣本值移動(dòng)單元853從存儲(chǔ)器9讀取樣本，并將與各個(gè)樣本相對(duì)應(yīng) 的樣本值移動(dòng)預(yù)定范圍(步驟S204)。換句話說(shuō)，樣本值移動(dòng)單元853 將預(yù)定值添加到與各個(gè)樣本相對(duì)應(yīng)的樣本值。在第二實(shí)施方式中，反映 信號(hào)電平的相對(duì)值的增益被用作信號(hào)電平的指標(biāo)。因此，將預(yù)定值添加 到各個(gè)樣本值。然而，如果使用反映信號(hào)電平的絕對(duì)值的信號(hào)電平本身， 則移動(dòng)樣本值，以使得與各個(gè)樣本相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平減小預(yù)定百分比(例 如，4%)。在移動(dòng)樣本值之后獲得的樣本被輸出到近似線確定單元854。
近似線確定單元854應(yīng)用最小二乘法，以確定對(duì)根據(jù)經(jīng)移動(dòng)的樣本 值獲得的樣本進(jìn)行近似的近似線(步驟S205)。該近似線用于確定在將加 熱器功率增加一級(jí)(one step)之后是否發(fā)生了降落，并且該近似線被輸 出到比較值計(jì)算單元806。
同時(shí)，加熱器控制單元801將加熱器14a的加熱器功率增加一控制 范圍(步驟S107)，并將經(jīng)增加的加熱器功率傳達(dá)給樣本產(chǎn)生單元852 和比較值計(jì)算單元806。當(dāng)加熱器功率增加時(shí)，讀取通道單元6中產(chǎn)生的 增益減小。樣本值計(jì)算單元851獲取表示該增益的增益信號(hào)(步驟S206)， 計(jì)算sigma，組合增益和sigma，以獲得樣本值(步驟S207)。
在樣本值的計(jì)算之后，比較值計(jì)算單元806基于在加熱器功率增加 之前確定的信號(hào)電平確定線，來(lái)確定當(dāng)前經(jīng)增加的加熱器功率是否為最 大功率。換句話說(shuō)，在加熱器控制單元801傳達(dá)了加熱器功率時(shí)，比較 值計(jì)算單元806計(jì)算用于與當(dāng)前加熱器功率進(jìn)行比較的比較值(步驟 S208)。具體地說(shuō)，比較值計(jì)算單元806在先前的加熱器功率下確定的信 號(hào)電平確定線上計(jì)算經(jīng)增加的加熱器功率下的信號(hào)電平作為比較值。在 圖9所示的示例中，該信號(hào)電平確定線由實(shí)線表示，而在近似線上計(jì)算 的比較值(由實(shí)心圓圈表示)由Th表示。比較值Th表示樣本值，基于 該樣本值確定在當(dāng)前加熱器功率下發(fā)生了降落。
上限確定單元807對(duì)由樣本值計(jì)算單元851輸出的樣本值和由比較 值計(jì)算單元806輸出的比較值進(jìn)行比較，并確定樣本值和比較值的大小 (步驟S209)。如果作為結(jié)果，該樣本值低于比較值(在步驟S209為 "否")，則上限確定單元807確定由于增益隨著加熱器功率的增加的減 小率仍然高于預(yù)定閾值，所以沒(méi)有發(fā)生降落，并且在當(dāng)前經(jīng)增加的加熱 器功率下再次產(chǎn)生樣本，對(duì)樣本值進(jìn)行移動(dòng)，并且確定信號(hào)電平確定線。
如果作為上限確定單元807的比較的結(jié)果，該樣本值高于比較值(在 步驟S209為"是")，則上限確定單元807確定由于增益隨著加熱器功率 的增加的減小率已經(jīng)降低到低于預(yù)定閾值，因此發(fā)生了降落，并將當(dāng)前 加熱器功率視為最大功率(在圖9中，由"Max"表示)。將由此確定的最 大功率設(shè)置在加熱器控制單元801中(步驟Slll)，此后，加熱器控制單 元801停止提高加熱器功率。在正常工作條件下，加熱器控制單元801 將加熱器功率控制為低于該最大功率的級(jí)別。
因此，保持加熱器功率以使其不超過(guò)讀寫(xiě)頭端部14b和磁盤(pán)15的表
面互相接觸的降落點(diǎn)，從而防止對(duì)讀寫(xiě)頭端部14b和磁盤(pán)15的表面的損傷。
因此，根據(jù)第二實(shí)施方式，使樣本值增加預(yù)定范圍，這些樣本值是
通過(guò)將加熱器功率提高預(yù)定控制范圍而獲得的增益和sigma的組合。確 定在移動(dòng)這些樣本值之后的近似線。如果當(dāng)前加熱器功率高于通過(guò)在先 前加熱器功率下確定的近似線獲得的比較值，則將當(dāng)前加熱器功率視為 最大功率。因此，該加熱器功率被視為最大功率(在該最大功率處，由 于樣本值隨著加熱器功率的增加的減小率低于預(yù)定閾值，所以發(fā)生了降 落)，這使得能夠更適當(dāng)?shù)乜刂萍訜崞鞴β省?br> 第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中的樣本和信號(hào)電平確定函數(shù)的確定 方法的組合可以互換。換句話說(shuō)，在第一實(shí)施方式中，將信號(hào)電平視為 樣本，在首先確定近似線并隨后移動(dòng)該近似線之后，確定信號(hào)電平確定 函數(shù)。在第二實(shí)施方式中，將增益和sigma的組合視為樣本，在首先移 動(dòng)樣本并隨后確定近似線之后，確定信號(hào)電平確定函數(shù)。然而，可以將 信號(hào)電平視為樣本，并且可以通過(guò)首先移動(dòng)信號(hào)電平并隨后確定近似線 來(lái)確定信號(hào)電平確定函數(shù)?？梢詫⑿盘?hào)電平和增益視為樣本，而sigma 無(wú)關(guān)，或者可以通過(guò)將信號(hào)電平和增益與sigma進(jìn)行組合來(lái)將信號(hào)電平 和增益視為樣本。
MPU 8可以被配置為執(zhí)行從外部源引入到磁盤(pán)裝置1中的計(jì)算機(jī)程 序，以執(zhí)行第一實(shí)施方式中的校準(zhǔn)處理。另選的是，中央處理單元(CPU) 或微控制器單元(MCU)可以被配置為執(zhí)行該計(jì)算機(jī)程序。
在第一和第二實(shí)施方式中，移動(dòng)樣本或近似線，然后使用樣本或近 似線來(lái)確定信號(hào)電平確定函數(shù)，而不是使用樣本本身或近似線本身來(lái)確 定信號(hào)電平確定函數(shù)。下面參照?qǐng)DIOA和IOB所示的直方圖來(lái)比較使用 通過(guò)本發(fā)明和通過(guò)已知方法確定的信號(hào)電平確定函數(shù)的降落點(diǎn)的檢測(cè)結(jié) 果。
圖10A是使用通過(guò)諸如聲波發(fā)射傳感器(AE傳感器)的普通方法 的降落點(diǎn)的檢測(cè)結(jié)果的直方圖。在該方法中，當(dāng)降落點(diǎn)超過(guò)120mW時(shí)，不能講桿給淑L ltk外.所^淑l的隧茨占的鳥(niǎo)t教骨沐104-1 1 mW少問(wèn)
圖10B是通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的方法的降落點(diǎn)的檢測(cè)結(jié)果的直方 圖。在該方法中，即使超出128mW，也可以檢測(cè)降落點(diǎn)。在其他方面， 該直方圖基本上類似于通過(guò)采用巳知方法獲得的直方圖。這表明通過(guò)采 用根據(jù)本發(fā)明的方法可以進(jìn)行降落點(diǎn)的準(zhǔn)確檢測(cè)，結(jié)果，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè) 置加熱器功率的上限。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，使用根據(jù)在先前加熱器功率下 獲得的樣本確定的信號(hào)電平確定函數(shù)，計(jì)算信號(hào)電平的指標(biāo)值(被認(rèn)為 是讀寫(xiě)頭端部和存儲(chǔ)介質(zhì)將互相接觸的值)作為當(dāng)前加熱器功率下的比 較值。通過(guò)比較該比較值和實(shí)際信號(hào)電平的指標(biāo)值可以確定最大功率。 因此，可以適當(dāng)?shù)乜刂萍訜崞鞴β?，以防止讀寫(xiě)頭端部和磁盤(pán)表面互相 接觸而導(dǎo)致對(duì)兩者的損傷。
此外，可以通過(guò)信號(hào)電平確定函數(shù)檢測(cè)到信號(hào)電平隨著加熱器功率 增加的增加已減小到與移動(dòng)近似線的量相對(duì)應(yīng)的閾值。將由于讀寫(xiě)頭端 部存儲(chǔ)介質(zhì)互相接觸而使得信號(hào)電平隨著加熱器功率的增加的增加率減 小至預(yù)定閾值時(shí)的加熱器功率視為最大功率。
此外，通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂萍訜崞鞴β士梢苑乐箤?duì)讀寫(xiě)頭和存儲(chǔ)介質(zhì)的 損傷，從而提高裝置的可靠性和使用壽命。
盡管為了完全和清楚的公開(kāi)而針對(duì)特定實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但 是所附權(quán)利要求并不因此而受到限制，而是被認(rèn)為是涵蓋本領(lǐng)域的技術(shù) 人員容易想到的完全落入在此闡述的基本教導(dǎo)內(nèi)的所有修改和另選結(jié) 構(gòu)。
權(quán)利要求
1、一種讀寫(xiě)頭控制裝置，該讀寫(xiě)頭控制裝置通過(guò)由加熱器導(dǎo)致的熱膨脹來(lái)控制讀寫(xiě)頭的位置，該讀寫(xiě)頭面對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)并讀取記錄在存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的信號(hào)，該讀寫(xiě)頭控制裝置包括控制單元，該控制單元將加熱器的加熱器功率增加預(yù)定范圍；獲得單元，該獲得單元獲得在由所述控制單元控制的各個(gè)加熱器功率下從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信號(hào)電平的指標(biāo)值的樣本；函數(shù)確定單元，該函數(shù)確定單元基于在加熱器功率增加到最后一個(gè)加熱器功率之前獲得的樣本，來(lái)確定用于確定當(dāng)前加熱器功率的確定函數(shù)；計(jì)算單元，該計(jì)算單元基于所述確定函數(shù)，計(jì)算與當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的比較值；以及最大功率確定單元，該最大功率確定單元通過(guò)將所述比較值和與當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平的指標(biāo)值進(jìn)行比較，來(lái)確定當(dāng)前加熱器功率是否為最大功率。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述函數(shù)確定單 元包括近似線確定單元，該近似線確定單元在以所述加熱器功率和所述信 號(hào)電平的指標(biāo)值作為坐標(biāo)軸的二維坐標(biāo)系中確定對(duì)通過(guò)所述獲得單元獲 得的多個(gè)樣本進(jìn)行近似的近似線；以及線移動(dòng)單元，該線移動(dòng)單元移動(dòng)所述近似線，并且 所述函數(shù)確定單元確定由經(jīng)移動(dòng)的近似線表示的函數(shù)作為所述確定 函數(shù)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述線移動(dòng)單元 將所述近似線上的信號(hào)電平的指標(biāo)值增加或減小預(yù)定百分比。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述線移動(dòng)單元 將所述近似線上的信號(hào)電平的指標(biāo)值增加或減小預(yù)定值。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述函數(shù)確定單元包括樣本移動(dòng)單元，該樣本移動(dòng)單元在以所述加熱器功率和所述信號(hào)電 平的指標(biāo)值作為坐標(biāo)軸的二維坐標(biāo)系中移動(dòng)由所述獲得單元獲得的多個(gè) 樣本的坐標(biāo)點(diǎn)；以及近似線確定單元，該近似線確定單元確定對(duì)經(jīng)移動(dòng)的坐標(biāo)點(diǎn)進(jìn)行近 似的近似線，并且所述函數(shù)確定單元確定由所述近似線表示的函數(shù)作為所述確定函數(shù)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述樣本移動(dòng)單 元將所述樣本的信號(hào)電平增加或減小預(yù)定百分比。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述樣本移動(dòng)單 元將所述樣本的信號(hào)電平增加或減小預(yù)定值。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述獲得單元獲 得從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信號(hào)電平作為所述指標(biāo)值的樣本。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，當(dāng)所述比較值等 于或大于與當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的指標(biāo)值時(shí)，所述最大功率確定單元 確定當(dāng)前加熱器功率是最大功率。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述獲得單元 獲得用于將從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信號(hào)電平放大到預(yù)定電平的增益作為所述 指標(biāo)值的樣本。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，當(dāng)所述比較值小于與 當(dāng)前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的指標(biāo)值時(shí)，所述最大功率確定單元確定當(dāng)前加 熱器功率是最大功率。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述獲得單元 獲得指標(biāo)值的樣本，這些樣本包括信號(hào)電平根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的多個(gè)扇區(qū)的 變化。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭控制裝置，其中，所述獲得單元 獲得加熱器功率等于或大于預(yù)定初始值時(shí)的樣本。
14、 一種在存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)裝置包括記錄和再現(xiàn)單元，該記錄和再現(xiàn)單元面對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)并從存儲(chǔ)介質(zhì)讀 取信號(hào)和將信號(hào)寫(xiě)入到存儲(chǔ)介質(zhì)中；加熱器，該加熱器通過(guò)熱膨脹來(lái)調(diào)整所述記錄和再現(xiàn)單元的位置；控制單元，該控制單元將所述加熱器的加熱器功率增加預(yù)定范圍；獲得單元，該獲得單元獲得在由所述控制單元控制的各個(gè)加熱器功 率下從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信號(hào)電平的指標(biāo)值的樣本；函數(shù)確定單元，該函數(shù)確定單元基于在加熱器功率增加到最后一個(gè) 加熱器功率之前獲得的樣本，來(lái)確定用于確定當(dāng)前加熱器功率的函數(shù)；計(jì)算單元，該計(jì)算單元基于所述函數(shù)，計(jì)算與當(dāng)前加熱器功率相對(duì) 應(yīng)的比較值；以及最大功率確定單元，該最大功率確定單元通過(guò)將所述比較值和與當(dāng) 前加熱器功率相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電平的指標(biāo)值進(jìn)行比較，來(lái)確定當(dāng)前加熱器 功率是否為最大功率。
15、 一種用于確定加熱器的最大功率的最大功率確定方法，該加熱 器通過(guò)熱膨脹來(lái)控制讀寫(xiě)頭的位置，該讀寫(xiě)頭面對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)并讀取記錄 在該存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的信號(hào)，該最大功率確定方法包括將加熱器的加熱器功率第一次增加預(yù)定范圍；獲得在第一次增加時(shí)控制的各個(gè)加熱器功率下從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的信 號(hào)電平的指標(biāo)值的樣本；基于所述樣本確定用于確定當(dāng)前加熱器功率的函數(shù)； 將加熱器的加熱器功率第二次增加預(yù)定范圍；基于所述函數(shù)計(jì)算與第二次增加時(shí)控制的加熱器功率相對(duì)應(yīng)的比較值；比較所述比較值和與第二次增加時(shí)控制的加熱器功率相對(duì)應(yīng)的信號(hào) 電平的指標(biāo)值；以及確定在第二次增加時(shí)控制的加熱器功率是否為最大功率。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種讀寫(xiě)頭控制裝置、存儲(chǔ)裝置以及最大功率確定方法。信號(hào)電平計(jì)算單元基于增益信號(hào)計(jì)算信號(hào)電平。樣本產(chǎn)生單元將加熱器功率與信號(hào)電平進(jìn)行關(guān)聯(lián)，并產(chǎn)生用于確定最大功率的樣本。近似線確定單元在二維坐標(biāo)系中確定樣本的近似線。線移動(dòng)單元移動(dòng)該近似線并確定用于確定將加熱器功率增加一級(jí)時(shí)的信號(hào)電平的線。比較值計(jì)算單元基于該線來(lái)計(jì)算比較值。上限確定單元比較該比較值和實(shí)際的信號(hào)電平，并確定加熱器功率是否已經(jīng)達(dá)到最大功率。
文檔編號(hào)G11B5/60GK101192416SQ20071019462
公開(kāi)日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2007年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月27日
發(fā)明者高橋哲也 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社