專利名稱：對快閃存儲器系統(tǒng)中遞進(jìn)讀取的最優(yōu)參考電壓的確定的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及半導(dǎo)體存儲器系統(tǒng)，并且更具體而言，涉及對快閃存儲器系統(tǒng)中遞進(jìn)讀取的最優(yōu)參考電壓的確定。
背景技術(shù)：
在此提供的背景技術(shù)描述是為了總體上呈現(xiàn)本公開的上下文的目的。就在此背景技術(shù)部分中所描述的程度上的當(dāng)前提名發(fā)明人的工作以及在提交時不作為現(xiàn)有技術(shù)的描述方面，都不被明示或者暗示地承認(rèn)為本公開的現(xiàn)有技術(shù)。存儲器集成電路(IC)包括存儲器陣列。存儲器陣列包括布置成行和列的存儲器單元。存儲器單元可以包括易失性存儲器單元或者非易失性存儲器單元。易失性存儲器在存儲器單元斷電時丟失存儲在該存儲器單元中的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器在存儲器單元斷電時保留存儲在該存儲器單元中的數(shù)據(jù)。通過選擇行的字線(WL)和選擇列的位(比特)線(BL)對存儲器陣列的行與列中的存儲器單元尋址。存儲器IC包括WL解碼器和BL解碼器，所述解碼器分別在讀取/寫入(R/W)操作和擦除/編程(EP)操作期間選擇WL和BL?，F(xiàn)在參考圖1，存儲器IC 10包括存儲器陣列12 JL解碼器16、BL解碼器18以及控制模塊19。存儲器陣列12包括如圖所示布置成行和列的存儲器單元14。根據(jù)在R/W操作和EP操作期間選定的存儲器單元14的地址，WL解碼器16和BL解碼器18分別選擇WL禾口 BL0控制模塊19接收來自主機(jī)(未示出)的命令(例如，讀取、寫入、擦除、編程等等)。控制模塊19讀取和寫入選定的存儲器單元14中的數(shù)據(jù)。此外，當(dāng)存儲器單元14包含諸如快閃存儲器之類的非易失性存儲器單元時，控制模塊19對選定的存儲器單元14進(jìn)行擦除和編程。僅舉例而言，存儲器單元14可以包含NAND或NOR快閃存儲器單元。每個存儲器單元14可被編程用于存儲N個二進(jìn)制數(shù)(比特)的信息，其中N為大于或等于1的整數(shù)。因此，每個存儲器單元14可具有2n個狀態(tài)。為了使每個單元存儲N個比特，每個存儲器單元14可以包括具有2N個可編程閾值電壓(下稱“閾值電壓”)的晶體管。晶體管的2N個閾值電壓分別代表存儲器單元14的2n個狀態(tài)?，F(xiàn)在參考圖2，存儲器單元14-i可以包括具有閾值電壓Vt的晶體管50。晶體管50可以包括浮動?xùn)艠OG (下稱“柵極G”)、源極S和漏極D。在寫入操作期間存儲于柵極G中的電荷量決定了閾值電壓Vt的值以及存儲器單元14-i的狀態(tài)。僅舉例而言，根據(jù)存儲在柵極G中的電荷量，晶體管50可以具有兩個可編程閾值電壓Vn和VT2。當(dāng)存儲在柵極G中的電荷量為Ql時，晶體管50的閾值電壓為VT1。當(dāng)存儲在柵極G中的電荷量為Q2時，晶體管50的閾值電壓為VT2。根據(jù)存儲在柵極G中的電荷量，柵極電壓(即，Vgs)(其具有大于或等于Vn或者Vt2的值)可以導(dǎo)通晶體管50 ( S卩，生成預(yù)定的漏極電流)。通過測量晶體管50的閾值電壓Vt來讀取存儲器單元14的狀態(tài)(即，存儲在存儲器單元14中的數(shù)據(jù))。閾值電壓Vt無法被直接讀出。相反，閾值電壓Vt是通過向柵極G施加?xùn)艠O電壓并感測漏極電流來進(jìn)行測量的。通過跨晶體管50的源極S和漏極D施加小電壓來感測漏極電流。當(dāng)柵極電壓小于閾值電壓Vt時，晶體管50截止，并且漏極電流為低(接近于0)。相反地，當(dāng)柵極電壓大于或等于閾值電壓Vt時，晶體管50導(dǎo)通，并且漏極電流變高(即，等于與Vt對應(yīng)的預(yù)定漏極電流)。生成高漏極電流的柵極電壓值代表晶體管50的閾值電壓Vt。通常而言，每次感測存儲器陣列的一個塊或一個頁面中存儲器單元的狀態(tài)。該塊中存儲器單元的晶體管的柵極連接至一個WL。該WL被選定，并向該WL施加電壓。N比特存儲器單元的狀態(tài)通過以下方式進(jìn)行感測在WL上通過Qn-I)個電壓步進(jìn)，以及在晶體管的漏極電流首次超過預(yù)定(預(yù)編程)值時確定晶體管的閾值電壓。現(xiàn)在參考圖3A和圖3B，按如下所述測量晶體管50的閾值電壓。僅舉例而言，晶體管50可具有四個閾值電壓Vn至Vt4中之一，其中Vn < Vt2 < Vt3 < V140因此，存儲器單元14-i可具有四個狀態(tài)00、01、10和11中之一。在圖3A中，控制模塊19包括電壓發(fā)生器20和電流感測放大器22。電流感測放大器的數(shù)目等于BL的數(shù)目。例如，當(dāng)IC 10包括B個BL時，電流感測放大器22包含分別針對B個BL的B個電流感測放大器，其中B為大于1的整數(shù)。在圖;3B中，當(dāng)要確定存儲器單元的狀態(tài)時，WL解碼器16選擇包括存儲器單元
14-1,14-2.....14-i、...和14-n(統(tǒng)稱存儲器單元14)的虬。存儲器單元14中的每一個
都包含與晶體管50類似的晶體管。這些晶體管被示為在柵極中存儲電荷的電容C。當(dāng)讀取操作開始時，電壓發(fā)生器20向WL解碼器16供應(yīng)電壓(例如，階梯電壓)。WL解碼器16將該電壓輸入到選定的WL。因此，該電壓被施加到選定的WL上的晶體管的柵極。電流感測放大器22針對每個BL包含一個電流感測放大器。例如，電流感測放大器22-i與位線BL-i相通信，并且感測流經(jīng)存儲器單元14-i的晶體管50的漏極電流。電流感測放大器22-i通過跨晶體管50的源極和漏極施加小電壓而對漏極電流進(jìn)行感測。每個電流感測放大器對流經(jīng)存儲器單元14的相應(yīng)晶體管的漏極電流進(jìn)行感測?？刂颇K19基于由相應(yīng)的電流感測放大器22感測的漏極電流來測量晶體管的閾值電壓。

發(fā)明內(nèi)容
一種系統(tǒng)，包括參考電壓模塊，該模塊用于(i)在與存儲器單元的第一狀態(tài)對應(yīng)的第一閾值電壓和與存儲器單元的第二狀態(tài)對應(yīng)的第二閾值電壓之間選擇第一參考電壓；(ii)選擇小于第一參考電壓的第二參考電壓；以及(iii)選擇大于第一參考電壓的第三參考電壓。該系統(tǒng)包括讀取模塊，用于執(zhí)行第一讀取操作以基于第一參考電壓來確定存儲器單元的狀態(tài)，以及響應(yīng)于對在第一讀取操作中從存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第一次失敗而執(zhí)行(i)第二讀取操作，以基于第二參考電壓來確定所述狀態(tài)；以及(ii)第三讀取操作，以基于第三參考電壓來確定所述狀態(tài)。在另一特征中，該系統(tǒng)進(jìn)一步包括移位檢測模塊，用以響應(yīng)于對在第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作中從存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第二次失敗而檢測在第一閾值電壓和第二閾值電壓中的至少一個的分布中的移位，并且用以確定移位量。在其他特征中，該系統(tǒng)進(jìn)一步包括分箱(binning)模塊，用于基于第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，將第一閾值電壓和第二閾值電壓的分布劃分為四個箱(bin)；以及對數(shù)似然比模塊，用于基于分布的方差(variance)來生成四個箱的對數(shù)似然比。在其他特征中，該系統(tǒng)進(jìn)一步包括電壓選擇模塊，配置用于選擇與第一閾值電壓毗鄰的第一電壓；電壓遞增模塊，配置用于以預(yù)定量遞增第一電壓，直至第一電壓增大至第一閾值電壓與第二閾值電壓的中點(diǎn)；以及參數(shù)生成模塊，配置用于生成針對第一電壓的每個經(jīng)遞增的值的參數(shù)。針對第一電壓的經(jīng)遞增的值的參數(shù)指示關(guān)于存儲器單元的實際狀態(tài)的統(tǒng)計確定性。參考電壓模塊選擇第一電壓的經(jīng)遞增的值中具有最高統(tǒng)計確定性值的一個作為第二參考電壓。本公開的其他適用領(lǐng)域?qū)脑敿?xì)描述、權(quán)利要求以及附圖中變得顯而易見。詳細(xì)描述和具體示例旨在僅用于示例說明的目的，而不是為了對本公開的范圍作出限制。


從詳細(xì)描述和附圖中將更加充分地理解本公開，其中圖1是存儲器集成電路(IC)的功能框圖；圖2是多級存儲器單元的示意圖；圖3A和圖;3B為圖1的存儲器IC的功能框圖；圖4A描繪了 3比特存儲器單元的電荷電平分布；圖4B描繪了由于3比特存儲器單元的循環(huán)而在圖4A的電平分布中產(chǎn)生的漂移；圖5描繪了單比特單元的閾值電壓分布以及用以執(zhí)行多次讀取操作的參考電壓；圖6A描繪了單比特單元的閾值電壓分布的分箱(binning)；圖6B示出了針對單比特單元的2輸入、4輸出通道；圖7A是當(dāng)閾值電壓分布的中心沒有移位時的箱計數(shù)直方圖；圖7B是當(dāng)閾值電壓分布的中心已經(jīng)移位時的箱計數(shù)直方圖；圖7C描繪了單比特單元的閾值電壓分布，以及當(dāng)該閾值電壓分布的中心已經(jīng)移位時參考電壓的非對稱選擇的示例；圖8是用于確定參考電壓的方法的流程圖，該參考電壓用于執(zhí)行多次讀取操作以估計存儲器單元的閾值電壓；以及圖9A和圖9B是用于確定參考電壓的系統(tǒng)的功能框圖，該參考電壓用于執(zhí)行多次讀取操作以估計存儲器單元的閾值電壓。
具體實施方式
以下描述的性質(zhì)僅僅是示例說明性的，并且絕非為了限制本公開、其應(yīng)用或者用途。為了清楚起見，在附圖中將會使用相同參考編號來標(biāo)識類似的元件。本文中所使用的用語“A、B和C中的至少一個”應(yīng)當(dāng)被理解為使用非排他性邏輯OR的邏輯(A或B或C)。應(yīng)當(dāng)理解，方法內(nèi)的步驟可以以不同順序執(zhí)行，而不改變本公開的原理。本文中所使用的術(shù)語“模塊”可以指以下項目、可以是以下項目的一部分、或者可以包括以下項目專用集成電路(ASIC)；電子電路；組合邏輯電路；現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)；執(zhí)行代碼的(共享、專用或群組)處理器；提供所描述的功能性的其他適當(dāng)組件；或者某些或所有上述項目的組合(諸如在片上系統(tǒng)中)。術(shù)語“模塊”可以包括存儲由處理器執(zhí)行的代碼的(共享、專用或群組)存儲器。上文使用的術(shù)語“代碼”可以包括軟件、固件和/或微碼，并且可以指程序、例程、函數(shù)、類和/或?qū)ο?。上文使用的術(shù)語“共享”指的是來自多個模塊的某些或所有代碼可以使用單個(共享)處理器來執(zhí)行。此外，來自多個模塊的某些或所有代碼可由單個(共享)存儲器來存儲。上文使用的術(shù)語“群組”指的是來自單個模塊的某些或所有代碼可以使用一個群組的處理器來執(zhí)行。此外，來自單個模塊的某些或所有代碼可以使用一個群組的存儲器來存儲。本文所描述的裝置和方法可以通過由一個或多個處理器執(zhí)行的一個或多個計算機(jī)程序來實現(xiàn)。計算機(jī)程序包括存儲在非臨時性(non-transitory)有形計算機(jī)可讀介質(zhì)上的處理器可執(zhí)行指令。計算機(jī)程序還可以包括存儲的數(shù)據(jù)。非臨時性有形計算機(jī)可讀介質(zhì)的非限制性示例有非易失性存儲器、磁存儲和光存儲。通過存儲不同的電荷量來存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器單元的狀態(tài)可以通過測量該存儲器單元的閾值電壓來加以感測。然而，閾值電壓是無法直接讀出的。相反，閾值電壓是通過施加電壓、測量漏極電流以及將所施加的電壓與預(yù)定參考電壓進(jìn)行比較而確定出來的。通常，僅使用一個參考電壓來執(zhí)行單個讀取操作，以確定存儲器單元的閾值電壓。然而，當(dāng)發(fā)生錯誤時，可能必須執(zhí)行多次讀取操作(讀取)來正確地確定存儲器單元的閾值電壓。本公開涉及用于確定用以執(zhí)行遞進(jìn)讀取的最優(yōu)參考電壓的系統(tǒng)及方法。具體而言，可以使用一個或多個參考電壓來執(zhí)行一次或多次讀取操作，以確定存儲器單元的閾值電壓。如果單個讀取操作無法正確地確定閾值電壓，則執(zhí)行不止一次讀取操作。如下文所解釋的那樣，在統(tǒng)計上計算參考電壓。如果錯誤持續(xù)存在，則可以遞進(jìn)地增加讀取操作的數(shù)目。在遞進(jìn)讀取中，當(dāng)讀取操作的數(shù)目增加時，并不重新確定所有的參考電壓。相反，來自先前讀取的參考電壓得以保留，并且只重新計算附加的參考電壓。此外，在增加讀取操作的數(shù)目之前，可以調(diào)節(jié)現(xiàn)有參考電壓以對閾值電壓分布中的漂移作出補(bǔ)償，并且可以重試現(xiàn)有數(shù)目的讀取。本文還公開了代替對參考電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的、可用于補(bǔ)償漂移的其他方法。在諸如快閃存儲器系統(tǒng)之類的某些存儲器系統(tǒng)中，存儲器單元通過在晶體管的被稱為浮動?xùn)艠O的隔離區(qū)域中捕獲顆粒化(granulized)的電荷量來存儲數(shù)據(jù)。通過向晶體管施加電壓并估計讀出電流(由捕獲的電荷量所決定)來讀取在存儲器單元(例如，如下文所解釋的晶體管)中存儲的數(shù)據(jù)。當(dāng)所施加的電壓大于或等于晶體管的閾值電壓(由捕獲的電荷量所決定)時，晶體管導(dǎo)通，并且讀出電流為高。存儲器單元可以每個單元存儲一個或多個比特，并且可以相應(yīng)地被稱為單級存儲器單元或多級存儲器單元。單級存儲器單元可以存儲一比特的信息。僅舉例而言，該比特可以在存儲器單元中存儲有電荷時為邏輯0，或者在存儲器單元中未存儲電荷時為邏輯1。多級存儲器單元可以通過存儲不同量的電荷或電荷電平來存儲不止一個比特的信息。例如，假設(shè)Q是可在多級存儲器單元中捕獲的電荷的最大量。在這樣的存儲器單元中可以通過存儲介于0與Q之間的顆?；碾姾闪縼泶鎯Σ恢挂粋€比特的信息。僅舉例而言，在一個多級存儲器中可以通過捕獲四個電荷電平0、Q/3、2Q/3、Q中的任何一個來存儲2比特的信息。捕獲電荷的過程被稱為編程。所捕獲的電荷的各種電平轉(zhuǎn)化為存儲器單元的不同閾值電壓。存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)可以通過估計存儲器中存儲的電荷量來讀取。存儲器單元中存儲的電荷量通過施加電壓并讀取電流來估計。當(dāng)電流變高時，將所施加的電壓與參考電壓中的一個進(jìn)行對比。參考電壓對應(yīng)于各個狀態(tài)并且對應(yīng)于存儲器單元的閾值電壓，而這取決于在存儲器單元中捕獲的電荷量?，F(xiàn)在參考圖4A，其示出了 3比特存儲器單元的閾值電壓分布的示例。該3比特存儲器單元僅用于舉例。該討論適用于任何具有2N個標(biāo)稱電壓閾值和Qn-I)個參考電壓的N比特存儲器單元，其中N為大于1的整數(shù)。3比特存儲器單元可以存儲多達(dá)八個不同電荷電平，其中每個電荷電平對應(yīng)于八個不同狀態(tài)中的一個。因此，存儲器單元的閾值電壓分布包括八個不同的標(biāo)稱閾值電壓。這八個標(biāo)稱閾值電壓分別關(guān)聯(lián)于可能在存儲器單元中存儲的八個電荷電平。雖然要編程至期望狀態(tài)的單元被編程至對應(yīng)于期望狀態(tài)的電荷電平，但在單元被編程至期望狀態(tài)時存儲在該單元中的實際電荷可以不同，并產(chǎn)生圍繞標(biāo)稱閾值電壓的閾值電壓分布。因此，閾值電壓可以具有分布而不是單一值。毗鄰的電荷電平的交點(diǎn)限定了可以用來在讀取操作期間檢測存儲器單元中所存儲之?dāng)?shù)據(jù)的參考電壓。因此，3比特存儲器單元具有七個參考電壓^工到^^)——它們位于毗鄰的分布曲線相交之處。在讀取操作期間應(yīng)當(dāng)知曉參考電壓，以確定電荷電平并且由此確定存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)。最初，在制造時設(shè)定參考電壓。隨后，在正常讀取操作期間，(通過向柵極施加電壓并測量漏極電流)測量存儲器單元的閾值電壓，并將其與七個參考電壓進(jìn)行比較，以確定在存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)(即，存儲器單元的狀態(tài))。僅舉例而言，當(dāng)閾值電壓小于或等于Vri時，在存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)為111。當(dāng)閾值電壓小于或等于Vrf并且大于Vri時，在存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)為110，并依此類推。最后，當(dāng)閾值電壓大于Vrt時，在存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)為011?，F(xiàn)在參考圖4B，諸如多級快閃存儲器單元之類的存儲器單元在反復(fù)的讀取、寫入、擦除和/或編程操作(統(tǒng)稱為循環(huán))之后可能遭受電荷保持損失。例如，存儲器單元的浮動?xùn)艠O周圍的氧化物在反復(fù)的循環(huán)之后可能退化。因此，如圖所示，閾值電壓分布在循環(huán)之后可能改變或者漂移。相應(yīng)地，在循環(huán)之后，使用源自循環(huán)之前的初始參考電壓讀取的數(shù)據(jù)可能不正確。讀取操作通常涉及作出關(guān)于存儲器單元中所存儲比特的硬決策?？紤]能夠存儲0或者1的單比特存儲器單元。假設(shè)與所存儲的值(即，狀態(tài))0和1相對應(yīng)的標(biāo)稱閾值電壓分別為Vtl和Vp不失一般性地，假定Vtl >Vi。由于單比特存儲器單元可以具有0或者1這兩個狀態(tài)，因此設(shè)定在Vtl和V1的中心的僅一個參考電壓\通常就足以檢測單比特存儲器
10單元的狀態(tài)。由于使用和操作條件(例如，噪聲)，閾值電壓可隨時間推移而改變。如果這兩個閾值電壓全都受到類似的噪聲條件，則可將參考電壓t設(shè)定至Vtl和V1的中點(diǎn)，S卩，Vr =0.5*%+%)?？梢宰C明，從誤碼率(BER)的角度而言，對t的這一設(shè)定是最優(yōu)的。將單元的閾值電壓(即，漏極電流在其上為高的電壓)與\進(jìn)行比較。如果閾值電壓大于Vp則單元被讀取為0，否則被讀取為1。這被稱為硬決策——因為讀取操作的結(jié)果是關(guān)于存儲器單元狀態(tài)的硬決策。一般地，每次對一個塊或者一個頁面中的存儲器單元進(jìn)行讀取。亦即，向一個頁面中的存儲器單元施加電壓，并且根據(jù)該單元的閾值電壓是大于還是小于參考電壓而將單元讀取為存儲了 0或者1。當(dāng)噪聲電平高或者單元的閾值電壓分布由于使用而移位時，如果未對參考電壓作出調(diào)整以考慮噪聲或移位，則硬決策可能是不正確的?？梢允褂眉m錯解碼器來糾正某些錯誤。然而，并非所有錯誤都能夠被糾正。在確定存儲器單元的閾值電壓時，通過執(zhí)行更多的讀取而不是僅執(zhí)行單次讀取，可以減少錯誤。具體而言，可以使用附加的參考電壓來執(zhí)行附加的讀取，以確定閾值電壓。通過執(zhí)行更多的讀取，可以收集更多關(guān)于單元中所存儲之?dāng)?shù)據(jù)的信息。通過執(zhí)行附加讀取而收集到的附加信息被稱為軟信息，其可由解碼器用于糾正錯誤。現(xiàn)在參考圖5，例如，考慮可以存儲1或者0的單比特單元的閾值電壓分布。對應(yīng)于單元的兩個狀態(tài)的標(biāo)稱電壓電平分別被記為-1和1。僅舉例而言，-1和1可以分別對應(yīng)于IV和4V。亦即，在圖5中，V1和V?？梢苑謩e等于IV和4V。假定在三個讀取操作中使用三個參考電壓Vri < Vr2 < Vri來確定單元的閾值電壓。亦即，將施加至單元的電壓與這三個參考電壓進(jìn)行比較，以確定單元的閾值電壓。這三個參考電壓將包括有閾值電壓的實線分割成四個區(qū)域R1 =(-①，Vrl]、R2= (Vrl，Vr2]、R3 =(Vr2,Vr3]和R4 = (Vr3,-)。通過執(zhí)行三個讀取，可將單元的閾值電壓分箱至四個區(qū)域或箱中之一。具有處于箱0中的閾值電壓的單元更有可能已存儲a-Ι，而具有處于箱3中的閾值電壓的單元更有可能已存儲al。然而，具有處于箱1和箱2中的閾值電壓的單元則可能已存儲a-Ι或者al。關(guān)于處于箱1和箱2中的單元狀態(tài)的不確定性可以通過進(jìn)一步增加讀取的數(shù)目而得以減少。亦即，可以通過增加讀取的數(shù)目來更加準(zhǔn)確地確定單元的閾值電壓。然而，對于實際用途而言，應(yīng)當(dāng)使讀取的數(shù)目保持有限?，F(xiàn)在解釋軟信息的概念。假設(shè)單元的閾值電壓處于箱0中。在所讀取的閾值電壓(即，Y)位于箱0中(即，Y ε箱0)的條件下單元狀態(tài)為1( S卩，X=I)的概率P
表示為P箱0)0類似地，在所讀取的閾值電壓(即，Y)位于箱0中(即，
YC箱0)的條件下單元狀態(tài)為-ι(即，X = -I)的概率ρ表示為P (X=-I丨Ye
箱ο)。如果單元的閾值電壓在箱0中，則概率ρ (x^1丨Υe箱ο)相對要高于概率
P (X=I I Y € 箱 0)。針對每個單元計算這些概率，并且根據(jù)這些概率計算出對數(shù)似然比(LLR)。具體而言，當(dāng)一個單元的閾值電壓位于一個箱中時(即，當(dāng)Y為已知時)，可以計算LLR以確定該單元的實際閾值電壓(即，X)是1還是-1。LLR表示為log[p(X= Ι|γ)/ρ(χ = -ι|γ)]。ρ (χ=1|Υ)是在Y(即，當(dāng)所讀取的閾值電壓處于給定的箱中時)的條件下單元的實際閾值電壓X為1的概率。P(x = -11 Y)是在Υ(即，當(dāng)所讀取的閾值電壓處于給定的箱中時)的條件下單元的實際閾值電壓為-1的概率。概率P(X = IlY)與P(X = -IlY)之和為1。亦即，ρ(χ = 11 γ) +ρ (χ = -ι |γ) = 1。如果P (Χ = 11 Y)大于 P (Χ = -ι ι Y)則 LLR 為正，而如果 P (Χ = 11 Y)小于 P (X= "1|Υ)則LLR為負(fù)。因此，如果LLR的符號為正，則單元的實際閾值電壓更可能為1，而如果LLR的符號為負(fù)，則單元的實際閾值電壓更可能為-1。LLR的量值的絕對值指示結(jié)果的可信度。該量值的絕對值越高，結(jié)果的可信度就越大。換言之，LLR的符號指示硬決策，而LLR的量值的絕對值則指示該硬決策的可靠性。因而，當(dāng)執(zhí)行單個讀取來對單元的塊進(jìn)行讀取時，結(jié)果為與單元關(guān)聯(lián)的硬決策1和硬決策-1的流。另一方面，當(dāng)執(zhí)行多次讀取時，結(jié)果為與單元關(guān)聯(lián)的箱數(shù)。在最右邊的箱中和在最左邊的箱中的單元的狀態(tài)分別為1和-1，具有高可靠性。關(guān)于在最右邊的箱和最左邊的箱中的單元的狀態(tài)的信息是軟信息，該軟信息可由解碼器用于確定狀態(tài)為不確定的其余單元的狀態(tài)。用于多次讀取的參考電壓可按如下設(shè)定。一般而言，可將執(zhí)行t次讀取的過程解讀為將閾值電壓所位于其上的實線分為(t+Ι)個區(qū)域，并將單元的閾值電壓分箱至這些區(qū)域中之一。更一般而言，可將這一過程解讀為具有兩個輸入(-1和1)與(t+ι)個輸出(即，(t+Ι)個區(qū)域或箱)的通道。舉例而言，如圖5中所示，通過執(zhí)行三次讀取，可將單元的閾值電壓分箱至四個區(qū)域或箱之一?，F(xiàn)在參考圖6A和圖6B，圖中示出了 2輸入、4輸出通道。兩個輸入是單元的標(biāo)稱閾值電壓(-1或1)。四個輸出是所讀取的存儲器單元的閾值電壓所位于其中的四個箱。具有與狀態(tài)-1對應(yīng)的閾值電壓的單元可以位于4個箱中的任何一個之中。對應(yīng)于狀態(tài)-1的閾值電壓位于箱0中的概率最高。然而，對應(yīng)于狀態(tài)-1的閾值電壓也可能位于箱1到箱3中。與讀取自單元的狀態(tài)-1對應(yīng)的閾值電壓位于箱1、箱2和箱3中的概率分別為α、β和Y。因此，對應(yīng)于狀態(tài)-1的閾值電壓位于箱0之中的概率為(1-(α+β + Υ))。針對具有對應(yīng)于狀態(tài)1的閾值電壓的單元可獲得類似的分析。概率α、β禾Π γ是三個參考電壓Vri、Vr2和Vri的函數(shù)。概率α、β禾Π γ可基于閾值電壓分布的方差來計算。繼而可以基于概率α、β和Υ來選擇參考電壓Vri、Vrf和
Vr3。根據(jù)信息論，參考電壓的最佳值是給出具有最多互信息(mutual information)的通道的那些值?；バ畔⑹且环N度量，其對輸出所包含的關(guān)于輸入的信息量作出量化。因此，參考電壓的最佳值是給出如下通道的那些值——在該通道中輸出包含關(guān)于輸入的最多信肩、ο互信息的概念可通過考慮以下示例來理解。假設(shè)投擲骰子，并且僅有的關(guān)于輸出的可用信息是該輸出為偶數(shù)。該信息將指示輸出可以是2、4或者6。亦即，該信息關(guān)于輸出的實際值具有一些不確定性。然而，如果有關(guān)于輸出的附加信息可用——指示該輸出還可以被4整除，則該輸出毫無疑問會是4，這是因為其他值0和6)不能被4整除。關(guān)于輸出是偶數(shù)并且輸出可被4整除的附加信息被稱為互信息。
在存儲器單元的情況中，通過觀察輸出Y( S卩，所讀取的閾值電壓所位于其中的箱)來估計單元的閾值電壓(即，X)。輸出Y的最佳值是給出關(guān)于X的最多互信息從而使得對X的估計最為準(zhǔn)確的那個值。從數(shù)學(xué)上講，通道的互信息可按如下計算。設(shè)X為隨字母表χ和概率質(zhì)量函數(shù)ρ(Χ) =Ρι·{Χ = χ}，Χεχ的離散隨機(jī)變量。X的熵由以下公式定義。訊=l0S(Mjf))—對具有聯(lián)合分布ρ (X，y)的離散隨機(jī)變量(X，Y)的聯(lián)合熵H(X，Y)由以下公式定義。H (不 =P^ 'V) loS(夕(X，力)
WJ一對隨機(jī)變量(X，Y)的互信息I (X，Y)由以下公式給出。I (X，Y) = H (X) +H (Y) -H (X，Y) = H (X) -H (X | Y) = H (Y) -H (Y | X)在互信息I (X，Y)中，H⑴是關(guān)于X的不確定性(即，X是-1還是1)。H(X|Y)是在給定Y時關(guān)于X的不確定性的量。如果H(XlY)為0，則Y完全確定X。反之，如果H(XlY)為1，則Y沒有提供關(guān)于X的任何信息，且X是完全不確定的。因此，I (X，Y)是因Y的知識而導(dǎo)致的X中不確定性的減少。因此，應(yīng)當(dāng)選擇給出關(guān)于單元的實際閾值電壓的最多信息的參考電壓來執(zhí)行讀取操作。一般而言，執(zhí)行t次讀取給出具有2個輸入和(t+Ι)個輸出的通道。最佳的具有t個參考電壓的集合是給出具有最多互信息的通道的集合。因此，可以通過考慮參考電壓的不同設(shè)定、計算所得通道的互信息、以及選擇具有最多互信息的通道，來找到參考電壓的最優(yōu)集合。一般而言，可以執(zhí)行兩次附加讀取來生成軟信息的一個額外的比特。具體而言，對于單次讀取，可將參考電壓設(shè)定在從-1到1的閾值電壓分布的中心處(即，在0)。舉例而言，如果與狀態(tài)-1和1對應(yīng)的閾值電壓V1和Vtl分別為IV和4V，則可將參考電壓設(shè)定在0.5*(1V+4V) =2.5V。對于三次讀取，可按以下確定三個參考電壓。可將介于狀態(tài)-1和1之間的閾值電壓值范圍分為多個值。每個值都可被考慮成是參考電壓的候選。參考電壓中之一設(shè)定在范圍(_1，1)的中心處(例如，在0處)。在其他兩個參考電壓中，如圖6A中所示一個參考電壓被考慮為a值，其可在-1與0之間變動；而另一參考電壓可被考慮為-a。最初，將a設(shè)定為-1，并以預(yù)定增量(例如，0.01的增量)從_1向0變動。針對a
的每個值(例如，-l、-0. 99.....和-0. 01)，計算概率α、β和Y以及互信息I (X，Y)。根
據(jù)互信息的值(在該示例中，由于增量為0. 01而有100個值)，選擇I (Χ，Υ)的最大值以及與Ι(Χ，Υ)的最大值對應(yīng)的a值。僅舉例而言，與I(X，Y)的最大值對應(yīng)的a值可以是-0.3。因為參考電壓中之一設(shè)定在范圍(_1，1)的中心處(即，在0處)，因而由于圍繞中心的對稱，_a的值自動地變?yōu)?.3。因此，可將三個參考電壓在范圍(_1，1)上選為-0. 3、0和0. 3?？梢灶愃频卮_定針對五次讀取、七次讀取等等的參考電壓。隨著讀取的數(shù)目的增加，以下也會增加諸如用于存儲附加讀取中所讀取的數(shù)據(jù)的存儲器之類的資源、在對數(shù)據(jù)的處理中的延遲以及在執(zhí)行附加讀取和處理中所消耗的功率。因此，可以在制造期間限制和預(yù)設(shè)讀取的最大數(shù)目。
隨著讀取的數(shù)目的增加，用于選擇附加參考電壓的計算的數(shù)目也會增加。為了限制復(fù)雜度，可以使用遞進(jìn)讀取——其中針對(t+幻次讀取的參考電壓根據(jù)針對t次讀取的參考電壓來確定。由于針對先前t次讀取的參考電壓是已知的，因此在執(zhí)行(t+幻次讀取時只需確定兩個附加參考電壓。可以考慮這兩個額外參考電壓的所有可能的值?？梢赃M(jìn)一步簡化該過程，以在附加讀取的數(shù)目遞增2時僅計算兩個附加參考電壓中的一個。由于閾值電壓如上所述圍繞中心的對稱而自動地獲得另一參考電壓。舉例而言，當(dāng)將讀取的數(shù)目從三遞增至五時，僅計算第四參考電壓，這是因為可以通過改變第四參考電壓的符號而自動抵達(dá)第五參考電壓。類似地，當(dāng)將讀取的數(shù)目從五遞增至七時，僅計算第六參考電壓，這是因為可以通過改變第六參考電壓的符號而自動抵達(dá)第七參考電壓，依此類推。在計算參考電壓時，同時計算與每個箱關(guān)聯(lián)的概率和LLR。LLR被分配給相應(yīng)的箱。像參考電壓一樣，LLR值也可以圍繞閾值電壓分布的中心對稱。例如，針對箱OWLLR值除了符號改變之外可以與針對箱3的LLR值相同。類似地，針對箱1的LLR值除了符號改變之外可以與針對箱2的LLR值相同，等等。當(dāng)參考電壓在硬決策期間被設(shè)定在范圍(_1，1)的中心時，在硬決策中和/或利用參考電壓執(zhí)行的三次或更多次讀取中可能發(fā)生錯誤。錯誤可能在中心由于使用和/或噪聲而移位時發(fā)生。例如，對應(yīng)于狀態(tài)-1與1的閾值電壓分布的平均值和/或閾值電壓分布的方差可能變化，從而導(dǎo)致中心從0移位。相應(yīng)地，不論讀取的數(shù)目如何增加，錯誤仍可能持續(xù)存在或者可能不會減少。因此，在進(jìn)一步增加讀取的數(shù)目(例如，從3次到5次)之前應(yīng)當(dāng)確定在現(xiàn)有數(shù)目的讀取中的錯誤的原因。錯誤可能是由中心的移位造成的，或者是因為現(xiàn)有數(shù)目的讀取不足以減少錯誤。如果錯誤由于中心的移位而發(fā)生，則可以估計移位量，可以基于該移位量來調(diào)節(jié)三個參考電壓，并且可以在進(jìn)一步增加讀取的數(shù)目之前使用經(jīng)調(diào)節(jié)的參考電壓來重試三次或更多次讀取。備選地，除了調(diào)節(jié)參考電壓以外，可以重新計算LLR以便將移位納入考慮并且可以將LLR重新分配給箱，并且可以在進(jìn)一步增加讀取的數(shù)目之前使用經(jīng)調(diào)節(jié)的參考電壓來重試三次或更多次讀取。此外，可以計算附加的參考電壓(例如，第四和第五參考電壓)并且可以將其非對稱地設(shè)定(例如，在中心的一側(cè)而非中心的任一側(cè))，以對移位作出補(bǔ)償?，F(xiàn)在參考圖7A-圖7C，可以按如下所述檢測和補(bǔ)償中心的移位。例如，當(dāng)正確地估計了中心時，三次讀取的結(jié)果可以以圖7A中所示的直方圖形式出現(xiàn)，其中箱計數(shù)是對稱的。亦即，箱0和箱3的箱計數(shù)相同，并且箱1和箱2的箱計數(shù)相同。當(dāng)沒有針對移位而調(diào)節(jié)中心移位和參考電壓時，錯誤可能變得圍繞中心不對稱。因此，箱計數(shù)將會是非對稱的，尤其對于如圖7B中所示的箱1和箱2將會是非對稱的。圖7B中所示的直方圖表明，錯誤歸因于中心的移位?？梢宰C明，中心的移位量可根據(jù)直方圖確定。隨后，可以糾正中心和參考電壓以將移位納入考慮，并且可以重試當(dāng)前數(shù)目的讀取。備選地，可以改變箱的LLR分配而非調(diào)節(jié)或重新計算參考電壓來將移位納入考慮，并且可以使用現(xiàn)有參考電壓來重試當(dāng)前數(shù)目的讀取。如果錯誤持續(xù)存在或者不減少，則可以增加讀取的數(shù)目。當(dāng)在確定中心已經(jīng)移位
14之后增加讀取的數(shù)目時，不將附加的參考電壓圍繞該中心對稱地設(shè)定。相反，將附加的參考電壓相對于中心非對稱地設(shè)定。例如，全部兩個附加的參考電壓都設(shè)定在中心的與移位方向相反的方向上的同一側(cè)上(見圖7C中的Vr4和Vr5)。可按以下數(shù)學(xué)地確定針對遞進(jìn)讀取的最優(yōu)參考電壓。最初，確定要執(zhí)行的附加讀取的數(shù)據(jù)并例如將其記為a。如果針對一定數(shù)目的讀取進(jìn)行的解碼失敗，則執(zhí)行a次附加讀取。a的值通常為1或者2，并且可以是任何正整數(shù)。給定針對t次讀取的最優(yōu)參考電壓，通過最大化2個輸入、(t+a)個輸出通道的互信息來確定針對第(t+a)次讀取的參考電壓。特別是，可以證明
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包括參考電壓模塊，配置用于在與存儲器單元的第一狀態(tài)對應(yīng)的第一閾值電壓和與所述存儲器單元的第二狀態(tài)對應(yīng)的第二閾值電壓之間選擇第一參考電壓，以及選擇第二參考電壓，其中所述第二參考電壓小于所述第一參考電壓，以及選擇第三參考電壓，其中所述第三參考電壓大于所述第一參考電壓；以及讀取模塊，配置用于執(zhí)行第一讀取操作，以基于所述第一參考電壓確定所述存儲器單元的狀態(tài)，以及響應(yīng)于對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第一次失敗，執(zhí)行第二讀取操作以基于所述第二參考電壓確定所述存儲器單元的狀態(tài)，以及執(zhí)行第三讀取操作以基于所述第三參考電壓確定所述存儲器單元的狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括移位檢測模塊，該模塊配置用于響應(yīng)于對在所述第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第二次失敗，檢測所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓中的至少一個的分布中的移位，以及確定所述移位的量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述參考電壓模塊被配置用于響應(yīng)于所述移位的量大于或等于預(yù)定閾值，基于所述移位的量來調(diào)節(jié)所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓；以及所述讀取模塊被配置用于分別基于經(jīng)調(diào)節(jié)的第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，重試所述第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，還包括分箱模塊，配置用于基于所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，將所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓的所述分布劃分為四個箱；以及對數(shù)似然比模塊，配置用于基于所述分布的方差，生成針對所述四個箱的對數(shù)似然比。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述對數(shù)似然比模塊被配置用于基于所述移位的量來調(diào)節(jié)所述對數(shù)似然比，以及其中所述讀取模塊被配置用于分別基于經(jīng)調(diào)節(jié)的對數(shù)似然比以及所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，重試所述第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述對數(shù)似然比模塊被配置用于基于所述移位的量來調(diào)節(jié)所述對數(shù)似然比，該系統(tǒng)還包括解碼器模塊，配置用于對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼，以及響應(yīng)于對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的所述第一次失敗以及所述移位的量小于預(yù)定閾值，使用經(jīng)調(diào)節(jié)的對數(shù)似然比來對從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼，而不是執(zhí)行附加的讀取操作。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中響應(yīng)于所述移位的量小于或等于預(yù)定閾值所述參考電壓模塊被配置用于選擇第四參考電壓，其中所述第四參考電壓不同于所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，以及選擇第五參考電壓，其中所述第五參考電壓不同于所述第一參考電壓、第二參考電壓、第三參考電壓和第四參考電壓；以及所述讀取模塊被配置用于執(zhí)行第四讀取操作和第五讀取操作，以分別基于所述第四參考電壓和第五參考電壓來確定所述存儲器單元的狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中響應(yīng)于對在所述重試的第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作之后從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第三次失敗所述參考電壓模塊被配置用于選擇第四參考電壓和第五參考電壓，其中所述第四參考電壓與所述第一參考電壓之間的第一差值不等于所述第五參考電壓與所述第一參考電壓之間的第二差值；以及所述讀取模塊被配置用于執(zhí)行第四讀取操作和第五讀取操作，以分別基于所述第四參考電壓和第五參考電壓來確定所述存儲器單元的狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，逐包括電壓選擇模塊，配置用于選擇毗鄰所述第一閾值電壓的第一電壓；電壓遞增模塊，配置用于以預(yù)定量遞增所述第一電壓，直到所述第一電壓增加至所述第一閾值電壓與第二閾值電壓的中點(diǎn)；以及參數(shù)生成模塊，配置用于生成針對所述第一電壓的每個經(jīng)遞增的值的參數(shù)，其中針對所述第一電壓的經(jīng)遞增的值的所述參數(shù)指示關(guān)于所述存儲器單元的實際狀態(tài)的統(tǒng)計確定性，以及其中所述參考電壓模塊選擇所述第一電壓的經(jīng)遞增的值中具有最高統(tǒng)計確定性值的一個作為所述第二參考電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述參考電壓模塊通過向所述第一參考電壓添 加所述第一參考電壓與第二參考電壓之間的差值來選擇所述第三參考電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括解碼器模塊，該模塊配置用于對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼，以及響應(yīng)于對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的所述第一次失敗，對在所述第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼。
12.一種方法，包括在與存儲器單元的第一狀態(tài)對應(yīng)的第一閾值電壓和與所述存儲器單元的第二狀態(tài)對應(yīng)的第二閾值電壓之間選擇第一參考電壓；選擇第二參考電壓，其中所述第二參考電壓小于所述第一參考電壓；選擇第三參考電壓，其中所述第三參考電壓大于所述第一參考電壓；執(zhí)行第一讀取操作，以基于所述第一參考電壓確定所述存儲器單元的狀態(tài)；響應(yīng)于對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第一次失敗，執(zhí)行第二讀取操作以基于所述第二參考電壓確定所述存儲器單元的狀態(tài)；以及執(zhí)行第三讀取操作，以基于所述第三參考電壓確定所述存儲器單元的狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括響應(yīng)于對在所述第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第二次失敗，檢測所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓中的至少一個的分布中的移位，以及確定所述移位的量。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括響應(yīng)于所述移位的量大于或等于預(yù)定閾值，基于所述移位的量來調(diào)節(jié)所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓；以及分別基于經(jīng)調(diào)節(jié)的第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，重試所述第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括基于所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，將所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓的所述分布劃分為四個箱；以及基于所述分布的方差，生成針對所述四個箱的對數(shù)似然比。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括基于所述移位的量來調(diào)節(jié)所述對數(shù)似然比，以及分別基于經(jīng)調(diào)節(jié)的對數(shù)似然比以及所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓，重試所述第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括基于所述移位的量來調(diào)節(jié)所述對數(shù)似然比；對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼；以及響應(yīng)于對在所述第一讀取操作中從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的所述第一次失敗以及所述移位的量小于預(yù)定閾值，使用經(jīng)調(diào)節(jié)的對數(shù)似然比來對從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼，而不是執(zhí)行附加的讀取操作。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括，響應(yīng)于所述移位的量小于或等于預(yù)定閾值；選擇第四參考電壓，其中所述第四參考電壓不同于所述第一參考電壓、第二參考電壓和第三參考電壓；選擇第五參考電壓，其中所述第五參考電壓不同于所述第一參考電壓、第二參考電壓、第三參考電壓和第四參考電壓；以及執(zhí)行第四讀取操作和第五讀取操作，以分別基于所述第四參考電壓和第五參考電壓來確定所述存儲器單元的狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括，響應(yīng)于對在所述重試的第一讀取操作、第二讀取操作和第三讀取操作之后從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第三次失敗選擇第四參考電壓和第五參考電壓，其中所述第四參考電壓與所述第一參考電壓之間的第一差值不等于所述第五參考電壓與所述第一參考電壓之間的第二差值；以及執(zhí)行第四讀取操作和第五讀取操作，以分別基于所述第四參考電壓和第五參考電壓來確定所述存儲器單元的狀態(tài)。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括選擇毗鄰所述第一閾值電壓的第一電壓；以預(yù)定量遞增所述第一電壓，直到所述第一電壓增加至所述第一閾值電壓與第二閾值電壓的中點(diǎn)；生成針對所述第一電壓的每個經(jīng)遞增的值的參數(shù)，其中針對所述第一電壓的經(jīng)遞增的值的所述參數(shù)指示關(guān)于所述存儲器單元的實際狀態(tài)的統(tǒng)計確定性；以及選擇所述第一電壓的經(jīng)遞增的值中具有最高統(tǒng)計確定性值的一個作為所述第二參考電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及對快閃存儲器系統(tǒng)中遞進(jìn)讀取的最優(yōu)參考電壓的確定。一種系統(tǒng)，包括參考電壓模塊，其用于在與存儲器單元的第一狀態(tài)對應(yīng)的第一閾值電壓和與該存儲器單元的第二狀態(tài)對應(yīng)的第二閾值電壓之間選擇第一參考電壓；選擇小于第一參考電壓的第二參考電壓；以及選擇大于第一參考電壓的第三參考電壓。該系統(tǒng)包括讀取模塊，其用于執(zhí)行第一讀取操作以基于第一參考電壓來確定存儲器單元的狀態(tài)；以及響應(yīng)于對在第一讀取操作中從存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的第一次失敗，執(zhí)行第二讀取操作以基于第二參考電壓來確定該狀態(tài)，以及執(zhí)行第三讀取操作以基于第三參考電壓來確定該狀態(tài)。
文檔編號G11C16/26GK102376368SQ201110195220
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者S·K·奇拉帕加里, X·楊 申請人:馬維爾國際貿(mào)易有限公司