專利名稱：磁盤驅(qū)動(dòng)器中用于探測(cè)伺服數(shù)據(jù)的缺陷的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及到一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，它使用一種記錄有伺服 數(shù)據(jù)的磁盤介質(zhì)。更具體地說，所述實(shí)施例涉及到一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，它具 有探測(cè)磁盤介質(zhì)上所記錄的伺服數(shù)據(jù)中的缺陷的功能。
背景技術(shù)：
近年來，在磁盤驅(qū)動(dòng)器(有代表性的例子是硬盤驅(qū)動(dòng)器)領(lǐng)域中，一 種伺服寫入方法(也稱作伺服形成方法)吸引了人們的注意。在這種方法 中，首先在壓模的一面上形成用來控制磁頭定位的伺服數(shù)據(jù)，然后，將之 馬上轉(zhuǎn)錄到磁盤介質(zhì)上。所述伺服寫入方法為，例如，磁轉(zhuǎn)錄方法或者是 在被構(gòu)圖介質(zhì)上形成伺服數(shù)據(jù)的方法。所述伺服寫入方法(或者說祠服形成方法)比起使用專用器件(稱作 伺月l磁道寫入器)的普通方法在許多方面是有利的。更具體地說，所述伺 服寫入方法可以非常有效地寫入或形成伺月良數(shù)據(jù)。然而，所述伺服寫入方 法有一些問題。由于進(jìn)入磁盤驅(qū)動(dòng)器中的雜質(zhì)的緣故，使用例如磁轉(zhuǎn)錄的 所述伺服寫入方法有可能將部分伺服數(shù)據(jù)從主盤上鐐誤地轉(zhuǎn)錄到磁盤介質(zhì) 上。在具有離散磁道結(jié)構(gòu)的磁盤介質(zhì)(被構(gòu)圖介質(zhì))上形成伺服數(shù)據(jù)的方 法也會(huì)產(chǎn)生類似的問題。伺月良數(shù)據(jù)包含地址碼和伺服圖形。地址碼表示磁盤介質(zhì)上磁道(柱面) 的地址。伺服脈沖圖形用來探測(cè)每個(gè)磁道中的位置。如果伺服數(shù)據(jù)被錯(cuò)誤 地轉(zhuǎn)錄到磁盤介質(zhì)上，那么， 一些伺服脈沖圖形就不能被形成在磁盤介質(zhì) 上。換言之， 一些伺服脈沖圖形就變得有缺陷。這是一個(gè)嚴(yán)重問題。如果錯(cuò)誤地轉(zhuǎn)錄的伺服數(shù)據(jù)部分在伺服數(shù)據(jù)的報(bào)頭區(qū)中，那么會(huì)產(chǎn)生同步采集誤差(synchronous acquisition error)并且不能探測(cè)到伺服地質(zhì) 標(biāo)記(servo address mark, SAM)。于是就^^出錯(cuò)誤的祠服地址。注 意，伺服地址標(biāo)記由信號(hào)圖形構(gòu)成，該信號(hào)圖形指定伺服地址數(shù)據(jù)的開始 部分。如果錯(cuò)誤地轉(zhuǎn)錄的伺服數(shù)據(jù)部分在伺服數(shù)據(jù)的地址區(qū)中，那么，不 可避免地不能探測(cè)到SAM,或者不可避免地讀出錯(cuò)誤的伺服地址。如果錯(cuò) 誤地轉(zhuǎn)錄的伺服數(shù)據(jù)部分在伺服數(shù)據(jù)的伺服脈沖區(qū)中，那么就不能精確地 探測(cè)偏離磁道量。常規(guī)的磁盤驅(qū)動(dòng)器具有在準(zhǔn)備再現(xiàn)磁頭所讀出的任何伺服信號(hào)時(shí)探測(cè) 伺服誤差的功能。然而，這種功能不能用來探測(cè)伺服數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤轉(zhuǎn)錄所導(dǎo) 致的伺服脈沖圖形中的缺陷。從伺服脈沖圖形的任何有缺陷部分所產(chǎn)生的 伺月l信號(hào)被認(rèn)為是具有正常的值，盡管它實(shí)際上具有錯(cuò)誤的值。于是，進(jìn) 行正常的伺服操作，不可避免地使錯(cuò)誤的值傳播到磁盤介質(zhì)的正常扇區(qū)中。 伺月l信號(hào)的錯(cuò)誤的值會(huì)在磁盤介質(zhì)的許多扇區(qū)上產(chǎn)生磁頭定位誤差。已經(jīng)提出了一種檢查磁盤介質(zhì)上錯(cuò)誤的伺服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)錄的方法(參見例 如日本專利申請(qǐng)2003-141837 )。在所提出的方法中，就介質(zhì)的整個(gè)圓周而 言，轉(zhuǎn)錄了圖形的磁盤介質(zhì)所固有的中等漲落(moderate fluctuation)可 以與灰塵所導(dǎo)致的局部缺陷區(qū)別出來。于是可以判斷任何缺陷是否源自灰 塵。更具體地說，根據(jù)移動(dòng)平均(moving average )的脫離率(detachment rate),即，伺月艮數(shù)據(jù)的報(bào)頭區(qū)(即，同步脈沖區(qū))的幅值與15個(gè)伺服扇 區(qū)的移動(dòng)平均的幅值之比(其中，這15個(gè)扇區(qū)中， 一些扇區(qū)在所述才艮頭區(qū) 的前面，而另一些扇區(qū)則在所述報(bào)頭區(qū)的后面)，來判斷是否發(fā)生了錯(cuò)誤 的伺服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)錄。上述段落中所描述的方法是一種用于伺服寫入步驟或者伺服形成步驟 的技術(shù)。它不能用來檢查已經(jīng)^磁盤驅(qū)動(dòng)器中的磁盤介質(zhì)上所記錄的伺 服脈沖圖形中可能存在的缺陷。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是，提供一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，它具有可靠地探測(cè)磁盤介質(zhì)上所記錄的伺服脈沖圖形中的缺陷的功能。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的磁盤驅(qū)動(dòng)器包括具有多個(gè)扇區(qū)的磁盤介質(zhì)， 在每個(gè)扇區(qū)中記錄著含有伺服脈沖圖形的伺服數(shù)據(jù)；磁頭，從所述磁盤介 質(zhì)上讀取包含所述伺服脈沖圖形的數(shù)據(jù)；獲取值的單元，用來從所述磁頭 所讀取的伺服脈沖圖形中獲取每個(gè)扇區(qū)的伺服脈沖值；可靠性計(jì)算單元， 該單元使用從伺服脈沖圖形所獲得的伺服脈沖值之和與通過對(duì)探測(cè)時(shí)所獲 得的或者為前一個(gè)樣本所獲得的所述和進(jìn)行低通濾波操作而得到的值之 比，來計(jì)算每個(gè)扇區(qū)的可靠性值；以及判定單元，它基于所述可靠性計(jì)算 單元所計(jì)算出的所述可靠性值來判斷所述扇區(qū)是否是含有有缺陷伺服脈沖 圖形的有缺陷扇區(qū)。本發(fā)明的其它目標(biāo)和優(yōu)勢(shì)將在下面的描述中得到闡明，這些目標(biāo)和優(yōu) 勢(shì)部分地能從描述中看到，或者可以通過對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐而得知。本發(fā)明 的目標(biāo)和優(yōu)勢(shì)可以通過在下文中所具體指出的手段和組合來實(shí)現(xiàn)和獲得。


結(jié)合進(jìn)來并構(gòu)成說明書的一部分的附圖顯示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與 上面給出的總的描述以及在下面給出的實(shí)施例的詳細(xì)描述一起，用來解釋 本發(fā)明的原理。圖l是一個(gè)方框圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器的 主要部件；圖2是一個(gè)流程圖，解釋了在所迷實(shí)施例中探測(cè)伺服缺陷的順序； 圖3是一個(gè)流程圖，解釋了在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中探測(cè)伺服缺陷 的順序；圖4是一個(gè)方框圖，解釋了在所述實(shí)施例中可靠性計(jì)算單元如何計(jì)算 可靠性；圖5是一個(gè)方框圖，顯示了可以用在所述實(shí)施例中的修正了的可靠性 計(jì)算單元；圖6是一個(gè)流程圖，解釋了在本發(fā)明的所述實(shí)施例中確定脈沖缺陷的順序；圖7A和圖7B給出了本發(fā)明的所述實(shí)施例中脈沖缺陷和伺月良信號(hào)所具 有的關(guān)系；圖8顯示了磁頭定位精度如何從一個(gè)磁道到另一個(gè)磁道發(fā)生變化，這 顯示了本發(fā)明的所述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)；圖9顯示了磁頭定位精度如何從一個(gè)扇區(qū)到另一個(gè)扇區(qū)發(fā)生變化，這 顯示了本發(fā)明的所述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)；以及圖IO顯示了脈沖值之和如何變化，這顯示了本發(fā)明的所述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。 (磁盤驅(qū)動(dòng)器的配置)如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器10具有磁盤介質(zhì)11 (即， 磁記錄介質(zhì))、磁頭12、以及主軸電動(dòng)機(jī)(SPM) 13。主軸電動(dòng)機(jī)13可 以使磁盤介質(zhì)11旋轉(zhuǎn)。磁盤介質(zhì)11是一種被稱作離散磁道介質(zhì)(DTM) 的被構(gòu)圖介質(zhì)(下文中也稱作DTM型萬茲盤介質(zhì))，其中，伺服數(shù)據(jù)以能 夠界定磁性/非磁性圖形的預(yù)刻凹坑(prepit)的形式被記錄下來。DTM型 磁盤介質(zhì)具有數(shù)據(jù)區(qū)。通過非磁性防護(hù)帶將數(shù)據(jù)區(qū)分為多個(gè)磁道。伺服數(shù)據(jù)包含地址碼和伺服脈沖圖形。每個(gè)地址碼表示一個(gè)磁道或柱 面的地址。每個(gè)伺服脈沖圖形用來探測(cè)磁頭在磁道上所處的位置。在大多 數(shù)情形中，伺服數(shù)據(jù)包含四個(gè)伺服脈沖圖形A到D，它們的相位不同。磁頭12被安裝在致動(dòng)器14上，致動(dòng)器14由音圏馬達(dá)(VCM) 15來 驅(qū)動(dòng)。磁頭12包括讀磁頭元件12R和寫磁頭元件12W。讀磁頭元件12R 能夠從磁盤介質(zhì)11上讀取數(shù)據(jù)(即，伺服數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù))。寫磁頭元件 12W能夠在磁盤介質(zhì)11上寫入數(shù)據(jù)。VCM驅(qū)動(dòng)器21為VCM 15提供驅(qū)動(dòng)電流，并對(duì)之進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。致動(dòng)器 14是由微處理器(CPU) 19驅(qū)動(dòng)和控制的磁頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)。當(dāng)受到CPU19的控制時(shí)，致動(dòng)器14移動(dòng)磁頭12并將其定位在磁盤介質(zhì)11上希望的位置 (希望的磁道和希望的柱面)處。磁盤驅(qū)動(dòng)器10除了上述磁頭磁盤組件之外還具有前置放大器電路16、 信號(hào)處理單元17、磁盤控制器(HDC) 18、 CPU19和存儲(chǔ)器20。前置放 大器電路16具有讀放大器和寫放大器。讀放大器對(duì)讀磁頭元件12R所輸 出的讀數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行放大。寫放大器為寫磁頭12W提供寫數(shù)據(jù)信號(hào)。信號(hào)處理單元17是對(duì)讀/寫數(shù)據(jù)信號(hào)(包括與伺服數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的伺服 信號(hào))進(jìn)行處理的讀/寫通道。信號(hào)處理單元17含有伺服解碼器，伺服解 碼器從伺服信號(hào)中再現(xiàn)包含伺服脈沖值(脈沖A到D )的伺服數(shù)據(jù)。HDC 18用作磁盤驅(qū)動(dòng)器10和主機(jī)系統(tǒng)22 (例如，個(gè)人電腦或任何一種數(shù)字裝 置)之間的接口 。 HDC 18在磁盤介質(zhì)11和主機(jī)系統(tǒng)22之間進(jìn)行讀數(shù)據(jù) 和寫數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)移。CPU 19是> 茲盤驅(qū)動(dòng)器10中的主控制器，在本實(shí)施例中對(duì)伺月l缺陷進(jìn) 行探測(cè)處理和對(duì)磁頭12的定位進(jìn)行控制處理(伺服操作)。存儲(chǔ)器20包 括RAM和ROM,此外還有閃存(EEPROM，即，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器)。 存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)項(xiàng)和程序，用來對(duì)進(jìn)行各種控制的CPU 19進(jìn)行控 制。(伺月艮缺陷的探測(cè)處理)本實(shí)施例所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器具有一種功能，即在將DTM型磁盤介質(zhì) 11放入磁盤驅(qū)動(dòng)器中后，當(dāng)進(jìn)行伺月艮操作時(shí)能夠探測(cè)伺服脈沖圖形中的缺 陷。伺服操作是一種定位控制，將磁頭12移動(dòng)到磁盤介質(zhì)11上的目標(biāo)位 置處。在將伺服數(shù)據(jù)從壓模轉(zhuǎn)錄到介質(zhì)11上的時(shí)候，或者在制造壓模的時(shí) 候，雜質(zhì)可能會(huì)i^磁盤驅(qū)動(dòng)器中。在這種情形中，在介質(zhì)ll上這樣形成 的伺服脈沖圖形不可避免地會(huì)有帶缺陷的部分。在介質(zhì)11的徑向上，每個(gè) 帶缺陷的部分長(zhǎng)達(dá)例如約IO微米，橫跨10個(gè)磁道(柱面)或更多。在介 質(zhì)11的圓周方向上，帶缺陷部分的延伸長(zhǎng)度比伺服扇區(qū)的長(zhǎng)度要短得多。下面將參考圖2到圖6解釋祠月良缺陷的探測(cè)順序。如圖2中的流程圖所示，當(dāng)產(chǎn)生了伺服中斷指令，從而啟動(dòng)了伺服操 作時(shí)，CPU19開始進(jìn)行普通的伺月艮艦探測(cè)處理(方框301)。更精確地 說，CPU19讀取有關(guān)當(dāng)前伺服扇區(qū)的通道信息，作為一個(gè)變量，并判斷是 否探測(cè)到了伺服地址標(biāo)記(servo address mark, SAM )和熱粗糙(thermal asperity, AT )。此外，CPU 19將探測(cè)到的磁道(柱面)地址與目標(biāo)磁道 地址相比較，判斷它們是否在幾個(gè)位(bit)上不同。如果所池磁道地址與 目標(biāo)磁道地址在幾個(gè)位(bit)上不同，那么非常可能的是，探測(cè)到的SAM 位置是錯(cuò)誤的。如果探測(cè)到了伺服錯(cuò)誤(方框302中的"否")，那么，CPU 19就終 止普通的伺服操作并進(jìn)行特殊的處理以解決該伺服錯(cuò)誤(方框310)。就 是說，CPU 19中斷在例如目標(biāo)磁道中的數(shù)據(jù)寫入。然后，CPU 19向VCM 驅(qū)動(dòng)器21發(fā)出VCM命令，防止VCM15的輸出突然發(fā)生變化。如果與在普通磁盤驅(qū)動(dòng)器中一樣判斷出伺服數(shù)據(jù)是正常的(方框302 中的"是，，)，那么CPU 19與在普通磁盤驅(qū)動(dòng)器中一樣一直進(jìn)行該伺服 操作。然而，如果地址碼是正常的，即使所轉(zhuǎn)錄的伺服脈沖圖形有缺陷， CPU 19也不進(jìn)"ft特殊處理。在本實(shí)施例中，CPU 19對(duì)伺服脈沖圖形中有缺陷的部分進(jìn)行探測(cè)處理 (方框303到305)。首先，CPU19獲取目標(biāo)扇區(qū)中所記錄的伺服數(shù)據(jù)中 所包含的脈沖值(脈沖A到D )(方框303 )。更精確地說，磁頭12中的 讀磁頭元件12RAU茲盤介質(zhì)11上的目標(biāo)扇區(qū)讀取伺服脈沖圖形(即，相 位不同的圖形A到D )。信號(hào)處理單元17對(duì)來自磁頭12的伺服信號(hào)進(jìn)行 再現(xiàn)，并向CPU 19輸出脈沖值(脈沖A到D )，即脈沖圖形A到D的幅 值。通常，CPU 19利用脈沖值(脈沖A到D )計(jì)算定位誤差(即，進(jìn)行 PES操作)(方框306)。這樣，CPU 19探測(cè)磁頭12在磁道上所處的位 置(即，找出相對(duì)于磁道中心線的定位誤差)。CPU 19利用它所獲得的脈沖值(脈沖A到D)計(jì)算伺服脈沖圖形的 可靠性(方框304 )。更精確地說，CPU 19由脈沖值(脈沖A到D )的和來計(jì)算所述可靠性，如下面所描述的。然后，CPU19將所述可靠性與一個(gè) 用來探測(cè)缺陷的參考值進(jìn)行比較，從而判斷伺服脈沖圖形是否有缺陷(方 框305)。
如果CPU19判斷出伺服脈沖圖形沒有缺陷(方框305中的"否")， 那么，它就進(jìn)行普通的伺服操作。就是說，它進(jìn)行PES操作，從而發(fā)現(xiàn)磁 頭12的定位誤差(方框306 ) 。 CPU 19也進(jìn)行將磁頭12定位在目標(biāo)位置 上的伺服操作(方框307)。更具體地說，CPU19計(jì)算出對(duì)VCM15來說 是最佳的具有多個(gè)等級(jí)的輸出值(即，控制值或VCM輸出)，以便能夠 恰當(dāng)?shù)仳?qū)動(dòng)致動(dòng)器14。注意，伺服操作包括反饋計(jì)算和前饋補(bǔ)償值的更新， 以抑制同步殘余(synchronous residues )。
此外，CPU 19將所述伺服操作中所獲得的VCM輸出轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)。 所述模擬信號(hào)被輸出到VCM驅(qū)動(dòng)器21中(方框308)。換言之，在各個(gè) 寄存器中對(duì)相繼輸出的命令值進(jìn)行更新，因?yàn)檫M(jìn)行的是多等級(jí)控制 (multi-rated control) 。 CPU 19在合適的時(shí)刻將一個(gè)寄存值切換到另一 個(gè)寄存值，并將每個(gè)值作為輸出輸出到VCM驅(qū)動(dòng)器21中。
之后，CPU 19進(jìn)行一個(gè)預(yù)操作來縮短下一個(gè)伺服操作的時(shí)間，并進(jìn)行 一個(gè)優(yōu)先級(jí)低的后處理，例如，用于確定狀態(tài)的輔助處理，這是實(shí)現(xiàn)成功 的伺服操作所必須進(jìn)行的(方框309)。這樣，伺服中斷處理就結(jié)束了。
CPU19可以判斷出伺服脈沖圖形有缺陷(方框305中的"是，，)。在 這種情形中，進(jìn)行特殊的處理以解決如上所述的伺服錯(cuò)誤(方框310)。 然后，CPU 19輸出VCM命令到VCM驅(qū)動(dòng)器21中(方框308 )，使得 VCM的輸出不會(huì)突然地發(fā)生變化。此夕卜，CPU 19進(jìn)行后處理(方框309 )。 在這種情形中，伺服中斷處理也就結(jié)束了。 (可靠性的計(jì)算方法)
下面將解釋本實(shí)施例中計(jì)算伺服脈沖圖形的可靠性的方法。
圖7A和7B給出了本發(fā)明的實(shí)施例中脈沖缺陷和伺月良信號(hào)(伺服脈沖
信號(hào)脈沖A到D)所具有的關(guān)系。如上面所指出的，磁盤介質(zhì)11為DTM
型磁盤介質(zhì)。假設(shè)DTM型磁盤介質(zhì)11上所形成的伺服脈沖圖形中有有缺陷的部分 (即，有缺陷圖形)。有缺陷的圖形可以從再現(xiàn)出來的伺服脈沖信號(hào)(脈 沖A到D)的波形中探測(cè)出來。
圖7B顯示了從正常的伺服脈沖圖形中再現(xiàn)出來的信號(hào)的波形。圖7A 顯示了從含有帶缺陷的伺服脈沖圖形B的伺服脈沖圖形中再現(xiàn)出來的信號(hào) 的波形。從圖7A中清楚看到，在第二個(gè)脈沖圖形B的中間信號(hào)消失了， 而在第三個(gè)脈沖圖形C的后半段信號(hào)又重新出現(xiàn)了。當(dāng)磁頭12向前移動(dòng) 10個(gè)磁道(柱面)以及向后移動(dòng)10個(gè)磁道時(shí)，信號(hào)消失的區(qū)域會(huì)變得更 窄。圖形B的有缺陷部分是由長(zhǎng)約8微米的有缺陷部分所導(dǎo)致的。
有缺陷的圖形，如果有的話，會(huì)使再現(xiàn)信號(hào)的波形中出現(xiàn)沒有信號(hào)的 區(qū)域。這會(huì)大大地減小伺服脈沖信號(hào)(脈沖A到D)的總幅度。因此，如 果有缺陷的話，當(dāng)CPU 19探測(cè)到伺服脈沖信號(hào)的總幅度有變化時(shí)，就在 伺服脈沖圖形中探測(cè)到了缺陷。
根據(jù)本實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器中有一個(gè)計(jì)算可靠性的單元。下面將參考 圖4描迷所述可靠性計(jì)算單元。在實(shí)際中，CPU 19執(zhí)行可靠性計(jì)算單元的 功能?？煽啃杂?jì)算單元由四個(gè)脈沖幅度值(脈沖A到D)的和來計(jì)算可靠 性值RV。然而，在本實(shí)施例中，可靠性計(jì)算單元產(chǎn)生一個(gè)歸一化的可靠 性值RV,而不是各脈沖幅度值(脈沖A到D)的一個(gè)簡(jiǎn)單的和。
如圖4所示，可靠性計(jì)算部分包括計(jì)算和的單元(求和單元)30、估 值單元31、和低通濾波器(LPF )單元32。計(jì)算和的單元30將信號(hào)處理 單元17所再現(xiàn)的四個(gè)脈沖幅度值(脈沖A到D )加起來，產(chǎn)生脈沖值的 和N。將脈沖值的和N輸出到估值單元31。估值單元31將脈沖值的和N 提供給LPF單元32。
LPF單元32是一個(gè)低通濾波操作單元，即CPU 19。它進(jìn)行LPF操作， 以便監(jiān)控混有在一個(gè)磁道中所產(chǎn)生的中等漲落的頻帶。更精確地說，LPF 單元32對(duì)目標(biāo)樣本的前一個(gè)樣本進(jìn)行延遲操作，從而為從目標(biāo)樣本的前一 個(gè)樣本所獲得的脈沖值之和N產(chǎn)生一個(gè)LPF值M。該LPF值M被輸出 到估值單元31中?；蛘撸琇PF單元32為當(dāng)前脈沖值之和N，而不是為從目標(biāo)樣本的前一個(gè)樣本所獲得的脈沖值之和N，輸出 一個(gè)LPF值M。
可以通過LPF頻帶被設(shè)置在例如1 kHz左右的低通濾波操作來獲得 LPF值M。這個(gè)值近似于脈沖值之和N的移動(dòng)平均(motion average )。 如果單磁道祠服圖形的轉(zhuǎn)錄幾乎沒有漲落，那么可以將截止頻帶設(shè)置到70 Hz左右。在這種情形中，LPF值M就可以被認(rèn)為幾乎是當(dāng)前磁道的脈沖 值之和N的移動(dòng)平均。
估值單元31獲得脈沖值之和N與LPF值M的比值(該比值表明脈沖 值之和N是否已經(jīng)改變)。應(yīng)用這樣獲得的所述比值，產(chǎn)生歸一化的可靠 性值RV?？煽啃灾礡V表明四個(gè)脈沖幅度值(脈沖A到D )之和的突然 改變。如后面將要描述的，CPU19利用可靠性值RV，以便判斷伺服脈沖 圖形是否有缺陷。在大多數(shù)情形中，如果可靠性值RV等于或小于某個(gè)預(yù) 定的值，那么可靠性值RV就表示低的可靠性。
可以將可靠性計(jì)算單元修改為如圖5所示的那樣一個(gè)單元。在修改后 的可靠性計(jì)算單元中，使用能延遲一個(gè)樣本的延遲操作單元33來替代LPF 單元32。因此，在修改后的可靠性計(jì)算單元中，估值單元31得出從前一 個(gè)扇區(qū)所獲得的脈沖值之和N與LPF值M之比，并使用這個(gè)比值，產(chǎn)生 歸一化的可靠性值RV。
如前面所提及的，獲得并應(yīng)用脈沖值之和N與LPF值M之比，計(jì)算 歸一化的可靠性值RV。這樣做的原因有以下兩個(gè)。
第一個(gè)原因在于這樣的事實(shí)，即，脈沖幅度值之和根據(jù)磁頭12在磁盤 介質(zhì)11的徑向上所處的位置而變化。就是說，分別在內(nèi)磁道、中間磁道和 外磁道上所探測(cè)到的所述和彼此是不同的。 一般地，當(dāng)磁頭12跨過內(nèi)磁道 和外磁道而移動(dòng)時(shí)，由磁頭12所產(chǎn)生的信號(hào)在幅度上漸漸地發(fā)生變化。所 以，當(dāng)磁頭12這樣移動(dòng)時(shí)，四個(gè)脈沖幅度值(脈沖A到D)之和趨向于 漸漸地發(fā)生變化。如果四個(gè)脈沖幅度值之和這樣變化的話，那么，任何伺 服脈沖圖形的無缺陷部分可以被探測(cè)為是有缺陷的，反過來，任何伺服脈 沖圖形的有缺陷部分可以被探測(cè)為是無缺陷的。為了防止這個(gè)問題，對(duì)當(dāng) 前磁道的所有扇區(qū)進(jìn)行平均，使用歸一化為這個(gè)比值的脈沖值之和N作為可靠性值RV。在這種情形中，LPF值M可以被認(rèn)為是磁頭12相對(duì)于介 質(zhì)11的徑向處于當(dāng)前位置時(shí)所獲得的平均幅度之和。因此就可以得到采用 所有扇區(qū)的平均進(jìn)行歸一化的脈沖幅度值之和。
第二個(gè)原因涉及到在磁盤介質(zhì)11中的一個(gè)磁道的各扇區(qū)上四個(gè)脈沖 幅度值之和的漲落。在大多數(shù)情形中，在一個(gè)磁道的各扇區(qū)上四個(gè)脈沖幅 度值之和基本上是一個(gè)常數(shù)。然而，在DTM型磁盤介質(zhì)11上，根據(jù)磁道 中扇區(qū)的位置，四個(gè)脈沖幅度值之和對(duì)每個(gè)扇區(qū)而言時(shí)常適度地有些漲落。 從主盤轉(zhuǎn)錄到磁盤介質(zhì)11上的伺服脈沖圖形在大小上會(huì)稍有不同，這是由 于主盤和磁盤介質(zhì)11之間的不均勻間隙以及由于圖形的不均勻磁轉(zhuǎn)錄所 致。如果這種情形發(fā)生了，那么，^沒置在上述值處的LPF截至頻帶就不能 應(yīng)付一個(gè)磁道的脈沖值之和的中等變化。不可避免地，會(huì)錯(cuò)誤地探測(cè)到脈 沖缺陷。
所以，LPF截止頻帶要設(shè)置為這樣一個(gè)值，使得LPF值M可以被認(rèn) 為是10個(gè)到20個(gè)扇區(qū)的脈沖幅度的移動(dòng)平均。因此，LPF截至頻帶就可 以應(yīng)付一個(gè)磁道的脈沖值之和的中等變化。
如果可靠性值RV是用來探測(cè)四個(gè)脈沖幅度值之和的突然變化的話， 那么可以用任何其它的方法來計(jì)算可靠性值RV。例如，不從脈沖值之和N (即，脈沖A +脈沖B +脈沖C +脈沖D )來計(jì)算可靠性值RV,而是從兩 個(gè)脈沖值之和(例如，脈沖A +脈沖B以及脈沖C +脈沖D)來計(jì)算可靠 性值RV。可靠性值RV不管是從脈沖值之和N還是從兩個(gè)脈沖值之和得 到的，它基本上都是相同的。因此，四個(gè)脈沖幅度值之和會(huì)發(fā)生突然變化 的任何扇區(qū)都可以被確定為是有缺陷的。 (在伺服脈沖圖形中探測(cè)缺陷的處理)
下面將參考圖6中的流程圖詳細(xì)解釋在伺服脈沖圖形中探測(cè)缺陷的處 理(圖2中的方框305)。
在本實(shí)施例中，即使所計(jì)算出來的可靠性值RV等于或小于所述預(yù)定 的值，CPU19也不將伺服脈沖圖形判斷為是有缺陷的。而是，CPU 19對(duì) 記錄著有缺陷的伺服脈沖圖形的任何有缺陷的扇區(qū)進(jìn)行識(shí)別處理。更具體地說，要可靠地識(shí)別有缺陷的扇區(qū)，使得由搜尋操作(即，磁頭12的移動(dòng)) 中的漲落所導(dǎo)致的可靠性值RV中的噪聲或者RV值的變化不會(huì)被探測(cè)為 是一個(gè)脈沖缺陷。
首先，CPU19計(jì)算可靠性值RV (方框501)。然后，CPU19將所述 可靠性值RV與預(yù)定的值(參考值)進(jìn)行比較(方框502)。如果該可靠 性值RV等于或小于所述預(yù)定的值(方框502中的"否，，)，那么，CPU 19 就判斷為該扇區(qū)的可靠性較低。為了方1^見，在本實(shí)施例中，使用'T， 和"0"作為任何正常扇區(qū)的可靠性值RV和任何有缺陷扇區(qū)的可靠性值 RV。 CPU19選擇出磁盤介質(zhì)11上一個(gè)磁道的所有扇區(qū)中可靠性最小的扇 區(qū)，并在存儲(chǔ)器20中將這個(gè)扇區(qū)存儲(chǔ)為候選的有缺陷扇區(qū)，同時(shí)存儲(chǔ)該扇 區(qū)的可靠性值。此外，CPU19對(duì)作為候選有缺陷扇區(qū)的可靠性值RV最小 的扇區(qū)進(jìn)行更新。
接著，CPU 19判斷具有最小可靠性值RV的扇區(qū)是否與可靠性最小的 扇區(qū)具有同一扇區(qū)號(hào)(方框505)。如果具有最小可靠性值RV的扇區(qū)具 有同一扇區(qū)號(hào)(方框505中的"是")，那么，CPU19就將這個(gè)扇區(qū)判斷 為是有缺陷扇區(qū)。
如果具有最小可靠性值RV的扇區(qū)與可靠性最小的扇區(qū)不具有同一扇 區(qū)號(hào)(方框505中的"否，，)，那么，CPU19就不將這個(gè)扇區(qū)判斷為是有 缺陷扇區(qū)。
當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器開始操作時(shí)，在存儲(chǔ)器20中沒有存儲(chǔ)可靠性最小的扇 區(qū)。所以，即使是具有最小可靠性值RV的扇區(qū)和具有脈沖缺陷的扇區(qū)也 會(huì)被認(rèn)為是正常扇區(qū)。然而，這并不重要，因?yàn)檫@樣的扇區(qū)對(duì)于抑制高階 同步殘余(synch ronous residues)的處理幾乎不會(huì)有什么影響。在同步殘 余得到抑制之后，這樣的扇區(qū)就判斷為有脈沖缺陷。DTM型磁盤介質(zhì)ll 上任何磁道中的脈沖缺陷都會(huì)降低鄰近磁道的可靠性值。因此，即使進(jìn)行 iO巨搜尋(near-distance seek),諸如單磁道搜尋，候選的有缺陷扇區(qū)也 不會(huì)被清除，并被確定無誤地判斷為是有缺陷的扇區(qū)。
任何有噪聲的從而可靠性較低的扇區(qū)確實(shí)在存儲(chǔ)器20中被存儲(chǔ)為候選的有缺陷扇區(qū)。然而，候選的有缺陷扇區(qū)不被判斷為是有缺陷的，因?yàn)椋?br> 其可靠性會(huì)降低的概率是極其低的。具有大的可靠性值RV但與候選的有 缺陷扇區(qū)具有相同扇區(qū)號(hào)的任何扇區(qū)將從存儲(chǔ)器中^L清除，如下面所述。
具有最小可靠性值RV的扇區(qū)可以與可靠性最小的扇區(qū)具有不同的扇 區(qū)號(hào)，從而被判斷為沒有脈沖缺陷(方框505中的"否")。如果是這種 情形的話，CPU 19就判斷這個(gè)扇區(qū)是否比任何前面的候選有缺陷扇區(qū)具有 更小的可靠性值RV (方框506)。如果該扇區(qū)沒有一個(gè)更小的可靠性值 RV的話(方框506中的"否")，CPU19就判斷為該扇區(qū)是一個(gè)正常扇 區(qū)，沒有缺陷。如果該扇區(qū)具有最小的可靠性值RV的話(方框506中的 "是")，那么，該扇區(qū)就被更新為候選的有缺陷扇區(qū)并被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器 20中(方框507 )。
假設(shè)磁盤介質(zhì)11上的一個(gè)磁道只有一個(gè)有缺陷扇區(qū)。于是，比所述磁 道上的任何其它扇區(qū)具有更小的可靠性值的扇區(qū)被更新為有缺陷扇區(qū)。如 果任何其它的扇區(qū)會(huì)有一個(gè)相對(duì)較小的可靠性值的話，那么該小的可靠性 值就源于噪聲。需要的話，就重復(fù)進(jìn)行這種更新，直到識(shí)別出所M道中 具有最小可靠性值的扇區(qū)。
如果該可靠性值RV大于所述預(yù)定的值(方框501)，那么，CPU 19 就判斷為所述扇區(qū)的可靠性是高的(方框502中的"是")。在這種情形 中，CPU 19判斷所述扇區(qū)是否是有缺陷的(方框503 )。在大多數(shù)情形中， CPU19判斷出所述扇區(qū)是正常的，而不是有缺陷的(方框503中的"否")。
如果發(fā)現(xiàn)所述扇區(qū)是候選有缺陷扇區(qū)(方框503中的"是，，)，那么， 該候選有缺陷扇區(qū)就從存儲(chǔ)器20中被清除，并且該候選有缺陷扇區(qū)的可靠 性值就被改變?yōu)?1"(方框504)。在這種情形中，可靠性值"1"表明， 被認(rèn)為是可靠性低的候選有缺陷扇區(qū)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器20中。
上述判定順序可以很可靠地識(shí)別出任何有脈沖缺陷的扇區(qū)。然而，本 實(shí)施例中所執(zhí)行的判定順序基于這樣的假設(shè)，即磁盤介質(zhì)11上的每個(gè)磁道 幾乎不會(huì)有兩個(gè)或更多個(gè)有缺陷扇區(qū)。換言之，如果有的話，每個(gè)磁道只 有一個(gè)有脈沖缺陷的扇區(qū)。因此，如果重復(fù)地發(fā)現(xiàn)一個(gè)扇區(qū)的可靠性值4艮小，那么，該扇區(qū)就被識(shí)別為有脈沖缺陷的扇區(qū)。在判斷扇區(qū)是否有)^沖
缺陷的過程中，如果為所述扇區(qū)計(jì)算出的所有可靠性值RV都等于或小于 預(yù)定值的話，那么，該扇區(qū)就可以被確定為是有缺陷的。
在根據(jù)本實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器中，在使用DTM型磁盤介質(zhì)11之前， 在祠服操作期間，可以可靠地探測(cè)到并確定有脈沖缺陷的扇區(qū)，如果有這 樣的扇區(qū)的話。這就可以防止伺服錯(cuò)誤傳播到磁盤介質(zhì)11上的正常扇區(qū) 中。下面將特別地說明本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)。
圖8顯示了如果只在一個(gè)扇區(qū)(例如扇區(qū)No. 62)中存在伺服缺陷的 話，那么從一個(gè)扇區(qū)到另一個(gè)扇區(qū)磁頭定位精度如何變化。在圖8中，伺 服扇區(qū)的編號(hào)被畫在橫軸上，而定位誤差被畫在縱軸上。曲線100表明每 個(gè)扇區(qū)的平均定位誤差，曲線110顯示了通過疊加所有的定位誤差信號(hào)所 獲得的一個(gè)值，曲線120表示每個(gè)扇區(qū)的最大定位誤差。
從圖8可以清楚看到，伺服缺陷只在一個(gè)扇區(qū)中存在。然而，如果進(jìn) 行普通的伺服操作的話，定位誤差就會(huì)擴(kuò)展到很寬的區(qū)域中。這可能是因 為用于同步抑制的迭代學(xué)習(xí)控制型補(bǔ)償比及Jt控制更有影響性，不可避免 地使前饋控制所實(shí)現(xiàn)的補(bǔ)償產(chǎn)生錯(cuò)誤，并最終在很寬范圍上引起定位誤差。
圖9顯示了如果確定了有脈沖缺陷的扇區(qū)并且對(duì)這些扇區(qū)采取了措施 的話，那么從一個(gè)扇區(qū)到另一個(gè)扇區(qū)磁頭定位精度如何變化。從圖9可以 清楚看到，每個(gè)扇區(qū)的定位誤差減小了，并且定位誤差沒有擴(kuò)展到很寬的 范圍上。就是說，伺服誤差沒有傳播到寬的范圍上，這就防止了伺服缺陷 在許多磁道上，例如數(shù)十個(gè)磁道(柱面)上，擴(kuò)展。于是，可以增強(qiáng)磁盤 介質(zhì)11的有效存儲(chǔ)容量，提高介質(zhì)11的存儲(chǔ)效率。
所述對(duì)有脈沖缺陷的扇區(qū)所采取的措施是，任何有缺陷扇區(qū)的每個(gè)伺 服脈沖值用從前一個(gè)扇區(qū)得到的伺服脈沖值來替代。有望禁止將用戶數(shù)據(jù) 寫入任何有脈沖缺陷的扇區(qū)中。
如在大多數(shù)情形中那樣，在DTM型磁盤介質(zhì)11上幾乎不能均勻地形 成伺服脈沖圖形。于是，在磁盤介質(zhì)11的圓周方向上，脈沖值之和幾乎不 能是常數(shù)，如圖IO所示。圖IO顯示了在磁盤介質(zhì)ll設(shè)置的一個(gè)磁道上脈沖值之和如何變化。在圖10中，曲線220顯示了在用常規(guī)伺服寫入器寫入 了伺服數(shù)據(jù)的磁盤介質(zhì)上的正常區(qū)域中脈沖值之和如何變化。曲線200顯 示了在DTM型萬茲盤介質(zhì)的正常區(qū)域中脈沖值之和如何變化。曲線210顯 示了如果伺服缺陷只存在于扇區(qū)No. 62的話DTM型磁盤介質(zhì)中的脈沖值 之和如何變化。從圖IO中可以看到，有缺陷扇區(qū)(參見曲線210)比正常扇區(qū)(參見 曲線200)可以有更大的脈沖值之和，因?yàn)槊}沖缺陷在幅度上不同。因此， 只從脈沖值之和很難確定單個(gè)的脈沖缺陷。在本實(shí)施例中，LPF單元32 進(jìn)行如圖4所示的LPF操作，高精度地確定每個(gè)脈沖誤差的幅度。因此，本實(shí)施例可以使磁盤驅(qū)動(dòng)器具有在磁盤介質(zhì)所記錄的伺服脈沖 圖形中可靠地探測(cè)缺陷的功能。所以，在伺服操作期間可以防止磁頭定位 誤差。(其它實(shí)施例)圖3是一個(gè)流程圖，說明了在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中探測(cè)伺月艮缺陷 的順序。在上述實(shí)施例中，如果CPU 19判斷出扇區(qū)是正常的，沒有伺服缺陷 (方框305中的"否")，那么它就進(jìn)行PES操作(方框306)，如圖2所示。在本實(shí)施例中，在獲得了伺服脈沖值之后(方框403) ， CPU19馬上 進(jìn)行PES操作(方框404)。此外，在本實(shí)施例中，如果發(fā)現(xiàn)扇區(qū)有缺陷 的話，不進(jìn)行特殊處理。代之的是，如果發(fā)現(xiàn)扇區(qū)有缺陷(方框406中的 "是")，那么改變PES值(方框411)。改變PES值的處理(方框411) 等價(jià)于在上述實(shí)施例中對(duì)有缺陷扇區(qū)所采取的措施。所以，如果改變PES 值并且隨后進(jìn)行普通的伺服操作的話，可以禁止在緊鄰任何有缺陷的伺服 扇區(qū)的前面和后面寫入數(shù)據(jù)，以便保持磁盤驅(qū)動(dòng)器的可靠性。除了方框403、 404和411之外，根據(jù)所述其它實(shí)施例的方法等同于圖 2所示的方法。所以，這里就不再說明除了方框403、 404和411之外的其 它方框。對(duì)那些熟悉本技術(shù)的人員來說，可以容易地發(fā)現(xiàn)其它的優(yōu)點(diǎn)和修正方 法。所以，本發(fā)明就其更廣泛的方面而言不限于這里所顯示和描述的具體細(xì)節(jié)和有代表性的實(shí)施例。因此，可以進(jìn)行各種修正而不偏離由附屬權(quán)利 要求書及其等價(jià)說法所定義的總的發(fā)明性概念的精神或范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于包括具有多個(gè)扇區(qū)的磁盤介質(zhì)，在每個(gè)扇區(qū)中記錄著含有伺服脈沖圖形的伺服數(shù)據(jù)；磁頭，用于從所述磁盤介質(zhì)上讀取包含所述伺服脈沖圖形的數(shù)據(jù)；獲取值的單元，用來從所述磁頭所讀取的伺服脈沖圖形中獲取每個(gè)扇區(qū)的伺服脈沖值；可靠性計(jì)算單元，該單元根據(jù)從待估扇區(qū)所獲得的伺服脈沖值之和與通過對(duì)探測(cè)時(shí)所獲得的所述和或者為前一個(gè)樣本所獲得的所述和進(jìn)行低通濾波操作而得到的值之比，來計(jì)算所述扇區(qū)的可靠性值；以及判定單元，基于所述可靠性計(jì)算單元所計(jì)算出的所述可靠性值來判斷所述扇區(qū)是否是含有有缺陷伺服脈沖圖形的有缺陷扇區(qū)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述可靠性計(jì)算 單元在這樣一個(gè)頻帶上進(jìn)行低通濾波操作，使得能夠?qū)Π龆鄠€(gè)扇區(qū) 的磁道上所產(chǎn)生的中等漲落進(jìn)行監(jiān)視。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于還包括控制器，當(dāng) 所述判定單元判斷出在所述磁盤介質(zhì)上存在所述有缺陷扇區(qū)時(shí)，所迷控制 器進(jìn)行預(yù)定的特殊處理。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述伺服數(shù)據(jù)通 過轉(zhuǎn)錄過程被記錄在所述磁盤介質(zhì)上了 。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所逸磁盤介質(zhì)是 一種離散磁道介質(zhì)，其中，所述祠服數(shù)據(jù)通過一種離散磁道記錄方法記錄 在其上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所逸磁頭包括寫 磁頭元件，該寫磁頭元件在所述磁盤介質(zhì)上寫入除所述祠服數(shù)據(jù)之外的數(shù) 據(jù)，所述磁盤驅(qū)動(dòng)器還包括控制器，當(dāng)所述判定單元判斷出在所M盤介 質(zhì)上存在所述有缺陷扇區(qū)時(shí)，所述控制器禁止所述寫磁頭在所述磁盤介質(zhì)上寫入數(shù)據(jù)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述可靠性計(jì)算 單元進(jìn)行低通濾波操作，從而計(jì)算出一個(gè)近似于所述和的移動(dòng)平均的值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述判定單元將 具有最小可靠性值的扇區(qū)識(shí)別為有缺陷扇區(qū)，將所述有缺陷扇區(qū)的可靠性 值以及識(shí)別所述有缺陷扇區(qū)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，并在待估扇區(qū)具有小 于預(yù)定值的可靠性值并等同于所述存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的所述有缺陷扇區(qū)時(shí)將 該扇區(qū)判斷為有缺陷扇區(qū)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述判定單元將 具有最小可靠性值的扇區(qū)識(shí)別為有缺陷扇區(qū)，將所述最小可靠性值以及識(shí) 別所述有缺陷扇區(qū)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，當(dāng)待估扇區(qū)具有大于預(yù)定值的 可靠性值并等同于所述存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的所述有缺陷扇區(qū)時(shí)更新所述存儲(chǔ) 器中的有缺陷扇區(qū)的可靠性值，以及當(dāng)待估扇區(qū)具有小于所述預(yù)定值的可 靠性值并等同于所述存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的所述有缺陷扇區(qū)時(shí)將該扇區(qū)判斷為 有缺陷扇區(qū)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于還包括一個(gè)單元， 其中，當(dāng)所述判定單元判斷出在所述磁盤介質(zhì)上存在有缺陷扇區(qū)時(shí)，所述 單元將待估扇區(qū)的每個(gè)伺服脈沖值改變?yōu)閺乃龃郎葏^(qū)的前一個(gè)扇區(qū)所 獲得的相應(yīng)的伺服脈沖值。
11. 一種設(shè)計(jì)為用于磁盤驅(qū)動(dòng)器中的探測(cè)伺服缺陷的方法，其中，所 述磁盤驅(qū)動(dòng)器包括具有多個(gè)扇區(qū)的磁盤介質(zhì)，而在每個(gè)扇區(qū)中記錄著含有 伺服脈沖圖形的伺月艮數(shù)據(jù)，以及包括磁頭，用來從所ii^盤介質(zhì)上讀取包 含所述伺服脈沖圖形的數(shù)據(jù)，所述方法的特征在于包括從所述磁頭所讀取的伺服脈沖圖形中獲取每個(gè)扇區(qū)的伺服脈沖值；述和或者為前一個(gè)樣本所獲得的所述和進(jìn)行低通濾波操作而得到的值之 比，來計(jì)算所述扇區(qū)的可靠性值；以及基于所計(jì)算出的所述可靠性值來判斷所述扇區(qū)是否是含有有缺陷伺服脈沖圖形的有缺陷扇區(qū)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述判定單元判斷 出在所述磁盤介質(zhì)上存在所述有缺陷扇區(qū)時(shí)，預(yù)定的特殊處理被執(zhí)行。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，將具有最小可靠性值 的扇區(qū)識(shí)別為有缺陷扇區(qū)，將所述有缺陷扇區(qū)的可靠性值以及識(shí)別所述有 缺陷扇區(qū)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，以及當(dāng)待估扇區(qū)具有小于預(yù)定值的可靠 性值并等同于所述存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的所述有缺陷扇區(qū)時(shí)將該扇區(qū)判斷為是 有缺陷的。
14. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于，當(dāng)判斷出在所ii^茲盤 介質(zhì)上存在有缺陷扇區(qū)時(shí)，將待估扇區(qū)的每個(gè)伺服脈沖值改變?yōu)閺乃龃?估扇區(qū)的前一個(gè)扇區(qū)所獲得的相應(yīng)的伺服脈沖值。
全文摘要
在裝有磁盤介質(zhì)(11)的磁盤驅(qū)動(dòng)器中，其中所述磁盤介質(zhì)具有多個(gè)扇區(qū)，而在每個(gè)扇區(qū)中記錄著包含伺服脈沖圖形的伺服數(shù)據(jù)，CPU(19)使用從待估扇區(qū)所獲得的伺服脈沖值之和與通過對(duì)探測(cè)時(shí)所獲得的或者為前一個(gè)樣本所獲得的所述和進(jìn)行低通濾波操作而得到的值之比，計(jì)算所述扇區(qū)的可靠性值。然后，所述CPU(19)基于所計(jì)算出的所述可靠性值來判斷所述扇區(qū)是否是含有有缺陷伺服脈沖圖形的有缺陷扇區(qū)。
文檔編號(hào)G11B5/596GK101276595SQ20081008280
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2008年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月29日
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