專利名稱：用于減少輸出電壓過(guò)沖的高壓生成電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高壓生成電路，尤其涉及用于減少輸出電壓過(guò)沖的高壓生成電路和 方法。
背景技術(shù)：
包括電可編程和可擦除^f渚單元(memory cell )的NAND閃存設(shè)備、NOR閃存 設(shè)備、電可擦除可編程只讀w^諸器(EEPR0M)設(shè)備等通常為了編考M者擦除^f諸單元 而使用高于電源電壓的高壓。為了減少用于編程或者擦除^H諸單元所需要的時(shí)間，應(yīng)當(dāng)減少用于生成禾4急定 高壓的時(shí)間。當(dāng)增加用于生成高壓的時(shí)鐘信號(hào)的頻率以減少用于生成禾4I定高壓的 時(shí)間時(shí)，可以iStit生成高壓，但是會(huì)發(fā)生輸出高壓在被穩(wěn)定之前暫時(shí)'&i也增加到高 于所期望電平的電平的過(guò)沖。這種過(guò)沖對(duì)^H浙殳備產(chǎn)生了壓力，這可能會(huì)導(dǎo)致^H諸 設(shè)備的故障。而且，當(dāng)為了增加調(diào)節(jié)器(regulator )的響應(yīng)速?gòu)?fù)，而增加用于穩(wěn)定 高壓以減少過(guò)沖的用于感測(cè)高壓的調(diào)節(jié)器電流時(shí)，功耗也會(huì)增加。圖1圖解了傳統(tǒng)的高壓生成電路IOO的結(jié)構(gòu)。圖2是圖解了從圖1所示高壓生 成電路100輸出的高壓VPP的曲線圖。高壓生成電路100包:l封周節(jié)器110、振蕩器 120以及高壓生成器130。調(diào)節(jié)器110將從通過(guò)多個(gè)分壓電阻器Rx和Ry來(lái)劃分的高壓VPP中獲得的電壓 VC和參考電壓Vref相比較并基于比較結(jié)果生成使能信號(hào)CS。基于高壓VPP和分壓 電阻器Rx和Ry來(lái)確定用于感測(cè)高壓VPP的調(diào)節(jié)器110的電流IS。振蕩器120響應(yīng) 于使能信號(hào)CS而生成時(shí)鐘信號(hào)CLL高壓生成器130接收時(shí)鐘信號(hào)CLK并生成和輸 出與時(shí)鐘信號(hào)CLK對(duì)應(yīng)的高壓VPP。調(diào)節(jié)器110為了實(shí)現(xiàn)低功率操作，通常通過(guò)增加分壓電阻器Rx和Ry的阻抗來(lái)減少用于感測(cè)高壓VPP的電流IS的量級(jí)。然而，當(dāng)增加多個(gè)分壓電阻器Rx和Ry的 阻抗時(shí)，調(diào)節(jié)器110的響應(yīng)ii^會(huì)由于RC延遲而降低。因此，即使當(dāng)高壓VPP目標(biāo)電壓時(shí)，調(diào)節(jié)器iio也可能沒(méi)有適當(dāng)?shù)豝y亍調(diào)節(jié)操作。這種情況下，就會(huì)發(fā)生高壓VPP過(guò)沖。參照?qǐng)D2，即使高壓VPPiiJij目標(biāo)電壓VT之后，高壓VPP仍持續(xù)增加，因此就 發(fā)生了高壓VPP過(guò)沖。將從高壓VPPi^Jij目標(biāo)電壓VT的時(shí)間Tl到發(fā)生高壓VPP過(guò) 沖的時(shí)間T2之間的時(shí)間賴:稱作調(diào)節(jié)器110的響應(yīng)時(shí)間。而且，當(dāng)為了生成高壓VPP和減少穩(wěn)定時(shí)間，而增加/人振蕩器120輸出的時(shí)鐘 信號(hào)CLK的頻率時(shí)，高壓VPP的il^也會(huì)增力口。然而，高壓VPP過(guò)沖更會(huì)增加。高 壓VPP的不理想過(guò)沖對(duì)#^浙殳備產(chǎn)生了不必要的壓力，從而也可能會(huì)導(dǎo)致^^浙殳備 的故障。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了用于防止高壓的不理想過(guò)沖的高壓生成電路和方法。沖艮據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了高壓生成電路，包括高壓生成單元、控制 器和調(diào)節(jié)器。高壓生成單元響應(yīng)于使能信號(hào)^it過(guò)輸出端產(chǎn)生高電壓。高壓生成單 元包括振蕩器，其被配置為響應(yīng)于使能信號(hào)而生成時(shí)鐘信號(hào)，以及高壓生成器，被 配置為響應(yīng)于時(shí)鐘4言號(hào)而生成高壓?？刂破鞅O(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號(hào)。調(diào)節(jié)器響應(yīng)于高壓 的電平和第一控制信號(hào)，控制用于感測(cè)高壓的高壓感測(cè)電流并且產(chǎn)生使能信號(hào)。調(diào)節(jié)器具有基于高壓感測(cè)電流量而變化的響應(yīng)H并且包括電流通路和比較 器。電流通路連接在輸出端和地之間，響應(yīng)于第一控制信號(hào)而變化的高壓感測(cè)電流 可以在所述電流通路中流動(dòng)。比較器將從包括在電流通路中的第一節(jié)點(diǎn)所感測(cè)到的電壓與參考電廁目比4交，并iL^于比較結(jié)果生成使能信號(hào)。高壓生成電路可以進(jìn)一步包括延遲電路，其被S己置為響應(yīng)于第1空制信號(hào)而將 使能信號(hào)延遲預(yù)定時(shí)間段，該第二控制信號(hào)是由控制器基于監(jiān)控高壓電平的結(jié)果而 生成的。從高壓生成電路輸出的高壓可以被用作用于非易失性^f浙殳備的^i諸單元 的編程電壓或者擦除電壓。才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了高壓生成方法，其包括響應(yīng)于使能信號(hào)來(lái) 通過(guò)輸出端生成高壓，監(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號(hào)，響應(yīng)于 高壓電平和第 一控制信號(hào)來(lái)控制用于感測(cè)高壓的高壓感測(cè)電流并生成使能信號(hào)。控制高壓感測(cè)電流和生成使能信號(hào)的步驟包括響應(yīng)于第一控制信號(hào)改變高壓感 測(cè)電流；將基于不同的高壓感測(cè)電流而生成的電壓與參考電壓相比較，并基于比較 結(jié)果生成〗吏能信號(hào)。高壓生成方法進(jìn)一步包括監(jiān)控高壓電平和基于監(jiān)控結(jié)果生成第二控制信號(hào)，響 應(yīng)于第二控制信號(hào)，通過(guò)延遲使能信號(hào)預(yù)定時(shí)間賴沬控制高壓的增加速度。


結(jié)合附圖，將從下面描述的更多細(xì)節(jié)中理解本發(fā)明的示例性實(shí)施例其中圖1圖解了傳統(tǒng)高壓生成電^各的結(jié)構(gòu)；圖2是圖解從圖1所示的高壓生成電路輸出的高壓的曲線圖；圖3圖解了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的高壓生成電路的結(jié)構(gòu)；圖4是圖解從圖3所示的高壓生成電贈(zèng)4t出的高壓的曲線圖；圖5圖解了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的高壓生成電路的結(jié)構(gòu)；以及圖6是圖解從圖5所示的高壓生成電路輸出的高壓的曲線圖。^沐實(shí)施方式下文中將參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行更完整的描述，附圖中示出了 本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而本發(fā)明可以以多種不同的形式實(shí)現(xiàn)而不應(yīng)當(dāng)解釋為受 限于在jH^是出的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例以便本公開(kāi)是全面的 和完整的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳遞本發(fā)明的范圍。在附圖中，相同的附 圖標(biāo)i化整個(gè)發(fā)明中代束相同的元件。圖3圖解了才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的高壓生成電路300的結(jié)構(gòu)。高壓生成 電路300包括控制單元310和高壓生成單元340。控制單元310響應(yīng)于高壓VPP的電 平控制用于感測(cè)高壓VPP的電流(下文中，稱作"高壓感應(yīng)電流")并生成使能信號(hào) CS?？刂茊卧?10包括控制器320和調(diào)節(jié)器330?？刂破?20監(jiān)控高壓VPP的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號(hào)CS1 。當(dāng)高 壓VPP低于第一電壓VI (圖4)時(shí)，控制器320可以生成處于低電平的第一控制信號(hào) CS1，而當(dāng)高壓VPP高于第一電壓V1時(shí)，可以生成處于高電平的第一控制信號(hào)CS1。 第一電壓V1低于高壓VPP的目標(biāo)電壓VT(圖4),并且是用于控制高壓感測(cè)電流IS 的參考電壓。調(diào)節(jié)器330響應(yīng)于高壓VPP的電平和第一控制信號(hào)CS1控制高壓感測(cè)電流IS 的量并且生成使能信號(hào)CS。調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)ilJl可以隨著高壓感測(cè)電流IS而變化。調(diào)節(jié)器330包括電流通路332和比較器338。電濟(jì)uit路332連接在輸出高壓VPP的輸出端OUT和地VSS之間，并且具有高壓 感測(cè)電流IS,所述感測(cè)電流IS響應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1而變化。電流通路332可以 包括多個(gè)電阻器R1至R4，它們串耳錄輸出端OUT和地VSS之間，還包括一個(gè)或多個(gè) 開(kāi)關(guān)元件Trl和Tr2，每一個(gè)開(kāi)關(guān)元件都與多個(gè)電阻器Rl至R4中的一個(gè)電阻器R3 或R4的兩端并聯(lián)，并響應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1而開(kāi)關(guān)。電流通路332包括第一可變 阻抗電路334和第二可變阻抗電路336。第一可變阻抗電路334連接在輸出端OUT和第一節(jié)點(diǎn)Nl之間，并且具有可以響 應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1而變化的阻抗。第一可變阻抗電路334包括電阻器Rl和R3， 它們串ltt輸出端OUT和第一節(jié)點(diǎn)Nl之間，還包括晶體管Trl,其與一個(gè)電阻器R3 的兩端并聯(lián)。第二可變阻抗電路336連接在第一節(jié)點(diǎn)N1和地VSS之間，并具有可以 響應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1而變化的阻抗。第二可變阻抗電路336包括電阻器R2和R4， 它們串聯(lián)在第一節(jié)點(diǎn)N1和地VSS之間，還包括晶體管Tr2,其與一個(gè)電阻器R4的兩 端并聯(lián)。每一個(gè)晶體管Trl和Tr2都可以通過(guò)P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管(M0SFET)或者N溝道MOSFET而實(shí)現(xiàn)。在該示例性實(shí)施例中，假設(shè)當(dāng)高壓VPP等于第一電壓VI時(shí)在第一節(jié)點(diǎn)N1感測(cè) 到的電壓(下文中，稱作"比較電壓，，)VC等于當(dāng)高壓VPP等于目標(biāo)電壓VT時(shí)在第一 節(jié)點(diǎn)N1感測(cè)到的比較電壓VC。因此，第一可變阻抗電路334的阻抗和第二可變阻抗 電路336的阻抗之間的比率基于晶體管Trl和Tr2開(kāi)始開(kāi)關(guān)操作的時(shí)間而變化。每一個(gè)第一和第二可變阻抗電路334和336都可以通過(guò)具有隨著第一控制信號(hào) CSI而變化的阻抗的可變電阻器實(shí)現(xiàn)。因此，控制器320可以響應(yīng)于高壓VPP的電平， 通過(guò)控制第一可變阻抗電路334的阻抗和第二可變阻抗電路336的阻抗來(lái)控制高壓 感測(cè)電流IS。基于高壓VPP以及第一可變阻抗電路334的阻抗與第二可變阻抗電路336的阻 私之間的比率而確定輸入到比較器338的比較電壓VC。比較器338將比較電壓VC 和參考電壓Vref相比較，并基于比較結(jié)果生成使能信號(hào)CS。號(hào)CS,且可以在比較電壓VC高于參考電壓Vref時(shí)輸出處于低電平的使能信號(hào)CS。 根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實(shí)施例，與其相反也是可能的。高壓生成單元340響應(yīng)于使能信號(hào)CS生成高壓VPP并通過(guò)輸出端OUT輸出高壓 VPP。高壓VPP可以用作非易失性^f浙殳備的編程電壓或者擦除電壓。高壓生成單元 340包4封展蕩器342和高壓生成器344。振蕩器342響應(yīng)于反饋到其的使能信號(hào)CS生成時(shí)鐘信號(hào)CLL例如，當(dāng)使能信 號(hào)處于高電平時(shí)，振蕩器342可以生成時(shí)鐘信號(hào)CLK,而當(dāng)使能信號(hào)CS處于低電平 時(shí)，可以不生成時(shí)鐘信號(hào)CLK。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，與其相反也是可能的。高壓生成器344生成與時(shí)鐘信號(hào)CLK對(duì)應(yīng)的高壓VPP并JJt過(guò)輸出端OUT輸出 高壓VPP。換句^i兌，高壓生成器344只有當(dāng)振蕩器342輸出時(shí)鐘信號(hào)CLK時(shí)才l^亍 用于生成高壓VPP的泉4^f乍(pumping operation )。在下文中，將描述高壓生成電路300通過(guò)控制高壓感測(cè)電流IS來(lái)減少高壓VPP 過(guò)沖的過(guò)程。當(dāng)高壓VPP低于圖4中所示的第一電壓VI時(shí)，控制器320輸出處于低電平的第 一控制信號(hào)CS1。結(jié)果，第一和第二晶體管Trl和Tr2截止，且高壓感測(cè)電流IS具 有將高壓VPP除以電阻器R1、 R2、 R3和R4的阻抗^直的總和所獲得的值。當(dāng)高壓VPP 高于第一電壓V1時(shí)，控制器320輸出處于高電平的第一控制信號(hào)CS1。結(jié)果，第一 和第二晶體管Trl和Tr2導(dǎo)通，且高壓感測(cè)電流IS具有將高壓VPP除以第一電阻器 Rl和R2的阻抗值的總和所獲得的值。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，為了描述的清^i見(jiàn)， 第一和第二晶體管Trl和Tr2的導(dǎo)通阻抗(turn on resistance )沒(méi)有被考慮在內(nèi)。因此，當(dāng)高壓VPP高于第一電壓V1時(shí)，增加高壓感測(cè)電流IS。換句"^i兌，當(dāng) 高壓VPP達(dá)到第一電壓VI的電平時(shí)控制器320增加了高壓感測(cè)電流IS，從而增加了 調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)ilA(也舒&，調(diào)節(jié)ii^)。當(dāng)增加調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)ii^時(shí)，控 制振蕩器342的速度O曽加了 。因此，高壓生成電路300可以通過(guò)增加當(dāng)高壓VPP 與第一電壓VI相等之后的高壓VPP被控制的i4^來(lái)減少高壓VPP的過(guò)沖。圖4是圖解圖3所示的高壓生成電路300輸出的高壓VPP的曲線圖。在圖4中， 實(shí)線指示的是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例中高壓生成電路300輸出的高壓VPP，而虛線 指示的是從傳統(tǒng)高壓生成電路中輸出的高壓VPP。參照?qǐng)D4，相對(duì)于傳統(tǒng)高壓生成電路所產(chǎn)生的過(guò)沖，從高壓生成電路300輸出 的高壓VPP的過(guò)沖減少了 ，且調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)時(shí)間從Tl到17的時(shí)間段減少到從 Tl到T3的時(shí)間孚殳。另夕卜，穩(wěn)定高壓VPP所需要的時(shí)間也減少了 。圖5圖解了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的高壓生成電路500的結(jié)構(gòu)。高壓生成 電路500包括控制單元510和高壓生成單元550。響應(yīng)于高壓VPP的電平，控制單元510生成使能信號(hào)D—CS3,它能控制高壓VPP 的增加i4^或者上升速率?？刂茊卧?10包括控制器520、調(diào)節(jié)器530、以M遲電 路5復(fù)控制器520監(jiān)控高壓VPP的電平并且生成第一控制信號(hào)CS1和第二控制信號(hào)CS2。在該示例性實(shí)施例中，當(dāng)高壓VPP低于第一電壓V1(圖6)時(shí)，控制器520可以 生成處于〗氐電平的第一控制信號(hào)CS1，而當(dāng)高壓VPP高于第一電壓V1時(shí)，控制器520 可以生成處于高電平的第一控制信號(hào)CS1。另外，當(dāng)高壓VPP低于第一電壓V1時(shí)， 控制器520可以生成處于高電平的第二控制信號(hào)CS2，而當(dāng)高壓VPP高于第一電壓 VI時(shí)，控制器520可以生成處于低電平的第^空制信號(hào)CS2。第一電壓V1低于高壓 VPP的目標(biāo)電壓VT(圖6),并且是用于確定延遲電路540的操作或不操作的參考電壓。調(diào)節(jié)器530響應(yīng)于高壓VPP的電平和第一控制信號(hào)CS1,控制用于感測(cè)高壓VPP 的高壓感測(cè)電流IS，并生成使能信號(hào)CS3。調(diào)節(jié)器530包括電流通路532和比較器 538。電流通路532響應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1產(chǎn)生比較電壓VC。電流通路532包括第 一可變阻抗電路534和第二可變阻抗電路536。第一可變阻抗電路534連接在輸出高壓VPP的輸出端OUT和第一節(jié)點(diǎn)Nl之間。 第二可變阻抗電路536連接在第一節(jié)點(diǎn)Nl和地電壓VSS之間。每一個(gè)第一可變阻抗 電路534和第二可變阻抗電路536的阻抗都響應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1而變化。第三 晶體管Tr3包括在第二可變阻抗電路536中并且可以通過(guò)MOSFET實(shí)現(xiàn)，該MOSFET 響應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1而導(dǎo)通和截止。當(dāng)高壓VPP等于第一電壓VI時(shí)獲得的比較電壓VC應(yīng)當(dāng)與當(dāng)高壓VPP等于目標(biāo) 電壓VT時(shí)獲得的比較電壓VC相同。因此，第一可變阻抗電路534和第二可變阻抗 電路536的阻抗之間的比率基于第三晶體管Tr3開(kāi)始開(kāi)關(guān)操作的時(shí)間而變化。每一個(gè)第一可變阻抗電路534和第二可變阻抗電路536還可以通過(guò)可變電阻器實(shí)現(xiàn)，該可變電阻器具有響應(yīng)于第一控制信號(hào)CS1而改變的阻抗，無(wú)^r^何，電流通路532扭J亍與圖3中所示的電流通路332相同的功能。 '比刁，結(jié)果生成使能信號(hào)CS3。在該示例性實(shí)施例中，當(dāng)比較電壓VC高于參考電壓Vref 時(shí)，比較器538生成處于低電平的使能信號(hào)CS3,而當(dāng)比較電壓VC低于參考電壓Vref 時(shí)，比較器538生成處于高電平的使能信號(hào)CS3。延遲電路540可以響應(yīng)于來(lái)自控制器520的第二控制信號(hào)CS2延遲使能信號(hào) CS3。在該示例性實(shí)施例中，當(dāng)?shù)赹空制信號(hào)CS2處于低電平時(shí)，延遲電路540可以 輸出延遲了預(yù)定時(shí)間段^的使能信號(hào)CS 3,而當(dāng)?shù)?空制信號(hào)CS2處于高電平時(shí)， 延遲電路540可以輸出沒(méi)有延遲的使能信號(hào)CS3。高壓生成單元550響應(yīng)于/A^遲電路540輸出的使能信號(hào)D—CS3生成高壓VPP。 高壓生成單元550包括振蕩器552和高壓生成器554。振蕩器552響應(yīng)于使能信號(hào)D_CS3生成時(shí)鐘信號(hào)CLK,而高壓生成器554響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK生成高壓VPP。在下文中，將描述高壓生成單元550通過(guò)控制高壓VPP的增加i4yl或者上升速 率來(lái)減少高壓VPP的過(guò)沖的過(guò)程。當(dāng)高壓VPP低于第一電壓VI時(shí)，控制器520生成處于高電平的第^空制信號(hào) CS2。由于從電流通路532的第一節(jié)點(diǎn)Nl感測(cè)到的比較電壓VC低于參考電壓Vref ， 所以比較器538輸出處于高電平的使能信號(hào)CS3。由于第^空制信號(hào)CS2處于高電平, 所以延遲電路540輸出處于高電平的使能信號(hào)CS3。振蕩器552響應(yīng)于處于高電平的 使能信號(hào)CS3輸出時(shí)鐘信號(hào)CLK,而高壓生成器554響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK生成高壓 VPP。然而，當(dāng)高壓VPP高于第一電壓VI時(shí)，控制器520生成處于低電平的第^空制 信號(hào)CS2。即使比較器538輸出處于高電平的使能信號(hào)CS3，由于第二控制信號(hào)CS2 處于低電平，所以延遲電路540通it^遲處于高電平的使能信號(hào)CS3 —段預(yù)定時(shí)間 4棘輸出使能信號(hào)D-CS3。此時(shí)，振蕩器552在預(yù)定時(shí)間段內(nèi)不生成時(shí)鐘信號(hào)CLK。 因此，高壓生成器554不^^于用于生成高壓VPP的泵操作。此時(shí)，高壓VPP通過(guò)從 第一電壓V1自由上升iii"目標(biāo)電壓VT,并且因jtl^艮少發(fā)生高壓VPP的過(guò)沖。圖6是圖解圖5所示的高壓生成電路500輸出的高壓VPP的曲線圖。參照?qǐng)D6， 在高壓VPP達(dá)到第一電壓VI之后，從高壓生成電路500輸出的高壓VPP的增加ii^ 或者上升速率減隄了從時(shí)間T4到T5的預(yù)定時(shí)間段(延遲時(shí)間)。因此，與傳統(tǒng)的高過(guò)沖，也減少了用于穩(wěn)定高壓VPP的時(shí)間。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，高壓生成電路通過(guò)基于高壓的電平控 制用于感測(cè)高壓的電流或者通itt遲生成高壓的振蕩器的操作一段預(yù)定時(shí)間段來(lái)減 少高壓的過(guò)沖。雖然參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng) 當(dāng)理解，在不偏離本發(fā)明的##和如在下面的權(quán)利要求中所限定的范圍的情況下， 可以對(duì)其做出形式和細(xì)節(jié)的更改。
權(quán)利要求
1.一種高壓生成電路，包括高壓生成單元，配置為響應(yīng)于使能信號(hào)來(lái)通過(guò)輸出端產(chǎn)生高壓；控制器，配置為監(jiān)控所述高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號(hào)；調(diào)節(jié)器，配置為響應(yīng)于所述高壓的電平和所述第一控制信號(hào)控制用于感測(cè)高壓的高壓感測(cè)電流，并且生成所述使能信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓生成電路，其中該調(diào)節(jié)器具有基于高壓感應(yīng)電流 的量而變化的響應(yīng)tt。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓生成電路，其中該調(diào)節(jié)器包括電^it路，連接在所述輸出端和地之間，并通過(guò)其流過(guò)響應(yīng)于所述第一控制信 號(hào)而變化的高壓感測(cè)電流；以及比較器，配置為將從包含在所述電流通路中的第一節(jié)點(diǎn)所感測(cè)到的電壓和參考 電壓相比較，并基于比較結(jié)果生成使能信號(hào)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓生成電路，其中該電^it路包括 多個(gè)電阻器，串耳鎮(zhèn)輸出端和ik間；以及至少一個(gè)開(kāi)關(guān)元件，其與多個(gè)電阻器中的至少一個(gè)的兩端并聯(lián)，并且響應(yīng)于所 述第一控制信號(hào)而開(kāi)關(guān)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓生成電路，其中該開(kāi)關(guān)元件是金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0SFET)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓生成電路，其中該電流通路包括 第一可變電阻器，連接在輸出端和第一節(jié)點(diǎn)之間，并且具有響應(yīng)于所述第一控制信號(hào)而變化的阻抗；第二可變電阻器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和地之間，并且具有響應(yīng)于所述第一控制信 號(hào)而變化的阻抗。
7，根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓生成電路，其中該高壓生成單元包括 振蕩器，配置為響應(yīng)于所述使能信號(hào)來(lái)生成時(shí)鐘信號(hào)； 高壓生成器，配置為響應(yīng)于該時(shí)鐘信號(hào)來(lái)生成高壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓生成電路，進(jìn)一步包括延遲電路，配置為響應(yīng)于 第^|空制信號(hào)而#[吏能信號(hào)延遲預(yù)定時(shí)間段，所述第^空制信號(hào)由控制器基于監(jiān)控 高壓的電平的結(jié)果而生成。
9. 才艮據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓生成電路，其中高壓的增加iitt于所述第^空制信號(hào)而變化。
10. —種高壓生成方法，包括響應(yīng)于使能信號(hào)通過(guò)輸出端生成高壓； 監(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號(hào)；以及 響應(yīng)于高壓的電平和所述第 一控制信號(hào)控制用于感測(cè)高壓的高壓感測(cè)電流并生 成所述使能信號(hào)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓生成方法，其中控制高壓感測(cè)電流和生成使能 信號(hào)的步驟包括響應(yīng)于第一控制信號(hào)來(lái)改變高壓感測(cè)電流；以及比交基于改變的高壓感測(cè)電流而產(chǎn)生的電壓與參考電壓，并基于比較結(jié)果生成 所述使能信號(hào)。
12. 才艮據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓生成方法，其中響應(yīng)于使能信號(hào)通過(guò)輸出端生 成高壓的步驟包括響應(yīng)于所述使能信號(hào)生成時(shí)鐘信號(hào)；以及 響應(yīng)于所述時(shí)鐘信號(hào)生成所述高壓。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的高壓生成方法，進(jìn)一步包括 監(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第二控制信號(hào)；以及 通過(guò)響應(yīng)于所述第J^空制信號(hào)^f吏能信號(hào)延遲預(yù)定時(shí)間,tt控制高壓的增加速度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓生成方法，進(jìn)一步包括j賴來(lái)自輸出端的高壓 作為用于非易失性^^i殳備的存儲(chǔ)單元的編程電壓和擦除電壓之一。
15. —種高壓生成方法，包括 響應(yīng)于從調(diào)節(jié)器輸出的使能信號(hào)而生成高壓；以及 比較所述高壓與預(yù)定電壓，并基于比較結(jié)果控制調(diào)節(jié)器的響應(yīng)iUl。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高壓生成方法，進(jìn)一步包括 比較該高壓與預(yù)定電壓，并基于比較結(jié)果將從調(diào)節(jié)器輸出的使能信號(hào)延遲預(yù)定時(shí)間段；以及響應(yīng)于所述延遲的使能信號(hào)生成所述高壓。
全文摘要
一種用于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的高壓生成電路，通過(guò)基于高壓的電平控制用于感測(cè)高壓的電流，或者通過(guò)將振蕩器的操作延遲預(yù)定時(shí)間段，來(lái)減少高壓的過(guò)沖，其中該振蕩器生成用于生成該高壓的時(shí)鐘信號(hào)。
文檔編號(hào)G11C16/30GK101226775SQ20071030037
公開(kāi)日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2007年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者李炳勛, 金永澤 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社