專利名稱：一種存儲(chǔ)器及使用該存儲(chǔ)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及使用該存儲(chǔ)器的方法。
背景技術(shù)：
讀取干擾是例如浮動(dòng)?xùn)艠O和電荷捕捉存儲(chǔ)單元等非易失存儲(chǔ)單元操作中的一個(gè)嚴(yán)重問題。讀取干擾會(huì)在非易失存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取操作時(shí)發(fā)生；雖然是施加讀取偏壓而不是編程偏壓，某種程度的編程仍會(huì)在施加一讀取偏壓時(shí)發(fā)生。在經(jīng)過(guò)許多次讀取操作之后， 讀取干擾會(huì)提升此受影響的非易失存儲(chǔ)單元的閾值電壓。讀取干擾會(huì)因?yàn)樽x取偏壓配置Vpass足夠高可以導(dǎo)致編程而發(fā)生于與非門串行中。在一串聯(lián)安排的非易失存儲(chǔ)單元的與非門串行中，讀取電壓Vread被施加至此與非門串行中所選取存儲(chǔ)單元的字線上，及一導(dǎo)通電壓Vpass被施加至此與非門串行中未選取存儲(chǔ)單元的字線上。圖1為閾值電壓分布的圖式，顯示高閾值電壓(HVt)和低閾值電壓(LVt)的分布、 字線讀取電壓區(qū)間及字線導(dǎo)通電壓區(qū)間。Vpass足夠高可以開啟此與非門串行中未選取存儲(chǔ)單元之下的通道而不管儲(chǔ)存于此未選取存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值。特別是，Vpass足以開啟儲(chǔ)存與最高閾值電壓分布相關(guān)的數(shù)據(jù)值的一存儲(chǔ)單元之下的通道。Vread足以開啟此與非門串行中一具有與一低于Vread的閾值電壓分布相關(guān)數(shù)據(jù)值的選取存儲(chǔ)單元之下的通道， 且足夠低而可以關(guān)閉此與非門串行中一具有與一高于Vread的閾值電壓分布相關(guān)數(shù)據(jù)值的選取存儲(chǔ)單元之下的通道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明關(guān)于許多通過(guò)降低Vpass電壓來(lái)解決讀取干擾的方案。一般而言，此Vpass 電壓超過(guò)最高閾值電壓分布，所以無(wú)論儲(chǔ)存于此未選取存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值為何，在一與非門串行未選取存儲(chǔ)單元之下的通道總是開啟。然而，在不同的實(shí)施例中降低Vpass電壓至最高閾值電壓分布以下。在不同的實(shí)施例中通過(guò)每一與非門串行儲(chǔ)存單一選取數(shù)據(jù)位來(lái)達(dá)成此目標(biāo)。在此與非門串行中的其它未選取存儲(chǔ)單元并沒有儲(chǔ)存使用者選取數(shù)據(jù)，自一較低閾值電壓分布儲(chǔ)存一閾值電壓，使得降低的Vpass開啟一與非門串行未選取存儲(chǔ)單兀。本發(fā)明的第一方式具有降低的Vpass電壓。本發(fā)明的第二方式同時(shí)具有降低及未降低的Vpass電壓，是根據(jù)指令來(lái)決定。本發(fā)明的第三方式同時(shí)具有降低及未降低的Vpass 電壓，是根據(jù)指令緩存器來(lái)決定。不同的方案會(huì)于下面描述。本發(fā)明的第一方式為提供一種存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)單元、字線及控制電路。此多個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)安排于一半導(dǎo)體主體中，該串聯(lián)的存儲(chǔ)單元具有一第一端及一第二端，該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)單元具有一閾值電壓，該閾值電壓是與一第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第一閾值電壓分布及與一第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第二閾值電壓分布兩者之一，該第一閾值電壓分布具有一第一最小值及一第一最大值，且該第二閾值電壓分布具有一第二最小值及一第二最大值，該第一閾值電壓分布是較該第二閾值電壓分布為低的閾值電壓分布。該多條字線中的字線與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元耦接。該控制電路與該多條字線耦接。該控制電路施加一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加大于該第一閾值電壓分布的該第一最大值且小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。在一實(shí)施例中，該讀取偏壓配置通過(guò)該控制電路施加至該多條字線的字線僅施加小于該第二閾值電壓分布的該第二最小值的字線電壓。在一實(shí)施例中，該控制電路在該多個(gè)存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。在一實(shí)施例中，該些存儲(chǔ)單元包含一已編程存儲(chǔ)單元，其具有該第二閾值電壓分布。其它的實(shí)施例用不同方式在每一與非門串行儲(chǔ)存單一選取數(shù)據(jù)位。在一實(shí)施例中，該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括(i)該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一選取存儲(chǔ)單元。該控制電路在所有該至少一選取存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。(ii)與該至少一選取存儲(chǔ)單元不同的其它存儲(chǔ)單元，其中該其它存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存該第一數(shù)據(jù)值。且與該第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第一閾值電壓分布相較于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布是一較小的電壓分布。響應(yīng)該控制電路施加至該多條字線的該讀取偏壓配置，自該多個(gè)存儲(chǔ)單元中讀取該相同的選取數(shù)據(jù)值。在一實(shí)施例中，上述儲(chǔ)存是響應(yīng)一編程指令而由該控制電路執(zhí)行。本發(fā)明的第二方式為提供一種存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)單元、字線及控制電路。該控制電路具有多組指令，包括一第一組指令及一第二組指令。此第一組指令包括一第一讀取指令，其施加一第一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第一讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線是施加(i)大于該第一閾值電壓分布的該第一最大值且小于該第二閾值電壓分布的該第二最小值的字線電壓(ii)大于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。此第二組指令包括一第二讀取指令，其施加一第二讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第二讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加大于該第一閾值電壓分布的該第一最大值且小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。在一實(shí)施例中，該第一組指令與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的至少四個(gè)閾值電壓分布的一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、一第三閾值電壓分布與一第三數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)，及一第四閾值電壓分布與一第四數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)。該第二組指令與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的僅有兩個(gè)閾值電壓分布的一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)及該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)。在另一實(shí)施例中，不同組指令中包括一讀取指令及一編程指令。在一實(shí)施例中，與該第二組指令對(duì)應(yīng)，該控制電路在該多個(gè)存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。在一實(shí)施例中，該第二組指令包括一編程指令，其在該多個(gè)存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。其它的實(shí)施例用不同方式在每一與非門串行儲(chǔ)存單一選取數(shù)據(jù)位。在一實(shí)施例中，與該第二組指令對(duì)應(yīng)，該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括(i)該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一選取存儲(chǔ)單元，其中該控制電路在所有該至少一選取存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。(ii)與該至少一選取存儲(chǔ)單元不同的其它存儲(chǔ)單元，其中該其它存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存該第一數(shù)據(jù)值，且與該第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第一閾值電壓分布相較于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布是一較小的電壓分布。響應(yīng)該控制電路施加至該多條字線的該讀取偏壓配置，自該多個(gè)存儲(chǔ)單元中讀取該相同的選取數(shù)據(jù)值。在一實(shí)施例中，上述儲(chǔ)存是響應(yīng)一編程指令而由該控制電路執(zhí)行。在一實(shí)施例中，該第一組指令對(duì)應(yīng)于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布的一第一版本，該第二閾值電壓分布的該第一版本具有一第一版本分布最小值。該第二組指令對(duì)應(yīng)于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布的一第二版本， 該第二閾值電壓分布的該第二版本具有一第二版本分布最小值。該第一版本分布最小值小于該第二版本分布最小值。本發(fā)明的第三方式為提供一種存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)單元、字線、指令緩存器及控制電路。
該指令緩存器儲(chǔ)存一第一值與一第二值之一。該控制電路響應(yīng)該指令緩存器中所儲(chǔ)存的值。響應(yīng)該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第一值，該讀取指令施加一第一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第一讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線是施加(i)大于該第一閾值電壓分布的該第一最大值且小于該第二閾值電壓分布的該第二最小值的字線電壓(ii)大于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。響應(yīng)該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值，該讀取指令施加一第二讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第二讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加大于該第一閾值電壓分布的該第一最大值且小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。在一實(shí)施例中，該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第一值，與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的至少四個(gè)閾值電壓分布的一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、一第三閾值電壓分布與一第三數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)，及一第四閾值電壓分布與一第四數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)。該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值，與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的僅有兩個(gè)閾值電壓分布的一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)及該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)。在一實(shí)施例中，與該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值對(duì)應(yīng)，該控制電路在該多個(gè)存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。在一實(shí)施例中，與該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值對(duì)應(yīng)，該控制電路包括一編程指令在該多個(gè)存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。其它的實(shí)施例用不同方式在每一與非門串行儲(chǔ)存單一選取數(shù)據(jù)位。在一實(shí)施例中，與該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值對(duì)應(yīng)，該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括(i)該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一選取存儲(chǔ)單元，其中響應(yīng)一編程指令，該控制電路在所有該至少一選取存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。(ii)與該至少一選取存儲(chǔ)單元不同的其它存儲(chǔ)單元，其中該其它存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存該第一數(shù)據(jù)值，且與該第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第一閾值電壓分布相較于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布是一較小的電壓分布。響應(yīng)該控制電路施加至該多條字線的該讀取偏壓配置，自該多個(gè)存儲(chǔ)單元中讀取該相同的選取數(shù)據(jù)值。在一實(shí)施例中，上述儲(chǔ)存是響應(yīng)一編程指令而由該控制電路執(zhí)行。在一實(shí)施例中，該指令緩存器儲(chǔ)存該第一值對(duì)應(yīng)于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布的一第一版本，該第二閾值電壓分布的該第一版本具有一第一版本分布最小值。該指令緩存器儲(chǔ)存該第二值對(duì)應(yīng)于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布的一第二版本，該第二閾值電壓分布的該第二版本具有一第二版本分布最小值。該第一版本分布最小值小于該第二版本分布最小值。本發(fā)明的另一目的為提供一種使用存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包含多個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)安排于一半導(dǎo)體主體中，該串聯(lián)的存儲(chǔ)單元具有一第一端及一第二端，該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)單元具有一閾值電壓，該閾值電壓是與一第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第一閾值電壓分布及與一第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第二閾值電壓分布兩者之一，該第一閾值電壓分布是較該第二閾值電壓分布為低的閾值電壓分布該第一閾值電壓分布具有一第一最小值及一第一最大值，且該第二閾值電壓分布具有一第二最小值及一第二最大值。該方法包含施加一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。


本發(fā)明是由權(quán)利要求范圍所界定。這些和其它目的，特征，和實(shí)施例，會(huì)在下列實(shí)施方式的章節(jié)中搭配圖式被描述，其中圖1為閾值電壓分布的圖式，顯示高閾值電壓(HVt)和低閾值電壓(LVt)的分布、字線讀取電壓區(qū)間及字線導(dǎo)通電壓區(qū)間。圖2是一閾值電壓分布的圖標(biāo)，其顯示高閾值電壓(HVt)、低閾值電壓(LVt)分布、 字線讀取電壓區(qū)間及改善的字線導(dǎo)通電壓區(qū)間。圖3是一非易失存儲(chǔ)單元中與非門串行的示意圖，其是在施加改良的字線導(dǎo)通電壓。圖4為是一非易失存儲(chǔ)單元中與非門串行的示意圖，其是在每一與非門串行儲(chǔ)存單一數(shù)據(jù)位。圖5為是一非易失存儲(chǔ)單元中與非門串行的示意圖，其是在每一與非門串行儲(chǔ)存單一數(shù)據(jù)位。圖6顯示對(duì)一具有典型字線導(dǎo)通電壓典型字線導(dǎo)通電壓及改良字線導(dǎo)通電壓的不同指令的流程圖。圖7顯示對(duì)一具有典型字線導(dǎo)通電壓及改良字線導(dǎo)通電壓的不同指令緩存器值的流程圖。圖8顯示閾值電壓分布的示意圖，顯示調(diào)整的高閾值電壓(HVt)分布、及低閾值電壓(LVt)分布、字線讀取電壓區(qū)間和改良的字線導(dǎo)通電壓區(qū)間。圖9顯示閾值電壓分布的示意圖，顯示調(diào)整數(shù)目的分布，其是根據(jù)指令或是指令緩存器值而決定。圖10顯示閾值電壓分布的示意圖，顯示調(diào)整數(shù)目的分布，其是根據(jù)指令或是指令緩存器值，以及調(diào)整的高閾值電壓(HVt)分布而決定。圖11系可應(yīng)用本發(fā)明所描述改良之集成電路的方塊示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明1150:集成電路1100 非易失存儲(chǔ)單元陣列1101 列譯碼器1102:字線1103:行譯碼器1104:位線1105、1107:總線1106 感測(cè)放大器/數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)1109 具有改良Vpass/Vth分布的編程、擦除及讀取的偏壓配置狀態(tài)機(jī)構(gòu)1108 偏壓調(diào)整供應(yīng)電壓1111 數(shù)據(jù)輸入線1115:數(shù)據(jù)輸出線
具體實(shí)施例方式圖2是一閾值電壓分布的圖標(biāo)，其顯示高閾值電壓(HVt)、低閾值電壓(LVt)分布、 字線讀取電壓區(qū)間及改善的字線導(dǎo)通電壓區(qū)間。Vpass區(qū)間不再是足以開啟此與非門串行中未選取存儲(chǔ)單元之下的通道而不管儲(chǔ)存于此未選取存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值，因?yàn)榇薞pass區(qū)間并沒有延伸通過(guò)最高閾值電壓分布的最大值。然而，Vpass保證足以開啟儲(chǔ)存與最低閾值電壓(LVt)分布相關(guān)的數(shù)據(jù)值的一存儲(chǔ)單元之下的通道。Vread足以開啟此與非門串行中一選取存儲(chǔ)單元之下的通道，其具有與一低于Vread(例如LVt)的閾值電壓分布相關(guān)的數(shù)據(jù)值，且足夠低而可以關(guān)閉此與非門串行中一選取存儲(chǔ)單元之下的通道，其具有與一高于Vread(例如HVt)的閾值電壓分布相關(guān)的數(shù)據(jù)值。因?yàn)閂pass被降低而解決了讀取干擾問題。假如此與非門串行中儲(chǔ)存多重位，則此降低的Vpass電壓可能會(huì)產(chǎn)生問題，因?yàn)榇伺c非門串行中未選取存儲(chǔ)單元之下的通道或許并未開啟。然而，在每一與非門串行儲(chǔ)存單一數(shù)據(jù)位實(shí)施例中，此與非門串行中其它未選取存儲(chǔ)單元并沒有儲(chǔ)存使用者選取數(shù)據(jù)，而自一低閾值電壓分布儲(chǔ)存一閾值電壓，所以此降低的Vpass電壓開啟此與非門串行中的未選取存儲(chǔ)單元。圖3是一非易失存儲(chǔ)單元中與非門串行的示意圖，其是在施加改良的字線導(dǎo)通電壓。此與非門串行介于位線BL與源極線SRC之間，其具有一系列的非易失存儲(chǔ)單元于通過(guò)晶體管之間。一擴(kuò)散區(qū)域介于鄰接的晶體管/存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)之間。替代地，可以移除此擴(kuò)散區(qū)域，而用通過(guò)施加合適電壓的一額外柵極結(jié)構(gòu)所具有一反轉(zhuǎn)區(qū)域來(lái)取代。施加至選取存儲(chǔ)單元的字線的Vread是作為讀取之用。而Vpass是施加于存儲(chǔ)單元中未選擇讀取的其它字線上。一般而言，Vpass足以開啟之下的通道而不管特定數(shù)據(jù)值及其儲(chǔ)存相關(guān)的閾值電壓分布，且Vpass因此而設(shè)定在足夠高的電壓可以開啟與儲(chǔ)存高閾值電壓分布相關(guān)數(shù)據(jù)值之下的通道。然而，因?yàn)閷?shí)施例中是在每一與非門串行儲(chǔ)存單一數(shù)據(jù)位，未選取存儲(chǔ)單元的Vpass并不需要如此的高。VSLG施加至端點(diǎn)選擇柵極SLGl和SLG2。圖4為是一非易失存儲(chǔ)單元中與非門串行的示意圖，其是在每一與非門串行儲(chǔ)存單一數(shù)據(jù)位。在所示的數(shù)據(jù)串行中，所有的閾值電壓分布不是高閾值電壓(HVt)就是低閾值電壓(LVt)分布。在兩種情況下，使用降低的Vpass電壓。在使用Vpass電壓于一儲(chǔ)存高閾值電壓(HVt)的存儲(chǔ)串行的情況下，Vpass電壓或許不足以開啟底下的通道。然而，這并不是一個(gè)問題，因?yàn)榈紫碌耐ǖ赖拇鎯?chǔ)單元具有一柵極其所接收的Vread電壓本來(lái)也就無(wú)法開啟。在一實(shí)施例中，所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存圖案是執(zhí)行專用編程及讀取指令。在另一實(shí)施例中，所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存圖案是執(zhí)行多重正常編程及讀取指令。圖5為是一非易失存儲(chǔ)單元中與非門串行的示意圖，其是在每一與非門串行儲(chǔ)存單一數(shù)據(jù)位。在所示的數(shù)據(jù)串行中，所有的閾值電壓分布并不是高閾值電壓(HVt)或是低閾值電壓(LVt)分布，而是預(yù)設(shè)的分布是低閾值電壓(LVt)分布，且一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元的某些子集儲(chǔ)存高閾值電壓(HVt)或是低閾值電壓(LVt)分布。這些子集儲(chǔ)存相同的數(shù)據(jù)位。在此子集的存儲(chǔ)單元可以是位于與非門串行的兩端的任一端、中間部分、為相鄰存儲(chǔ)單元或是非相鄰存儲(chǔ)單元。在所示的范例中，存儲(chǔ)串行的位線BLle具有多重存儲(chǔ)單元在至少Wi)和札四之下具有高閾值電壓(HVt)。Vread電壓至少施加至Wi)或札四以讀取記憶串行的位線BLle中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)位。在使用Vpass電壓于此存儲(chǔ)串行的子集中具有儲(chǔ)存高閾值電壓(HVt)存儲(chǔ)單元的情況下，Vpass電壓或許不足以開啟底下的通道。然而，這并不是一個(gè)問題，因?yàn)榈紫碌耐ǖ赖拇鎯?chǔ)單元具有一柵極其所接收的Vread電壓本來(lái)也就無(wú)法開啟。在一實(shí)施例中，所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存圖案是執(zhí)行專用編程及讀取指令。在另一實(shí)施例中，所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存圖案是執(zhí)行多重正常編程及讀取指令。圖6顯示對(duì)一具有典型字線導(dǎo)通電壓及改良字線導(dǎo)通電壓的不同指令的流程圖。在步驟12，是開啟電源。在步驟14接收一具有指令碼的指令，其具有一典型的 Vpass電壓是大于最高閾值電壓分布的最大值，通常是跟隨著存儲(chǔ)單元的地址一起被接收。 在步驟16對(duì)此指令進(jìn)行處理。此指令可以是讀取或編程指令。在步驟18接收一具有指令碼的指令，其具有一降低的Vpass電壓是小于最高閾值電壓分布的最大值，通常也是跟隨著存儲(chǔ)單元的地址一起被接收。在步驟20對(duì)此指令進(jìn)行處理。此指令可以是讀取或編程指令。圖7顯示對(duì)一具有典型字線導(dǎo)通電壓及改良字線導(dǎo)通電壓的不同指令緩存器值的流程圖。在步驟42，發(fā)生待命模式。在步驟43，假如未接收到一個(gè)修改指令緩存器內(nèi)容的指令碼，此流程繼續(xù)至步驟44。否則，此流程繼續(xù)至步驟52。在步驟44，輸入預(yù)設(shè)指令緩存器內(nèi)容以指示控制電路是在一個(gè)使用一典型Vpass 電壓是大于最高閾值電壓分布的最大值的模式下，且通常是跟隨著存儲(chǔ)單元的地址一起被接收。在步驟46接收一具有指令碼的指令，其具有一典型的Vpass電壓是大于最高閾值電壓分布的最大值，通常是跟隨著存儲(chǔ)單元的地址一起被接收。在步驟48，對(duì)此指令進(jìn)行處理。此指令可以是讀取或編程指令。在步驟50，假如沒有接收到一個(gè)修改指令緩存器內(nèi)容的指令碼，此流程回到步驟 46。否則，此流程繼續(xù)至步驟52。在步驟52，輸入非預(yù)設(shè)指令緩存器內(nèi)容以指示控制電路示在一個(gè)使用一降低的 Vpass電壓是小于最高閾值電壓分布的最大值的模式下，且通常是跟隨著存儲(chǔ)單元的地址一起被接收。在步驟M接收一具有指令碼的指令，其具有降低的Vpass電壓是小于最高閾值電壓分布的最大值，通常是跟隨著存儲(chǔ)單元的地址一起被接收。在步驟56，對(duì)此指令進(jìn)行處理。此指令可以是讀取或編程指令。在步驟58，假如沒有接收到一個(gè)修改指令緩存器內(nèi)容的指令碼，此流程回到步驟 M。否則，此流程繼續(xù)至步驟44。圖8顯示閾值電壓分布的示意圖，顯示調(diào)整的高閾值電壓(HVt)分布、及低閾值電壓(LVt)分布、字線讀取電壓區(qū)間和改良的字線導(dǎo)通電壓區(qū)間。因?yàn)閷?shí)施例中所使用降低的Vpass電壓會(huì)小于最高閾值電壓分布的最大值，一個(gè)增加的高閾值電壓(HVt)分布并不會(huì)產(chǎn)生任何讀取干擾問題。雖然高閾值電壓(HVt)分布的向上偏移，此Vpass電壓也不會(huì)增加，因此保持了增加高閾值電壓(HVt)分布的優(yōu)點(diǎn)而不會(huì)具有更差讀取干擾的缺點(diǎn)。在具有不同的讀取和編程模式的實(shí)施例中，其選擇性地使用正常的Vpass電壓或是降低的Vpass電壓，此上移的高閾值電壓(HVt)分布是用于降低Vpass電壓的與非門串行，而正常的高閾值電壓(HVt)分布是用于正常Vpass電壓的與非門串行。圖9顯示閾值電壓分布的示意圖，顯示調(diào)整數(shù)目的分布，其是根據(jù)指令或是指令緩存器值而決定。在具有不同的讀取和編程模式的實(shí)施例中，其選擇性地使用正常的Vpass電壓或是降低的Vpass電壓，此兩階級(jí)的分布是用于降低Vpass電壓的與非門串行，而多階存儲(chǔ)單元(MLC)分布是用于正常Vpass電壓的與非門串行。圖10顯示閾值電壓分布的示意圖，顯示調(diào)整數(shù)目的分布，其是根據(jù)指令或是指令緩存器值，以及調(diào)整的高閾值電壓(HVt)分布而決定。在具有不同的讀取和編程模式的實(shí)施例中，其選擇性地使用正常的Vpass電壓或是降低的Vpass電壓，此兩階級(jí)的分布是用于降低Vpass電壓的與非門串行，而多階存儲(chǔ)單元(MLC)分布是用于正常Vpass電壓的與非門串行。此兩階級(jí)的分布使用一上移的高閾值電壓(HVt)分布如同圖8中所示。圖11是可應(yīng)用本發(fā)明所描述改良的集成電路的方塊示意圖。圖11是包含一存儲(chǔ)器陣列1100的集成電路1150的簡(jiǎn)要方塊示意圖。一字線(或列)及區(qū)塊選取譯碼器1101被耦接至，且與其有著電性溝通，多條字線1102及字符串選擇線，其間是沿著存儲(chǔ)器陣列1100的列方向排列。一位線(行)譯碼器及驅(qū)動(dòng)器1103被耦接至多條沿著存儲(chǔ)器陣列1100的行排列的位線1104，且與其有著電性溝通，以自存儲(chǔ)單元陣列1100的存儲(chǔ)單元中讀取數(shù)據(jù)，或是寫入數(shù)據(jù)至其中。地址是透過(guò)總線1105提供至字線譯碼器及驅(qū)動(dòng)器1101及位線譯碼器1103。方塊1106中的感應(yīng)放大器與數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)， 包含作為讀取、編程和擦除模式的電流源，是透過(guò)總線11011耦接至位線譯碼器1103。數(shù)據(jù)是由集成電路1150上的輸入/輸出端口透過(guò)數(shù)據(jù)輸入線1111傳送至方塊1106的數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)是由方塊1106中的感應(yīng)放大器，透過(guò)數(shù)據(jù)輸出線1115，傳送至集成電路1150 上的輸入/輸出端或其它集成電路1150內(nèi)或外的數(shù)據(jù)目的地。應(yīng)用此改良的Vpass電壓和閾值電壓分布及多模操作(具有降低Vpass和未降低Vpass)的編程、擦除及讀取偏壓調(diào)整狀態(tài)機(jī)構(gòu)電路1109，及控制偏壓調(diào)整供應(yīng)電壓1108。替代地實(shí)施例中也包括其它的指令碼或是指令緩存器。雖然本發(fā)明已參照實(shí)施例來(lái)加以描述，然本發(fā)明創(chuàng)作并未受限于其詳細(xì)描述內(nèi)容。替換方式及修改樣式已于先前描述中所建議，且其它替換方式及修改樣式將為本領(lǐng)域技術(shù)人員所思及。特別是，所有具有實(shí)質(zhì)上相同于本發(fā)明的構(gòu)件結(jié)合而達(dá)成與本發(fā)明實(shí)質(zhì)上相同結(jié)果者，皆不脫離本發(fā)明的精神范疇。因此，所有此等替換方式及修改樣式是意欲落在本發(fā)明于隨附權(quán)利要求范圍及其均等物所界定的范疇之中。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包含多個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)安排于一半導(dǎo)體主體中，該串聯(lián)的存儲(chǔ)單元具有一第一端及一第二端，該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)單元具有一閾值電壓，該閾值電壓是與一第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第一閾值電壓分布及與一第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第二閾值電壓分布兩者之一，該第一閾值電壓分布具有一第一最小值及一第一最大值，且該第二閾值電壓分布具有一第二最小值及一第二最大值，該第一閾值電壓分布是較該第二閾值電壓分布為低的閾值電壓分布；多條字線，該多條字線中的字線與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元耦接；控制電路，與該多條字線耦接，其中該控制電路施加一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該讀取偏壓配置通過(guò)該控制電路施加至該多條字線的字線僅施加大于該第一閾值電壓分布的該第一最大值的字線電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該控制電路在該多個(gè)存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一選取存儲(chǔ)單元，其中響應(yīng)一編程指令，該控制電路在所有該至少一選取存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值；以及與該至少一選取存儲(chǔ)單元不同的其它存儲(chǔ)單元，其中該其它存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存該第一數(shù)據(jù)值，且與該第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第一閾值電壓分布相較于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布是一較小的電壓分布；如此響應(yīng)該控制電路施加至該多條字線的該讀取偏壓配置，自該多個(gè)存儲(chǔ)單元中讀取該相同的選取數(shù)據(jù)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括一個(gè)具有該第二閾值電壓分布的已編程存儲(chǔ)單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該控制電路具有多組指令，包含一第一組指令包括一第一讀取指令，其施加一第一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第一讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線是施加(i)小于該第二閾值電壓分布的該第二最小值的字線電壓(ii)大于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓；以及一第二組指令包括一第二讀取指令，其施加一第二讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第二讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該第一組指令與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的至少四個(gè)閾值電壓分布的一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、一第三閾值電壓分布與一第三數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)，及一第四閾值電壓分布與一第四數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)，以及其中該第二組指令與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的僅有兩個(gè)閾值電壓分布的一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)及該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，與該第二組指令對(duì)應(yīng)，該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一選取存儲(chǔ)單元，其中該控制電路在所有該至少一選取存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值；以及與該至少一選取存儲(chǔ)單元不同的其它存儲(chǔ)單元，其中該其它存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存該第一數(shù)據(jù)值，且與該第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第一閾值電壓分布相較于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布是一較小的電壓分布；如此響應(yīng)該控制電路施加至該多條字線的該讀取偏壓配置，自該多個(gè)存儲(chǔ)單元中讀取該相同的選取數(shù)據(jù)值。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于該第一組指令對(duì)應(yīng)于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布的一第一版本，該第二閾值電壓分布的該第一版本具有一第一版本分布最小值；以及該第二組指令對(duì)應(yīng)于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布的一第二版本，該第二閾值電壓分布的該第二版本具有一第二版本分布最小值，其中該第一版本分布最小值小于該第二版本分布最小值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，包含一指令緩存器，儲(chǔ)存一第一值與一第二值之一；其中該控制電路響應(yīng)該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第一值，該讀取指令施加一第一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第一讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線是施加(i)小于該第二閾值電壓分布的該第二最小值的字線電壓(ii)大于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓；以及其中該控制電路響應(yīng)該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值，該讀取指令施加一第二讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該第二讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第一值， 與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的至少四個(gè)閾值電壓分布之一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)、一第三閾值電壓分布與一第三數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)，及一第四閾值電壓分布與一第四數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)，以及其中該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值，與該多個(gè)存儲(chǔ)單元中具有與不同數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的僅有兩個(gè)閾值電壓分布的一該閾值電壓的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)，包括至少該第一閾值電壓分布與該第一數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)及該第二閾值電壓分布與該第二數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的的存儲(chǔ)器，其特征在于，與該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值對(duì)應(yīng)，該控制電路在該多個(gè)存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，與該指令緩存器中所儲(chǔ)存的該第二值對(duì)應(yīng)，該多個(gè)存儲(chǔ)單元包括該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一選取存儲(chǔ)單元，其中響應(yīng)一編程指令，該控制電路在所有該至少一選取存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存一相同的選取數(shù)據(jù)值；以及與該至少一選取存儲(chǔ)單元不同的其它存儲(chǔ)單元，其中該其它存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存該第一數(shù)據(jù)值，且與該第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第一閾值電壓分布相較于與該第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的該第二閾值電壓分布是一較小的電壓分布；如此響應(yīng)該控制電路施加至該多條字線的該讀取偏壓配置，自該多個(gè)存儲(chǔ)單元中讀取該相同的選取數(shù)據(jù)值。
14.一種使用存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)器包含多個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)安排于一半導(dǎo)體主體中，該串聯(lián)的存儲(chǔ)單元具有一第一端及一第二端，該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)單元具有一閾值電壓，該閾值電壓是與一第一數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第一閾值電壓分布及與一第二數(shù)據(jù)值相關(guān)的一第二閾值電壓分布兩者之一，該第一閾值電壓分布是較該第二閾值電壓分布為低的閾值電壓分布該第一閾值電壓分布具有一第一最小值及一第一最大值，且該第二閾值電壓分布具有一第二最小值及一第二最大值，包含施加一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)器及使用該存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器是與非門存儲(chǔ)器，包括一控制電路施加一讀取偏壓配置至該多條字線以通過(guò)測(cè)量流經(jīng)介于該串聯(lián)的存儲(chǔ)單元的該第一端與該第二端之間的電流而讀取儲(chǔ)存于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一選取數(shù)據(jù)值，其中該讀取偏壓配置施加至該多條字線的字線僅施加小于該第二閾值電壓分布的該第二最大值的字線電壓。
文檔編號(hào)G11C16/34GK102446556SQ20101051286
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月8日
發(fā)明者劉增毅, 洪俊雄, 洪碩男 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司