專(zhuān)利名稱(chēng)：一種電子盤(pán)物理自毀裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種物理自毀裝置，具體涉及一種電子盤(pán)物理自毀裝置。
背景技術(shù)：
目前，公知的電子盤(pán)自毀技術(shù)是物理重寫(xiě)盤(pán)內(nèi)的全部數(shù)據(jù)，雖然表面上使數(shù) 據(jù)很難恢復(fù)，但是事實(shí)上數(shù)據(jù)恢復(fù)在技術(shù)上還是可以做到?？梢酝ㄟ^(guò)簡(jiǎn)的例子 說(shuō)明將一張紙上的字擦掉還可以找到痕跡，如同在硬件中刪除文件。如果將 紙撕碎，還可以拼起來(lái)，如同粉碎性銷(xiāo)毀。所以對(duì)于電子盤(pán)刪除文件或粉碎性 銷(xiāo)毀的操作方式仍然不能真正意義上保證數(shù)據(jù)的安全可靠。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種電子盤(pán)物理自毀裝置，其解決了現(xiàn)有電子 盤(pán)不能完全的銷(xiāo)毀數(shù)據(jù)的技術(shù)問(wèn)題。 本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是
一種電子盤(pán)物理自毀裝置，包括存儲(chǔ)芯片l，所述存儲(chǔ)芯片1包括多個(gè)管腳， 所述多個(gè)管腳由多個(gè)控制管腳101和多個(gè)I/O管腳102組成，其特殊之處在于 還包括至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管2和與該至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管2連接的一對(duì)驅(qū)動(dòng)管3，所述驅(qū) 動(dòng)管3與存儲(chǔ)芯片管腳連接。
上述至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管2均與控制管腳101連接。
上述至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管2均與I/O管腳102連接。在實(shí)際研究中發(fā)現(xiàn)只和 I/O管腳102連接，只能燒毀I/O管腳102通過(guò)某些數(shù)據(jù)恢復(fù)技術(shù)可以恢復(fù)少量 殘缺的具有一定規(guī)律的數(shù)據(jù)，會(huì)有恢復(fù)部分信息的可能，因此只和I/O管腳102 連接的方式不是較佳的選擇。
上述至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管2與控制管腳101和I/O管腳102分別連接。 上述開(kāi)關(guān)管2為開(kāi)關(guān)M0S管或三極管；所述驅(qū)動(dòng)管3為驅(qū)動(dòng)M0S管或驅(qū)動(dòng) 三極管。上述存儲(chǔ)芯片1的多個(gè)管腳均連接有驅(qū)動(dòng)MOS管或驅(qū)動(dòng)三極管。 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是可以達(dá)到硬件上的存儲(chǔ)芯片真正自毀，使數(shù)據(jù)無(wú)法 恢復(fù)，而電路中僅增加了幾個(gè)小型的MOS管，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，方便操作。


圖l為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。 附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明
l一存儲(chǔ)芯片；101—控制管腳；102—1/0管腳；2—開(kāi)關(guān)管；3—驅(qū)動(dòng)； 4一電源。
具體實(shí)施方式

參見(jiàn)圖l， 一種電子盤(pán)物理自毀裝置，包括存儲(chǔ)芯片l，存儲(chǔ)芯片l包括多
個(gè)管腳，多個(gè)管腳由多個(gè)控制管腳101和多個(gè)I/0管腳102組成，還包括至少 一對(duì)開(kāi)關(guān)M0S管和與該至少一對(duì)開(kāi)關(guān)M0S管連接的一對(duì)驅(qū)動(dòng)M0S管，其中一個(gè) 驅(qū)動(dòng)M0S管與控制管腳連接，另一個(gè)驅(qū)動(dòng)M0S管與I/O管腳102連接。
在電子盤(pán)上增加了一對(duì)開(kāi)關(guān)M0S管和驅(qū)動(dòng)M0S管，當(dāng)開(kāi)關(guān)管收到毀鑰信號(hào) 后打開(kāi)，使大電流信號(hào)通過(guò)驅(qū)動(dòng)管加載到存儲(chǔ)芯片的控制管腳和I/O管腳上， 這樣就可以將存儲(chǔ)芯片瞬間燒毀，達(dá)到銷(xiāo)毀數(shù)據(jù)的目的。
具體地，毀鑰信號(hào)發(fā)出后，開(kāi)關(guān)管2打開(kāi)使驅(qū)動(dòng)管3導(dǎo)通，將大功率電源 信號(hào)強(qiáng)加與存儲(chǔ)芯片1的管腳上使其過(guò)流燒毀，電源4輸出電壓范圍是16-33V， 電流為1-3A，可以保證短時(shí)間內(nèi)迅速可靠燒毀芯片。
在實(shí)際使用中，毀鑰信號(hào)的一般選擇時(shí)間間隔0.5-1秒的脈沖信號(hào)，持續(xù) 幾秒，要使大功率信號(hào)通過(guò)3次以上，這樣既可避免電路板中其他芯片的干擾， 保證可靠燒毀存儲(chǔ)芯片；又可防止因?yàn)殚L(zhǎng)時(shí)間不間斷的過(guò)流情況引起整個(gè)電路 板燒毀的不必要事故。
在這里毀鑰信號(hào)和大功率電源信號(hào)都可以是外部供給，但在物理自毀過(guò)程 中是必須的。
權(quán)利要求1. 一種電子盤(pán)物理自毀裝置，包括存儲(chǔ)芯片(1)，所述存儲(chǔ)芯片(1)包括多個(gè)管腳，所述多個(gè)管腳由多個(gè)控制管腳(101)和多個(gè)I/O管腳(102)組成，其特征在于還包括至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管(2)、與該至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管(2)連接的一對(duì)驅(qū)動(dòng)管(3)以及與驅(qū)動(dòng)管(3)連接的電源(4)，所述驅(qū)動(dòng)管(3)還與存儲(chǔ)芯片管腳連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述電子盤(pán)物理自毀裝置，其特征在于所述至少一對(duì) 開(kāi)關(guān)管(2)均與控制管腳(101)連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述電子盤(pán)物理自毀裝置，其特征在于所述至少一對(duì) 開(kāi)關(guān)管(2)均與I/0管腳(102)連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述電子盤(pán)物理自毀裝置，其特征在于所述至少一對(duì) 開(kāi)關(guān)管(2)與控制管腳(101)和I/0管腳(102)分別連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4任一所述電子盤(pán)物理自毀裝置，其特征在于所述開(kāi) 關(guān)管(2)為開(kāi)關(guān)MOS管或三極管；所述驅(qū)動(dòng)管(3)為驅(qū)動(dòng)MOS管或驅(qū)動(dòng)三極 管。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述電子盤(pán)物理自毀裝置，其特征在于所述存儲(chǔ)芯片 (1)的多個(gè)管腳均連接有驅(qū)動(dòng)MOS管或驅(qū)動(dòng)三極管。
專(zhuān)利摘要一種電子盤(pán)物理自毀裝置，包括存儲(chǔ)芯片，存儲(chǔ)芯片包括多個(gè)管腳，多個(gè)管腳由多個(gè)控制管腳和多個(gè)I/O管腳組成，還包括至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管、與該至少一對(duì)開(kāi)關(guān)管連接的一對(duì)驅(qū)動(dòng)管以及與驅(qū)動(dòng)管連接的電源，驅(qū)動(dòng)管還與存儲(chǔ)芯片管腳連接。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有電子盤(pán)不能完全的銷(xiāo)毀數(shù)據(jù)的技術(shù)問(wèn)題?？梢赃_(dá)到硬件上的存儲(chǔ)芯片真正自毀，使數(shù)據(jù)無(wú)法恢復(fù)，而電路中僅增加了幾個(gè)小型的MOS管，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，方便操作。
文檔編號(hào)G11C7/24GK201281961SQ20082022223
公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者張玉東 申請(qǐng)人:西安奇維測(cè)控科技有限公司