專利名稱：一種提高eeprom良率和讀取可靠性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及EEPROM檢測領(lǐng)域，特別涉及一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的非易失存儲器中，EEPROM因其可按位操作、數(shù)據(jù)保持時間長、擦寫次數(shù)多而被廣泛使用，尤其適用于要求信息經(jīng)常更新和高可靠的場合。EEPROM生產(chǎn)時工藝相對復(fù)雜，控制難度相對較大。事實上，在同一晶元乃至同一芯片的不同位置，無論怎樣控制工藝， 其各種參數(shù)都會有細微變化，并呈正態(tài)分布。對任何單個芯片而言，如果存在哪怕是單個 EEPROM單元失效，那么該芯片就是廢品。這就要求通過合理的設(shè)計和篩選，來克服參數(shù)在一定范圍內(nèi)的變化，使其不會對出廠產(chǎn)品的品質(zhì)產(chǎn)生影響。目前對EEPROM的檢測主要通過比較法進行，在進行測試時，將EEPROM上的所有存儲單元均與同一位線(bitline)連接，同一位線上的各EEPROM單元在同一時刻只能有一個被選中。當(dāng)所選中的單元上存儲“0”時，EEPROM的閾值電壓為負值，當(dāng)其柵與讀取電源連接時，其所在支路有電流流過；而當(dāng)所選中的單元上存儲“1”時，EEPROM的閾值電壓大于所加的讀取電源，EERPOM單元所在支路的電流近似為零。設(shè)置介于“0”和“ 1 ”所對應(yīng)EEPROM 單元電流的中間值作為一個參考單元電流，這樣通過實際EEPROM單元與該參考單元電流的比較確定該EEPROM單元是否有效。而事實上，由于EEPROM器件本身會存在漏電，當(dāng)EEPROM單元存儲“ 1 ”，其EERPOM 單元所在支路可能存在漏電電流，特別是個別單元的漏電電流可能會影響讀出值的正確性；而在EEPROM單元存儲“0”時，由于工藝的不均勻性，其閾值電壓的大小不一，其個別單元的“0”值讀出的正確性也可能會受到影響。這樣如果將參考單元電流簡單的設(shè)定為介于 “0”和“ 1 ”所對應(yīng)EEPROM單元電流的中間值則可能會對EEPROM良率和讀取可靠性造成影響。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一簡單易行、效果顯著、可有效提高EEPROM良率和讀取可靠性測試方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特征在于，其包括如下步驟1)在所測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲“0” 及“1”時的支路電流，并以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區(qū)間；2)選取參考單元電流區(qū)間的最小值采用電流比較法來測試EEPROM的“1”狀態(tài)，選取參考單元電流區(qū)間的最大值采用電流比較法來測試EEPROM的“0”狀態(tài)；3)以參考單元電流區(qū)間最大值和最小值的中間值作為EEPROM的參考單元電流的出廠設(shè)定值，對步驟幻中判定有效的EEPROM分別采用電流比較法對該EEPROM的“1”狀態(tài)和“0”狀態(tài)進行測試來作為最終的判定結(jié)果。優(yōu)選的，在步驟幻、3)中的電流比較法采用靈敏放大器進行比較，所述靈敏放大器包括要檢測的EEPR0M、參考單元、第一電流源、第二電流源及比較放大器，第一電流源分別與EEPROM及比較放大器的同相端連接，所述第二電流源分別與參考單元及比較放大器的反相端連接，根據(jù)比較放大器輸出結(jié)果即可判定要檢測的EEPROM單元是否有效。優(yōu)選的，所述參考單元的電流值可調(diào)節(jié)。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該方法通過確定參考單元電流區(qū)間來設(shè)定參考單元電流的值，從而實現(xiàn)對參考單元電流值的平移，克服了由于參考單元電流設(shè)定固定值而帶來的可能使EEPROM單元在測試中出現(xiàn)大批失效的問題，提高了測試良率；同時該方法通過首先采用選取參考單元電流區(qū)間的最小值來測試EEPROM的“1”狀態(tài)，選取參考單元電流區(qū)間的最大值來測試EEPROM的“0”狀態(tài)”的步驟可先篩選出少數(shù)失效的EEPROM單元，從而預(yù)留出讀取EEPROM “ 1 ”狀態(tài)和“0”狀態(tài)的檢測余量，提高了出廠后EEPROM讀取的可靠性。


圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。該提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法在進行實施時，首先在所要測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲“0”及“ 1”時的支路電流，并以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區(qū)間。然后選取參考單元電流區(qū)間的最小值采用電流比較法來測試EEPROM的“1”狀態(tài)，選取參考單元電流區(qū)間的最大值采用電流比較法來測試EEPROM的“ 0 ”狀態(tài)。上述電流比較法采用靈敏放大器進行比較，該靈敏放大器包括要檢測的EEPR0M、 參考單元、第一電流源II、第二電流源12及比較放大器1，EEPR0M包括數(shù)個EEPROM單元，每個EEPROM單元由管M3、M5組成。參考單元的結(jié)構(gòu)與EEPROM單元的結(jié)構(gòu)相同，其由管M4、 M6組成，參考單元采用與EEPROM單元相同的結(jié)構(gòu)可使參考單元與EEPROM單元的工作環(huán)境更加的相似，從而提高檢測的精確性，該參考單元可根據(jù)需要進行調(diào)節(jié)。第一電流源Il分別與EEPROM單元及比較放大器1的同相端連接，第二電流源12分別與參考單元及比較放大器1的反相端連接，這樣根據(jù)比較放大器1輸出結(jié)果即可判定要檢測的EEPROM單元是否有效。在進行測試時，每個EEPROM單元均與同一位線(bitline)連接，同一位線上的各 EEPROM單元在同一時刻只能有一個被選中，當(dāng)所選中的單元上存儲“0”時，EEPROM的閾值電壓為負值，當(dāng)其柵與讀取電源連接時，其所在支路有電流流過；而當(dāng)所選中的單元上存儲 “1”時，EEPROM的閾值電壓大于所加的讀取電源，EERPOM單元所在支路的電流近似為零。以選取參考單元電流區(qū)間的最小值采用電流比較法來測試EEPROM的“1”狀態(tài)，選取參考單元電流區(qū)間的最大值采用電流比較法來測試EEPROM的“0”狀態(tài)，這樣就可先篩選出少數(shù)失效的EEPROM單元，從而預(yù)留出讀取EEPROM “ 1，，狀態(tài)和“0”狀態(tài)的檢測余量，提高了出廠后 EEPROM讀取的可靠性。最后以上述參考單元電流區(qū)間最大值和最小值的中間值作為EEPROM的參考單元電流的出廠設(shè)定值，對經(jīng)上述篩選后判定有效的EEPROM分別采用電流比較法對該EEPROM 的“1”狀態(tài)和“0”狀態(tài)進行測試，以此來作為最終的判定結(jié)果。該方法通過確定參考單元電流區(qū)間來設(shè)定參考單元電流的值，從而實現(xiàn)對參考單元電流值的平移，克服了由于參考單元電流設(shè)定固定值而帶來的可能使EEPROM單元在測試中出現(xiàn)大批失效的問題，提高了測試良率。為了便于理解，現(xiàn)舉例對本發(fā)明方法做進一步的描述首先在所測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲“0”及“1”時的支路電流，并以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區(qū)間；然后以選取參考單元電流區(qū)間的最小值a作為參考單元電流采用電流比較法來測試EEPROM的“1”狀態(tài)，選取參考單元電流區(qū)間的最大值b作為參考單元電流采用電流比較法來測試EEPROM的“0”狀態(tài)，從而可篩選掉一部分失效的EEPROM單元。最后以參考單元電流區(qū)間最大值b和最小值a的中間值(a+b)/2作為EEPROM的參考單元電流的出廠設(shè)定值。以上對本發(fā)明實施例所提供的一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特征在于，其包括如下步驟1)在所測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲“0”及 “1”時的支路電流，并以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區(qū)間；2)選取參考單元電流區(qū)間的最小值采用電流比較法來測試EEPROM的“1 ”狀態(tài)，選取參考單元電流區(qū)間的最大值采用電流比較法來測試EEPROM的“ 0 ”狀態(tài)；3)以參考單元電流區(qū)間最大值和最小值的中間值作為EEPROM的參考單元電流的出廠設(shè)定值，對步驟2)中判定有效的EEPROM分別采用電流比較法對該EEPROM的“ 1 ”狀態(tài)和 “0”狀態(tài)進行測試來作為最終的判定結(jié)果。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特征在于 在步驟幻、3)中的電流比較法采用靈敏放大器進行比較，所述靈敏放大器包括要檢測的 EEPR0M、參考單元、第一電流源、第二電流源及比較放大器，第一電流源分別與EEPROM及比較放大器的同相端連接，所述第二電流源分別與參考單元及比較放大器的反相端連接，根據(jù)比較放大器輸出結(jié)果即可判定要檢測的EEPROM單元是否有效。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特征在于所述參考單元的電流值可調(diào)節(jié)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，該方法通過確定參考單元電流區(qū)間來設(shè)定參考單元電流的值，從而實現(xiàn)對參考單元電流值的平移，克服了由于參考單元電流設(shè)定固定值而帶來的可能使EEPROM單元在測試中出現(xiàn)大批失效的問題，提高了測試良率；同時該方法通過首先采用選取參考單元電流區(qū)間的最小值來測試EEPROM的“1”狀態(tài)，選取參考單元電流區(qū)間的最大值來測試EEPROM的“0”狀態(tài)”的步驟可先篩選出少數(shù)失效的EEPROM單元，從而預(yù)留出讀取EEPROM“1”狀態(tài)和“0”狀態(tài)的檢測余量，提高了出廠后EEPROM讀取的可靠性。
文檔編號G11C29/08GK102163461SQ20111011229
公開日2011年8月24日 申請日期2011年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月3日
發(fā)明者萬海軍, 韓興成, 韓雨亭 申請人:蘇州聚元微電子有限公司