專利名稱：：光信息記錄介質(zhì)、以及其制造方法及記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及追記型的光信息記錄介質(zhì)及其記錄方法，尤其涉及利用由半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的波長為360~450nm的激光(藍(lán)激光、藍(lán)色激光)進(jìn)行記錄的光信息記錄介質(zhì)、以及其制造方法及記錄方法。
背景技術(shù)：
：目前，一直以來對^f吏用了短波側(cè)的360450nm附近(例如為405nm左右)的藍(lán)激光的追記型的光信息記錄介質(zhì)進(jìn)行開發(fā)(參照專利文獻(xiàn)1:特開平11-120594號公報)。改光信息記錄介質(zhì)將有機色素化合物使用在光記錄層上，該有機色素化合物通過吸收激光而分解或變質(zhì)，作為調(diào)制度得到激光在記錄再生波長中的光學(xué)特性變化，從而進(jìn)行記錄，并且進(jìn)行再生。應(yīng)對近幾年的記錄的高密度化及高速化，激光^f吏用短波側(cè)的波長，雖然激光越靠近短波側(cè)，作為光記錄層就越需要形成更薄的薄膜，但進(jìn)行著尤其在得到高折射率的色素的方向上的開發(fā)、所謂HightoLow方式的光信息記錄介質(zhì)的開發(fā)(參照專利文獻(xiàn)2:特開2003-30442號公報)。即、在利用由記錄再生波長的折射率的變化引起的光學(xué)相位差而得到調(diào)制度。利用圖15說明該HightoLow方式的光信息記錄介質(zhì)的記錄原理。圖15是分別表示折射率n及消光系數(shù)k對于激光波長的關(guān)系的曲線圖，記錄后折射率n減少，隨之反射率R降低。通過使折射率n的變化An較大，而得到足夠的反射率的變化AR,從而確保記錄凹坑和其它部分之間的調(diào)制度，進(jìn)行可再生的記錄。另夕卜，通常消光系數(shù)k的曲線圖事實上與該色素的對于激光的吸光度的曲線圖相同，將該吸收峰值的長波側(cè)的波長(記錄波長)作為記錄光(激光)的波長。即、這是由于折射率n的曲線圖在消光系數(shù)k的曲線圖的長波側(cè)具有該吸收峰值，可在該記錄波長中使折射率n的變化An較大。另一方面，已知消光系數(shù)k在相同的記錄波長與折射率n同樣地在記錄后降低，若消光系數(shù)k降低，則反射率R增加。即、消光系數(shù)k的變化量Ak以減少由折射率n的變化An引起的反射率R的反射率的變化AR的方式起作用。即、作為相當(dāng)于(An-Ak)的量而得到AR的絕對值。因此，一直以來為了得到必要的水平的調(diào)制度，開發(fā)的關(guān)心向著選擇An盡可能大且Ak盡可能小的色素。然而實際上，現(xiàn)狀是對于記錄波長為360~450nm的區(qū)i或(例如為405nm左右)的激光，作為光記錄層3的色素材料未能得到適當(dāng)?shù)纳?。如上所述，作為色素材料需要得到適當(dāng)?shù)南庀禂?shù)k(吸收系數(shù))及較大的折射率n從而能夠充分地確保記錄前后的反差，以記錄再生波長位于色素的吸收光譜峰值的長波側(cè)的下降邊的方式選擇材料，設(shè)計成可得到較大的折射率n的變化An。再有，作為在該有機化合物上所要求的特性，不僅需要具有對于藍(lán)激光波長的上述光學(xué)性質(zhì)，而且要適宜地選擇分解性能。然而，在這樣的短波區(qū)域，具有光學(xué)特性與現(xiàn)有的CD-R及DVD-R同等的折射率n的材料較少。即、為了在藍(lán)激光附近具有有機化合物的吸收段，有必要使有機化合物的分子骨架較小，或者使共軛體系較短，但存在這些導(dǎo)致消光系數(shù)k的降低及折射率n的降低之類的問題。作為用于解決這一點的方法，雖然開始認(rèn)識到有通過利用代表締合的分子間的相互作用就能改進(jìn)光學(xué)性質(zhì)的可能性，但尚未達(dá)到能夠得到充分的記錄特性的地步。另夕卜，在對光信息記錄介質(zhì)的高速記錄中，由于需要以比現(xiàn)有技術(shù)或者低速記錄時還短的時間進(jìn)行規(guī)定的記錄，因而記錄功率變高，記錄時所產(chǎn)生的記錄層的熱量或者每個單位時間的熱量變大，熱變形的問題易于表面化，成為記錄凹坑離散的原因。另外，在用于照射激光的半導(dǎo)體激光器的出射功率自身有限度，因而要求能夠應(yīng)對高速記錄的高靈敏度的色素材料。如前面所述，該光信息記錄介質(zhì)在光記錄層上使用有機色素化合物，對于短波側(cè)的激光，尤其以得到高折射率的方向上的開發(fā)為主。在藍(lán)激光波長附近具有吸收段的有機化合物目前有多種，且可控制消光系數(shù)k,而由于不具有較大的折射率n，因此，為了確保記錄部(記錄凹坑)的光學(xué)相位差而得到調(diào)制度，需要有某種程度的色素薄膜。然而，使用藍(lán)激光的記錄介質(zhì)，由于要求高密度記錄，且物理上的信道間距較窄，色素分解時的熱易于傳到相鄰的信道，因而存在導(dǎo)致特性惡化之類的問題。另外，最近雖然也進(jìn)行通過LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)的開發(fā)，但在藍(lán)激光波長區(qū)域，尤其在凹槽相對于激光的入射成為凹方向，且將0.1mm的光透射層設(shè)置在激光的入射面上的光信息記錄介質(zhì)的場合，若使用以記錄前過該LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)，導(dǎo)致未記錄時的推挽(NPPb)信號變得過高。若推挽(NPPb)信號變得過高，則在通過像散法的聚焦方式中，存在光電檢測器的明暗識別困難，不能進(jìn)行聚焦隨動，或者即使在DPP(差動推挽)方式中，光電檢測器的明暗識別也困難，不能跟著進(jìn)行跟蹤之類的問題。另外，有必要在背景使用消光系數(shù)較大的有機色素，推挽的值受凹槽的槽深和寬度的影響而容易變大。另外，在該場合，由于折射率略小，因而推挽具有良好的傾向，但由于是消光系數(shù)較大的色素，因而容易產(chǎn)生反射，從而結(jié)果是，僅憑材料選定就無法得到具有適當(dāng)且良好的推挽值的光盤。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于以上的各種問題而提出的，其課題是提供適合利用360~450nm、尤其是400mm左右(例如為405nm左右)的記錄波長的高密度及高速記錄的光信息記錄介質(zhì)及其記錄方法。另外，本發(fā)明其課題是提供在用于藍(lán)激光的光盤中可進(jìn)行能夠得到良好的推挽信號的記錄的光信息記錄介質(zhì)及其記錄方法。另夕卜，本發(fā)明其課題是提供在用于藍(lán)激光的光盤中可進(jìn)行能夠得到良好的調(diào)制度的記錄的光信息記錄介質(zhì)及其記錄方法。再有，本發(fā)明其i果題是提供在用于藍(lán)激光的光盤中熱干涉(熱變形)少且再生耐性優(yōu)良的光信息記錄介質(zhì)及其記錄方法。本發(fā)明著眼于使分型面部分的膜厚比現(xiàn)有的設(shè)計還薄，而且使信道的寬度(以及深度)較窄。即、本發(fā)明不是如現(xiàn)有技術(shù)那樣的通過HightoLow方式的記錄，而是基于通過LowtoHigh方式的記錄，使得凹坑的反射率比非凹坑區(qū)域的反射率高，凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在2560nm的范圍，若與信道鄰接的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在5~30nm的范圍，則可得到良好的推授/[言號。即、通過將分型面部分的膜厚和凹槽部分的膜厚設(shè)定在最佳條件，即便作為記錄層使用消光系數(shù)較大的材料也能最佳地保持吸收量和反射量的平衡且使推挽較小。另外，通過將信道的槽深和槽寬同樣地設(shè)定在最佳條件也使推挽較小。例如，通過使槽深較淺而提高反射率，加大推挽(NPPb)信號氣PPb)信號/反射率的分母，從而可減小NPPb。推挽(NPPb)信號在四分割的光電檢測器(A、B、C、D)中，在激光在凹槽上進(jìn)行了掃描的場合，由推挽(NPPb)信號—(A+B)-(C+D))/((A+B)+(C+D))定義。再有，在使凹槽Wobbling的場合，信道間距在290nm350nm的范圍內(nèi)變化，而通過使凹槽寬度比該場合的平均信道320nm的半值160nm還窄，也能夠使推挽減小。另外，本發(fā)明是通過LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)，尤其著眼于將O.lmm的光透射層設(shè)置在激光的入射面上的光信息記錄介質(zhì)中的分型面的光學(xué)相位差和記錄層的消光系數(shù)k的關(guān)系，若由2nabs(Dg-Dl+(nsubxDsub)/nabsVX所規(guī)定的光學(xué)相位差A(yù)S和記錄前后的消光系數(shù)k的變化量Ak的關(guān)系在0.02^ASxAk^0.11范圍，則能夠確保良好的調(diào)制度。再有，本發(fā)明是通過LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)，通過使反射層的膜厚為120180nm厚的膜，并使槽寬度為85150nm,在滿足良好的NPPb特性的同時，迅速散去由厚的膜而在記錄時產(chǎn)生的多余的熱，從而能夠抑制熱干涉。于是，不是進(jìn)行通過現(xiàn)有的HightoLow方式的利用高折射率的色素的記錄，而是可進(jìn)行通過LowtoHigh方式的利用消光系數(shù)k的變化的記錄。即、可提高利用360450nm、尤其是400mm左右(例如為405nm左右)的記錄波長的高密度及高速記錄的信賴性。即、第一發(fā)明為具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過在上述記錄層上照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)，其特征是，上述凹坑的反射率比非凹坑區(qū)域的反射率還高，上述凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在25~60nm的范圍，鄰接上述信道的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在5~30nm的范圍。另外，第二發(fā)明為具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過在上述記錄層上照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)，其特征是，上述記錄層包含有機色素，上述凹槽部分的反射率比上述分型面部分的反射率還低。另外，第三發(fā)明為具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)，其特征是，將上述記錄層的凹槽部分的最大深度設(shè)定為Dsub,并將上述反射層的凹槽部分的最大深度設(shè)定為Dref時，l-Dsub/Dref在0.20.6范圍，上述凹槽部分的反射率比上述分型面部分的反射率還低。另外，第四發(fā)明為具有形成有凹槽和分型面的基板；形成于該基板上的反射層及記錄層；以及形成于上述記錄層之上的光透射層，通過從上述光透射層一側(cè)照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)，其特征是，將上述記錄層的光投射層一側(cè)的層邊界的凹槽部分的最大深度設(shè)定為Dsub、將上述記錄層的凹槽部分的最大厚度設(shè)定為Dg、將上述記錄層的分型面部分的最大厚度設(shè)定為Dl、將比上述記錄層還靠近光透射層一側(cè)的層的復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部設(shè)定為nsub、將上述記錄層的復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部設(shè)定為nabs、將再生光的波長設(shè)定為人時的光學(xué)相位差設(shè)定為△S=2nabs{Dg-Dl+(nsubxDsub)/nabs}/X、將上述記錄層的未記錄時的復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部設(shè)定為kabsb且記錄后的復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部設(shè)定為kabsa時的變化量設(shè)定為Ak-kabsb-kabsa時，在0.02^ASxAk^0.11范圍。另外，第五發(fā)明為具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過從上述光透射層一側(cè)照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)，其特征是，使上述反射層的膜厚為120180nm，并4吏上述反射層的槽寬為85150nm。另外，第六發(fā)明是利用波長為360450nm的范圍的激光記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征是，具備在基板上形成反射層的工序；以凹坑所排列的信道區(qū)域中的最大膜厚在25~60nm的范圍，且鄰接上述信道的區(qū)域中的最大膜厚在5~30nm的范圍在上述反射層之上形成記錄層的工序；以及在上述記錄層之上配置厚度約為O.lmm的光透射層的工序。再有，第七發(fā)明是利用波長為360~450nm的范圍的激光記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征是，將上述凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在2560nrn的范圍，且鄰接上述信道的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在530nm的范圍的光信息記錄介質(zhì)，通過照射徑向光斑直徑在0.3~0.5pm的范圍且記錄功率在4.95.9mW的范圍的激光，而形成上述凹坑使得凹坑的反射率比非凹坑區(qū)域的反射率高。根據(jù)本發(fā)明，由于可容易實現(xiàn)光信息記錄介質(zhì)的信息的高密度化及高速記錄化，因此，可實現(xiàn)應(yīng)對更短的波長例如360nm450nm波長區(qū)域的通過激光的LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)。另外，在本發(fā)明中，應(yīng)對如360nm450nm的短波長區(qū)域的激光可得到良好的推挽信號、調(diào)制度。再有，在本發(fā)明中，在滿足良好的NPPb特性的同時，能夠抑制熱干涉(Jitter)。圖1是本發(fā)明的一個實施方式的光信息記錄介質(zhì)的剖視圖。圖2是本發(fā)明的另一個實施方式的光信息記錄介質(zhì)的剖視圖。圖3是本發(fā)明的一個實施方式的光信息記錄介質(zhì)的重要部分放大圖。圖4是表示本發(fā)明的記錄層膜厚和推挽信號的關(guān)系的曲線圖。圖5是表示本發(fā)明的信道的槽深和推挽信號的關(guān)系的曲線圖。圖6是表示本發(fā)明的信道的槽深和推拔/f言號的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示本發(fā)明的記錄層平整度和推挽信號的關(guān)系的曲線圖。圖8是表示本發(fā)明的光學(xué)參數(shù)和推挽信號的關(guān)系的曲線圖。圖9是表示本發(fā)明的光學(xué)參數(shù)和推挽信號的關(guān)系的曲線圖。圖10是表示本發(fā)明的反射膜厚和Jitter特性的關(guān)系的曲線圖。圖ll是將本發(fā)明的槽深和推挽信號的關(guān)系表示在圖11的曲線圖。圖12是表示對于本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)使記錄層的膜厚變化時的對于調(diào)制度(反射率)的An及Ak的影響度的曲線圖。圖13是表示上述情況下的反射率對于折射率n的變化的曲線圖。圖14是表示上述情況下的反射率對于消光系數(shù)k的變化的曲線圖。圖15是分別表示折射率n及消光系數(shù)k對于激光波長的關(guān)系的曲線圖。圖中l(wèi)一基板，2—反射層，3—記錄層，4一凹部，5、6—光透射層，7—中間層，IO—光信息記錄介質(zhì)，ll一凹槽，12—分型面。具體實施例方式基于圖1至圖3說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光信息記錄介質(zhì)。圖1是作為本發(fā)明的一個實施方式的使用藍(lán)激光的光信息記錄介質(zhì)的剖視圖。在圖1中，圓盤狀的光信息記錄介質(zhì)IO具有厚度為l.lmm的基板l;形成于該基板1上的反射層2;形成于該反射層2之上的記錄層3(光吸收層)；形成與該記錄層3之上的中間層7;以及形成于該中間層7之上的厚度為O.lmm的光透射層6?；?是相對于激光的折射率為例如1.5~1.7程度的范圍內(nèi)的透明度較高的材料，使用耐沖擊性優(yōu)良的主要由樹脂形成的例如聚碳酸酯、玻璃板、丙烯酸板、環(huán)氧板等。反射層2是導(dǎo)熱系數(shù)及光反射性較高的金屬膜，將例如金、銀、銅、鋁或者包含它們的合金通過蒸鍍法、噴濺法等方法而形成。記錄層3是形成于反射層2之上的由色素材料制成的層，是通過照射激光而伴隨發(fā)熱、吸熱、熔融、升華、變形或者變性的層。該記錄層3將例如由溶劑所溶解的偶氮系色素、花青系色素等或者它們的混合材料通過旋轉(zhuǎn)涂膠法等方法均勻地涂敷在反射層2的表面而形成。作為記錄層3，使用例如下面(化學(xué)式l)所示偶氮系色素化合物等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>另外，作為記錄層3，使用例如下面(化學(xué)式2)所示花青系色素化合物等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>用于記錄層3的材料可以采用任意的記錄材料，但最好是光吸收性的有機色素。中間層7具有保護記錄層3的功能，為了防止記錄材料混雜到鄰接層，通過蒸鍍法、噴濺法等方法而形成在記錄層3的表面。作為中間層7使用ZnS、Si02、SiN、A1N、ZnS-Si02、SiC等材料。光透射層6保護反射層2和記錄層3免受來自外部的沖擊，并且作為防止這些各反射層2、3與濕氣等腐蝕因子接觸的保護層起作用。該光透射層6由透射光激光的材料構(gòu)成，通過將由例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴系樹脂等樹脂材料構(gòu)成的薄片或玻璃板等透明材料，利用紫外線固化樹脂等透明結(jié)合劑或粘接劑來貼合在中間層7上而設(shè)置。在圖1所示的光信息記錄介質(zhì)中，雖然是將中間層夾在記錄層3和光透射層6之間的例子，但不限定于此，如圖2所示，也可以直接形成在記錄層3之上。例如，也可以將紫外線固化樹脂利用旋轉(zhuǎn)涂膠等方法涂敷在記錄層3上并通過照射紫外線來形成光透射層5。另外，也不妨在由聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴系樹脂等樹脂材料構(gòu)成的薄片或玻璃板等透明材料的一面形成粘接劑等而做成光透射層5，并將該光透射層5貼合在記錄層3。在這樣構(gòu)成的光信息記錄介質(zhì)中，透過光透射層6照射激光，被照射的記錄層3吸收該激光而將光能轉(zhuǎn)換為熱能，產(chǎn)生記錄層3的分解或變性等，形成記錄凹坑，將記錄部分及未記錄部分的由光反射率等引起的反差作為電信號(調(diào)制度)讀取。這里，下面說明本發(fā)明的構(gòu)成。圖3是圖1的光信息記錄介質(zhì)的重要部分放大圖。圖3中，Dsub表示將與記錄層3鄰接的光透射層6側(cè)、即中間層7的分型面12部分的層邊界為基準(zhǔn)時的凹槽11部分中的該層邊界的最大深度。Nsub表示比記錄層3靠近光透射層6—側(cè)的層的復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部，在該層包括光透射層6并由多個層構(gòu)成的場合，通過測定包括光透射層的這些多個層的表面來作為所合成的復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部。Nabs表示記錄層3的復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部，Dg表示凹槽11部分的記錄層3的最大厚度，Dl表示分型面6部分的記錄層3的最大厚度。在這種場合，從光透射層6—側(cè)照射激光時，將記錄層3的光透射層6一側(cè)的層作為基準(zhǔn)時的分型面12部分的光學(xué)距離用nabs'Dl表示，凹槽11部分的光學(xué)距離用nsub.Dsub+nabs'DgND表示。因此，光學(xué)距離差為ND=nabs.Dg+nsub-Dsub-nabs'Dl0此時，從光透射層6—側(cè)照射了再生激光時，由反射層2在凹槽11部分和分型面12部分反射的激光的光學(xué)相位差A(yù)S為，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>此外，如圖2的剖視圖所示，在記錄層3之上形成有光透射層5的場合，以與光透射層5的層邊界為基準(zhǔn)來測定最大深度Dsub、復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部歸b即可。本發(fā)明為了實現(xiàn)利用藍(lán)激光的光信息記錄介質(zhì)，而著眼于通過LowtoHigh方式的記錄方式，具體地、著眼于使分型面部分的記錄層膜厚比現(xiàn)有的設(shè)計還薄，而且使信道的寬度(以及深度)較窄。即、通過實驗驗證了在360~450nm的波長區(qū)域，在確保調(diào)制度的同時推挽(NPPb)信號在0.40.7范圍從而可得到良好的記錄再生特性。于是，將記錄層中的信道區(qū)域(相當(dāng)于凹槽11部分)及鄰接信道的區(qū)域(相當(dāng)于分型面12部分)的膜厚和推挽(NPPb)信號的關(guān)系表示在圖4中。在圖4中，橫軸為記錄層3的分型面膜厚/凹槽膜厚，縱軸為推4免(NPPb)信號的值。從該圖中也可以看出，為了得到良好的推挽(NPPb)信號，需要記錄層3的分型面膜厚/凹槽膜厚在0.10.6的范圍。若分型面膜厚/凹槽膜厚超出0.6，則推挽(NPPb)信號超過0.7從而變得過大，因此，導(dǎo)致不能進(jìn)行激光拾波器的聚焦隨動。反過來，若分型面膜厚/凹槽膜厚低于0.1,則推挽(NPPb)信號變得比0.4還小，因此，導(dǎo)致無法進(jìn)行記錄后的跟蹤控制。在圖4的關(guān)系中，若對記錄層3的分型面膜厚/凹槽膜厚的各數(shù)據(jù)進(jìn)行抽樣分析，則可得到信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚Dg最好為2560nm，鄰接信道的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚最好為530nm這樣的結(jié)果。該范圍可根據(jù)圖4所示的分型面膜厚對于凹槽膜厚的比率0.1-0.6來設(shè)定。此外，就記錄層膜厚而言，利用例如在中間層7和記錄層3的界面剝離，而通過原子間力顯孩"竟(AFM)等裝置可測定。例如，分型面膜厚D1可在記錄層3中無凹槽的光盤內(nèi)周區(qū)域或外周區(qū)域測定，就凹槽膜厚Dg而言，只要預(yù)先測定記錄層深度Dsub和分型面膜厚Dl,并清洗記錄層后測定反射層厚度Dref,則可由記錄層膜厚Dg=Dl+Dref-Dsub算出。這里，雖然示出了測定方法的一例，但不限于此，用其它方法測定也無妨。在這種場合，考慮到因剝離而引起的偏差，最好將測定誤差預(yù)先估計±5%。再有，就各測定值而言，不妨預(yù)先設(shè)定其測定點中的最大值。另外，將信道的槽深和槽寬各自與推挽(NPPb)信號的關(guān)系表示在圖5、圖6中。在圖5中，橫軸為相當(dāng)于信道的槽深的凹槽深度，縱軸為推挽(NPPb)信號的值，在圖6中，橫軸為相當(dāng)于信道的槽寬的凹槽寬度，縱軸為推挽(NPPb)信號的值。從這些結(jié)果可知，為了得到良好的推挽(NPPb)信號，在圖5中，其槽深至少要在30~70nm的范圍。但為了在360450nm的波長區(qū)域得到高密度的光信息記錄介質(zhì)，有必要使信道間距在29(K350nm范圍。因此，為了抑制基板l的成形上的內(nèi)外周偏差，槽深最好為3565nm的范圍。另外，在圖6中也確保良好的推挽(NPPb)信號，為了進(jìn)一步抑制基板l的成形上的偏差，槽寬最好為85~150nm的范圍。這里所說的信道的槽深及槽寬是在反射層2形成于基板1上的狀態(tài)下測定的值。這與現(xiàn)有的光信息記錄介質(zhì)中對基板的槽深及槽寬所作的定義不同。這是由于，激光的照射方向不是從基板一側(cè)照射而是從與基板相反的方向即從光透射層一側(cè)照射，作為信道，為了得到穩(wěn)定的推挽(NPPb)信號有必要測定在反射層2形成于基板1上的狀態(tài)下的信道的槽深及槽寬。此外，槽深只要測定其測定點中的最大值即可，槽寬只要測定一半寬度即可。另外，測定時，如前面所述那樣可通過原子間力顯微鏡(AFM)等裝置進(jìn)行測定，作為測定誤差預(yù)先估計±5%即可。另外，在通過LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)中，照射激光而形成的凹坑部分的反射率比非凹坑部分的反射率還高。這是由于，在圖3中若對凹槽部分照射激光，則記錄層3因吸收激光而引起分解或變性從而形成凹坑。此時，記錄層3的吸收光譜的吸收峰值轉(zhuǎn)移到短波一側(cè)。于是，這是由于折射率n的曲線圖在消光系數(shù)k的曲線圖的長波側(cè)具有該吸收峰值，可在該記錄波長中使折射率n的變化An較大。就能增加記錄層3的消光系數(shù)k，通過使記錄后的凹坑部分的反射率比非凹坑部分的半反射率還高，能夠判斷有無凹坑。反射率，使用光譜分析器等測定器測定，凹坑部分、非凹坑部分的反射率的差異以電信號的大小可測定。另外，在記錄層上使用了有機色素的場合，本發(fā)明的通過LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)，其特征是，凹槽部分的反射率比分型面部分的反射率低。這通過設(shè)定圖3中的分型面和凹槽的光學(xué)相位差A(yù)S而能夠調(diào)整。通過將凹槽部分的反射率抑制得較低，可更鮮明地記錄形成于凹槽部分的凹坑。由此得到最佳推挽(NPPb)信號，并且在記錄后也能夠準(zhǔn)確地讀耳又凹坑，并能夠得到良好的調(diào)制度。該反射率的測定也能以與上述同樣的方法進(jìn)行。另外，將記錄層3的平整度和推挽(NPPb)信號的關(guān)系表示在圖7。在圖7中，橫軸為平整度，縱軸為推挽(NPPb)信號的值。這里，平整度是將記錄層的凹槽部分的最大深度設(shè)為Dsub、將上述反射層的凹槽部分的最大深度設(shè)為Dref時，以l-Dsub/Dref的條件得出的值，是表示激光衍射的影響的指標(biāo)。從該結(jié)果可知，為了得到良好的推挽(NPPb)信號，從上述條件得出的值最好在0.20.6的范圍。若該平整度值低于0.2，則導(dǎo)致記錄層3的凹凸變得過大，推挽(NPPb)信號變得過大。另外，反過來若平整度值超過0.6，則導(dǎo)致難以得到分型面、凹槽的反差，使得推挽(NPPb)信號變得過小，從而無法進(jìn)行信道追蹤。此外，在測定時，利用例如在中間層7和記錄層3的界面剝離，而通過原子間力顯微鏡(AFM)等裝置可測定。這里，雖然示出了測定方法的一例，但不限于此，用其它方法測定也無妨。在這種場合，考慮到因剝離而引起的偏差，最好將測定誤差預(yù)先估計士5%。再有，就各測定值而言，不妨預(yù)先設(shè)定其測定點中的最大值。另外，將圖3的光學(xué)相位差A(yù)S與對于記錄層的消光系數(shù)k的記錄前后變化量Ak的推挽(NPPb)信號的關(guān)系表示在圖8中，與調(diào)制度的關(guān)系表示在圖9中。在圖8中，橫軸為ASxAk的值，縱軸為推挽(NPPb)信號的值，在圖9中，橫軸為ASxAk的值，縱軸為調(diào)制度的值。從這些結(jié)果可知，由光學(xué)相位差A(yù)S和消光系數(shù)的變化量Ak之積構(gòu)成的參數(shù)與推挽(NPPb)信號及調(diào)制度有線性關(guān)系。對此，組合了菲涅耳衍射式和多層膜的吸收、透射、多重反射式，并進(jìn)行了將凹槽、分型面形狀納入到條件中的追記型光盤的理論計算和使用菲涅耳衍射式并將凹坑形狀納入到條件中的ROM光盤的^^莫擬，其結(jié)果，就追記型光盤和ROM光盤的推挽信號的PeaktoPeak的振幅之差而言，追記型光盤約為1.8之大，在模擬上ROM光盤的推挽信號為0.3左右，在該場合，理論上可知在ROM光盤可得到50%以上的調(diào)制度。根據(jù)該理論，在360450nm波長區(qū)域中，有必要將追記型光盤的調(diào)制度確保在4070的范圍，從圖8、圖9最好光學(xué)相位差A(yù)S和消光系數(shù)的變化量Ak之積:ASxAk的值在0.02~0.11的范圍。這里，光透射層一側(cè)的折射率、記錄層的折射率、消光系數(shù)可利用例如n、k計測裝置(例如，SteageETA-OptikGmbH社制ETA-RT/UV)測定。此外在測定時，如前所述，例如在中間層7和記錄層3的界面剝離后，可在無凹槽的光盤內(nèi)周區(qū)域或外周區(qū)域測定。另外，記錄層的膜厚合槽深等其它條件可通過原子間力顯微鏡(AFM)等裝置測定。這里，雖然示出了測定方法的一例，但不限于此，用其它方法測定也無妨。在這種場合，考慮到因剝離而引起的偏差，最好將測定誤差預(yù)先估計±5%。再有，就各測定值而言，不妨預(yù)先設(shè)定其測定點中的最大值。如圖7所示，為了降低推挽(NPPb)信號，必須加大平整度(1-Dsub/Dref),為此有必要減小Dsub而加厚記錄層的膜厚。然而，若使記錄層膜厚化，則進(jìn)行記錄時熱過于蓄熱，產(chǎn)生記錄時無法補償?shù)臒岣缮?，使Jitter特性惡化，因此，推挽(NPPb)信號特性和Jitter特性互反。如前所述，可知本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，由于在基板上具有反射層和記錄層，因而反射層也具有槽形狀，而該反射膜厚及槽寬較大地影響NPPb及Jitter特性。反射膜厚和Jitter特性的關(guān)系表示在圖10中。在圖10中，橫軸為反射膜厚(nm)的值，縱軸為Jitter(。/。)的值。從該結(jié)果可知，反射膜厚在膜厚12(K180nm示出良好的值，若比120nm還薄，則Jitter急劇惡化。在將使槽的深度與基板相同而未進(jìn)行變化，且使槽寬變化時的槽寬和推挽(NPPb)信號的關(guān)系表示在圖11。在圖11中，橫軸為反射層的槽寬(nm)的值，縱軸為推挽(NPPb)信號的值。從該結(jié)果可知，反射層的槽寬在85~150nm示出良好的值，若超過150nm，則NPPb為0.7以上。從這些內(nèi)容可知，在本發(fā)明中，通過以120180nm的厚膜形成反射膜厚，并使槽寬為85150nm，，在滿足NPPb特性的同時，迅速散去由厚的反射膜而在記錄時產(chǎn)生的多余的熱，從而能夠抑制熱干涉。這樣，在360450nm波長區(qū)域可進(jìn)行記錄的光信息記錄介質(zhì)，通過如前所述那樣獨立地設(shè)定各種條件或者組合各條件，而能夠得到良好的推4免信號、調(diào)制度。另夕卜，下面說明通過記錄裝置最佳地記錄如前所述的光信息記錄介質(zhì)時的記錄方法。在使用如波長為360~450nm的短波區(qū)域的激光的場合，在上面所述的光信息記錄介質(zhì)的構(gòu)成中，最好是，凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在2560nm的范圍，與信道鄰接的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在5~30nm的范圍。在這種場合，由于推挽(NPPb)信號隨激光的光斑直徑而離散，因而若尤其著眼于徑向的光斑直徑，則由于抑制記錄時的凹坑的擴展從而防止干擾，因此，徑向光斑直徑在0.30.5jLim的范圍為宜。在該場合，為了防止記錄層的熱干涉、得到良好的調(diào)制度，激光的記錄功率也要在4.95.9mW的范圍。在這種條件射率還高。這樣一來，被記錄的光信息記錄介質(zhì)，能夠得到良好的推挽(NPPb)信號以及調(diào)制度。圖12是表示對于上述的光信息記錄介質(zhì)10使記錄層3的膜厚變化時的對于調(diào)制度(反射率)的折射率的變化量An及消光系數(shù)的變化量Ak的影響度的曲線圖，如圖所示，就對于調(diào)制度的貢獻(xiàn)度而言，可知不同于現(xiàn)有的色素，Ak比An大。從該結(jié)果，可推測調(diào)制度的大致80%為由Ak帶來的效果。若從圖13中所得到的貢獻(xiàn)度的比率計算，為了使調(diào)制度達(dá)到例如0.45，作為An有必要為0.052(上升94%)，作為Ak有必要為0.009(上升22%),具體而言，需要An-0.335，Ak=0.055。另外，圖13是表示反射率對于折射率n的變化的曲線圖，若要單獨以折射率n得到必要的調(diào)制度(例如0.45)，則作為折射率的變化范圍，如圖中點劃線所示的范圍，需要大約1.551.9的變化，而作為實際結(jié)果，作為AiW義變化0.055，如圖ll所示，僅有非常狹窄的區(qū)域的值的變化，因而不能得到必要的反射率的變化。圖14是表示反射率對于消光系數(shù)k的變化的曲線圖，若要單獨以消光系數(shù)k得到必要的調(diào)制度(例如0.45),則作為消光系數(shù)k的范圍，如圖中點劃線所示的范圍，需要大約0.150.2的變化，而作為實際結(jié)果，作為Ak為0.40的變化，如圖14所示，與折射率n的場合不同，表示非常寬的區(qū)域(圖中雙點劃線所示范圍)的值的變化，因而僅憑Ak就能得到必要的反射率的變化。此外，在圖14中，作為Ak的范圍，單獨時的必要值的范圍(圖中點劃線)錯開到比實際變化量的范圍(圖中雙點劃線所示范圍)小的值，這是由于，作為反射率對于Ak的變化的傾向，Ak越小則反射率的上升梯度越高，因而作為更理想的范圍示出的，實用上可將Ak的范圍設(shè)定在任意的部分。(實施例1)形成間距為0.32i!m的凹槽，制作了外徑為120mm、厚度為l.lmm的圓盤狀的聚碳酸酯制的基板。在該基板上噴濺由Ag合金構(gòu)成的反射層，形成了深度為45nm、寬度為110nm的信道。然后，將把(化學(xué)式1)所示偶氮色素溶解在TFP(四氟丙醇)溶劑中的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并在溫度80。C干燥了30分鐘后形成了凹槽膜厚為35nm、分型面膜厚為15nm的記錄層。然后，使由氮化鋁材料構(gòu)成的透明的中間層達(dá)到30nm的厚度地進(jìn)行了噴-踐。然后，通過將由O.lmm的聚碳酸酯制薄片構(gòu)成的光透射層借助于透明粘接劑貼合在中間層表面上而得到了光信息記錄介質(zhì)。將這樣得到的光信息記錄介質(zhì)的記錄層的折射率n、消光系數(shù)k用n、k計測裝置(SteageETA-OptikGmbH社制ETA-RT/UV)進(jìn)行了測定，其結(jié)果，n為1.42,k為0.39。另外，光學(xué)相位差A(yù)S為0.37,消光系數(shù)k的變化量Ak在使用差熱分析儀(TG-DTA)對記錄層進(jìn)行加熱，并測定了加熱后的消光系數(shù)時，k為0.23,變化量Ak為0.16。對于該光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以波長為405nm、數(shù)值孔徑NA為0.85、記錄功率為5.3mW、線速度為4.92m/s進(jìn)行了記錄并評價了再生特性，其結(jié)果，推挽(NPPb)值為0.45，調(diào)制度為55%。即、雙方均得到了良好的結(jié)果。(實施例2)除了在基板上噴賊反射層，形成了深度為57nm、寬度為110nm的信道，作為記錄層，將把(化學(xué)式1)所示偶氮色素和(化學(xué)式2)所示花青色素溶解在TFP(四氟丙醇)溶劑中的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并形成了凹槽最大膜厚為34nm、分型面膜厚為10nm的記錄層之外，做成與上述實施例1相同而得到了光信息記錄介質(zhì)。將這樣得到的光信息記錄介質(zhì)的記錄層的折射率n、消光系數(shù)k用n、k計測裝置(SteageETA-OptikGmbH社制ETA-RT/UV)進(jìn)行了測定，其結(jié)果，n為1.41，k為0.35。另外，光學(xué)相位差A(yù)S為0.49,消光系數(shù)k的變化量Ak在使用差熱分析儀(TG-DTA)對記錄層進(jìn)行加熱，并測定了加熱后的消光系數(shù)時，k為0.21,變化量Ak為0.14。對于該光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以與實施例1相同的條件進(jìn)行了記錄并評價了再生特性，其結(jié)果，推挽(NPPb)值為0.51,調(diào)制度為58%。即、雙方均得到了良好的結(jié)果。(實施例3)除了在基板上噴濺反射層，形成了深度為35nm、寬度為85nm的信道，作為記錄層，將與實施例l相同的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并形成了凹槽最大膜厚為23nm、分型面膜厚為16nm的記錄層之外，做成與上述實施例1相同而得到了光信息記錄介質(zhì)。將這樣得到的光信息記錄介質(zhì)的記錄層的折射率n、消光系數(shù)k用n、k計測裝置(SteageETA-OptikGmbH社制ETA-RT/UV)進(jìn)行了測定，其結(jié)果，n為1.42,k為0.39。另外，光學(xué)相位差A(yù)S為0.34,消光系數(shù)k的變化量Ak在使用差熱分析儀(TG-DTA)對記錄層進(jìn)行加熱，并測定了加熱后的消光系數(shù)時，k為0.26,變化量Ak為0.16。對于該光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以與實施例l相同的條件進(jìn)行了記錄并評價了再生特性，其結(jié)果，推挽(NPPb)值為0.40，調(diào)制度為47%。即、雙方均得到了良好的結(jié)果。(比較例1)除了在基板上噴賊反射層，形成了深度為30nm、寬度為85nm的信道，作為記錄層，將與實施例l相同的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并形成了凹槽最大膜厚為45nm、分型面膜厚為30nm的記錄層之外，做成與上述實施例1相同而得到了光信息記錄介質(zhì)。將這樣得到的光信息記錄介質(zhì)的記錄層的折射率n、消光系數(shù)k用n、k計測裝置(SteageETA-Op他GmbH社制ETA-RT/UV)進(jìn)行了測定，其結(jié)果，n為1.42,k為0.39。另外，光學(xué)相位差A(yù)S為0.24，消光系數(shù)k的變化量Ak在使用差熱分析儀(TG-DTA)對記錄層進(jìn)行加熱，并測定了加熱后的消光系數(shù)時，k為0.23,變化量Ak為0.16。對于該光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以與實施例l相同的條件進(jìn)行了記錄并評價了再生特性，其結(jié)果，推挽(NPPb)值為0.26,調(diào)制度為38%。即、雙方均導(dǎo)致了過低的結(jié)果，未能得到良好的特性。(比較例2)除了在基板上噴濺反射層，形成了深度為70nm、寬度為153nm的信道，作為記錄層，將與實施例1相同的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并形成了凹槽最大膜厚為55nm、分型面膜厚為39nm的記錄層之外，做成與上述實施例1相同而得到了光信息記錄介質(zhì)。將這樣得到的光信息記錄介質(zhì)的記錄層的折射率n、消光系數(shù)k用n、k計測裝置(SteageETA-OptikGmbH社制ETA-RT/UV)進(jìn)行了測定，其結(jié)果，n為1.42，k為0.39。另外，光學(xué)相位差A(yù)S為0.70,消光系數(shù)k的變化量Ak在使用差熱分析儀(TG-DTA)對記錄層進(jìn)行加熱，并測定了加熱后的消光系數(shù)時，k為0.23,變化量Ak為0.16。對于該光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以與實施例l相同的條件進(jìn)行了記錄并評價了再生特性，其結(jié)果，推挽(NPPb)值為0.76，調(diào)制度為75%。即、雙方均導(dǎo)致了過高的結(jié)果，未能得到良好的特性。(評價條件1)形成間距為0.32)am的凹槽，制作了外徑為120mm、厚度為l.lmm的圓盤狀的聚碳酸酯制的基板。在該基板上噴濺由Ag合金構(gòu)成的反射層，以下以實施例及比較例的條件形成了信道。然后，色素i):將把(化學(xué)式1)所示偶氮色素溶解在TFP(四氟丙醇)溶劑中的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并在溫度80°C干燥了30分鐘后形成了同樣地由實施例及比較例的條件構(gòu)成的凹槽膜厚、分型面膜厚的記錄層。色素ii):將把(化學(xué)式2)所示花青色素溶解在TFP(四氟丙醇)溶劑中的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂月交法進(jìn)行涂敷，并在溫厚、分型面膜厚的記錄層。然后，使由氮化鋁材料構(gòu)成的透明的中間層達(dá)到20nm的厚度地分別對i)、ii)進(jìn)行了噴濺。然后，通過將由O.lmm的聚碳酸酯制薄片構(gòu)成的光透射層借助于透明粘接劑貼合在中間層的表面上而得到了光信息記錄介質(zhì)。對于該光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以波長為405nm、數(shù)值孔徑NA為0.85、記錄功率為5.3mW、線速度為4.92m/s進(jìn)行了記錄并評價了再生特性。(實施例4)形成了深度為46nm、寬度為109nm的信道，使用色素i形成了凹槽膜厚為27nm、分型面膜厚為10nm的記錄層。此時，l-Dsub/Dref為0.37，進(jìn)行再生評價結(jié)果，得到了推挽(NPPb)值為0.59的良好的結(jié)果。(實施例5)形成了深度為62nm、寬度為136nm的信道，使用色素ii形成了凹槽膜厚為44nm、分型面膜厚為12nm的記錄層。此時，l-Dsub/Dref為0.52，進(jìn)行再生評價結(jié)果，得到了推挽(NPPb)值為0.49的良好的結(jié)果。(實施例6)形成了深度為35nm、寬度為86nm的信道，使用色素i形成了凹槽膜厚為27nm、分型面膜厚為6nm的記錄層。此時，l-Dsub/Dref為0.60,進(jìn)行再生評價結(jié)果，得到了推挽(NPPb)值為0.40的良好的結(jié)果。(比較例3)形成了深度為57nm、寬度為153nm的信道，使用色素i形成了凹槽膜厚為23nm、分型面膜厚為14nm的記錄層。此時，l-Dsub/Dref為0.16,進(jìn)行再生評價結(jié)果，得到了推挽(NPPb)值為0.74的過大的結(jié)果。(比較例4)形成了深度為35nm、寬度為86nm的信道，使用色素i形成了凹槽膜厚為27nm、分型面月莫厚為4nm的記錄層。此時，l-Dsub/Dref為0.66,進(jìn)行再生評價結(jié)果，得到了推挽(NPPb)值為0.35的過小的結(jié)果。(評價條件2)形成間距為0.32(im的凹槽，制作了外徑為120mm、厚度為l.lmm的圓盤狀的聚碳酸酯制的基板。在該基板上噴濺由Ag合金構(gòu)成的反射層，形成了信道。然后，色素i):將把(化學(xué)式1)所示偶氮色素溶解在TFP(四氟丙醇)溶劑中的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并在溫度80。C干燥了30分鐘后形成了記錄層。色素ii):將把(化學(xué)式2)所示花青色素溶解在TFP(四氟丙醇)溶劑中的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并在溫度80。C干燥了30分鐘后形成了記錄層。然后，使由氮化鋁材料構(gòu)成的透明的中間層達(dá)到20nm的厚度地分別對i)、ii)進(jìn)行了噴濺。然后，通過將由O.lmm的聚碳酸酯制薄片構(gòu)成的光透射層借助于透明粘接劑貼合在中間層的表面上而得到了光信息記錄介質(zhì)。此時，將色素i的記錄層的折射率n、消光系數(shù)k用n、k計測裝置(SteageETA-OptikGmbH社制ETA-RT/UV)進(jìn)行了測定，其結(jié)果，n為1.42，k為0.39。消光系數(shù)k的變化量Ak在使用差熱分析儀(TG-DTA)對記錄層進(jìn)行加熱，并測定了加熱后的消光系數(shù)時，k為0.23,變化量Ak為0.16。同樣地、色素ii的記錄層的折射率n為1.41，消光系數(shù)k為0.35，消光系數(shù)k的變化量Ak在測定了加熱后的消光系數(shù)時，由于k為0.21,因而變化量Ak為0.14。對于該光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以波長為405nm、數(shù)值孔徑NA為0.85、記錄功率為5.3mW、線速度為4.92m/s進(jìn)行了記錄并評價了再生特性。(實施例7)使用色素i并根據(jù)上述的光學(xué)相位差A(yù)S的公式，使光學(xué)相位差A(yù)S達(dá)到0.5地形成了光信息記錄介質(zhì)。此時，ASxAk為0.08,推挽(NPPb)值為0.40，得到了調(diào)制度為52%的良好的結(jié)果。(實施例8)使用色素ii并根據(jù)上述的光學(xué)相位差A(yù)S的公式，使光學(xué)相位差A(yù)S達(dá)到0.7地形成了光信息記錄介質(zhì)。此時，ASxAk為O.l,推挽(NPPb)值為0.53,得到了調(diào)制度為64%的良好的結(jié)果。(比較例5)使用色素i并根據(jù)上述的光學(xué)相位差A(yù)S的公式，使光學(xué)相位差A(yù)S達(dá)到l.O地形成了光信息記錄介質(zhì)。此時，ASxAk為0.16，推挽(NPPb)值為0.75,得到了調(diào)制度為76。/。的推挽zf直過大的結(jié)果。(實施例911及比4交例6、7)形成間距為0.32fim的凹槽，制作了外徑為120mm、厚度為l.lmm的圓盤狀的聚碳酸酯制的基板。在該基板上以60180nm的厚度噴濺由Ag合金構(gòu)成的反射層，形成了信道。然后，將把(化學(xué)式1)所示偶氮色素溶解在TFP(四氟丙醇)溶劑中的色素溶液利用旋轉(zhuǎn)涂膠法進(jìn)行涂敷，并在溫度80。C干燥了30分鐘后形成了凹槽膜厚為35nm、分型面膜厚為15nm的記錄層。然后，使由氮化鋁材料構(gòu)成的透明的中間層達(dá)到20nm的厚度地進(jìn)行了噴濺。然后，通過將由O.lmm的聚碳酸酯制薄片構(gòu)成的光透射層借助于透明粘接劑貼合在中間層的表面上而得到了光信息記錄介質(zhì)。對于這些光信息記錄介質(zhì)，使用市場銷售的記錄再生裝置(帕路斯制DDU-1000)以波長為405nm、數(shù)值孔徑NA為0.85、線速度為4.92m/s進(jìn)行了記錄并評價了再生特性。使用AFM對基板、反射膜形成后的槽深、槽寬進(jìn)行了計測。以35~623nm的范圍制作了基板的槽深，反射膜形成后的深度變化為士3nm,是誤差程度的結(jié)果。將實施例46及比較例3、4中的各自的基板的槽寬、反射膜厚、反射層的槽深及槽寬、NPPb、及Jitter表示在下表中。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>這里，NPPb值是將推挽信號在四分割檢測器(A、B、C、D)的旋轉(zhuǎn)追蹤方向雙分割(A+B)、(C+D)，并將這些取了差分的值用反射光量相除的值。該值本身由如上所述的市場銷售的記錄再生裝置算出。另夕卜，Jitter值是使RF信號二值化，而算出將該二值化的數(shù)據(jù)信號和基準(zhǔn)時鐘的偏離量的值。而且，在360450nm的波長區(qū)域，通過在保持調(diào)制度的同時使推挽(NPPb)特性的上限為0.7，可得到良好的記錄再生特性。若推挽(NPPb)信號超過0.7,則光電檢測器的明暗識別變得困難，無法進(jìn)行信道追蹤。另外，Jitter特性若滿足推挽特性的同時在8%以下，則可得到良好的記錄再生特性。若Jitter特性超過8%，則數(shù)據(jù)讀取變得困難，產(chǎn)生導(dǎo)致在驅(qū)動器一側(cè)無法讀取數(shù)據(jù)的危險。在實施例4至實施例6，NPPb及Jitter均得到了良好的結(jié)果。另一方面，在比較例3中，雖然NPPb良好但熱干涉較大，導(dǎo)致了Jitter為12.6%的結(jié)果，在比較例4中，雖然Jitter良好^f旦導(dǎo)致了NPPb甚至為0.75的過大的結(jié)果。此外，在上述的本發(fā)明的實施方式中，雖然示出了記錄層為單層的場合，但不限于此，對于形成有多個記錄層的多層記錄型的光信息記錄介質(zhì)也可充分地應(yīng)用。另外，在上述的本發(fā)明的實施方式中，雖然示出了將由色素材料構(gòu)成的層作為記錄層，但不限于此，在引起例如反射層參與記錄的光學(xué)千涉的場合，作為記錄層由還包含反射層的多個層構(gòu)成。另外，在鄰接記錄層設(shè)有調(diào)整光學(xué)特性的光干涉層和加強層的場合也如此?？傊鳛橛涗泴?，只要是記錄的層，則其可以是單層也可以是多層。如上所述，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)由于可減小推挽，因而能夠?qū)崿F(xiàn)信息的高密度化及高速化，因此，可提供應(yīng)對更短的波長例如360nm450nm波長區(qū)域的激光的通過LowtoHigh方式的光信息記錄介質(zhì)，提供向應(yīng)對如360450nm的短波區(qū)域的激光可實現(xiàn)良好的推挽信號及調(diào)制的光信息記錄介質(zhì)的記錄方法。權(quán)利要求1.一種光信息記錄介質(zhì)，具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過在上述記錄層上照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑，其特征在于，上述凹坑的反射率比非凹坑區(qū)域的反射率還高，上述凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在25～60nm的范圍，鄰接上述信道的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在5～30nm的范圍。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚與鄰接上述信道的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚之比在0.1-0.6的范圍。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述信道的最大深度在35~65nm的范圍。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述信道以290nm350nm的范圍的間距以及85~150nm的范圍的寬度形成。5.—種光信息記錄介質(zhì)，具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過在上述記錄層上照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑，其特征在于，上述記錄層包含有機色素，上述凹槽部分的反射率比上述分型面部分的反射率還低。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述有機色素的消光系數(shù)在上述激光的再生波長中在0.1-0.6的范圍。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述有機色素的折射率在上述激光的再生波長中在1.1~1.7的范圍。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述激光的記錄波長相對于上述記錄層中的吸收光譜的吸收峰值位于短波一側(cè)。9.一種光信息記錄介質(zhì)，具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑，其特征在于，將上述記錄層的凹槽部分的最大深度設(shè)定為Dsub,并將上述反射層的凹槽部分的最大深度設(shè)定為Dref時，l-Dsub/Dref在0.2-0.6范圍，上述凹槽部分的反射率比上述分型面部分的反射率還低。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，具有形成于上述記錄層之上的光透射層，從上述光透射層一側(cè)照射激光。11.根據(jù)權(quán)利要求5或9所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層吸收波長為360~450nm的范圍的激光。12.根據(jù)權(quán)利要求5或9所迷的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層吸收波長為405nm的激光。13.—種光信息記錄介質(zhì)，具有形成有凹槽和分型面的基板；形成于該基板上的反射層及記錄層；以及形成于上述記錄層之上的光透射層，通過從上述光透射層一側(cè)照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑，其特征在于，將上述記錄層的光投射層一側(cè)的層邊界的凹槽部分的最大深度設(shè)定為Dsub、將上述記錄層的凹槽部分的最大厚度設(shè)定為Dg、將上述記錄層的分型面部分的最大厚度設(shè)定為Dl、將比上述記錄層還靠近光透射層一側(cè)的層的復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部設(shè)定為nsub、將上述記錄層的復(fù)數(shù)折射率的實數(shù)部設(shè)定為nabs、將再生光的波長設(shè)定為X時的光學(xué)相位差設(shè)定為△S=2nabs{Dg-Dl+(nsubxDsub)/nabs}/a、將上述記錄層的未記錄時的復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部設(shè)定為kabsb且記錄后的復(fù)數(shù)折射率的虛數(shù)部設(shè)定為kabsa時的變化量設(shè)定為Ak=kabsb-kabsa時，在0.02^ASxAk^0.11范圍。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄層和上迷光透射層之間介入有中間層。15.—種光信息記錄介質(zhì)，具有形成有凹槽和分型面的基板；以及形成于該基板上的反射層及記錄層，通過在上述記錄層上照射激光而記錄了或者能夠記錄可光學(xué)地讀取的凹坑，其特征在于，使上述反射層的膜厚為120180nm,并使上述反射層的槽寬為85~150nm。16.—種光信息記錄介質(zhì)的制造方法，用于制造利用波長為360450nm的范圍的激光記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，具備在基板上形成反射層的工序；以凹坑所排列的信道區(qū)域中的最大膜厚在2560nm的范圍，且鄰接上述信道的區(qū)域中的最大膜厚在5~30nm的范圍在上述反射層之上形成記錄層的工序；以及在上述記錄層之上配置厚度約為0.1mm的光透射層的工序。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，具備在形成上述記錄層后，在上述記錄層上形成中間層的工序。18.—種光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，用于記錄利用波長為360450nm的范圍的激光記錄可光學(xué)地讀取的凹坑的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，將上述凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在25~60nm的范圍，且鄰接上述信道的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在5~30nm的范圍的光信息記錄介質(zhì)，通過照射徑向光斑直徑在0.3~0.5|im的范圍且記錄功率在4.9~5.9mW的范圍的激光，而形成上述凹坑使得凹坑的反射率比非凹坑區(qū)域的反射率高。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，其特征在于，上述激光的記錄波長相對于上述記錄層中的吸收光譜的吸收峰值位于短波一側(cè)。全文摘要本發(fā)明提供一種適合利用360～450nm、尤其是400mm左右(例如為405nm左右)的記錄波長的高密度及高速記錄的光信息記錄介質(zhì)及其記錄方法。本發(fā)明不是如現(xiàn)有技術(shù)那樣的通過HightoLow方式的記錄，而是基于通過LowtoHigh方式的記錄，凹坑的反射率比非凹坑區(qū)域的反射率高，凹坑所排列的信道區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在25～60nm的范圍，若與信道鄰接的區(qū)域中的記錄層的最大膜厚在5～30nm的范圍，則可得到良好的推挽信號。另外，使反射層的膜厚為120～180nm，并使反射層的槽寬為85～150nm。文檔編號G11B7/246GK101379560SQ20078000437公開日2009年3月4日申請日期2007年2月2日優(yōu)先權(quán)日2006年2月2日發(fā)明者原風(fēng)美,松田勛申請人:太陽誘電株式會社