專利名稱：具有減小的屏蔽層到屏蔽層間隔的磁性元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁性元件，具體地涉及具有減小的屏蔽層到屏蔽層間隔的磁性元件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各個實施例一般涉及能夠檢測磁狀態(tài)變化的磁性元件。根據(jù)各個實施例，磁性元件包括具有通過間隔層與合成反鐵磁(SAF)層分開且通過空氣軸承表面(ABS)與存儲在相鄰介質(zhì)中的感測數(shù)據(jù)位分開的鐵磁自由層的磁響應疊片。該疊片耦合到離ABS —預定偏距的至少一個反鐵磁(AFM)調(diào)整片。



圖I是數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的一個實施例的立體圖。圖2概括地示出能夠被用作圖I的數(shù)據(jù)存數(shù)設(shè)備中的讀取傳感器的磁性元件的示例。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的各個實施例構(gòu)造且操作的磁性元件。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的各個實施例的用于圖2和3的磁性元件的磁性疊層。圖5提供能夠用于圖2和3的磁性元件的磁性疊層的一個實施例。圖6示出能夠用于圖2和3的磁性元件的磁性疊層的一個示例。圖7顯示能夠用于圖2和3的磁性元件的磁性疊層的一個實施例。圖8概括地示出根據(jù)本發(fā)明的各個實施例構(gòu)造且操作的磁性元件的操作特性。圖9提供根據(jù)本發(fā)明的各個實施例實現(xiàn)的元件制造例程的流程圖。
具體實施例方式本發(fā)明一般涉及諸如在用于數(shù)據(jù)變換頭中的讀取傳感器以及用于提供數(shù)據(jù)的非易失性存儲的磁性存儲元件的上下文中能夠檢測磁波動的磁性元件。數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的面密度隨著數(shù)據(jù)存儲容量增加已變得更加重要。對于給定區(qū)域，提高設(shè)備的面密度與更小的讀取部件和更大的數(shù)據(jù)位相對應。然而，通過存在噪聲和弱的跨磁道分辨率，數(shù)據(jù)讀取器尺寸減小可導致磁不穩(wěn)定、以及不準確的數(shù)據(jù)感測。因此，本發(fā)明的各個實施例一般涉及具有通過間隔層與合成反鐵磁(SAF)層分開且通過空氣軸承表面(ABS)與存儲在相鄰介質(zhì)中的感測數(shù)據(jù)位分開的鐵磁自由層的磁響應疊片。該疊片耦合到離ABS —預定偏距的至少一個反鐵磁(AFM)調(diào)整片。AFM調(diào)整片偏離空氣軸承表面(ABS)的此位置可允許與增加的面密度性能和準確的數(shù)據(jù)感測相對應的更小的屏蔽層到屏蔽層(shield-to-shield)間隔。在圖I中提供數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的示例。設(shè)備100示出其中可實踐本發(fā)明的各個實施例的非限制性環(huán)境。設(shè)備100包括由基板104和頂蓋106構(gòu)成的基本密封的外殼102。內(nèi)部設(shè)置的主軸馬達108被配置成使多個磁存儲介質(zhì)110旋轉(zhuǎn)。介質(zhì)110由各自得到磁頭萬向架組件(HGA) 112支承的數(shù)據(jù)變換器(讀/寫磁頭)的相應陣列訪問。
每個HGA 112可由磁頭疊層組件114 ( “致動器”)支承，該磁頭疊層組件包括進而由剛性致動臂118支承的柔性懸架116。通過將電流施加到音圈電機(VCM) 122，致動器114優(yōu)選繞筒狀(cartridge)軸承組件120旋轉(zhuǎn)。以此方式，VCM 122的受控操作使變換器(數(shù)值上標示為124)與在介質(zhì)表面上限定的磁道(未示出)對準以向其存儲數(shù)據(jù)或從其取回數(shù)據(jù)。圖2顯示能夠被用作圖I的數(shù)據(jù)變換器124中的讀取傳感器的磁性元件130的框圖的示例。元件130包括對外部磁場敏感的鐵磁自由層132。即，自由層132可具有與所遇到的外部磁場相對應的磁性，諸如相鄰數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)138上的經(jīng)編程磁位136所提供的。具有預設(shè)定磁性的合成反鐵磁(SAF)層134通過可用各種厚度和材料構(gòu)造以適應自由層磁感測的非磁性間隔層140與自由層132分開。自由層132和SAF層134各自可耦合到提供制造和操作改進兩者的電極層，諸如籽層142和覆層144。然而應當注意，電極層142和144的組分、形狀和放置不受限制，并且可被修改或去除。 磁性元件130還包括分別附連到自由層132和SAF層134的相對側(cè)上的電極層的屏蔽層146和148。屏蔽層146和148可以各種配置和組分來取向，從而引導非期望磁通遠離自由層和SAF層132和134的磁性疊片。這種屏蔽可通過消除相鄰位的噪聲和非有意感測來允許對來自介質(zhì)138的經(jīng)編程位136進行經(jīng)改進的磁感測。如圖2所示，磁性疊片是由各自具有細長條狀高度152的間隔層140、SAF層134、以及鐵磁自由層132構(gòu)成的磁性疊層150，該細長條狀高度152提供可增強磁穩(wěn)定性和感測的增強各向異性。盡管存在細長條狀高度152，SAF層134的設(shè)定磁性仍然可能是不穩(wěn)定的，這導致不準確的數(shù)據(jù)位136感測。將反鐵磁(AFM)調(diào)整片154附連到SAF層134可通過響應于外部磁場而維持SAF層134的設(shè)定磁性的交換耦合來提供附加的磁穩(wěn)定性。盡管AFM調(diào)整片154可在沿SAF層134的任何地方附連，但AFM附加在ABS處可增加屏蔽層146和148(屏蔽層到屏蔽層)之間的距離，這限制可由元件130讀取的最大電位面密度。已觀察到AFM調(diào)整片152可提供可接受水平的交換耦合來維持其長度156比條狀高度152短的SAF層134的設(shè)定磁性。這種減小的長度156允許AFM調(diào)整片154放置在離ABS預定一偏距158處，因此在向元件130提供增強的磁穩(wěn)定性時不增加空氣軸承表面(ABS)處的屏蔽層到屏蔽層間隔。AFM調(diào)整片154附加到磁性疊層148可提供具有抗操作變化魯棒性的提高性能。AFM調(diào)整片154補充SAF層134的現(xiàn)有設(shè)定磁性的事實允許減小的調(diào)整片長度156來補充SAF層134，而不必響應于外部位136來施加和維持設(shè)定磁性。由此，AFM調(diào)整片154需要直接耦合到SAF層134，而不是將調(diào)整片154附連到自由層132上，這可能將偏置磁性施加到自由層132上。在圖2中，屏蔽層146和148鄰近ABS，這可提供對位于預定數(shù)據(jù)磁道(未示出)外部的數(shù)據(jù)位136的充分屏蔽。然而，如在圖3的磁性元件160中所顯示的，屏蔽層162和164可沿X軸遠離ABS延伸以使其條狀高度大于或等于磁性疊層166的條狀高度。類似于圖2的磁性疊片150,磁性疊層166用置于頂屏蔽層164、鐵磁自由層170、SAF層172、以及底屏蔽層162之間的非磁性間隔層168來構(gòu)造。SAF層172可被配置為都不是必需或受限的各種不同的材料，但在一些實施例中，SAF層172是置于鐵磁非晶子層(諸如像Ni和Co的金屬、像CoFe和NiFe的合金、以及像CoFeB的高偏振比化合物)之間的過渡金屬(諸如Ru)的疊片。SAF層172具有直接附連到鐵磁子層之一的AFM調(diào)整片174以有助于將子層釘扎到預設(shè)定磁性，盡管這種直接附連在一些實施例中可具有居間非磁性籽層。AFM調(diào)整片174被底屏蔽層162部分地包圍，這可提供使錯誤磁場進一步偏離負面地影響AFM調(diào)整片174、SAF層172、以及疊層166。如圖所示，底屏蔽層162具有其中AFM調(diào)整片174駐留的減小厚度特征的區(qū)域(即，凹槽)，而不是沿其整個條狀高度具有連續(xù)厚度的頂屏蔽層164。然而，一個或多個特征的形狀、尺寸和配置不受限制，并且可在頂屏蔽層和底屏蔽層162和164之間修改。例如，底屏蔽層162的減小的厚度特征可具有錐形側(cè)壁，而不是圖3中所顯示的矩形側(cè)壁。圖4概括地示出根據(jù)各個實施例的可用于圖2和3的磁性元件130和160的磁性疊層180的一個實施例。疊層180具有MgO隧道結(jié)182，其可有助于通過具有使自由層184更接近SAF層186的減小厚度來產(chǎn)生隧道磁阻(TMR)。如所配置的，SAF層186具有整條高·度188，而結(jié)182和自由層184各自具有與AFM調(diào)整片192離開ABS的一預定偏距相對應的減小的條狀高度180。AFM調(diào)整片192在橫向上鄰近自由層184的位置允許直接附連到SAF層186，而與圖2和3的突出的AFM調(diào)整片相比對磁性疊層180不增加任何厚度。AFM調(diào)整片192構(gòu)建有可調(diào)節(jié)成通過自由層184提供相對于數(shù)據(jù)位(諸如圖2的位136)的增強磁響應的長度194。自由層184可通過絕緣特征(INS) 196從與AFM調(diào)整片192的直接接觸可任選地緩沖，該絕緣特征允許自由層184自由地響應磁場，而沒有任何偏置磁性從AFM調(diào)整片192泄漏到自由層184。盡管AFM調(diào)整片192可結(jié)合到疊層180中以貫穿條狀高度188具有連續(xù)厚度，但調(diào)整片192在被放置為磁性疊層180的附件時可具有與自由層184不同的厚度。圖5顯示其中AFM調(diào)整片202的厚度大于自由層204的厚度的磁性疊層200的示例。在圖5中，AFM調(diào)整片202附連在與自由層204相對的SAF層206上，并且其厚度208分別大于SAF 206、非磁性間隔物210、或自由層204的厚度。這種增加的厚度208可生成更強的交換耦合，以供在維持SAF層206的預設(shè)定磁性時使用。AFM調(diào)整片202還可以各種位置和長度操縱，從而改變提供給SAF層206的交換耦合的強度。調(diào)整片202可具有偏離ABS —距離214的延伸長度212 (距離214小于延伸長度212)，但未延伸到SAF層206的后邊界。即，偏距214小于調(diào)整片202的長度212，該調(diào)整片202未延伸到SAF 206、自由層204、以及間隔物210的條狀高度216的后邊界。通過將AFM調(diào)整片202放置在SAF 206的條狀高度216內(nèi)，可改變交換耦合，并且可調(diào)諧AFM調(diào)整片202的交換耦合。如可理解的，可通過改變SAF上的AFM調(diào)整片的尺寸、形狀和位置來調(diào)節(jié)和調(diào)諧磁性疊層的操作特性。在一些實施例中，AFM調(diào)整片被配置成提供如圖5中的增強的交換耦合。然而，自由層還可被修改成增加通過AFM調(diào)整片施加到SAF上的交換耦合的有效性。圖6顯示磁性疊層220的配置的這種實施例。與圖5中的AFM調(diào)整片的增大厚度相反，自由層222具有減小的條狀高度224，這降低自由層222的磁化強度并有效地增加AFM調(diào)整片226的交換耦合對SAF層228的影響。如圖6所示，AFM調(diào)整片226具有與自由層222的條狀高度224重疊的長度230。提供與疊層220的配置重疊的這種長度的能力與圖4的疊層180 (其中AFM調(diào)整片192在橫向上鄰近自由層184)中的AFM調(diào)整片長度性能形成對比。由此，將AFM調(diào)整片226從自由層222附連在SAF層228的相對側(cè)上允許在遠離ABS的增大疊層厚度的成本方面有更寬范圍的調(diào)整片226的配置。在非限制性實施例中，AFM調(diào)整片226可構(gòu)建有可減小調(diào)整片226在SAF層228的整個條狀高度232上的厚度的錐形側(cè)壁。在各個其他實施例中，與圖2的間隔層140相比，疊層220配置厚度減小的間隔層234。減小的厚度可增加SAF層228的設(shè)定磁性對自由層22的影響，并且可允許AFM調(diào)整片226響應于減小的SAF層228的磁化強度而具有更小的面積延伸(areal extent)。由于相對于SAF層228解耦自由層222的優(yōu)化，與自由層222相對的AFM調(diào)整片226的位置還有助于減少噪聲。然而，在一些實施例中，更大的交換耦合和AFM調(diào)整片尺寸用于強烈地影響SAF層的設(shè)定磁性。圖7概括地示出磁性疊層240的一個實施例，該磁性疊層包括具有增大的面 積延伸的AFM調(diào)整片242。S卩，AFM調(diào)整片242具有與SAF層244接觸的更大表面積，其對應于增大的交換耦合。在AFM調(diào)整片242和SAF層244有更強磁性的情況下，絕緣層246可在調(diào)整片242周圍構(gòu)造以免于調(diào)整片242和頂電極層248之間的任何非有意磁短路，該頂電極層248通過傳輸感測數(shù)據(jù)的疊層240將電流(1)250引導到主機。如所顯示的，頂電極層248可具有增大的厚度，該增大的厚度大于AFM調(diào)整片242的厚度且等于調(diào)整片242和絕緣層246的組合厚度。頂電極層248的增大的厚度可提供電流250的穩(wěn)定導電路徑以通過自由層252、間隔物254、以及SAF層244，而不受SAF層244的增大的設(shè)定磁性影響。換句話說，更厚的頂電極248確保電流250通過疊層240，而不被AFM調(diào)整片242或SAF層244的磁性更改。疊層240還可配置有厚度小于或等于頂電極層248的底電極層256。盡管更厚的底電極層256可有助于通過疊層240的電流250的穩(wěn)定,但構(gòu)造厚度減小的底電極層256可提供更小的屏蔽層到屏蔽層間隔。與絕緣層(未示出)組合的更厚的底電極層256的配置還可具有延伸的條狀高度，以導致與圖7所示的連續(xù)頂面匹配的疊層240的連續(xù)底面。不管AFM調(diào)整片242、頂電極層248、底電極層256、以及絕緣246的各種配置如何，疊層240由于AFM調(diào)整片242附連到SAF層244而具有增強的穩(wěn)定性，同時因調(diào)整片242置于離ABS —偏距258處而具有最小的屏蔽層到屏蔽層間隔。即使在電極層248和256使疊層240增加厚度的情況下，相對于其中AFM層存在于ABS的其他配置，凹陷放置AFM調(diào)整片242也減小了疊層240的總厚度。圖8是與構(gòu)造有更寬的屏蔽層到屏蔽層間隔的元件相比、采用放置在離ABS —偏距處的AFM調(diào)整片的磁性元件的一個實施例的歸一化響應的曲線圖。由于磁性元件遇到諸如圖2的位136之類的經(jīng)編程數(shù)據(jù)位，因此產(chǎn)生具有可測量脈沖寬度的脈沖。如可理解的，50%的脈沖振幅(PW50)處的磁性元件的脈沖寬度表示該元件的空間分辨率。如所測量的，磁性元件的PW50對屏蔽層到屏蔽層間隔(SSS)的依賴性由方程式I表達A PW50 = 0. 3( A SSS)[方程式 I]在PW50減小的情況下，部分地由于該元件的增強的下磁道分辨率，磁性元件能夠具有更大的數(shù)據(jù)位的線性密度和面密度。
圖8的曲線圖提供具有偏移AFM的元件(如虛線260所表示的)相對于具有增大SSS的元件(如實線262所顯示的)的PW50操作特性。對每一元件的數(shù)據(jù)位的響應是類似的，但是通過振幅和PW50寬度來區(qū)分。對于偏移AFM元件260，相對于增大的SSS元件262體驗到低振幅和更窄的PW50。屏蔽層的振幅264與更窄的PW50組合的差異支持偏移AFM元件相對于具有更寬SSS的元件的磁穩(wěn)定性和增強的操作特性。偏移AFM元件260和更寬SSS的元件262之間的差異示出配置遠離ABS的AFM調(diào)整片的操作結(jié)果。由此，元件可用ABS上的相對較薄的AFM來構(gòu)造，但是這種配置可能在窄PW50的情況下不提供高振幅，不管AFM構(gòu)造得有多薄。圖9提供根據(jù)本發(fā)明的各個實施例進行的元件制造例程270的示例。最初，例程270在判定272中確定是否使用橫向反鐵磁(AFM)層，如圖4概括示出的。判定272評估鐵磁自由層是否在橫向上與AFM層組合以占據(jù)預定條狀高度。不使用橫向AFM的判定將例程270引導到步驟274，其中鐵磁自由層以預定厚度以 及促進各向異性磁穩(wěn)定性的延伸條狀高度沉積。自由層可以或不可以用諸如但不限于物理汽相沉積(PVD)、化學汽相沉積(CVD)、以及濺射之類的各種沉積技術(shù)沉積在基板上，諸如圖2的籽層142。然后在步驟276中，間隔層以預定厚度沉積到自由層上。接著在步驟278中，合成反鐵磁(SAF)層以預定厚度沉積到間隔層上。在一些實施例中，SAF層、間隔物、以及自由層具有相同的條狀高度，但是這種配置不是必需的，如圖6所示。在沉積有SAF層的情況下，步驟280將AFM調(diào)整片沉積到SAF層上離該元件的空氣軸承表面一預定偏距處。AFM調(diào)整片在SAF層上構(gòu)造為預定長度、厚度和位置以產(chǎn)生預定量的交換耦合。返回判定272，如果需要橫向AFM，則步驟282以預定條狀高度沉積SAF層，并且隨后在步驟284以小于SAF層的條狀高度的條狀高度將間隔層沉積到SAF層上。S卩，構(gòu)造間隔層，以使隨后沉積的AFM調(diào)整片與下面的SAF層直接接觸。步驟286繼續(xù)以預定厚度和與現(xiàn)有間隔層匹配的條狀高度來沉積鐵磁自由層。由此，當例程270作出判定288時，SAF層具有第一條狀高度，而間隔層和自由層各自具有第二條狀高度。在判定288中，確定對于自由層和間隔層橫向放置的AFM材料的類型。選擇諸如NiO之類的氧化物AFM引導至步驟290，其中沉積AFM調(diào)整片以通過占據(jù)SAF和自由層之間的條狀高度差所限定的空白區(qū)域來接觸自由層、間隔層、以及SAF層。在判定使用諸如IrMn, PtMn、或FeMn之類的金屬AFM的情況下，在步驟294之前，增加的步驟292在橫向上鄰近自由層和間隔層沉積絕緣材料，從而在SAF層上方的剩余空白空間中沉積金屬AFM調(diào)整片。應當注意，各種條狀高度配置可用都不是必需或受限的各種不同的工藝來完成。例如，基本掩模和蝕刻技術(shù)可用于以不同的條狀高度來構(gòu)造SAF和自由層。同時，AFM調(diào)整片可在自對準各向異性蝕刻之后沉積在SAF層上以制備用于粘合的表面。然而，應當注意，例程270的步驟都不是必需的，并且可隨意單獨地修改、重新部署和去除。如上所討論的，AFM調(diào)整片可以各種方式放置和確定尺寸，從而調(diào)諧向SAF層提供的交換耦合的量。同樣以上所討論但此處為了清楚起見重復的，SAF層可以是具有共同或變化的厚度的諸如過渡金屬的各種材料和鐵磁自由子層的疊片。由此，步驟278和284可包括連續(xù)沉積子層，這些子層組合以用作SAF疊片。
應當理解，本公開中所描述的磁性元件的配置和材料特性允許增強的磁穩(wěn)定性，同時提供減小的屏蔽層到屏蔽層間隔。延伸的條狀高度的SAF層與偏離ABS表面的AFM調(diào)整片的組合通過降噪和增強的穩(wěn)定性來提供改進的磁性能。此外，通過AFM調(diào)整片的各種尺寸和位置調(diào)節(jié)來調(diào)諧磁性元件的磁操作性質(zhì)的能力允許最小的元件厚度，同時增強跨磁道分辨率和面密度性能。另外，盡管各個實施例已涉及磁感測，但應當理解，所要求保護的發(fā)明可易于在任意數(shù)量的其他應用(包括數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應用)中使用。應當理解，即使已在前面的描述中闡述了本發(fā)明各個實 施例的許多特性和配置、以及本發(fā)明各個實施例的結(jié)構(gòu)和功能的細節(jié)，該詳細描述也只是說明性的，并且可在細節(jié)上作出改變，尤其是可在術(shù)語的寬泛含義所指示的全面范圍上對本發(fā)明原理內(nèi)的部分的結(jié)構(gòu)和安排作出改變，所附權(quán)利要求在該范圍內(nèi)表達。例如，特定元件可取決于特定應用而變化，而不背離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.ー種磁性疊層，包括 具有通過間隔層與合成反鐵磁(SAF)層分開且通過空氣軸承表面(ABS)與存儲在相鄰介質(zhì)中的感測數(shù)據(jù)位分開的鐵磁自由層的磁響應疊片；以及 耦合到離所述ABS有一預定偏距的所述疊片的至少ー個反鐵磁(AFM)調(diào)整片。
2.如權(quán)利要求I所述的磁性疊層，其特征在于，所述SAF層、自由層、以及間隔層的每ー個共享共同的條狀高度。
3.如權(quán)利要求2所述的磁性疊層，其特征在于，所述至少ー個AFM調(diào)整片具有比所述共同的條狀高度小的減小的條狀高度。
4.如權(quán)利要求I所述的磁性疊層，其特征在于，還包括耦合到所述疊片的所選側(cè)的至少ー個磁屏蔽層。
5.如權(quán)利要求4所述的磁性疊層，其特征在于，至少ー個磁屏蔽層具有容納所述AFM調(diào)整片的一部分的減小厚度的區(qū)域。
6.如權(quán)利要求I所述的磁性疊層，其特征在于，所述SAF具有第一條狀高度，而所述間隔層和自由層各自具有比所述第一條狀高度小的第二條狀高度。
7.如權(quán)利要求6所述的磁性疊層，其特征在于，所述AFM調(diào)整片具有比所述第一和第二條狀高度之間的差值大的第三條狀高度，以使所述AFM調(diào)整片與所述自由層的面積延伸重疊。
8.如權(quán)利要求I所述的磁性疊層，其特征在于，所述SAF層是在一對鐵磁子層之間設(shè)置有過渡金屬的疊片。
9.如權(quán)利要求I所述的磁性疊層，其特征在于，所述AFM調(diào)整片具有第一厚度，而所述SAF層具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。
10.如權(quán)利要求I所述的磁性疊層，其特征在于，所述AFM調(diào)整片在橫向上鄰近所述自由層，以使所述自由層和AFM調(diào)整片的組合條狀高度等于所述SAF層的條狀高度。
11.如權(quán)利要求I所述的磁性疊層，其特征在干，由于所述AFM調(diào)整片與所述ABS有空隙，所述疊片中的PW50寬度増大。
12.—種磁性元件,包括 具有通過間隔層與合成反鐵磁(SAF)層分開且通過空氣軸承表面(ABS)與存儲在相鄰介質(zhì)中的感測數(shù)據(jù)位分開的鐵磁自由層的磁響應疊片；以及 耦合到離所述ABS有ー預定偏距的所述SAF層的反鐵磁調(diào)整片，所述調(diào)整片被配置成提供在所述SAF層中維持預設(shè)定磁性的交換耦合。
13.如權(quán)利要求12所述的磁性元件，其特征在于，用作數(shù)據(jù)變換頭中的讀取傳感器。
14.如權(quán)利要求12所述的磁性元件，其特征在于，在對所述SAF層進行各向異性蝕刻之后，金屬AFM材料沉積到所述SAF層上作為所述AFM調(diào)整片。
15.如權(quán)利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述AFM調(diào)整片通過絕緣材料與所述自由層和所述間隔層分開。
16.如權(quán)利要求12所述的磁性元件，其特征在于，氧化物AFM材料在橫向上沉積到與所述自由層和所述間隔層直接接觸地鄰近的所述SAF層上。
17.如權(quán)利要求12所述的磁性元件，其特征在于，所述AFM調(diào)整片通過位于所述AFM調(diào)整片上的絕緣材料與電極分開，從而等于所述電極的厚度。
18.—種方法,包括 通過間隔層在磁響應疊片中將鐵磁自由層與合成反鐵磁(SAF)層分開，并且通過空氣軸承表面(ABS)將所述鐵磁自由層與存儲在相鄰介質(zhì)中的感測數(shù)據(jù)位分開；以及將至少ー個反鐵磁(AFM)調(diào)整片耦合到離所述ABS有ー預定偏距的所述疊片。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述AFM調(diào)整片被放置在所述SAF層的條狀高度的界限內(nèi)。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述AFM調(diào)整片響應于外部磁場來維持所述SAF層的預設(shè)定磁性。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有減小的屏蔽層到屏蔽層間隔的磁性元件。磁性元件包括具有通過間隔層與合成反鐵磁(SAF)層分開且通過空氣軸承表面(ABS)與存儲在相鄰介質(zhì)中的感測數(shù)據(jù)位分開的鐵磁自由層的磁響應疊片。該疊片耦合到離ABS有一預定偏距的至少一個反鐵磁(AFM)調(diào)整片。
文檔編號G11B5/245GK102760447SQ20121012467
公開日2012年10月31日 申請日期2012年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月26日
發(fā)明者E·W·辛格爾頓, M·W·科溫頓, V·B·薩波日尼科夫 申請人:希捷科技有限公司