專利名稱：在能量輔助磁記錄磁盤驅(qū)動器中光學(xué)地偶聯(lián)激光器與傳感器的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
背景技術(shù)：
圖1示出常規(guī)能量輔助磁記錄(EAMR)磁盤驅(qū)動器10 —部分的側(cè)視圖。常規(guī)EAMR 磁盤驅(qū)動器10包括記錄介質(zhì)12、常規(guī)滑塊20、和通常被聯(lián)附于懸浮裝置(未示出)的常規(guī)激光二極管30。常規(guī)滑塊20具有前緣22、后緣沈和背面M。雖然被稱為“緣”，但是前緣 22和后緣沈是滑塊20的表面。之所以稱為前緣22和后緣沈是由于常規(guī)介質(zhì)12相對于 EAMR傳感器觀移動的方向。可作為常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動器10 —部分的其它組件未被示出。 常規(guī)滑塊20通常聯(lián)附于在背面M的懸浮裝置。常規(guī)EAMR傳感器22偶聯(lián)滑塊20。激光二極管30鄰近偶聯(lián)到EAMR傳感器22。來自常規(guī)激光二極管30上發(fā)射極(未分別示出)的光供給至常規(guī)EAMR傳感器22的光柵(未示出)。來自偶聯(lián)到光柵的激光二極管30的光供給至波導(dǎo)管(未示出)。波導(dǎo)管將光導(dǎo)向常規(guī)介質(zhì)12，加熱常規(guī)介質(zhì)12的小區(qū)域。常規(guī)EAMR傳感器22在常規(guī)介質(zhì)12被加熱的區(qū)域磁性寫入常規(guī)介質(zhì)12。圖2描述用于制造常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動器10的一部分的常規(guī)方法50。為簡單起見，僅描述了方法50的一部分。對準(zhǔn)常規(guī)激光二極管30上的發(fā)射極和常規(guī)EAMR傳感器觀上的光柵。然后經(jīng)步驟M激光二極管30被固定，例如固定到滑塊20或撓性件(未示出)。 經(jīng)步驟56則可分開EAMR頭。例如，可切開支撐EAMR傳感器觀的基件或以別的方式分割為單獨(dú)滑塊20?；那皞?cè)變成滑塊20的后緣沈，其中在基件的前側(cè)上制造了 EAMR傳感器觀?？商鎿Q地，可在固定激光二極管30之前分開EAMR頭。然而，在兩種情況下，激光二極管都被固定于接近EAMR傳感器沈。則可完成常規(guī)驅(qū)動器10的制造。例如，常規(guī)EAMR頭包括常規(guī)滑塊20和可固定在撓性件上再固定于磁盤驅(qū)動器中的常規(guī)EAMR傳感器28。雖然常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動器10可運(yùn)行，但是以可接受的費(fèi)用制造有足夠光效率的常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動器10可有疑問的。更具體地，難以對準(zhǔn)將激光二極管和EAMR傳感器 28。無源對準(zhǔn)(passive alignment)，其依賴于預(yù)調(diào)性能，例如可相對輕易實(shí)現(xiàn)的基準(zhǔn)。然而，無源對準(zhǔn)后激光二極管30可不與EAMR傳感器28精密對準(zhǔn)。因此，更少的來自激光二極管的光能可偶聯(lián)到EAMR傳感器28。因此，可不利影響EAMR傳感器28的光效率和性能。 相反地，激光二極管30與EMAR傳感器的更精密對準(zhǔn)是昂貴的和/或費(fèi)時(shí)的。這樣的有源對準(zhǔn)依賴于監(jiān)控為ABS的表面附近的EAMR傳感器28的輸出。通常，輸出是來自在ABS的近場傳感器(NFT)的近場發(fā)射。然而，該過程是困難的。對準(zhǔn)因此是費(fèi)時(shí)的、花費(fèi)更大且不產(chǎn)生顯著改進(jìn)的對準(zhǔn)。會不利影響EAMR磁盤驅(qū)動器10的可制造性。因此，需要的是用于改進(jìn)EAMR磁盤驅(qū)動器的可制造性和性能的系統(tǒng)和方法。

發(fā)明內(nèi)容
此處描述了用于提供能量輔助磁記錄(EAMR)頭的方法和系統(tǒng)。EAMR頭包括激光器、滑塊、和EAMR傳感器。激光器具有主發(fā)射極和至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極?；瑝K包括至少一
4個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管、至少一個(gè)輸出裝置、和空氣軸承表面(ABS)。對準(zhǔn)波導(dǎo)管與對準(zhǔn)發(fā)射極對準(zhǔn)。 EAMR傳感器與傳感器偶聯(lián)，且包括與主發(fā)射極對準(zhǔn)的波導(dǎo)管。波導(dǎo)管用于將來自主發(fā)射極的能量導(dǎo)向ABS。


圖1示出常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動器的側(cè)視圖。圖2為示出用于制造常規(guī)EAMR磁盤驅(qū)動器的常規(guī)方法的流程圖。圖3示出EAMR磁盤驅(qū)動器一部分的示例性實(shí)施例。圖4示出EAMR磁盤驅(qū)動器一部分的另一個(gè)示例性實(shí)施例。圖5示出EAMR磁盤驅(qū)動器一部分的另一個(gè)示例性實(shí)施例。圖6示出用于制造EAMR磁盤驅(qū)動器的方法的示例性實(shí)施例。圖7示出有源對準(zhǔn)EAMR磁盤驅(qū)動器中滑塊和激光器的方法的示例性實(shí)施例。圖8示出用于EAMR磁盤驅(qū)動器的滑塊條和激光器條的示例性實(shí)施例。圖9示出用于制造EAMR磁盤驅(qū)動器的方法的另一個(gè)示例性實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式圖3為示出EAMR磁盤驅(qū)動器100 —部分的框圖。為明確起見，圖3不是按比例的。 為簡單起見，并未示出EAMR磁盤驅(qū)動器100的所有部分。此外，雖然在特殊組件的背景下描述磁盤驅(qū)動器100，但可使用其它和/或不同的組件。此外，雖然示出了單一組件，例如激光器，但是其它實(shí)施例中可使用復(fù)合組件。此外，在不同的實(shí)施例中組件的布置可改變。EAMR磁盤驅(qū)動器100包含介質(zhì)(未示出)和EAMR頭110。EAMR頭110包括滑塊 104、EAMR傳感器112、對準(zhǔn)波導(dǎo)管120、可選輸出裝置130、和與EAMR傳感器112光學(xué)偶聯(lián)的激光器140。在示出的實(shí)施例中，激光器140是偶聯(lián)到副支架(submount) 150的激光二極管。雖然如(圖中)示出(激光器140)與滑塊104的背面偶聯(lián)，但激光器140也可置于別處。激光器140是多發(fā)射極激光器。在示出的實(shí)施例中，激光器140包括兩個(gè)發(fā)射極142和 144。主發(fā)射極142輸出激光光束143，而對準(zhǔn)發(fā)射極144提供激光光束145。發(fā)射極142 和144的相關(guān)部分(即光束143和145)以距離d分開。一些實(shí)施例中，間隔d理想上為充分大，以致發(fā)射極142或144各自不影響另一個(gè)發(fā)射極144或142的性能。一些實(shí)施例中， 間隔為10-20微米。然而，其它的實(shí)施例中，尤其是可獨(dú)立供電發(fā)射極的實(shí)施例中，發(fā)射極 142和144可具有不同間隔。例如，一些實(shí)施例中，發(fā)射極142和144可由小至5微米或更小的間隔分開。在一些實(shí)施例中，主發(fā)射極142和對準(zhǔn)發(fā)射極144被配置為獨(dú)立供電。例如，對準(zhǔn)發(fā)射極144可開啟而主發(fā)射極142關(guān)閉、或反之亦然。此外，對準(zhǔn)發(fā)射極144和主發(fā)射極可都導(dǎo)通。在其它實(shí)施例中，發(fā)射極142和144不能獨(dú)立供電。EAMR傳感器112通常包括組件，其用于磁寫入介質(zhì)，例如磁極、屏蔽件、線圈、輸入光柵、和一些實(shí)施例中的近場傳感器(NFT)。EAMR傳感器112也包括與主發(fā)射極142對準(zhǔn)的波導(dǎo)管114。波導(dǎo)管114與主發(fā)射極142的激光光束143對準(zhǔn)且將激光光束中的能量143 導(dǎo)向ABS。操作中，能量，通常從發(fā)射極142以光的形式發(fā)射，且偶聯(lián)到EAMR傳感器112的波導(dǎo)管114。雖然未示出，但可使用光柵偶聯(lián)來自主發(fā)射極112的能量。波導(dǎo)管112將能量導(dǎo)向位于ABS或在其附近的NFT (未示出)。NFT將能量偶聯(lián)至介質(zhì)。線圈(未示出)供給能量給磁寫入介質(zhì)被加熱區(qū)域的磁極(未示出)。除EAMR傳感器112之外，滑塊104包括至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管、至少一個(gè)輸出裝置、 和ABS。示出的實(shí)施例中，示出了單一對準(zhǔn)波導(dǎo)管120和單一輸出裝置130。對準(zhǔn)波導(dǎo)管 120與對準(zhǔn)發(fā)射極144對準(zhǔn)。對準(zhǔn)波導(dǎo)管120也精確間隔于波導(dǎo)管114。由于對準(zhǔn)發(fā)射極 144來自主發(fā)射極142，對準(zhǔn)波導(dǎo)管120也以同樣間隙距離于波導(dǎo)管114。因此，對準(zhǔn)波管導(dǎo) 120可與來自對準(zhǔn)發(fā)射極144的激光光束145對準(zhǔn)，而波導(dǎo)管114可與來自主發(fā)射極142的激光光束143對準(zhǔn)。對準(zhǔn)波導(dǎo)管120將激光光束145中的能量導(dǎo)向輸出裝置130。一些實(shí)施例中，對準(zhǔn)波導(dǎo)管120除了在長度上可終止于輸出裝置130外，和波導(dǎo)管114是完全相同的。輸出裝置130偶聯(lián)輸出由對準(zhǔn)波導(dǎo)管120提供的能量。因此，可通過輸出裝置130監(jiān)控來自對準(zhǔn)發(fā)射極144的能量。一些實(shí)施例中，輸出裝置130是輸出光柵。示出的實(shí)施例中，滑塊104也包括基準(zhǔn)標(biāo)志116。示出的實(shí)施例中，僅示出基準(zhǔn)標(biāo)志116接近于對準(zhǔn)波導(dǎo)管120。然而，其它實(shí)施例中，基準(zhǔn)標(biāo)志116可置于別處。在激光器140與滑塊104的對準(zhǔn)中，可使用對準(zhǔn)發(fā)射極144、對準(zhǔn)波導(dǎo)管120、輸出裝置130和可選基準(zhǔn)標(biāo)志116。可使用基準(zhǔn)標(biāo)志116從而無源對準(zhǔn)激光器140和滑塊104。 更具體地，可在對準(zhǔn)發(fā)射極144和對準(zhǔn)波導(dǎo)管120的無源對準(zhǔn)中使用基準(zhǔn)標(biāo)志116。因此， 實(shí)現(xiàn)粗略對準(zhǔn)?？墒褂脤?zhǔn)發(fā)射極144、對準(zhǔn)波導(dǎo)管120、和輸出裝置120從而有源對準(zhǔn)激光器 140和滑塊104。在有源對準(zhǔn)中供給能量給對準(zhǔn)發(fā)射極144。波導(dǎo)管120使來自發(fā)射極144 的能量導(dǎo)向輸出裝置130。可相對容易地監(jiān)控來自輸出裝置130的能量，例如通過光檢測器 (未示出)。當(dāng)輸出裝置130輸出的能量超過閥值或在最大容限之內(nèi)，對準(zhǔn)發(fā)射極144與對準(zhǔn)波導(dǎo)管120充分對準(zhǔn)。對準(zhǔn)發(fā)射極144和主發(fā)射極142之間的距離，大體上與對準(zhǔn)波導(dǎo)管120和波導(dǎo)管114之間的距離是一樣的。因此，對準(zhǔn)發(fā)射極144和對準(zhǔn)波導(dǎo)管120的對準(zhǔn)也對準(zhǔn)波導(dǎo)管114與主發(fā)射極142。因此，可改進(jìn)激光器140和EAMR傳感器112的對準(zhǔn)的質(zhì)量和簡易性。此外，可獨(dú)立供電對準(zhǔn)激光器144。因此，EAMR磁盤驅(qū)動器操作中，當(dāng)主發(fā)射極142用于磁記錄時(shí)，對準(zhǔn)發(fā)射極144可載止。因此，經(jīng)對準(zhǔn)發(fā)射極144可實(shí)現(xiàn)對準(zhǔn)中的優(yōu)勢，而不對之后的性能造成不利影響?？筛倪M(jìn)EAMS傳感器112的可制造性和性能。圖4是示出了 EAMR磁盤驅(qū)動器100的一部分的框圖。為明確起見，圖4是不按比例的。為簡單起見，未示出EAMR磁盤驅(qū)動器100的所有部分。此外，雖然在特殊組件的背景下描述磁盤驅(qū)動器100，但可使用其它和/或不同的組件。此外，雖然示出了單一組件， 例如激光器，但是其它實(shí)施例中可使用復(fù)合組件。此外，組件的布置在不同的實(shí)施例中可改變。EAMR磁盤驅(qū)動器100’包括類似于在EAMR磁盤驅(qū)動器100上組件的組件。EAMR 磁盤驅(qū)動器100’因此具有EAMR頭，其包括滑塊104’、EMAR傳感器112’、對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’、 輸出裝置130’、和光學(xué)偶聯(lián)EAMR傳感器112’的激光器140’。這些組件104，、110，、112，、 114，、116，、120，、130，、140，、142，、143，、144，、145，、和 150，分別相當(dāng)于組件 104，、110、 112、114、116、120、130、140、142、143、144、145 和 150。示出的實(shí)施例中，激光器 140，是偶聯(lián)至副支架150’的激光二極管。雖然如示出激光器140’偶聯(lián)滑塊104’的背面，但是激光器140’可置于別處。激光器140’是多發(fā)射極激光器。示出的實(shí)施例中，激光器140’包括三個(gè)發(fā)射極142’、144’、和146。主發(fā)射極142’相當(dāng)于主發(fā)射極142。主發(fā)射極142’位于對準(zhǔn)發(fā)射極144’和146之間。對準(zhǔn)發(fā)射極144’和146分別被距離(I1和距離d2與主發(fā)射極142’分開。一些實(shí)施例中，間隔屯和屯理想上充分大，以致發(fā)射極142’、144’、或146 不影響其它發(fā)射極142’、144’、或146的性能。一些實(shí)施例中，間隔為10-20微米。然而，其它的實(shí)施例中，尤其是可獨(dú)立供電發(fā)射極的實(shí)施例中，發(fā)射極142’、144’、和146可具有不同間隔。例如，一些實(shí)施例中，發(fā)射極142’、144’、和146可由小至5微米或更小的間隔分開。示出的實(shí)施例中，示出的間隔Cl1和(12是不同的。其它的實(shí)施例中，間隔Cl1和(12可以是相同的。在一些實(shí)施例中，主發(fā)射極142’和對準(zhǔn)發(fā)射極144’和146經(jīng)配置用于獨(dú)立供電。 例如，當(dāng)主發(fā)射極142’截止時(shí)，對準(zhǔn)發(fā)射極144’和/或146可導(dǎo)通、或反之亦然。此外，對準(zhǔn)發(fā)射極144’和/或146和主發(fā)射極142可都導(dǎo)通。在其它實(shí)施例中，不能獨(dú)立供電發(fā)射極 142，、144，、和 146。EAMR傳感器112’通常包括組件，其用于磁寫入介質(zhì)，例如極、盾、圈、輸入光柵、和一些實(shí)施例中的NFT。EAMR傳感器112’也包括與主發(fā)射極142’對準(zhǔn)的波導(dǎo)管114’。波導(dǎo)管114’因此類似于波導(dǎo)管114。EAMR傳感器112’也以傳感器112的類似方式運(yùn)行?；瑝K104’包括對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122以及輸出裝置130’和132。對準(zhǔn)對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和對準(zhǔn)發(fā)射極144’。對準(zhǔn)對準(zhǔn)波導(dǎo)管122和對準(zhǔn)發(fā)射極146。對準(zhǔn)功波導(dǎo)管120’ 和122也精密隔于波導(dǎo)管114’。對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122與波導(dǎo)管114’之間的距離，和對準(zhǔn)發(fā)射極114’和146與主發(fā)射極142’之間的距離是一樣的。對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122將激光光束145’和147中的能量導(dǎo)向輸出裝置130’和132。一些實(shí)施例中，除了在長度上以及對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122可分別終止于輸出裝置130’和132中，對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122 與波導(dǎo)管114’是完全相同的。輸出裝置130’和132偶聯(lián)輸出對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122提供的能量。一些實(shí)施例中，每一個(gè)輸出裝置130’和132為輸出光柵。示出的實(shí)施例中，滑塊104’也包括基準(zhǔn)標(biāo)志116’和118。示出的實(shí)施例中，僅示出基準(zhǔn)標(biāo)志116’和118分別接近于對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122。然而，其它實(shí)施例中，基準(zhǔn)標(biāo)志116’和118可置于別處。激光器140’和滑塊104’的對準(zhǔn)中，可使用對準(zhǔn)發(fā)射極144’和146、對準(zhǔn)波導(dǎo)管 120’和122、輸出裝置130’和132、和可選基準(zhǔn)標(biāo)志116’和118。可使用基準(zhǔn)標(biāo)志116’禾口 118’從而無源對準(zhǔn)激光器140’和滑塊104’?？墒褂脤?zhǔn)發(fā)射極144和146、對準(zhǔn)波導(dǎo)管 120’和122、以及輸出裝置120’和122從而有源對準(zhǔn)激光器140和滑塊104。這可通過類似于用于EAMR磁盤驅(qū)動器100中的方法完成。然而，使用兩個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管120’和122。 因此，可改進(jìn)圖4中示出的在y方向和χ方向的對準(zhǔn)。例如，可解釋激光器140’中x-y平面中的旋轉(zhuǎn)，激光器140’相對于靠近對準(zhǔn)波導(dǎo)管144’軸附近的滑塊104’。因此，可改進(jìn)激光器140’和EAMR傳感器112’對準(zhǔn)的質(zhì)量和簡易性。因此可改進(jìn)EAMR傳感器112’的可制造性和性能?？蓡为?dú)供電對準(zhǔn)發(fā)射極144’ /146。因此，在EAMR磁盤驅(qū)動器100’的規(guī)則操作時(shí)，對準(zhǔn)發(fā)射極144’和146可截止。因此，可實(shí)現(xiàn)對準(zhǔn)中的這些改進(jìn)，而不對之后的性能造成不利影響。圖5是示出的EAMR磁盤驅(qū)動器100” 一部分的框圖。為明確起見，圖5是不按比例的。為簡便起見，未示出EAMR磁盤驅(qū)動器的所有部分。此外，雖然在特殊組件的背景下描述磁盤驅(qū)動器100”，但可使用其它和/或不同的組件。此外，雖然示出了單一組件，例如激光器，但是其它實(shí)施例中可使用復(fù)合組件。此外，在不同的實(shí)施例中組件的布置可改變。EAMR磁盤驅(qū)動器100”包括類似于在EAMR磁盤驅(qū)動器100和100’上組件的組件。
7特別地，EAMR 磁盤驅(qū)動器 100，，包括組件 104”、110”、112M14”、116”、118，、120”、122，、 130”、132，、140”、142”、143”、144”、145”、146”、147” 和 150，分別相當(dāng)于組件 104，、110，、 112，、114，、116，、118、120，、122、130，、132，、140，、142，、143，、144，、145，、146、147 和 150。 然而，EAMR磁盤驅(qū)動器100”中，對準(zhǔn)發(fā)射極144’和146兩者在主發(fā)射極142”的同一側(cè)上。類似地，對準(zhǔn)波導(dǎo)管120”和122”兩者在波導(dǎo)管114”的同一樣側(cè)上。然而，EAMR傳感器112”、主發(fā)射極142”、對準(zhǔn)發(fā)射極144”和146’、對準(zhǔn)波導(dǎo)管120”和122’、以及輸出裝置 130”和132’的功能，分別與EAMR磁盤驅(qū)動器100’中大體上相同。更具體地，兩個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管120”和122’的使用可改進(jìn)只使用單一對準(zhǔn)波導(dǎo)管的對準(zhǔn)(效果)。因此，可改進(jìn)圖6 中示出的y方向和χ方向上的對準(zhǔn)。例如，可解釋激光器140’的x-y平面上的旋轉(zhuǎn)，激光器140’相對于靠近對準(zhǔn)波導(dǎo)管144’的軸附近的滑塊104’。因此，可改進(jìn)激光器140’和 EAMR傳感器112’對準(zhǔn)的質(zhì)量和簡易性。因此可改進(jìn)EAMR傳感器112’的可制造性和性能。 可獨(dú)立供電對準(zhǔn)發(fā)射極144 7146”。因此，在EAMR磁盤驅(qū)動器100”的規(guī)則操作中，對準(zhǔn)發(fā)射極144”和146”可截止。因此，可實(shí)現(xiàn)對準(zhǔn)中的這些改進(jìn)，而不對之后的性能造成不利影響。圖6示出了形成EAMR磁盤驅(qū)動器一部分的方法200的示例性實(shí)施例。為簡單起見，可省略、聯(lián)合、并行執(zhí)行、以另一種順序執(zhí)行、和/或交錯(cuò)一些步驟。在EAMR磁盤驅(qū)動器 100/100’ /100”的背景下描述方法200。然而，可使用方法200從而制造其它EAMR磁盤驅(qū)動器。此外，在制造單一磁盤驅(qū)動器100/100’/100”的背景下制造方法200。然而，可大體上并行制造多個(gè)傳感器、滑塊、和多個(gè)磁盤驅(qū)動器。經(jīng)步驟202，無源對準(zhǔn)激光器140/140，/140”和滑塊104/104，/104”。一些實(shí)施例中，使用基準(zhǔn)116/116’/116”和118/118’執(zhí)行步驟202?？商鎿Q地，可使用另一個(gè)外部激光器。例如，可光學(xué)偶聯(lián)外部激光器到輸出130、130’、130”、132、或132’。在這樣的情況中， 光沿著波導(dǎo)管120、120’、120”、122、或122’向原處移動?？稍诓▽?dǎo)管120、120’、120”、122、 或122’的輸入中檢測來自外部激光器的光。本質(zhì)上，來自外部激光器的光可作為基準(zhǔn)標(biāo)志使用。在任一情況中，步驟202中執(zhí)行的對準(zhǔn)是充分的，因此可在相當(dāng)?shù)妮敵?30、130’、 130”、132、和/或132，中檢測來自對準(zhǔn)發(fā)射極144、144，、144”、146、和/或146，的光。一些實(shí)施例中，在無源對準(zhǔn)期間維持對準(zhǔn)發(fā)射極144、144’、144”、146、和/或146’與波導(dǎo)管 120、120’、120”、122、和/或122’各自之間的垂直分離，從而增加來自對準(zhǔn)發(fā)射極312和/ 或314的發(fā)散光束可被檢測的可能性。因此，步驟202中，可實(shí)現(xiàn)激光器140/140’/140”和滑塊104/140’ /140”之間粗略對準(zhǔn)。經(jīng)步驟204，有源對準(zhǔn)激光器140/140，/140”和EAMR傳感器112/112，/112”。更具體地，當(dāng)輸出裝置130/130’ /130”和/或132/132’的功率輸出被監(jiān)控時(shí)，供給能量給對準(zhǔn)激光器144/144’ /144”和/或?qū)?zhǔn)激光器146/146’。例如，步驟204中可使用光檢測器 (未示出)從而在輸出裝置130/130’/130”和/或132/132’中監(jiān)控功率輸出。相對于滑塊104/104，/104”移動激光器104/140，/140”，直至實(shí)現(xiàn)理想對準(zhǔn)。一些實(shí)施例中，這相當(dāng)于檢測的輸出功率超過閾值和/或在最大期望功率的容限內(nèi)。激光器140/140’/140”和滑塊104/104，/104”則通過步驟206附著于對方上。因此，可形成EAMR磁盤驅(qū)動器100、100’、和/或100”。因?yàn)榭奢p易執(zhí)行有源對準(zhǔn)，所以可改進(jìn)對準(zhǔn)。此外，可獨(dú)立供電對準(zhǔn)發(fā)射極144’ /146。因此，在EAMR磁盤驅(qū)動器100”的規(guī)則操作中，對準(zhǔn)發(fā)射極可截止。因此，可實(shí)現(xiàn)在對準(zhǔn)中的這些改進(jìn)，而不給之后性能帶來不利影響。圖7示出用于有源對準(zhǔn)激光器和滑塊的方法210的示例性實(shí)施例。為簡單起見， 可省略、聯(lián)合、并行執(zhí)行、以另一種順序執(zhí)行、和/或交錯(cuò)一些步驟。在EAMR磁盤驅(qū)動器 100/100’/100”的背景下描述方法210。然而，使用方法210從而制造其它EAMR磁盤驅(qū)動器。 此外，在制造單一磁盤驅(qū)動器100/100’/100”的背景下制造方法210。然而，可大體上并行制造多個(gè)傳感器、滑塊、和多個(gè)磁盤驅(qū)動器。方法210可在粗略對準(zhǔn)激光器140/140’/140” 和滑塊104/104，/104”后開始，例如通過上述的無源對準(zhǔn)。因此可將方法210作為方法200 的一部分來使用。此外，供給能量給激光器144/144’ /144”和/或?qū)?zhǔn)激光器146/146’ 后，方法210開始。經(jīng)步驟212，檢測來自裝置130/130’ /130”和/或132/132’的輸出信號。換句話說，檢測第一束光。因此，可檢測激光器140/140’ /140”和滑塊104/104’ /104”足夠精密對準(zhǔn)，從而開始有源對準(zhǔn)。再經(jīng)步驟214監(jiān)控輸出裝置130/130’ /130”和/或132/132’輸出的功率，而相對于滑塊140/104’ /104”移動激光器140/140’ /140”。例如，步驟214中可使用光檢測器(未示出)從而監(jiān)控輸出裝置130/130’ /130”和/或132/132’的功率輸出。步驟214繼續(xù)，直至檢測的輸出功率在最大期望功率的容限內(nèi)、或直至輸出功率超過閥值。激光器140/140，/140，則被認(rèn)為充分精密對準(zhǔn)滑塊104/104，/104”。使用方法210，可對準(zhǔn)EAMR磁盤驅(qū)動器100、100’、和/或100”的組件。因?yàn)榭奢p易執(zhí)行有源對準(zhǔn)，所以可改進(jìn)對準(zhǔn)。因?yàn)榭瑟?dú)立供電對準(zhǔn)發(fā)射極144’ /146，所以可實(shí)現(xiàn)該改進(jìn)，而不給之后性能帶來不利影響。在單一EAMR 頭 110/110，/110”、獨(dú)立滑塊 104/104，/104”、和單一激光器 140/140’/140”的背景下描述方法200和210。然而，可擴(kuò)展方法200和210和對準(zhǔn)激光器 144/144’/144”和對準(zhǔn)激光器146/146’至更高水平集成。例如，可使用激光器條和滑塊條。圖8是示出了用于對準(zhǔn)多個(gè)EAMR頭的系統(tǒng)300的框圖。為明確起見，圖8是不按比例的。此外，雖然在特殊組件的背景下描述系統(tǒng)300，但是可使用其它和/或不同組合。此外， 雖然在每個(gè)條上示出了特定數(shù)目的激光器和滑塊，但是其它數(shù)目的激光器和/或滑塊可位于條上。此外，不同的實(shí)施例中組件的布置可改變。系統(tǒng)300包括激光器條310和滑塊條320。激光器條310包括多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極和多個(gè)主發(fā)射極。示出的實(shí)施例中，可在激光器條的兩端使用兩個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極312和314。主發(fā)射極316位于對準(zhǔn)發(fā)射極312和314之間。每個(gè)主發(fā)射極316可相當(dāng)于制造的EAMR頭。 然而，在其它實(shí)施例中，可將對準(zhǔn)發(fā)射極提供給每個(gè)主發(fā)射極316。其它實(shí)施例中，可提供更多對準(zhǔn)發(fā)射極，但是它們的數(shù)量將小于主發(fā)射極316的數(shù)量。換句話說，不必需為每個(gè)主發(fā)射極316提供對準(zhǔn)發(fā)射極。此外，為了簡便示出了六個(gè)主發(fā)射極316。其它實(shí)施例中，另一些若干主發(fā)射極316位于激光器條310上。滑塊條320包括多個(gè)滑塊。每個(gè)滑塊包括波導(dǎo)管322。每個(gè)波導(dǎo)管相當(dāng)于已被制造的EAMR頭。因此，每個(gè)波導(dǎo)管322相當(dāng)于主發(fā)射極316。波導(dǎo)管322之間的間隔和(波導(dǎo)管322的)位置因此相當(dāng)于主發(fā)射極312之間的間隙和(主發(fā)射極312的)位置。此外， 為了簡便，示出了相當(dāng)于六個(gè)EAMR傳感器的波導(dǎo)管322。其它實(shí)施例中，其它數(shù)目的波導(dǎo)管322和EAMR傳感器可位于滑塊條320上。此外，示出對準(zhǔn)波導(dǎo)管3M和326以及相應(yīng)輸出裝置325和328。雖然示出了兩個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管32和326以及兩個(gè)輸出裝置325和328， 但是可使用其它數(shù)目。特別地，對準(zhǔn)波導(dǎo)管3M和3 分別相當(dāng)于每個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極312和 314。對準(zhǔn)波導(dǎo)管3M和3 之間的間隔和(它們的)位置因此相當(dāng)于對準(zhǔn)發(fā)射極312之間的間隔和(它們的)位置。使用滑塊條320和激光器條310，可執(zhí)行條_條對準(zhǔn)。特別地，使用對準(zhǔn)發(fā)射極 312/314和對準(zhǔn)波導(dǎo)管324/3 可更容易地執(zhí)行有源對準(zhǔn)。此外，由于使用多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極 312/314和對準(zhǔn)波導(dǎo)管324/326，可更好地實(shí)現(xiàn)χ-y平面上的對準(zhǔn)。此外，若不包括額外對準(zhǔn)發(fā)射極和對準(zhǔn)波導(dǎo)管，即使在對準(zhǔn)發(fā)射極312/314或?qū)?zhǔn)波導(dǎo)管3^/3 其中之一存在故障，仍可執(zhí)行在x_y平面的有源對準(zhǔn)。因此，可改進(jìn)EAMR頭的制造。圖9是用于使用EAMR磁盤驅(qū)動器的方法350的示例性實(shí)施例。為簡單起見，可省略、聯(lián)合、并行執(zhí)行、以另一種順序執(zhí)行、和/或交錯(cuò)一些步驟。在系統(tǒng)300的背景下描述方法350。然而，可使用方法350從而制造其它EAMR磁盤驅(qū)動器。經(jīng)步驟352，無源對準(zhǔn)激光器條310和滑塊條320。一些實(shí)施例中，使用基準(zhǔn)323 和/或327執(zhí)行步驟352?？商鎿Q地，可使用另一個(gè)外部激光器。例如，外部激光器可光學(xué)偶聯(lián)到輸出325和/或328。這樣的情況中，光沿著波導(dǎo)管3M和/或326向原處移動?？稍诓▽?dǎo)管3M和/或326的輸入檢測來自外部激光器的光。在任一情況下，步驟352中執(zhí)行的對準(zhǔn)是充分的，以致可在相應(yīng)輸出325和/或328中分別檢測來自對準(zhǔn)發(fā)射極312和 /或314的光。一些實(shí)施例中，在無源對準(zhǔn)中維持激光器條310和滑塊條320之間的間隔， 從而增加來自對準(zhǔn)發(fā)射極312和/或314中的發(fā)散光束的光可被檢測的可能性。因此，步驟352中，可實(shí)現(xiàn)激光器條310和滑塊條320的粗略對準(zhǔn)。經(jīng)步驟354，可有源對準(zhǔn)激光器條310和滑塊條320。更具體地，當(dāng)監(jiān)控輸出裝置 325和/或3 輸出的功率時(shí)，供給能量給對準(zhǔn)激光器312和/或?qū)?zhǔn)激光器314。例如，在步驟354中可使用光檢測器(未示出)從而監(jiān)控在輸出裝置325和/或328的功率輸出。 相對于滑塊條320移動激光器310，直至檢測的輸出功率超過閾值和/或在最大期望功率的容限內(nèi)。激光器條310和滑塊條320則可附著于對方上。因此，可較容易地實(shí)現(xiàn)條-條有源對準(zhǔn)。因?yàn)榭扇菀椎貓?zhí)行有源對準(zhǔn)，所以可改進(jìn)對準(zhǔn)。因此，可改進(jìn)已形成的EAMR頭的制造和性能。
權(quán)利要求
1.一種能量輔助磁記錄EAMR頭，包含激光器，包括主發(fā)射極和至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極；滑塊，包括至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管、至少一個(gè)輸出裝置，和空氣軸承表面ABS，所述至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管對準(zhǔn)所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極；以及EAMR傳感器，其與所述滑塊偶聯(lián)并且包括與主發(fā)射極對準(zhǔn)的波導(dǎo)管，所述波導(dǎo)管用于將來自所述主發(fā)射極的能量導(dǎo)向所述ABS。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述EAMR頭，其中所述主發(fā)射極和所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極被配置為被獨(dú)立供電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述EAMR頭，其中所述至少一個(gè)輸出裝置包括至少一個(gè)輸出光柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述EAMR頭，其中所述滑塊進(jìn)一點(diǎn)包括 接近于所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極的多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)志。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述EAMR頭，其中所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極包含第一對準(zhǔn)發(fā)射極和第二對準(zhǔn)發(fā)射極，以及其中至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管包括與所述第一對準(zhǔn)發(fā)射極對準(zhǔn)的第一對準(zhǔn)波導(dǎo)管和與所述第二對準(zhǔn)發(fā)射極對準(zhǔn)的第二對準(zhǔn)波導(dǎo)管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述EAMR頭，其中所述主發(fā)射極位于所述第一對準(zhǔn)發(fā)射極和所述第二對準(zhǔn)發(fā)射極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述EAMR頭，其中所述第一對準(zhǔn)發(fā)射極位于所述主發(fā)射極和所述第二對準(zhǔn)發(fā)射極之間。
8.一種用于提供能量輔助磁記錄EAMR頭的方法，所述EAMR頭包括滑塊、與所述滑塊偶聯(lián)的EAMR傳感器和與所述滑塊偶聯(lián)的激光器，所述方法包含使所述激光器和所述滑塊無源對準(zhǔn)，其中所述激光器包括主發(fā)射極和至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極，所述滑塊包括至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管、至少一個(gè)輸出裝置、和空氣軸承表面ABS，所述EAMR傳感器包括波導(dǎo)管、使所述激光器和所述滑塊無源對準(zhǔn)的步驟包括使所述至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管和所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極無源對準(zhǔn)；以及使用所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極、所述至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管、和所述至少一個(gè)輸出裝置使所述激光器和所述滑塊有源對準(zhǔn)_2]。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其中使所述激光器和所述滑塊有源對準(zhǔn)的步驟進(jìn)一步包括檢測來自所述至少一個(gè)輸出裝置的對應(yīng)于所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極的至少一個(gè)輸出信號；相對于所述激光器移動所述滑塊，直至所述至少一個(gè)輸出信號在最大值的容限內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其中所述滑塊包括接近于所述至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管的多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)志，且其中使所述激光器和所述滑塊無源對準(zhǔn)的所述步驟包括將所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極和所述多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)志對準(zhǔn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其中使所述激光器和所述滑塊無源對準(zhǔn)的所述步驟包括光學(xué)地偶聯(lián)至少一個(gè)外部激光器和所述至少一個(gè)輸出裝置，在至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管中輸出的來自所述至少一個(gè)外部激光器的外部能量；以及將所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極和在所述至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管輸出的所述外部能量對準(zhǔn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其中所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極包括第一對準(zhǔn)發(fā)射極和第二對準(zhǔn)發(fā)射極，且其中至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管包括與所述第一對準(zhǔn)發(fā)射極對準(zhǔn)的第一對準(zhǔn)波導(dǎo)管和與所述第二對準(zhǔn)發(fā)射極對準(zhǔn)的第二對準(zhǔn)波導(dǎo)管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述方法，其中所述主發(fā)射極位于所述第一對準(zhǔn)發(fā)射極和所述第二對準(zhǔn)發(fā)射極之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述方法，其中所述第一對準(zhǔn)發(fā)射極位于所述主發(fā)射極和所述第二對準(zhǔn)發(fā)射極。
15.一種用于提供多個(gè)能量輔助磁記錄EAMR頭的方法，所述EAMR頭包括多個(gè)滑塊，與所述多個(gè)滑塊偶聯(lián)的多個(gè)EAMR傳感器，與所述多個(gè)滑塊偶聯(lián)的多個(gè)主發(fā)射極，所述多個(gè)滑塊位于滑塊條上，所述方法包含無源對準(zhǔn)激光器條和所述滑塊條，所述激光器條包含多個(gè)主發(fā)射極和多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極，所述滑塊條包括多個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管和多個(gè)輸出裝置，所述多個(gè)EAMR傳感器的每一個(gè)包括波導(dǎo)管，無源對準(zhǔn)所述激光器和所述滑塊的步驟包括無源對準(zhǔn)所述多個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管與所述多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極；以及使用所述多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極、所述多個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管和所述多個(gè)輸出裝置有源對準(zhǔn)所述激光器條和所述滑塊條。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述方法，其中有源對準(zhǔn)所述激光器條和所述滑塊條的所述步驟進(jìn)一步包括檢測來自所述多個(gè)輸出裝置中至少一個(gè)的對應(yīng)于所述多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極的至少一個(gè)輸出信號；以及相對于所述激光器條移動所述滑塊條，直至所述至少一個(gè)輸出信號在最大信號容限內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述方法，其中所述滑塊條包括接近于所述至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管的多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)，以及所述無源對準(zhǔn)所述激光器條和所述滑塊條的步驟包括將所述多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極和所述多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)志對準(zhǔn)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述方法，其中所述無源對準(zhǔn)所述激光器和所述滑塊的步驟進(jìn)一步包括光學(xué)地偶聯(lián)至少一個(gè)外部激光器和所述多個(gè)輸出裝置中的至少一個(gè)，在所述多個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管的至少一個(gè)輸出來自所述至少一個(gè)外部激光器的外部能量；以及對準(zhǔn)所述至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極和在所述多個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管中至少一個(gè)輸出的所述外部能量°
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述方法，其中所述多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極中至少一個(gè)對應(yīng)于所述多個(gè)主發(fā)射極中的每個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述方法，其中所述多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極的總數(shù)小于主發(fā)射極的總數(shù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述方法，其中所述多個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極由第一對準(zhǔn)發(fā)射極和第二對準(zhǔn)發(fā)射極組成，所述多個(gè)主發(fā)射極的至少一部分位于所述第一對準(zhǔn)發(fā)射極和所述第二對準(zhǔn)發(fā)射極之間。
全文摘要
在能量輔助磁記錄磁盤驅(qū)動器中光學(xué)地偶聯(lián)激光器與傳感器的方法和系統(tǒng)，本發(fā)明涉及提供能量輔助磁記錄(EAMR)頭的方法和系統(tǒng)。EAMR頭包括激光器、滑塊、和EAMR傳感器。激光器具有主發(fā)射極和至少一個(gè)對準(zhǔn)發(fā)射極。滑塊包括至少一個(gè)對準(zhǔn)波導(dǎo)管、至少一個(gè)輸出裝置，和空氣軸承表面(ABS)。對準(zhǔn)波導(dǎo)管與對準(zhǔn)發(fā)射極對準(zhǔn)。EAMR傳感器與滑塊偶聯(lián)且包括與主發(fā)射極對準(zhǔn)的波導(dǎo)管。波導(dǎo)管用于將來自主發(fā)射極的能量導(dǎo)向ABS。
文檔編號G11B5/55GK102543106SQ20111044857
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者A·B·戈拉科夫, H·李, L·王, S·李, S·索查瓦 申請人:西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司