專利名稱：帶有電路的懸掛基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶有電路的懸掛基板及其制造方法，具體來說，本發(fā)明涉及裝設(shè)在硬盤驅(qū)動(dòng)器上的帶有電路的懸掛基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
裝設(shè)在硬盤驅(qū)動(dòng)器上的帶有電路的懸掛基板裝設(shè)有用于安裝磁頭的滑動(dòng)件，使滑動(dòng)件相對于硬盤驅(qū)動(dòng)器以微小間隔上浮。要求不受空氣中所含的水分、熱等影響，以相對于硬盤驅(qū)動(dòng)器的上浮姿態(tài)(姿態(tài)角)恒定的方式穩(wěn)定地維持上述滑動(dòng)件。為了滿足上述的要求，提出以下方案，S卩，例如在包括金屬基板、形成在該金屬基板上側(cè)的絕緣層、形成在該絕緣層上側(cè)的配線層、形成在該配線層上側(cè)的覆蓋層的懸掛用基板中，使絕緣層形成材料和覆蓋層形成材料的吸濕膨脹系數(shù)為0/% RH 30X10-6/% RH，并且上述絕緣層形成材料和覆蓋層形成材料的吸濕膨脹系數(shù)的差為0/% RH 5X10^7% RH。然而，即使在日本特開平10-27447號公報(bào)所提出的懸掛基板中，也存在不能充分地滿足上述的要求的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠防止高濕環(huán)境下的懸架部的變形、由此能夠穩(wěn)定地維持滑動(dòng)件相對于硬盤驅(qū)動(dòng)器的姿態(tài)角的帶有電路的懸掛基板及其制造方法。用于解決問題的方案本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板包括金屬支承層、形成在上述金屬支承層上側(cè)的絕緣層以及形成在上述絕緣層上側(cè)的導(dǎo)體層，其特征在于，上述帶有電路的懸掛基板設(shè)有懸架部，在上述懸架部形成有沿上下方向貫穿上述金屬支承層的開口部，上述懸架部包括舌部，其形成在上述開口部的內(nèi)側(cè)，該舌部用于裝設(shè)滑動(dòng)件，該滑動(dòng)件用于安裝與上述導(dǎo)體層電連接的磁頭；懸臂部，其形成在上述開口部的外側(cè)，用于支承上述舌部；通過部，其通過上述懸架部的上述開口部及/或上述懸臂部的外側(cè)區(qū)域，上述通過部包括導(dǎo)體層和覆蓋上述導(dǎo)體層的上述絕緣層，上述通過部的絕緣層的下側(cè)一半部分的厚度與上述通過部的絕緣層的上側(cè)一半部分的厚度相同。此外，在本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板中，優(yōu)選為，上述通過部的上下方向中央和上述導(dǎo)體層的上述上側(cè)一半部分處的上表面之間的距離，與上述通過部的上述上下方向中央和上述導(dǎo)體層的上述下側(cè)一半部分處的下表面之間的距離相同。此外，在本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板中，優(yōu)選為，上述通過部的上述絕緣層包括中間絕緣層，上述通過部的上述導(dǎo)體層包括第1導(dǎo)體層和隔著上述中間絕緣層形成在上述第1導(dǎo)體層上側(cè)的第2絕緣層，上述第1導(dǎo)體層的厚度和上述第2導(dǎo)體層的厚度相同。此外，在本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板中，優(yōu)選為，上述通過部的上述導(dǎo)體層的上側(cè)一半部分與下側(cè)一半部分以上下方向中央為中心對稱形成。此外，在本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板中，優(yōu)選為，上述通過部的上述絕緣層包括第1覆蓋絕緣層，其形成在上述中間絕緣層下側(cè)，用于覆蓋上述導(dǎo)體層的上述下側(cè)部分；第2覆蓋絕緣層，其形成在上述中間絕緣層上側(cè)，用于覆蓋上述導(dǎo)體層的上述上側(cè)部分，上述絕緣層的上述下側(cè)一半部分由上述中間絕緣層的下側(cè)一半部分和上述第1覆蓋絕緣層構(gòu)成，上述絕緣層的上述上側(cè)一半部分由上述中間絕緣層的上側(cè)一半部分和上述第2 覆蓋絕緣層構(gòu)成。此外，在本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板中，優(yōu)選為，上述通過部的上述絕緣層的上述上側(cè)一半部分與上述下側(cè)一半部分以上下方向中央為中心對稱地形成。此外，本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的制造方法的帶有電路的懸掛基板設(shè)有懸架部，該懸架部包括舌部，其用于裝設(shè)滑動(dòng)件，該滑動(dòng)件用于安裝磁頭；懸臂部，其用于支承上述舌部，本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的制造方法的特征在于，其包括準(zhǔn)備金屬支承層的工序；在上述金屬支承層的上側(cè)形成絕緣層的工序；在上述絕緣層的上側(cè)形成導(dǎo)體層的工序；在上述金屬支承層與上述懸架部的上述導(dǎo)體層相對應(yīng)地形成用于劃分上述舌部和上述懸臂部的開口部的工序，在上述形成絕緣層的工序中，以覆蓋上述導(dǎo)體層的方式、且以使通過上述開口部及/或上述懸臂部的外側(cè)區(qū)域的通過部的上述絕緣層的下側(cè)一半部分的厚度和上述通過部的上述絕緣層的上側(cè)一半部分的厚度相同的方式形成上述絕緣層在本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的制造方法及由其獲得的帶有電路的懸掛基板中，通過部的絕緣層的下側(cè)一半部分的厚度和通過部的絕緣層的上側(cè)一半部分的厚度相同，因此，即使通過部的絕緣層的下側(cè)一半部分和上側(cè)一半部分在高濕環(huán)境下吸濕而膨脹， 它們也以相同比例膨脹。因此，能夠有效地防止通過部的由吸濕產(chǎn)生的變形。發(fā)明的效果其結(jié)果，能夠穩(wěn)定地維持被裝設(shè)于帶有電路的懸掛基板的滑動(dòng)件相對于硬盤驅(qū)動(dòng)器的姿態(tài)角。


圖1表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的一實(shí)施方式的懸架部的俯視圖。圖2表示圖1所示的懸架部的仰視圖。圖3表示圖1及圖2的A-A剖視圖。圖4表示圖3所示的懸架部的通過部的放大剖視圖。圖5是用于說明圖1所示的帶有電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，是與圖3 的剖視圖相對應(yīng)的工序圖，(a)表示準(zhǔn)備金屬支承層的工序；(b)表示形成基底絕緣層的工序；(c)表示形成狹縫的工序；(d)表示形成導(dǎo)體層的工序；(e)表示形成第1覆蓋絕緣層及第2覆蓋絕緣層的工序。圖6表示用于說明圖5的(a)的準(zhǔn)備金屬支承層的工序的俯視圖。圖7是用于說明圖5的(b)的形成基底絕緣層的工序的附圖，
(a)表示俯視圖；(b)表示仰視圖。圖8是用于說明圖5的(C)的形成狹縫的工序的附圖，(a)表示俯視圖；(b)表示仰視圖。圖9是用于說明圖5的(d)的形成第1導(dǎo)體層及第2導(dǎo)體層的工序的附圖，(a)表示俯視圖；(b)表示仰視圖。圖10表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的其它的實(shí)施方式的通過部(以向厚度方向投影時(shí)第1配線及第2配線的投影錯(cuò)開的方式配置上述第1配線及第2配線的形態(tài)) 的放大剖視圖。圖11表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的其它的實(shí)施方式的懸架部(設(shè)有四個(gè)磁頭側(cè)端子的形態(tài))的俯視圖。圖12表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的其它的實(shí)施方式的懸架部(由基底絕緣層、第2配線及第2基底絕緣層構(gòu)成的形態(tài))的俯視圖。圖13表示圖12所示的懸架部的通過部的放大剖視圖。圖14是實(shí)施例1的帶有電路的懸掛基板的俯視圖，表示金屬支承層及基底絕緣層的尺寸。圖15表示比較例1的帶有電路的懸掛基板的通過部的放大剖視圖。
具體實(shí)施例方式圖1表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的一實(shí)施方式的懸架部的俯視圖，圖2表示圖1所示的懸架部的仰視圖，圖3表示圖1及圖2的A-A剖視圖，圖4表示圖3所示的懸架部的通過部的放大剖視圖，圖5表示用于說明圖1所示的帶有電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，表示與圖3的剖視圖相對應(yīng)的工序圖，圖6表示用于說明圖5的(a)的準(zhǔn)備金屬支承層的工序的俯視圖，圖7表示用于說明圖5的(b)的形成基底絕緣層的工序的附圖， 圖8表示用于說明圖5的(c)的形成狹縫的工序的附圖，圖9表示用于說明圖5的(d)的形成第1導(dǎo)體層及第2導(dǎo)體層的工序的附圖。此外，在圖1、圖2及圖9中，為了明確地表示基底絕緣層14、第1導(dǎo)體層觀及第 2導(dǎo)體層16的相對配置，省略第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16。在圖1及圖2中，該帶有電路的懸掛基板1裝設(shè)有用于安裝磁頭(未圖示)的滑動(dòng)件(未圖示)，使滑動(dòng)件相對于硬盤驅(qū)動(dòng)器以微小間隔上浮。在該帶有電路的懸掛基板1中，在金屬支承層2上支承有導(dǎo)體層3。金屬支承層2形成為沿長度方向延伸的平帶狀。金屬支承層2 —體地包括配置在長度方向一側(cè)(以下，稱為后側(cè)。圖1及圖2中的紙面下側(cè)。)的配線部4和配置在配線部 4的長度方向另一側(cè)(以下，稱為前側(cè)。圖1及圖2中的紙面上側(cè)。)的懸架部5。配線部4形成為沿前后方向延伸的俯視大致矩形狀。此外，在配線部4中，在寬度方向(與前后方向正交的方向)上彼此隔著間隔地形成有兩條沿前后方向延伸的狹縫6。各狹縫6沿前后方向呈直線狀延伸。此外，雖然在圖1中省略而沒有表示，但是在配線部4的后端部配置有后述的外部側(cè)端子。懸架部5是從配線部4的前端緣連續(xù)形成的，其形成為相對于配線部4向?qū)挾确较?與前后方向正交的方向，圖1及圖2所示的左右方向。)兩外側(cè)鼓出的俯視大致矩形狀。在懸架部5中形成有作為在厚度方向上貫穿金屬支承層2的開口部的第1開口部 7。第1開口部7為在俯視下朝向前側(cè)開口的大致C字狀，具體來說，其由沿前后方向延伸且在寬度方向上隔著間隔地相對配置的一對寬開口部8、連通各寬開口部8的后端部的連通開口部9及從各寬開口部8的前端部向?qū)挾确较蛑醒霃澢膹澢_口部10—體地形成。各寬開口部8的后端部與狹縫6的前端相連通。此外，各寬開口部8的寬度形成得比狹縫6的寬度寬。此外，懸架部5包括被夾持在一對寬開口部8的寬度方向內(nèi)側(cè)的舌部11、分別配置在一對寬開口部8的寬度方向外側(cè)的懸臂部12及配置在舌部11的前側(cè)及懸臂部的前側(cè)的連絡(luò)部40。舌部11以從連絡(luò)部40向后方呈俯視大致矩形舌狀延伸的方式形成。此外，在舌部11的上表面上裝設(shè)有滑動(dòng)件(未圖示)。連絡(luò)部40形成為在舌部11及懸架部5的前側(cè)沿寬度方向延伸的俯視大致矩形狀。懸臂部12經(jīng)由連絡(luò)部40與舌部11相連接，由此，利用懸臂部12支承舌部11。并且，如圖3所示，該帶有電路的懸掛基板1包括金屬支承層2、形成在金屬支承層 2上側(cè)的絕緣層13、形成在絕緣層13上側(cè)的導(dǎo)體層3。金屬支承層2例如由不銹鋼、42號合金、鋁、銅-鈹合金、磷青銅、鎳、鐵、銅及上述金屬的合金等金屬材料形成。從彈力特性及耐腐蝕性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選用不銹鋼形成該金屬支承層2。 金屬支承層2的厚度例如是5 μ m 50 μ m，優(yōu)選為10 μ m 30 μ m。絕緣層13形成為包含供導(dǎo)體層3形成的區(qū)域的圖案，其包括作為中間絕緣層的基底絕緣層14、形成在基底絕緣層14下側(cè)的第1覆蓋絕緣層15和形成在基底絕緣層14上側(cè)的第2覆蓋絕緣層16。如圖1及圖2所示，基底絕緣層14以在配線部4中呈直線狀沿前后方向延伸的方式形成，其以遍及各狹縫6的寬度方向兩側(cè)的金屬支承層2的方式形成?；捉^緣層14在懸架部5中成為寬度方向中央稍微向后側(cè)突出的俯視大致倒U 字狀，具體來說，該基底絕緣層14包括在前后方向上通過寬開口部8的一對基底通過部 17 ；將各基底通過部17的前端部相連接、以在俯視下包含各彎曲開口部10的方式形成的基底連接部18 ；從基底連接部18的寬度方向中央向后側(cè)呈俯視大致矩形狀突出、包含舌部11 的前側(cè)部分的基底突出部19。基底通過部17與后述的第1覆蓋絕緣層15、第2覆蓋絕緣層16及導(dǎo)體層3共同形成通過部25。基底連接部18以沿寬度方向延伸的方式形成。
此外，如圖3所示，在基底連接部18中形成有與后述的導(dǎo)通部20相對應(yīng)的基底開口部21?；组_口部21以貫穿基底連接部18的厚度方向的方式形成為俯視大致圓形狀。第1覆蓋絕緣層15以在基底絕緣層14下側(cè)覆蓋下述說明的第1配線22的方式形成。第2覆蓋絕緣層16以在基底絕緣層14上側(cè)覆蓋下述說明的第2配線M的方式形成?；走B接部18、第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16例如分別由相同或者不同的絕緣材料形成?；走B接部18、第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16優(yōu)選全部由相同的絕緣材料形成。作為上述的絕緣材料，例如可以舉出聚酰亞胺、聚苯并咪唑、聚醚酰亞胺、聚苯醚、苯并環(huán)丁烯、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂等耐熱絕緣材料等，從耐熱性、 機(jī)械強(qiáng)度及熱膨脹系數(shù)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用聚酰亞胺。例如能夠通過使有機(jī)四羧酸二酐(例如，3，3’，4，4’_聯(lián)苯四羧酸二酐等)和二胺 (例如，1，4_ 二氨基苯，2，2，-雙(三氟甲基)_4，4，- 二氨基聯(lián)苯等)反應(yīng)而獲得聚酰亞胺。例如在有機(jī)溶劑(例如，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等)中、在感光劑(例如，1-乙基-4- (2-硝基苯)-1，4- 二氫吡啶-3，5- 二羧酸-二甲酯等)和/或添加劑O- (1，2-環(huán)己烷二甲酰亞胺)丙烯酸乙酯等)的存在下實(shí)施上述的反應(yīng)。絕緣材料的吸濕膨脹系數(shù)例如為5ppm lOOppm，熱膨脹系數(shù)例如為IOppm IOOppm0此外，如圖4所示，基底絕緣層14的下側(cè)一半部分和第1覆蓋絕緣層15成為絕緣層13的下側(cè)一半部分沈，基底絕緣層14的上側(cè)一半部分和第2覆蓋絕緣層16成為絕緣層 13的上側(cè)一半部分27?；捉^緣層14的厚度TIl例如是1 μ m 35 μ m，優(yōu)選為3 μ m 15 μ m。第1覆蓋絕緣層15的厚度TI2和第2覆蓋絕緣層16的厚度TI3例如相同，具體來說，例如是1 μ m 30 μ m，優(yōu)選為3 μ m 15 μ m。此外，第1覆蓋絕緣層15的厚度TI2是第1配線22的下表面與第1覆蓋絕緣層 15的覆蓋該第1配線22的下表面的下表面之間的長度。此外，第2覆蓋絕緣層16的厚度TI3是第2配線M的上表面與第2覆蓋絕緣層 16的覆蓋該第2配線M的上表面的上表面之間的長度。因此，絕緣層13的下側(cè)一半部分沈的厚度與絕緣層13的上側(cè)一半部分27的厚度相同，絕緣層13的下側(cè)一半部分沈的厚度即基底絕緣層14的下側(cè)一半部分的厚度 (1/2 X TIl)與第1覆蓋絕緣層15的厚度TI2的總厚度，絕緣層13的上側(cè)一半部分27的厚度即基底絕緣層14的上側(cè)一半部分的厚度(1/2XTI1)與第2覆蓋絕緣層16的厚度TI3 的總厚度。具體來說，絕緣層13的下側(cè)一半部分沈的厚度TI4及絕緣層13的上側(cè)一半部分 27的厚度TI5例如是5 μ m 40 μ m，優(yōu)選為10 μ m 30 μ m。導(dǎo)體層3覆蓋在絕緣層13上，具體來說，該導(dǎo)體層3包括形成在基底絕緣層14下側(cè)的第1導(dǎo)體層觀和形成在基底絕緣層14上側(cè)的第2導(dǎo)體層四。第2導(dǎo)體層四形成在基底絕緣層14的上表面上，該第2導(dǎo)體層四一體地包括與磁頭相連接的磁頭側(cè)端子32 (圖1)、與外部基板(未圖示)相連接的外部側(cè)端子(未圖示)及電連接磁頭側(cè)端子32和外部側(cè)端子的第2配線M。在舌部11的前側(cè)部分，在寬度方向上彼此隔開間隔地并列配置有多個(gè)(八個(gè))磁頭側(cè)端子32。此外，磁頭側(cè)端子32以從第2覆蓋絕緣層16露出的方式形成。此外，在磁頭側(cè)端子32的表面上形成有由金及/或鎳等構(gòu)成的金屬鍍層(未圖示)。在配線部4的后端部，彼此隔開間隔地并列配置有多個(gè)(八個(gè))外部側(cè)端子(未圖示)。此外，外部側(cè)端子以從第2覆蓋絕緣層16露出的方式形成。此外，在外部側(cè)端子的表面上形成有由金及/或鎳等構(gòu)成的金屬鍍層(未圖示)。在帶有電路的懸掛基板1的前后方向上，在寬度方向上隔開間隔地設(shè)有多個(gè)(四個(gè))第2配線M。此外，相對于各狹縫6、各寬開口部8及各彎曲開口部10，分別設(shè)有兩個(gè)第2配線24。具體來說，第2配線M以在向厚度方向投影時(shí)該投影包含在狹縫6中的方式沿狹縫6在前后方向上延伸。此外，第2配線M在懸架部5、在基底通過部17及基底連接部18 的上表面形成沿上述基底通過部17及基底連接部18的俯視大致L字狀。此外，第2配線M的側(cè)面及上表面被第2覆蓋絕緣層16覆蓋。第1導(dǎo)體層觀以與第2導(dǎo)體層四在厚度方向上夾著基底絕緣層14的方式形成。 也就是說，第1導(dǎo)體層觀形成在基底絕緣層14的下表面上，該第1導(dǎo)體層觀包括第1配線22。第1配線22在向厚度方向上投影時(shí)形成與上述的第2配線M相重疊的圖案。具體來說，各第1配線22與各第2配線M在厚度方向上相對配置。此外，第1配線22的下表面及側(cè)面被第1覆蓋絕緣層15覆蓋。此外，如圖1及圖3所示，導(dǎo)體層3還包括導(dǎo)通部20、電連接導(dǎo)通部20與磁頭32 的端子連絡(luò)部34。導(dǎo)通部20包括被填充到基底連接部18的基底開口部21內(nèi)的填充部35、形成在填充部35下側(cè)的第1導(dǎo)通部36和形成在填充部35上側(cè)的第2導(dǎo)通部37。第1導(dǎo)通部36包括支承導(dǎo)通部38和形成在其周圍的第1導(dǎo)體部39。支承導(dǎo)通部38形成為從填充部35的下表面朝向下側(cè)及外側(cè)鼓出的俯視大致圓形狀。支承導(dǎo)通部38由與金屬支承層2相同的金屬材料形成。第1導(dǎo)體部39覆蓋支承導(dǎo)通部38的下表面及側(cè)面。第1導(dǎo)體部39的寬度方向外側(cè)部與第1配線22相連接。第2導(dǎo)通部37形成為從填充部35的上表面朝向上側(cè)及外側(cè)鼓出的俯視大致圓形狀。如圖1及圖2所示，端子連絡(luò)部34從第2導(dǎo)通部37的后端部向后方延伸而到達(dá)磁頭側(cè)端子32。導(dǎo)通部20和端子連絡(luò)部34電連接第1配線22和磁頭側(cè)端子32。此外，磁頭側(cè)端子32從寬度方向中央側(cè)朝向?qū)挾确较蛲鈧?cè)(一側(cè)及另一側(cè)這兩側(cè))分別具有成對的、依次配置的第1磁頭側(cè)端子32A、第2磁頭側(cè)端子32B、第3磁頭側(cè)端子32C及第4磁頭側(cè)端子32D，上述端子全部形成在同一平面上、即形成在基底絕緣層14的上表面上。各第1磁頭側(cè)端子32A及各第3磁頭側(cè)端子32C經(jīng)由端子連絡(luò)部34及導(dǎo)通部 20與第1配線22電連接，各第2磁頭側(cè)端子32B及各第4磁頭側(cè)端子32D與第2配線M電連接。第1導(dǎo)體層觀及第2導(dǎo)體層四例如由相同的材料形成，具體來說，該第1導(dǎo)體層 28及第2導(dǎo)體層四例如由銅、鎳、金、焊錫或者上述金屬的合金等導(dǎo)體材料形成，從導(dǎo)電性的觀點(diǎn)出發(fā)，上述第1導(dǎo)體層觀及第2導(dǎo)體層四優(yōu)選由銅形成。第1導(dǎo)體層觀的厚度TCl與第2導(dǎo)體層四的厚度TC2例如相同，具體來說，例如 ^ 3 μ m ~ 30 μ m, 15 μ m 20 μ m。此外，第1配線22的寬度Wl與第2配線M的寬度W2例如相同，具體來說，例如是5μπι 200μπι，優(yōu)選為8μπι 100 μ m。此外，狹縫6中的第1配線22之間的間隔Il 與狹縫6中的第2配線M之間的間隔12例如相同，具體來說，例如是5 μ m 200 μ m,優(yōu)選為 8 μ m 100 μ m。此外，各磁頭側(cè)端子32的寬度及各外部側(cè)端子的寬度例如是2μπι ΙΟΟΟμπι， 優(yōu)選是30 μ m 800 μ m,各磁頭側(cè)端子32之間的間隔及各外部側(cè)端子之間的間隔例如是 2 μ m 1000 μ m, iftiti 30 μ m ~ 800 μ m。并且，通過寬開口部8的絕緣層13由基底絕緣層14 (基底通過部17)、第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16構(gòu)成。此外，通過寬開口部8的導(dǎo)體層3由第1配線22及第 2配線M構(gòu)成。通過寬開口部8的絕緣層13的上下方向中央Cl與第1覆蓋絕緣層15的下表面之間的距離Li，和通過寬開口部8的絕緣層13的上下方向中央Cl與第2覆蓋絕緣層16的上表面之間的距離L2相同，具體來說，例如是5 μ m 40 μ m，優(yōu)選為10 μ m 30 μ m。此外，通過寬開口部8的絕緣層13的上下方向中央Cl與第1導(dǎo)體層觀的下表面之間的距離L3，和通過寬開口部8的絕緣層13的上下方向中央Cl與第2導(dǎo)體層四的上表面之間的距離L4相同，具體來說是4μπι 35μπι，優(yōu)選為8μπι 25μπι。并且，通過寬開口部8的第1配線22和通過寬開口部8的第2配線M以通過上下方向中央的面(單點(diǎn)劃線Cl)為中心對稱(面對稱)地形成。此外，通過寬開口部8的第1配線22和通過寬開口部8的第2配線M以沿前后方向通過基底通過部17的寬度方向中央及厚度方向中央的通過軸PA為中心點(diǎn)對稱地形成。此外，基底通過部17的下側(cè)一半部分與基底通過部17的上側(cè)一半部分以通過上下方向中央的面(單點(diǎn)劃線Cl)為中心對稱(面對稱)地形成，通過寬開口部8的第1覆蓋絕緣層15與通過寬開口部8的第2覆蓋絕緣層16以通過上下方向中央的面(單點(diǎn)劃線 Cl)為中心對稱(面對稱)地形成。接下來，參照圖1 圖3及圖5 圖9，對制造該帶有電路的懸掛基板1的方法進(jìn)行說明。另外，在圖7、圖8和圖9中，為了容易理解附圖，省略了第3磁頭側(cè)端子32C和第 4磁頭側(cè)端子32D。在該方法中，首先，如圖5的(a)及圖6所示，準(zhǔn)備薄板狀的金屬支承層2。接下來，在該方法中，如圖5的(b)、圖7的(a)及圖7的(b)所示，在金屬支承層 2的上側(cè)形成基底絕緣層14。為了在金屬支承層2的上側(cè)形成基底絕緣層14，例如，首先，在金屬支承層2的上表面整面上涂布感光性聚酰亞胺樹脂前體的清漆(感光性聚酰胺酸樹脂溶液)，使其干燥而形成基底保護(hù)膜。接下來，將基底保護(hù)膜以上述的圖案曝光，接著進(jìn)行顯影，之后進(jìn)行加熱使其固化。接下來，在上述方法中，如圖5的(C)、圖8的(a)及圖8的(b)所示，在金屬支承層2上一體地形成第2開口部23和狹縫6。第2開口部23貫穿在金屬支承層2的厚度方向上，作為用于開口出第1開口部7 的預(yù)備孔，其由窄開口部33和彎曲開口部10 —體地形成。為了使金屬支承層2支承基底通過部17的寬度方向兩端部，以窄于接下來形成的寬開口部8(圖1及圖2)的方式形成窄開口部33。此外，窄開口部33形成為與寬開口部8 相同長度(長度方向長度)的俯視大致矩形狀，其后端部與狹縫6的前端相連接(連通)。此外，各窄開口部33在俯視下與各狹縫6形成同一直線狀。此外，以在金屬支承層2中留有支承導(dǎo)通部38的方式形成彎曲開口部10。接下來，在上述方法中，如圖5的(d)、圖9的(a)及圖9的(b)所示，在基底絕緣層14的下側(cè)形成第1導(dǎo)體層觀，并且在基底絕緣層14的上側(cè)形成第2導(dǎo)體層四。第1導(dǎo)體層觀及第2導(dǎo)體層四例如利用加成法等公知的導(dǎo)體圖案形成法形成。在形成上述的第1導(dǎo)體層觀及第2導(dǎo)體層四的同時(shí)形成第1導(dǎo)體部39、第2導(dǎo)通部37和端子連絡(luò)部34。此外，第1導(dǎo)體部39以朝向支承導(dǎo)通部38的上側(cè)及外側(cè)(前后方向兩側(cè)及寬度方向兩側(cè))鼓出的方式形成。由此，形成導(dǎo)通部20。接下來，在上述方法中，如圖5的(e)所示，在基底絕緣層14的下側(cè)以覆蓋第1配線22的方式形成第1覆蓋絕緣層15，并且在基底絕緣層14的上側(cè)以覆蓋第2配線M的方式形成第2覆蓋絕緣層16。為了形成第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16，例如，在基底絕緣層14的兩面整面上涂布感光性聚酰亞胺樹脂前體的清漆(感光性聚酰胺酸樹脂溶液)，使其干燥而形成覆蓋保護(hù)膜。接下來，將覆蓋保護(hù)膜以上述的圖案曝光，接下來進(jìn)行顯影，之后加熱使其固化。此外，第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16例如也能夠以下述方式形成，即， 將合成樹脂預(yù)先形成為上述圖案的薄膜，借助公知的粘接劑層(未圖示)將上述薄膜粘貼在基底絕緣層14的兩面上。此外，第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16能夠同時(shí)或者依次形成。優(yōu)選同時(shí)形成第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16。接下來，在上述方法中，如圖1 圖3所示，在金屬支承層2上形成第1開口部7。第1開口部7以擴(kuò)寬第2開口部23的窄開口部33的方式形成。此外，形成第1開口部7，并且對金屬支承層2進(jìn)行外形加工，將其加工成上述的形狀。由此，形成懸臂部12及舌部11，并且與通過部25的周圍的懸臂部12及舌部11相獨(dú)立地形成通過部25。即，通過部25在寬度方向上與懸臂部12及舌部11隔有間隔。之后，雖未圖示，但是利用鍍等方法在磁頭側(cè)端子32及外部側(cè)端子的表面上形成鍍層。由此，獲得帶有電路的懸掛基板1。之后，在該帶有電路的懸掛基板1的舌部處裝設(shè)用于安裝磁頭的滑動(dòng)件(未圖
11示)，并且使磁頭(未圖示)與磁頭側(cè)端子32相連接。此外，使外部基板(未圖示)與外部側(cè)端子(未圖示)相連接。并且，在該帶有電路的懸掛基板1中，通過部25的絕緣層13的下側(cè)一半部分沈的厚度TI4和通過部25的絕緣層13的上側(cè)一半部分27的厚度TI5相同。因此，即使通過部25的絕緣層13的下側(cè)一半部分沈和上側(cè)一半部分27在高濕環(huán)境下吸濕而膨脹，它們也以相同比例進(jìn)行膨脹。因此，能夠有效地防止通過部25的由吸濕產(chǎn)生的翹曲等變形。其結(jié)果，能夠穩(wěn)定地維持裝設(shè)于帶有電路的懸掛基板1的滑動(dòng)件相對于硬盤驅(qū)動(dòng)器的姿態(tài)角。此外，第1導(dǎo)體層觀的厚度TCl例如與第2導(dǎo)體層四的厚度TC2相同。S卩，通過寬開口部8的第1配線22的厚度TCl與通過寬開口部8的第2配線M的厚度TC2相同， 因此，即使通過寬開口部8的第1配線22及第2配線M在高濕環(huán)境下因遇熱而膨脹，它們也以相同比例進(jìn)行膨脹。因此，能夠有效地防止通過部25的由吸濕產(chǎn)生的變形。此外，雖然在圖1 圖3的實(shí)施方式中，通過部17是以通過第1開口部7的方式形成的，但是，雖未圖示例如也能夠以通過懸臂部12的外側(cè)區(qū)域的方式形成上述通過部17。圖10表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的其它的實(shí)施方式的通過部(以向厚度方向投影時(shí)第1配線及第2配線的投影錯(cuò)開的方式配置該第1配線及第2配線的形態(tài))的放大剖視圖，圖11表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的其它的實(shí)施方式的懸架部(設(shè)有四個(gè)磁頭側(cè)端子的形態(tài))，圖12表示本發(fā)明的帶有電路的懸掛基板的其它的實(shí)施方式的懸架部(由基底絕緣層、第2配線及第2覆蓋絕緣層構(gòu)成的形態(tài))的俯視圖，圖13表示圖12所示的懸架部的通過部的放大剖視圖。此外，對于與上述的各部分相對應(yīng)的構(gòu)件，在以下的各附圖中標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略詳細(xì)說明。在圖4的實(shí)施方式中，將第1配線22與第2配線M配置為在上下方向上相對，但是例如，如圖10所示，也能夠以向厚度方向投影時(shí)使第1配線22與第2配線M的投影在寬度方向上錯(cuò)開的方式配置上述第1配線22。具體來說，在圖10中，第1配線22及第2配線M以基底通過部17的通過軸PA 為中心的點(diǎn)對稱地形成。此外，通過寬開口部8的第1配線22的寬度方向外側(cè)端部在向厚度方向投影時(shí)， 與通過寬開口部8的第2配線M的寬度方向內(nèi)側(cè)端部相重疊。第1配線的外側(cè)端緣和第2配線的外側(cè)端緣的寬度方向上的間隔(錯(cuò)開寬度)G 例如是1 μ m 100 μ m，優(yōu)選為1 μ m 50 μ m。利用圖10所示的實(shí)施方式，能夠獲得與上述內(nèi)容相同的效果。此外，雖然在上述的圖1的實(shí)施方式中設(shè)有八個(gè)磁頭側(cè)端子32，但是其數(shù)量沒有特別地限定。例如，如圖11所示，也可以設(shè)置四個(gè)磁頭側(cè)端子32。在圖11中，相對于各寬開口部8，設(shè)有一條第2配線M。利用圖11所示的實(shí)施方式，能夠獲得與上述內(nèi)容相同的效果。此外，雖然在圖3的實(shí)施方式中，由第1導(dǎo)體層觀及第2導(dǎo)體層四形成導(dǎo)體層3， 由基底絕緣層14、第1覆蓋絕緣層15及第2覆蓋絕緣層16形成絕緣層13，但是例如，如圖 12及圖13所示，也能夠由第2導(dǎo)體層四形成導(dǎo)體層3，由基底絕緣層14及第2覆蓋絕緣層16形成絕緣層13。S卩，在圖12及圖13中，通過各寬開口部8的導(dǎo)體層3在基底通過部17的上表面上具有在寬度方向上彼此隔開間隔地配置的一對第2配線M。通過通過部25的絕緣層13包括基底通過部17和以覆蓋第2配線M的方式形成在基底通過部17上側(cè)的第2覆蓋絕緣層16。而且，基底通過部17的厚度TIl和第2覆蓋絕緣層16的厚度(第2配線M上側(cè)的第2覆蓋絕緣層16的厚度)TI3相同。此外，通過部25的上下方向中央Cl和第2配線M的下表面之間的距離Li，與通過部25的上下方向中央和第1配線24的上表面之間的距離L2相同。此外，一對第2配線M以通過絕緣層13的上下方向中央的面(單點(diǎn)劃線Cl)為中心對稱地形成，并且以基底通過部17的通過軸PA為中心的點(diǎn)對稱地形成。利用圖12及圖13所示的實(shí)施方式，能夠獲得與上述內(nèi)容相同的效果。實(shí)施例以下，表示實(shí)施例及比較例，進(jìn)一步具體說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于該實(shí)施例及比較例。實(shí)施例1準(zhǔn)備厚度18 μ m的片狀的由不銹鋼構(gòu)成的金屬支承層(參照圖5的(a)及圖6)。接下來，在金屬支承層上側(cè)形成厚度(TIl) 10 μ m的由聚酰胺構(gòu)成的基底絕緣層 (參照圖5的(b)、圖7的(a)及圖7的(b))。具體來說，根據(jù)表1的配合處方，首先，調(diào)制感光性聚酰胺酸樹脂溶液。接下來，將調(diào)制的感光性聚酰胺酸樹脂溶液涂布在金屬支承層的上表面整面上，使其干燥從而形成基底保護(hù)膜。接下來，將基底保護(hù)膜以上述的圖案曝光，接下來進(jìn)行顯影，之后進(jìn)行加熱使其固化。此外，基底絕緣層的吸濕膨脹系數(shù)為13ppm，熱膨脹系數(shù)為18ppm。表 權(quán)利要求
1.一種帶有電路的懸掛基板，其包括金屬支承層、形成在上述金屬支承層的上側(cè)的絕緣層以及形成在上述絕緣層的上側(cè)的導(dǎo)體層，該帶有電路的懸掛基板的特征在于，上述帶有電路的懸掛基板設(shè)有懸架部，在上述懸架部形成有沿上下方向貫穿上述金屬支承層的開口部， 上述懸架部包括舌部，其形成在上述開口部的內(nèi)側(cè)，該舌部用于裝設(shè)滑動(dòng)件，該滑動(dòng)件用于安裝與上述導(dǎo)體層電連接的磁頭；懸臂部，其形成在上述開口部的外側(cè)，用于支承上述舌部； 通過部，其通過上述懸架部的上述開口部及/或上述懸臂部的外側(cè)區(qū)域， 上述通過部包括上述導(dǎo)體層和覆蓋上述導(dǎo)體層的上述絕緣層， 上述通過部的上述絕緣層的下側(cè)一半部分的厚度與上述通過部的上述絕緣層的上側(cè)一半部分的厚度相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有電路的懸掛基板，其特征在于，上述通過部的上下方向中央和上述導(dǎo)體層的上述上側(cè)一半部分處的上表面之間的距離，與上述通過部的上述上下方向中央和上述導(dǎo)體層的上述下側(cè)一半部分處的下表面之間的距離相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶有電路的懸掛基板，其特征在于， 上述通過部的上述絕緣層包括中間絕緣層，上述通過部的上述導(dǎo)體層包括 第1導(dǎo)體層；第2導(dǎo)體層，其隔著上述中間絕緣層形成在上述第1導(dǎo)體層的上側(cè)， 上述第1導(dǎo)體層的厚度和上述第2導(dǎo)體層的厚度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有電路的懸掛基板，其特征在于，上述通過部的上述導(dǎo)體層的上側(cè)一半部分與下側(cè)一半部分以上下方向中央為中心對稱地形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的帶有電路的懸掛基板，其特征在于， 上述通過部的上述絕緣層包括第1覆蓋絕緣層，其形成在上述中間絕緣層的下側(cè)，用于覆蓋上述導(dǎo)體層的下側(cè)部分； 第2覆蓋絕緣層，其形成在上述中間絕緣層的上側(cè)，用于覆蓋上述導(dǎo)體層的上側(cè)部分， 上述絕緣層的上述下側(cè)一半部分由上述中間絕緣層的下側(cè)一半部分和上述第1覆蓋絕緣層構(gòu)成，上述絕緣層的上述上側(cè)一半部分由上述中間絕緣層的上側(cè)一半部分和上述第2覆蓋絕緣層構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有電路的懸掛基板，其特征在于，上述通過部的上述絕緣層的上述上側(cè)一半部分與上述通過部的上述絕緣層的上述下側(cè)一半部分以上下方向中央為中心對稱地形成。
7.一種帶有電路的懸掛基板的制造方法，該帶有電路的懸掛基板設(shè)有懸架部，該懸架部包括舌部，其用于裝設(shè)滑動(dòng)件，該滑動(dòng)件用于安裝磁頭；懸臂部，其用于支承上述舌部，該帶有電路的懸掛基板的制造方法的特征在于，包括準(zhǔn)備金屬支承層的工序； 在上述金屬支承層的上側(cè)形成絕緣層的工序； 在上述絕緣層的上側(cè)形成導(dǎo)體層的工序；在上述金屬支承層與上述懸架部的上述導(dǎo)體層相對應(yīng)地形成用于劃分上述舌部和上述懸臂部的開口部的工序，在上述形成絕緣層的工序中，以覆蓋上述導(dǎo)體層的方式、且以使通過上述開口部的通過部的上述絕緣層的下側(cè)一半部分的厚度與上述通過部的上述絕緣層的上側(cè)一半部分的厚度相同的方式形成上述絕緣
全文摘要
本發(fā)明提供帶有電路的懸掛基板及其制造方法。帶有電路的懸掛基板設(shè)有懸架部。懸架部包括舌部，其形成在開口部的內(nèi)側(cè)、用于裝設(shè)滑動(dòng)件，該滑動(dòng)件用于安裝與導(dǎo)體層電連接的磁頭；懸臂部，其形成在開口部的外側(cè)、用于支承舌部；通過部，其通過懸架部的開口部及/或懸臂部的外側(cè)區(qū)域。通過部包括導(dǎo)體層和覆蓋導(dǎo)體層的絕緣層。通過部的絕緣層的下側(cè)一半部分的厚度與通過部的絕緣層的上側(cè)一半部分的厚度相同。
文檔編號G11B5/58GK102592611SQ201110460949
公開日2012年7月18日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者水谷昌紀(jì) 申請人:日東電工株式會(huì)社