技術(shù)編號：6780062
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高壓生成電路，尤其涉及用于減少輸出電壓過沖的高壓生成電路和 方法。背景技術(shù)包括電可編程和可擦除^f渚單元(memory cell )的NAND閃存設(shè)備、NOR閃存 設(shè)備、電可擦除可編程只讀w^諸器(EEPR0M)設(shè)備等通常為了編考M者擦除^f諸單元 而使用高于電源電壓的高壓。為了減少用于編程或者擦除^H諸單元所需要的時間，應(yīng)當(dāng)減少用于生成禾4急定 高壓的時間。當(dāng)增加用于生成高壓的時鐘信號的頻率以減少用于生成禾4I定高壓的 時間時，可以iStit生...
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