專利名稱：操作非易失性存儲裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種操作非易失性存儲器的方法。
背景技術(shù)：
即使在沒有電源的情況下，諸如電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM ) 或閃存的傳統(tǒng)的非易失性存儲裝置也可保存存儲在其中的數(shù)據(jù)，這種傳統(tǒng)的 非易失性存儲裝置可用作移動裝置、便攜式存儲棒等的存儲介質(zhì)。
圖1是顯示在傳統(tǒng)的非易失性存儲裝置的編程操作期間閾值電壓Vth隨 時間變化的曲線圖。參照圖1，在記錄數(shù)據(jù)之后，傳統(tǒng)的非易失性存儲裝置 會需要相當(dāng)長的時間來使閾值電壓Vth變得均勻(uniform)。在一個示例中， 在記錄數(shù)據(jù)之后，閾值電壓Vth會減小并隨后逐漸飽和。在一個示例中，在記 錄數(shù)據(jù)之后，閾值電壓Vth可在約40(is之后為低于飽和電壓(例如，圖l中 為約0V)約0.1V，并在約500ps之后為低于飽和電壓約0.01V。因此，在從 記錄數(shù)據(jù)到驗證數(shù)據(jù)的時間段內(nèi)，閾值電壓Vth可變化。
在增量式階躍脈沖編程(ISPP)中，圖1中的閾值電壓變化會使數(shù)據(jù)驗 證的可靠性劣化，這會增加不正確的確定數(shù)據(jù)編程是否完成的可能性。這種 不正確的確定會減小數(shù)據(jù)編程操作的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實施例提供了操作非易失性存儲裝置的方法，以增加非易失性存 儲裝置的操作速度和/或改善編程操作的可靠性。
至少一個示例性實施例提供了 一種操作非易失性存儲裝置的方法。所述 非易失性存儲裝置可包括多個布置在半導(dǎo)體基底上的共源極線和多條位線之 間的NAND型存儲單元?？蓪?shù)據(jù)記錄在從所述多個存儲單元中選擇的一個 存儲單元中?？赏ㄟ^布置在相對地緊密接近于和/或連接到在所述多個存儲單 元中選擇的存儲單元的至少一個存儲單元的溝道，在選擇的存儲單元的溝道 上感應(yīng)升壓電壓來使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定。隨后可驗證數(shù)據(jù)。
至少根據(jù)一些示例性實施例，可通過將導(dǎo)通電壓施加到結(jié)合到至少一個 存儲單元的至少一條字線來感應(yīng)升壓電壓，所述至少一個存儲單元布置為相 對地緊密接近于和/或連接到選擇的存儲單元?？蓮膶?dǎo)通電壓電容性地感應(yīng)升 壓電壓。
至少根據(jù)一些示例性實施例，可通過將第一電壓施加到所述多條位線并 導(dǎo)通所迷多個存儲單元中布置在選擇的存儲單元和所述多條位線之間的存儲 單元來感應(yīng)升壓電壓?？蓪⒌诙妷菏┘拥焦苍床偶熬€，并導(dǎo)通所述多個存儲 單元中布置在選擇的存儲單元和共源極線之間的存儲單元。
至少一個其他示例性實施例提供了 一種操作包括多個布置在半導(dǎo)體基底
上的共源極線和多條位線之間的存儲單元的NAND型非易失性存儲裝置的方 法。至少在該示例性實施例中，可將數(shù)據(jù)記錄在從所述多個存儲單元中選擇 的一個存儲單元中?？墒惯x擇的存儲單元截止，并且可從所述多條位線或共 源極線在選擇的存儲單元上感應(yīng)升壓電壓，來使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定。可驗證所 述數(shù)據(jù)。
至少一個其他示例性實施例提供了 一種操作包括多個布置在半導(dǎo)體基底 上的共源極線和多條位線之間的存儲單元的NAND型非易失性存儲裝置的方 法。至少根據(jù)該示例性實施例，可將數(shù)據(jù)記錄在從所述多個存儲單元中選擇 的一個存儲單元中?？墒惯x擇的存儲單元截止，并且從布置在緊密接近于和/ 或連接到選擇的存儲單元的至少 一個存儲單元在選擇的存儲單元上電容感應(yīng) 升壓電壓，來使編程的數(shù)據(jù)穩(wěn)定?？沈炞C所述數(shù)據(jù)。


通過參照附圖對本發(fā)明示例性實施例進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明將變得清 楚，其中
圖1是顯示傳統(tǒng)的非易失性存儲裝置的編程操作中闊值電壓變化的曲線
圖2是示出根據(jù)示例性實施例的操作非易失性存儲裝置的方法的流程
圖3是顯示根據(jù)示例性實施例的操作非易失性存儲裝置的方法中電壓隨 時間變化的曲線圖4是示出根據(jù)示例性實施例的用于解釋數(shù)據(jù)記錄方法的非易失性存儲
裝置的電路圖5是示出根據(jù)示例性實施例的用于解釋數(shù)據(jù)穩(wěn)定方法的非易失性存儲 裝置的電路圖6是根據(jù)示例性實施例的數(shù)據(jù)穩(wěn)定方法的仿真期間非易失性存儲裝置 的剖-見圖7是顯示圖6所示的非易失性存儲裝置的溝道位置和溝道電壓之間的 關(guān)系的曲線圖8至圖13是根據(jù)示例性實施例的用于解釋數(shù)據(jù)穩(wěn)定方法的非易失性存 儲裝置的電路圖；和
圖14是根據(jù)另一示例性實施例的用于解釋操作非易失性存儲裝置的方 法的非易失性存儲裝置的電路圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的各種示例性實施例，在附圖中顯 示了一些本發(fā)明的示例性實施例。在附圖中，為了清晰，夸大了層和區(qū)域的厚度。
這里公開了本發(fā)明詳細(xì)的說明性的實施例。然而，這里公開的特定結(jié)構(gòu) 和功能細(xì)節(jié)僅僅表示描述本發(fā)明示例性實施例的目的。然而，本發(fā)明可以以 許多替換形式來實現(xiàn)，并不應(yīng)該被解釋為僅限于這里闡述的實施例。
因此，盡管本發(fā)明的示例性實施例能夠有各種修改和替換形式，但是作 為實例，在附圖中顯示了本發(fā)明的實施例并且在這里將進(jìn)行詳細(xì)描述。然而， 應(yīng)該理解，并不意圖將本發(fā)明的示例性實施例限制于公開的特定形式，而是 相反地，本發(fā)明的示例性實施例覆蓋落入本發(fā)明范圍之內(nèi)的所有修改物、等 同物和替換物。貫穿附圖的描述，相同的標(biāo)號表示相同的元件。
應(yīng)該理解，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件，但 是這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件與另一 個元件相區(qū)分。例如，在不脫離本發(fā)明示例性實施例的范圍的情況下，第一 元件可被稱為第二元件，并且相似地，第二元件也可被稱為第一元件。如在 這里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列項的任意組合和所有組 合。
應(yīng)該理解，當(dāng)元件被稱為"連接到"或"結(jié)合到"另一元件時，該元件可以直接連接或結(jié)合到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被 稱為"直接連接到"或"直接結(jié)合到"另一元件時，不存在中間元件。應(yīng)該 以相同的方式來解釋用于描述元件之間的關(guān)系的其他詞語(例如，"在...之 間"與"直接在...之間"相對，"相鄰"與"直接相鄰"相對等)。
這里使用的術(shù)語僅為了描述特定實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明的 示例性實施例。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解，當(dāng)在這里使用術(shù)語"包含"和/或"包括" 時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在 或附加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
還應(yīng)該注意，在一些替換實現(xiàn)中，提到的功能/動作可能不按圖中表示的 次序發(fā)生。例如，根據(jù)涉及的功能/動作，連續(xù)顯示的兩幅圖可能基本上同時 執(zhí)行，或者可能有時以相反的次序執(zhí)行。
在至少一些示例性實施例中，非易失性存儲裝置可包括能夠使用電荷存
儲器(例如，EEPROM、閃存等)記錄數(shù)據(jù)的裝置。如這里所述，非易失性 存儲裝置可包括插入半導(dǎo)體基底和控制柵電極之間的電荷存儲層。電荷存儲 層可用作浮置柵極、電荷捕獲層等。
在至少 一些示例性實施例中，描述非易失性存儲裝置的示例性操作條件。 應(yīng)該理解，將非易失性存儲裝置接地表示將約0V電壓施加到該非易失性存 儲裝置。
圖2是示出根據(jù)示例性實施例的操作非易失性存儲裝置的方法的流程 圖。圖3是顯示根據(jù)示例性實施例的操作非易失性存儲裝置的方法中電壓隨 時間變化的曲線圖。
參照圖2，在S110,可從存儲裝置的多個存儲單元中選擇一個存儲單元， 并可通過將編程電壓施加到選擇的存儲單元來將數(shù)據(jù)記錄在選擇的存儲單元
中。參照圖3，例如，可通過在tl至t2的時間內(nèi)將編程電壓Vpgm施加到控制 柵電極來記錄數(shù)據(jù)。施加的編程電壓可使用福勒-諾德漢(Fowler-Nordheim (FN))隧穿將電子從半導(dǎo)體基底注入到電荷存儲層中。
在S120,可使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定。例如，再次參照圖3，可在t3至t4(其
中，t3^t2)的時間內(nèi)將升壓電壓Vcha,i施加到選擇的存儲單元。施加的升壓
電壓Vchannel可使選擇的存儲單元的闊值電壓更快地飽和。升壓電壓V^nnd的 極性可與根據(jù)數(shù)據(jù)記錄條件設(shè)置的電壓的極性相反，因此，根據(jù)升壓電壓Vchannel可更快地去除包括在選擇的存儲單元中的變化。
升壓電壓Vchannel可有助于抑制和/或消除形成在控制柵電極和半導(dǎo)體基 底之間的隧穿絕緣層或阻擋絕緣層中的偶極矩。此外，升壓電壓Vcha旨,可更 快速地使注入到電荷存儲層的電荷重新分布和穩(wěn)定。因此，選擇的存儲單元 的閾值電壓可更快地飽和。
仍舊參照圖2，在S130，驗證穩(wěn)定的數(shù)據(jù)。如圖3所示，當(dāng)驗證穩(wěn)定的 數(shù)據(jù)時，可在t5至t6 (其中，t5^t4)的時間內(nèi)將驗證電壓V，fy施加到選擇 的存儲單元的控制柵電極。可測量流過選擇的存儲單元的電流，并且可確定 電子被注入的程度，以驗證數(shù)據(jù)被記錄的程度。因為在S120的穩(wěn)定操作中， 選擇的存儲單元的閾值電壓可更均勻地飽和，所以可改善數(shù)據(jù)驗證的可靠性， 并且可提高數(shù)據(jù)編程操作的可靠性。
在S140，可基于在S130的數(shù)據(jù)驗證操作的結(jié)果確定編程操作是否完成。 當(dāng)編程操作完成時，可終止編程操作。
仍舊參照S140,如果編程操作沒有完成，則在S150增大編程電壓，并 且所述方法返回到SllO。隨后，可重復(fù)上述操作SllO、 S120、 S130和S140。 這里，增大編程電壓的同時對數(shù)據(jù)進(jìn)行編程的方法可參考ISPP。
將參照NAND型非易失性存儲裝置更詳細(xì)地描述上述示例性實施例。然 而，應(yīng)該理解，這里描述的方法可應(yīng)用于其他非易失性存儲裝置。
圖4是根據(jù)示例性實施例的用于解釋數(shù)據(jù)記錄方法的NAND型非易失性 存儲裝置的電路圖。參照圖4, NAND型存儲單元MC可連接在位線BLO、 BL1和BL2與共源極線CSL之間。字線WLOO、 WLOl、 WL02、 WL03、 WL04 和WL05可按行布置，并且結(jié)合到存儲單元MC。例如，字線WLOO、 WLOl、 WL02、 WL03、 WL04和WL05可連接到存儲單元MC的控制柵電極。存儲 單元的數(shù)量、位線的數(shù)量和字線的數(shù)量可適當(dāng)?shù)剡x擇，并不限于本發(fā)明中的 范圍。
串選擇晶體管Tss可連接在位線BLO、 BL1和BL2與給定存儲單元的第 一端之間，例如，在位線BLO、 BL1和BL2與字線WL05之間。串選擇線SSL 可與字線WLOO、 WLOl、 WL02、 WL03、 WL04和WL05平行地布置，并且 結(jié)合到串選擇晶體管Tss。在每條位線中，地選擇晶體管Tgs可連接在共源板 線CSL和給定存儲單元MC的第二端之間，例如，在共源極線CSL和字線 WLOO中的存儲單元MC之間。地選擇線GSL可與字線WLOO、 WLOl、 WL02、
WL03、 WL04和WL05平行地布置，并且結(jié)合到地選擇晶體管TGS。
為了將數(shù)據(jù)記錄在選擇的存儲單元MC1中，可將約OV施加到結(jié)合到選 擇的存儲單元MCI的選擇的位線BL1，并且可將操作電壓Vcc施加到未選擇 的位線BL0和BL2?？蓪⒉僮麟妷篤cc施加到串選擇線SSL,以導(dǎo)通串選擇 晶體管tss，并且可將約ov施加到地選擇線gsl和共源極線csl。可將編 程電壓Vpgm施加到結(jié)合到選擇的存儲單元MCI的選擇的字線WL02?？蓪?dǎo) 通電壓(pass voltage) Vpass施加到其他的字線WLOO、 WLOl、 WL03、 WL04 和WL05。
編程電壓Vpgm可被感應(yīng)在選擇的存儲單元MCI的溝道和控制柵電極之
間，并且可發(fā)生從溝道到電荷存儲層的電荷隧穿。因此，可將數(shù)據(jù)記錄在選
擇的存儲單元MC1中?？蛇x擇導(dǎo)通電壓Vpass,使得雖然導(dǎo)通未選擇的存儲單 元MC,但從該存儲單元MC的溝道到電荷存儲層的電荷隧穿可不發(fā)生。因 此，導(dǎo)通電壓v,可低于編程電壓vpgm?？筛鶕?jù)存儲單元mc來適當(dāng)?shù)剡x擇
編程電壓Vpgm和導(dǎo)通電壓Vpass。
可根據(jù)操作電壓Vcc將升壓電壓感應(yīng)到連接到未選擇的位線BLO和BL2 的存儲單元mc的溝道。因此，除了選"^的存4諸單元mci之外，可抑制和/ 或防止結(jié)合到選^t奪的字線WL02的存儲單元MC的編程。
上述數(shù)據(jù)編程操作是一個實例，并且可根據(jù)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的 方法以各種方式來修改上述數(shù)據(jù)編程操作。
圖5是示出根據(jù)示例性實施例的用于解釋數(shù)據(jù)穩(wěn)定方法的非易失性存儲 裝置的電路圖。
參照圖5,可將約OV施加到串選擇線SSL以使串選擇晶體管Tss截止， 并可將約OV施加到地選才奪線GSL以使地選#^晶體管Tqs截止。因此，存儲 單元MC可從位線BLO、 BL1、 BL2和共源極線CSL浮置。
通過將約OV施加到選擇的字線WL02,可使選擇的存儲單元MCI截止。 可將導(dǎo)通電壓Vpass施加到布置在選擇的字線WL02的每側(cè)的字線WLOO、 WLOl、 WL03和WL04。因此，結(jié)合到與導(dǎo)通電壓Vpass電容性耦合的字線 WLOO、 WLOl、 WL03和WL04的存儲單元MC的溝道電壓可增大，并且升 壓電壓可被感應(yīng)在布置在存儲單元mc之間的選擇的存儲單元mci的溝道 中。如上關(guān)于圖2所述，升壓電壓可使選擇的存儲單元MC1的閾值電壓更快 地飽和，以使記錄在選擇的存儲單元MC1中的數(shù)據(jù)更快地穩(wěn)定。
圖6是根據(jù)示例性實施例在數(shù)據(jù)穩(wěn)定方法的仿真期間非易失性存儲裝置
的剖視圖。圖7是顯示圖6所示的非易失性存儲裝置的溝道位置和溝道電壓 之間的關(guān)系的曲線圖。
參照圖6，可將約OV施加到串選擇線SSL和地選擇線GSL，可將約0V 施加到選擇的字線WL02,并且可將約8V施加為未選擇的字線WLOO、 WLOl、 WL03和WL04的導(dǎo)通電壓。其上形成有存儲單元的半導(dǎo)體基底可以接地 (Vsu『約0V)。
如圖7所示，約3.5V可被電容性地感應(yīng)在結(jié)合到未選擇的字線WLOO、 WLOl、 WL03和WL04的存儲單元的溝道中，并且在約1.8V和約2.2V (包 括1.8V和2.2V)之間的升壓電壓可被感應(yīng)在結(jié)合到選擇的字線WL02的存 儲單元的溝道中。這里，升壓電壓的感應(yīng)可稱為本地(local)自升壓(LSB)電壓。
LSB電壓可在存儲單元的溝道之間產(chǎn)生，從而與通過其上形成有存儲單 元的半導(dǎo)體基底供應(yīng)升壓電壓的情況相比，LSB電壓可在相當(dāng)短的時間段內(nèi) 產(chǎn)生。根據(jù)示例性實施例，升壓電壓可在幾微秒至幾百微秒之內(nèi)被感應(yīng)。因 此，LSB電壓可更適于需要相對高的操作速度的非易失性存儲裝置的操作。
圖8至圖13是根據(jù)其他示例性實施例的用于解釋數(shù)據(jù)穩(wěn)定方法的非易失 性存儲裝置的電路圖。
參照圖8,可將導(dǎo)通電壓Vp^僅施加到布置在選擇的字線WL02各側(cè)的 (例如，相鄰的)字線WL01和WL03。與導(dǎo)通電壓Vpass電容性耦合的存儲 單元MC的溝道電壓可增大，并且升壓電壓可被感應(yīng)在布置在存儲單元MC 中的選擇的存儲單元MC1的溝道上。
除了字線WLOl和WL03之外，還可將導(dǎo)通電壓Vpass施加到的字線 WLOO、 WL04和WL05。例如，可將導(dǎo)通電壓Vpass施加到布置在選擇的字線 WL02每側(cè)的未選擇的字線WLOO、 WLO1 、 WL03 、 WL04和WL05中的至少 一對字線。
參照圖9，可將操作電壓Vcc (稱為第二電壓)施加到共源極線CSL。 可將約0V施加到串選擇線SSL以使串選擇晶體管Tss截止，并且可將操作電 壓Vcc施加到地選擇線GSL以導(dǎo)通地選擇晶體管TGS。因此，可通過地選擇 晶體管Tcs將操作電壓Vcr傳輸?shù)酱鎯卧狹C。
此外，可將約OV施加到選擇的字線WL02以使選擇的存儲單元MC1截
止，并且可將導(dǎo)通電壓Vpass施加到未選擇的字線WLOO、 WLOl、 WL03、 WL04 和WL05。因此，結(jié)合到字線WLOO和WLOl的存儲單元MC的溝道電壓可 瞬時增大，并且升壓電壓可被感應(yīng)在位于相對地緊密接近于存儲單元MC的 選擇的存儲單元MCI的溝道上。升壓電壓被感應(yīng)在其中的選擇的存儲單元 MC1還可具有以下特點，即，與其中溝道電壓增大的存儲單元MC相鄰、與 其中溝道電壓增大的存儲單元MC基本相鄰、或連接到其中溝道電壓增大的 存儲單元MC。如上參照圖2所述，升壓電壓可使選擇的存儲單元MC1的閾 值電壓更快地飽和，以使記錄在選擇的存儲單元MCI中數(shù)據(jù)更快地穩(wěn)定。
因為升壓電壓乂人施加到共源極線CSL的操作電壓Vcc被感應(yīng)，所以在當(dāng) 前示例性實施例中，升壓電壓的感應(yīng)不同于圖5的LSB電壓。
因為不從位線BLO、 BL1和BL2供應(yīng)升壓電壓，所以可不向布置在選擇 的字線WL02之上的字線WL03 、 WL04和WL05提供導(dǎo)通電壓Vpass。
參照圖10，可將操作電壓Vcc (稱為第一電壓)施加到位線BLO、 BL1 和BL2。還可將操作電壓Vcc施加到串選擇線SSL以導(dǎo)通串選擇晶體管Tss。 可將約OV施加到地選擇線GSL以使地選擇晶體管Tgs截止。可通過串選擇 晶體管Tss將操作電壓Vcc傳輸?shù)酱鎯卧狹C。
此外，可將約OV施加到選擇的字線WL02以使選擇的存儲單元MCI截 止，并且可將導(dǎo)通電壓Vp脇施加到未選擇的字線WLOO、 WLOl、 WL03、 WL04 和WL05。因此，結(jié)合到字線WL03、 WL04和WL05的存儲單元MC的溝道 電壓可增大(例如，瞬時或基本上瞬時增大)，并且升壓電壓可被感應(yīng)在位于 相對地緊密接近于存儲單元MC的選擇的存儲單元MCI的溝道上。升壓電壓 被感應(yīng)在其中的選擇的存儲單元MC1還可具有以下特點，即，與其中溝道電 壓增大的存儲單元MC相鄰、與其中溝道電壓增大的存儲單元MC基本相鄰、 或連接到其中溝道電壓增大的存儲單元MC。如上關(guān)于圖2所述，升壓電壓 可使選擇的存儲單元MC1的閾值電壓更快地飽和，以使記錄在選擇的存儲單 元MC 1中數(shù)據(jù)更快地穩(wěn)定。
因為升壓電壓可從施加到位線BL0、BL1和BL2的操作電壓Vo^皮感應(yīng)， 所以當(dāng)前示例性實施例可不同于圖9所示的示例性實施例。
因為不從共源極線CSL供應(yīng)升壓電壓，所以可不向布置在選4奪的字線 WL02之下的字線WLOO和WLOl 4是供導(dǎo)通電壓Vpass。
參照圖11,可將第一電壓Vw施加到位線BL()、 BL1和BL2?？蓪⒌谌?br> 電壓V^施加到串選擇線SSL以導(dǎo)通串選擇晶體管Tss?？蓪⒓s0V施加到地 選擇線GSL以使地選擇晶體管Tgs截止。第三電壓V^可大于等于第一電壓 Vbl?？赏ㄟ^串選擇晶體管Tss將第一電壓Vw傳輸?shù)酱鎯卧狹C。
此外，可將約OV施加到選擇的字線WL02以使選纟奪的存儲單元MC1截 止。可將導(dǎo)通電壓V,施加到布置在串選擇線SSL和選4奪的字線WL02之間 的未選擇的字線WL03、 WL04和WL05?？蓪⒓sOV施加到布置在選擇的字 線WL02之下的未選4奪的字線WLOO和WLOl。因此，結(jié)合到字線WL03、 WL04和WL05的存儲單元MC的溝道電壓可增大，并且升壓電壓可一皮感應(yīng) 在位于相對地緊密接近于存儲單元MC的選擇的存儲單元MC1的溝道上。升 壓電壓被感應(yīng)在其中的選擇的存儲單元MC1還可具有以下特點，即，位于與 字線WL03相鄰或基本相鄰的字線WL02上。如上關(guān)于圖2所述，升壓電壓 可使選擇的存儲單元MC1的閾值電壓更快地飽和，以使記錄在選擇的存儲單 元MC1中的數(shù)據(jù)更快地穩(wěn)定。
因為升壓電壓可從位線BLO、 BL1和BL2 4皮感應(yīng)，所以當(dāng)前示例性實施 例與圖10所示的示例性實施例相似。然而，因為第一電壓Vw可不同于第三 電壓Vssl,所以當(dāng)前示例性實施例不同于圖10所示的示例性實施例。
參照圖12,可將第二電壓V^施加到共源極線CSL。可將約OV施加到 串選擇線SSL以使串選擇晶體管Tss截止，并且可將第四電壓Vgs!施加到地 選擇線GSL以導(dǎo)通地選擇晶體管TGS。第四電壓Vgsl可大于等于第二電壓Vcsl。 可通過地選擇晶體管Tcs將第二電壓V^傳輸?shù)酱鎯卧狹C。
止，并且可將導(dǎo)通電壓Vp^施加到布置在地選^^線GSL和選擇的字線WL02 之間的未選擇的字線WLOO和WLOl。可將約OV施加到布置在選擇的字線 WL02之上的未選才奪的字線WL03、 WL04和WL05。因此，結(jié)合到字線WLOO 和WL01的存儲單元MC的溝道電壓可增大，并且升壓電壓可被感應(yīng)在位于 相對地緊密接近于存儲單元MC的選擇的存儲單元MC1的溝道上。升壓電壓 被感應(yīng)在其中的選擇的存儲單元MC1還可具有以下特點，即，與其中溝道電 壓增大的存儲單元MC相鄰、與其中溝道電壓增大的存儲單元MC基本相鄰、 或連接到其中溝道電壓增大的存儲單元MC。如上參照圖2所述，升壓電壓 可使選擇的存儲單元MC1的閾值電壓更快地飽和，這可使記錄在選擇的存儲 單元MC1中數(shù)據(jù)更快地穩(wěn)定。
因為升壓電壓可/人共源^l線CSL^皮感應(yīng)，所以當(dāng)前示例性實施例與圖9
所示的示例性實施例相似。然而，因為第二電壓Vw可不同于第四電壓Vgsl,
所以當(dāng)前示例性實施例可不同于圖9所示的示例性實施例。
參照圖13,可將第一電壓Vw施加到位線BLO、 BL1和BL2，并且可將 第二電壓V^施加到共源極線CSL?？蓪⒌谌妷篤^施加到串選擇線SSL 以導(dǎo)通串選擇晶體管Tss,并且可將第四電壓Vg^施加到地選擇線GSL以導(dǎo) 通地選擇晶體管Tgs。因此，可通過串選擇晶體管Tss將第一電壓Vw傳輸?shù)?存儲單元MC,并且可通過地選擇晶體管Tcs將第二電壓V^傳輸?shù)酱鎯卧?MC。
此外，可將約OV施加到選擇的字線WL02以使選擇的存儲單元MC1截 止，并且可將導(dǎo)通電壓Vpass施加到未選擇的字線WLOO、 WLOl、 WL03、 WL04 和WL05。因此，結(jié)合到字線WLOO、 WLOl、 WL03、 WL04和WL05的存儲 單元MC的溝道電壓增大，并且升壓電壓可被感應(yīng)在位于相對地緊密4妾近于 存儲單元MC的選擇的存儲單元MC1的溝道上。升壓電壓被感應(yīng)在其中的選 擇的存儲單元MC1還可具有以下特點，即，與其中溝道電壓增大的存儲單元 MC相鄰、與其中溝道電壓增大的存儲單元MC基本相鄰、或連接到其中溝 道電壓增大的存儲單元MC。如上參照圖2所述，升壓電壓可使選4奪的存儲 單元MC1的閾值電壓更快地飽和，這可使記錄在選擇的存儲單元MC1中數(shù) 據(jù)更快地穩(wěn)定。
圖14是根據(jù)另一示例性實施例的非易失性存儲裝置的電路圖。參照圖 14，可將第一啞線(dummy line ) ( DL1 )置于地選擇線GSL和字線WLOO之 間，并將第二啞線(DL2 )置于串選^^線SSL和字線WL03之間。第 一啞線 DL1和第二啞線DL2可結(jié)合到啞晶體管(dummy transistor) TD。啞晶體管 To可具有與存儲單元MC相同或基本相同的結(jié)構(gòu)，但是啞晶體管Td不可用 于記錄數(shù)據(jù)。相反，啞晶體管Td可用于選擇結(jié)合到字線WLOO和WL03的存 儲單元MC并使數(shù)據(jù)穩(wěn)定。
至少根據(jù)該示例性實施例，當(dāng)將導(dǎo)通電壓V,s施加到第一啞線DL1和/ 或第二啞線DL2時，可更有效地將升壓電壓提供到結(jié)合到字線WLOO和WL03 的存儲單元MC。圖14所示的非易失性存儲裝置的另外的操作與圖5至圖13 所示的非易失性存儲裝置的操作相似，因此，為了簡明，省略所述操作。
在根據(jù)示例性實施例的操作非易失性存儲裝置的方法中，通過在存儲單
元的溝道上感應(yīng)升壓電壓，可使記錄在存儲單元中的數(shù)據(jù)更快地穩(wěn)定。存儲 單元的閾值電壓可更均勻地飽和，從而可改善數(shù)據(jù)驗證的可靠性。因此，可 提高將數(shù)據(jù)編入存儲單元的可靠性。此外，可在幾微秒至幾百微秒的相當(dāng)短 的時間段內(nèi)更快地感應(yīng)升壓電壓。因此，根據(jù)示例性實施例的操作非易失性 存儲裝置的方法可更適合于需要相對高的操作速度的非易失性存儲裝置。
盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體顯示和描述了本發(fā)明，但是本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范 圍的情況下，可以對其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1、一種操作包括多個存儲單元的非易失性存儲裝置的方法，所述方法包括通過在記錄有記錄的數(shù)據(jù)的存儲單元的溝道上感應(yīng)升壓電壓來使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定，其中，從多個存儲單元中選擇該存儲單元，并且通過連接到選擇的存儲單元的至少一個存儲單元的溝道電壓來感應(yīng)選擇的存儲單元的溝道上的升壓電壓。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟包括 將注入到選擇的存儲單元的電荷存儲層中的電荷重新分布。
3、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟包括 使選擇的存儲單元截止。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其中，使選^^的存儲單元截止的步驟包括 將結(jié)合到選擇的存儲單元的字線接地。
5、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在小于或等于100微秒之內(nèi)執(zhí)行使 記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟。
6、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述多個存儲單元布置在半導(dǎo)體基 底上的共源極線和多條位線之間，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟還包括將半導(dǎo)體基底接地。
7、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，感應(yīng)升壓電壓的步驟包括 將導(dǎo)通電壓施加到結(jié)合到連接到選擇的存儲單元的至少一個存儲單元的字線，升壓電壓^v該導(dǎo)通電壓^皮電容性地感應(yīng)。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述多個存儲單元布置在半導(dǎo)體基 底上的共源極線和多條位線之間，感應(yīng)升壓電壓的步驟包括使連接在所述多條位線和所述多個存儲單元的第一端之間的串選擇晶體 管截止，并使連接在共源極線和所述多個存儲單元的第二端之間的地選擇晶 體管截止。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，使串選擇晶體管截止并使地選擇晶 體管截止的步驟包括將OV施加到結(jié)合到串選擇晶體管的串選擇線；和 將0V施加到結(jié)合到地選擇晶體管的地選擇線。
10、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，通過至少兩個存儲單元的溝道電第 一個存儲單元連接到選#^的存儲單元的第 一端，并且所述至少兩個存儲單 元中的第二個存儲單元連接到選擇的存儲單元的第二端。
11、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個存儲單元布置在半導(dǎo)體基底上的共源極線和多條位線之間，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟還包括 將第一電壓施加到所述多條位線中的每一條；和 導(dǎo)通布置在選擇的存儲單元和所述多條位線之間的存儲單元。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，導(dǎo)通存儲單元的步驟包括 將導(dǎo)通電壓施加到結(jié)合到布置在選擇的存儲單元和所述多條位線之間的存儲單元的字線。
13、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，感應(yīng)升壓電壓的步驟還包括 導(dǎo)通連接在所述多條位線和所述多個存儲單元的第一端之間的串選擇晶體管。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，導(dǎo)通串選擇晶體管的步驟包括 將第二電壓施加到結(jié)合到串選擇晶體管的串選擇線，所述第二電壓大于等于所述第一電壓。
15、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟還包括 將第二電壓施加到共源極線；和
16、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，導(dǎo)通存儲單元的步驟包括 將導(dǎo)通電壓施加到結(jié)合到布置在選擇的存儲單元和共源極線之間的字線。
17、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，使記錄的^:據(jù)穩(wěn)定的步驟還包括 導(dǎo)通連接在共源極線和所述多個存儲單元的第二端之間的地選擇晶體官。
18、 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，導(dǎo)通地選擇晶體管的步驟包括 將第三電壓施加到結(jié)合到地選擇晶體管的地選擇線，所述第三電壓大于等于所述第二電壓。
19、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟還包括 將第一電壓施加到多條位線；將第二電壓施加到共源極線；和
20、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述多個存儲單元布置在半導(dǎo)體 基底上的共源極線和多條位線之間，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟還包括導(dǎo)通連接在所述多條位線和所述多個存儲單元的第一端之間的串選擇晶 體管；和導(dǎo)通連接在共源極線和所述多個存儲單元的第二端之間的地選擇晶體
21、 如權(quán)利要求20所述的方法，其中，導(dǎo)通串選擇晶體管的步驟包括 將第二電壓施加到結(jié)合到串選擇晶體管的串選擇線，所述第二電壓大于等于所述第一電壓。
22、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，導(dǎo)通地選擇晶體管的步驟包括 將第三電壓施加到結(jié)合到地選擇晶體管的地選擇線，所述第三電壓大于等于所述第二電壓。
23、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述多個存儲單元布置在半導(dǎo)體 基底上的共源極線和多條位線之間，啞晶體管連接在共源極線和所述多個存 儲單元之間，或者連接在多條位線和所述多個存儲單元之間，使記錄的數(shù)據(jù) 穩(wěn)定的步驟還包括導(dǎo)通啞晶體管。
24、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定的步驟還包括 在選擇的存儲單元的溝道上感應(yīng)升壓電壓之前使選擇的存儲單元截止，其中，升壓電壓^L電容性地感應(yīng)。
25、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括 驗證被記錄并一皮穩(wěn)定的數(shù)據(jù)。
26、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括 將數(shù)據(jù)記錄在選擇的存儲單元中。
27、 一種操作包括布置在半導(dǎo)體基底上的共源極線和多條位線之間的多 個存儲單元的非易失性存儲裝置的方法，所述方法包括通過使記錄有記錄的數(shù)據(jù)存儲單元截止并從所述多條位線或共源極線在 該存儲單元的溝道上感應(yīng)升壓電壓來使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定，其中，從多個存儲單元中選擇該存儲單元。
28、如權(quán)利要求27所述的方法，還包括: 驗證數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了操作非易失性存儲裝置的方法。在操作包括多個存儲單元的非易失性存儲裝置的方法中，通過在記錄有記錄的數(shù)據(jù)的存儲單元的溝道上感應(yīng)升壓電壓來使記錄的數(shù)據(jù)穩(wěn)定。從多個存儲單元中選擇該存儲單元，并且通過連接到選擇的存儲單元的至少一個存儲單元的溝道電壓來感應(yīng)選擇的存儲單元的溝道上的升壓電壓。
文檔編號G11C16/06GK101345084SQ20081008793
公開日2009年1月14日 申請日期2008年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
發(fā)明者樸允童, 李太熙, 玄在雄, 金元柱 申請人:三星電子株式會社