專利名稱：用于在能量輔助磁記錄磁頭中提供熱管理的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
背景技術(shù)：
圖1示出常規(guī)能量輔助磁記錄(EAMR)磁盤驅(qū)動(dòng)器10的一部分的側(cè)視圖。常規(guī) EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器10包括記錄介質(zhì)12、通常附接于懸掛件(未示出)的常規(guī)滑動(dòng)件20和常規(guī)激光二極管30。常規(guī)滑動(dòng)件20具有前緣22、尾緣沈和背側(cè)M。盡管定名稱為“緣”，但是前緣22和尾緣沈是滑動(dòng)件20的表面。前緣22和尾緣沈因?yàn)槌Ｒ?guī)介質(zhì)12相對(duì)于EAMR 換能器觀的行進(jìn)方向而因此定名稱。未示出可以是常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器10的一部分的其它部件。常規(guī)滑動(dòng)件20通常在其背側(cè)M附接于懸掛件。常規(guī)EAMR換能器觀與滑動(dòng)件 20華禹合。激光二極管30鄰近滑動(dòng)件20的尾緣沈上的EAMR換能器28耦合。來自常規(guī)激光二極管30的光大致沿著常規(guī)激光二極管30的光軸32提供到滑動(dòng)件20的尾緣26。更具體地，來自激光二極管30的光被提供到常規(guī)EAMR換能器觀的光柵(未示出)。耦合于光柵的來自激光二極管30的光接著被提供到波導(dǎo)(未示出)。波導(dǎo)將光引導(dǎo)向常規(guī)介質(zhì)12， 加熱常規(guī)介質(zhì)12的小的區(qū)域。常規(guī)EAMR換能器觀在常規(guī)介質(zhì)12被加熱的區(qū)域中對(duì)常規(guī)介質(zhì)12磁寫入。盡管常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器10可以工作，但是仍期望改進(jìn)。更具體地，可以期望將激光二極管30物理地集成到常規(guī)滑動(dòng)件20上。然而，滑動(dòng)件20的背側(cè)M和尾緣沈通常即使不添加激光器30也很擁擠。另外，期望將換能器觀相對(duì)于介質(zhì)12的升高高度保持為大致不受包括激光二極管30的影響。另外，還期望耗散激光二極管30產(chǎn)生的熱。不能適當(dāng)耗散激光二極管30產(chǎn)生熱可能對(duì)激光二極管30以及EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器10的其它部件的性能和可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。因此，期望用于在EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器之內(nèi)集成激光二極管的改進(jìn)的方法和系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述一種用于提供能量輔助磁記錄(EAMR)磁頭的方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)包括提供基板、至少一個(gè)EAMR換能器、覆蓋層和至少一個(gè)激光器?；寰哂星熬壓突逦簿墶AMR換能器位于器件層中和基板尾緣上。覆蓋層包括多個(gè)接觸件。器件層在覆蓋層和基板尾緣之間。激光器向EAMR換能器提供能量。覆蓋層在基板尾緣和激光器之間。 激光器電耦合于多個(gè)接觸件的至少第一部分。接觸件提供通過覆蓋層和器件層的熱連接。 接觸件的至少第二部分與基板電絕緣。


圖1是示出常規(guī)能量輔助磁記錄磁盤驅(qū)動(dòng)器的一部分的圖；圖2是示出EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器的示例實(shí)施例的圖；圖3是示出EAMR磁頭的示例實(shí)施例的圖4是示出EAMR磁頭的另一示例實(shí)施例的圖；圖5是示出EAMR磁頭的另一示例實(shí)施例的圖；圖6是示出EAMR磁頭的另一示例實(shí)施例的圖；圖7是示出EAMR磁頭的另一示例實(shí)施例的圖；圖8是示出EAMR磁頭的另一示例實(shí)施例的圖；圖9是示出EAMR磁頭的另一示例實(shí)施例的圖；圖10是示出EAMR磁頭的另一示例實(shí)施例的圖；圖11是示出EAMR磁頭的制造方法的示例實(shí)施例的流程圖；圖12是示出EAMR磁頭中的熱擴(kuò)散件的制造方法的示例實(shí)施例的流程圖；以及圖13是示出EAMR磁頭中的熱擴(kuò)散件的制造方法的示例實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式圖2示出包括EAMR磁頭110的EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的示例實(shí)施例。圖3示出磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用的EAMR磁頭110。圖2是磁盤驅(qū)動(dòng)器100的側(cè)視圖。圖3示出EAMR 磁頭110的分解和立體圖。為了清楚，圖2-圖3不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，不是EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100和EAMR磁頭110的所有部分都被示出。另外，盡管在具體部件的背景下描述 EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100和EAMR磁頭110，但是可以使用其他和/或不同部件。此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100包括介質(zhì)102和也稱為滑動(dòng)件的EAMR磁頭110。EAMR磁頭 110包括基板112、器件層120、覆蓋層130、激光器140、可選的外頂層150、以及可選的熱擴(kuò)散件160。磁頭110具有滑動(dòng)件前緣114和尾緣118?；?12具有前緣114和基板尾緣 116。盡管稱為“緣”，緣114、116、和118是表面。器件層120至少包括EAMR換能器(在圖 2中未示出)并且可以包括讀取換能器(未示出)。如果EAMR磁頭110是組合磁頭，則可以包括讀取換能器。在一些實(shí)施例中，器件層120是12微米量級(jí)的厚度，覆蓋層130是15 微米量級(jí)的厚度，并且基板112是八百五十微米量級(jí)的厚度。外頂層150示出包括配置用于激光器140的空腔152、通孔154、用于通孔和墊158的接觸件156。激光器140可以是激光二極管。覆蓋層130包括接觸件132。接觸件132中的至少一些提供通過覆蓋層130和器件層120的熱傳導(dǎo)。在一些實(shí)施例中，接觸件132將激光器140與基板112熱耦合。由此， 接觸件132相對(duì)于周圍材料可以具有高熱導(dǎo)率。例如，接觸件132可以主要包括高熱導(dǎo)率的材料，諸如Cu。在具有熱擴(kuò)散件160的實(shí)施例中，接觸件132與熱擴(kuò)散件160熱耦合。接觸件132中的至少一些將激光器140與基板112電絕緣。換句話說，激光器140并非通過全部接觸件132電耦合于基板112。例如，在一些實(shí)施例中，一個(gè)或者多個(gè)接地接觸件將激光器140與基板112電和熱連接。然而，剩余接觸件132將激光器140和/或其它部件電連接到器件層120的期望部分，但是不連接到基板112。這些接觸件仍將激光器140與基板112熱連接。接觸件132還可以增加寬度使得接觸件132占據(jù)更大的占位。由此，每個(gè)接觸件132的更大的部分可以與激光器140物理接觸。在工作中，激光器140向器件層120中的EAMR換能器(未示出)提供光。在一些實(shí)施例中，光柵(未示出)用于將光耦合于換能器。激光例如被波導(dǎo)(未示出)導(dǎo)向ABS (air-bearing surface)。光可以被聚焦到介質(zhì)102上，例如使用近場(chǎng)換能器(NFT，未示出)。介質(zhì)的區(qū)域由此被加熱。接著使用可以被線圈激勵(lì)的電極以向介質(zhì)的區(qū)域磁寫入。EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理可以被改進(jìn)。具體地，接觸件132具有高熱導(dǎo)率。 由此，激光器140產(chǎn)生的熱可以從激光器140傳導(dǎo)到基板112，其具有改進(jìn)的耗散熱的能力。 還可以使用熱擴(kuò)散件160以向ABS傳導(dǎo)熱。由此，EAMR磁頭110能夠更好地管理熱，并且由此具有提高的可靠性和性能。此外，使用已經(jīng)存在的電接觸件132用于熱耗散。由此可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的熱管理而不會(huì)使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層130的更多空間。圖4是示出EAMR磁頭210的示例實(shí)施例的圖。圖4示出EAMR磁頭210的側(cè)視圖和覆蓋層視圖。為了清楚，圖4不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，未示出EAMR磁頭210的全部部分。另外，盡管在具體部件的背景中示出EAMR磁頭210，但可以使用其它和/或不同部件。 此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁頭210類似于EAMR磁頭110，并且可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用。由此，EAMR磁頭210的類似部件具有類似附圖標(biāo)記。EAMR磁頭210由此包括具有基板前緣214和基板尾緣216的基板212、器件層220、包括接觸件232 的覆蓋層230和激光器M0，分別對(duì)應(yīng)于具有基板前緣114和基板尾緣116的基板112、器件層120、包括接觸件132的覆蓋層130和激光器140。另外示出額外接觸件236、結(jié)合墊 242和絕緣層M4。從圖4可見，激光器240經(jīng)過可以傳導(dǎo)的結(jié)合墊242結(jié)合到EAMR磁頭210。結(jié)合墊242將激光器240機(jī)械地連接到磁頭210。薄的絕緣層244可以將每個(gè)接觸件232與另一接觸件232以及與激光器MO電絕緣。然而，在其它實(shí)施例中，僅僅可以依靠覆蓋層230 進(jìn)行絕緣并且薄的絕緣層244被省略。此外，圍繞接觸件232的覆蓋層230和器件層220 是絕緣的，例如氧化鋁。由此，接觸件232彼此電絕緣除非特別地另行設(shè)計(jì)。激光器MO電耦合于接觸件232中的至少一些。在所示的實(shí)施例中，激光器240 電連接到全部接觸件232。在其它實(shí)施例中，激光器240可以僅僅耦合于接觸件232中的一部分。接觸件232向基板212提供通過覆蓋層230和器件層220的熱連接。在所示的實(shí)施例中，接觸件232中的一個(gè)將激光器MO電和熱連接到基板212。然而，在其它實(shí)施例中，多個(gè)接地接觸件232可以將激光器MO電和熱連接到基板212。剩余的接觸件232將激光器 240與基板212電隔離但是將激光器240熱連接到基板212。在一些實(shí)施例中，剩余的接觸件232包括薄的絕緣層234，其將鄰近激光器MO的接觸件232的頂部與鄰近基板212的接觸件232的底部電隔離。由此，絕緣層234充分厚以提供電絕緣，但是充分薄使得到基板 212的熱連接不斷裂。換句話說，絕緣層234充分薄使得熱耗散不被明顯阻礙并且提供電絕緣。由此，絕緣層234允許通過器件層120的熱連接和到器件層120的一部分的電連接。 絕緣層234可以位于將被進(jìn)行電連接的器件層220中的層處或者之下。在一些這種實(shí)施例中，接觸件232的導(dǎo)電部分包括一種或者多種材料，諸如01、411、其合金、附？^&)!^和/或具有高熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率的其它材料。絕緣層234可以包括電和熱絕緣材料，諸如氧化鋁或者二氧化硅。在其它實(shí)施例中，絕緣層234可以是導(dǎo)熱但是電絕緣的。例如，可以使用SiC 或者類金剛石碳(DLC)。在一些實(shí)施例中，接觸件232的在絕緣層234下方的部分可以具有高熱導(dǎo)率但是電絕緣。在其它實(shí)施例中，接觸件232的在絕緣層234下方的部分可以具有高熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率。接觸件232按照期望電學(xué)地工作，但仍提供激光器240和基板212之間的熱路徑。
EAMR磁頭210按照與EAMR磁頭110類似的方式工作。由此，可以改進(jìn)EAMR磁頭 210和其中可以使用EAMR磁頭210的EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理。具體地，除了電絕緣層234，接觸件232也具有高熱導(dǎo)率。由此，激光器240產(chǎn)生的熱可以從激光器240傳導(dǎo)到基板212，其具有改進(jìn)的耗散熱的能力。由此，EAMR磁頭210能夠更好地管理熱并且由此具有提高的可靠性和性能。使用已經(jīng)存在的電接觸件232用于熱耗散。由此，可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的熱管理而不使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層230的更多空間。圖5是示出EAMR磁頭210’的示例實(shí)施例的圖。圖5示出EAMR磁頭210’的側(cè)視圖和覆蓋層視圖。為了清楚，圖5不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，未示出EAMR磁頭210’的全部部分。另外，盡管在具體部件的背景中示出EAMR磁頭210’，但可以使用其它和/或不同部件。此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁頭210 ’類似于EAMR磁頭110/210， 并且可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用。由此，EAMR磁頭210’的類似部件具有類似附圖標(biāo)記。 EAMR磁頭210’由此包括具有基板前緣214’和基板尾緣216’的基板212’、器件層220’、 包括接觸件232’的覆蓋層230’、和激光器M0’，分別對(duì)應(yīng)于具有基板前緣114/214和基板尾緣116/216的基板112/212、器件層120/220、包括接觸件132/232的覆蓋層130/230和激光器140/M0。另外示出分別類似于接觸件236、結(jié)合墊242和絕緣層244的額外接觸件236’、結(jié)合墊M2’、和絕緣層M4’。此外，盡管示出一個(gè)接地接觸件232’，但剩余接觸件 232’在其內(nèi)具有絕緣層234’。由此，接觸件232’類似于接觸件132/232。另外，接觸件232’的占位已經(jīng)增大。如從覆蓋層視圖可見，接觸件232’占據(jù)激光器M0’的占位的更大部分。在所示的實(shí)施例中，接觸件232’在一個(gè)方向上(在圖5中從頂?shù)降?延伸跨過激光器M0’。在圖5中接觸件232’在水平方向上彼此分離。該分離允許接觸件232’彼此電隔離。在一些實(shí)施例中，該分離是在二十五微米量級(jí)。在一些實(shí)施例中，接觸件232’之間在水平方向上的距離是或者略微大于最小分離。最小分離是允許接觸件232’彼此電隔離的最小距離。增加接觸件232’的占位增加EAMR磁頭210’中導(dǎo)熱材料的量，并增加激光器對(duì)0’和接觸件232’之間的熱連接。EAMR磁頭210，按照與EAMR磁頭110/210類似的方式工作。由此，可以改進(jìn)EAMR 磁頭210’和其中可以使用EAMR磁頭210’的EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理。具體地，除了電絕緣層234’，接觸件232’也具有高熱導(dǎo)率。由此，激光器M0’產(chǎn)生的熱可以從激光器M0’傳導(dǎo)到基板212’，其具有改進(jìn)的耗散熱的能力。通過增加接觸件232’的占位可以增強(qiáng)熱傳導(dǎo)。由此，EAMR磁頭210’能夠更好地管理熱并且由此具有提高的可靠性和性能。 使用已經(jīng)存在的電接觸件232’用于熱耗散。由此，可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的熱管理而不使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層230’的更多空間。圖6是示出EAMR磁頭210”的示例實(shí)施例的圖。圖6示出EAMR磁頭210”的側(cè)視圖和覆蓋層視圖。為了清楚，圖6不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，未示出EAMR磁頭210”的全部部分。另外，盡管在具體部件的背景中示出EAMR磁頭210”，但可以使用其它和/或不同部件。此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁頭210”類似于EAMR磁頭110/210/210’，并且可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用。由此，EAMR磁頭210”的類似部件具有類似附圖標(biāo)記。EAMR磁頭210”由此包括具有基板前緣214”和基板尾緣216”的基板 212”、器件層220”、包括接觸件232”的覆蓋層230”和激光器240”，分別對(duì)應(yīng)于具有基板前緣 114/214/214，和基板尾緣 116/216/216，的基板 112/212/212，、器件層 120/220/220，、包括接觸件132/232/232，的覆蓋層130/230/230，和激光器140/240/240'0另外示出分別類似于接觸件236/236，、結(jié)合墊M2/M2，和絕緣層M4/M4，的額外接觸件236”，結(jié)合墊對(duì)2”和絕緣層對(duì)4”。此外，示出一個(gè)接地接觸件232”。剩余接觸件232”中具有絕緣層 234”。由此，接觸件232’類似于接觸件132/232/232’。盡管示出具有更小的占位，但類似于接觸件232的占位，接觸件232”可能具有更大的占位。例如，接觸件232”可以類似于接觸件232，。另外，示出外頂層250。外頂層250類似于圖2-圖3示出的外頂層150。由此，外頂層250包括類似于空腔150的空腔252和類似于接觸件/墊156/158的接觸件256。盡管沒有單獨(dú)示出，空腔252可以具有反射表面以重引導(dǎo)來自激光器M0”的光?？涨?52中有激光器對(duì)0”。由于外頂層250可以被密封到覆蓋層230”，激光器M0”可以被密封在空腔252中。EAMR磁頭210”按照與EAMR磁頭110/210/210’類似的方式工作。由此，可以改進(jìn)EAMR磁頭210”和其中可以使用EAMR磁頭210”的EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理。具體地，接觸件232”提供激光器M0”和基板212”之間的高熱導(dǎo)率路徑，以及期望的電功能。 激光器M0”產(chǎn)生的熱可以從激光器M0”傳導(dǎo)到基板212”，其具有改進(jìn)的耗散熱的能力。 由此，EAMR磁頭210”能夠更好地管理熱并且由此具有提高的可靠性和性能。使用已經(jīng)存在的電接觸件232”用于熱耗散。由此，可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的熱管理而不使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層230”的更多空間。此外，激光器M0”被包含在外頂層250的空腔252中。由此，激光器對(duì)0”可以被保護(hù)從而在制造和使用期間免受損壞。圖7是示出EAMR磁頭310的示例實(shí)施例的圖。圖7示出EAMR磁頭310的側(cè)視圖和基板視圖。為了清楚，圖7不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，未示出EAMR磁頭310的全部部分。另外，盡管在具體部件的背景中示出EAMR磁頭310，但可以使用其它和/或不同部件。此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁頭310類似于EAMR磁頭110/210/210’/210”， 并且可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用。由此，EAMR磁頭310的類似部件具有類似附圖標(biāo)記。 EAMR磁頭310由此包括具有基板前緣314和基板尾緣316的基板312、器件層320、包括接觸件332的覆蓋層330和激光器340，分別對(duì)應(yīng)于具有基板前緣114/214/214’/214”和基板尾緣 116/216/216，/216” 的基板 112/212/212，/212”、器件層 120/220/220，/220”、包括接觸件 132/232/232，/232”的覆蓋層 130/230/230，/230”和激光器 140/240/240' /240”。另外示出分別類似于接觸件236/236，/236”、結(jié)合墊M2/M2，Λ42”和絕緣層M4/M4，/244” 的額外接觸件336、結(jié)合墊342和絕緣層344。部件312、314、316、320、330、332、334、336、 340,342 和 344 的結(jié)構(gòu)和功能分別類似于部件 112/212/212，/212”、114/214/214，/214”、 116/216/216， /216”、120/220/220， /220”、130/230/230， /230”、132/232/232， /232”、 234/234' /234”、136/236/236’ /236”、140/240/240，/240” 和 142/242/242' /242” 的結(jié)構(gòu)和功能。盡管未示出，磁頭310可以包括類似于外頂層150和250的外頂層。磁頭310還包括熱擴(kuò)散件360。熱擴(kuò)散件360包括高熱導(dǎo)率的材料，諸如Cu、Ag、 Au、其合金、Nii^e和/或CoFe。在一些實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360可以包括絕緣材料，諸如SiC 和/或DLC。熱擴(kuò)散件360可以還包括高熱導(dǎo)率材料的混合物，諸如銅基體中的金剛石顆粒。熱擴(kuò)散件360與接觸件332中的至少一些熱耦合。在所示的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360與全部接觸件332接觸并且由此熱耦合。然而，在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360可以僅僅與接觸件332中的一些熱耦合。在所示的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360包括多個(gè)條。然而，在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360可以具有其它配置。此外，熱擴(kuò)散件360的一部分占據(jù)部分ABS。在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360可以從ABS凹進(jìn)。例如，可以期望熱擴(kuò)散件360從ABS凹進(jìn)以防止熱擴(kuò)散件360的腐蝕。然而，在一些這種實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360仍與ABS熱連接。最終，熱擴(kuò)散件360示出為在基板312中凹進(jìn)。然而，在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360可以位于基板尾緣316上。在這些實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360可以具有圍繞它的絕緣層。EAMR磁頭310按照與EAMR磁頭110/210/210’/210”類似的方式工作。由此，可以改進(jìn)EAMR磁頭310和其中可以使用EAMR磁頭310的EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理。具體地，接觸件332提供激光器340和基板312之間的高熱導(dǎo)率路徑，以及期望的電功能。激光器340產(chǎn)生的熱可以從激光器340傳導(dǎo)到基板312，其具有改進(jìn)的耗散熱的能力。由此， EAMR磁頭310能夠更好地管理熱并且由此具有提高的可靠性和性能。使用已經(jīng)存在的電接觸件332用于熱耗散。由此，可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的熱管理而不使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層330的更多空間。此外，磁頭310包括熱擴(kuò)散件360。熱擴(kuò)散件360可以將來自激光器340的熱進(jìn)一步傳導(dǎo)穿過基板312。在其中熱擴(kuò)散件360占據(jù)ABS的一部分或者僅僅從 ABS略微凹進(jìn)的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360還向ABS傳導(dǎo)熱。ABS可以提供用于耗散來自激光器340的熱的改進(jìn)機(jī)構(gòu)。另外，因?yàn)闊釘U(kuò)散件360配置為一系列條，可以減輕基板312的區(qū)域的熱膨脹。由此，可以進(jìn)一步改進(jìn)EAMR磁頭310的熱管理。由此可以增強(qiáng)EAMR磁頭310 的性能和可靠性。圖8是示出EAMR磁頭310’的示例實(shí)施例的圖。圖8示出EAMR磁頭310’的側(cè)視圖和覆蓋層視圖。為了清楚，圖8不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，未示出EAMR磁頭310’的全部部分。另外，盡管在具體部件的背景中示出EAMR磁頭310’，但可以使用其它和/或不同部件。此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁頭310’類似于EAMR磁頭 110/210/210’/210”/310，并且可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用。由此，EAMR磁頭310’的類似部件具有類似附圖標(biāo)記。EAMR磁頭310’由此包括具有基板前緣314’和基板尾緣316’ 的基板312’、器件層320’、包括接觸件332’的覆蓋層330’和激光器340’，分別對(duì)應(yīng)于具有基板前緣314和基板尾緣316的基板312、器件層320、包括接觸件332的覆蓋層330和激光器340。另外示出分別類似于接觸件336、結(jié)合墊342和絕緣層344的額外接觸件336’、結(jié)合墊 342，和絕緣層 344，。部件 312，、314，、316，、320，、330，、332，、334，、336，、340，、342， 和 344，的結(jié)構(gòu)和功能分別類似于部件 312、314、316、320、330、332、334、336、340、342 和 344 的結(jié)構(gòu)和功能。盡管未示出，磁頭310’可以包括類似于外頂層150和250的外頂層。磁頭310’還包括熱擴(kuò)散件360’。熱擴(kuò)散件360’類似于熱擴(kuò)散件360。然而，熱擴(kuò)散件配置為矩形板(slab)。熱擴(kuò)散件360’包括高熱導(dǎo)率的材料，諸如Cu、Ag、Au、其合金、NiFe和/或Coi^e。在一些實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360，可以包括絕緣材料，諸如SiC和/ 或DLC。熱擴(kuò)散件360’可以還包括材料的混合物，諸如銅基體中的金剛石顆粒。熱擴(kuò)散件 360’與接觸件332’中的至少一些熱耦合。在所示的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’與全部接觸件332’接觸并且由此熱耦合。然而，在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’可以僅僅與接觸件 332’中的一些熱耦合。在所示的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’是傳導(dǎo)板。然而，在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’可以具有其它配置。此外，熱擴(kuò)散件360’的一部分占據(jù)ABS的一部分。 在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’可以從ABS凹進(jìn)。例如，可以期望熱擴(kuò)散件360’從ABS凹進(jìn)以防止熱擴(kuò)散件360’的腐蝕。然而，在一些這種實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’仍與ABS熱連接。然而，在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’可以位于基板尾緣316’上。在這些實(shí)施例中， 熱擴(kuò)散件360’可以具有圍繞它的絕緣層。EAMR磁頭310’按照與EAMR磁頭110/210/210’ /210”/310類似的方式工作。由此，通過使用接觸件332 ’，可以改進(jìn)EAMR磁頭310 ’和其中可以使用EAMR磁頭310 ’的EAMR 磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理。由此，EAMR磁頭310’能夠更好地管理熱而不使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層330’的更多空間。此外，磁頭310’包括熱擴(kuò)散件360’。熱擴(kuò)散件360’ 可以將來自激光器340’的熱進(jìn)一步傳導(dǎo)穿過基板312’。在其中熱擴(kuò)散件360’占據(jù)ABS的一部分或者僅僅從ABS略微凹進(jìn)的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360’還向ABS傳導(dǎo)熱。ABS可以提供用于耗散來自激光器340’的熱的改進(jìn)機(jī)制。由此，可以進(jìn)一步改進(jìn)EAMR磁頭310’的熱管理。由此可以增強(qiáng)EAMR磁頭310’的性能和可靠性。圖9是示出EAMR磁頭310”的示例實(shí)施例的圖。圖9示出EAMR磁頭310”的側(cè)視圖和覆蓋層視圖。為了清楚，圖9不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，未示出EAMR磁頭310”的全部部分。另外，盡管EAMR磁頭310”在具體部件的背景中示出可以使用其它和/或不同部件。此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁頭310”類似于EAMR磁頭 110/210/210，/210”/310/310，，并且可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用。由此，EAMR磁頭310” 的類似部件具有類似附圖標(biāo)記。EAMR磁頭310”由此包括具有基板前緣314”和基板尾緣 316”的基板312”、器件層320”、包括接觸件332”的覆蓋層330”和激光器340”，分別對(duì)應(yīng)于具有基板前緣314/314’和基板尾緣316/316’的基板312/312’、器件層320/320’、包括接觸件332/332，的覆蓋層330/330，和激光器340/340，。另外示出分別類似于接觸件 336/336，、結(jié)合墊342/342，和絕緣層344/344，的額外接觸件336”、結(jié)合墊342”和絕緣層 344”。部件 312”、314”、316”、320”、330”、332”、334”、336”、340”、342”和 344”的結(jié)構(gòu)和功能分別類似于部件 312/312，、314/314，、316/316，、320/320，、330/330，、332/332，、334/334，、 336/336，、340/340，、342/342，和344/344，的結(jié)構(gòu)和功能。盡管未示出，磁頭310”可以包括類似于外頂層150和250的外頂層。磁頭310”還包括類似于熱擴(kuò)散件360和360’的熱擴(kuò)散件360”。更具體地，熱擴(kuò)散件360”類似于熱擴(kuò)散件360’在于它是板配置。熱擴(kuò)散件360”的結(jié)構(gòu)和功能由此類似于熱擴(kuò)散件360和360’的結(jié)構(gòu)和功能。然而，熱擴(kuò)散件360”位于基板尾緣316”。由此，絕緣362被設(shè)置為圍繞熱擴(kuò)散件360”。EAMR 磁頭 310” 按照與 EAMR 磁頭 110/210/210’ /210”/310/310’ 類似的方式工作。由此，通過使用接觸件332 ”，可以改進(jìn)EAMR磁頭310 ”和其中可以使用EAMR磁頭310” 的EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理。由此，EAMR磁頭310”能夠更好地管理熱而不使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層330”的更多空間。此外，磁頭310”包括熱擴(kuò)散件360”。熱擴(kuò)散件360”可以將來自激光器340”的熱進(jìn)一步傳導(dǎo)穿過基板312”。在其中熱擴(kuò)散件360” 占據(jù)ABS的一部分或者僅僅從ABS略微凹進(jìn)的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360”還向ABS傳導(dǎo)熱。 ABS可以提供用于耗散來自激光器340”的熱的改進(jìn)機(jī)構(gòu)。由此，可以進(jìn)一步改進(jìn)EAMR磁頭 310”的熱管理。由此可以增強(qiáng)EAMR磁頭310”的性能和可靠性。圖10是示出EAMR磁頭310”，的示例實(shí)施例的圖。圖10示出EAMR磁頭310”，的側(cè)視圖和覆蓋層視圖。為了清楚，圖10不按比例繪制。為了簡(jiǎn)化，未示出EAMR磁頭310”’的全部部分。另外，盡管在具體部件的背景中示出EAMR磁頭310”’，但可以使用其它和/ 或不同部件。此外，部件的排布可以在不同實(shí)施例中改變。EAMR磁頭310”’類似于EAMR 磁頭110/210/210，/210”/310/310’ /310”，并且可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器100中使用。由此， EAMR磁頭310”’的類似部件具有類似附圖標(biāo)記。EAMR磁頭310”’由此包括具有基板前緣 314”，和基板尾緣316”，的基板312”，、器件層320”，、包括接觸件332”，的覆蓋層330”， 和激光器340”’，分別對(duì)應(yīng)于具有基板前緣314/314’ /314”和基板尾緣316/316’ /316” 的基板312/312，/312”、器件層320/320，/320”、包括接觸件332/332，/332”的覆蓋層 330/330，/330”和激光器340/340，/340”。另外示出分別類似于接觸件336/336，/336”、 結(jié)合墊342/342，/342”和絕緣層344/344，/344”的額外接觸件336”，、結(jié)合墊342”，和絕緣層 344”，。部件 312”，、314”，、316”，、320”，、330”，、332”，、334”，、336”，、340”，、342”，和 344”，的結(jié)構(gòu)和功能分別類似于部件 312/312’ /312”、314/314’ /314”、316/316’ /316”、 320/320， /320”、330/330， /330”、332/332， /332^,334/334' /334^,336/336' /336”、 340/340，/340”、342/3427342”和 344/344，/344”的結(jié)構(gòu)和功能。盡管未示出，磁頭 310”， 可以包括類似于外頂層150和250的外頂層。熱擴(kuò)散件360”’類似于熱擴(kuò)散件360和360’。更具體地，熱擴(kuò)散件360”類似于熱擴(kuò)散件360和360’在于熱擴(kuò)散件360”具有高熱導(dǎo)率并且用于將熱擴(kuò)散穿過基板312”’。 然而，熱擴(kuò)散件360”’是電絕緣的。由此，熱擴(kuò)散件360”’允許接觸件332”彼此電絕緣。熱擴(kuò)散件360”’并入覆蓋層330”。然而，在其它實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360”’可以按照與熱擴(kuò)散件360,360'和/或360”類似的方式并入基板312”，。EAMR 磁頭 310”，按照與 EAMR 磁頭 110/210/210，/210”/310/310’ /310” 類似的方式工作。由此，通過使用接觸件332”’，可以改進(jìn)EAMR磁頭310”’和其中可以使用EAMR 磁頭310”’的EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器100的熱管理。由此，EAMR磁頭310”’能夠更好地管理熱而不使制造復(fù)雜化或者大量占據(jù)覆蓋層330”’的更多空間。此外，磁頭310”’包括熱擴(kuò)散件 360”’。熱擴(kuò)散件360”’可以將來自激光器340”’的熱進(jìn)一步傳導(dǎo)穿過基板312”’。在其中熱擴(kuò)散件360”’占據(jù)ABS的一部分或者僅僅從ABS略微凹進(jìn)的實(shí)施例中，熱擴(kuò)散件360”’ 還向ABS傳導(dǎo)熱。ABS可以提供用于耗散來自激光器340”’的熱的改進(jìn)機(jī)構(gòu)。另外，由于熱擴(kuò)散件360”’并入覆蓋層330”’或者作為其一部分，不需要設(shè)置單獨(dú)的熱擴(kuò)散件。此外，在一些實(shí)施例中，如果熱能夠通過熱擴(kuò)散件360”’ /覆蓋層330”’充分耗散，則接觸件332”’ 不需要延伸到基板312”’。磁頭310”’的制造可以被簡(jiǎn)化。由此，可以進(jìn)一步改進(jìn)EAMR磁頭310”’的熱管理。由此可以增強(qiáng)EAMR磁頭310”’的性能和可靠性。由此，EAMR磁頭 110、210、210’、210”、310、310’、310” 和 310”，可以具有改進(jìn)的熱屬性。盡管在每個(gè)磁頭110、210、210’、210”、310、310’、310”和310”，中示出和描述具體特征，但是磁頭110、210、210’、210”、310、310’、310”和310”’的具體特征可以被選擇并與相同或者其它磁頭110、210、210’、210”、310、310’、310”和310”，的特征組合，和/或未示出的其它磁頭。例如，熱擴(kuò)散件360’和/或360”可以并入磁頭210。由此，可以改進(jìn)EAMR磁頭 110、210、210，、210”、310、310，、310”和 310”，的熱管理。圖11是示出EAMR磁頭的制造方法的示例實(shí)施例的流程圖。盡管示出特定步驟， 一些步驟可以省略、交叉、以其它順序進(jìn)行和/或合并。方法400在EAMR磁頭110的背景中描述。然而，方法400可以用于其它EAMR磁頭，包括但不限于EAMR磁頭110、210、210’、210”、310、310’、310”和310”’。磁頭110在具有對(duì)應(yīng)于基板尾緣114的正面的基板112上制造。通過步驟402，可選地提供熱擴(kuò)散件160。如果熱擴(kuò)散件160類似于熱擴(kuò)散件360、 360’或者360”，則可以在制造EAMR換能器和器件層120中的其它部件之前進(jìn)行步驟402。 然而，如果熱擴(kuò)散件160類似于熱擴(kuò)散件360”’，則可以稍晚進(jìn)行步驟402。如果不使用熱擴(kuò)散件，則步驟402被省略。通過步驟404，在基板112正面上針對(duì)多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)在器件層120中制造EAMR換能器。步驟404包括提供光學(xué)部件，諸如針對(duì)形成的每個(gè)磁頭110的光柵、波導(dǎo)和近場(chǎng)換能器。另外，還可以制造諸如屏蔽罩、電極、線圈和讀取傳感器的磁部件。通過步驟406，在器件層上提供覆蓋層130。覆蓋層130包括延伸穿過器件層120 的接觸件332。因此，在一些實(shí)施例中，步驟406包括在覆蓋層130和器件層120中形成通孔并且用合適的材料填充通孔。然而，如以上討論的，接觸件132之內(nèi)可以包括絕緣層，諸如層234。因此，接觸件132的在器件層120中的部分可以作為步驟404的一部分形成。例如，可以在器件層120中形成對(duì)應(yīng)于接觸件132的通孔。用導(dǎo)熱材料填充通孔至少直至絕緣層，諸如絕緣層234。導(dǎo)熱材料還可以是導(dǎo)電的。由此，可以接著在器件層120中的期望高度提供絕緣層。如果使用電絕緣材料，則可以提供電絕緣/熱傳導(dǎo)材料直至絕緣層234 的頂部。電和熱傳導(dǎo)材料接著可以填充器件層120中的通孔的剩余部分。這些活動(dòng)可以作為步驟404的一部分進(jìn)行。步驟406可以接著包括在覆蓋層130中形成通孔并且用導(dǎo)熱導(dǎo)電材料填充這些通孔。此外，如以上討論的，步驟406可以包括配置接觸件使得它們占據(jù)激光器140的占位的更大部分。例如，可以在步驟406中制造接觸件232’。另外，如果使用絕緣熱擴(kuò)散件360”’，則步驟406可以包括制造熱擴(kuò)散件360”’。通過步驟408，針對(duì)被制造的每個(gè)EAMR磁頭110提供至少一個(gè)激光器。步驟408 可以包括將激光器140結(jié)合到覆蓋層130，例如使用諸如結(jié)合墊242的結(jié)合墊。由此，激光器140與EAMR磁頭110熱、電、機(jī)械地耦合。通過步驟410，可選地將激光器140包含在外頂層150中。由此，激光器140可以被提供在空腔152中。外頂層150可以被結(jié)合到覆蓋層130。通過步驟412，將基板112分離為EAMR磁頭。例如，基板112可以被分成塊 (diced)，基板112可以被折疊以露出ABS。由此，可以制造EAMR磁頭110。EAMR磁頭210、 210，、210”、310、310，、310”和310”，可以按照類似方式制造。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)EAMR磁頭 110、210、210，、210”、310、310，、310”和 310”，的優(yōu)點(diǎn)。圖12是示出EAMR磁頭的制造方法420的示例實(shí)施例的流程圖。具體地，方法420 可以用于提供熱擴(kuò)散件160、360、360’和/或360”。盡管示出特定步驟，一些步驟可以省略、交叉、以其它順序進(jìn)行和/或合并。方法420在EAMR磁頭110的背景中描述。然而，方法420可以用于其它EAMR磁頭，包括但不限于EAMR磁頭110、210、210’、210”、310、310’、 310” 禾口 310”，。通過步驟422，在基板312中形成凹陷。針對(duì)熱擴(kuò)散件360，形成的凹陷包括條。然而，對(duì)于熱擴(kuò)散件的不同配置，形成的凹陷可以具有其它形狀。例如，對(duì)于熱擴(kuò)散件360’，凹陷可以是矩形板。通過步驟4M提供導(dǎo)熱材料。在一些實(shí)施例中，僅僅在凹陷中沉積導(dǎo)熱材料。然而，在其它實(shí)施例中，可以在凹陷之外沉積導(dǎo)熱材料。例如，在步驟424中可以進(jìn)行全膜沉積。通過步驟426，換能器可以接著被平坦化。例如，可以進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)。 由此，凹陷中的導(dǎo)熱材料被露出。由此，可以提供具有期望配置的熱擴(kuò)散件360或者360’。 因此，EAMR磁頭110、210、210’、210”、310、310’和/或310”可以具有改進(jìn)的熱管理。圖13是示出EAMR磁頭的制造方法420’的示例實(shí)施例的流程圖。具體地，方法 420’可以用于提供熱擴(kuò)散件360”’。盡管示出特定步驟，一些步驟可以省略、交叉、以其它順序進(jìn)行和/或合并。方法420在EAMR磁頭310”的背景中描述。然而，方法420可以用于其它 EAMR 磁頭，包括但不限于 EAMR 磁頭 110、210、210，、210”、310、310，、310” 和 / 或 310”，。通過步驟422’，以期望配置在基板上提供導(dǎo)熱材料。步驟422’可以包括沉積全膜，遮蔽導(dǎo)熱材料的一部分，接著去除導(dǎo)熱材料的露出部分。在另一實(shí)施例中，步驟422’可以包括在基板312”上提供掩膜。該掩膜露出其上面將提供有熱擴(kuò)散件360”的基板312”的一部分。接著在基板312”的露出導(dǎo)熱材料部分上沉積導(dǎo)熱材料。由此，熱擴(kuò)散件360”的期望形狀被制造。之后通過步驟424’沉積絕緣材料。步驟422’中提供的導(dǎo)熱材料還可以是導(dǎo)電的。 期望層的剩余部分是電絕緣的。因此，提供了絕緣材料。之后通過步驟426’換能器可以被平坦化。例如，可以進(jìn)行CMP。由此，導(dǎo)熱材料被露出。由此，可以提供被絕緣材料362圍繞的熱擴(kuò)散件360”。因此，EAMR磁頭110、210、 210，、210，，、310、310，和/或310”可以具有改進(jìn)的熱管理。使用方法400、420 和 420’，可以制造期望的 EAMR 磁頭 110、210、210’、210”、310、 310，、310”和/或310”，。由此，可以提供具有改進(jìn)的熱屬性的EAMR磁頭110、210、210，、 210”、310、310，、310” 和 / 或 310”，。
權(quán)利要求
1.一種能量輔助磁記錄磁頭，即EAMR磁頭，其包括?；澹浒ㄇ熬壓突逦簿?；至少一個(gè)EAMR換能器，其位于器件層中和基板尾緣上；覆蓋層，包括多個(gè)接觸件，所述器件層位于所述覆蓋層和所述基板尾緣之間；用于向所述EAMR換能器提供能量的至少一個(gè)激光器，所述覆蓋層位于所述基板尾緣和所述至少一個(gè)激光器之間，所述至少一個(gè)激光器電耦合于所述多個(gè)接觸件的至少第一部分，所述多個(gè)接觸件提供通過所述覆蓋層和所述器件層的熱連接，所述多個(gè)接觸件的至少第二部分與所述基板電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，其中所述覆蓋層還包括至少一個(gè)額外接觸件，所述至少一個(gè)激光器與所述至少一個(gè)額外接觸件電絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，其中所述至少一個(gè)激光器具有位于所述覆蓋層上的激光器占位，并且其中所述多個(gè)接觸件在第一方向上至少沿著所述激光器占位延伸，并且在第二方向上被分開一定距離，所述距離使所述多個(gè)電接觸件中的每個(gè)與所述覆蓋層中的任意其它電接觸件電隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的EAMR磁頭，其中所述距離是最小間隔，以使得所述多個(gè)電接觸件中的每個(gè)與所述覆蓋層中的任意其它電接觸件電隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，還包括多個(gè)激光器結(jié)合墊，用于將所述至少一個(gè)激光器與所述多個(gè)接觸件電連接并且將所述至少一個(gè)激光器與所述覆蓋層機(jī)械地耦合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，其中所述多個(gè)接觸件的第二部分中的每個(gè)內(nèi)包括絕緣層，所述絕緣層允許通過所述器件層的熱連接和到所述器件層的一部分的電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，還包括包圍所述至少一個(gè)激光器的外頂層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，還包括鄰近所述基板的一部分的熱擴(kuò)散件，所述熱擴(kuò)散件與所述多個(gè)接觸件的至少第三部分熱連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的EAMR磁頭，其中所述EAMR磁頭包括氣墊面，該氣墊面即ABS， 并且其中所述熱擴(kuò)散件的一部分占據(jù)所述ABS的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的EAMR磁頭，其中所述熱擴(kuò)散件包括導(dǎo)熱板。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的EAMR磁頭，其中所述熱擴(kuò)散件包括多個(gè)導(dǎo)熱條。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，其中所述覆蓋層還包括電絕緣的熱擴(kuò)散件，其與所述多個(gè)接觸件熱連接并且將所述多個(gè)接觸件電絕緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EAMR磁頭，其中所述多個(gè)接觸件包括Cu、Ag和Au中的至少一個(gè)。
14.一種能量輔助磁記錄磁盤驅(qū)動(dòng)器，即EAMR磁盤驅(qū)動(dòng)器，包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的介質(zhì)，以及滑動(dòng)件，其包括基板、器件層、位于所述器件層中的至少一個(gè)EAMR換能器和覆蓋層，所述基板包括前緣和基板尾緣，所述器件層位于所述基板尾緣上，所述覆蓋層包括多個(gè)接觸件，所述器件層位于所述覆蓋層和所述基板尾緣之間，所述多個(gè)接觸件提供通過所述覆蓋層和所述器件層的熱連接；以及用于向所述EAMR換能器提供能量的至少一個(gè)激光器，所述覆蓋層位于所述基板尾緣和所述至少一個(gè)激光器之間，所述至少一個(gè)激光器電耦合于所述多個(gè)接觸件的至少第一部分，所述多個(gè)接觸件的至少第二部分與所述基板電絕緣。
15.一種提供包括多個(gè)滑動(dòng)件的多個(gè)能量輔助磁記錄磁頭的方法，即提供包括多個(gè)滑動(dòng)件的多個(gè)EAMR磁頭的方法，所述方法包括在具有對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)滑動(dòng)件的尾緣的正面的基板上針對(duì)所述多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)在器件層中制造EAMR換能器；提供包括針對(duì)所述多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)的多個(gè)接觸件的覆蓋層，所述器件層位于所述覆蓋層和所述基板的所述正面之間；針對(duì)所述多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)提供至少一個(gè)激光器，所述至少一個(gè)激光器用于向所述EAMR換能器提供能量，所述覆蓋層位于所述基板的正面和所述至少一個(gè)激光器之間， 所述至少一個(gè)激光器電耦合于所述多個(gè)接觸件的至少第一部分，所述多個(gè)接觸件提供通過所述覆蓋層和所述器件層的熱連接，所述多個(gè)接觸件的至少第二部分與所述基板電絕緣; 以及將所述基板分成多個(gè)EAMR磁頭。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述至少一個(gè)激光器在所述覆蓋層上具有激光器占位，并且其中所述多個(gè)接觸件在第一方向上至少延伸越過所述激光器占位，并且在第二方向上被分開一定距離，所述距離是所述多個(gè)電接觸件中的每個(gè)與所述覆蓋層中的任意其它電接觸件電隔離的最小間隔。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括針對(duì)所述多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)提供多個(gè)激光器結(jié)合墊，所述多個(gè)激光器結(jié)合墊用于將所述至少一個(gè)激光器與所述多個(gè)接觸件電連接并且將所述至少一個(gè)激光器與所述覆蓋層機(jī)械連接；以及將所述至少一個(gè)激光器結(jié)合于所述激光器結(jié)合墊。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述多個(gè)接觸件的所述第二部分中的每個(gè)在其內(nèi)包括絕緣層，所述絕緣層允許通過所述器件層的熱連接和所述器件層的一部分之間的電連接，并且提供所述EAMR換能器的步驟還包括在所述器件層中提供對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)接觸件的多個(gè)通孔；在所述多個(gè)通孔中提供至少一個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)熱層；針對(duì)與所述多個(gè)接觸件的所述第二部分對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)通孔的一部分，在所述器件層中的期望位置沉積絕緣層；以及在所述多個(gè)通孔中沉積至少一個(gè)額外的導(dǎo)電導(dǎo)熱層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括在外頂層中包圍針對(duì)所述多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)的所述至少一個(gè)激光器。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括鄰近所述基板的一部分提供熱擴(kuò)散件，所述熱擴(kuò)散件與所述多個(gè)接觸件的至少第三部分熱連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述EAMR磁頭包括氣墊面，氣墊面即ABS，并且其中所述提供所述熱擴(kuò)散件的步驟還包括提供占據(jù)所述ABS的一部分的所述熱擴(kuò)散件的一部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述提供所述熱擴(kuò)散件的步驟還包括 針對(duì)所述多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)在所述基板中形成凹陷；以及在所述凹陷中提供導(dǎo)熱板。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述提供所述熱擴(kuò)散件的步驟還包括 在所述基板上提供導(dǎo)熱板；在所述導(dǎo)熱板上提供絕緣層；以及平坦化所述基板，露出所述導(dǎo)熱板的至少一部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述提供所述熱擴(kuò)散件的步驟還包括 針對(duì)所述多個(gè)EAMR磁頭中的每個(gè)在所述基板中形成凹陷；以及在所述凹陷中提供多個(gè)導(dǎo)熱條。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述提供所述熱擴(kuò)散件的步驟還包括 在所述基板上提供多個(gè)導(dǎo)熱條；在所述多個(gè)導(dǎo)熱條上提供絕緣層；以及平坦化所述基板，露出所述多個(gè)導(dǎo)熱條的至少一部分
26.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述提供所述覆蓋層的步驟還包括 提供與所述多個(gè)接觸件熱連接并且將所述多個(gè)接觸件電絕緣的電絕緣熱擴(kuò)散件。
全文摘要
本發(fā)明描述一種用于提供能量輔助磁記錄(EAMR)磁頭的方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)包括提供基板、至少一個(gè)EAMR換能器、覆蓋層和至少一個(gè)激光器?；寰哂星熬壓突逦簿墶AMR換能器位于器件層中和在基板尾緣上。覆蓋層包括多個(gè)接觸件。器件層在覆蓋層和基板尾緣之間。激光器向EAMR換能器提供能量。覆蓋層在基板尾緣和激光器之間。激光器電耦合于多個(gè)接觸件的至少第一部分。接觸件提供通過覆蓋層和器件層的熱連接。接觸件的至少第二部分與基板電絕緣。
文檔編號(hào)G11B5/127GK102298931SQ20111018301
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月25日
發(fā)明者L·王, S·李, W·嚴(yán) 申請(qǐng)人:西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司