專利名稱：光信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)地記錄或再生信息的光信息記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在光信息記錄介質(zhì)中，為了進(jìn)行圖像等龐大信息的處理，需要進(jìn)一步增加信息記錄容量。作為其解決方法，有使用超分辨率技術(shù)的方法、以及使用多層光信息記錄介質(zhì)的方法，其中，超分辨率技術(shù)是再生時(shí)的信息處理增強(qiáng)技術(shù)之一，多層光信息記錄介質(zhì)使信息記錄層多層化，能夠?qū)Ω鱾€(gè)信息記錄層進(jìn)行記錄/再生。
所謂超分辨率技術(shù)，是指對(duì)再生裝置具有的光學(xué)分辨率極限以下的標(biāo)記長(zhǎng)度(由激光波長(zhǎng)以及光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑?jīng)Q定)的信號(hào)進(jìn)行再生的技術(shù)。由此，能夠進(jìn)行使用了更小的標(biāo)記長(zhǎng)度的記錄，因而實(shí)質(zhì)上的記錄密度得到增加。這是由于，在進(jìn)行高密度化時(shí)， 成為問題的是再生技術(shù)，而不是記錄技術(shù)。
關(guān)于這些技術(shù)，首先從超分辨率技術(shù)開始進(jìn)行說(shuō)明。
以往，提出了用于再生比再生裝置具有的光學(xué)系統(tǒng)分辨率極限短的標(biāo)記長(zhǎng)度的信號(hào)的許多光信息記錄介質(zhì)(以后稱為超分辨率介質(zhì))。
作為這種技術(shù)，例如已知如下技術(shù)，S卩，雖然無(wú)法用于利用基板的凹凸記錄了不可改寫的信息的再生專用介質(zhì)的再生，但對(duì)應(yīng)于可改寫的光磁記錄介質(zhì)，在利用光記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置再生在光磁記錄介質(zhì)的由磁性材料構(gòu)成的記錄膜上通過(guò)磁化方向記錄的信息時(shí)使用的技術(shù)(參考專利文獻(xiàn)I)。
另外，其他還已知不僅適用于可改寫光記錄介質(zhì)，還能夠適用于再生專用介質(zhì)的技術(shù)，該技術(shù)將光學(xué)特性(透過(guò)率)隨著溫度發(fā)生變化的熱致變色色素層作為掩模層，設(shè)置在反射膜的再生光入射面上(參考專利文獻(xiàn)2)。
此外，所謂掩模層，如后所述，是指通過(guò)模擬地限制激光光點(diǎn)等，引起超分辨率現(xiàn)象的層。
對(duì)這些光信息記錄介質(zhì)而言，利用了由照射到其再生面的再生激光產(chǎn)生的激光光點(diǎn)具有光強(qiáng)度分布，因此產(chǎn)生溫度分布的情況。
更具體而言，專利文獻(xiàn)I公開的光磁記錄介質(zhì)中，在記錄層的上面設(shè)置再生層。并且，再生時(shí)，只有在激光光點(diǎn)內(nèi)的高溫部分處，記錄層的磁場(chǎng)轉(zhuǎn)印到再生層，因此作為結(jié)果能夠再生比光學(xué)系統(tǒng)分辨率極限短的標(biāo)記長(zhǎng)度的信號(hào)。
另外，在專利文獻(xiàn)2公開的光記錄介質(zhì)中，在比反射層更接近再生光入射面的再生層上的再生激光光點(diǎn)內(nèi)，產(chǎn)生溫度或光強(qiáng)度分布，據(jù)此在所述激光光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生光學(xué)特性的分布。
例如，在使用溫度越高則透過(guò)率越高的材料作為再生層的情況下，只有溫度高的部分的透過(guò)率變高，因而模擬地縮小了在反射層面上產(chǎn)生的激光光 點(diǎn)。據(jù)此，作為結(jié)果能夠再生比光學(xué)系統(tǒng)分辨率極限短的標(biāo)記長(zhǎng)度的信號(hào)。
但是，在超分辨率再生技術(shù)中，模擬地縮小激光光點(diǎn)，因此再生光的利用效率降低(反射光當(dāng)然變少)。因此，激光光點(diǎn)的縮小存在界限，按照線密度，兩倍左右為記錄密度提 高的界限。
接著說(shuō)明多層光信息記錄介質(zhì)。
多層光信息記錄介質(zhì)例如如專利文獻(xiàn)3所公開，采用了從再生光入射面起以第一 信息記錄層、第二信息記錄層這樣的順序設(shè)置信息記錄層，利用主要由樹脂構(gòu)成的中間層 分離各信息層的結(jié)構(gòu)。
在這種結(jié)構(gòu)中，距再生光入射面最遠(yuǎn)的信息記錄層以外的層是透過(guò)再生光的半透 明層，因而從再生光入射面入射的再生光能夠在各信息記錄層上聚焦。因此，該多層光信 息記錄介質(zhì)可以說(shuō)是隨著信息記錄層的總數(shù)增加，能夠增加信息記錄密度的光信息記錄介 質(zhì)。
此外，用于該技術(shù)的最普通的光信息記錄介質(zhì)是單面再生的兩層DVD-ROM。
不過(guò)，在多層光信息記錄介質(zhì)中，存在層數(shù)越多則其生產(chǎn)越困難，因此成為價(jià)格非 常高的介質(zhì)的問題。以下，基于多層光信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法的一例說(shuō)明生產(chǎn)困難的理由。
在多層光信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中，例如在目前最普通的DVD的情況下，若最多為 兩層，則首先在真空中在基板上對(duì)記錄膜或反射膜等第一信息記錄層進(jìn)行成膜，隨后回到 大氣中之后，貼合以同樣方式生成的對(duì)第二信息記錄層進(jìn)行了成膜的基板即可。
但是，在層增加到三層以上的情況下，例如為三層的情況下，在真空中進(jìn)行了成膜 的上述第一信息記錄層上，在大氣中旋轉(zhuǎn)涂敷作為中間層的紫外線固化樹脂等。接著，在大 氣中貼合塑料母盤(stamper)之后，照射紫外線使之固化，并剝離母盤，據(jù)此在中間層的表 面上轉(zhuǎn)印追蹤用的槽、利用其排列來(lái)記錄信息的預(yù)制坑(pre-pit)等的凹凸(稱為2P法)。
在此基礎(chǔ)上，再次在真空中，在轉(zhuǎn)印了預(yù)制坑等的凹凸的上述中間層上對(duì)第二信 息記錄層進(jìn)行成膜，還需要在大氣中，貼合與設(shè)置了第一信息記錄層的基板同樣生成的、對(duì) 第三信息記錄層進(jìn)行了成膜的基板。
這樣，介質(zhì)在真空中和大氣中反復(fù)來(lái)往多次，以非常復(fù)雜的工序進(jìn)行生產(chǎn)。
另外，為了調(diào)整各反射率各層采用不同的膜結(jié)構(gòu)，因而在通常的大量生產(chǎn)時(shí)，介質(zhì) 一邊沿著一個(gè)方向在生產(chǎn)線上前進(jìn)一邊形成各層，因此需要個(gè)數(shù)為信息記錄層的層數(shù)的真 空成膜裝置。但是，真空成膜裝置的價(jià)格非常高，運(yùn)轉(zhuǎn)成本在光信息記錄介質(zhì)生產(chǎn)所使用的 裝置中也是價(jià)格較高的。因此，從成本上看，實(shí)際上難以使信息記錄層增加到三層以上。
這樣，關(guān)于光信息記錄介質(zhì)的高密度化的方法，主要提出了上述兩種方法，但如上 所述，它們分別存在著問題。因此，目前提出了多層超分辨率技術(shù)，作為同時(shí)具有上述二者 的優(yōu)點(diǎn)，并能夠最有效地增加光信息記錄介質(zhì)的信息記錄密度的技術(shù)(參考專利文獻(xiàn)4)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本公開專利公報(bào)“特開平8-180486號(hào)公報(bào)(1996年7月12日公 開)，，
專利文獻(xiàn)2 :日本公開專利公報(bào)“特開2001-035012號(hào)公報(bào)(2001年2月9日公 開)，，
專利文獻(xiàn)3 :日本公開專利公報(bào)“特開2000-235733號(hào)公報(bào)(2000年8月29日公開)，，
專利文獻(xiàn)4 :日本公開專利公報(bào)“特開2006-269040號(hào)公報(bào)(2006年10月5日公 開)，，發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
但是，本發(fā)明的發(fā)明人們經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，在多層超分辨率再生所使用的多層超分辨 率再生專用光信息記錄介質(zhì)中，在多層(非超分辨率)再生專用光信息記錄介質(zhì)、采用了單 調(diào)模式記錄方式(使用單一長(zhǎng)度的標(biāo)記的記錄)的多層超分辨率再生專用光信息記錄介質(zhì) 中并未產(chǎn)生的問題，在采用了作為從信號(hào)處理觀點(diǎn)出發(fā)的高密度化手段用于許多光信息記 錄介質(zhì)的、標(biāo)記邊緣記錄方式的多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生。
以下對(duì)上述問題進(jìn)行記載。
圖19是表示再生專用的兩層DVD-ROM的結(jié)構(gòu)的概略圖。
如上所述，在作為多層光信息記錄介質(zhì)最普通的、單面再生專用的兩層 DVD-R0M902中，如圖19所示，從接近再生光入射面的一側(cè)起，依次層疊第二基板960、第一 信息記錄層920、中間層930、第二信息記錄層940、以及基板950，接近再生光入射面一側(cè)的 第一信息記錄層920與中間層930的接觸面(界面)上設(shè)置的預(yù)制坑(預(yù)制坑群931)的 記錄形式與遠(yuǎn)離再生光入射面一側(cè)的第二信息記錄層940與基板950的接觸面上設(shè)置的預(yù) 制坑(預(yù)制坑群951)的記錄形式不同。
具體而言，從原盤制作的觀點(diǎn)出發(fā)，在第一信息記錄層920側(cè)，預(yù)制坑的記錄形式 以O(shè)n-Pit (外坑)形式(預(yù)制坑形成為相對(duì)于再生光入射面凸出)記錄信息，在第二信息 記錄層940側(cè)，預(yù)制坑的記錄形式以In-Pit (內(nèi)坑)形式(預(yù)制坑形成為相對(duì)于再生光入 射面凹陷)記錄信息。
上述問題是將該構(gòu)造應(yīng)用于采用了標(biāo)記邊緣記錄方式的多層超分辨率光信息記 錄介質(zhì)的情況下產(chǎn)生的問題。該問題的細(xì)節(jié)在后面進(jìn)行描述，是在上述結(jié)構(gòu)中一個(gè)信息記 錄層的再生特性顯著劣化的問題。
這種問題例如在圖20的(a) (b)所示的預(yù)制坑群931、951這樣的、通常不使用標(biāo) 記邊緣記錄方式的單調(diào)模式的預(yù)制坑群(標(biāo)記位置記錄方式)中不會(huì)發(fā)生。
本發(fā)明鑒于上述問題而作，其目的在于提供價(jià)廉、并且使用大記錄容量的超分辨 率再生技術(shù)的多層光信息記錄介質(zhì)。
解決問題的方案
為了解決上述問題，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)從再生光的入射側(cè)起，依次配置具 有該再生光的入射面的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分別分離所述信 息記錄層的中間層，該光信息記錄介質(zhì)的特征在于在所述兩層以上的信息記錄層中以指 定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔記錄信息，所述兩層以上的信息記錄層中的每一層包括構(gòu)成 所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具 有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成 的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再生所述信息記錄層中記錄的信息的再 生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群形成為所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生該預(yù)制坑群時(shí)的 推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
在此，所述的所謂預(yù)制坑群由多個(gè)預(yù)制坑構(gòu)成。所述的所謂預(yù)制坑，是指設(shè)置于基 板或中間層的凹凸形狀。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有該再生光的入射面 的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分別分離所述信息記錄層的中間層， 在所述兩層以上的信息記錄層中以指定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔記錄信息，所述兩層以 上的信息記錄層中的每一層包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由 所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最 小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再 生所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群采用所述 標(biāo)記相對(duì)于所述再生光的入射面比所述間隔凹陷地形成的In-Pit形式。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，所述預(yù)制坑群采用所述標(biāo)記相對(duì)于所述再生光的入射面比所述間 隔凹陷地形成的In-Pit形式。據(jù)此，即使配置為最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光 學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，也能夠防止再生光學(xué)系統(tǒng)再生該信息記錄層而得的信息的再生 特性發(fā)生劣化。
發(fā)明的效果
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有該再生光的入射面 的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分別分離所述信息記錄層的中間層， 在所述兩層以上的信息記錄層中以指定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔記錄信息，所述兩層以 上的信息記錄層中的每一層包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由 所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最 小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再 生所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群形成為所 述再生光學(xué)系統(tǒng)再生該預(yù)制坑群時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有該再生光的入射面 的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分別分離所述信息記錄層的中間層， 在所述兩層以上的信息記錄層中以指定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔記錄信息，所述兩層以 上的信息記錄層中的每一層包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由 所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最 小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再 生所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群采用所述 標(biāo)記相對(duì)于所述再生光的入射面比所述間隔凹陷地形成的In-Pit形式。
據(jù)此，收到能夠提供價(jià)廉、并且防止再生特性劣化的大記錄容量的光信息記錄介 質(zhì)的效果。


圖1是表示本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖2是表示設(shè)置于本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的中間層的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的 立體圖。
圖3是表示設(shè)置于本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的基板的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立 體圖。
圖4表示再生設(shè)備再生預(yù)制坑群時(shí)的再生光學(xué)系統(tǒng)的推挽信號(hào)，是表示極性為負(fù) 極性的推挽信號(hào)的情形的圖。
圖5表示再生設(shè)備再生預(yù)制坑群時(shí)的再生光學(xué)系統(tǒng)的推挽信號(hào)，是表示極性為正 極性的推挽信號(hào)的情形的圖。
圖6是表示本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖7是表示本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中配置的BCA的一例的概略圖。
圖8是表示本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖9是表示比較例的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖10是表示圖8的光信息記錄介質(zhì)的第一信息記錄層中記錄的信息與圖9的光 信息記錄介質(zhì)的信息記錄層中記錄的信息的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖。
圖11的(a)是表示光信息記錄介質(zhì)300A的結(jié)構(gòu)的概略圖，(b)是表示光信息記 錄介質(zhì)300B的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖12的(a)是表示光信息記錄介質(zhì)400A、500A、600A的結(jié)構(gòu)的概略圖，(b)是表 示光信息記錄介質(zhì)400B、500B、600B的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖13的(a)是表示In-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖，(b)是表示 On-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖14是表示各實(shí)驗(yàn)用光信息記錄介質(zhì)的再生信號(hào)的測(cè)定結(jié)果的圖。
圖15是表示形成了單調(diào)形式的預(yù)制坑的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖16的(a)是表示單調(diào)的On-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖，(b)是 表示單調(diào)的In-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖17是表示圖15的光信息記錄介質(zhì)的第一信息記錄層與第二信息記錄層的再生 特性(OTF)的圖。
圖18是表示第二信息記錄層的超分辨率膜由單層構(gòu)成的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu) 的圖。
圖19是表示以往的再生專用的兩層DVD-ROM的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖20的(a)是表示單調(diào)的On-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖，(b)是 表示單調(diào)的In-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖。
具體實(shí)施方式
以下，詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
(1、光信息記錄介質(zhì)I的概略結(jié)構(gòu))
對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的光信息記錄介質(zhì)(多層超分辨率光信息記錄 介質(zhì))I的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是表示光信息記錄介質(zhì)I的結(jié)構(gòu)的概略圖。
如圖1所示，光信息記錄介質(zhì)I中，從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有再生光的入射面的覆蓋層(透光層)10、作為兩層以上信息記錄層的第一信息記錄層(信息記錄層)20以及第二信息記錄層(信息記錄層)40、以及基板50。此外，光信息記錄介質(zhì)I包括分別分離第一信息記錄層20和第二信息記錄層40的中間層30。
光信息記錄介質(zhì)I的信息記錄層是由第一信息記錄層20和第二信息記錄層40的兩層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。第一信息記錄層20與第二信息記錄層40分別在形成有預(yù)制坑群31 的中間層30和形成有預(yù)制坑群51的基板50上形成，是只能通過(guò)再生光讀出信息的再生專用(ROM :Read Only Memory,只讀存儲(chǔ)器)的信息記錄層。
在第一信息記錄層20和第二信息記錄層40中，以指定的調(diào)制方式，通過(guò)由預(yù)制坑群31、51構(gòu)成的標(biāo)記(mark)以及間隔(space),作為形狀記錄信息。
此外，在以下說(shuō)明中，有時(shí)將第一信息記錄層20和第二信息記錄層40中的、配置基板50側(cè)(即距再生光的入射面較遠(yuǎn)側(cè)的信息記錄層)的第二信息記錄層40稱為L(zhǎng)O層。
(關(guān)于光信息記錄介質(zhì)I的各結(jié)構(gòu)要素)
接著，使用圖1，對(duì)構(gòu)成光信息記錄介質(zhì)I的各結(jié)構(gòu)要素依次進(jìn)行說(shuō)明。
覆蓋層10配置在構(gòu)成光信息記錄介質(zhì)I的各層中的、再生光的最初的入射側(cè)。覆蓋層10的與接觸第一信息記錄層20 —側(cè)相反側(cè)的面是再生光的入射面。
覆蓋層10例如由厚度為75 μ m的紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)λ為405nm時(shí)的折射率為1. 50)構(gòu)成。覆蓋層10的材料是再生光的波長(zhǎng)的透過(guò)率高的材料即可。即，覆蓋層10例如可以由聚碳酸酯膜和透明粘合劑形成。
另外，覆蓋層10的表面可以具有對(duì)再生不產(chǎn)生不良影響的防污特性(即使在附著了指紋等的情況下，來(lái)自第一信息記錄層20以及第二信息記錄層40的再生信號(hào)等也不會(huì)劣化的特性)或耐擦傷特性。此外，上述防污特性和耐擦傷特性可以通過(guò)在覆蓋層10的表面上設(shè)置硬膜來(lái)滿足。
此外，覆蓋層10的厚度也可以根據(jù)光信息記錄介質(zhì)I的再生裝置所具有的光學(xué)系統(tǒng)(再生光學(xué)系統(tǒng))進(jìn)行變更。具體而言，覆蓋層10例如可以是O. 6mm的聚碳酸酯基板。
第一信息記錄層20是與覆蓋層10相鄰設(shè)置的再生專用的信息記錄層(ROM層)。
第一信息記錄層20由設(shè)置于下層的中間層30的預(yù)制坑群31和層疊于預(yù)制坑群 31的超分辨率膜23構(gòu)成。
第一信息記錄層20中，利用設(shè)置于下層的中間層30的預(yù)制坑群31，作為形狀記錄信息。設(shè)置于中間層30的預(yù)制坑群31由多個(gè)凹凸形狀的預(yù)制坑構(gòu)成。
通過(guò)在形成于中間層30的凹凸形狀的預(yù)制坑群31上層疊超分辨率膜23，通過(guò)預(yù)制坑群31的凹凸，在超分辨率膜23上形成凹凸形狀。這 樣，由預(yù)制坑群31記錄的信息作為形狀記錄在第一信息記錄層20中。
如后所述，形成于中間層30的預(yù)制坑群31在再生光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)分辨率極限 (以下有時(shí)簡(jiǎn)單地稱為分辨率極限)以下形成。
超分辨率膜23是使利用預(yù)制坑群31記錄的信息能夠由再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜。 即，超分辨率膜23是雖然預(yù)制坑群31內(nèi)的最小的標(biāo)記與間隔的平均長(zhǎng)度在分辨率極限以下形成，但仍然能夠由再生光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行再生(超分辨率再生)的超分辨率膜。
第一信息記錄層20是通過(guò)在預(yù)制坑群31上層疊超分辨率膜23，能夠使利用預(yù)制坑群31記錄的信息由再生光學(xué)系統(tǒng)再生的層。
超分辨率膜23例如是利用入射的再生光的溫度分布模擬地縮小再生光的光點(diǎn)直徑，或者利用超級(jí)(Super) ROM等原理本身尚未清楚的超分辨率再生技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象，能夠再生預(yù)制坑群31的膜。
超分辨率膜23例如利用濺鍍法等層疊兩層薄膜而構(gòu)成。具體而言，這兩層薄膜是從再生光的入射側(cè)依次層疊的再生膜21 (厚度約55nm的氧化鋅)和反射膜22 (厚度約6nm 的 Ti)。
此外，超分辨率膜23的材料、厚度以及層數(shù)并不限定于此，只要是作為能夠進(jìn)行超分辨率再生的層發(fā)揮作用，能夠再生設(shè)置于后述的中間層30的預(yù)制坑群31的超分辨率膜即可。
另外，所謂再生膜，意味著通過(guò)組合半透明膜或反射膜能夠進(jìn)行超分辨率再生的膜，所謂半透明膜，意味著透過(guò)再生光，同時(shí)起到反射膜的作用的膜。
中間層30例如由厚度為25 μ m的透明紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)時(shí)的折射率為1. 50)構(gòu)成。中間層30的材料并不限定于此，只要是再生光的波長(zhǎng)的透過(guò)率高的材料即可。另外，中間層30的厚度也并不限定于此，只要是能夠分離各個(gè)信息記錄層(在此是第一信息記錄層20以及第二信息記錄層40)，層間串?dāng)_不成為問題的適當(dāng)厚度即可。
此外，所謂層間串?dāng)_，是指來(lái)自正在再生的信息記錄層以外的信息記錄層的噪聲。 另外，中間層30也可以是多層結(jié)構(gòu)。
在中間層30的與超分辨率膜23接觸側(cè)的面上，利用2P法(photo polymarization,光聚合法)，設(shè)置與作為形狀記錄于第一信息記錄層20的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸形狀的預(yù)制坑群31。預(yù)制坑群31以預(yù)制坑相對(duì)于上述再生光的入射面以凹形形成的 In-Pit (內(nèi)坑)形式形成。
在此，所謂2P法，是指在平板與原盤之間填充紫外線固化樹脂，照射紫外線使紫外線固化樹脂固化后剝離原盤，由此在平板上轉(zhuǎn)印原盤的凹凸(預(yù)制坑)的方法。
該預(yù)制坑群31的結(jié)構(gòu)在后面描述。
第二信息記錄層40是與覆蓋層10相距最遠(yuǎn)的位置處設(shè)置的再生專用的信息記錄層(ROM層)。
第二信息記錄層40由設(shè)置于下層的基板50的預(yù)制坑群51和層疊于預(yù)制坑群51 的超分辨率膜43構(gòu)成。
第二信息記錄層40中，利用設(shè)置于下層的基板50的預(yù)制坑群51，作為形狀記錄信息。設(shè)置于基板50的預(yù)制坑群51由多個(gè)凹凸形狀的預(yù)制坑構(gòu)成。
通過(guò)在形成于基板50的凹凸形狀的預(yù)制坑群51上層疊超分辨率膜43，通過(guò)預(yù)制坑群51的凹凸，在超分辨率膜43上形成凹凸形狀。這樣，由預(yù)制坑群51記錄的信息作為形狀記錄在第二信息記錄層40中。
如后所述，形成 于基板50的預(yù)制坑群51在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下形成。 超分辨率膜43是使利用預(yù)制坑群51記錄的信息能夠由再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜。即，超分辨率膜43是雖然預(yù)制坑群51內(nèi)的最小的標(biāo)記與間隔的平均長(zhǎng)度在分辨率極限以下形成， 但仍然能夠由再生光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行再生的超分辨率膜。
第二信息記錄層40是通過(guò)在預(yù)制坑群51上層疊超分辨率膜43，能夠使利用預(yù)制 坑群51記錄的信息由再生光學(xué)系統(tǒng)再生的層。
超分辨率膜43例如是利用入射的再生光的溫度分布模擬地縮小再生光的光點(diǎn)直 徑，或者利用Super ROM等原理本身尚未清楚的超分辨率再生技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象，能夠再生 預(yù)制坑群51的膜。
超分辨率膜43中，例如利用濺鍍法等層疊兩層薄膜而構(gòu)成超分辨率膜。具體而 言，這兩層薄膜是從再生光的入射側(cè)依次層疊的再生膜41 (厚度約65nm的氧化鋅)和反射 膜42 (厚度約7nm的Ta)。
此外，超分辨率膜43的材料、厚度以及層數(shù)并不限定于此，只要是作為能夠進(jìn)行 超分辨率再生的層發(fā)揮作用，能夠再生設(shè)置于后述的基板50的預(yù)制坑群51的超分辨率膜 即可。
基板50是具有以與上述中間層30相同的In-Pit形式記錄了信息的預(yù)制坑群的 圓盤狀基板?；?0例如由直徑120_、厚度1.1mm的聚碳酸酯構(gòu)成。
此外，基板50的材料以及厚度并不限定于此，只要是表面(光入射面)上設(shè)置有 預(yù)制坑群51，并且具有能夠作為基板使用的程度的指定強(qiáng)度即可。具體而言，基板50例如 可以由聚烯烴樹脂、金屬等構(gòu)成。另外，基板50也可以是多層結(jié)構(gòu)。
這樣，光信息記錄介質(zhì)I配置作為多個(gè)信息記錄層的第一信息記錄層20和第二信 息記錄層40。
另外，第一信息記錄層20由最小標(biāo)記和最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的 分辨率極限以下的預(yù)制坑群31和層疊于預(yù)制坑群31的超分辨率膜23構(gòu)成。
同樣，第二信息記錄層40由最小標(biāo)記和最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的 分辨率極限以下的預(yù)制坑群51和層疊于預(yù)制坑群51的超分辨率膜43構(gòu)成。以此方式，光 信息記錄介質(zhì)I作為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)構(gòu)成。
(光信息記錄介質(zhì)I的變形例)
接著，使用圖18，對(duì)光信息記錄介質(zhì)I的變形例進(jìn)行說(shuō)明。
光信息記錄介質(zhì)I可以是如下的多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)，即配置兩層以 上的信息記錄層，各信息記錄層是包含最小標(biāo)記和最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的 分辨率極限以下的預(yù)制坑群、以及作為使利用該預(yù)制坑群記錄的信息能夠由上述再生光學(xué) 系統(tǒng)再生的膜的超分辨率膜的層。
也就是說(shuō)，在預(yù)制坑群31、51由反射率高的金屬材料構(gòu)成的情況下，層疊于其上 的超分辨率膜23、43分別可以不由兩層構(gòu)成，而是由單層構(gòu)成。
作為這種多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的一例，使用圖18進(jìn)行說(shuō)明。
圖18是表示多個(gè)信息記錄層中的第二信息記錄層40a的超分辨率膜43由單層構(gòu) 成的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的概略圖。
光信息記錄介質(zhì)Ia從再生光的入射側(cè)起依次由覆蓋層10、第一信息記錄層20、中 間層30、第二信息記錄層40a、以及基板50a構(gòu)成。
第二信息記錄層40a由預(yù)制坑群51a和層疊于預(yù)制坑群51a的超分辨率膜43構(gòu) 成。
超分辨率膜43與再生膜41同樣由厚度約65nm的氧化鋅構(gòu)成。
基板50a例如由Ta等反射率高的金屬材料構(gòu)成。并且，在基板50a的配置超分辨 率膜43側(cè)的面上，形成預(yù)制坑群51a。配置于該基板50a的預(yù)制坑群51a與基板50a同樣， 由Ta等金屬材料構(gòu)成。據(jù)此，預(yù)制坑群51a也作為反射膜發(fā)揮作用。
此外，預(yù)制坑群51a構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔的長(zhǎng)度與預(yù)制坑群51相同。
可以以此方式構(gòu)成作為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的光信息記錄介質(zhì)la。
根據(jù)光信息記錄介質(zhì)la，第二信息記錄層40a包括預(yù)制坑群51a和超分辨率膜 43，預(yù)制坑群51a由反射率高的金屬材料構(gòu)成，超分辨率膜43由一層構(gòu)成。
據(jù)此，預(yù)制坑群51a由反射率高的金屬材料構(gòu)成，因而不需要層疊多層以構(gòu)成超 分辨率膜41。因此，與在光信息記錄介質(zhì)I的預(yù)制坑群51a上層疊超分辨率膜的情況相比， 能夠減少制造成本。
(關(guān)于預(yù)制坑群的結(jié)構(gòu))
接著，使用圖2至圖6，說(shuō)明設(shè)置于中間層30、基板50的預(yù)制坑群31、51的結(jié)構(gòu)。
圖2是表示設(shè)置于中間層30的預(yù)制坑的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖3是表示設(shè)置于基板 50的預(yù)制坑的結(jié)構(gòu)的立體圖。
預(yù)制坑群31、51配置多個(gè)預(yù)制坑，分別由與作為形狀記錄在第一信息記錄層20、 第二信息記錄層40中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成。預(yù)制坑群31、51中，預(yù)制坑對(duì)再生光的反 射面為標(biāo)記32、52，預(yù)制坑間對(duì)再生光的反射面為間隔33、53。預(yù)制坑群31、51按照指定的 調(diào)制方式例如1-7RLL調(diào)制方式,作為形狀將信息分別記錄在第一信息記錄層20、第二信息 記錄層40中。
由預(yù)制坑群31、51構(gòu)成的標(biāo)記32、52分別具有不同的長(zhǎng)度。通過(guò)以此方式以不同 長(zhǎng)度構(gòu)成標(biāo)記32、52，與以單一長(zhǎng)度構(gòu)成標(biāo)記的所謂單調(diào)模式記錄方式相比，能夠提高記錄 信息的密度。
以此方式以不同長(zhǎng)度構(gòu)成的標(biāo)記32、52例如按照1-7RLL調(diào)制方式，利用標(biāo)記邊緣 記錄方式記錄信息。標(biāo)記邊緣記錄方式是通過(guò)讀取標(biāo)記32、52的邊緣部分(與相鄰的間隔 33、53的邊界部分)讀取信息(“I”(高)或“O”(低))的方式。
這樣，通過(guò)使用標(biāo)記邊緣記錄方式，與用于單調(diào)模式記錄方式的標(biāo)記位置記錄方 式相比，能夠提高所記錄的信息的容量。
預(yù)制坑群31、51形成為由預(yù)制坑群31、51構(gòu)成的標(biāo)記32、52中長(zhǎng)度最小的最小 標(biāo)記與由預(yù)制坑群31、51構(gòu)成的間隔33、53中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再生 上述信息記錄層(第一信息記錄層20、第二信息記錄層40)中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng) 的分辨率極限以下。
因此，能夠提高配置標(biāo)記32、52以及間隔33、53的密度。因此，能夠增大第一信息 記錄層20、第二信息記錄層40中分別記錄的信息的容量。
在此，所謂上述最小標(biāo)記與上述最小間隔的平均長(zhǎng)度，是能夠根據(jù)指定的調(diào)制方 式、以及第一信息記錄層20或第二信息記錄層40中記錄的信息的密度計(jì)算出的長(zhǎng)度。
所謂上述最小標(biāo)記與上述最小間隔的平均長(zhǎng)度，在結(jié)構(gòu)上，例如在1-7RLL調(diào)制方 式的情況下，是作為最小標(biāo)記的2T標(biāo)記長(zhǎng)度與作為最小間隔的2T間隔長(zhǎng)度的平均長(zhǎng)度。
具體而言，在再生光學(xué)系統(tǒng)以BD(Blu_ray Disc，藍(lán)光光盤)為基準(zhǔn)的情況下，例 如，1-7RLL調(diào)制方式時(shí)的2T標(biāo)記長(zhǎng)度與2T間隔長(zhǎng)度的平均長(zhǎng)度為93nm。
并且，如上所述，超分辨率膜23、43分別構(gòu)成為即使預(yù)制坑群31、51在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下形成，也能夠由再生光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行再生的超分辨率膜。因此，由預(yù)制坑群31、51記錄的信息(即由標(biāo)記32、52以及間隔33、53記錄的信息)能夠由再生光學(xué)系統(tǒng)再生。
以此方式，光信息記錄介質(zhì)I作為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)構(gòu)成。
具體而言，光信息記錄介質(zhì)I中，作為信息記錄層配置由兩層構(gòu)成的第一信息記錄層20以及第二信息記錄層40，采用在最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下的預(yù)制坑群31、51上分別層疊了超分辨率膜23、43的構(gòu)成。
這樣，通過(guò)作為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)構(gòu)成光信息記錄介質(zhì)1，增加用于在信息記錄層中記錄信息的容量，因此能夠抑制信息記錄層的層疊數(shù)增加為三層、四層.......這樣，通過(guò)使光信息記錄介質(zhì)I為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)，能夠增加用于存儲(chǔ)信息的容量，同時(shí)能夠抑制與信息記錄層的層疊數(shù)增加相伴而來(lái)的制造成本增大。
另外，預(yù)制坑群31、51采用標(biāo)記32、52相對(duì)于再生光的入射面比間隔33、53凹陷地形成的In-pit形式。再生光學(xué)系統(tǒng)再生In-Pit形式的預(yù)制坑群31、51時(shí)的推挽(push pull)信號(hào)的極性為負(fù)極性。
換言之，也可以表達(dá)為預(yù)制坑群31、51形成為再生光學(xué)系統(tǒng)再生預(yù)制坑群31、51 時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
圖4表示再生設(shè)備再生預(yù)制坑群時(shí)的再生光學(xué)系統(tǒng)的推挽信號(hào)，是表示極性為負(fù)極性的推挽信號(hào)的情形的圖。
圖5表示再生設(shè)備再生預(yù)制坑群時(shí)的再生光學(xué)系統(tǒng)的推挽信號(hào)，是表示極性為正極性的推挽信號(hào)的情形的圖。
所謂推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性，意味著在再生信號(hào)的受光部被分割為內(nèi)周和外周兩部分，從自外周側(cè)的受光部得到的電壓中減去自內(nèi)周側(cè)的受光部得到的電壓從而計(jì)算出推挽信號(hào)的再生設(shè)備中，在從正在再生預(yù)制坑的信息的軌道跳至內(nèi)周的情況下，如圖4所示推挽信號(hào)的電平以O(shè)、負(fù)、O、正、O的順序得到。
在通過(guò)再生設(shè)備再生由形成于光信息記錄介質(zhì)I的In-Pit形式的預(yù)制坑群31、51 記錄的信息時(shí)，再生光學(xué)系統(tǒng)的推挽信號(hào)的極性如圖4所示的極性為負(fù)極性。
此外，在通過(guò)再生設(shè)備再生由以O(shè)n-Pit (外坑)形式形成的預(yù)制坑群記錄的信息時(shí)，得到圖5所示的、推挽信號(hào)的電平以O(shè)、正、O、負(fù)、O的順序得到的正極性的推挽信號(hào)。
這樣，即使配置為由預(yù)制坑群31、51構(gòu)成的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，也能夠防止再生光學(xué)系統(tǒng)分別再生第一信息記錄層20和第二信息記錄層40而得的信息的再生特性發(fā)生劣化。
因此，根據(jù)光信息記錄介質(zhì)1，能夠具有大存儲(chǔ)容量、價(jià)廉、并且防止再生特性的劣化。
S卩，根據(jù)光信息 記錄介質(zhì)I的結(jié)構(gòu)，作為形成于光信息記錄介質(zhì)I的全部信息記錄層的第一信息記錄層20以及第二信息記錄層40的再生特性能夠較為良好。
此外，若再生光信息記錄介質(zhì)I的再生光學(xué)系統(tǒng)的再生光的波長(zhǎng)為λ，數(shù)值孔徑為NA，則預(yù)制坑群31、51中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為λ/(5.76ΝΑ)以下的情況是較為理想的。
在此，在預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度比λ /(5. 76ΝΑ)大的情況下，即使預(yù)制坑群的記錄形式為On-Pit形式，如后所述，也能夠生成用于再生信息記錄層中記錄的信息的時(shí)鐘(詳細(xì)情況在后面描述)。
因此，雖然再生特性發(fā)生劣化，但通過(guò)對(duì)再生特性進(jìn)行補(bǔ)充，也能夠取得所需的再生特性。即，若預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度達(dá)到λ/(5.76ΝΑ)以下，則根據(jù)預(yù)制坑群的記錄形式(In-Pit記錄形式或是On-Pit記錄形式)得到的再生特性的差異變得更為顯著。
在此情況下，由坑的記錄形式產(chǎn)生的差變得更為顯著，通過(guò)采用In-Pit形式，能夠進(jìn)行進(jìn)一步的大容量化。
S卩，在以異于光信息記錄介質(zhì)I的結(jié)構(gòu)制作光信息記錄介質(zhì)的情況下，若預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度比λ /(5. 76ΝΑ)小，則修正信息記錄層的再生特性變得極為困難。
另一方面，在光信息記錄介質(zhì)I中，分別通過(guò)In-Pit形式形成預(yù)制坑群31、51，因而即使預(yù)制坑群31、51中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度比λ/(5.76ΝΑ)，也能夠在不修正通過(guò)再生第一信息記錄層20以及第二信息記錄層40而得的信息的再生特性的情況下，防止再生特性的劣化，得到良好的再生特性。
(光信息記錄介質(zhì)I的平面結(jié)構(gòu))
接著，使用圖6、圖7，對(duì)光信息記錄介質(zhì)I的平面結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
圖6是表示光信息記錄介質(zhì)I的結(jié)構(gòu)的概略的平面圖。
圖7是表示光信息記錄介質(zhì)I中配置的BCA的一例的概略圖。在圖7中，箭頭a 表示長(zhǎng)度，箭頭b表示寬度。
如圖6所示，光信息記錄介質(zhì)I包含作為用于進(jìn)行通常信息的記錄再生的區(qū)域的區(qū)域A(內(nèi)容記錄區(qū)域)、以及作為用于記錄再生BCA(Burst cutting area,脈沖串切割區(qū)) 的區(qū)域的區(qū)域B。
區(qū)域A是用于進(jìn)行用戶使用的內(nèi)容信息等的記錄再生的區(qū)域。區(qū)域A是為了再生所記錄的信息需要進(jìn)行追蹤(tracking)的信息記錄區(qū)域。
區(qū)域B是用于記錄BCA的BCA記錄區(qū)域，設(shè)置于光信息記錄介質(zhì)I的內(nèi)周側(cè)。
如圖7所示，BCA形成為條形碼狀。
BCA與在第一信息記錄層20、第二信息記錄層40中記錄信息的標(biāo)記32、52、間隔 33、53(即預(yù)制坑群31、51)相比，以能夠容易檢測(cè)的記錄方式，在第二信息記錄層40中進(jìn)行記錄。
BCA作為信息包含用于識(shí)別光信息記錄介質(zhì)I的光盤類型(DVD或BD等介質(zhì)種類)的信息即光盤類型識(shí)別信息、以及用于識(shí)別各個(gè)光信息記錄介質(zhì)I的信息即個(gè)體識(shí)別信息。
此外，光盤類型識(shí)別信息中還包含表示第一信息記錄層20和第二信息記錄層40 分別是構(gòu)成為使利用預(yù)制坑群31、51記錄的信息能夠由再生光學(xué)系統(tǒng)再生的層的信息。 即，光盤類型識(shí)別信息中還包含表示光信息記錄介質(zhì)I是多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的信息。
BCA形成于作為與覆蓋層10相距最遠(yuǎn)的位置處設(shè)置的信息記錄層的LO層(第二信息記錄層40)。即，在光信息記錄介質(zhì)I中，上述光盤類型識(shí)別信息以及上述個(gè)體識(shí)別信息記錄在作為與覆蓋層10相距最遠(yuǎn)的位置處設(shè)置的信息記錄層的LO層中。
因此，能夠使再生上述光盤類型識(shí)別信息以及上述個(gè)體識(shí)別信息的再生裝置預(yù)先設(shè)定在作為多個(gè)信息記錄層的第一信息記錄層20、第二信息記錄層40中，上述光盤類型識(shí)別信息以及上述個(gè)體識(shí)別信息記錄在哪個(gè)層中。
據(jù)此，能夠縮短上述再生裝置用于在作為多個(gè)信息記錄層的第一信息記錄層20、 第二信息記錄層40中確定記錄了上述光盤類型識(shí)別信息以及上述個(gè)體識(shí)別信息的第二信息記錄層40的時(shí)間。此外，對(duì)同一再生裝置，各種光盤類型的光信息記錄介質(zhì)的共有化變得容易。
此外，對(duì)于BCA而言，在制造光信息記錄介質(zhì)I時(shí)，脈沖激光照射到作為L(zhǎng)O層的第二信息記錄層40，據(jù)此在第二信息記錄層40中形成10 μ m單位的寬度的條紋。
據(jù)此，在第二信息記錄層40中形成BCA。BCA是寬度為10 μ m單位、長(zhǎng)度從100 μ m 單位到數(shù)百ym(mm單位)的條紋，因而比形成于第一信息記錄層20以及第二信息記錄層 40的預(yù)制坑群31,51(標(biāo)記32、52以及間隔33、53)等大。
因此，再生BCA的再生裝置的聚集即使多少發(fā)生偏移，不進(jìn)行追蹤也能夠由上述再生裝置進(jìn)行讀取。這樣，BCA與作為標(biāo)記32、52以及間隔33、53記錄信息的記錄方式相比，以能夠容易檢測(cè)的記錄方式，形成于第二信息記錄層40。
此外，使用專用的脈沖激光的照射裝置，能夠較為容易地在光信息記錄介質(zhì)I上形成BCA作為光盤類型識(shí)別信息以及個(gè)體識(shí)別編號(hào)。
另外，如上所述，作為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的光信息記錄介質(zhì)I的各第一信息記錄層20、第二信息記錄層40中形成的標(biāo)記32、52以最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下的方式高密度地形成。
再生如第一信息記錄層20、第二信息記錄層40這樣記錄密度高的信息時(shí)，與再生形成了記錄密度比第一信息記錄層20、第二信息記錄層40低的信息記錄層的光信息記錄介質(zhì)(例如，最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度大于再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限的非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì))的信息的情況相比，需要增大再生激光功率(再生光的強(qiáng)度)。
因此，若以用于再生光信息記錄介質(zhì)I的信息的再生激光功率再生上述非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)，則存在破壞上述非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的危險(xiǎn)性。
另一方面，如BCA這樣，將光盤類型識(shí)別信息以與作為標(biāo)記32、52以及間隔33、53 記錄信息的記錄方式相比能夠容易地檢測(cè)的記錄方式記錄到第二信息記錄層40中，由此， 對(duì)于再生光學(xué)系統(tǒng)，使之在增大用于再生作為標(biāo)記32、52以及間隔33、53記錄的信息的再生激光功率之前確認(rèn)光盤類型識(shí)別信息，由此能夠判定是否是多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)。
因此，能夠防止錯(cuò)誤地使用為了再生設(shè)置有由標(biāo)記32、52以及間隔33、53記錄的信息的第一信息記錄層20、第二信息記錄層40而增大了的再生激光功率，再生非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)。據(jù)此，能夠提供通用性高的光信息記錄介質(zhì)I。
另外，如圖6所示，在光信 息記錄介質(zhì)I中，區(qū)域B配置于區(qū)域A的內(nèi)周。S卩，BCA 配置于光信息記錄介質(zhì)I的內(nèi)周附近。這樣，記錄光盤類型識(shí)別信息或個(gè)體識(shí)別信息的半徑位置位于再生信息時(shí)需要追蹤的區(qū)域A的內(nèi)周側(cè)。
在此，在BCA中包含光盤類型識(shí)別信息或上述個(gè)體識(shí)別信息的情況下，為了即使利用再生光學(xué)系統(tǒng)照射再生光的半徑方向的位置多少發(fā)生偏移，也能夠再生BCA中包含的上述光盤類型識(shí)別信息或上述個(gè)體識(shí)別信息的信息，作為記錄BCA的區(qū)域，需要是在半徑方向上具有指定的長(zhǎng)度，在周向上具有一周的區(qū)域。
為了確保這種記錄光盤類型識(shí)別信息或上述個(gè)體識(shí)別信息的區(qū)域，用于存儲(chǔ)其他信息的信息記錄區(qū)域(區(qū)域A)的面積會(huì)減少。
因此，通過(guò)使記錄上述光盤類型識(shí)別信息以及上述個(gè)體識(shí)別信息的區(qū)域B的半徑位置為區(qū)域A的內(nèi)周側(cè)，與設(shè)置于外周側(cè)的情況相比，能夠抑制區(qū)域A的記錄容量的減少。
此外，與將BCA配置于光信息記錄介質(zhì)I的外周附近的情況相比，能夠減少光信息記錄介質(zhì)I中記錄的BCA的記錄量。因此,能夠縮短用于將BCA記錄到光信息記錄介質(zhì)I 中的時(shí)間。
(2、組合以往技術(shù)時(shí)的問題)
接著，關(guān)于使超分辨率技術(shù)適應(yīng)以往的多層再生專用信息記錄介質(zhì)時(shí)的問題，以下進(jìn)行說(shuō)明。
首先，說(shuō)明采用標(biāo)記邊緣記錄方式的光信息記錄介質(zhì)的預(yù)制坑的記錄形式以及信息記錄層的結(jié)構(gòu)的差異所產(chǎn)生的再生特性的差異，接著，說(shuō)明不采用標(biāo)記邊緣而采用單調(diào)記錄方式(=標(biāo)記位置記錄方式)的光信息記錄介質(zhì)的再生特性。
(2-1、采用標(biāo)記邊緣記錄方式的多層超分辨率光信息記錄介質(zhì))
(單層信息記錄層與多層信息記錄層的再生信號(hào)的評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn))
首先，使用圖8至圖10示出，多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的各信息記錄層的再生特性在分離各信息記錄層的中間層的膜厚等適當(dāng)時(shí)，能夠根據(jù)以同樣方式制作的信息記錄層由單層構(gòu)成的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)果進(jìn)行設(shè)想。
以如下方式進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)中同時(shí)制作具有再生專用的信息記錄層的光信息記錄介質(zhì)(多層超分辨率光信息記錄介質(zhì))100和光信息記錄介質(zhì)200這兩種樣本，并評(píng)價(jià)通過(guò)對(duì)它們分別進(jìn)行再生而得到的、來(lái)自各自的信息記錄層的再生信號(hào)。
在光信息記錄介質(zhì)100和光信息記錄介質(zhì)200中，光信息記錄介質(zhì)100具有的信息記錄層為兩層，與此相對(duì)，不同之處在于，光信息記錄介質(zhì)200具有的信息記錄層為一層。其他結(jié)構(gòu)相同。
圖8是表示本實(shí)施方式所涉及的光信息記錄介質(zhì)100的結(jié)構(gòu)的概略圖。
如圖8所示，制作了從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層10、第一信息記錄層120、中間層30、第二信息記錄層140、以及基板50的結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)100。
此外，再生光信息記錄介質(zhì)100的再生裝置所具有的再生光學(xué)系統(tǒng)的再生波長(zhǎng)入為 405nm, N. A.為 O. 85。
覆蓋層10使用了厚度為75 μ m的紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)405nm時(shí)的折射率為1. 50)。
第一信息記錄層120 由超分辨率膜123和預(yù)制坑群31構(gòu)成，超分辨率膜123由兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群31形成于下層的中間層30。
作為構(gòu)成超分辨率膜123的兩層薄膜，以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜21和反射膜22的方式進(jìn)行層疊。作為再生膜21使用厚度為55nm的氧化鋅，作為反射膜22使用厚度為6nm的Ti。此外,第一信息記錄層120對(duì)應(yīng)于上述的第一信息記錄層20。
中間層30使用了透明紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)的折射率為1.50)。中間層 30采用25 μ m的厚度，從而不產(chǎn)生第一信息記錄層120與第二信息記錄層140的層間串?dāng)_。 在中間層30的第一信息記錄層120側(cè)的面上,設(shè)置道間距為O. 32 μ m并且為In-Pit記錄形式的預(yù)制坑群31 (參考圖2)。即，第一信息記錄層120包含標(biāo)記相對(duì)于光入射面以凹陷方式形成的預(yù)制坑群31，再生第一信息記錄層120時(shí)的推挽的極性為負(fù)極性。
預(yù)制坑群31將從與后述的基板50相同的母盤壓縮成型的實(shí)質(zhì)上的同一基板作為原始原盤，反復(fù)進(jìn)行兩次2P轉(zhuǎn)印(指從原始原盤進(jìn)行2P轉(zhuǎn)印，以得到的2P轉(zhuǎn)印基板為原盤再次進(jìn)行2P轉(zhuǎn)印)，從而在中間層30上形成。這樣，將預(yù)制坑群31形成為與作為形狀記錄在第一信息記錄層120中的信息相對(duì)應(yīng)的凹部。
第二信息記錄層140由超分辨率膜143和預(yù)制坑群51構(gòu)成，超分辨率膜143由兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群51形成于下層的基板50。
構(gòu)成超分辨率膜123的兩層薄膜以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜41和反射膜42的方式進(jìn)行層疊。作為再生膜41使用厚度為65nm的氧化鋅，作為反射膜42使用厚度為7nm的Ta。此外，第二信息記錄層140對(duì)應(yīng)于上述的第二信息記錄層40。
基板50使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。另外,在基板 50的第二信息記錄層140側(cè)的面上，設(shè)置道間距為O. 32 μ m并且為In-Pit記錄形式的預(yù)制坑群51 (參考圖3)。
預(yù)制坑群51由與作為形狀記錄在第二信息記錄層140中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成。在第二信息記錄層140中，以標(biāo)記相對(duì)于光入射面凹陷的方式形成預(yù)制坑群51，由此記錄信息。另外，再生預(yù)制坑群51時(shí)的推挽的極性為負(fù)極性。
通過(guò)按照1-7RLL調(diào)制方式調(diào)制預(yù)制坑群31、51，再生所記錄的信息。預(yù)制坑群31、 51以具有多個(gè)長(zhǎng)度的方式形成了標(biāo)記32、52。該標(biāo)記32、52被設(shè)置成最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)以下的93nm。
圖9是表示比較例的光信息記錄介質(zhì)200的結(jié)構(gòu)的概略圖。
光信息記錄介質(zhì)200是將圖8的基板50上層疊的第一信息記錄層120優(yōu)化為單層光盤的比較用的單層光信息記錄介質(zhì)。
如圖9所示，光信息記錄介質(zhì)200采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層 10、信息記錄層220、以及基板50的結(jié)構(gòu)。
信息記錄層220與圖8的第一信息記錄層120同樣由超分辨率膜223和預(yù)制坑群 51構(gòu)成，超分辨率膜223由兩層薄膜構(gòu)成。即，信息記錄層220是以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜21、反射膜22、以及預(yù)制坑群51的方式進(jìn)行了層疊的結(jié)構(gòu)。
在基板50的信息記錄層220側(cè)的面上，與圖8的光信息記錄介質(zhì)100同樣，形成預(yù)制坑群51。
并且，分 別使用評(píng)價(jià)設(shè)備測(cè)定了比特錯(cuò)誤率(以后稱為bER)的再生功率依賴性 (再生特性)，該比特錯(cuò)誤率表示光信息記錄介質(zhì)100的第一信息記錄層120中記錄的信息與光信息記錄介質(zhì)200的信息記錄層220中記錄的信息的再生錯(cuò)誤率。
作為評(píng)價(jià)設(shè)備，使用了作為一般的BD用評(píng)價(jià)設(shè)備的PULSTEC制造的DDU-1000 (再生光學(xué)系統(tǒng)再生光波長(zhǎng)(λ ) 405nm、數(shù)值孔徑N. A. = O. 85),PULSTEC制造的BD評(píng)價(jià)用信號(hào)檢測(cè)器、以及作為高密度信號(hào)處理進(jìn)行一般信號(hào)處理的PRML (12221)。
不過(guò)，PULSTEC制造的BD評(píng)價(jià)用信號(hào)檢測(cè)器對(duì)應(yīng)于高密度，因而進(jìn)行僅使增益增加IOdB的改造。
圖10是表示光信息記錄介質(zhì)100的第一信息記錄層120中記錄的信息與光信息記錄介質(zhì)200的信息記錄層220中記錄的信息的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖。
在圖10中，橫軸表示評(píng)價(jià)設(shè)備的再生激光功率(即再生光的強(qiáng)度)(mW)，縱軸表示 bER。
如圖10所示，比較再生具有兩層信息記錄層的光信息記錄介質(zhì)100的第一信息記錄層120時(shí)的再生特性與再生具有單層信息記錄層的光信息記錄介質(zhì)200的信息記錄層 220時(shí)的再生特性，兩個(gè)再生特性幾乎看不出差別。
即，在再生第一信息記錄層120時(shí)與再生信息記錄層220時(shí),bER相對(duì)于再生激光功率的強(qiáng)度變化的變化量幾乎相同。
因此，圖10所示的評(píng)價(jià)結(jié)果表示，在適度設(shè)置不產(chǎn)生層間串?dāng)_的中間層30的情況下，對(duì)于超分辨率多層光信息記錄介質(zhì)的各信息記錄層的再生特性，除了透過(guò)信息記錄層時(shí)的光量損失以外，不產(chǎn)生影響。
此外，雖然并未圖示，但比較再生光信息記錄介質(zhì)100的第二信息記錄層140時(shí)的再生特性與再生光信息記錄介質(zhì)200的信息記錄層220時(shí)的再生特性，除了透過(guò)第一信息記錄層120所產(chǎn)生的光損失導(dǎo)致的再生靈敏度的降低以外，兩個(gè)再生特性也幾乎看不出差別。
因此，根據(jù)該實(shí)驗(yàn)結(jié)果，在判斷超分辨率多層光信息記錄介質(zhì)的各信息記錄層的再生特性的優(yōu)劣時(shí)，測(cè)定對(duì)各信息記錄層進(jìn)行了單層化的光信息記錄介質(zhì)的再生特性即可?！?br> (關(guān)于預(yù)制坑的記錄形式以及信息記錄層的結(jié)構(gòu)與再生特性的關(guān)系)
接著，為了確認(rèn)不同預(yù)制坑記錄方式、以及不同預(yù)制坑密度的再生專用的多層光信息記錄介質(zhì)中各信息記錄層的再生優(yōu)劣，按照上述結(jié)論，制作了作為以下的實(shí)驗(yàn)用光盤的單層光信息記錄介質(zhì) 300A、300B、400A、400B、500A、500B、600A、以及 600B。
圖11的(a)是表示光信息記錄介質(zhì)300A的結(jié)構(gòu)的概略圖，(b)是表示光信息記錄介質(zhì)300B的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖12的(a)是表示光信息記錄介質(zhì)400A、500A、600A的結(jié)構(gòu)的概略圖，(b)是表示光信息記錄介質(zhì)400B、500B、600B的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖13的(a)是表示In-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖，(b)是表示 On-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖。
如圖11的(a)所示，光信息記錄介質(zhì)300A采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層310、信息記錄層320A、以及基板350A的結(jié)構(gòu)。
覆蓋層310使用了厚度為100 μ m的紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)405nm時(shí)的折射率為1. 50)。
信息記錄層320A由非超分辨率膜323和預(yù)制坑群351A構(gòu)成，非超分辨率膜323 由一個(gè)薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群351A形成于下層的基板350A。非超分辨率膜323使用了厚度為 5nm 的 Ti。
基板350A使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(a)所示，在基板350A的非超分辨率膜323側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群 351A，該預(yù)制坑群351A由與作為形狀記錄在信息記錄層320A中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成， 道間距(半徑方向的長(zhǎng)度)為O. 32 μ m。
在預(yù)制坑群351A中，以能夠按照1-7RLL調(diào)制方式再生信息的方式，配置多個(gè)在周向上具有不同長(zhǎng)度的標(biāo)記。
預(yù)制坑群35IA設(shè)置成由預(yù)制坑群35IA構(gòu)成的標(biāo)記352A以及間隔353A中的、最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為149nm(以口 120mm的光盤換算，相當(dāng)于25GB)。S卩，由預(yù)制坑群351A構(gòu)成的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度大于再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ / (4Ν. A.) = 119nm)。
此外，設(shè)置于基板350A的預(yù)制坑群351A的記錄形式采用了 In-Pit形式。S卩，以標(biāo)記352A相對(duì)于光入射面比間隔353A凹陷的方式形成了預(yù)制坑群351A。換言之，以再生信息記錄層320A時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性的方式形成了預(yù)制坑群351A。
如圖11的(b)所示，光信息記錄介質(zhì)300B采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層310、信息記錄層320B、以及基板350B的結(jié)構(gòu)。
信息記錄層320B由非超分辨率膜323和預(yù)制坑群35IB構(gòu)成，預(yù)制坑群35IB形成于下層的基板350B。
光信息記錄介質(zhì)300B除了基板350B以外(即除了預(yù)制坑群351B的記錄形式以外)與光信息記錄介質(zhì)300A為相同的結(jié)構(gòu)。
基板350B與基板350A同樣，使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(b)所示，在基板350B的非超分辨率膜323側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群 351B，該預(yù)制坑群351B由與作為形狀記錄在信息記錄層320A中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成， 道間距為O. 32 μ m。預(yù)制坑群351B的記錄形式采用了 On-Pit形式。
g卩，以標(biāo)記352B相對(duì)于光入射面比間隔353B凸出的方式形成了預(yù)制坑群351B。 換言之，以再生信息記錄層320B時(shí)的推挽的極性為正極性的方式形成了預(yù)制坑群351B。
將從與基板350A相同的母盤壓縮成型的實(shí)質(zhì)上的同一基板作為原盤，利用2P轉(zhuǎn)印設(shè)置了該預(yù)制坑群351B。據(jù)此，在基板350B上設(shè)置了 On-Pit形式的預(yù)制坑群351B。
S卩，基板350A與350B是以照片為例的所謂正片和底片的關(guān)系。
如圖12的(a)所示，光信息記錄介質(zhì)400A采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層410、信息記錄層420A、以及基板450A的結(jié)構(gòu)。
覆蓋層410使用了厚度為100 μ m的紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)405nm時(shí)的折射率為1. 50)。
信息記錄層420A由 超分辨率膜423和預(yù)制坑群451構(gòu)成，超分辨率膜423由以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜421、反射膜422的方式層疊的兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群51 形成于下層的基板450A。
再生膜421使用厚度為60nm的氧化鋅，反射膜422使用厚度為7nm的Ta。
基板450A使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(a)所示，在基板450A的超分辨率膜423側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群451A，該預(yù)制坑群451A由與作為形狀記錄在信息記錄層420A中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成， 道間距為O. 32 μ m。
在預(yù)制坑群451A中，以能夠按照1-7RLL調(diào)制方式再生信息的方式，配置多個(gè)在周向上具有不同長(zhǎng)度的標(biāo)記。
預(yù)制坑群45IA設(shè)置成由預(yù)制坑群45IA構(gòu)成的標(biāo)記452A以及間隔453A中的、最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為149nm(以口 120mm的光盤換算，相當(dāng)于25GB)。S卩，由預(yù)制坑群451A構(gòu)成的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度大于再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ / (4Ν. A.) = 119nm)。
此外，設(shè)置于基板450A的預(yù)制坑群451A的記錄形式采用了 In-Pit形式。S卩，以標(biāo)記452A相對(duì)于光入射面凹陷的方式形成預(yù)制坑群451A，再生信息記錄層420A時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
此外，基板450A是從與基板350A相同的原盤成型的基板，實(shí)質(zhì)上相同。
如圖12的(b)所示，光信息記錄介質(zhì)400B采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層410、信息記錄層420B、以及基板450B的結(jié)構(gòu)。光信息記錄介質(zhì)400B除了基板 450B以外(即除了預(yù)制坑群451B的記錄形式以外)與光信息記錄介質(zhì)400A為相同的結(jié)構(gòu)。
信息記錄層420B由超分辨率膜423和預(yù)制坑群45IB構(gòu)成，超分辨率膜423由以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜421、反射膜422的方式層疊的兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群 451B形成于下層的基板450A。
基板450B與基板450A同樣,使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(b)所示，在基板450B的超分辨率膜423側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群 451B，該預(yù)制坑群451B由與作為形狀記錄在信息記錄層420A中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成， 道間距為O. 32 μ m。預(yù)制坑群451B的記錄形式采用了 On-Pit形式。
S卩，以標(biāo)記452B相對(duì)于光入射面比間隔453B凸出的方式形成了預(yù)制坑群451B。 換言之，以再生信息記錄層420B時(shí)的推挽的極性為正極性的方式形成了預(yù)制坑群451B。
將從與基板450A相同的母盤壓縮成型的實(shí)質(zhì)上的同一基板作為原盤，利用2P轉(zhuǎn)印設(shè)置了該預(yù)制坑群451B。據(jù)此，在基板450B上設(shè)置了 On-Pit形式的預(yù)制坑群451B。
S卩，基板450A與450B是以照片為例的所謂正片和底片的關(guān)系。
如圖12的(a)所示，光信息記錄介質(zhì)500A采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層510、信息記錄層520A、以及基板550A的結(jié)構(gòu)。
覆蓋層510使用了厚度為100 μ m的紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)405nm時(shí)的折射率為1. 50)。
信息記錄層520A由超分辨率膜523和預(yù)制坑群55IA構(gòu)成，超分辨率膜523由以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜521、反射膜522的方式層疊的兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群 551A形成于下層的基板550A。再生膜521使用厚度為60nm的氧化鋅，反射膜522使用厚度為7nm的Ta。
基板550A使用了 直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(a)所示，在基板550A的超分辨率膜523側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群551A，該預(yù)制坑群551A由與作為形狀記錄在信息記錄層520A中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成， 道間距為O. 32 μ m。
在預(yù)制坑群551A中，以能夠按照1-7RLL調(diào)制方式再生信息的方式，配置多個(gè)在周向上具有不同長(zhǎng)度的標(biāo)記552A。
預(yù)制坑群55IA設(shè)置成由預(yù)制坑群55IA構(gòu)成的標(biāo)記552A以及間隔553A中的、最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為113nm(以口 120mm的光盤換算，相當(dāng)于33GB)。即，由預(yù)制坑群551A構(gòu)成的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ / (4Ν. A.) = 119nm)以下。
此外，設(shè)置于基板550A的預(yù)制坑群551A的記錄形式采用了 In-Pit形式。[!卩，以標(biāo)記552A相對(duì)于光入射面凹陷的方式形成預(yù)制坑群551A，再生信息記錄層520A時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
如圖12的(b)所示，光信息記錄介質(zhì)500B采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層510、信息記錄層520B、以及基板550B的結(jié)構(gòu)。光信息記錄介質(zhì)500B除了基板 550B以外(即除了預(yù)制坑群551B的記錄形式以外)與光信息記錄介質(zhì)500A為相同的結(jié)構(gòu)。
信息記錄層520B由超分辨率膜523和預(yù)制坑群55IB構(gòu)成，超分辨率膜523由以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜521、反射膜522的方式層疊的兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群 551B形成于下層的基板550B。
基板550B與基板550A同樣，使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(b)所示，在基板550B的超分辨率膜523側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群 551B,該預(yù)制坑群55IB由與作為形狀記錄在信息記錄層540B中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成， 道間距為O. 32 μ m。預(yù)制坑群551B的記錄形式采用了 On-Pit形式。
g卩，以標(biāo)記552B相對(duì)于光入射面比間隔553B凸出的方式形成了預(yù)制坑群551B。 換言之，以再生信息記錄層520B時(shí)的推挽的極性為正極性的方式形成了預(yù)制坑群551B。
將從與基板550A相同的母盤壓縮成型的實(shí)質(zhì)上的同一基板作為原盤，利用2P轉(zhuǎn)印設(shè)置了該預(yù)制坑群551B。據(jù)此，在基板550B上設(shè)置了 On-Pit形式的預(yù)制坑群551B。
S卩，基板550A與550B是以照片為例的所謂正片和底片的關(guān)系。
如圖12的(a)所示，光信息記錄介質(zhì)600A采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層610、信息記錄層620A、以及基板650A的結(jié)構(gòu)。
覆蓋層610使用了厚度為IOOym的紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)405nm時(shí)的折射率為1. 50)。
信息記錄層620A由超分辨率膜623和預(yù)制坑群65IA構(gòu)成，超分辨率膜623由以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜621、反射膜622的方式層疊 的兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群 651A形成于下層的基板650A。再生膜621使用厚度為60nm的氧化鋅，反射膜622使用厚度為7nm的Ta。
基板650A使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(a)所示，在基板650A的超分辨率膜623側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群 651A，該預(yù)制坑群651A由與作為形狀記錄在信息記錄層640中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成，道間距為O. 32 μ m。
在預(yù)制坑群651A中，以能夠按照1-7RLL調(diào)制方式再生信息的方式，配置多個(gè)在周向上具有不同長(zhǎng)度的標(biāo)記。
預(yù)制坑群65IA設(shè)置成由預(yù)制坑群65IA構(gòu)成的標(biāo)記652A以及間隔653A中的、最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為83nm(以口 120mm的光盤換算，相當(dāng)于45GB)。S卩，由預(yù)制坑群651A構(gòu)成的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ /(4N. A.) = 119nm)以下。
此外，設(shè)置于基板650A的預(yù)制坑群651A的記錄形式采用了 In-Pit形式。S卩，以標(biāo)記652A相對(duì)于光入射面凹陷的方式形成預(yù)制坑群651A，再生信息記錄層620A時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
如圖12的(b)所示，光信息記錄介質(zhì)600B采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層610、信息記錄層620B、以及基板650B的結(jié)構(gòu)。光信息記錄介質(zhì)600B除了基板 650B以外(即除了預(yù)制坑群651B的記錄形式以外)與光信息記錄介質(zhì)600A為相同的結(jié)構(gòu)。
信息記錄層620B由超分辨率膜623和預(yù)制坑群65IB構(gòu)成，超分辨率膜623由以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜621、反射膜622的方式層疊的兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群 651B形成于下層的基板650B。
基板650B與基板650A同樣,使用了直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圓盤狀基板。
如圖13的(b)所示，在基板650B的超分辨率膜623側(cè)的面上，設(shè)置了預(yù)制坑群 651B，該預(yù)制坑群651B由與作為形狀記錄在信息記錄層620B中的信息相對(duì)應(yīng)的凹凸構(gòu)成， 道間距為O. 32 μ m。預(yù)制坑群651的記錄形式采用了 On-Pit形式。
g卩，以標(biāo)記652B相對(duì)于光入射面比間隔653B凸出的方式形成了預(yù)制坑群651B。 換言之，以再生信息記錄層620B時(shí)的推挽的極性為正極性的方式形成了預(yù)制坑群651B。
將從與基板650A相同的母盤壓縮成型的實(shí)質(zhì)上的同一基板作為原盤，利用2P轉(zhuǎn)印設(shè)置了該預(yù)制坑群651B。據(jù)此，在基板650B上設(shè)置了 On-Pit形式的預(yù)制坑群651B。
S卩，基板650A與650B是以照片為例的所謂正片和底片的關(guān)系。
圖14是表示各實(shí)驗(yàn)用光信息記錄介質(zhì)的再生信號(hào)的測(cè)定結(jié)果的圖。
使用圖14，針對(duì)上述單層光信息記錄介質(zhì)300A至600B，使用上述評(píng)價(jià)設(shè)備等測(cè)定抖動(dòng)(Jitter :低密度的信號(hào)再生特性的一般評(píng)價(jià)指標(biāo))或bER(比特錯(cuò)誤率)的最低值， 確認(rèn)了各實(shí)驗(yàn)用光信息記錄介質(zhì)的再生特性的優(yōu)劣。
在圖14中，表示各實(shí)驗(yàn)用光信息記錄介質(zhì)的測(cè)定結(jié)果(抖動(dòng)或bER)和測(cè)定時(shí)的信號(hào)波形。在圖14的表不信號(hào)波形的不波器的照片中，橫軸表不時(shí)間，縱軸表不電壓。
首先，比較設(shè)置了再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)以下(以 □ 120mm的光盤換算,相當(dāng)于33GB)的標(biāo)記長(zhǎng)的預(yù)制坑群的光信息記錄介質(zhì)500A、500B、 600A、600B。
如上所述，光信息記錄介質(zhì)500A與光信息記錄介質(zhì)500B的不同之處僅在于預(yù)制坑群551A、551B的凹凸關(guān)系相反。同樣，光信息記錄介質(zhì)600A與 光信息記錄介質(zhì)600B的不同之處僅在于預(yù)制坑群651A、651B的凹凸關(guān)系相反。
但是,根據(jù)圖14可明顯看到，比較光信息記錄介質(zhì)500A與光信息記錄介質(zhì)500B 的再生特性，光信息記錄介質(zhì)500B的抖動(dòng)的最低值為27. 5%，而光信息記錄介質(zhì)500A的抖動(dòng)的最低值為10. 9 %，與光信息記錄介質(zhì)500B的抖動(dòng)的最低值相比，光信息記錄介質(zhì)500A 的抖動(dòng)的最低值較小。
這樣，可知與光信息記錄介質(zhì)500B相比，光信息記錄介質(zhì)500A的再生特性較好。
同樣，比較光信息記錄介質(zhì)600A與光信息記錄介質(zhì)600B的再生特性，結(jié)果是光信息記錄介質(zhì)600A的bER的最低值為3. 6X 10_5，與一般實(shí)用上所需的3. OX 10_4相比足夠小，較為良好，而光信息記錄介質(zhì)600B甚至無(wú)法生成為了解碼再生信號(hào)而最低限度所需的時(shí)鐘。
這樣，可知與光信息記錄介質(zhì)600B相比，光信息記錄介質(zhì)600A的再生特性較好。
由此可知，即使使用具有標(biāo)記密度等相同的預(yù)制坑群的基板，根據(jù)預(yù)制坑群的記錄形式是In-Pit形式還是On-Pit形式，再生特性也有較大差異，與On-Pit形式相比， In-Pit形式的再生特性較好。
另外，根據(jù)圖14可知，標(biāo)記的密度(信息的記錄密度)越大，In-Pit形式時(shí)的再生特性與On-Pit形式時(shí)的再生特性的差越大。
尤其可知，如設(shè)置于光信息記錄介質(zhì)600B的預(yù)制坑群65IB這樣，最小標(biāo)記(標(biāo)記 652B)與最小間隔(間隔653B)的平均長(zhǎng)度為83nm( = λ/(5. 76ΝΑ(以口 120mm的光盤換算，相當(dāng)于45GB)))時(shí)，甚至無(wú)法生成時(shí)鐘。
S卩，預(yù)制坑群651的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為83ηηι(λ / (5. 76ΝΑ))時(shí),無(wú)法生成時(shí)鐘，因而由信號(hào)處理的高度化(例如，從PRML (1221)到PRML (12221)的變更等) 產(chǎn)生的bER(與再生特性同義)的改善也無(wú)法實(shí)現(xiàn)。
接著，根據(jù)圖14可知，比較光信息記錄介質(zhì)300A、400A與光信息記錄介質(zhì)300B、 400B的再生特性，光信息記錄介質(zhì)300A、400A與光信息記錄介質(zhì)300B、400B之間，抖動(dòng)的最低值的值大致相同，再生特性沒有產(chǎn)生較大的差別。
即，可以知道，在設(shè)置了最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度大于再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ/(4Ν·Α·) = 119nm)的預(yù)制坑群(預(yù)制坑群351A、351B、451A、451B)的光信息記錄介質(zhì)300A、300B、400A、400B (例如以口 120mm的光盤換算，相當(dāng)于25GB)中，無(wú)論信息記錄層是超分辨率膜(信息記錄層420A、420B、520A、520B、620A、620B)還是非超分辨率膜 (信息記錄層320A、320B)，在On-Pit形式與In-Pit形式之間，再生特性都不產(chǎn)生較大的差別。
由此可知，預(yù)制坑群的記錄形式為In-Pit形式時(shí)的再生特性較好的理由與信息記錄層的種類(超分辨率膜還是非超分辨率膜)無(wú)關(guān)，僅僅依賴于記錄密度(指預(yù)制坑群的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度)。
據(jù)此可知，為了再生設(shè)置了再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)以下(以口 120mm的光盤換算，相當(dāng)于33GB)的標(biāo)記長(zhǎng)的預(yù)制坑群的光信息記錄介質(zhì)，與信息記錄層為超分辨率膜還是非超分辨率膜無(wú)關(guān)，通過(guò)使預(yù)制坑群的記錄形式為In-Pit形式， 與使預(yù)制坑群的記錄形式為On-Pit形式的情況相比，能夠得到良好的再生特性。
(2-2、與采用單調(diào)記錄方式的多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的比較)
接著，使用 圖15至圖17說(shuō)明與采用單調(diào)記錄方式的多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的再生特性的比較結(jié)果。
圖15是表示形成了單調(diào)形式的預(yù)制坑的光信息記錄介質(zhì)700的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖16的(a)是表示單調(diào)的On-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖，(b)是表示單調(diào)的In-Pit形式的預(yù)制坑群的放大結(jié)構(gòu)的立體圖。
如圖15所示，光信息記錄介質(zhì)700采用從再生光的入射面?zhèn)绕鹨来螌盈B了覆蓋層 710、第一信息記錄層720、中間層730、第二信息記錄層740、以及基板750的結(jié)構(gòu)。
覆蓋層710由兩層構(gòu)成，采用從再生光入射側(cè)起依次層疊了膜厚為80 μ m的聚碳酸酯膜711和膜厚為20 μ m的透明粘合樹脂層的結(jié)構(gòu)。
第一信息記錄層720由超分辨率膜723和預(yù)制坑群731構(gòu)成，超分辨率膜723由以從再生光的入射側(cè)起依次為再生膜721、反射膜722的方式層疊的兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群731形成于下層的中間層730。
再生膜721使用厚度為175nm的氧化鋅，半透明膜722使用厚度為7nm的Si。
中間層730使用了厚度為25 μ m的透明紫外線固化樹脂(再生光波長(zhǎng)時(shí)的折射率為1. 50)。
如圖16的(a)所示，在中間層730的超分辨率膜723側(cè)的面上，以道間距O. 32 μ m 設(shè)置了與作為形狀記錄在第一信息記錄層720中的信息相對(duì)應(yīng)的On-Pit記錄形式的預(yù)制坑群731。
將從與后述的基板750相同的母盤壓縮成型的實(shí)質(zhì)上的同一基板作為原盤，利用 2P轉(zhuǎn)印設(shè)置了預(yù)制坑群731。這樣，在中間層730上以單調(diào)形式的On-Pit形式設(shè)置了預(yù)制坑群731。預(yù)制坑群731分為八個(gè)區(qū)域。
在圖16的(a)的例子中，在半徑方向上分為八個(gè)區(qū)域，各區(qū)域的標(biāo)記732的長(zhǎng)度 (標(biāo)記長(zhǎng)度)與間隔733的長(zhǎng)度(間隔長(zhǎng)度)的平均長(zhǎng)度在半徑方向上依次為60、80、100、 120、140、160、200、以及 400nm。
這樣，預(yù)制坑群731是八種長(zhǎng)度(相當(dāng)于密度)的單調(diào)形式預(yù)制坑群，能夠確認(rèn)各區(qū)域的再生特性。
如圖15所示，第二信息記錄層740由超分辨率膜743和預(yù)制坑群751構(gòu)成，超分辨率膜743由兩層薄膜構(gòu)成，預(yù)制坑群751形成于下層的基板750。超分辨率膜743中，從再生光入射側(cè)起依次層疊厚度為155nm的由氧化鋅構(gòu)成的再生膜741和厚度為50nm的由 Si構(gòu)成的反射膜742。
基板750使用具有預(yù)制坑群751的聚烯烴系樹脂制的圓盤狀基板。
如圖16的(b)所示，在基板750的超分辨率膜743側(cè)的面上，以道間距O. 32 μ m 設(shè)置了與作為形狀記錄在第二信息記錄層740中的信息相對(duì)應(yīng)的In-Pit記錄形式的預(yù)制坑群751。預(yù)制坑群751分為八個(gè)區(qū)域。
在圖16的(b)的例子中，在半徑方向上分為八個(gè)區(qū)域，各區(qū)域的標(biāo)記752的長(zhǎng)度 (標(biāo)記長(zhǎng)度)與間隔753的長(zhǎng)度(間隔長(zhǎng)度)的平均長(zhǎng)度在半徑方向上依次為60、80、100、 120、140、160、200、以及 400nm。
這樣，預(yù)制坑群7 51是八種長(zhǎng)度(相當(dāng)于密度)的單調(diào)形式預(yù)制坑群，能夠確認(rèn)各區(qū)域的再生特性。
通過(guò)具有再生波長(zhǎng)為404nm、數(shù)值孔徑為O. 85的再生光學(xué)系統(tǒng)的評(píng)價(jià)設(shè)備再生上述光信息記錄介質(zhì)700的第一信息記錄層720與第二信息記錄層740，測(cè)定了 0TF。
圖17是表示具有單調(diào)預(yù)制坑群的光信息記錄介質(zhì)700的第一信息記錄層720與第二信息記錄層740的再生特性(OTF)的圖。
此外，OTF是表示超分辨率性能的指標(biāo)，表示C/N(表示信號(hào)質(zhì)量的評(píng)價(jià)基準(zhǔn))的記錄標(biāo)記長(zhǎng)(在再生專用光信息記錄介質(zhì)的情況下與坑長(zhǎng)同義)依賴性。
根據(jù)圖17可明顯看出，第一信息記錄層720與第二信息記錄層740的再生特性中看不出顯著差別。
S卩，根據(jù)圖17所示的結(jié)果可知，在如光信息記錄介質(zhì)700這樣采用單調(diào)記錄方式的多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)中，再生特性不會(huì)根據(jù)預(yù)制坑的記錄形式(指In-Pit或 On-Pit)而產(chǎn)生差別。
根據(jù)上述可知，一般的多層光信息記錄介質(zhì)為了提高記錄容量，使用標(biāo)記邊緣記錄方式。此外，為了降低成本，為了在接近再生光入射面一側(cè)的第一信息記錄層與遠(yuǎn)離再生光入射面一側(cè)的第二信息記錄層中記錄信息而設(shè)置的預(yù)制坑群的記錄形式為In-Pit形式和On-Pit形式,相互不同。
因此，若在上述多層光信息記錄介質(zhì)中采用超分辨率技術(shù)，則以O(shè)n-Pit形式記錄了信息的信息記錄層的再生特性與另一者的以In-Pit形式記錄了信息的信息記錄層的再生特性相比，顯著變差。
另一方面，如上所述，在實(shí)施方式所涉及的光信息記錄介質(zhì)I中，最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度小于再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)的預(yù)制坑群51的記錄形式為In-Pit形式。并且，作為使由預(yù)制坑群51記錄的信息的再生成為可能的超分辨率膜的第二信息記錄層40設(shè)置在設(shè)置有預(yù)制坑群51的基板50上。
因此，在第二信息記錄層40與第一信息記錄層20之間，再生的信號(hào)特性不會(huì)產(chǎn)生差別，能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性高的良好的高密度信號(hào)再生。另外，能夠?qū)崿F(xiàn)價(jià)廉、并且使用大記錄容量的超分辨率再生技術(shù)的多層光信息記錄介質(zhì)。
另外，在預(yù)制坑群51中的最小標(biāo)記52與最小間隔53的平均長(zhǎng)度為λ /(5. 76ΝΑ) 以下的情況下，本實(shí)施方式的光信息記錄介質(zhì)I尤為理想。
這是因?yàn)?，如上所述，預(yù)制坑群31、51的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度與再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限長(zhǎng)度相比越短，則In-Pit形式與On-Pit形式的再生特性之差變得越顯著。尤其是，在最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度達(dá)到λ/(5.76ΝΑ)以下的情況下，為了進(jìn)行補(bǔ)充再生特性的信號(hào)處理所需的時(shí)鐘變得無(wú)法生成。
此外，若能夠生成時(shí)鐘，則能夠使用補(bǔ)充程度根據(jù)所再生的信號(hào)而異的信號(hào)處理法(例如，并用PRML(1221)和補(bǔ)充性更高的PRML (12221)等)。但是，在使用這種方法的情況下，存在著光信息記錄介質(zhì)再生裝置的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，成本提高的問題。
另一方面，根據(jù)光信息記錄介質(zhì)I的結(jié)構(gòu)，能夠防止無(wú)法生成時(shí)鐘。因此，能夠利用單一的信號(hào)處理法補(bǔ)充所再生的信號(hào)，因此能夠防止光信息記錄介質(zhì)再生裝置的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，能夠取得成本提高的抑制效果。
此外，光信息 記錄介質(zhì)I并不限定于上述的預(yù)制坑群31與預(yù)制坑群51雙方均為 In-Pit形式的結(jié)構(gòu)，也可以是預(yù)制坑群31與預(yù)制坑群51中的任一者為In-Pit形式的結(jié)構(gòu)。
此外，兩層的第一信息記錄層20或第二信息記錄層40中的一個(gè)層可以不是再生專用的ROM層，而是能夠進(jìn)行信息改寫的層(RE層)。
此外，本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的光信息記錄介質(zhì)并不限定于上述內(nèi)容，也可以是還設(shè)置了各種類型的信息記錄層的三層以上的信息記錄介質(zhì)，在此情況下覆蓋層或中間層的厚度可以與上述不同。
本發(fā)明并不限定于上述各實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求書所示的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更，適當(dāng)組合不同實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)手段得到的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。
如上所述，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有該再生光的入射面的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分別分離所述信息記錄層的中間層，該光信息記錄介質(zhì)的特征在于在所述兩層以上的信息記錄層中以指定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔記錄信息，所述兩層以上的信息記錄層中的每一層包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再生所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群形成為所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生該預(yù)制坑群時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
在此，所述的所謂預(yù)制坑群由多個(gè)預(yù)制坑構(gòu)成。所述的所謂預(yù)制坑，是指設(shè)置于基板或中間層的凹凸形狀。
另外，已知在所述再生光學(xué)系統(tǒng)的再生光的波長(zhǎng)為λ，數(shù)值孔徑為NA時(shí)，入/ (4ΝΑ)左右是用于讀取(再生)由所述標(biāo)記或間隔記錄的信息的光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限。 因此，在本發(fā)明中，用于再生所述信息記錄層中記錄的信息的所述再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限為λ/(4ΝΑ)。
另外，所謂所述最小標(biāo)記與·所述最小間隔的平均長(zhǎng)度，是能夠根據(jù)所述指定的調(diào)制方式、以及信息記錄層中記錄的信息的密度計(jì)算出的長(zhǎng)度。在結(jié)構(gòu)上，例如在1-7RLL調(diào)制方式的情況下，是作為最小標(biāo)記的2Τ標(biāo)記長(zhǎng)度與作為最小間隔的2Τ間隔長(zhǎng)度的平均長(zhǎng)度。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在通過(guò)中間層分別分離的所述兩層以上的信息記錄層中，以指定調(diào)制方式記錄作為標(biāo)記以及間隔的信息。據(jù)此，利用能夠以指定的調(diào)制方式進(jìn)行調(diào)制的再生裝置，能夠再生該記錄的信息。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，所述兩層以上的信息記錄層中的每一層都包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群。即，包含形成于中間層或基板的預(yù)制坑群的信息記錄層通過(guò)預(yù)制坑群的凹凸形狀，作為形狀記錄信息。這種包含預(yù)制坑群的信息記錄層是再生專用的信息記錄層。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記具有不同的長(zhǎng)度，通過(guò)以此方式以不同長(zhǎng)度構(gòu)成標(biāo)記，與以單一長(zhǎng)度構(gòu)成標(biāo)記的所謂單調(diào)模式記錄方式(即標(biāo)記位置記錄方式)相比，能夠提高記錄信息的密度。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再生各個(gè)所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下。據(jù)此，能夠提高配置標(biāo)記以及間隔的密度，因而能夠在各個(gè)上述信息記錄層中記錄大容量的信息。
據(jù)此，能夠抑制為了增加所記錄的信息的容量而增加所形成的信息記錄層的層疊數(shù)，因而能夠抑制由于增加信息記錄層的層疊數(shù)而導(dǎo)致的制造成本增大。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，所述超分辨率膜是使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜。據(jù)此，能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)作為再生裝置再生信息記錄層中記錄的信息。
在此，有時(shí)將光信息記錄介質(zhì)中如上所述的，配置兩層以上的信息記錄層，各信息記錄層是包含最小標(biāo)記和最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下的預(yù)制坑群、以及作為使利用該預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜的超分辨率膜的層的光信息記錄介質(zhì)稱為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)。
通過(guò)以此方式構(gòu)成多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)，能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生該多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的各信息記錄層中記錄的大容量的信息。
通過(guò)以此方式構(gòu)成多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)，能夠抑制為了增加所記錄的信息的容量而增加所形成的信息記錄層的層疊數(shù)，因而能夠抑制由于增加信息記錄層的層疊數(shù)而導(dǎo)致的制造成本增大。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，所述預(yù)制坑群配置為所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生該預(yù)制坑群時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。這樣，所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生所述預(yù)制坑群時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性的預(yù)制坑群以In-Pit形式形成各預(yù)制坑。
此外，所謂In-Pit形式，是預(yù)制坑群的各預(yù)制坑中，所述標(biāo)記相對(duì)于所述再生光的入射面比所述間隔凹陷地形成的形式。
據(jù)此，即使配置為最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，也能夠防止再生光學(xué)系統(tǒng)再生該信息記錄層而得的信息的再生特性發(fā)生劣化。
這樣，根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，能夠提供價(jià)廉、并且防止再生特性劣化的大記錄容量的光信息記錄介質(zhì)。
若所述再生光學(xué)系統(tǒng)的再生光的波長(zhǎng)為λ，數(shù)值孔徑為NA，則所述預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為λ/(5.76ΝΑ)以下的情況是較為理想的。
在此，在預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度比λ/(5. 76ΝΑ)大的情況下，即使所述預(yù)制坑群的記錄形式為On-Pit形式，如后所述，也能夠生成用于再生信息記錄層中記錄的信息的時(shí)鐘。
因此，雖然再生特性發(fā)生劣化，但通過(guò)對(duì)再生特性進(jìn)行補(bǔ)充，也能夠取得所需的再生特性。
S卩，若預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度達(dá)到λ/(5.76ΝΑ)以下，則根據(jù)預(yù)制坑群的記錄形式(In-Pit記錄形式或是On-Pit記錄形式)得到的再生特性的差異變得更為顯著。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，即使預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在λ/ (5. 76ΝΑ)以下，也能夠再生記錄了由所述預(yù)制坑群記錄的信息的信息 記錄層，因而能夠防止再生特性的劣化，得到良好的再生特性，能夠提高記錄容量。
較為理想的是，表示所述兩層以上的信息記錄層的每一層是構(gòu)成為使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的層的信息包含在表示所述光信息記錄介質(zhì)的類別的光盤類型識(shí)別信息中，所述光盤類型識(shí)別信息與作為所述標(biāo)記以及間隔記錄的信息相比，以能夠容易檢測(cè)的記錄方式，記錄在所述兩層以上的信息記錄層中的任一層的信息記錄層中。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，表示所述兩層以上的信息記錄層的每一層是構(gòu)成為使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的層的信息包含在表示所述光信息記錄介質(zhì)的類別的光盤類型識(shí)別信息中。
S卩，表示所述光信息記錄介質(zhì)是多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的信息包含在所述光盤類型識(shí)別信息中。
并且，所述光盤類型識(shí)別信息與作為所述標(biāo)記以及間隔記錄的信息相比，以能夠容易檢測(cè)的記錄方式，記錄在層疊于所述預(yù)制坑群的信息記錄層中。
在此，在再生所述多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的作為所述標(biāo)記以及間隔記錄的信息的情況下，與再生標(biāo)記以及間隔的密度比所述多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)形成得更大的光信息記錄介質(zhì)(非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì))的信息的情況相比，需要增大再生激光功率(再生光的強(qiáng)度)。
因此，若以用于再生所述多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的信息的再生激光功率再生非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)，則存在破壞該非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的危險(xiǎn)性。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在增大用于再生所述多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)的作為所述標(biāo)記以及間隔記錄的信息的再生激光功率之前，通過(guò)確認(rèn)光盤類型識(shí)別信息，能夠判定是否為多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)。
因此，能夠防止錯(cuò)誤地使用為了再生設(shè)置有由所述標(biāo)記以及間隔記錄的信息的信息記錄層而增大了的再生激光功率，再生非多層超分辨率光信息記錄介質(zhì)。據(jù)此，能夠提供通用性高的光信息記錄介質(zhì)。
較為理想的是，所述能夠容易檢測(cè)的記錄方式是將脈沖激光照射到所述信息記錄層形成的，寬度為10 μ m單位，長(zhǎng)度從100 μ m單位到_單位的多個(gè)條紋所表示的信息的記錄方式。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在由所述再生光學(xué)系統(tǒng)讀取光盤類型識(shí)別信息或個(gè)體識(shí)別編號(hào)時(shí)的再生時(shí)，即使聚焦或再生光照射的半徑方向位置多少發(fā)生偏差，也能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)讀取光盤類型識(shí)別信息以及個(gè)體識(shí)別編號(hào)。
另外，使用專用的脈沖激光的照射裝置，能夠較為容易地記錄光盤類型識(shí)別信息以及個(gè)體識(shí)別編號(hào)。
較為理想的是，記錄所述光盤類型識(shí)別信息以及作為識(shí)別各個(gè)所述光信息記錄介質(zhì)的信息的個(gè)體識(shí)別信息的半徑位置位于再生信息時(shí)需要進(jìn)行追蹤的信息記錄區(qū)域的內(nèi)周側(cè)。
在此，在以能夠容易檢測(cè)的記錄方式記錄所述光盤類型識(shí)別信息或所述個(gè)體識(shí)別信息的情況下，為了即使照射再生光的半徑方向的位置多少發(fā)生偏移，也能夠再生所述光盤類型識(shí)別信息或所述個(gè)體識(shí)別信息的信息，作為記錄所述光盤類型識(shí)別信息或所述個(gè)體識(shí)別信 息的區(qū)域，需要是在半徑方向上具有指定的長(zhǎng)度，在周向上具有一周的區(qū)域。
為了確保這種記錄光盤類型識(shí)別信息或所述個(gè)體識(shí)別信息的區(qū)域，用于存儲(chǔ)其他 信息的信息記錄區(qū)域會(huì)減少。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，使記錄所述光盤類型識(shí)別信息以及所述個(gè)體識(shí)別信息的半徑位置 位于再生信息時(shí)需要進(jìn)行追蹤的信息記錄區(qū)域的內(nèi)周側(cè)，因而與設(shè)置于外周側(cè)的情況相 比，能夠抑制需要進(jìn)行追蹤的信息記錄區(qū)域的記錄容量的減少。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有該再生光的入射面 的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分別分離所述信息記錄層的中間層， 在所述兩層以上的信息記錄層中以指定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔記錄信息，所述兩層以 上的信息記錄層中的每一層包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由 所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最 小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再 生所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群采用所述 標(biāo)記相對(duì)于所述再生光的入射面比所述間隔凹陷地形成的In-Pit形式。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，所述預(yù)制坑群采用所述標(biāo)記相對(duì)于所述再生光的入射面比所述間 隔凹陷地形成的In-Pit形式。據(jù)此，即使配置為最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度在再生光 學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，也能夠防止再生光學(xué)系統(tǒng)再生該信息記錄層而得的信息的再生特性發(fā)生劣化。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明尤其能夠適用于包括多個(gè)信息記錄層，信息的記錄密度高的再生專用的光信息記錄介質(zhì)。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
1、la、100光信息記錄介質(zhì)
10覆蓋層(透光層)
20、120第一信息記錄層
23、43超分辨率膜
30中間層
31、51、51a預(yù)制坑群
32、52標(biāo)記
33、53間隔
40、40a、140第二信息記錄層
50、50a基板
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄介質(zhì)，從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有該再生光的入射面的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分離各個(gè)所述信息記錄層的中間層，該光信息記錄介質(zhì)的特征在于在所述兩層以上的信息記錄層中以指定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔來(lái)記錄信息，所述兩層以上的信息記錄層中的每一層，包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再生所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群形成為所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生該預(yù)制坑群時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于若所述再生光學(xué)系統(tǒng)的再生光的波長(zhǎng)為λ，數(shù)值孔徑為NA，則所述預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為λ/(5.76ΝΑ)以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于表示所述兩層以上的信息記錄層的每一層是構(gòu)成為使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的層的信息包含在表示所述光信息記錄介質(zhì)的類別的光盤類型識(shí)別信息中，所述光盤類型識(shí)別信息與作為所述標(biāo)記以及間隔而記錄的信息相比，以能夠容易檢測(cè)的記錄方式，記錄在所述兩層以上的信息記錄層中的任一層的信息記錄層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于所述能夠容易檢測(cè)的記錄方式是將脈沖激光照射到所述信息記錄層而形成的，由寬度為10 μ m單位、長(zhǎng)度從100 μ m單位到_單位的多個(gè)條紋所表示的信息的記錄方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于記錄所述光盤類型識(shí)別信息以及作為識(shí)別各個(gè)所述光信息記錄介質(zhì)的信息的個(gè)體識(shí)別編號(hào)的半徑位置與再生信息時(shí)需要進(jìn)行追蹤的信息記錄區(qū)域相比位于內(nèi)周側(cè)。
6.一種光信息記錄介質(zhì)，從再生光的入射側(cè)起，依次配置具有該再生光的入射面的透光層、兩層以上的信息記錄層、以及基板，還包括分離各個(gè)所述信息記錄層的中間層，該光信息記錄介質(zhì)的特征在于在所述兩層以上的信息記錄層中以指定調(diào)制方式作為標(biāo)記以及間隔來(lái)記錄信息，所述兩層以上的信息記錄層中的每一層，包括構(gòu)成所述標(biāo)記以及間隔的預(yù)制坑群、以及超分辨率膜，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記以及間隔具有不同的長(zhǎng)度，由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的標(biāo)記中長(zhǎng)度最小的最小標(biāo)記與由所述預(yù)制坑群構(gòu)成的間隔中長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再生所述信息記錄層中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，所述超分辨率膜是使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的膜，所述預(yù)制坑群采用所述標(biāo)記相對(duì)于所述再生光的入射面與所述間隔相比凹陷地形成的內(nèi)坑形式。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于若所述再生光學(xué)系統(tǒng)的再生光的波長(zhǎng)為λ，數(shù)值孔徑為NA，則所述預(yù)制坑群中的最小標(biāo)記與最小間隔的平均長(zhǎng)度為λ/(5.76ΝΑ)以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于表示所述兩層以上的信息記錄層的每一層是構(gòu)成為使利用所述預(yù)制坑群記錄的信息能夠由所述再生光學(xué)系統(tǒng)再生的層的信息包含在表示所述光信息記錄介質(zhì)的類別的光盤類型識(shí)別信息中，所述光盤類型識(shí)別信息與作為所述標(biāo)記以及間隔記錄的信息相比，以能夠容易檢測(cè)的記錄方式，記錄在所述兩層以上的信息記錄層中的任一層的信息記錄層中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于所述能夠容易檢測(cè)的記錄方式是將脈沖激光照射到所述信息記錄層而形成的，由寬度為10 μ m單位、長(zhǎng)度從100 μ m單位到_單位的多個(gè)條紋所表示的信息的記錄方式。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于記錄所述光盤類型識(shí)別信息以及作為識(shí)別各個(gè)所述光信息記錄介質(zhì)的信息的個(gè)體識(shí)別編號(hào)的半徑位置與再生信息時(shí)需要進(jìn)行追蹤的信息記錄區(qū)域相比位于內(nèi)周側(cè)。
全文摘要
光信息記錄介質(zhì)(1)的第一信息記錄層(20)、第二信息記錄層(40)包括構(gòu)成標(biāo)記(32、52)以及間隔(33、53)的預(yù)制坑群(31、51)、以及超分辨率膜(23、43)，標(biāo)記(32、52)以及間隔(33、53)具有不同的長(zhǎng)度，標(biāo)記(32、52)以及間隔(33、53)中長(zhǎng)度最小的最小標(biāo)記與長(zhǎng)度最小的最小間隔的平均長(zhǎng)度在用于再生第一信息記錄層(20)、第二信息記錄層(40)中記錄的信息的再生光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限以下，預(yù)制坑群(31、51)形成為再生光學(xué)系統(tǒng)再生預(yù)制坑群(31、51)時(shí)的推挽信號(hào)的極性為負(fù)極性。據(jù)此，提供價(jià)廉、并且使用大記錄容量的超分辨率再生技術(shù)的多層光信息記錄介質(zhì)。
文檔編號(hào)G11B7/24085GK103069489SQ20118003935
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月11日
發(fā)明者田島秀春, 森豪, 原田康弘, 山本真樹, 山田博久, 小西正人 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社, 存儲(chǔ)技術(shù)株式會(huì)社