專利名稱：信息記錄媒介,記錄設(shè)備,再現(xiàn)設(shè)備,記錄方法和再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包含至少兩個(gè)記錄層的信息記錄媒介，將信息記錄到該媒介上的 方法和設(shè)備，以及用來(lái)從該媒介上再現(xiàn)信息的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，開(kāi)發(fā)了各種各樣的能夠記錄/再現(xiàn)大量信息的信息記錄媒介。光盤(pán)就是 其中之一。大容量光盤(pán)之一是包含連在一起的兩個(gè)光盤(pán)的雙面光盤(pán)，在該兩個(gè)光盤(pán)每一個(gè) 上都可以記錄/再現(xiàn)信息。可是，對(duì)于某些經(jīng)常需要隨機(jī)存取的應(yīng)用如計(jì)算機(jī)，游戲等等來(lái) 說(shuō)，需要一種高容量但是不需要上下翻轉(zhuǎn)的單面且隨機(jī)存取的光盤(pán)。
為了滿足這種需要(高容量，隨機(jī)存取，且單面)，可以設(shè)想，單個(gè)光盤(pán)包含至少兩 個(gè)記錄層(這種光盤(pán)可被稱為多層光盤(pán))，在其單個(gè)面上可記錄/再現(xiàn)信息。圖7示出了一 種一面包含兩個(gè)記錄層的光盤(pán)700的結(jié)構(gòu)。
該光盤(pán)700包含第一記錄層704，第一基底705，粘合樹(shù)脂703，第二基底701，和第 二記錄層702。每個(gè)基底都配備有定位孔706。第二記錄層702包含光盤(pán)信息區(qū)707和數(shù) 據(jù)區(qū)710。第一記錄層704包含光盤(pán)信息區(qū)711和數(shù)據(jù)區(qū)714。
第一基底705和第二基底701由聚碳酸脂樹(shù)脂或者類似物制成，用來(lái)分別保護(hù)第 一記錄層704和第二記錄層702。光盤(pán)信息區(qū)707為僅再現(xiàn)區(qū)，在該區(qū)域中記錄了諸如照射 第二記錄層702的激光能量等等此類的信息。光盤(pán)信息區(qū)711也為僅再現(xiàn)區(qū)，在該區(qū)域中 記錄了諸如照射第一記錄層704的激光能量等等此類的信息。
在光盤(pán)700中，例如，首先在第一記錄層704上進(jìn)行再現(xiàn)，接著立即在第二記錄層 702上進(jìn)行再現(xiàn)。在這種情況下，以以下次序進(jìn)行再現(xiàn)操作從光盤(pán)信息區(qū)711中再現(xiàn)表示 照射第一記錄層704的激光能量的信息；在數(shù)據(jù)區(qū)714上進(jìn)行再現(xiàn)；從光盤(pán)信息區(qū)707中再 現(xiàn)表示照射第二記錄層702的激光能量的信息；在數(shù)據(jù)區(qū)710上進(jìn)行再現(xiàn)。可選地，依次在 光盤(pán)信息區(qū)711，光盤(pán)信息區(qū)707，數(shù)據(jù)區(qū)714，數(shù)據(jù)區(qū)710上進(jìn)行再現(xiàn)操作。因此，在光盤(pán) 700中，必須從兩個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中再現(xiàn)信息。因此，花費(fèi)很長(zhǎng)時(shí)間來(lái)再現(xiàn)光盤(pán)700的參數(shù)和 格式信息，如激光能量等等。發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種信息記錄媒介包含多個(gè)記錄層，和第一盤(pán)信息區(qū)，該 第一盤(pán)信息區(qū)用來(lái)存儲(chǔ)有關(guān)訪問(wèn)該多個(gè)記錄層的參數(shù)和有關(guān)該多個(gè)記錄層的格式。該第一盤(pán)信息區(qū)是在作為該多個(gè)記錄層之一的第一記錄層中提供的。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，分配地址給該第一記錄層。參數(shù)包括表示用來(lái)照射該 第一記錄層的激光能量值的第一照射能量信息，和表示用來(lái)照射該多個(gè)記錄層中另一個(gè)記 錄層的激光能量值的第二照射能量信息。第一盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)第一照射能量信息的區(qū)域所 分配到的地址小于第一盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)第二照射能量信息的區(qū)域所分配到的地址。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該信息記錄媒介還包含用來(lái)存儲(chǔ)與第一盤(pán)信息區(qū)相同 信息的第二光盤(pán)信息區(qū)。該第二光盤(pán)信息區(qū)是在第二記錄層中提供的，該第二記錄層是該 多個(gè)記錄層中另外一個(gè)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該第一記錄層是該多個(gè)記錄層之一，先前被確定為基 準(zhǔn)層。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該多個(gè)記錄層是能夠記錄信息的記錄層。該信息記錄 媒介還包含多個(gè)調(diào)節(jié)區(qū)，用來(lái)調(diào)節(jié)激光的記錄能量。該多個(gè)記錄層中每一個(gè)都包含該多個(gè) 調(diào)節(jié)區(qū)中相應(yīng)的一個(gè)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，作為多個(gè)記錄層之一的第二記錄層包含緩沖區(qū)。該緩 沖區(qū)與該第二記錄層中包括的多個(gè)調(diào)節(jié)區(qū)中的一個(gè)相鄰。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該多個(gè)調(diào)節(jié)區(qū)每一個(gè)都是在該信息記錄媒介上的不同 徑向位置上提供的。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該信息記錄媒介是一次寫(xiě)多次讀的信息記錄媒介。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，分配地址給該第一記錄層。參數(shù)包括有關(guān)訪問(wèn)該第一 記錄層的第一參數(shù)以及有關(guān)該多個(gè)記錄層中另一個(gè)記錄層的第二參數(shù)。第一盤(pán)信息區(qū)中存 儲(chǔ)第一參數(shù)的區(qū)域分配到的地址小于第一盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)第二參數(shù)的區(qū)域分配到的地址。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，分配地址給該第一記錄層。格式包括有關(guān)第一記錄層 的第一格式和有關(guān)該多個(gè)記錄層中另一記錄層的第二格式。第一盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)第一格式 的區(qū)域分配到的地址小于第一盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)第二格式的區(qū)域分配到的地址。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該信息記錄媒介進(jìn)一步包含用來(lái)記錄該多個(gè)記錄層中 所提供的用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)。該多個(gè)記錄層配有凹槽。作為該多個(gè)記錄層之一的第二記錄 層包含與第一盤(pán)信息區(qū)徑向位置相同的區(qū)域和提供一部分?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)的區(qū)域。與第一盤(pán)信息區(qū) 徑向位置相同的區(qū)域中所配備的凹槽形狀類型和提供一部分?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)的區(qū)域中所配備的凹 槽形狀類型相同。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在該多個(gè)記錄層的至少一部分中配有凹槽。作為該多 個(gè)記錄層之一的第二記錄層在作為第二記錄層的一部分與第一盤(pán)信息區(qū)徑向位置相同的 區(qū)域中沒(méi)有凹槽。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該多個(gè)記錄層配有凹槽。作為該多個(gè)記錄層之一的第 二記錄層中的凹槽形狀類型是恒定的。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一記錄層配有凹槽。第一盤(pán)信息區(qū)中凹槽的形狀類 型與作為第一記錄層一部分并且與該第一盤(pán)信息區(qū)相鄰的區(qū)域中的凹槽形狀類型不同。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該第一記錄層配有凹槽。該第一盤(pán)信息區(qū)中的凹槽與 作為第一記錄層一部分并且與該第一盤(pán)信息區(qū)相鄰的區(qū)域中的凹槽相連。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該參數(shù)和格式包括與第一記錄層有關(guān)的第一參數(shù)和第一格式。該參數(shù)和格式包括與作為該多個(gè)記錄層的另一記錄層的第二記錄層有關(guān)的第二參 數(shù)和第二格式。第一盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)該第一參數(shù)和第一格式的區(qū)域的長(zhǎng)度與第一盤(pán)信息區(qū) 中存儲(chǔ)第二參數(shù)和第二格式的區(qū)域的長(zhǎng)度相同。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該參數(shù)包括有關(guān)訪問(wèn)第一記錄層的第一參數(shù)。該格式 包括有關(guān)第一記錄層的第一格式。一套第一參數(shù)和第一格式是連續(xù)重復(fù)的，并且存儲(chǔ)在該 第一盤(pán)信息區(qū)中。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該參數(shù)包括有關(guān)第二記錄層的第二參數(shù)，該第二記錄 層是該多個(gè)記錄層的另一記錄層。該格式包括有關(guān)該第二記錄層的第二格式。一套第二參 數(shù)和第二格式是連續(xù)重復(fù)的，并且存儲(chǔ)在該第一盤(pán)信息區(qū)中。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該光盤(pán)信息區(qū)存儲(chǔ)多套參數(shù)和格式。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該信息記錄媒介進(jìn)一步包含啞元區(qū)。該多套包括第一 套和第二套。該啞元區(qū)配備在提供第一套的第一區(qū)域和提供第二套的第二區(qū)域之間，該第 一區(qū)域?yàn)榈谝槐P(pán)信息區(qū)的一部分，該第二區(qū)域?yàn)榈谝槐P(pán)信息區(qū)的另一部分。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該 元區(qū)的長(zhǎng)度是存儲(chǔ)一套參數(shù)和格式的區(qū)域長(zhǎng)度的 整數(shù)倍。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，分配地址給第一記錄層。該參數(shù)包括有關(guān)訪問(wèn)該第一 記錄層的第一參數(shù)和有關(guān)該多個(gè)記錄層的另一記錄層的第二參數(shù)。該第一參數(shù)和第二參數(shù) 存儲(chǔ)在第一盤(pán)信息區(qū)中分配到同一地址的區(qū)域中。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，分配地址給第一記錄層。該格式包括有關(guān)訪問(wèn)第一記 錄層的第一格式和有關(guān)該多個(gè)記錄層的另一記錄層的第二格式。該第一格式和第二格式存 儲(chǔ)在第一盤(pán)信息區(qū)中分配到相同地址的區(qū)域中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用來(lái)將信息記錄到信息記錄媒介中的記錄設(shè) 備。該信息記錄媒介包括多個(gè)記錄層，以及用來(lái)存儲(chǔ)有關(guān)訪問(wèn)該多個(gè)記錄層的參數(shù)以及有 關(guān)該多個(gè)記錄層的格式的光盤(pán)信息區(qū)。該光盤(pán)信息區(qū)是在作為該多個(gè)記錄層之一的第一記 錄層中提供的。該記錄設(shè)備包含能夠?qū)⑿畔⒐鈱?xiě)入該信息記錄媒介的光頭，以及用來(lái)控制 使用光頭記錄的控制部件。該記錄包括再現(xiàn)存儲(chǔ)在光盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)的參數(shù)和格式，以及 根據(jù)該再現(xiàn)的參數(shù)和格式，將信息記錄到該信息記錄媒介中的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用來(lái)從信息記錄媒介中再現(xiàn)信息的再現(xiàn)設(shè) 備。該信息記錄媒介包含多個(gè)記錄層，以及用來(lái)存儲(chǔ)有關(guān)訪問(wèn)該多個(gè)記錄層的參數(shù)以及有 關(guān)該多個(gè)記錄層的格式的光盤(pán)信息區(qū)。該光盤(pán)信息區(qū)是在作為該多個(gè)記錄層之一的第一記 錄層中提供的。該再現(xiàn)設(shè)備包含能夠從該信息記錄媒介中光讀出信息的光頭，以及用來(lái)控 制使用光頭再現(xiàn)的控制部件。該再現(xiàn)包含再現(xiàn)存儲(chǔ)在光盤(pán)信息區(qū)中的參數(shù)和格式，以及根 據(jù)該再現(xiàn)的參數(shù)和格式從該信息記錄媒介中再現(xiàn)信息的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用來(lái)將信息記錄到信息記錄媒介中的記錄方 法。該信息記錄媒介包含多個(gè)記錄層，以及用來(lái)存儲(chǔ)有關(guān)訪問(wèn)該多個(gè)記錄層的參數(shù)以及有 關(guān)該多個(gè)記錄層的格式的光盤(pán)信息區(qū)。該光盤(pán)信息區(qū)是在作為該多個(gè)記錄層之一的第一記 錄層中提供的。該記錄方法包含再現(xiàn)存儲(chǔ)在光盤(pán)信息區(qū)中的參數(shù)和格式，以及根據(jù)該再現(xiàn) 的參數(shù)和格式，將信息記錄到該信息記錄媒介中的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用來(lái)從信息記錄媒介中再現(xiàn)信息的再現(xiàn)方法。該信息記錄媒介包含多個(gè)記錄層，以及用來(lái)存儲(chǔ)有關(guān)訪問(wèn)該多個(gè)記錄層的參數(shù)以及有 關(guān)該多個(gè)記錄層的格式的光盤(pán)信息區(qū)。該光盤(pán)信息區(qū)是在作為該多個(gè)記錄層之一的第一記 錄層中提供的。該再現(xiàn)方法包含再現(xiàn)存儲(chǔ)在光盤(pán)信息區(qū)中的參數(shù)和格式，以及根據(jù)該再現(xiàn) 的參數(shù)和格式從該信息記錄媒介中再現(xiàn)信息的步驟。
因此，這里所描述的發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供一種包含至少兩個(gè)記錄層的信息記錄媒 介，一種用來(lái)將信息記錄到該媒介上的方法和設(shè)備，以及一種用來(lái)從該媒介中再現(xiàn)信息的 方法和設(shè)備，其中減少了從光盤(pán)信息區(qū)再現(xiàn)信息所需的時(shí)間。
參考附圖，閱讀和理解以下詳細(xì)描述之后，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的 這些和其它優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤(pán)的示意圖。
圖2A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄層中配備的磁道的示意圖。
圖2B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄層中配備的磁道的示意圖。
圖2C是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄層中配備的磁道的示意圖。
圖2D是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄層中配備的磁道的示意圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)設(shè)備的示意圖。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁道的示意圖。
圖4B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁道的示意圖。
圖4C是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)方向的示意圖。
圖4D是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄層地址號(hào)分配的示意圖。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁道的示意圖。
圖5B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁道的示意圖。
圖5C是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)方向的示意圖。
圖5D是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄層地址號(hào)分配的示意圖。
圖6A是光盤(pán)信息區(qū)中信息的布局。
圖6B是光盤(pán)信息區(qū)中信息的布局。
圖7是光盤(pán)示意圖。
圖8A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤(pán)的示意圖。
圖8B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤(pán)的示意圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤(pán)的示意圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤(pán)的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下，將參考附圖，通過(guò)示例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。
圖1示出了一種根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例包含兩個(gè)記錄層的可改寫(xiě)光盤(pán)100。
該光盤(pán)100包含第一記錄層104，第一基底105，粘合樹(shù)脂103，第二基底101，和第 二記錄層102。這些基底和記錄層中每一個(gè)都配備有定位孔106。光盤(pán)100具有用來(lái)記錄用 戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)115。在第一記錄層104和第二記錄層105上都提供有數(shù)據(jù)區(qū)115。數(shù)據(jù)區(qū)115包含第二記錄層102上提供的數(shù)據(jù)區(qū)110和第一記錄層104上提供的數(shù)據(jù)區(qū)114。
第二記錄層102包含光盤(pán)信息區(qū)107，缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109，和數(shù)據(jù)區(qū)110。 第一記錄層104包含光盤(pán)信息區(qū)111，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，和數(shù)據(jù)區(qū)114。第一記 錄層104和第二記錄層102是在該光盤(pán)100的一面上提供的。
光盤(pán)信息區(qū)107，缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109，數(shù)據(jù)區(qū)110，光盤(pán)信息區(qū)111，缺陷列 表區(qū)112，備用區(qū)113，和數(shù)據(jù)區(qū)114每一個(gè)都配備有多個(gè)螺旋或者同心磁道。每個(gè)磁道包 含多個(gè)扇區(qū)。
這里，缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109，數(shù)據(jù)區(qū)110，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，和數(shù) 據(jù)區(qū)114是可記錄區(qū)，在這些區(qū)域中磁道是按預(yù)定圈數(shù)彎曲的。參考圖2B，通過(guò)在磁道上 覆蓋高頻元件，地址信息等等可以被記錄在磁道中?？蛇x地，參考圖2C，通過(guò)用具有不同頻 率的片斷代替對(duì)應(yīng)于預(yù)定圈數(shù)整數(shù)倍的片斷，地址信息等等可以被記錄在磁道中。可選地， 參考圖2D，可以用具有部分調(diào)節(jié)模式或者頻率組合的片斷代替對(duì)應(yīng)于預(yù)定圈數(shù)整數(shù)倍的片 斷。通過(guò)形成圖2C和圖2D所示的磁道形狀類型，可以獲得預(yù)定循環(huán)部分的狀態(tài)連貫性，從 而使得容易進(jìn)行時(shí)鐘提取。
第一基底105和第二基底101是由聚碳酸脂樹(shù)脂制成，用來(lái)分別保護(hù)第一記錄層 104和第二記錄層102。光盤(pán)信息區(qū)107是可再現(xiàn)區(qū)，在該可再現(xiàn)區(qū)中記錄了用來(lái)訪問(wèn)第一 記錄層104和第二記錄層102的參數(shù)以及第一記錄層104和第二記錄層102的格式。光盤(pán) 信息區(qū)111也是僅再現(xiàn)區(qū)，在該區(qū)域中記錄了用來(lái)訪問(wèn)第一記錄層104和第二記錄層102 的參數(shù)以及第一記錄層104和第二記錄層102的格式。光盤(pán)信息區(qū)111記錄了與光盤(pán)信息 區(qū)107相同的信息。光盤(pán)100可以具有光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111，或者是具有光盤(pán) 信息區(qū)107或光盤(pán)信息區(qū)111。光盤(pán)信息區(qū)107中存儲(chǔ)的參數(shù)是表示當(dāng)在第二記錄層102 上記錄/再現(xiàn)信息時(shí)適合第二記錄層102的激光照射能量的第二照射能量信息，以及表示 當(dāng)在第一記錄層104上記錄/再現(xiàn)信息時(shí)適合第一記錄層104的激光照射能量的第一照射 能量信息。光盤(pán)信息區(qū)111中存儲(chǔ)的參數(shù)是表示當(dāng)在第二記錄層102上記錄/再現(xiàn)信息時(shí) 適合第二記錄層102的激光照射能量的第二照射能量信息，以及表示當(dāng)在第一記錄層104 上記錄/再現(xiàn)信息時(shí)適合第一記錄層104的激光照射能量的第一照射能量信息。通過(guò)每圈 或者每?jī)扇较蛘{(diào)節(jié)磁道，信息被記錄到媒介上。圖2A中示出了一種磁道調(diào)節(jié)的例子。
在該實(shí)施例中，在僅再現(xiàn)區(qū)(如光盤(pán)信息區(qū)107，光盤(pán)信息區(qū)111，等等)和可記錄 區(qū)(如缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109，數(shù)據(jù)區(qū)110，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，數(shù)據(jù)區(qū)114， 等等)之間使用不同的磁道形狀類型。因此，光盤(pán)記錄/再現(xiàn)設(shè)備可以在再現(xiàn)磁道中記錄 的地址之前，判斷當(dāng)前進(jìn)行再現(xiàn)的區(qū)域是否是光盤(pán)信息區(qū)。
對(duì)于多層光盤(pán)，用來(lái)從讀取信息的光盤(pán)表面再現(xiàn)來(lái)自最遠(yuǎn)層的信息的激光照射能 量可能大于用于單層光盤(pán)的激光照射能量。因此，單層光盤(pán)的激光照射能量可能不足以從 光盤(pán)100再現(xiàn)地址，可是，可能足以根據(jù)從磁道凹槽的形狀得到的磁道信號(hào)波形識(shí)別光盤(pán) 信息區(qū)。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄/再現(xiàn)設(shè)備300。該記錄/再現(xiàn)設(shè)備300包 含主軸馬達(dá)302，光頭303，激光控制電路304，伺服電路305，再現(xiàn)二進(jìn)制化電路306，數(shù)字信 號(hào)處理電路307，記錄補(bǔ)償電路308，和CPU 309。
將光盤(pán)100 (圖1)裝入記錄/再現(xiàn)設(shè)備300。該記錄/再現(xiàn)設(shè)備300將從主機(jī)PC310接收信息，并將信息發(fā)送到主機(jī)PC 310。
作為控制部件的CPU 309根據(jù)內(nèi)置控制程序，控制記錄/再現(xiàn)設(shè)備300中的所有 操作。如下所述，光頭303在光盤(pán)100的一面上將信息光寫(xiě)入光盤(pán)。另外，光頭303可從光 盤(pán)100中光讀取信息。CPU 309使用光頭303控制記錄和再現(xiàn)操作。記錄操作包含再現(xiàn)存 儲(chǔ)在光盤(pán)信息區(qū)中的參數(shù)和格式，以及根據(jù)該再現(xiàn)的參數(shù)和格式，將用戶數(shù)據(jù)記錄到光盤(pán) 100上的步驟。再現(xiàn)操作包含再現(xiàn)存儲(chǔ)在光盤(pán)信息區(qū)中的參數(shù)和格式，以及根據(jù)該再現(xiàn)的參 數(shù)和格式，再現(xiàn)記錄在光盤(pán)100中的信息的步驟。以下將向下描述記錄/再現(xiàn)設(shè)備300的 操作。
光盤(pán)100具有如上面參考圖1所描述的結(jié)構(gòu)。主軸馬達(dá)302是用來(lái)旋轉(zhuǎn)光盤(pán)100 的馬達(dá)。光頭303用激光照射光盤(pán)100，并將從光盤(pán)100反射的激光311轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，以 便輸出再現(xiàn)信號(hào)。激光控制電路304控制從光頭303輸出的激光能量。這些控制是根據(jù)來(lái) 自CPU 309的指令執(zhí)行的。伺服電路305控制光頭303的位置，聚焦，跟隨磁道，以及主軸 302的旋轉(zhuǎn)。再現(xiàn)二進(jìn)制電路306對(duì)由光頭303獲得的再現(xiàn)信號(hào)(數(shù)據(jù)信號(hào)是加法信號(hào)，有 關(guān)光盤(pán)信息區(qū)或地址的信息是減法信號(hào))進(jìn)行放大和二進(jìn)制化，從而產(chǎn)生二進(jìn)制數(shù)。內(nèi)置 PLL(未示出)用來(lái)產(chǎn)生與二進(jìn)制信號(hào)同步的時(shí)鐘。
數(shù)字信號(hào)處理電路307對(duì)二進(jìn)制信號(hào)進(jìn)行預(yù)定的調(diào)制過(guò)程或者糾錯(cuò)過(guò)程。當(dāng)記錄 數(shù)據(jù)時(shí)，對(duì)該記錄的數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)碼增加過(guò)程和預(yù)定的調(diào)制過(guò)程，從而產(chǎn)生調(diào)制數(shù)據(jù)。記錄 補(bǔ)償電路308將調(diào)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成包含脈沖序列的光調(diào)制數(shù)據(jù)，同時(shí)也根據(jù)光盤(pán)信息區(qū)的再 現(xiàn)信號(hào)或者先前存儲(chǔ)在CPU 309中的數(shù)據(jù)，微調(diào)光調(diào)制數(shù)據(jù)的脈寬等等，從而產(chǎn)生適于形 成凹坑的記錄脈沖信號(hào)。CPU 309控制該記錄/再現(xiàn)設(shè)備300中的所有操作。主機(jī)PC 310 包含計(jì)算機(jī)(未示出)，應(yīng)用程序(未示出)，操作系統(tǒng)(未示出)等等，并請(qǐng)求該記錄/再 現(xiàn)設(shè)備300進(jìn)行信息記錄或再現(xiàn)。
當(dāng)光盤(pán)100裝入該記錄/再現(xiàn)設(shè)備300時(shí)，根據(jù)來(lái)自激光控制電路304和伺服電 路305的信號(hào)，使用具有預(yù)定照射能量的光頭303從光盤(pán)信息區(qū)111再現(xiàn)信息。在這種情 況下，該再現(xiàn)信息是用來(lái)將信息(用戶數(shù)據(jù))記錄到第一記錄層中的照射能量信息，等等。 當(dāng)主機(jī)PC發(fā)出請(qǐng)求時(shí)，CPU 309將用來(lái)記錄信息到第一記錄層104中的記錄能量設(shè)置到激 光控制電路304，并控制光頭303記錄信息到數(shù)據(jù)區(qū)114中。接下來(lái)，CPU 309將用來(lái)記錄 信息到第二記錄層102中的記錄能量設(shè)置到激光控制電路304，并控制光頭303記錄信息到 數(shù)據(jù)區(qū)110中。
光盤(pán)100的光盤(pán)信息區(qū)111包含第一記錄層104和第二記錄層102的參數(shù)和格式 (記錄的照射能量，等等)，因此只要從光盤(pán)信息區(qū)中再現(xiàn)一次信息。因此，與從光盤(pán)信息區(qū) 111中再現(xiàn)信息以便將數(shù)據(jù)記錄到第一記錄層104中，同時(shí)從光盤(pán)信息區(qū)107再現(xiàn)信息以便 將數(shù)據(jù)記錄到第二記錄層102中的情況相比，減少了訪問(wèn)光盤(pán)信息區(qū)所需的時(shí)間。
在該實(shí)施例中，參數(shù)和格式是同時(shí)記錄在光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111上的， 從而使得可以從任一層中獲得照射能量信息等等。因此，即使當(dāng)由于粘合樹(shù)脂103的不規(guī) 則厚度或者伺服電路305的聚焦控制中的干擾，因此從不同于預(yù)定層的另一層中再現(xiàn)信息 時(shí)，也可從該層獲得記錄所需的信息。
在該實(shí)施例中，照射能量信息等等同時(shí)記錄在光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111 中。因此，可以較少記錄數(shù)據(jù)之前所需的時(shí)間，例如，當(dāng)首先記錄數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)區(qū)114中時(shí)，從光盤(pán)信息區(qū)111中再現(xiàn)信息，或者當(dāng)首先記錄數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)區(qū)110中時(shí)，從光盤(pán)信息區(qū)107中 再現(xiàn)信息。
在該實(shí)施例中，光盤(pán)100具有兩層，S卩，第一記錄層104和第二記錄層102?？蛇x 地，光盤(pán)100可具有三個(gè)或者多個(gè)可記錄記錄層。在該實(shí)施例中，記錄在光盤(pán)信息區(qū)107和 光盤(pán)信息區(qū)111中的信息的記錄格式是這樣的，使得每圈或者每?jī)扇较蛘{(diào)節(jié)磁道的彎曲 模式。可選地，如圖2B中所示，通過(guò)將高頻元件覆蓋在磁道上，信息可以被記錄到按照預(yù) 定圈數(shù)彎曲的磁道中。可選地，如圖2C和2D所示，通過(guò)使用相同類型的磁道凹槽形狀，用 具有不同頻率或者模式的片斷代替該磁道片斷，信息可以被記錄到按照預(yù)定圈數(shù)彎曲的磁 道中，可以更加容易地產(chǎn)生基底。
在該實(shí)施例中，光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111每一個(gè)都具有多個(gè)螺旋或者同 心磁道。信息可以以凹坑和凸起的形式被記錄光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111中。通過(guò) 使用和出廠前記錄數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)區(qū)中的方法一樣的方法，信息可以被記錄到光盤(pán)信息區(qū)中。
光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111可以具有不同于缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109， 數(shù)據(jù)區(qū)110，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，和數(shù)據(jù)區(qū)114磁道斜度(或者徑向凹坑斜度)的 磁道斜度(或者徑向凹坑斜度)。通過(guò)擴(kuò)大光盤(pán)信息區(qū)中的磁道斜度，可以較少鄰近磁道的 影響。
通過(guò)擴(kuò)大光盤(pán)信息區(qū)中的磁道斜度或者凹坑斜度，使之大于可記錄區(qū)如數(shù)據(jù)區(qū)等 等的磁道斜度或者凹坑斜度，即使當(dāng)使用例如具有長(zhǎng)激光波長(zhǎng)光頭的光盤(pán)設(shè)備時(shí)，也可以 從光盤(pán)信息區(qū)中再現(xiàn)信息。在這種情況下，最小信息可以返回給用戶。換句話說(shuō)，通過(guò)擴(kuò)大 不同類型光盤(pán)設(shè)備之間的光盤(pán)信息區(qū)的兼容性，即使當(dāng)由于該設(shè)備的規(guī)格而不能再現(xiàn)信息 時(shí)，也可以清楚不能進(jìn)行記錄的原因。
當(dāng)從一層到另一層垂直移動(dòng)激光點(diǎn)時(shí)，由于連接在一起的基底不重和，基底的定 位孔不重和等等，很難將激光點(diǎn)定位在相同的徑向位置上。例如，當(dāng)試圖從距離第一記錄層 104內(nèi)圈第1000磁道移到距離第二記錄層102內(nèi)圈第1000磁道時(shí)，發(fā)生士50磁道的誤差。 因此，當(dāng)在僅再現(xiàn)磁道和可記錄磁道之間的邊界附近，激光點(diǎn)從一層移到另一層時(shí)，假如目 的層上的磁道是不連續(xù)的，則再現(xiàn)或者記錄操作變得不穩(wěn)定，并且不能快速進(jìn)行。
因此，即使當(dāng)光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111的磁道斜度不同于缺陷列表區(qū) 108，備用區(qū)109，數(shù)據(jù)區(qū)110，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，和數(shù)據(jù)區(qū)114的磁道斜度，也希 望光盤(pán)信息區(qū)107的磁道凹槽和光盤(pán)信息區(qū)107鄰近區(qū)域(如該區(qū)域?yàn)閳D1例子中的缺陷 列表區(qū)108 ；該區(qū)域可以是備用區(qū)108或者數(shù)據(jù)區(qū)110)的磁道凹槽連續(xù)連接。類似地，希 望光盤(pán)信息區(qū)111的磁道凹槽和光盤(pán)信息區(qū)111鄰近區(qū)域(如圖1例子中的缺陷列表區(qū) 112 ；該區(qū)域可以是備用區(qū)113或者數(shù)據(jù)區(qū)114)的磁道凹槽連續(xù)連接。可是，希望斜度盡可 能適度地變化?？紤]到伺服，光盤(pán)信息區(qū)的磁道斜度和缺陷列表區(qū)，備用區(qū)或數(shù)據(jù)區(qū)的磁道 斜度之間的差別希望是大約10%，最大大約為15%，以便當(dāng)激光點(diǎn)移動(dòng)到任一層的磁道時(shí) 快速進(jìn)行再現(xiàn)。
在該實(shí)施例中，如圖2A所示，通過(guò)每個(gè)基本圈或者每?jī)扇较蛘{(diào)節(jié)磁道，光盤(pán)信 息被記錄在光盤(pán)信息區(qū)中。如圖2B，圖2C和圖2D所示，通過(guò)部分頻率調(diào)制按照預(yù)定圈數(shù)彎 曲的磁道，或者在該磁道上覆蓋高頻元件，地址信息等等被記錄到缺陷列表區(qū)，備用區(qū)，和 數(shù)據(jù)區(qū)中。在整個(gè)或者部分磁道斜度過(guò)渡區(qū)中，可以以光盤(pán)信息區(qū)，缺陷列表區(qū)，備用區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)中任意一個(gè)度沒(méi)有使用的一種調(diào)節(jié)方式形成磁道，或者可能沒(méi)有被調(diào)節(jié)，或者可能 不是彎曲的。
這樣，通過(guò)在過(guò)渡區(qū)前后改變磁道斜度的過(guò)渡區(qū)及其相鄰區(qū)域之間的調(diào)節(jié)方法或 者形狀類型，記錄/再現(xiàn)設(shè)備300可以快速識(shí)別過(guò)渡區(qū)。
如上所述，從具有不同磁道斜度的區(qū)域之間的邊界去除不連續(xù)點(diǎn)。因此，和激光點(diǎn) 從起始位置移動(dòng)到徑向位置遠(yuǎn)離不連續(xù)部分(起始位置)的目的區(qū)域時(shí)相比，在具有不連 續(xù)部分的光盤(pán)的目的區(qū)域中可以快速開(kāi)始處理。
在該實(shí)施例中，光盤(pán)信息區(qū)是在光盤(pán)的最內(nèi)圈提供的?？蛇x地，光盤(pán)信息區(qū)可以是 在光盤(pán)的最外圈提供的，或者在光盤(pán)的內(nèi)圈和外圈同時(shí)提供。
在該實(shí)施例中，光盤(pán)信息區(qū)107和光盤(pán)信息區(qū)111每一個(gè)都包含第一記錄層和第 二記錄層的照射能量信息等等。假如指定了進(jìn)行再現(xiàn)的一層，則可能不是所有層都在其光 盤(pán)信息區(qū)中包含所有層的照射能量信息等等。
到光盤(pán)100讀取信息的光盤(pán)表面的距離與到包含單個(gè)記錄層的光盤(pán)的讀取信息 的光盤(pán)表面距離基本相同的光盤(pán)100的記錄層被用作基準(zhǔn)層。至少該基準(zhǔn)層可包含光盤(pán)信 息區(qū)。因此，使用用來(lái)在包含單個(gè)記錄層的光盤(pán)上進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，可以 獲得該光盤(pán)100任一層的光盤(pán)信息，從而使得可能簡(jiǎn)化該記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)。作為基 準(zhǔn)層的記錄層(如第一記錄層104)是先前從多個(gè)記錄層中確定的。
注意，隨著與光盤(pán)表面的距離的增加，由于傾斜造成的再現(xiàn)信號(hào)的降級(jí)也增加。因 此，希望基準(zhǔn)層到光盤(pán)表面的距離與單層光盤(pán)的記錄層到光盤(pán)表面的距離相同，并且該基 準(zhǔn)層為離光盤(pán)表面距離最遠(yuǎn)的一層。在這種情況下，當(dāng)作為該基準(zhǔn)層以外的記錄層的一部 分并且與該基準(zhǔn)層的光盤(pán)信息區(qū)位于同一徑向位置上的區(qū)域的形狀類型與記錄用戶數(shù)據(jù) 的數(shù)據(jù)區(qū)的形狀類型相同時(shí)，穿透性同樣可以與徑向位置無(wú)關(guān)。因此，不需要用來(lái)從基準(zhǔn)層 的光盤(pán)信息區(qū)中再現(xiàn)信息的特定檢測(cè)裝置，因此可以簡(jiǎn)化記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)，且較容 易制造記錄層。
特別地，在包含多個(gè)記錄層的多層光盤(pán)中，基準(zhǔn)層之外的記錄層中的凹槽的形狀 類型與數(shù)據(jù)區(qū)(僅使用一種凹槽形狀類型)中的凹槽形狀類型相同，從而簡(jiǎn)化了基底的制造。
當(dāng)基準(zhǔn)層包含光盤(pán)信息區(qū)時(shí)，在作為基準(zhǔn)層之外的記錄層的一部分并且與基準(zhǔn)層 的光盤(pán)信息區(qū)位于同一徑向位置上的區(qū)域上不提供凹槽(即平坦結(jié)構(gòu))，可減少基準(zhǔn)層之 外的記錄層中光的分散。因此，可改進(jìn)來(lái)自基準(zhǔn)層的再現(xiàn)信號(hào)的質(zhì)量。
僅在基準(zhǔn)層中提供光盤(pán)信息區(qū)，則通過(guò)對(duì)配備光盤(pán)光盤(pán)信息區(qū)的徑向位置附近區(qū) 域進(jìn)行再現(xiàn)，很容易判斷當(dāng)前再現(xiàn)的記錄層是否是基準(zhǔn)層。
光盤(pán)信息區(qū)可存儲(chǔ)有關(guān)多個(gè)記錄層的參數(shù)，如推薦的用來(lái)再現(xiàn)的照射能量信息， 推薦的用來(lái)記錄的照射能量信息，最大照射能量信息，記錄中的脈寬，記錄中結(jié)構(gòu)的多個(gè)照 射能量之間的比率，在判斷記錄中最佳照射能量時(shí)使用的邊際常數(shù)，等等。
光盤(pán)信息區(qū)可包含有關(guān)多個(gè)記錄層的格式，如光盤(pán)名稱，光盤(pán)大小，版本信息，任 一層的光盤(pán)類型(即，表示一層是可記錄/可再現(xiàn)層還是僅再現(xiàn)層的識(shí)別符)，所有可記錄 層的數(shù)量，所有僅再現(xiàn)層的數(shù)量，以及所有層的數(shù)量。光盤(pán)信息區(qū)還包含有關(guān)多個(gè)記錄層的 格式，如表示任一層中的信息是否可以被拷貝的識(shí)別符，時(shí)鐘信息，表示是否提供了用來(lái)在光盤(pán)再現(xiàn)之后提供特定信息的BCA(Burst Cutting Area)的識(shí)別符，傳輸速度，記錄/再 現(xiàn)方向，物理地址起始號(hào)，物理地址終止號(hào)，邏輯地址起始號(hào)，邏輯地址終止號(hào)，最短標(biāo)記長(zhǎng) 度，記錄速度，等等。
通過(guò)設(shè)置在每個(gè)記錄層中記錄和再現(xiàn)所需的參數(shù)，可改進(jìn)設(shè)計(jì)光盤(pán)時(shí)的自由度。 例如，當(dāng)使用多個(gè)記錄層來(lái)獲得高密度記錄時(shí)，至少必須考慮到在激光穿透的那些層中反 射的變化。因此，與僅僅在一個(gè)記錄層上進(jìn)行記錄相比，需要更高精度的設(shè)計(jì)。在這種情況 下，例如，假如第一記錄層104和第二記錄層102必須用同一照射能量進(jìn)行再現(xiàn)，則可以推 斷光盤(pán)100在設(shè)計(jì)記錄層時(shí)有困難。例如，必須在高穿透性的情況下保證第二記錄層102 的記錄性能。為了避免這一點(diǎn)，對(duì)用來(lái)再現(xiàn)的照射能量不進(jìn)行限制，并且改為將照射能量信 息記錄在光盤(pán)信息區(qū)中。因此，當(dāng)在第一記錄層104中進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，照射能量可以增加?？?以增加在設(shè)計(jì)第二記錄層102的記錄膜時(shí)的自由度。
通過(guò)將在任一層上進(jìn)行記錄和再現(xiàn)所需的參數(shù)一起記錄到至少一個(gè)記錄層的光 盤(pán)信息區(qū)中，可以快速掌握整個(gè)光盤(pán)最佳的控制方法。
BCA用來(lái)進(jìn)一步對(duì)光盤(pán)信息區(qū)中具有同樣內(nèi)容的光盤(pán)進(jìn)行分類。在光盤(pán)再現(xiàn)之后， 類別以條形碼的形式被記錄。BCA是在至少一層中并理想地在基準(zhǔn)層中提供的。在這種情 況下，向不含BCA的層提供不同于基準(zhǔn)層的凹槽形狀，則通過(guò)在提供BCA的基準(zhǔn)層徑向范圍 內(nèi)進(jìn)行再現(xiàn)，就很容易識(shí)別基準(zhǔn)層。特別地，在基準(zhǔn)層之外的記錄層中，為提供BCA的徑向 范圍提供沒(méi)有凹槽的平坦結(jié)構(gòu)，從而使得可以減少其它層中光的分散。另外，可以改進(jìn)來(lái)自 BCA的再現(xiàn)信息的質(zhì)量，并方便基底的制造。
將信息記錄到BCA中需要用具有比在可記錄區(qū)上進(jìn)行記錄所需的能量高得多的 能量的激光進(jìn)行照射。因此，可能損壞可記錄區(qū)如缺陷列表區(qū)，備用區(qū)，數(shù)據(jù)區(qū)等等的記錄 膜的特性。因此，希望可記錄區(qū)不包含BCA以及記錄位置的變化。假如可記錄區(qū)與提供BCA 的區(qū)域相鄰，則希望提供緩沖區(qū)，在該緩沖區(qū)中，這些區(qū)域之間未限定指定的用途，在這種 情況下，減小了可記錄區(qū)的凈容量。
根據(jù)上述觀點(diǎn)，典型地希望在徑向方向的末端配備提供BCA的區(qū)域。最后不要在 最外圈的提供BCA，因?yàn)楫?dāng)動(dòng)作時(shí)以及從容量的觀點(diǎn)看，都需要BCA中的信息。如圖8A所 示，希望在比光盤(pán)信息區(qū)更內(nèi)圈中提供BCA。如上所述，當(dāng)記錄信息到BCA中時(shí)用高能量激 光照射光盤(pán)，可能會(huì)損壞僅再現(xiàn)區(qū)中已經(jīng)記錄的數(shù)據(jù)。因此，如圖8B中所示，在光盤(pán)信息區(qū) 的內(nèi)圈(光盤(pán)信息區(qū)801A)可配備緩沖器部分，在該緩沖器部分提供啞元數(shù)據(jù)，如“0”，事實(shí) 上，數(shù)據(jù)是記錄在其外圈(光盤(pán)信息區(qū)801B)。
在該實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)基本圈和每?jī)扇?，通過(guò)徑向調(diào)節(jié)磁道，將光盤(pán)信息記錄在 光盤(pán)信息區(qū)中。可選地，在提供BCA的區(qū)域中，可以使用不同于光盤(pán)信息區(qū)的調(diào)節(jié)方法。相 反地，磁道可以是沒(méi)有調(diào)節(jié)的直凹槽或者可以按預(yù)定圈數(shù)彎曲。另外，提供BCA的區(qū)域和光 盤(pán)信息區(qū)之間，磁道斜度可以是不同的。在這種情況下，由于將信息記錄到BCA中會(huì)損壞磁 道凹槽，因此包含BCA的區(qū)域最好具有較大的磁道斜度。
如上所述，通過(guò)改變磁道調(diào)節(jié)方法和磁道的形狀類型，記錄/再現(xiàn)設(shè)備可以快速 地區(qū)分提供BCA的區(qū)域和光盤(pán)信息區(qū)。
一般而言，當(dāng)激光點(diǎn)從一層到另一層垂直移動(dòng)時(shí)，由于連接在一起的基底的不重 和，基底定位孔的不重和，等等，因此很難將激光點(diǎn)定位在相同的徑向位置上。例如，當(dāng)試圖從距離第一記錄層104內(nèi)圈第1000磁道移到第二記錄層102內(nèi)圈第1000磁道時(shí)，發(fā)生 士50磁道的誤差。因此，當(dāng)在僅再現(xiàn)磁道和可記錄磁道之間的邊界附近，激光點(diǎn)從一層移到 另一層時(shí)，假如目的層上的磁道是不連續(xù)的，則再現(xiàn)或者記錄操作變得不穩(wěn)定，并且不能快 速進(jìn)行。因此，即使當(dāng)提供BCA的區(qū)域和光盤(pán)信息區(qū)具有不同的磁道斜度時(shí)，也希望這些區(qū) 域連續(xù)地連接在一起。另外，希望該磁道斜度適度地變化。
理想地，用來(lái)再現(xiàn)的照射能量信息先于用來(lái)記錄的照射能量。在這種情況下，當(dāng)主 機(jī)PC發(fā)出的請(qǐng)求是再現(xiàn)時(shí)，假如用來(lái)記錄的照射能量信息沒(méi)有被再現(xiàn)，也可以快速再現(xiàn)數(shù) 據(jù)。
記錄在光盤(pán)信息區(qū)中的任一層上進(jìn)行記錄和再現(xiàn)所需的參數(shù)和格式可以被記錄 在缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109，數(shù)據(jù)區(qū)110，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，和數(shù)據(jù)區(qū)114的磁 道中。由于這種信息是記錄在任一磁道中的，例如，當(dāng)從主機(jī)PC 310接收到再現(xiàn)請(qǐng)求時(shí)，就 從光盤(pán)信息區(qū)中再現(xiàn)再現(xiàn)所需的最少信息，如照射能量等等，該光盤(pán)信息區(qū)不會(huì)有因再現(xiàn) 照射能量而刪除用戶數(shù)據(jù)的危險(xiǎn)。接下來(lái)，在選擇等候時(shí)間從數(shù)據(jù)區(qū)的磁道中再現(xiàn)剩余信 息，如當(dāng)接著接收到記錄請(qǐng)求時(shí)希望使用的用來(lái)記錄的照射能量信息，等等，從而使得可以 快速再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
可以使用與將地址信息記錄到每個(gè)區(qū)域中的方法相同的方法，或者使用不同于 記錄地址信息的方法的方法來(lái)記錄參數(shù)和格式。
記錄在光盤(pán)信息區(qū)中的參數(shù)和格式可以并非記錄在缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109， 數(shù)據(jù)區(qū)110，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，數(shù)據(jù)區(qū)114等等的所有區(qū)域中。例如，當(dāng)參數(shù)沒(méi)有 被記錄到數(shù)據(jù)區(qū)114中時(shí)，由于其中不存在參數(shù)或者格式，即使數(shù)據(jù)區(qū)114具有和其它區(qū)域 相同的磁道形狀，記錄/再現(xiàn)設(shè)備也可以將數(shù)據(jù)區(qū)114識(shí)別為數(shù)據(jù)區(qū)。
所有層的參數(shù)和格式可能并沒(méi)有記錄在缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109，數(shù)據(jù)區(qū)110， 缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，數(shù)據(jù)區(qū)114的磁道中。每一層可僅包含其自身的參數(shù)和格式。 除了其自身的參數(shù)和格式之外，每一層可進(jìn)一步包含其它層的最少需要信息。由于沒(méi)有記 錄其它層的信息，因此，例如可以記錄更多數(shù)量的地址信息拷貝。通過(guò)將需要結(jié)合的其它層 信息集成到最里面部分，可用容易地制造光盤(pán)基底。
接下來(lái)，將參考圖4A到4D和圖5A到5D對(duì)地址號(hào)進(jìn)行描述。圖4A到4D示出了 磁道，記錄/再現(xiàn)方向，和地址號(hào)。圖4A示出了第一記錄層104中的螺旋凹槽模式。圖4B 示出了第二記錄層102中的螺旋凹槽模式。圖4C示出了光盤(pán)100的記錄/再現(xiàn)方向圖4D 示出了地址號(hào)的分配。當(dāng)該光盤(pán)100旋轉(zhuǎn)時(shí)，光頭沿著磁道401或者402從內(nèi)圈移動(dòng)到外 圈。當(dāng)順序記錄數(shù)據(jù)時(shí)，例如，從數(shù)據(jù)區(qū)114的最內(nèi)圈向最外圈，然后從數(shù)據(jù)區(qū)110的最內(nèi) 圈向最外圈進(jìn)行記錄。每個(gè)記錄層中的物理地址號(hào)403和邏輯地址號(hào)404沿著記錄/再現(xiàn) 方向漸增。物理地址號(hào)402可能不是從0開(kāi)始，并且在第一和第二層的邊界上可能是不連 續(xù)的。
例如，層號(hào)可包含在物理地址號(hào)403中，并可位于物理地址號(hào)403的最上面部分。 將從0開(kāi)始連續(xù)漸增的邏輯地址號(hào)404分配給光盤(pán)上所有的數(shù)據(jù)區(qū)。在第一層的數(shù)據(jù)區(qū)114 中，最外圈的邏輯地址號(hào)404為0，并且向著外圈方向逐一漸增。在第二層的數(shù)據(jù)區(qū)110中， 邏輯地址號(hào)404從第一層最大號(hào)加1開(kāi)始，從最內(nèi)圈向著外圈逐一漸增。參考數(shù)字405和 406表示導(dǎo)出區(qū)(圖1中未示出)，該導(dǎo)出區(qū)是為了當(dāng)光頭303超出數(shù)據(jù)區(qū)時(shí)使得光頭303能沿著磁道而配備的。
如圖4A到4D中所示，制造具有相同螺旋方向的基底比具有不同螺旋方向的基底 更加容易。
圖5A到5D示出了磁道，記錄/再現(xiàn)方向，和地址號(hào)的一個(gè)例子。圖5A示出了第 一記錄層104中的螺旋凹槽模式。圖5B示出了第二記錄層102中的螺旋凹槽模式。圖5C 示出了光盤(pán)100的記錄/再現(xiàn)方向。圖5D示出了地址號(hào)的分配。當(dāng)光盤(pán)100旋轉(zhuǎn)時(shí)，光頭 303沿著內(nèi)磁道502從第一層104上的內(nèi)圈向外圈，并且沿著磁道501從第二層102的外圈 向內(nèi)圈移動(dòng)。當(dāng)順序記錄數(shù)據(jù)時(shí)，例如，從數(shù)據(jù)區(qū)114的最內(nèi)圈向最外圈，并從數(shù)據(jù)區(qū)110 的最外圈向最內(nèi)圈進(jìn)行記錄。每一記錄層中物理地址號(hào)503和邏輯地址號(hào)504沿著記錄/ 再現(xiàn)方向漸增。注意，第二層螺旋具有和第一層螺旋相反的方向。因此，地址號(hào)和半徑之間 的關(guān)系是相反的。在第一層的數(shù)據(jù)區(qū)114中，在最內(nèi)圈邏輯地址號(hào)504為0，并且向著外圈 方向逐一漸增。在第二層的數(shù)據(jù)區(qū)110，邏輯地址號(hào)504從第一層的最大號(hào)加1開(kāi)始，從最 外圈向最內(nèi)圈方向逐一漸增。參考數(shù)字505和506表示導(dǎo)出區(qū)(圖1中未示出)，該導(dǎo)出區(qū) 是為了當(dāng)光頭303超出數(shù)據(jù)區(qū)時(shí)使得光頭303能沿著磁道而配備的。
在如圖5A到5D所示的情況下，從數(shù)據(jù)區(qū)114的最內(nèi)圈向最外圈，接著從數(shù)據(jù)區(qū) 110的最外圈向最內(nèi)圈進(jìn)行記錄，特別地，假如所有記錄層特定參數(shù)和格式信息被一起記錄 到單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中的話，不需要光頭303從最外圈回到最內(nèi)圈的光盤(pán)信息區(qū)。
類似地，同樣在僅僅進(jìn)行再現(xiàn)的情況下，當(dāng)從數(shù)據(jù)區(qū)114的最內(nèi)圈向最外圈，然后 從數(shù)據(jù)區(qū)110的最外圈向最內(nèi)圈進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，特別地，假如所有的記錄層特定參數(shù)和格式 信息被一起記錄在單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中的話，不需要光頭303從最外圈回到最內(nèi)圈的光盤(pán)信 息區(qū)。
圖6A示出了光盤(pán)信息區(qū)107和111中記錄層特定參數(shù)和格式的布局。在圖6A中， #1表示有關(guān)第一記錄層104的參數(shù)和格式中至少一個(gè)，#2表示有關(guān)第二記錄層102的參數(shù) 和格式中至少一個(gè)。圖6A示出了在兩層光盤(pán)中光盤(pán)信息區(qū)601到603和609的布局。光 盤(pán)信息區(qū)601到603和609對(duì)應(yīng)于光盤(pán)信息區(qū)107和111。光盤(pán)信息區(qū)604的信息布局是 單層光盤(pán)的信息布局。注意，在兩層光盤(pán)中光盤(pán)信息區(qū)601到603和609的布局規(guī)則可以 應(yīng)用到多層光盤(pán)中。
在光盤(pán)信息區(qū)601到603和609中，記錄了多套記錄層特定參數(shù)和格式信息。因 此，通過(guò)記錄多套，即使由于擦痕和灰塵使得一個(gè)區(qū)域上不能進(jìn)行再現(xiàn)，也可從另一區(qū)域中 再現(xiàn)和獲得期望信息。
記錄參數(shù)和格式的區(qū)域長(zhǎng)度理想地同樣與參數(shù)和格式涉及的層無(wú)關(guān)。在這種情 況下，可以指定信息的起始位置，從而使得能夠減少等待時(shí)間，或者使之不需要搜尋每一套 每一記錄層的起始位置。因此，可以簡(jiǎn)化記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)。例如，在光盤(pán)信息區(qū)中， 記錄有關(guān)第一記錄層104的參數(shù)和格式的區(qū)域長(zhǎng)度與記錄有關(guān)第二記錄層102的參數(shù)和格 式的區(qū)域長(zhǎng)度相同。
在光盤(pán)信息區(qū)601中，一套所有記錄層的參數(shù)和格式信息被重復(fù)4次。例如，數(shù)據(jù) “0”記錄在光盤(pán)信息區(qū)601的剩余區(qū)域605中。在這種情況下，當(dāng)從內(nèi)圈向外圈進(jìn)行記錄和 再現(xiàn)時(shí)，通過(guò)記錄最內(nèi)圈需要首先再現(xiàn)的記錄層(如作為基準(zhǔn)層的第一記錄層104)的參數(shù) 和格式，可以快速獲得需要首先再現(xiàn)的記錄層的參數(shù)和格式，并且可以在對(duì)于該需要首先再現(xiàn)的記錄層來(lái)說(shuō)照射能量不合適時(shí)，快速修正照射能量。光盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)有關(guān)第一記 錄層104的參數(shù)和格式的區(qū)域所分配到的地址小于光盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)有關(guān)第二記錄層102 的參數(shù)和格式的區(qū)域所分配到的地址。在這種情況下，光盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)有關(guān)第一記錄層 104的照射能量信息的區(qū)域所分配到的地址小于光盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)有關(guān)第二記錄層102的 照射能量信息的區(qū)域所分配到的地址。具有這一特征，例如，能夠使得由于過(guò)高照射能量引 起的數(shù)據(jù)損壞最小化。
類似地，當(dāng)從外圈向內(nèi)圈進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，通過(guò)記錄最外圈需要首先再現(xiàn)的記錄層的 信息，可以在對(duì)于需要首先再現(xiàn)的記錄層來(lái)說(shuō)照射能量不合適時(shí)，快速修正照射能量。另 外，相比以下所述的602來(lái)說(shuō)，可以快速地從所有記錄層中再現(xiàn)信息。
當(dāng)有關(guān)第一記錄層104和第二記錄層102的參數(shù)和格式的信息量很小時(shí)，有關(guān)第 一記錄層104的參數(shù)和格式和有關(guān)第二記錄層102的參數(shù)和格式可以存儲(chǔ)在光盤(pán)信息區(qū) 107中分配到同一地址的區(qū)域中?，F(xiàn)在假定在第一記錄層104中，沿著圓周方向從光盤(pán)100 的內(nèi)圈向外圈分配地址。在這種情況下，相比光盤(pán)信息區(qū)107中分配到同一地址的區(qū)域中 記錄有關(guān)第二記錄層102的參數(shù)和格式的區(qū)域而言，光盤(pán)信息區(qū)107中分配到同一地址的 區(qū)域中記錄有關(guān)第一記錄層104的參數(shù)和格式的區(qū)域是在更加內(nèi)圈的位置上提供的。可選 地，現(xiàn)在假定在第一記錄層104中，沿著圓周的方向從外圈向內(nèi)圈分配地址。在這種情況 下，相比光盤(pán)信息區(qū)107中分配到同一地址的區(qū)域中記錄有關(guān)第二記錄層102的參數(shù)和格 式的區(qū)域而言，光盤(pán)信息區(qū)107中分配到同一地址的區(qū)域中記錄有關(guān)第一記錄層104的參 數(shù)和格式的區(qū)域是在更加外圈的位置上提供的。
注意，在第二記錄層102所包括的光盤(pán)信息區(qū)107中，存儲(chǔ)有關(guān)第二記錄層102的 參數(shù)和格式的區(qū)域所分配到的地址可能小于存儲(chǔ)有關(guān)第一記錄層104的參數(shù)和格式的區(qū) 域所分配到的地址。因此，即使當(dāng)相比第一記錄層104而言，在第二記錄層102上更早進(jìn)行 再現(xiàn)時(shí)，也可快速獲得有關(guān)第二記錄層102的參數(shù)和格式。因此，即使當(dāng)照射第二記錄層 102的激光的照射能量不合適時(shí)，也可快速修正照射能量。
表示不包括區(qū)域605在內(nèi)的光盤(pán)信息區(qū)601中凈數(shù)據(jù)量(如，以字節(jié)為單位表示) 的信息可記錄在光盤(pán)信息區(qū)601的最內(nèi)圈附近。因此，記錄/再現(xiàn)設(shè)備不再現(xiàn)不必要數(shù)據(jù)， 并可快速進(jìn)行后續(xù)過(guò)程。凈數(shù)據(jù)量可根據(jù)記錄層變化。可選地，凈數(shù)據(jù)量可記錄在每個(gè)記 錄層的光盤(pán)信息區(qū)的最內(nèi)圈附近。
在光盤(pán)信息區(qū)601中，一套所有記錄層的信息被重復(fù)4次。本發(fā)明不限于此。表 示重復(fù)次數(shù)的信息可記錄在光盤(pán)信息區(qū)601的最內(nèi)圈附近。因此，記錄/再現(xiàn)設(shè)備不在下 不必要數(shù)據(jù)，并可快速進(jìn)行后續(xù)過(guò)程。
在光盤(pán)信息區(qū)602中，一套每個(gè)記錄層的參數(shù)和格式信息被重復(fù)4次。例如，數(shù)據(jù) “0”記錄在光盤(pán)信息區(qū)601的剩余區(qū)域606中。在這種情況下，通過(guò)記錄最內(nèi)圈需要首先再 現(xiàn)的記錄層的信息，可以在對(duì)于該需要首先再現(xiàn)的記錄層來(lái)說(shuō)照射能量不合適時(shí)，快速修 正照射能量。在這種情況下，光盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)有關(guān)第一記錄層104的參數(shù)和格式的區(qū)域 所分配到的地址小于光盤(pán)信息區(qū)中存儲(chǔ)有關(guān)第二記錄層102的參數(shù)和格式的區(qū)域所分配 到的地址。由于單層光盤(pán)的光盤(pán)信息區(qū)604中信息布局和光盤(pán)信息區(qū)602內(nèi)圈的信息布局 相同，因此可以制造光盤(pán)100，該光盤(pán)100的再現(xiàn)算法的形式與加到單層光盤(pán)上的再現(xiàn)算法 相同。因此，可以簡(jiǎn)化記錄/再現(xiàn)設(shè)備。
表示不包括區(qū)域606在內(nèi)的光盤(pán)信息區(qū)602中凈數(shù)據(jù)量(如，以字節(jié)為單位表示) 的信息可記錄在光盤(pán)信息區(qū)602的最內(nèi)圈附近。因此，記錄/再現(xiàn)設(shè)備不再現(xiàn)不必要數(shù)據(jù)， 并可快速進(jìn)行后續(xù)過(guò)程。凈數(shù)據(jù)量可根據(jù)記錄層變化?？蛇x地，凈數(shù)據(jù)量可記錄在每個(gè)記 錄層的光盤(pán)信息區(qū)的最內(nèi)圈附近。
在光盤(pán)信息區(qū)602中，一套每個(gè)記錄層的信息被重復(fù)4次。本發(fā)明不限于此。表 示重復(fù)次數(shù)的信息可記錄在光盤(pán)信息區(qū)602的最內(nèi)圈附近。因此，記錄/再現(xiàn)設(shè)備不再現(xiàn) 不必要數(shù)據(jù)，并可以快速進(jìn)行后續(xù)過(guò)程。重復(fù)次數(shù)可根據(jù)記錄層變化。一套每個(gè)記錄層的 信息的重復(fù)次數(shù)可記錄在光盤(pán)信息區(qū)602的最內(nèi)圈附近。
在光盤(pán)信息區(qū)603中，記錄和再現(xiàn)的參數(shù)和格式信息被分割成每個(gè)單元。每個(gè)特 定單元都是關(guān)于所有記錄層進(jìn)行采集的。這一采集結(jié)果被記錄成一套信息。至于重復(fù)方法， 如光盤(pán)信息區(qū)601中那樣，一套信息重復(fù)多次，在該套信息中排列了一整套單元，或者可選 地，如光盤(pán)信息區(qū)602中那樣，一個(gè)單元被記錄多次，然后，另一單元被記錄多次。
數(shù)據(jù)“0”被記錄在光盤(pán)信息區(qū)603中的剩余區(qū)與607中。通過(guò)記錄最內(nèi)圈需要首 先再現(xiàn)的記錄層的信息，可以在對(duì)于該需要首先再現(xiàn)的記錄層來(lái)說(shuō)照射能量不合適時(shí)，快 速修正照射能量。
表示不包括區(qū)域607在內(nèi)的光盤(pán)信息區(qū)603中凈數(shù)據(jù)量(如，以字節(jié)為單位表示) 的信息可記錄在光盤(pán)信息區(qū)603的最內(nèi)圈附近。因此，記錄/再現(xiàn)設(shè)備不再現(xiàn)不必要數(shù)據(jù)， 并可快速進(jìn)行后續(xù)過(guò)程。
通過(guò)將預(yù)定數(shù)據(jù)記錄到記錄參數(shù)和格式信息的光盤(pán)信息區(qū)601到604的剩余部 分，當(dāng)伺服電路305控制光頭303移動(dòng)到光盤(pán)信息區(qū)時(shí)，通過(guò)再現(xiàn)預(yù)定數(shù)據(jù)，可以快速識(shí)別 光盤(pán)信息區(qū)。
在光盤(pán)信息區(qū)601到603中，如圖4D和圖5D所示，沿著地址號(hào)漸增的方向記錄每 一記錄層的信息。例如，如圖5D所示，當(dāng)螺旋方向相反時(shí)，第一記錄層和第二記錄層之間的 物理排列相反。例如，在第一記錄層上從光盤(pán)信息區(qū)的最內(nèi)圈部分開(kāi)始進(jìn)行記錄，而在第二 記錄層上從光盤(pán)信息區(qū)的最外圈部分進(jìn)行記錄。本發(fā)明不限于此?？蛇x地，在第一和第二 記錄層上，都從光盤(pán)的最內(nèi)圈進(jìn)行記錄。
在光盤(pán)信息區(qū)601到603，在記錄每一層的特定信息之前，可記錄記錄層共同的參 數(shù)格式信息或者光盤(pán)信息。根據(jù)這一方法，將參數(shù)和格式記錄在光盤(pán)信息區(qū)609中。通過(guò) 使用單套共同項(xiàng)目，當(dāng)層數(shù)增加時(shí)，光盤(pán)信息區(qū)可相對(duì)減少。通過(guò)多次記錄共同項(xiàng)目，類似 于圖6A中的信息#1和#2，則即使由于擦痕或灰塵使得不能從一個(gè)區(qū)域再現(xiàn)預(yù)定信息，也能 從另一區(qū)域再現(xiàn)并獲得信息。
理想地，用來(lái)記錄記錄層共同項(xiàng)目的區(qū)域長(zhǎng)度是用來(lái)記錄每個(gè)記錄層的信息的區(qū) 域長(zhǎng)度的倍數(shù)。因此，即使層數(shù)或者共同項(xiàng)目的數(shù)量變化，記錄/再現(xiàn)設(shè)備也很容易預(yù)測(cè)信 息的起始位置，從而能夠減少等待時(shí)間，并簡(jiǎn)化記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，圖6B示出了光盤(pán)信息區(qū)601的修改實(shí)施例，即光盤(pán)信息區(qū)1101，1102， 1103和1104。光盤(pán)信息區(qū)1101，1102，1103和1104包含多個(gè)啞元區(qū)1100。
在光盤(pán)信息區(qū)1101中，一套所有記錄層的參數(shù)和格式信息被重復(fù)記錄，并且在記 錄一套信息的每個(gè)區(qū)域之間配備了啞元區(qū)。因此，通過(guò)檢測(cè)啞元區(qū)，可以識(shí)別出信息#1是 記錄在緊靠啞元區(qū)之后的區(qū)域中，或者信息#2是記錄在緊靠啞元區(qū)之前。因此，不再需要頁(yè)提供表示信息#1或#2的識(shí)別符，由此，可以簡(jiǎn)化記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)，并可減少處理時(shí) 間。
在啞元區(qū)中，可以記錄與光盤(pán)信息區(qū)剩余區(qū)域1105中記錄的內(nèi)容相同的內(nèi)容 (如，數(shù)據(jù)“0”)，或者可選地，可以記錄不同的內(nèi)容。通過(guò)記錄不同的內(nèi)容，可以清楚地識(shí)別 出信息#1是記錄在緊靠啞元區(qū)之后的區(qū)域中，或者信息#2是記錄在緊靠啞元區(qū)之前。即 使記錄相同的內(nèi)容，通過(guò)改變記錄長(zhǎng)度，也能清楚地區(qū)分啞元和區(qū)域1105，從而導(dǎo)致同樣的 效果。
如光盤(pán)信息區(qū)609 (圖6A)中所示，將與信息#1和#2相同的信息記錄到啞元區(qū)中， 可以識(shí)別出信息#1是記錄在緊靠啞元區(qū)之后的區(qū)域中，或者信息#2是記錄在緊靠啞元區(qū)之前
如光盤(pán)信息區(qū)1102中所示，啞元區(qū)1100可以與區(qū)域1106相鄰，因此，可以識(shí)別出 信息#2被至少記錄在緊靠啞元數(shù)據(jù)1100之前的區(qū)域中。注意，只有光盤(pán)信息區(qū)1102中最 后一個(gè)啞元區(qū)才包含不同于其它啞元區(qū)的內(nèi)容。在這種情況下，可以表明記錄重復(fù)的結(jié)束。
啞元區(qū)的長(zhǎng)度可以是記錄一套信息#1和信息#2的區(qū)域長(zhǎng)度的整數(shù)倍，如光盤(pán)信 息區(qū)1103中所示。因此，即使層數(shù)不同，也很容易預(yù)測(cè)每個(gè)記錄層中信息的起始位置，從而 能夠較少等待時(shí)間，并簡(jiǎn)化再現(xiàn)識(shí)別的結(jié)構(gòu)。
如光盤(pán)信息區(qū)1104中所示，啞元區(qū)1100可以被記錄在首先記錄信息#1和信息#2 的區(qū)域之前。因此，可以識(shí)別出信息#1被至少記錄在緊靠啞元區(qū)之后的區(qū)域中。注意，只 有光盤(pán)信息區(qū)1104中的第一啞元區(qū)才可具有不同于其它啞元區(qū)的內(nèi)容。因此，可以表明記 錄重復(fù)的開(kāi)始。
假如可以區(qū)分光盤(pán)信息區(qū)和緊靠光盤(pán)信息區(qū)之前的區(qū)域，則第一啞元區(qū)的設(shè)置不 限于上述方法。例如，根據(jù)磁道形狀或者在磁道形狀上覆蓋信息的方法的不同，可以識(shí)別出 緊靠光盤(pán)信息區(qū)之前的區(qū)域。
注意，圖6b中所示的啞元數(shù)據(jù)可用于光盤(pán)信息區(qū)602中，從而導(dǎo)致了與應(yīng)用到光 盤(pán)信息區(qū)601上時(shí)基本相同的效果。
如上所述，通過(guò)將在每個(gè)記錄層上進(jìn)行記錄和再現(xiàn)所需的記錄層特定參數(shù)和格式 信息記錄在單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中，與從多層中配備的多個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中再現(xiàn)信息相比，可以 減少?gòu)亩鄠€(gè)記錄層記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)所需的時(shí)間。
在該實(shí)施例中，主要描述了光盤(pán)信息區(qū)。另外，至于缺陷列表區(qū)和備用區(qū)，通過(guò)將 每個(gè)記錄層的信息記錄在單層中，可以獲得相同的效果。
在該實(shí)施例中，在每個(gè)記錄層上進(jìn)行記錄和再現(xiàn)所需的記錄層特定參數(shù)和格式信 息被記錄在單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中。可選地，所有這些信息可以不記錄在單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中，可 以分開(kāi)記錄在多個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中?？蛇x地，每一記錄層的預(yù)定基本信息項(xiàng)可被記錄在單個(gè) 光盤(pán)信息區(qū)中，而其它項(xiàng)可被記錄在每一次的光盤(pán)信息區(qū)中。
注意，可以根據(jù)圖6A和6B所示的布局，將光盤(pán)信息區(qū)中記錄的參數(shù)和格式記錄在 缺陷列表區(qū)108，備用區(qū)109，數(shù)據(jù)區(qū)110，缺陷列表區(qū)112，備用區(qū)113，數(shù)據(jù)區(qū)114的磁道中。
接下來(lái)，將參考圖9，描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的可改寫(xiě)光盤(pán)900。
圖9的光盤(pán)900包含第一基底905，第一記錄層904，粘合樹(shù)脂903，第二記錄層902，和第二基底901。每個(gè)基底和每個(gè)記錄層都配有定位孔906。光盤(pán)900包含用來(lái)記錄 用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)920。在第一記錄層904和第二記錄層902中都配備了數(shù)據(jù)區(qū)920。作 為數(shù)據(jù)區(qū)920的一部分的數(shù)據(jù)區(qū)912是在第二記錄層902中配備的，而作為數(shù)據(jù)區(qū)920的 另一部分的數(shù)據(jù)區(qū)918是在第一記錄層904中配備的。
第二記錄層902包含光盤(pán)信息區(qū)907，第一缺陷列表區(qū)908，測(cè)試記錄區(qū)909，第二 缺陷列表區(qū)910，備用區(qū)911，和數(shù)據(jù)區(qū)912。
第一記錄層904包含光盤(pán)信息區(qū)913，第一缺陷列表區(qū)914，測(cè)試記錄區(qū)915，第二 缺陷列表區(qū)916，備用區(qū)917，和數(shù)據(jù)區(qū)918。
第一記錄層904和第二記錄層902都是在光盤(pán)900的單面上提供的。
希望在每個(gè)記錄層的第一缺陷列表區(qū)和第二缺陷列表區(qū)中記錄相同的數(shù)據(jù)。該相 同數(shù)據(jù)可被記錄在所有記錄層的缺陷列表區(qū)中。因此，在記錄或者再現(xiàn)時(shí)，當(dāng)激光點(diǎn)在記錄 層之間移動(dòng)時(shí)，可以節(jié)約目標(biāo)層中缺陷列表區(qū)再現(xiàn)所需的時(shí)間。
測(cè)試記錄區(qū)909用作調(diào)節(jié)區(qū)，用來(lái)進(jìn)行測(cè)試記錄，以便調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)區(qū)912中記錄信息 的激光記錄能量。類似地，測(cè)試記錄區(qū)915用作調(diào)節(jié)區(qū)，用來(lái)進(jìn)行測(cè)試記錄，以便調(diào)節(jié)數(shù)據(jù) 區(qū)918中記錄信息的激光記錄能量。如該實(shí)施例中那樣，通過(guò)在每個(gè)記錄層中配備測(cè)試記 錄區(qū)，可以確定適合每個(gè)記錄層的記錄條件。
當(dāng)激光點(diǎn)從一層到另一層垂直移動(dòng)時(shí)，由于連接在一起的基底不重和，基底的定 位孔不重和等等，很難將激光點(diǎn)定位在相同的徑向位置上。例如，當(dāng)試圖從距離第一記錄 層904內(nèi)圈第1000磁道移到距離第二記錄層902內(nèi)圈第1000磁道時(shí)，發(fā)生士50磁道的誤差。
在測(cè)試記錄區(qū)中，通過(guò)在不穩(wěn)定伺服記錄條件下進(jìn)行測(cè)試記錄，確定記錄調(diào)節(jié)。在 這種情況下，在記錄過(guò)程中，有磁道移位的危險(xiǎn)，或者激光瞬間聚焦非計(jì)劃層的危險(xiǎn)。為了 避免這種危險(xiǎn)，理想地，在每個(gè)記錄層的測(cè)試記錄區(qū)之前和之后，相鄰配置未限定指定用途 的緩沖區(qū)。同樣優(yōu)選地，如圖9中所示，在測(cè)試記錄區(qū)之前和之后，配備多個(gè)缺陷列表區(qū)。通 過(guò)在每個(gè)記錄層的測(cè)試記錄區(qū)之前和之后提供缺陷列表區(qū)，即使在記錄數(shù)據(jù)過(guò)程中磁道移 位，也可減小損壞缺陷列表區(qū)中所有數(shù)據(jù)的危險(xiǎn)。另外，當(dāng)在將信息記錄到某一記錄層的過(guò) 程中聚焦移位，可以減小損壞另一記錄層的缺陷列表區(qū)中所有數(shù)據(jù)的危險(xiǎn)。
在該實(shí)施例中，只有在每個(gè)記錄層的內(nèi)圈部分配備了缺陷列表區(qū)。就相同觀點(diǎn)而 言，缺陷列表區(qū)可以配備在外圈部分。通過(guò)提供該外圈部分，可以防止由于測(cè)試記錄而損壞 缺陷列表區(qū)中的數(shù)據(jù)。
注意，每一記錄層的特定參數(shù)和格式信息可以被一起記錄在單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中。 可選地，每個(gè)記錄層可單獨(dú)包含參數(shù)和格式信息。
如圖10中所示，每個(gè)記錄層中的測(cè)試記錄區(qū)可位于不同的徑向位置上。圖10示出 了光盤(pán)1000，該光盤(pán)1000是光盤(pán)900的改進(jìn)實(shí)施例，包含第一基底1005，第一記錄層1004， 粘合層1003，第二記錄層1002，和第一基底1001。
第二基底1001，第二記錄層1002，粘合層1003，第一記錄層1004，和第一基底1005 分別對(duì)應(yīng)于第二基底901，第二記錄層902，粘合層903，第一記錄層904，和第一基底905。 除了測(cè)試記錄區(qū)的位置不同之外，第二記錄層1002和第一記錄層1004分別具有與第二記 錄層902和第一記錄層904相同的部分。第二記錄層1002包含測(cè)試記錄區(qū)1008。第一記錄層1004包含測(cè)試記錄區(qū)1007。
參考數(shù)字1009表示入射光。參考數(shù)字1010表示從第二記錄層1002反射的光。參 考數(shù)字1011表示透過(guò)第二記錄層1002的光。參考數(shù)字1012表示從第一記錄層1004反射 的光。參考數(shù)字1013表示透過(guò)第二記錄層1002的光。這些參考數(shù)字表示激光的路徑。當(dāng) 在第二記錄層1002上進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，反射光1010是主要再現(xiàn)光，而透過(guò)光1013是不必要的 偏離光。當(dāng)在第一記錄層1004上進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，透過(guò)光1013是主要再現(xiàn)光，而反射光1010 是不必要的偏離光。
現(xiàn)在假定，在區(qū)域1006的位置上配備了用來(lái)確定記錄記錄層1004中的數(shù)據(jù)的激 光照射能量的測(cè)試記錄區(qū)。在這種情況下，假如測(cè)試記錄區(qū)1008退化或者損壞(例如，由 于記錄重復(fù))，在第二記錄層1002的透射系數(shù)或者反射系數(shù)改變，從而導(dǎo)致了透射光1011， 反射光1010和透射光1013的變化。因此，與測(cè)試記錄區(qū)1008正常時(shí)不同，使用測(cè)試記錄 區(qū)1006獲得的照射能量值偏離了正確的照射能量。
如圖10中所示，通過(guò)在光盤(pán)1000的不同徑向位置上提供測(cè)試記錄區(qū)1007和測(cè)試 記錄區(qū)1008，即使當(dāng)測(cè)試記錄區(qū)1008退化或者損壞時(shí)，也可以恰當(dāng)?shù)卮_定適合第一記錄層 1004的激光照射能量值。
如上所述，當(dāng)光盤(pán)1000是只能記錄一次的一次寫(xiě)多次讀光盤(pán)，特別是具有不可逆 記錄薄膜的光盤(pán)，該不可逆記錄薄膜的光特性通過(guò)記錄而變化，這時(shí)每個(gè)記錄層的測(cè)試記 錄區(qū)在不同徑向位置上的排列是非常有效的。本發(fā)明被應(yīng)用到這種只能記錄一次的光盤(pán) 上。
在該實(shí)施例中，每個(gè)記錄層中的層疊式記錄區(qū)是在不同的徑向位置上提供的。可 選地，除了測(cè)試記錄區(qū)之外，在每個(gè)記錄層的不同徑向位置上放置了例如用來(lái)管理光盤(pán)中 記錄的所有數(shù)據(jù)的列表等等的區(qū)域，該區(qū)域被重復(fù)記錄預(yù)定次數(shù)，該預(yù)定次數(shù)大于記錄常 規(guī)用戶數(shù)據(jù)的區(qū)域中記錄的重復(fù)次數(shù)。通過(guò)在不同的位置上配備這樣的區(qū)域，可以放置一 層中該區(qū)域的退化影響到另一層中的該區(qū)域，因此可以在另一層的該區(qū)域中進(jìn)行記錄和再 現(xiàn)。
在該實(shí)施例中，測(cè)試記錄區(qū)1007是在關(guān)于半徑方向的外圈邊提供的?？蛇x地，測(cè) 試記錄區(qū)1008可以是在關(guān)于半徑方向的外圈邊提供的。例如，在如圖5C所示的記錄/再 現(xiàn)方向的情況下，可以從內(nèi)圈邊開(kāi)始使用測(cè)試記錄區(qū)1007，而從外圈邊開(kāi)始使用測(cè)試記錄 區(qū)1008。在這種情況下，當(dāng)使用測(cè)試記錄區(qū)1008時(shí)，測(cè)試記錄區(qū)1007的最外圈邊沒(méi)有使用 的概率大于當(dāng)其使用時(shí)的概率。因此，可進(jìn)一步減小測(cè)試記錄區(qū)1007的退化對(duì)測(cè)試記錄區(qū) 1008的影響。對(duì)于只能記錄一次的光盤(pán)來(lái)說(shuō)，這種影響非常大。
在該實(shí)施例中，只在內(nèi)圈邊配備了測(cè)試記錄區(qū)?？蛇x地，可以在外圈邊配備測(cè)試記 錄區(qū)。
本發(fā)明不限于具有可記錄記錄層的光盤(pán)。假如具有多個(gè)僅再現(xiàn)記錄層的光盤(pán)具有 光盤(pán)信息區(qū)，則根據(jù)本發(fā)明可獲得相同的效果。
在該實(shí)施例中，在兩層即第一記錄層和第二記錄層上進(jìn)行記錄。當(dāng)本發(fā)明可被應(yīng) 用到單層光盤(pán)上時(shí)，可以獲得相同的效果。
在該實(shí)施例中，主要描述了可改寫(xiě)光盤(pán)。本發(fā)明可應(yīng)用到可以進(jìn)行一次或幾次記 錄的可記錄光盤(pán)上，并可獲得相同的效果。
工業(yè)應(yīng)用
根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)，在記錄層上進(jìn)行記錄和再現(xiàn)所需的每個(gè)記錄層的特定參數(shù)和 格式被一起記錄在單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中。擁有這一特征，可以從單個(gè)光盤(pán)信息區(qū)中再現(xiàn)每一 記錄層的參數(shù)和格式，從而可以減少多個(gè)記錄層數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)所需的時(shí)間。
在不背離本發(fā)明的范圍和精神的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以明白并容易做出 各種其它的修改。因此，這里所附的權(quán)利要求的范圍并不試圖限于這里闡述的說(shuō)明書(shū)，而是 應(yīng)當(dāng)對(duì)權(quán)利要求進(jìn)行廣泛地解釋。
權(quán)利要求
1.一種信息記錄媒介的制造方法，包括 形成多個(gè)記錄層的步驟；在所述多個(gè)記錄層之一的第一記錄層上形成用于調(diào)整將信息記錄到上述第一記錄層 用的激光記錄功率的第一測(cè)試區(qū)的步驟；在與所述第一記錄層相鄰的第二記錄層上與所述第一測(cè)試區(qū)不同的徑向位置形成用 于調(diào)整將信息記錄到上述第二記錄層用的激光記錄功率的第二測(cè)試區(qū)的步驟； 在與所述第一測(cè)試區(qū)的始端及末端相鄰的區(qū)域形成緩沖區(qū)的步驟；以及 在與所述第二測(cè)試區(qū)的始端及末端相鄰的區(qū)域形成緩沖區(qū)的步驟。
2.一種對(duì)信息記錄媒介的記錄功率的確定方法，所述信息記錄媒介具備多個(gè)記錄層和用以確定所述多個(gè)記錄層的每一層上激光的記 錄功率的測(cè)試區(qū)，所述多個(gè)記錄層包含第一記錄層和與所述第一記錄層相鄰的第二記錄層， 所述第一記錄層的第一測(cè)試區(qū)和所述第二記錄層的第二測(cè)試區(qū)分別配置在不同徑向 位置，所述第一記錄層在與所述第一測(cè)試區(qū)的始端及末端相鄰的區(qū)域具有緩沖區(qū)，所述第二 記錄層在與所述第二測(cè)試區(qū)的始端及末端相鄰的區(qū)域具有緩沖區(qū)， 所述第一記錄層的記錄功率通過(guò)使用所述第一測(cè)試區(qū)來(lái)確定， 所述第二記錄層的記錄功率通過(guò)使用所述第二測(cè)試區(qū)來(lái)確定。
3.一種從信息記錄媒介再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法，所述信息記錄媒介具備多個(gè)記錄層和用以確定所述多個(gè)記錄層的每一層上激光的記 錄功率的測(cè)試區(qū)，所述多個(gè)記錄層包含第一記錄層和與所述第一記錄層相鄰的第二記錄層， 所述第一記錄層的第一測(cè)試區(qū)和所述第二記錄層的第二測(cè)試區(qū)分別配置在不同徑向 位置，所述第一記錄層在與所述第一測(cè)試區(qū)的始端及末端相鄰的區(qū)域具有緩沖區(qū)，所述第二 記錄層在與所述第二測(cè)試區(qū)的始端及末端相鄰的區(qū)域具有緩沖區(qū)，所述第一記錄層的記錄功率即第一記錄功率通過(guò)使用所述第一測(cè)試區(qū)來(lái)確定， 所述第二記錄層的記錄功率即第二記錄功率通過(guò)使用所述第二測(cè)試區(qū)來(lái)確定， 從所述第一記錄層再現(xiàn)以所述第一記錄功率記錄的數(shù)據(jù)， 從所述第二記錄層再現(xiàn)以所述第二記錄功率記錄的數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了信息記錄媒介，記錄設(shè)備，再現(xiàn)設(shè)備，記錄方法和再現(xiàn)方法。提供了一種信息記錄媒介(100)，該信息記錄媒介包含多個(gè)記錄層(104，102)以及用來(lái)存儲(chǔ)有關(guān)訪問(wèn)該多個(gè)記錄層的參數(shù)和有關(guān)該多個(gè)記錄層的格式的第一盤(pán)信息區(qū)(111)。該第一盤(pán)信息區(qū)是在作為該多個(gè)記錄層之一的第一記錄層(104)中提供的。
文檔編號(hào)G11B7/00GK102034506SQ20101055185
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2003年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月22日
發(fā)明者東海林衛(wèi), 中村敦史, 伊藤基志, 山本義一, 植田宏, 石田隆 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社