国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法

      文檔序號:6780232閱讀:210來源:國知局
      專利名稱:存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法
      存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法技本領(lǐng)域本發(fā)明涉及硅半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn) 換方法。
      背景技術(shù)
      在存儲器中,每個存儲單元都有一個對應(yīng)的電性地址值。存儲器設(shè)計者提供了 存儲器中電性地址的分布,電性地址值在輸入存儲器后,通過譯碼電路選取相應(yīng)的存儲單 元。同時,每個存儲單元還對應(yīng)著一個由其在存儲器中的排列位置決定的拓撲地址值。存 儲單元的電性地址值和拓撲地址值有可能出現(xiàn)不一致的情況,稱之為做了不規(guī)則化處理 (Scramble),而把電性地址值轉(zhuǎn)化成拓撲地址值稱為去不規(guī)則性(De-scramble)。電性地址 值選取的存儲單元非常難以尋找,兩個相鄰的電性地址值所對應(yīng)的存儲單元在排列位置上 未必相鄰。例如,在一個靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)中, 十六進制電性地址值(0x0000,0x0000)對應(yīng)的存儲單元在整個存儲器的左上角位置,而其 相鄰的電性地址值(0x0001,0x0001)對應(yīng)的存儲單元卻可能在整個存儲器的底部中間位 置。在產(chǎn)品失效分析(Failure Ananlysis)中,測試工程師需要依據(jù)拓撲地址值找到 失效的存儲單元在存儲器中的位置。由于產(chǎn)品失效測試的測試結(jié)果是電性地址值,因此必 須將測得的電性地址值轉(zhuǎn)換成拓撲地址值,即實現(xiàn)存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換。 然而,這個轉(zhuǎn)換過程非常困難,一般都是依靠測試工程師用觀察法通過手動推算得來,既不 能保證準(zhǔn)確率,出了問題又很難修正。此外,這種方法能否成功取決于存儲器結(jié)構(gòu)的復(fù)雜程 度和測試工程師的經(jīng)驗。如果存儲器的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,則這種方法所需的時間非常長,而且 很有可能推算不出。

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方 法,即使對結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜的存儲器,也能夠快速準(zhǔn)確地實現(xiàn)其電性地址與拓撲地址的相互 轉(zhuǎn)換。本發(fā)明提供一種存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法,所述存儲器具有多個 存儲單元,所述電性地址和所述拓撲地址分別具有相同位數(shù)的多個邏輯變量,并且對于每 個所述存儲單元所述電性地址和所述拓撲地址具有一一對應(yīng)的二進制電性地址值和二進 制拓撲地址值,包括步驟1,根據(jù)所述存儲器內(nèi)預(yù)設(shè)的電性地址分布對所述存儲器的電性地址信息進 行切割規(guī)劃,得到包含每個所述存儲單元的二進制電性地址值的信息的電性地址真值表;步驟2,根據(jù)每個所述存儲單元的排列位置得到包含每個所述存儲單元的二進制 拓撲地址值的信息的拓撲地址真值表;以及步驟3,根據(jù)所述拓撲地址真值表中的每個二進制拓撲地址值與所述電性地址真值表中的每個二進制電性地址值的一一對應(yīng)關(guān)系,將所述拓撲地址的任一個邏輯變量視為 所述電性地址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),并采用奎因-麥克盧斯基算法求出所述拓撲地 址的任一個邏輯變量的最簡化表達式,或者將所述電性地址的任一個邏輯變量視為所述拓 撲地址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),并采用奎因-麥克盧斯基算法求出所述電性地址的任 一個邏輯變量的最簡化表達式。進一步的,所述步驟1具體包括將所述存儲器的電性地址信息按照區(qū)級、塊級以及字線-位線級進行切割規(guī)劃, 分別得到區(qū)級電性地址真值表、塊級電性地址真值表以及字線-位線級電性地址真值表; 將所述區(qū)級電性地址真值表、塊級電性地址真值表以及字線-位線級電性地址真值表按照 從高位到低位排列的順序進行合并得到所述電性地址真值表。進一步的,所述拓撲地址真值表中的每個二進制拓撲地址值按照先行后列的順序 遞增。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法,所述 電性地址和所述拓撲地址分別具有相同位數(shù)的多個邏輯變量,通過將所述拓撲地址的任一 個邏輯變量視為所述電性地址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),從而采用奎因-麥克盧斯基算 法求出所述拓撲地址的任一個邏輯變量的最簡化表達式,或者將所述電性地址的任一個邏 輯變量視為所述拓撲地址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),從而采用奎因-麥克盧斯基算法求 出所述電性地址的任一個邏輯變量的最簡化表達式。


      圖1為本發(fā)明的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法的流程圖;圖2A至圖2C分別為根據(jù)本發(fā)明的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法的第 1實施例的區(qū)級結(jié)構(gòu)圖和對應(yīng)的區(qū)級電性地址真值表,塊級結(jié)構(gòu)圖和對應(yīng)的塊級電性地址 真值表,以及字線-位線級的結(jié)構(gòu)圖和對應(yīng)的字線-位線級電性地址真值表;圖3為根據(jù)本發(fā)明的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法的第2實施例中存 儲器按區(qū)級、塊級以及字線-位線級進行切割規(guī)劃得到的綜合結(jié)構(gòu)圖;圖4為顯示根據(jù)本發(fā)明的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法的第2實施例 中存儲器的每根數(shù)據(jù)線對應(yīng)著的32根列地址線的排列順序的示意圖。
      具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
      作 進一步的說明。在描述本發(fā)明提供的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法之前,首先對后面 會涉及的奎因-麥克盧斯基算法(Quine-McCluskey Algorithm)作說明。奎因-麥克盧斯 基算法是最簡化邏輯函數(shù)表達式的一種算法。它在功能上等同于卡諾圖,下面結(jié)合一個簡 單的例子對該算法的簡化過程進行說明。例如,化簡如下四變量的邏輯函數(shù)表達式f (A,B,C,D) =Σ m(0,2,3,5,7,8,10,13,15)(1)其中,函數(shù)表達式寫成所有使函數(shù)值為1的四變量的最小項之和的形式,m(0)、 nK2)、m(3)、m(5)、m(7)、m(8)、m(10)、m(13)以及 m(15)均為最小項。
      首先,按最小項中“1”的個數(shù)的多少對所有最小項進行排序,得到表1。表中,size 代表‘1,的個數(shù),minterm代表最小項。例如,m(0)為“0000”,size為0,m(2)為“0010”, size 為 1,如此類推,m(15)為 “1111”,size 為 4。表 權(quán)利要求
      1.一種存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法,所述存儲器具有多個存儲單元,所 述電性地址和所述拓撲地址分別具有相同位數(shù)的多個邏輯變量,并且對于每個所述存儲單 元所述電性地址和所述拓撲地址具有一一對應(yīng)的二進制電性地址值和二進制拓撲地址值, 其特征在于,包括步驟1,根據(jù)所述存儲器內(nèi)預(yù)設(shè)的電性地址分布對所述存儲器的電性地址信息進行切 割規(guī)劃,得到包含每個所述存儲單元的二進制電性地址值的信息的電性地址真值表;步驟2,根據(jù)每個所述存儲單元的排列位置得到包含每個所述存儲單元的二進制拓撲 地址值的信息的拓撲地址真值表;以及步驟3,根據(jù)所述拓撲地址真值表中的每個二進制拓撲地址值與所述電性地址真值表 中的每個二進制電性地址值的一一對應(yīng)關(guān)系,將所述拓撲地址的任一個邏輯變量視為所述 電性地址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),并采用奎因-麥克盧斯基算法求出所述拓撲地址的 任一個邏輯變量的最簡化表達式,或者將所述電性地址的任一個邏輯變量視為所述拓撲地 址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),并采用奎因-麥克盧斯基算法求出所述電性地址的任一個 邏輯變量的最簡化表達式。
      2.如權(quán)利要求1所述的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法,其特征在于,所述 步驟1具體包括將所述存儲器的電性地址信息按照區(qū)級、塊級以及字線-位線級進行切割規(guī)劃,分別 得到區(qū)級電性地址真值表、塊級電性地址真值表以及字線-位線級電性地址真值表;將所述區(qū)級電性地址真值表、塊級電性地址真值表以及字線-位線級電性地址真值表 按照從高位到低位排列的順序進行合并得到所述電性地址真值表。
      3.如權(quán)利要求1所述的存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法,其特征在于,所述 拓撲地址真值表中的每個二進制拓撲地址值按照先行后列的順序遞增。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種存儲器的電性地址與拓撲地址的轉(zhuǎn)換方法,所述電性地址和所述拓撲地址分別具有相同位數(shù)的多個邏輯變量,通過將所述拓撲地址的任一個邏輯變量視為所述電性地址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),從而采用奎因-麥克盧斯基算法求出所述拓撲地址的任一個邏輯變量的最簡化表達式,或者將所述電性地址的任一個邏輯變量視為所述拓撲地址的所有邏輯變量的邏輯函數(shù),從而采用奎因-麥克盧斯基算法求出所述電性地址的任一個邏輯變量的最簡化表達式。
      文檔編號G11C8/00GK102044288SQ20091019711
      公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月13日
      發(fā)明者聞華 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1