專(zhuān)利名稱(chēng)：電熔絲燒操作的方法和燒錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電熔絲熔燒操作的方法和燒錄裝置。
技術(shù)背景
一次性可編程(One Time Programmable，OTP)器件指的是內(nèi)部的程序內(nèi)存一次性 可編程的存儲(chǔ)器。OTP器件的寫(xiě)入原理同EPROM類(lèi)似，編程時(shí)可利用燒錄工具的高電壓將應(yīng) 用程序代碼寫(xiě)入。標(biāo)準(zhǔn)OTP產(chǎn)品的程序內(nèi)存及代碼選項(xiàng)區(qū)為全空，用戶(hù)將應(yīng)用程序代碼燒 錄到芯片中，就能按用戶(hù)的功能正常工作，這為用戶(hù)的開(kāi)發(fā)驗(yàn)證和量產(chǎn)提供了極大的方便 和靈活性。但是為了節(jié)省成本，編程寫(xiě)入之后的芯片就不再提供抹除或改寫(xiě)功能。
不同于FALSH器件可以反復(fù)擦寫(xiě)、靈活性很強(qiáng)的特點(diǎn)，OPT器件適合對(duì)價(jià)格不敏感 的應(yīng)用場(chǎng)合或做開(kāi)發(fā)用途，適合既要求一定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用場(chǎng)合，尤其是功能 不斷翻新、需要迅速量產(chǎn)的電子產(chǎn)品。
電熔絲(Efuse)是實(shí)現(xiàn)一次性可編程器件程序?qū)懭牍δ艿暮芎玫倪x擇，尤其對(duì)于 和CMOS兼容的Efuse工藝。通常，采用燒(Burn)操作來(lái)改變Efuse的狀態(tài)，如果狀態(tài)為 “0”，則不燒斷Efuse，如果狀態(tài)為“1”，則燒斷Efuse。一般情況下，燒操作的工藝時(shí)間持續(xù) 幾百微秒到幾十毫秒。
圖IA為傳統(tǒng)技術(shù)中一種電熔絲燒操作方法的時(shí)序圖，圖IB為相應(yīng)的燒錄裝置示 意圖，如圖所示，在CLK的低相位的時(shí)候，DIN(應(yīng)用程序代碼)被移位寄存器(SHF)逐漸的 向內(nèi)移(SH)，然后決定當(dāng)前的Efuse是否需要進(jìn)行燒操作；如果確定需要進(jìn)行燒操作，則在 CLK的高相位的時(shí)候，MOS晶體管打開(kāi)，由VBURN輸入高電壓對(duì)Efuse進(jìn)行燒操作。
然而問(wèn)題在于，由于不同Efuse的工藝分布不同，燒操作的時(shí)間差別很大，為保證 燒操作的可靠性，通常燒操作的時(shí)間選取都是滿(mǎn)足最差的Efuse單元，以確保能夠?qū)㈦娙?絲徹底熔斷，這樣一來(lái)，燒操作的過(guò)程會(huì)占據(jù)很多些的時(shí)間，嚴(yán)重影響了編程效率。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是如何避免電熔絲燒操作的占據(jù)較多的時(shí)間，以提高編程效率。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種電熔絲燒操作的方法，包括以下步驟
在CLK低電位時(shí)將編程數(shù)據(jù)移位；
判斷是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行燒操作，以寫(xiě)入所述編程數(shù)據(jù)，如果是，則在CLK 高電位時(shí)對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作；
驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?，如果是，則再次對(duì)所述電熔絲進(jìn)行 燒操作。
所述CLK高電位的時(shí)間根據(jù)電熔絲的工藝而確定。
驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?，包?br> 反饋燒操作之后的輸出信號(hào)，
根據(jù)所述輸出信號(hào)進(jìn)行判斷電熔絲是否完全熔斷。
所述再次對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作之前還包括在CLK低電位時(shí)將編程數(shù)據(jù)移 位。
所述驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)璧臅r(shí)間遠(yuǎn)小于燒操作的時(shí) 間。
所述驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)璧臅r(shí)間小于100ns。
所述驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)牟襟E通過(guò)靈敏放大器實(shí)現(xiàn)，該 靈敏放大器也用于正常的讀操作。
相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種電熔絲燒錄裝置，包括
電熔絲，
移位寄存器，用于輸入時(shí)鐘信號(hào)和編程數(shù)據(jù)；
電平移位器，用于時(shí)鐘信號(hào)的電位狀態(tài)將所述編程數(shù)據(jù)移位；
燒錄開(kāi)關(guān)器，用于判斷是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行燒操作；
靈敏放大器，用于將燒操作之后的輸出信號(hào)反饋給所述移位寄存器，以驗(yàn)證燒操 作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?br> 所述燒錄開(kāi)關(guān)器為第一 MOS晶體管，其柵極連接所述電平移位器的輸出端，源極 輸入燒操作信號(hào)，漏極連接所述電熔絲。
還包括第二MOS晶體管，其源極與所述第一MOS晶體管的漏極連接，其漏極與實(shí)施 靈敏放大器的輸入端連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)
所述的電熔絲燒操作方法，在對(duì)當(dāng)前電熔絲的燒操作之后設(shè)置了驗(yàn)證的步驟，即 驗(yàn)證是否該電熔絲是否需要重?zé)?，如此以?lái)，一次燒操作的時(shí)間就不必按照各個(gè)電熔絲最 長(zhǎng)的燒斷時(shí)間來(lái)設(shè)置，可以在幾十微秒至幾毫秒的范圍內(nèi)設(shè)為較短的時(shí)間，這樣就省去了 用最長(zhǎng)的電熔絲燒斷時(shí)間來(lái)燒所有電熔絲的不必要的浪費(fèi)，而驗(yàn)證步驟所需的時(shí)間極短， 相對(duì)于燒操作可以忽略不計(jì)，沒(méi)有額外增加時(shí)間，因此，整體上來(lái)說(shuō)，編程時(shí)對(duì)電熔絲進(jìn)行 燒操作的時(shí)間可以大大縮短。
電熔絲燒錄裝置用來(lái)實(shí)現(xiàn)所述的燒操作方法，因此，從整個(gè)編程過(guò)程來(lái)看，編程時(shí) 對(duì)電熔絲進(jìn)行燒操作的時(shí)間可以大大縮短。
而且，由于驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)牟襟E是通過(guò)靈敏放大器 SA來(lái)實(shí)現(xiàn)，事實(shí)上，該靈敏放大器SA也用于正常的讀操作，因此也沒(méi)有額外增加器件所占 面積。


通過(guò)附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中 相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示 出本發(fā)明的主旨。
圖IA為傳統(tǒng)技術(shù)中一種電熔絲燒操作方法的時(shí)序圖IB為圖IA相應(yīng)的燒錄裝置示意圖2A為本發(fā)明實(shí)施例中所述電熔絲燒操作方法的時(shí)序圖2B為本發(fā)明實(shí)施例中所述電熔絲燒操作方法的流程圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例中電熔絲燒操作方法的流程圖4為本發(fā)明實(shí)施例中電熔絲燒錄裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以 采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限 制。
其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表 示裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
通常，在對(duì)OTP器件進(jìn)行編程寫(xiě)入應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)時(shí)，需要進(jìn)行燒操作以改變電 熔絲的狀態(tài)，參見(jiàn)圖IA和圖IB所示，在CLK的低相位的時(shí)候，首先進(jìn)行數(shù)據(jù)移位，即DIN(應(yīng) 用程序代碼)被移位寄存器(SHF)逐漸的向內(nèi)移(SH)，然后根據(jù)編程需要決定當(dāng)前的電熔 絲是否需要進(jìn)行燒操作(BN)；如果確定需要進(jìn)行燒操作，則在CLK的高相位的時(shí)候，將MOS 晶體管打開(kāi)，由VBURN輸入高電壓對(duì)電熔絲進(jìn)行燒操作，而高相位的時(shí)間即為燒操作的時(shí) 間。
然而，通常燒操作的時(shí)間選取都是滿(mǎn)足最差的電熔絲單元，以確保能夠?qū)㈦娙劢z 徹底熔斷，也就是說(shuō)，由于不同的電熔絲燒斷所需的時(shí)間會(huì)有差別，為避免電熔絲沒(méi)有完全 熔斷，都是選擇盡量長(zhǎng)的燒操作時(shí)間，于是，燒操作的過(guò)程會(huì)占據(jù)很多些的時(shí)間，嚴(yán)重影響 了編程效率。
為了避免上述問(wèn)題，提高編程效率，發(fā)明人研究后提出一種電熔絲燒操作的方法 和電熔絲燒錄裝置，通過(guò)燒操作之后的驗(yàn)證步驟來(lái)確定燒操作是否完全燒斷電熔絲，從而 不必將燒操作時(shí)間設(shè)置的很長(zhǎng)，提高了編程的效率。
下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明所述電熔絲燒操作方法的一個(gè)具體實(shí)施例。
圖2A為本發(fā)明實(shí)施例中所述電熔絲燒操作方法的時(shí)序圖，圖2B為本發(fā)明實(shí)施例 中所述電熔絲燒操作方法的流程圖。
如圖所示，電熔絲燒操作方法具體包括以下步驟
步驟Sl 在CLK低電位時(shí)將編程數(shù)據(jù)移位SH。如圖2A所示，CLK低電位時(shí)將編程 數(shù)據(jù)DIN內(nèi)移。
步驟S2 判斷是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行燒操作，以寫(xiě)入所述編程數(shù)據(jù)，如果是， 則進(jìn)行步驟S3 ；如果否，則進(jìn)入下一電熔絲位。
步驟S3 在CLK高電位時(shí)對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作。如圖2A所示，CLK由低電位 轉(zhuǎn)為高電位時(shí)開(kāi)始執(zhí)行燒操作，直到高電位結(jié)束。
所述CLK高電位的時(shí)間根據(jù)電熔絲的工藝而確定，可以不必要采用最差的電熔絲 來(lái)確定該時(shí)間，取平均值即可，或者可以設(shè)置成幾十微秒到幾毫秒范圍內(nèi)較短的時(shí)間。
步驟S4 驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?，如果是，則進(jìn)行步驟S5 ；如果否，則進(jìn)入下一電熔絲位。
參見(jiàn)圖2A所示，圖中VF表示該驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)牟?驟S4。進(jìn)行該驗(yàn)證步驟所需的時(shí)間遠(yuǎn)小于燒操作的時(shí)間，這段時(shí)間和整個(gè)燒操作的時(shí)間相 比可以忽略，例如少于IOOns的時(shí)間做VF。
所述驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?，具體包括
反饋燒操作之后的輸出信號(hào)，
根據(jù)所述輸出信號(hào)進(jìn)行判斷電熔絲是否完全熔斷，如果完全熔斷，則不需要進(jìn)行 重?zé)?，如果沒(méi)有完全熔斷，則需要進(jìn)行重?zé)?br> 步驟S5 再次對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作。
所述驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)牟襟E例如通過(guò)一個(gè)靈敏放大 器實(shí)現(xiàn)，該靈敏放大器也用于正常的讀操作，這樣不必增加額外的電路面積，具體在下文電 熔絲燒錄裝置的實(shí)施例中詳細(xì)介紹。
參見(jiàn)圖2A所示，再次對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作之前還包括在CLK低電位時(shí)將編 程數(shù)據(jù)移位。即圖中驗(yàn)證VF之后的數(shù)據(jù)移位SH’。
本實(shí)施例中所述的電熔絲燒操作方法，在對(duì)當(dāng)前電熔絲的燒操作之后設(shè)置了驗(yàn)證 的步驟，即驗(yàn)證是否該電熔絲是否需要重?zé)绱艘詠?lái)，一次燒操作的時(shí)間就不必按照各個(gè) 電熔絲最長(zhǎng)的燒斷時(shí)間來(lái)設(shè)置，可以在幾十微秒至幾毫秒的范圍內(nèi)設(shè)為較短的時(shí)間，這樣 就省去了用最長(zhǎng)的電熔絲燒斷時(shí)間來(lái)燒所有電熔絲的不必要的浪費(fèi)，而驗(yàn)證步驟所需的時(shí) 間極短，相對(duì)于燒操作可以忽略不計(jì)，沒(méi)有額外增加時(shí)間，因此，整體上來(lái)說(shuō)，編程時(shí)對(duì)電熔 絲進(jìn)行燒操作的時(shí)間可以大大縮短。
上述實(shí)施例中，如果驗(yàn)證的結(jié)果是需要對(duì)電熔絲進(jìn)行重?zé)?，即一次燒操作并未?電熔絲完全熔斷，則需要再次進(jìn)行一次燒操作，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述再次的燒操 作可以進(jìn)行多次。
圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例中電熔絲燒操作方法的流程圖。
如圖3所示，與上述實(shí)施例的區(qū)別在于，再次燒操作進(jìn)行完成之后，再次進(jìn)行步驟 S4，即再次驗(yàn)證是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行重?zé)?，如果電熔絲沒(méi)有完全熔斷，則需要進(jìn)行重 燒，再次執(zhí)行步驟S5，第三次對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行燒操作，換言之，循環(huán)重復(fù)進(jìn)行步驟S4和 S5，直到所述電熔絲被完全燒斷。
雖然，本實(shí)施例中要對(duì)電熔絲進(jìn)行多次的燒操作，例如大于兩次的燒操作，這樣使 得單個(gè)電熔絲的燒錄時(shí)間增加，但是，傳統(tǒng)技術(shù)正是按照這樣的電熔絲來(lái)設(shè)置燒操作時(shí)間 的，由于這樣的電熔絲畢竟是少數(shù)，因此從整個(gè)編程過(guò)程來(lái)看，編程時(shí)對(duì)電熔絲進(jìn)行燒操作 的時(shí)間可以大大縮短。
下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明所述電熔絲燒錄裝置的一個(gè)具體實(shí)施例。
圖4為本發(fā)明實(shí)施例中電熔絲燒錄裝置的示意圖，如圖所示，前述實(shí)施例中的電 熔絲燒操作方法通過(guò)以下描述的燒錄裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，該燒錄裝置具體包括
電熔絲 100,
移位寄存器SHF，用于輸入時(shí)鐘信號(hào)CLK和編程數(shù)據(jù)DIN ；
電平移位器LVS，用于根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)CLK的電位狀態(tài)將所述編程數(shù)據(jù)DIN移位；
燒錄開(kāi)關(guān)器101，用于判斷是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲100進(jìn)行燒操作；
靈敏放大器SA，用于將燒操作之后的輸出信號(hào)DOUT反饋給所述移位寄存器SHF， 以驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲100是否需要進(jìn)行重?zé)?br> 其中，所述電平移位器LVS的輸出端連接所述電平移位器LVS的輸入端，所述電平 移位器LVS的輸出端連接所述燒錄開(kāi)關(guān)器101，控制燒錄開(kāi)關(guān)器101的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
所述燒錄開(kāi)關(guān)器101為第一MOS晶體管101，其柵極連接所述電平移位器LVS的輸 出端，源極輸入燒操作信號(hào)，漏極連接所述電熔絲。
電熔絲燒錄裝置還包括第二 MOS晶體管102，其源極與所述第一 MOS晶體管101 的漏極連接，其漏極與實(shí)施靈敏放大器SA的輸入端連接，其柵極輸入驗(yàn)證步驟VF的使能信號(hào)。
所述靈敏放大器SA的輸出端與所述移位寄存器SHF的一個(gè)輸入端連接，燒操作之 后向移位寄存器SHF反饋燒操作之后的輸出信號(hào)D0UT。
上述燒錄裝置用來(lái)實(shí)現(xiàn)前述實(shí)施例所述電熔絲燒操作的方法，因此，從整個(gè)編程 過(guò)程來(lái)看，編程時(shí)對(duì)電熔絲進(jìn)行燒操作的時(shí)間可以大大縮短。
而且，由于驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)牟襟E是通過(guò)靈敏放大器 SA來(lái)實(shí)現(xiàn)，事實(shí)上，該靈敏放大器SA也用于正常的讀操作，因此也沒(méi)有額外增加器件所占 面積。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng) 域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi) 容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單 修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電熔絲燒操作的方法，其特征在于，包括以下步驟 在CLK低電位時(shí)將編程數(shù)據(jù)移位；判斷是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行燒操作，以寫(xiě)入所述編程數(shù)據(jù)，如果是，則在CLK高電 位時(shí)對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作；驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?，如果是，則再次對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲燒操作的方法，其特征在于，所述CLK高電位的時(shí)間根 據(jù)電熔絲的工藝而確定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲燒操作的方法，其特征在于，驗(yàn)證燒操作之后的電熔 絲是否需要進(jìn)行重?zé)ǚ答仧僮髦蟮妮敵鲂盘?hào)， 根據(jù)所述輸出信號(hào)進(jìn)行判斷電熔絲是否完全熔斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲燒操作的方法，其特征在于，所述再次對(duì)所述電熔絲 進(jìn)行燒操作之前還包括在CLK低電位時(shí)將編程數(shù)據(jù)移位。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲燒操作的方法，其特征在于，所述驗(yàn)證燒操作之后的 電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)璧臅r(shí)間遠(yuǎn)小于燒操作的時(shí)間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲燒操作的方法，其特征在于，所述驗(yàn)證燒操作之后的 電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)璧臅r(shí)間小于100ns。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲燒操作的方法，其特征在于，所述驗(yàn)證燒操作之后的 電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)牟襟E通過(guò)靈敏放大器實(shí)現(xiàn)，該靈敏放大器也用于正常的讀操 作。
8.一種電熔絲燒錄裝置，其特征在于，包括 電熔絲，移位寄存器，用于輸入時(shí)鐘信號(hào)和編程數(shù)據(jù)；電平移位器，用于時(shí)鐘信號(hào)的電位狀態(tài)將所述編程數(shù)據(jù)移位；燒錄開(kāi)關(guān)器，用于判斷是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行燒操作；靈敏放大器，用于將燒操作之后的輸出信號(hào)反饋給所述移位寄存器，以驗(yàn)證燒操作之 后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電熔絲燒錄裝置，其特征在于，所述燒錄開(kāi)關(guān)器為第一MOS晶 體管，其柵極連接所述電平移位器的輸出端，源極輸入燒操作信號(hào)，漏極連接所述電熔絲。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電熔絲燒錄裝置，其特征在于，還包括第二MOS晶體管，其源 極與所述第一 MOS晶體管的漏極連接，其漏極與實(shí)施靈敏放大器的輸入端連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電熔絲燒操作的方法和燒錄裝置。所述方法包括以下步驟在CLK低電位時(shí)將編程數(shù)據(jù)移位；判斷是否需要對(duì)當(dāng)前電熔絲進(jìn)行燒操作，以寫(xiě)入所述編程數(shù)據(jù)，如果是，則在CLK高電位時(shí)對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作；驗(yàn)證燒操作之后的電熔絲是否需要進(jìn)行重?zé)?，如果是，則再次對(duì)所述電熔絲進(jìn)行燒操作。利用上述電熔絲燒操作的方法和燒錄裝置能夠避免電熔絲燒操作的占據(jù)較多的時(shí)間，以提高編程效率。
文檔編號(hào)G11C17/18GK102034550SQ200910196868
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月27日
發(fā)明者楊光軍 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司