專利名稱：一種可變內(nèi)存容量sas-raid卡的設(shè)計方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計算機(jī)通信領(lǐng)域，具體是利用一種SAS-RAID卡可變內(nèi)存容量的設(shè)計方法，來解決不同系統(tǒng)對SAS-RAID卡緩存容量問題，極大方便了 SAS-RAID卡緩存容量升級與性能提升。
背景技術(shù)：
當(dāng)今的服務(wù)器產(chǎn)品，客戶應(yīng)用需求的不斷變化，需要RAID組成磁盤陣列來保障服務(wù)器長期不間斷的運(yùn)行穩(wěn)定，為了保證系統(tǒng)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定傳輸，在SAS-RAID卡大多集成有內(nèi)存顆粒芯片，作為數(shù)據(jù)的緩存區(qū)域，目前主流的SAS-RAID卡，其數(shù)據(jù)的緩存區(qū)域即內(nèi)存容量在U8MB IGB之間，因此在進(jìn)行服務(wù)器系統(tǒng)級的功能測試中，SAS-RAID卡數(shù)據(jù)緩存區(qū)域即內(nèi)存容量大小是影響服務(wù)器性能的非常重要因素之一。在之前的SAS-RAID卡應(yīng)用中，用戶一般是將固定緩存容量的SAS-RAID卡外插卡直接安裝在服務(wù)器系統(tǒng)中，當(dāng)用戶對硬盤操作數(shù)據(jù)流量加大時，SAS-RAID卡數(shù)據(jù)緩存成為影響傳輸性能的重要指標(biāo)之一，此時若想加大緩存容量，提高性能，只能通過更換SAS-RAID 卡的方式，用戶對數(shù)據(jù)的管理投入成本就會極大上升，并造成不必要的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可變內(nèi)存容量SAS-RAID卡的設(shè)計方法。本發(fā)明的目的是按以下方式實(shí)現(xiàn)的，調(diào)整DDR2內(nèi)存顆粒，更換不同的DDR2內(nèi)存顆粒配置，使系統(tǒng)的DDR2內(nèi)存顆粒配置達(dá)到最優(yōu)配置；具體步驟如下
1)按照內(nèi)存容量規(guī)格，將DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，使卡所支持的內(nèi)存容量規(guī)格最大可達(dá)到IGB ；
2)卡的總內(nèi)存容量由五顆內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)，其中一片用作ECC校驗(yàn)，五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連；
3)根據(jù)選定的單顆內(nèi)存顆粒的容量規(guī)格和用戶對SAS-RAID卡數(shù)據(jù)緩存的容量要求， 在五個金手指插槽的槽位上插入相應(yīng)的內(nèi)存顆粒即可；
4)DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，增加的是最高位地址線，也即第15位地址線，需要在制作PCB板卡時修改相應(yīng)連線。五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連，五個獨(dú)立的金手指插槽，分別對應(yīng)五顆內(nèi)存顆粒，其中一個做ECC校驗(yàn)的操作需做標(biāo)注，若需要ECC校驗(yàn)，該槽位必須插入內(nèi)存顆粒。在五個金手指插槽的槽位上插入相應(yīng)的內(nèi)存顆粒，五個金手指插槽焊接在PCB 上，并提供金手指接口。本發(fā)明的有益效果是我們可以很方便的進(jìn)行系統(tǒng)下內(nèi)存容量的升級操作，不僅達(dá)到了對內(nèi)存容量的要求，而且節(jié)省了研發(fā)新卡的成本，提高了工作效率，提高了系統(tǒng)配置的靈活性。因而，具有很好的推廣使用價值。


圖1是可變內(nèi)存容量SAS-RAID卡的設(shè)計步驟流程圖。
具體實(shí)施例方式參照說明書附圖對本發(fā)明的方法作以下詳細(xì)地說明。本發(fā)明的可變內(nèi)存容量SAS-RAID卡的設(shè)計方法，是以內(nèi)存顆粒理論支撐點(diǎn)，來解決不同系統(tǒng)對SAS-RAID卡緩存容量問題，具體發(fā)明內(nèi)容可以通過如下步驟來實(shí)現(xiàn)
1)按照內(nèi)存容量規(guī)格，將DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，使卡所支持的內(nèi)存容量規(guī)格最大可達(dá)到IGB ；
2)卡的總內(nèi)存容量由五顆內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)，其中一片用作ECC校驗(yàn)，五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連；
3)根據(jù)選定的單顆內(nèi)存顆粒的容量規(guī)格和用戶對SAS-RAID卡數(shù)據(jù)緩存的容量要求， 在五個槽位上插入相應(yīng)的內(nèi)存顆粒即可；
4)DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，增加的是最高位地址線，也即第15位地址線，需要在制作PCB板卡時修改相應(yīng)連線；
5)五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連，采用的是五個獨(dú)立的金手指插槽，分別對應(yīng)五顆內(nèi)存顆粒，其中一個做ECC校驗(yàn)的操作需做標(biāo)注，若需要ECC校驗(yàn)， 該槽位必須插入內(nèi)存顆粒；
6)在五個槽位上插入相應(yīng)的內(nèi)存顆粒，內(nèi)存顆粒由單顆內(nèi)存顆粒焊接在PCB上，并提供金手指接口。實(shí)施例
按說明書附圖所示下面對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行更加詳細(xì)的闡述
a)研發(fā)工程師首先將按照內(nèi)存容量規(guī)格，將DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到 SAS-RAID主控制器上，即增加最高位地址線，也即第15位地址線，需要在制作PCB板卡時修改相應(yīng)連線；
b)五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連；
c)在五個槽位上插入相應(yīng)容量的內(nèi)存顆粒，如插入單顆為256MB的內(nèi)存顆粒，若五顆全部接入，則實(shí)現(xiàn)總體緩存容量為1GB，若接入兩顆為256MB的內(nèi)存顆粒并且接入ECC顆粒，則實(shí)現(xiàn)總體緩存容量為512MB ；根據(jù)性能測試結(jié)果，調(diào)整內(nèi)存顆粒，更換不同的內(nèi)存顆粒配置，使系統(tǒng)的內(nèi)存顆粒配置達(dá)到最優(yōu)；
經(jīng)過上面詳細(xì)的實(shí)施，我們可以很方便的進(jìn)行系統(tǒng)下內(nèi)存容量的升級操作，不僅達(dá)到了對內(nèi)存容量的要求，而且節(jié)省了研發(fā)新卡的成本，提高了工作效率，提高了系統(tǒng)配置的靈活性。除說明書所述的技術(shù)特征外，均為本專業(yè)技術(shù)人員的已知技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種可變內(nèi)存容量SAS-RAID卡的設(shè)計方法，其特征在于調(diào)整DDR2內(nèi)存顆粒，更換不同的DDR2內(nèi)存顆粒配置，使系統(tǒng)的DDR2內(nèi)存顆粒配置達(dá)到最優(yōu)配置；具體步驟如下1)按照內(nèi)存容量規(guī)格，將DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，使卡所支持的內(nèi)存容量規(guī)格最大可達(dá)到IGB ；2)卡的總內(nèi)存容量由五顆內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)，其中一片用作ECC校驗(yàn)，五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連；3)根據(jù)選定的單顆內(nèi)存顆粒的容量規(guī)格和用戶對SAS-RAID卡數(shù)據(jù)緩存的容量要求， 在五個金手指插槽的槽位上插入相應(yīng)的內(nèi)存顆粒；4)DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，增加的是最高位地址線，也即第15位地址線，需要在制作PCB板卡時修改相應(yīng)連線；5)五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連，五個獨(dú)立的金手指插槽， 分別對應(yīng)五顆內(nèi)存顆粒，其中一個做ECC校驗(yàn)的操作需做標(biāo)注，若需要ECC校驗(yàn)，該槽位必須插入內(nèi)存顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在五個金手指插槽的槽位上插入相應(yīng)的內(nèi)存顆粒，五個金手指插槽焊接在PCB上，并提供金手指接口。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可變內(nèi)存容量SAS-RAID卡的設(shè)計方法，調(diào)整DDR2內(nèi)存顆粒，更換不同的DDR2內(nèi)存顆粒配置，使系統(tǒng)的DDR2內(nèi)存顆粒配置達(dá)到最優(yōu)配置；具體步驟如下1)按照內(nèi)存容量規(guī)格，將DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，使卡所支持的內(nèi)存容量規(guī)格最大可達(dá)到1GB；2)卡的總內(nèi)存容量由五顆內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)，其中一片用作ECC校驗(yàn)，五顆內(nèi)存顆粒通過金手指插槽的方式與SAS-RAID卡相連；3)根據(jù)選定的單顆內(nèi)存顆粒的容量規(guī)格和用戶對SAS-RAID卡數(shù)據(jù)緩存的容量要求，在五個金手指插槽的槽位上插入相應(yīng)的內(nèi)存顆粒即可；4)DDR2內(nèi)存顆粒的15地址線連到SAS-RAID主控制器上，增加的是最高位地址線，也即第15位地址線，需要在制作PCB板卡時修改相應(yīng)連線。
文檔編號G11C29/54GK102436853SQ201110360189
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者劉濤 申請人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司