專利名稱：磁頭滑塊的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭滑塊的制造方法，尤其是涉及具有薄膜磁頭部的磁頭 滑塊的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，磁盤裝置記錄密度的進(jìn)步越來越顯著，現(xiàn)在其增長更加突飛猛進(jìn)。 而且，到目前為止，主要采用相對于磁盤面水平記錄磁性數(shù)據(jù)的記錄方式，這 種方式稱為面內(nèi)記錄方式。{旦是，由于》茲極相互排斥，導(dǎo)致這種面內(nèi)記錄方式 難以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高密度化。即使，通過使記錄介質(zhì)的壓膜變薄來抑制磁極相斥 現(xiàn)象，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高密度化，但仍然會(huì)存在難以回避由于室溫的熱能造成不 穩(wěn)定記錄^茲化的熱擾動(dòng)問題。因此，近年來出現(xiàn)了采用垂直記錄方式實(shí)現(xiàn)進(jìn)一 步增加記錄密度的》茲盤裝置。
垂直記錄方式是指，例如，使用相對于硬盤垂直設(shè)置的磁頭(單磁極型磁
頭)，向夾在兩層記錄介質(zhì)(media)內(nèi)部的軟磁性層和單磁極頭之間的記錄層 施加磁場，沿垂直于磁盤面的方向磁化記錄層的磁性體，從而記錄數(shù)據(jù)的方法。 通過該方法，減少了隨著記錄密度的提高而作用到相鄰字位(bit)間的互相排 斥的磁場，并具有保持穩(wěn)定的記錄i茲化的特性。
以下，參照圖14至圖24說明專利文獻(xiàn)1所公開的，現(xiàn)有技術(shù)中具有采用 了垂直記錄方式的薄膜磁頭的磁頭滑塊之制造方法的一個(gè)實(shí)施例。
專利文獻(xiàn)l所涉及的磁頭，首先如圖15 (a)所示，在層積形成工序中，采 用包括鍍層處理或?yàn)R射(sputtering)等沉積技術(shù)、利用光刻(photolkhography) 或蝕刻(etching)等處理圖案形成(patterning) 4支術(shù)、以及才幾械加工或研磨力口 工等研磨技術(shù)在內(nèi)的現(xiàn)有薄膜加工技術(shù)，在基體100上形成具有多層薄膜結(jié)構(gòu) 的磁頭部110 (圖14中的步驟S101，晶圓工序)。在此參照圖17說明通過層積 形成工序被層積形成的磁頭部110的結(jié)構(gòu)。此外，圖17 (b)是磁頭部110側(cè)面的截面圖，圖17 (a)為圖17 (b)所示f茲頭部的左^L截面圖。
磁頭部110是，在由氧化鋁-碳化鈦復(fù)合物(Al203.TiC)等的陶資(ceramics) 材料制成的基板101 (基體101)上，依次層積由氧化鋁(A1203;以下簡稱為氧 化鋁)等材料所制成的絕緣層102、利用磁阻效應(yīng)(MR: magneto-resistance) 進(jìn)行讀取處理的讀取頭部110A、通過垂直記錄方式進(jìn)行寫入處理的寫入頭部 110B、由氧化鋁等材料所制成的保護(hù)層(overcoat) 114而形成的。下面對讀取 頭部IIOA和寫入頭部110B進(jìn)行詳細(xì)說明。
上述讀取頭部110A是，例如依次層積下部屏蔽層(shield) 103、屏蔽間隙 膜(shield gap) 104、上部屏蔽層兼旁軛(return yoke)層(以下簡稱"旁軛層") 106而形成的。所述屏蔽間隙膜104上埋設(shè)有作為磁性讀取器件的MR元件105， 并使其一個(gè)面暴露在空氣承載面(Air bearing) S (飛行面)上。下部屏蔽層103 及旁軛層106主要是將MR元件105與其周圍^茲性屏蔽的結(jié)構(gòu)。該下部屏蔽層 103及旁軛層106可由鎳鐵合金(NiFe (以下簡稱為坡莫合金(permalloy,商品 名))；Ni:質(zhì)量百分比為80%， Fe:質(zhì)量百分比為20%)等的磁性材料制成。
此外，屏蔽間隙膜104是將MR元件105與下部屏蔽層103或旁軛層106 磁性且電性分離的部件。該屏蔽間隙膜104，例如由氧化鋁等非磁性非導(dǎo)電性材 料制成。MR元件105為利用巨磁阻效應(yīng)(GMR, giant magneto-resistive)或隧 道/f茲阻效應(yīng)(TMR: tunneling magneto-resistive effect)進(jìn)4亍讀取處理的器件。
上述寫入頭部110B是，例如依次層積旁輒層106、埋設(shè)薄膜線圏108的間 隙層107及軛層(yoke) 109、設(shè)置于間隙層107上并通過開口 107K經(jīng)由扼層 109與旁軛層106磁性連接的磁極層111、絕緣層112、寫屏蔽層(write shield) 113而形成的。如上所述，旁軛層106具有在讀取頭部110A中將MR元件105 與周圍磁性屏蔽的功能，同時(shí)還承擔(dān)了在寫入頭部110B中將從磁極層111中釋 放出的磁束經(jīng)由硬盤(圖未示)進(jìn)行環(huán)流的功能。該旁軛層106可由坡莫合金 (Ni:質(zhì)量百分比為80%, Fe:質(zhì)量百分比為20%)等磁性材料制成。
此外，間隙層107包括配置在旁軛層106上并設(shè)有開口 107K的間隙層部分 107A、設(shè)置于該間隙層部分107A上并覆蓋薄膜線圏108的各巻線圏之間部位及其周邊部位的間隙層部分107B、局部覆蓋間隙層部分107A、 107B的間隙層 部分107C。間隙層部分107A可由氧化鋁等非磁性非導(dǎo)電性材料制成。間隙層 部分107B可由通過力。熱能夠顯示出流動(dòng)性的光刻膠(photoresist,感光性樹脂) 或旋涂玻璃(SOG， spin-on-glass)等制成。間隙層部分107C可由氧化硅或硅 氧化物(Si02)等非磁性非導(dǎo)電性材料制成，并且其厚度大于間隙層部分107B 的厚度。
薄膜線圈108主要為產(chǎn)生記錄用磁束的裝置。該薄膜線圏108可由銅(Cu) 等高導(dǎo)電性材料制成，并且具有以旁軛層106與軛層109的連接部分為中心螺 旋(spiral)狀巻繞的線圈結(jié)構(gòu)。此外，圖17 (b)僅表示出了構(gòu)成薄膜線圈108 的多條線圈中的一部分。軛層109為磁性連接旁軛層106和磁極層111的部件， 可由坡莫合金(Ni:質(zhì)量百分比為80%， Fe:質(zhì)量百分比為20%)等的石茲性材 料制成。
磁極層111主要是收聚薄膜線圈108所產(chǎn)生的磁束并將該磁束射向磁盤(圖 未示)的部件。該磁極層111可由鐵鈷合金(FeCo)、鐵類合金(Fe-M; M為 4A、 5A、 6A、 3B、 4B族的金屬元素)、或者這些合金的氮化物等制成。絕緣層 112主要是磁性且電性分離磁極層111和寫屏蔽層113的部件，可由氧化鋁等非 磁性非導(dǎo)電性材料制成。寫屏蔽層113主要是將磁極層111與其周圍磁性屏蔽的 部件，0可由坡莫合金(Ni:質(zhì)量百分比為80%, Fe:質(zhì)量百分比為20%)等磁 性材料制成。
其次，參照圖18,對薄膜磁頭主要部分的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。圖18為表示 上述i茲頭部110主要部分平面結(jié)構(gòu)的放大圖。即如圖17 (a)所示》茲頭部的俯視 圖。此外，作為^f茲頭部的主要部分，列舉說明了旁軛層106、》茲極層111和寫屏 蔽層113。
所述旁軛層106、磁極層111和寫屏蔽層113,其各自的一個(gè)端部分別暴露 在將基體100上層積形成有》茲頭部110的層積體以條塊(bar-block)狀切割時(shí)所 形成切割面S，上。磁極層111露出于切割面S，的部分則形成了用于規(guī)定磁盤上 的記錄磁軌寬度并具有極小寬度的前端部111A,該前端部111A形成為從后端部111B開始寬度漸漸聚攏變窄的結(jié)構(gòu)。此外，旁軛層106和寫屏蔽層113形成 為在切割面S，上除去了其寬度方向的端部的形狀，具體來說，分別形成了與切 割面S成規(guī)定角度傾斜的錐形(tapered)的傾斜面106A和113A。而且，這樣 的各層106、 111和113的形狀可以在上述層積形成工序(晶圓工序)中被分別 形成。
然后，如圖15 (b)所示，從層積有如上所述結(jié)構(gòu)的磁頭部IIO的基體IOO (層積體)中切割出條塊130 (圖14的步驟S102)。此時(shí)則沿圖18中所示的 切割面S'進(jìn)行切割。如圖19的截面圖和圖20的俯視圖所示，將該切割面S，研 磨(lapping)至成為飛行面S的位置處(圖14的步驟S103 )，從而調(diào)整作為讀 取元件的MR元件105及作為寫入元件的磁極層111的前端部111A的長度。因 此，如圖22的立體圖所示，在/f茲頭部110的飛行面S上，形成分別除去了旁軛 106及寫屏蔽層113的寬度方向端部的錐形形狀(傾斜面106A， 113A)。但如 圖21所示，這種錐形形狀傾斜面106A、 113A的前端側(cè)及周圍，埋設(shè)有氧化鋁 等絕緣體。
接著，對于如圖16 (a)所示的條塊130，在其磁頭滑塊131的飛行面S上 形成規(guī)定形狀的ABS (圖14的步驟S104)。然后，使用滑塊切割裝置從條塊 103上切割出單個(gè)^茲頭滑塊131 (圖14的步驟S105)。由此，如圖16 (b)所 示，基體IOO部分成為滑塊部100,并形成在其端部上具有磁頭部110的磁頭滑 塊131。
之后，形成承載有按照上述方法所制造出的磁頭滑塊131的磁頭折片組合 (head gimbal assembly)，并且可以組入該磁頭折片組合而形成的磁盤裝置。下 面參照圖23 (a)說明通過組裝到該磁盤裝置上的磁頭滑塊所進(jìn)行的記錄動(dòng)作。
上述i茲頭部IIO在進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄時(shí)，若電流通過外部回路(圖未示)流經(jīng) 寫入頭部110B的薄膜線圈108,則會(huì)在薄膜線圏108中產(chǎn)生磁束Jl。此時(shí)產(chǎn)生 的》茲束J1通過輒層109收聚于》茲才及層111，并從該》茲極層111的端面(飛行面S) 射向磁盤300的記錄層302后，再經(jīng)由底層(backlayer) 301環(huán)流到旁軛層106 中。此時(shí)，根據(jù)磁極層lll發(fā)射的磁束產(chǎn)生磁場(垂直磁場)，從而向著垂直交于記錄層302表面的方向磁化該記錄層302，通過該記錄層302被垂直磁場磁 化的動(dòng)作，從而在;茲盤300上記錄信息。
另一方面，在讀取信息時(shí)，若感應(yīng)電流流經(jīng)讀取頭部IIOA的MR元件105， 則根據(jù)/A^茲盤300的記錄層302產(chǎn)生的讀取用信號磁場，MR元件的磁阻值將會(huì) 發(fā)生變化。通過以感應(yīng)電流的變化來檢測出該磁阻變化的操作，從而讀取出記 錄于磁盤300的信息。
在上述專利文獻(xiàn)1 ^Hf的i茲頭部110中，通過在旁軛層106的寬度方向的 兩側(cè)形成兩個(gè)錐形傾斜面106A、及在寫屏蔽層113的寬度方向的兩側(cè)形成兩個(gè) 錐形傾斜面113A的設(shè)計(jì)，以及根據(jù)下述理由，可以抑制作為不必要記錄處理的 磁軌擦除現(xiàn)象的發(fā)生，還可以提高磁記錄操作的可靠性。
圖23 (b)為現(xiàn)有技術(shù)中的^ 茲頭部的示意圖，如圖所示在上述旁軛層106等 寬度方向的端部上沒有形成錐形傾斜面，并且在圖中還表示出了該;茲頭部在記 錄時(shí)的磁束的流動(dòng)方向。此外，圖24是旁輒層的形狀(現(xiàn)有技術(shù)無錐面，專 利文獻(xiàn)l:有錐面)與其磁場強(qiáng)度間關(guān)系的測定結(jié)果才莫式圖。首先，對于如圖 23 (b)所示的現(xiàn)有技術(shù)的磁頭部來說，例如，其旁軛層206上未設(shè)有如專利文 獻(xiàn)l中所示的錐形的傾斜面106A，其旁軛層206形成為具有兩個(gè)角部206B的 完整的矩形形狀。而且，其寫屏蔽層213上也未設(shè)有錐形的傾斜面113A,其寫 屏蔽層213形成為具有兩個(gè)角部206B的完整的矩形形狀。
因此，在圖23 (b)所示的現(xiàn)有技術(shù)的磁頭部中，從磁極層211射出的磁束 J2環(huán)流到旁軛層206時(shí)，該環(huán)流》茲束J2會(huì)局部集中到旁軛層206的角部206B 中。而且，同樣地，從磁極層111釋放的磁束J2或外部磁束也會(huì)局部集中到寫 屏蔽層213的角部213B中。因此，如圖24所示，在旁軛層206及寫屏蔽層213 的各角部206B、 213B附近出現(xiàn)了局部磁場強(qiáng)度顯著升高的狀況。其結(jié)果為，集 中到各角部206B、 213B的》茲束會(huì)意外產(chǎn)生垂直》茲場，由此該i茲盤300會(huì)進(jìn)行不 必要的記錄處理，從而發(fā)生磁軌擦除現(xiàn)象。因此降低了磁性記錄操作的可靠性。
針對這種狀況，如圖23 (a)所示，在專利文獻(xiàn)1的磁頭部110中分別在其 旁軛層106上設(shè)置了錐形傾斜面106A、在寫屏蔽層113上設(shè)置了錐形傾斜面113A，從而消除了誘導(dǎo)磁束集中的角部，如圖24所示，在傾斜面106A、 113A 附近不會(huì)出現(xiàn)局部磁場強(qiáng)度顯著集中的狀況。因此，專利文獻(xiàn)l克服了現(xiàn)有技 術(shù)中的磁頭部中存在的磁束集中問題，并降低了由此導(dǎo)致的不必要記錄處理的 發(fā)生率，從而抑制了磁軌擦除的產(chǎn)生，可以提高磁性記錄操作的可靠性。
但是，在上述專利文獻(xiàn)l中公開的磁頭滑塊的制造方法中，由于在薄膜層積 工序(晶圓工序)中是在旁軛層或?qū)懫帘螌拥膶挾确较虻膬啥松闲纬慑F形的傾 斜面，因而圖案形成工序等的層積時(shí)所要進(jìn)行的工序變得十分復(fù)雜。因此存在 延長制造時(shí)間的同時(shí)還增加制造成本的問題。并且，由于是在薄膜層積工序中 形成了這樣的形狀，因而實(shí)際上所述錐形傾斜面的周圍被埋入絕緣體中，從而 提高了相關(guān)部分與磁盤接觸的可能性。其結(jié)果，產(chǎn)生了難以提高磁盤裝置可靠 性的問題。
因此，本發(fā)明改善了上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，提供一種制造讀寫數(shù)據(jù) 可靠性高的磁頭滑塊的方法，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了簡化該磁頭滑塊制造工序、縮短制 造時(shí)間以及降低制造成本的目的。
專利文獻(xiàn)1:日本專利申請?zhí)亻_2004-39148號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施方式所涉及的一種磁頭滑塊的制造方法，包括層積形成具有讀 取元件及/或?qū)懭朐⒁约皩υ撟x取元件及/或?qū)懭朐M(jìn)行,茲性屏蔽的磁性屏 蔽層的磁頭部之層積形成工序，并從層積形成有》茲頭部層的層積體中切割出f茲 頭滑塊，其特征在于該方法還包括屏蔽層端部除去工序，從而在進(jìn)行層積形成 工序后，除去位于磁頭滑塊飛行面?zhèn)鹊拇判云帘螌訉挾确较虻亩瞬?。此外，?述磁性屏蔽層包括具有使寫入元件所產(chǎn)生的磁束回流的功能的部件。
而且，作為上述層積形成工序的后續(xù)工序，該方法還包括從層積體中切 割出由多個(gè)磁頭滑塊相連而成的條塊的條塊切割工序；從該條塊中切出單個(gè)磁 頭滑塊的滑塊切斷工序；以及，至少在條塊切割工序之后所進(jìn)行的屏蔽層端部 除去工序。
上述屏蔽層端部除去工序進(jìn)一步包括在磁頭滑塊的飛行面上形成掩模的掩膜形成工序，該掩模覆蓋讀取元件;^/或?qū)懭朐统判云帘螌訉挾确较蚨?br> 部之外的中央部分；從飛行面?zhèn)绕鸪ノ幢谎谀じ采w的部分至規(guī)定深度的除去工序。
根據(jù)上述本發(fā)明實(shí)施方式，在f茲頭滑塊的制造工序中，層積形成磁頭部后， 從磁頭滑塊的飛行面?zhèn)绕鸪ゴ判云帘螌訉挾确较虻亩瞬俊Ｓ纱?，在讀寫取數(shù) 據(jù)時(shí)，磁束不會(huì)集中于磁性屏蔽層的端部，從而能夠抑制磁軌擦除現(xiàn)象的發(fā)生 生。而且，由于是在進(jìn)行層積形成工序之后才從飛行面?zhèn)瘸ゴ判云帘螌拥亩?部，所以即使有多層磁性屏蔽層也能同時(shí)除去其端部，從而可以實(shí)現(xiàn)筒化制造 工序。這樣不僅可以縮短制造時(shí)間，還可以減少制造成本。
還有，在本實(shí)施方式的屏蔽層端部除去工序中，除去的是露出于飛行面上 的磁性屏蔽層寬度方向的端部以及形成在該端部周圍的絕緣體部。由于除去了 磁性屏蔽層的端部和其周圍的絕緣體部，在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)，可以增大f茲頭部和》茲 盤間的距離。因此，不僅可以抑制磁頭部與磁盤的接觸，還能提高讀寫數(shù)據(jù)的 穩(wěn)定性;s^茲頭的耐用性。
還有，所述磁頭滑塊的制造方法還包括ABS形成工序，從而在上述滑塊切
割工序前后，在i茲頭滑塊的飛行面上形成規(guī)定形狀的空氣承載面，并且把屏蔽
層端部除去工序作為ABS形成工序的一部分來進(jìn)行。因此，在ABS形成過程中 能夠同時(shí)進(jìn)行除去上述磁性屏蔽層的端部的工序，從而可以簡化制造工序。
還有，本實(shí)施方式中，上述屏蔽層端部除去工序還包括DLC形成工序，從 而在進(jìn)行所述掩膜形成工序前，在所述飛行面上形成類金剛石碳膜(diamond like carbon)層。而且，該屏蔽層端部除去工序還包括在除去工序后進(jìn)一步在飛行面 上形成類金剛石碳膜層的第二DLC形成工序，同時(shí)還包括其后對飛行面進(jìn)行規(guī) 定處理后再將形成在該飛行面上的所述類金剛石石灰膜層全部除去的DLC除去工 序。并且，還包括第三DLC形成工序，從而在進(jìn)行ABS形成工序后，形成覆 蓋飛行面的類金剛石碳膜層。此外，也可以用所述類金剛石碳膜層來保護(hù)最終 形成的磁頭滑塊的飛行面。
本發(fā)明其他實(shí)施方式所涉及的一種磁頭滑塊，具有層積形成并包含讀取元
10件;^/或?qū)懭朐蛯υ撟x取元件A/或?qū)懭朐M(jìn)行磁性屏蔽的磁性屏蔽層的
磁頭部，其特征在于除去了位于該磁頭滑塊的飛行面?zhèn)鹊拇判云帘螌訉挾确?br> 向的端部，而該磁性屏蔽層的被除去部分則露出于飛行面上。此外，還除去了位于磁頭滑塊的飛行面?zhèn)鹊拇判云帘螌訉挾确较虻亩瞬俊⒁约拔挥谠摱瞬恐車慕^緣體部，而磁性屏蔽層和絕緣體部的被除去部分則露出于飛行面上。并且,在飛行面的整體上形成了類金剛石碳膜層。
另外，本發(fā)明還提供了具備使用上述磁頭滑塊制造方法所形成的磁頭滑塊或者具有上述結(jié)構(gòu)的磁頭滑塊的磁頭折片組合，以及具有該磁頭折片組合的磁盤裝置。
由于本發(fā)明具有上述結(jié)構(gòu)及功能，因而所制造出的》茲頭滑塊在》茲盤上不會(huì)使磁束集中到磁性屏蔽層的端部上，這樣可以抑制磁軌擦除狀況的發(fā)生，從而能夠提高讀寫數(shù)據(jù)的可靠性。此外，在制造工序中，由于磁性屏蔽層的端部是在進(jìn)行層積形成工序之后才從飛行面?zhèn)绕鸪サ?，所以即使在有多層磁性屏蔽層的情況下也能夠同時(shí)除去它們的端部，因而可以簡化制造工序。這樣，不僅可以縮短制造時(shí)間，還能夠降低制造成本。并且，由于^f茲性屏蔽層端部的除去部分中不存在絕緣體等其它物體，且相關(guān)部分為空間部分，所以不但可以增大磁頭部和磁盤間的距離，還可以抑制二者相接觸的現(xiàn)象，從而能夠?qū)崿F(xiàn)提高可靠性的目的。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭滑塊制造方法的流程圖。
圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭滑塊制造方法的流程圖，是對圖1中的部分工序進(jìn)行詳細(xì)說明的流程圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的俯一見圖。圖5是本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的立體圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭滑塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是表示本發(fā)明實(shí)施例所述的制造磁頭滑塊時(shí)的各個(gè)工序狀態(tài)的示意圖。圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例所述的制造磁頭滑塊時(shí)的各個(gè)工序的狀態(tài)示意圖。圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例所述的制造磁頭滑塊時(shí)的各個(gè)工序狀態(tài)的示意圖。圖IO是表示本發(fā)明實(shí)施例所述的制造石茲頭滑塊時(shí)的各個(gè)工序狀態(tài)示的意圖。圖。
圖12是承載了本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭滑塊的磁頭折片組合示意圖。圖13是承載了本發(fā)明實(shí)施例所述的磁頭折片組合的磁盤裝置示意圖。圖14是表示現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的磁頭滑塊制造方法的流程圖。圖15是表示現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的制造^f茲頭滑塊時(shí)的各個(gè)工序狀態(tài)的示意圖。
圖16是表示現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的制造磁頭滑塊時(shí)的各個(gè)工序狀態(tài)的示意圖。
圖17是現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的截面圖。圖18是現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖19是現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的截面圖。圖20是現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖21是現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖22是現(xiàn)有技術(shù)中的 一個(gè)實(shí)施例所述的磁頭部層積結(jié)構(gòu)的立體圖。圖23是說明現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的進(jìn)行磁頭部的寫入操作時(shí)的磁
束流動(dòng)方向的示意圖。
圖24是體現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)實(shí)施例所述的旁軛層的形狀和其磁場強(qiáng)度間
關(guān)系的測定結(jié)果的模式圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明主要在磁頭滑塊的制造方法中把作為磁頭部的局部結(jié)構(gòu)并露出于磁性屏蔽層飛行面上的寬度方向端部的除去工序上，以及通過該方法制造出的磁頭部的結(jié)構(gòu)上具有特征。下面將以實(shí)施例對這些特征進(jìn)行說明。
12以下，參照圖1至圖13對本發(fā)明的第一實(shí)施例進(jìn)行說明。圖1至圖2是表示磁頭滑塊制造方法的流程圖。圖3至圖6是表示磁頭滑塊結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7至圖ll是在制造磁頭滑塊時(shí)表示各工序狀態(tài)的示意圖。圖12表示承載了所述制造出的磁頭滑塊之磁頭折片組合的示意圖。圖13表示承載了該磁頭折片組合的》茲盤裝置。
首先，簡要說明磁頭滑塊31的制造方法。因?yàn)榛静襟E與上述專利文獻(xiàn)l所示方法大致相同，所以將參照圖15和圖16進(jìn)行說明。
首先，如圖15(a)所示，在用陶瓷等材料制成的基體IOO上，采用光刻等方法進(jìn)行層積形成工序(晶圓工序(圖1的步驟1 ))，從而層積形成由多層薄膜層組成的磁頭部110 (本實(shí)施例中的符號10)。該層積形成工序是，例如在載置于操作臺(tái)上的基體100上，用'減射裝置等i殳備沉積層積材料。然后，根據(jù)需要，在沉積的薄膜上進(jìn)行涂膠(resist)、曝光、顯影，然后使用蝕刻裝置呈設(shè)備將薄膜層形成為目標(biāo)形狀。因此，如圖15(a)所示，在基體100的幾乎整個(gè)面上形成多個(gè)^f茲頭部110。此外，在本實(shí)施例的層積形成工序中沒有如上述專利文獻(xiàn)中說明的旁軛層106或?qū)懫帘螌?13等的各個(gè)磁性屏蔽層上形成傾斜部的工序。關(guān)于這一點(diǎn)將在后面敘述。
接著，如圖5 (b)所示，將如圖15 (a)所示形成有磁頭部IIO的基體IOO切割成由多個(gè)磁頭滑塊31連接而成的細(xì)長條塊130(本實(shí)施例中的符號30)(圖1的步驟S2，條塊的切割工序)。切割該條塊30時(shí)，例如先用夾具上下固定將由多個(gè)條塊30連接而成的塊體(block),之后一邊沿上下方向拉伸一邊用切片機(jī)(slicer)切出單個(gè)條塊30。此外，各條塊的切割是在完成為了使露出于飛行面S上的寫入元件及讀取元件符合規(guī)定尺寸而進(jìn)行的研磨工序之后再進(jìn)行。并在圖16(a)中表示出了切割后的條塊130。之后，將沿著如圖6(a)中所示的虛線，再把條塊BO切割成單個(gè)的磁頭滑塊131 (本實(shí)施例，符號31)。
接著，用研磨裝置研磨將作為磁頭滑塊131飛行面S的條塊130之表面(圖1的步驟S3、研磨工序)。通過研磨把露出于飛行面S的寫入元件及讀取元件的尺寸調(diào)整為最終元件長度。
接著，在研磨后成為磁頭滑塊131飛行面的條塊130的表面上，形成具有規(guī)定凹凸形狀的空氣承載面(以下稱為"飛行面，，或者"ABS")(圖1的步驟S4、ABS形成工序)。此時(shí)，還同時(shí)進(jìn)行作為本發(fā)明特征之一的磁性屏蔽層的端部除去處理(圖1的步驟S5、屏蔽層端部除去工序)。進(jìn)行的相關(guān)處理將在以后說明。
之后，用滑塊切割裝置將條塊130切割成單個(gè)磁頭滑塊131 (圖1的步驟S6、滑塊切割工序)。由此，如圖15 (b)所示，基體100部分成了滑塊部(本實(shí)施例中的符號20)，并形成端部上配置有石茲頭部110 (本實(shí)施例中的符號10)的磁頭滑塊131 (本實(shí)施例中的符號31)。接著，對切割出的每個(gè)磁頭滑塊131進(jìn)行洗凈等規(guī)定處理，從而完成磁頭滑塊131的制造。當(dāng)然，上述的步驟只是一個(gè)實(shí)施例，也可經(jīng)由其他的步驟或者工序來制造^f茲頭滑塊131。
以下，詳細(xì)說明在形成ABS時(shí)(ABS形成工序)進(jìn)行的作為本發(fā)明特征之一的除去磁性屏蔽層端部的處理步驟。
首先，參照圖3至圖6說明磁頭部IO的結(jié)構(gòu)，即，如上所述，被切割成條塊30且飛行面S被研磨的磁頭部10，也就是說，進(jìn)行ABS形成及磁性屏蔽層端部除去工序之前的磁頭部10的結(jié)構(gòu)。圖3 (b)表示的是磁頭部10的側(cè)面的截面圖，圖3(a)表示的是該截面圖的左視圖。
如圖3所示，在本實(shí)施例中層積形成的磁頭部10是，在例如由氧化鋁J灰化鈦復(fù)合物(Al203TiC)等陶瓷材料制成的基板1 (基體100)上依次層積例如由氧化鋁(A1203)制成的絕緣層2、利用f茲阻效應(yīng)(MR; Magneto-resistance)進(jìn)行讀取處理的讀取磁頭部IOA、通過垂直記錄方式進(jìn)行記錄處理的寫入頭部IOB、以及例如由氧化鋁制成的保護(hù)層14而形成的。
其中，上述讀取頭部10A是，依次層積下部屏蔽層3、屏蔽間隙膜4、上部屏蔽層兼旁軛層(以下簡稱"旁軛層")6而形成的。而且，在屏蔽間隙膜4上埋設(shè)有磁性讀取裝置的MR元件5，并使其一個(gè)端面暴露在空氣承載面(Air
14bearing) S (飛行面)上。下部屏蔽層3和旁軛層6主要是使MR元件5與其周圍磁性屏蔽的結(jié)構(gòu)，是本發(fā)明中的磁性屏蔽層。下部屏蔽層3和旁軛層6可以由鎳鐵合金(NiFe (以下簡稱為坡莫合金(permalloy,商品名))；Ni:質(zhì)量百分比為80%， Fe:質(zhì)量百分比為20%)等^f茲性材料制成。
還有，屏蔽間隙膜4是將MR元件5與下部屏蔽層3或旁軛層6磁性且電性分離的結(jié)構(gòu)。該屏蔽間隙膜4可以由氧化鋁等非磁性非導(dǎo)電性材料制成。MR元件5是利用巨^茲阻效應(yīng)(GMR， giant magneto-resistive )或隧道^茲阻效應(yīng)(TMR:tunneling magneto-resistive effect)進(jìn)行讀取處理的器件。
上述寫入頭部10B是，依次層積旁軛層6、埋設(shè)薄膜線圈8的間隙層7 (間隙層部分7A， 7B， 7C)及輒層(yoke) 9、設(shè)置于間隙層7上并通過開口 7K經(jīng)由軛層9與旁軛層6磁性連接的磁極層11、絕緣層12、寫屏蔽層13而形成的。
所述旁軛層6具有如上所述將MR元件5與其周圍磁性屏蔽的功能，同時(shí)還承擔(dān)了在寫入頭部IOB上將從磁極層11中釋放出的磁束經(jīng)由硬盤(圖未示)進(jìn)行環(huán)流的功能。同時(shí)，該旁軛層6還具有將作為寫入元件的i茲極層11與其周圍磁性屏蔽的功能。該旁軛層6可以由坡莫合金(Ni:質(zhì)量百分比為80%, Fe:質(zhì)量百分比為20%)等》茲性材料制成。
磁極層11主要用于收聚薄膜線圈8產(chǎn)生的磁束，并將該磁束(圖未示)射向f茲盤上的裝置。絕緣層12主要是將磁極層11與寫屏蔽層13磁性且電性分離的結(jié)構(gòu)，可以由氧化鋁等非磁性非導(dǎo)電性材料制成。寫屏蔽層13主要是將磁極層11與其周圍磁性屏蔽的結(jié)構(gòu)。該寫屏蔽層13可由坡莫合金(Ni:質(zhì)量百分比為80%， Fe:質(zhì)量百分比為20%)等磁性材料制成。
本實(shí)施例中，上述旁軛層6及寫屏蔽層13與上述下部屏蔽層3及旁軛層6同樣具有^f茲性屏蔽的功能。此外，因?yàn)樯鲜觥菲濐^部IO的層積結(jié)構(gòu)與上述專利文獻(xiàn)l的結(jié)構(gòu)幾乎相同，所以不再對其進(jìn)行更加詳細(xì)的說明。
參照圖4至圖6詳細(xì)說明上述磁頭部10的主要部分的結(jié)構(gòu)。圖4是表示磁頭部IO主要部分的平面結(jié)構(gòu)的放大圖，即表示的是如圖3(a)所示的磁頭部
15IO的俯視圖。圖5是表示磁頭部IO主要部分的立體圖。圖6是從飛行面?zhèn)扔^察 的條塊30上的磁頭滑塊31的示意圖。
在此，作為磁頭部10的主要部件，舉例說明了寫入元件i茲極層11、以及， 具有磁性屏蔽功能的旁軛層6及寫屏蔽層13。此外，雖然下部屏蔽層3也具有 磁性屏蔽的功能，并與上述旁軛層6及寫屏蔽層13相同，在后述的步驟中被除 去了其端部，^f旦在圖4、圖5中省略了下部屏蔽層3的圖示。
如圖4至圖6所示，下部屏蔽層3 (圖4、圖5中未示出)、MR元件5 (圖 4、圖5中未示出)、旁軛層6、》茲極層11、以及寫屏蔽層13分別將其一端部暴 露在可成為磁頭滑塊31飛行面(ABS)的面S上。如圖4、圖5所示，磁極層 11露出于飛行面S的部分則形成為用于規(guī)定磁盤上的記錄磁軌寬度并具有極小 的規(guī)定寬度的前端部IIA。此外，旁軛層6及寫屏蔽層13的一個(gè)端部則沿飛行 面S形成為直線形狀。也就是說，此時(shí)，如上述專利文獻(xiàn)l所示，旁扼層6及 寫屏蔽層13在飛行面S上的寬度方向之端部沒有形成為錐形的傾斜面，而是形 成大致直角的形狀。此外，如圖6所示，在旁軛層6及寫屏蔽層13的周圍則埋 設(shè)在絕緣體15中。
之后，在具有上述形狀的^f茲頭滑塊31 (條塊30)上形成ABS (圖1的步驟 S4)，并在磁頭部10中除去作為磁性屏蔽層的旁軛層6及寫屏蔽層13的端部(圖 1的步驟S5)。這些步驟如圖2所示，各工序的狀態(tài)如圖7至9所示。
首先，如圖7 (b)所示，在作為如圖7 (a)所示的條塊30表面的磁頭滑 塊31之飛行面S面上，涂布(coating)類金剛石碳膜(DLC)，從而形成類金 剛石碳膜層51、 52(圖2的步驟S11, DLC形成工序)。此外，通常在形成DLC 之前會(huì)設(shè)置Si等種晶層，但是這種Si等的種晶層其附著性強(qiáng)，因而在后續(xù)打磨 (miling)工序中很難將其完全除去。因此，在本發(fā)明中代替Si等種晶層，用 低內(nèi)壓的DLC形成第一層，然后在其上用DLC形成第二層。這樣，在后續(xù)工 序中就容易從飛行面上除去DLC。
之后，如圖7(c)所示，對上述兩層DLC層51、 52進(jìn)行涂布光刻膠 (photoresist)、曝光、顯影，從而形成掩膜40 ((圖2的步驟S12，掩膜形成工序)。此時(shí)，如圖9(a)中的符號41部分所示，將掩膜40形成為覆蓋作為讀取 元件的MR元件5以及作為寫入元件的;茲極層11 ，并同時(shí)覆蓋旁軛層6及寫屏 蔽層13等磁性屏蔽層的中央部分的形狀(參照圖6)。也就是說，掩膜40的符 號41部分的寬度，雖然可以覆蓋MR元件5以及磁極層11的整體部分，但不 覆蓋飛行面上的旁軛層6及寫屏蔽層13等磁性屏蔽層的寬度方向的兩端部分。 例如，在圖9 (a)所示的實(shí)施例中寬度為30pm。此外，因?yàn)榧杏趯懫帘螌?13等的端部(邊緣)的磁場大小會(huì)隨其磁頭部的結(jié)構(gòu)或記錄介質(zhì)等的不同而改 變，所以上述符號41部分的掩膜(光刻膠)的寬度也要隨之進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。 例如，如圖9 (b)所示，還可形成比圖9 (a)所示寬度更小的寬度，如15pm， 其寬度可為任意值。
此外，滑塊部20上也形成有掩膜40，這是因?yàn)槔迷撗谀?0也可以形成 磁頭滑塊31的ABS。即，應(yīng)該在形成ABS淺槽(shallow)部分的同時(shí)，形成 與ABS目標(biāo)形狀相對應(yīng)的掩膜圖案(maskpattern)。
接著，如圖7 (d)所示，利用離子打磨法(ionmilling)除去沒有被掩膜 40覆蓋(cover)的部分(圖2的步驟S13,除去工序)。此時(shí)的離子打磨法被稱 為淺離子打磨法(shallow ion milling )。進(jìn)4亍該打磨可j吏用Ar氣，Ar的流量為 9sccm,角度為45度，加速電壓為900V，時(shí)間為7.5分鐘。
而且，在圖10至圖11中示出了進(jìn)行離子打磨之后的在飛行面S上的寫屏 蔽層13等的形狀。如這些圖所示，形成平坦飛行面S的部分是凈皮掩膜40的符 號41部分覆蓋的區(qū)域，從該區(qū)域的端部以角度e 1切下去即成為寫屏蔽層13等 的端部。此時(shí)，角度可以為61=8度，并且沿高度方向的切削高度為200納米。 而且，不僅是寫屏蔽層13等的端部部分，其周圍的絕緣體15 (例如，氧化鋁) 端部部分也是以角度e 2切削而成。
如上所述，并如圖10、圖ll所示，通過自飛行面起沿垂直方向除去規(guī)定深 度的寫屏蔽層13等磁性屏蔽層的寬度方向的端部，從而在該寫屏蔽層13等的 端部上形成傾斜面T。而且，由于上述除去處理是在已經(jīng)層積形成磁頭部10之 后進(jìn)行的，所以除去部分成為空間部分。即，通過除去工序所形成的傾斜面T成為露出于飛4亍面的面。
在進(jìn)行上述除去處理的同時(shí)，還要打磨滑塊部20側(cè)的部分，由此進(jìn)行ABS 淺槽部分的打磨。即在本實(shí)施例中，上述的寫屏蔽層13等磁性屏蔽層寬度方向 的端部除去處理工序是與作為ABS形成工序的淺槽打磨工序同時(shí)進(jìn)行的。
接著，如圖8 (a)所示，涂布類金剛石碳膜而形成類金剛石碳膜層53 (圖 2的步驟S14，第二DLC形成工序)，從而保護(hù)所述被打磨的部分(例如，傾斜 面T等)。此時(shí)，類金剛石碳膜層53附著在已有的掩膜40的側(cè)面上，形成了該 類金剛石碳膜層53的壁面。
接著，為形成ABS的腔洞，再次形成掩膜(圖2的步驟S15)，并且用離子 打磨法形成腔洞(圖2的步驟S16)。此外，為形成由多段凹凸形狀構(gòu)成的ABS, 在進(jìn)一步需要進(jìn)行打磨時(shí)應(yīng)反復(fù)進(jìn)行掩膜形成和打磨的工序。而且，如圖8(b), 完成了 ABS形狀之后就除去形成的掩膜40(光刻膠)(圖2的步驟S17)。此時(shí)， 如圖8(b)所示，在上述步驟S14中形成的類金剛石碳膜層53的壁面仍然存在， 并將其稱做為柵欄(fencing)。但是，如果形成的柵欄較大，就會(huì)產(chǎn)生磁頭滑塊 31接觸介質(zhì)(media)而導(dǎo)致的碰撞(Crash)等危險(xiǎn)性。因此，為除去柵欄要 進(jìn)4亍重蝕刻(heavy etching )。這種重蝕刻，例如，可使用Ar和02的混合氣體， 在02流量為12sccm ( standard cc/min)、 Ar流量為6sccm、角度為45度，蝕刻 時(shí)間為90秒、加速電壓為500V的條件下進(jìn)行蝕刻。DLC的蝕刻率(etching rate) 為每秒0.67埃(angstrom )。從而，如圖8(c)所示，從飛行面S上除去了已形 成的所有的類金剛石碳膜層51、 52、 53(圖2的步驟S18、 DLC的除去工序)。
其后，為保護(hù)磁頭滑塊31的ABS，在整個(gè)飛行面S上再次涂布類金剛石碳 膜，形成類金剛石碳膜層(圖2的步驟S19,第三DLC形成工序)。此時(shí)，為提 高該類金剛石碳膜層與磁頭滑塊31的飛行面S的附著性，如圖8(d)所示，首 先，在飛行面S上形成Si種晶層54，然后在其上形成最后的類金剛石碳膜層55， 以覆蓋整個(gè)的ABS。因此，灰塵等就難以附著在飛行面S上，從而可以降低發(fā) 生磁頭碰撞(headcrash)的危險(xiǎn)性并提高可靠性。
如圖12所示，把按照以上工序形成的磁頭滑塊31 (例如，參照圖16 (b))通過微驅(qū)動(dòng)器62承載于撓性件61的舌片面上，從而可以構(gòu)成磁頭折片組^(head gimbal assembly) 60。采用該》茲頭折片組合60可構(gòu)成承載了該》茲頭折片組合的 磁盤裝置70,從而可以對磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取操作。
在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)，如上所述，由于旁軛層6等》茲性屏蔽層的端部被除去后形 成傾斜面，因此從磁極層ll發(fā)出的磁束或者從外部發(fā)出的磁束不會(huì)集中于所述 部分，從而可以抑制磁軌擦除(trackerase)的發(fā)生，可以實(shí)現(xiàn)提高可靠性的目 的。尤其是，在制造工序中，由于磁性屏蔽層的斜面不是在層積形成工序中形 成，而是在其后從飛行面?zhèn)瘸ゴ判云帘螌拥亩瞬慷纬?，所以即使在有多?磁性屏蔽層的情況下，也能夠在層積形成時(shí)不經(jīng)過復(fù)雜的工序同時(shí)除去它們的 端部，從而可以筒化制造工序。因此，不但可以縮短制造時(shí)間，還能降低制造 成本。
并且，如上所述，通過除去磁性屏蔽層的端部或其周圍的絕緣體，使該除 去部分成了空間部分，而且所述除去部分的傾斜面T則暴露在飛行面上。因此， 可以增大磁頭部和磁盤間的距離，并能夠抑制磁頭與磁盤的接觸。其結(jié)果，可 以提高讀寫數(shù)據(jù)的穩(wěn)定化及磁頭耐用性。
此外，在ABS形成過程中，通過除去由類金剛石碳膜層形成的柵欄，進(jìn)一 步抑制了磁頭部與磁盤相接觸的現(xiàn)象發(fā)生。并且，由于最終形成了覆蓋ABS的 類金剛石碳膜層，因而可以防止灰塵的附著。因此，由于采用以上述方法制造 出的磁頭滑塊組成了磁盤裝置，從而可以提高該磁盤裝置的可靠性。
在本實(shí)施例中，作為i茲性屏蔽層的一種，結(jié)合附圖舉例說明了旁軛層6或 寫屏蔽層13,當(dāng)然，可以將下部屏蔽層3作為磁性屏蔽層使用，并可以除去位 于飛行面S側(cè)的寬度方向的端部。此外，磁性屏蔽層并不僅限于此，還可以把 對讀取元件或?qū)懭朐鸬酱判云帘喂δ艿拇判圆牧纤瞥傻牟考鳛榇判云?蔽層使用，而且，如上所述，可以除去飛行面上的寬度方向的端部。
如上所述，還舉例說明了除去磁性屏蔽層端部的工序作為ABS形成工序的 一部分而進(jìn)行的情況，當(dāng)然還可以在ABS形成工序以外的工序中采用其他方法 來進(jìn)行。但是，至少在進(jìn)行層積形成工序之后，被切割成條塊等部件之后進(jìn)行
19為宜，從而能夠進(jìn)行在飛行面?zhèn)鹊某ヌ幚?，以及露出該飛行面即可。
如上所述，作為磁頭部10的一個(gè)實(shí)施例，說明了具有"單磁極型磁頭"的裝
置，但并非僅限于此。例如還可以適用于制造具有使用了"環(huán)形磁頭"的磁頭部之 磁頭滑塊。
如上所述，舉例說明了制造復(fù)合型薄膜磁頭的情況，但并非僅限于此。例 如還適用于具有寫入用誘導(dǎo)型磁性變換元件的記錄專用薄膜磁頭、或者具有寫 入/讀取兼用的誘導(dǎo)型磁性變換元件的薄膜磁頭。此外，本發(fā)明還可以適用于對 換了寫入元件和讀取元件層積順序而成的薄膜磁頭。并且，本發(fā)明并不局限適 用于垂直記錄型薄膜磁頭，還可以適用于縱向記錄型(面內(nèi)記錄型)的薄膜磁 頭。
本發(fā)明所涉及的磁頭滑塊制造方法，可以應(yīng)用于制造承載于磁盤裝置上并 對磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作的磁頭滑塊。因此，具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。
權(quán)利要求
1. 一種磁頭滑塊的制造方法，包括層積形成具有讀取元件及/或?qū)懭朐⒁约皩υ撟x取元件及/或?qū)懭朐M(jìn)行磁性屏蔽的磁性屏蔽層的磁頭部之層積形成工序，并從層積形成有所述磁頭部層的層積體中切割出磁頭滑塊，其特征在于該方法還包括屏蔽層端部除去工序，從而在進(jìn)行所述層積形成工序后，除去位于磁頭滑塊飛行面?zhèn)鹊拇判云帘螌訉挾确较虻亩瞬俊?br> 2. 如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于作為所述層積形成 工序的后續(xù)工序，該方法還包括從層積體中切割出由多個(gè)磁頭滑塊相連接而成 的條塊的條塊切割工序、從該條塊中切出單個(gè)^茲頭滑塊的滑塊切斷工序、以及， 至少在所述條塊切割工序之后所進(jìn)行的所述屏蔽層端部除去工序。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于所述屏蔽層端 部除去工序包括在磁頭滑塊的飛行面上形成覆蓋所述讀取元件及/或所述寫入 元件和除所述磁性屏蔽層寬度方向端部之外的中央部分的掩膜之掩膜形成工 序、從所述飛行面?zhèn)绕鸪ノ幢凰鲅谀じ采w的部分至規(guī)定深度的除去工序。
4. 如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在 所述屏蔽層端部除去工序中，除去的是露出于所述飛行面上的所述磁性屏蔽層 寬度方向的端部以及形成在該端部周圍的絕緣體部。
5. 如權(quán)利要求2至4中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于該 方法還包括ABS形成工序，從而在所述滑塊切割工序前后，在磁頭滑塊的所述 飛行面上形成規(guī)定形狀的空氣承載面，并且把屏蔽層端部除去工序作為ABS形 成工序的一部分來進(jìn)行。
6. 如權(quán)利要求5所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于所述屏蔽層端部除 去工序還包括DLC形成工序，從而在進(jìn)行所述掩膜形成工序前，在所述飛行面 上形成類金剛石碳膜層。
7. 如權(quán)利要求6所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于所述屏蔽層端部除 去工序還包括在所述除去工序后進(jìn)一步在所迷飛行面上形成類金剛石-灰膜層的第二 DLC形成工序，同時(shí)還包括其后對所述飛行面進(jìn)行規(guī)定處理后再將形成在 該飛行面上的所述類金剛石碳膜層全部除去的DLC除去工序。
8. 如權(quán)利要求7所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于該方法還包括第三 DLC形成工序，從而在進(jìn)行所述ABS形成工序后，形成覆蓋所述飛行面的類金 剛石碳膜層。
9. 如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于所 述磁性屏蔽層包括具有使所述寫入元件所產(chǎn)生的磁束回流的功能的部件。
10. —種》茲頭滑塊，具有層積形成并包含讀取元件及/或?qū)懭朐蛯υ撟x取元 件及/或?qū)懭朐M(jìn)行磁性屏蔽的磁性屏蔽層磁頭部，其特征在于除去了位于 該磁頭滑塊的飛行面?zhèn)鹊拇判云帘螌訉挾确较虻亩瞬?，而該磁性屏蔽層的被?去部分則露出于飛行面上。
11. 如權(quán)利要求IO所述的磁頭滑塊，其特征在于除去了位于磁頭滑塊的飛行 面?zhèn)鹊乃鰂茲性屏蔽層寬度方向的端部、以及除去位于該端部周圍的絕緣體部， 而所述磁性屏蔽層和所述絕緣體部的被除去部分則露出所述于飛行面上。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的磁頭滑塊，其特征在于所述飛行面的整體上 形成有類金剛石碳膜層。
13. —種磁頭磁頭折片組合，其包括使用權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的 磁頭滑塊的制造方法所制成的磁頭滑塊，或者，權(quán)利要求10至12中任意一項(xiàng) 所述的石茲頭滑塊。
14. 一種磁盤裝置，其包括權(quán)利要求13所述的磁頭折片組合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在制造高可靠性磁頭滑塊的同時(shí)，還能夠簡化該磁頭滑塊的制造工序、并能縮短制造時(shí)間及制造成本的磁頭滑塊的制造方法。本發(fā)明所涉及的磁頭滑塊的制造方法，是包括層積形成具有讀取元件及/或?qū)懭朐?、以及對該讀取元件及/或?qū)懭朐M(jìn)行磁性屏蔽的磁性屏蔽層的磁頭部之層積形成工序，并從層積形成有磁頭部的層積體中切割出磁頭滑塊的一種方法，該方法還包括在層積形成工序結(jié)束后進(jìn)行的屏蔽層端部除去工序，以此除去位于磁頭滑塊飛行面?zhèn)鹊拇判云帘螌又畬挾确较虻亩瞬俊?br> 文檔編號G11B5/127GK101465125SQ20071030502
公開日2009年6月24日 申請日期2007年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月18日
發(fā)明者楊少輝, 比納羅·安東尼·雷蒙·麥拉德, 清水達(dá)也, 藤井隆司, 黃堅(jiān)輝 申請人:新科實(shí)業(yè)有限公司