專利名稱：存儲介質(zhì)，再現(xiàn)方法和記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如光盤這樣的存儲介質(zhì)，再現(xiàn)方法和存儲介質(zhì)的記錄方法。
背景技術(shù)：
在例如多媒體數(shù)碼光盤中，燒錄區(qū)，系統(tǒng)導入?yún)^(qū)，連接區(qū)，數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)是從其內(nèi)部的外圍側(cè)分配的。標準DVD上的識別信息記錄在燒錄區(qū)中。日本專利No. 330895(圖2)中描述了數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這里，只存在ー個BCA數(shù)據(jù)區(qū)，被ー個BCA前導部分和ー個BCA后同步指令部分包圍。在傳統(tǒng)光盤中，由于只存在ー個BCA數(shù)據(jù)區(qū)，因此有可能出現(xiàn)BCA數(shù)據(jù)由于光盤表面上的灰塵或劃痕的影響而不能再現(xiàn)的情況。如上所述，傳統(tǒng)光盤中存在BCA數(shù)據(jù)可靠性低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標是提供BCA數(shù)據(jù)的可靠性有所提高的存儲介質(zhì)，再現(xiàn)方法和記錄方法。依照本發(fā)明的一個實施例，存儲介質(zhì)在其內(nèi)邊緣區(qū)域包含燒錄區(qū)，其中燒錄區(qū)包含多個燒錄區(qū)數(shù)據(jù)區(qū)。依照本發(fā)明的另ー個實施例，用于從包含燒錄區(qū)的存儲介質(zhì)再現(xiàn)燒錄區(qū)數(shù)據(jù)的方法包括用激光束照射存儲介質(zhì)和基于激光束的反射光束再現(xiàn)燒錄區(qū)數(shù)據(jù)的步驟，其中所述燒錄區(qū)包括多個燒錄區(qū)數(shù)據(jù)區(qū)。依照本發(fā)明的另ー個實施例，用于記錄包含燒錄區(qū)的存儲介質(zhì)中的燒錄區(qū)數(shù)據(jù)的方法包括用激光束照射存儲介質(zhì)的燒錄區(qū)并基于照射的激光束記錄燒錄區(qū)數(shù)據(jù)，其中所述燒錄區(qū)包括多個燒錄區(qū)數(shù)據(jù)區(qū)。下面將在說明中闡述本發(fā)明的其它目標和優(yōu)點，其中一部分可以從說明了解，或者可以通過本發(fā)明的實踐了解?？梢酝ㄟ^下面指出的方法和組合了解并掌握本發(fā)明的目標和優(yōu)點。


并入并構(gòu)成部分說明的附解了本發(fā)明當前的優(yōu)選實施例，并與上面給出的優(yōu)選實施例和下面給出的優(yōu)選實施例的詳細說明一起，用來解釋本發(fā)明的原理，其中
圖I是本實施例中的信息存儲介質(zhì)和組合方法的構(gòu)成元素的內(nèi)容的例圖；圖2A和2B示出相變型記錄膜與基于有機染料的記錄膜之間獲得再現(xiàn)信號原理的差異的例圖，其中圖2A示出相變型記錄膜，圖2B示出基于有機染料的記錄膜；圖3是示出圖I所示信息存儲介質(zhì)組元的特殊內(nèi)容“ (A3)偶氮+Cu”的特殊結(jié)構(gòu)式；
圖4是示出用于目前使用的DVD-R光盤的有機染料記錄材料的吸收光譜特性的例圖；圖5A和5B示出相變型記錄膜與基于有機染料的記錄膜之間預刻凹坑/預刻溝槽區(qū)域中光反射層形狀的差異的例圖，其中圖5A示出相變記錄膜，圖5B示出有機染料記錄膜；圖6A和6B是示出使用傳統(tǒng)有機染料材料的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中記錄刻記9位置處的特殊透明襯底2-2的塑性變形情況的例圖；圖7A,7B和7C是關(guān)于容易促成記錄原通的記錄I旲形狀和尺寸的例圖；圖8A，8B和8C是示出記錄膜的形狀和尺寸的特性的例圖；圖9是“H-L”記錄膜中未記錄條件下吸收光譜特性的例圖；圖10是“H-L”記錄膜中記錄刻記中吸收光譜特性的例圖；圖11是依照本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備的實施例中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖12是示出包含圖11所示的同步代碼位取樣單元145的外圍部分的詳細結(jié)構(gòu)的例圖；圖13是示出使用限幅電平檢測系統(tǒng)的信號處理電路的例圖；圖14是示出圖13的限制器310中的詳細結(jié)構(gòu)的例圖；圖15是示出使用PRML檢測技術(shù)的信號處理電路的例圖；圖16是示出圖11或圖15所示的維特比解碼器156中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖17是示出PR(1，2，2，2，1)類中狀態(tài)轉(zhuǎn)移的例圖；圖18是示出對驅(qū)動器檢驗區(qū)執(zhí)行檢驗性寫操作的記錄脈沖的波長(寫策略)的例圖；圖19是示出記錄脈沖形狀的精確度的例圖；圖20A，20B和20C是記錄脈沖時序參數(shù)設(shè)置表的例圖；圖21A, 21B和21C是關(guān)于檢測最佳記錄功率時使用的甸個參數(shù)的值的例圖；圖22是示出“H-L”記錄膜和“L_H”記錄膜中非記錄單元的光反射因數(shù)范圍的例圖；圖23是從“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜檢測到的檢測信號的極性的例圖；圖24是示出“H-L”記錄膜和“L_H”記錄膜之間的光反射因數(shù)的比較的例圖；圖25是“L-H”記錄膜中未記錄條件下的吸收光譜特性的例圖；圖26是示出“L-H”記錄膜中記錄和未記錄條件下的吸收光譜特性變化的例圖；圖27是用于“L-H”記錄膜的陽離子部分的花青染料的示范性通用分子式；圖28是用于“L-H”記錄膜的陽離子部分的苯こ烯基染料的示范性通用分子式；圖29是用于“L-H”記錄膜的陽離子部分的一こ炔花青染料的示范性通用分子式；圖30是用于“L-H”記錄膜的陰離子部分的甲金屬絡(luò)合物的示范性通用分子式；
圖31是示出信息存儲介質(zhì)中結(jié)構(gòu)和尺寸的示例的例圖；圖32是示出只讀型信息存儲介質(zhì)中總體參數(shù)值的例圖；圖33是示出一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中總體參數(shù)值的例圖；圖34是示出可重寫型信息存儲介質(zhì)中總體參數(shù)值 的例圖；圖35A，35B和35C是比較多種信息存儲介質(zhì)中系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI和數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI中的詳細數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖36是示出一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中的RMD不贊成使用區(qū)(RMZdeprecation)RDZ和記錄位管理區(qū)RMZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖37A，37B, 37C，37D，37E和37F是示出多種信息存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)區(qū)DTA和數(shù)據(jù)導出區(qū)DTLDO中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的比較的例圖；圖38是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖39是示出于圖38所示不同的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中邊界區(qū)域的結(jié)構(gòu)的例圖；圖40是示出一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中的邊界區(qū)域的結(jié)構(gòu)的例圖；圖41是示出控制數(shù)據(jù)區(qū)⑶Z于R物理信息區(qū)RIZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖42是示出物理格式信息PRI和R物理信息格式信息R-PRI中的特殊信息內(nèi)容的例圖；圖43是示出記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的分配位置信息中的詳細信息的內(nèi)容的比較的例圖；圖44是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖45是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖46是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖47是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖48是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖49是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖50是示出數(shù)據(jù)ID中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖51是用來結(jié)構(gòu)關(guān)于記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的另ー個實施例的例圖；圖52是用來結(jié)構(gòu)關(guān)于記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的另ー個實施例的例圖；圖53是示出RMD字段I中的另ー個數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖54是與物理格式信息和R物理格式信息相關(guān)的另一個實施例的例圖；圖55是示出與控制數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)的另一個實施例的例圖；圖56是示意地示出用于配置物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換步驟的例圖；圖57是示出數(shù)據(jù)幀中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖58A和58B是示出創(chuàng)建擾亂的幀和反饋電阻器的電路結(jié)構(gòu)時分配給移位寄存器的初始值的例圖；圖59是ECC區(qū)塊結(jié)構(gòu)的例圖；圖60是擾亂的幀結(jié)構(gòu)的例圖61是PO交錯方法的例圖；圖62A和62B是示出物理扇區(qū)中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖63是同步碼型的內(nèi)容的例圖；圖64是示出圖61所示的PO交錯后的ECC區(qū)塊的詳細結(jié)構(gòu)的例圖；圖65是基準碼型的例圖；圖66是示出多種信息存儲介質(zhì)中的每ー種的數(shù)據(jù)記錄格式的比較的例圖；圖67A和67B是比較多種信息存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)示例相的例圖；圖68是比較多種信息存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)示例的例圖； 圖69是擺動調(diào)制中180度相位調(diào)制和NRZ技術(shù)的例圖；圖70是地址位區(qū)域中擺動形狀與地址位之間關(guān)系的例圖；圖71A, 71B, 71C和71D是擺動接收器模式(wobble sink pattern)與擺動數(shù)據(jù)單元之間的位置關(guān)系的比較例圖；圖72是包含在一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中的擺動地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)例圖；圖73是一次性寫入型信息存儲介質(zhì)上的調(diào)制區(qū)域中的分配位置的例圖；圖74是示出一次性寫入型信息存儲介質(zhì)上的物理段中的分配位置的例圖；圖75A和75B是記錄簇的布局的例圖；圖76是示出用于記錄在可重寫型信息存儲介質(zhì)上的可重寫數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄方法的例圖；圖77是記錄在可重寫型信息存儲介質(zhì)上的可重寫數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)隨機移位的例圖；圖78是用于另外描述記錄在一次性寫入型信息存儲介質(zhì)上的一次性寫入型數(shù)據(jù)的方法的例圖；圖79是圖解擺動信號發(fā)生串擾的原因的例圖；圖80是示出用于測量擺動檢測信號的載波電平的最大值Cwmax和最小值Cwmin的方法的例圖；圖81是圖解用于測量擺動檢測信號的最大振幅Wppmax和最小振幅Wppmin的方法的流程圖；圖82A是圖解擺動信號和軌道偏移信號的測量電路的例圖；圖82B是圖解擺動信號和軌道偏移信號的特性的例圖；圖83是用于測量(Il_I2)pp信號的方法的示例流程圖；圖84是圖解擺動信號的方波的NBSNR測量電路的例圖；圖85是圖解用于測量擺動信號的方波的NBSNR的方法的例圖；圖86A和86B是圖解使用相位調(diào)制的擺動信號的頻譜分析器檢測信號的特性的例圖；圖87是圖解調(diào)相擺動信號的頻譜分析器波形的例圖；圖88是圖解將擺動信號平方之后的頻譜分析器波形的例圖；圖89是圖解用于測量本實施例中的抑制比的方法的例圖；圖90A和90B圖解“H_L”記錄膜中H格式的檢測信號電平的另ー個實施例；圖91A和91B圖解“H-L”記錄膜中H格式的檢測信號電平的另ー個實施例；
圖92是圖解前置放大器的檢測范圍與檢測信號電平之間的關(guān)系的圖；圖93是用于搜索最后的記錄位置的方法的說明圖；圖94是用于在信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備搜索最后記錄位置的方法的流程圖；圖95是用于在信息再現(xiàn)設(shè)備中搜索最后記錄的位置的流程圖；圖96是設(shè)置內(nèi)邊界區(qū)域BRDA中記錄位置管理區(qū)RMZ的狀態(tài)的說明圖；
圖97是用于設(shè)置內(nèi)邊界區(qū)域BRDA中記錄位置管理區(qū)RMZ的方法的說明圖；圖98是可以通過信息再現(xiàn)設(shè)備執(zhí)行再現(xiàn)的狀態(tài)下的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖99是近邊界處理方法的說明圖；圖100是擴展驅(qū)動器檢驗區(qū)設(shè)置方法的另ー個實施例的例圖；圖101是關(guān)于13T部分的極性控制方法的說明圖；圖102是來自燒錄區(qū)的再現(xiàn)信號的說明圖；圖103是BCA數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的說明圖；圖104是BCA同步位SBBCA和BCA再同步RSBCA的位模式的說明圖；圖105是示出記錄在BCA數(shù)據(jù)區(qū)中的BCA信息的內(nèi)容的示例的說明圖；圖106是一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中的擺動地址格式的說明圖；圖107是相鄰軌之間物理段分配之間關(guān)系的說明圖；圖108是第i+1個相鄰軌中分配調(diào)制區(qū)的位置的類型選擇的說明圖；圖109是將類型3選作分配類型的情形中的分配狀態(tài)的說明圖；圖110是用于選擇調(diào)制區(qū)中的分配類型的方法的說明圖；圖111是示出物理格式信息PFI和R物理信息格式信息R_PFI中的信息內(nèi)容的例圖；圖112是示出詳細信息的內(nèi)容的另ー種比較的例圖，所述詳細信息記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的分配位置信息中；圖113是示出記錄管理數(shù)據(jù)RMD的更新狀態(tài)的例圖。
具體實施例方式下面將參照附圖描述本發(fā)明的各種實施例。通常，依照本發(fā)明的一個實施例，在存儲介質(zhì)中，擺動檢測信號的振幅最小值與軌道偏移(track shift)檢測信號的振幅最小值之比設(shè)置為等于或大于預定值。以下將參考附圖介紹根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)和用于記錄和再現(xiàn)記錄介質(zhì)的方法的優(yōu)選實施例。本發(fā)明的特性和有利效果摘要(I)軌道間距/比特間距與最佳記錄功率之間的關(guān)系按照慣例，在具有襯底形狀改變的記錄原理的情形中，如果軌道間距縮小，則發(fā)生“交叉寫入(cross-write) ”或“交叉消除(cross-erase) ”，并且如果比特間距縮小，則發(fā)生碼間串擾。在本實施例中，由于設(shè)計了沒有襯底形狀改變的記錄原理，所以可以通過縮小軌道間距/比特間距來實現(xiàn)高密度。另外，同時，在上述記錄原理中，提高了記錄靈敏度，從而由于最佳記錄功率可以被低地設(shè)置而能夠?qū)崿F(xiàn)高速記錄和記錄膜的多分層Unulti-Iayeringノ。
(2)在波長為620nm或更短的光學記錄中，ECC區(qū)塊由多個小ECC區(qū)塊的組合構(gòu)成，兩個扇區(qū)中每條數(shù)據(jù)ID信息放置在相互不同的小ECC區(qū)塊中如圖2B所示，依照本發(fā)明，記錄原理是記錄層3-2中的局部光學特性變化，并因此，由于透明襯底2-2的塑性變形或由于有機染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))，記錄時記錄層3-2的到達溫度(arrival temperature)比傳統(tǒng)記錄原理中低。因此，到達溫度與回放時記錄層3-2中的記錄溫度之差很小。在本實施例中，在ー個ECC區(qū)塊中設(shè)計小ECC區(qū)塊與數(shù)據(jù)ID分配之間的交錯處理，從而提高在反復重放時記錄膜退化的情形中的再現(xiàn)可靠性。(3)通過波長短于620nm的光執(zhí)行記錄，并且記錄部分的反射因數(shù)比非記錄部分聞在一般有機染料材料的吸收光譜特性的影響下，在波長小于620nm的光的控制下，光吸收率明顯降低，并且記錄密度降低。因此，需要大量曝光以形成襯底形變，其中襯底形變是傳統(tǒng)DVD-R中的記錄原理。通過使用“從低到高(以下縮寫為L-H)有機染料記錄材料”，襯底形變通過利用“由于電子耦合的離解而造成的退色作用”形成記錄刻記(recording mark)而被消除,并且提高了記錄靈敏度，其中“L-H有機染料記錄材料”的反射因數(shù)比本實施例中記錄的部分(記錄刻記)中的未記錄部分的反射因數(shù)増加得更顯著。(4) “L-H”有機染料記錄膜和PSK/FSK調(diào)制擺動溝槽(groove)可以容易地獲得回放時的擺動同步,并且提高了擺動地址(wobble address)的再現(xiàn)可靠性。(5) “L-H”有機染料記錄膜和再現(xiàn)信號調(diào)制度(modulation degree)規(guī)則可以保證與來自記錄刻記的再現(xiàn)信號相關(guān)的高C/N比，并且提高了從記錄刻記進行再現(xiàn)的可靠性。(6)鏡像部分(mirror section)和“L_H”有機染料記錄膜中的光反射因數(shù)范圍可以保證與來自系統(tǒng)導入?yún)^(qū)(lead-in area) SYLDI的再現(xiàn)信號相關(guān)的高C/N比，并且可以保證高的再現(xiàn)可靠性。(7) “L-H”有機染料記錄膜和在磁道上(on-track)時未記錄區(qū)域的光反射因數(shù)范圍可以保證與未記錄區(qū)域中擺動檢測信號相關(guān)的高C/N比，并且可以保證與擺動地址信息相關(guān)的高再現(xiàn)可靠性。(8) “L-H”有機染料記錄膜和擺動檢測信號振幅范圍可以保證與擺動檢測信號相關(guān)的高C/N比，并且可以保證與擺動地址信息相關(guān)的高再現(xiàn)可靠性?！秲?nèi)容表》第0章波長與本實施例之間關(guān)系的說明本實施例中所使用的波長。第I章本實施例中信息存儲介質(zhì)的組元組合的說明
圖I示出本實施例中信息存儲介質(zhì)的組元的內(nèi)容的說明。第2章相變(phase change)記錄膜與有機染料記錄膜之間再現(xiàn)信號差異的說明
2-1)記錄原理/記錄膜的差異和關(guān)于生成再現(xiàn)信號的基本概念的差異......入_胃入的定義2-2)預刻凹坑(Pre-pit)/預刻溝槽(Pre-groove)區(qū)域中光反射層形狀的差異光學反射層形狀(旋轉(zhuǎn)涂布與濺射汽相沉積中的差異)和對再現(xiàn)信號的影響。第3章本實施例中有機染料記錄膜的特性的說明
3-1)與在使用傳統(tǒng)有機染料材料的一次性寫入記錄膜(DVD-R)中實現(xiàn)高密度相關(guān)的問題3-2)對本實施例中有機染料記錄膜共同的基本特性的說明在本發(fā)明中獲得有利效果的記錄層厚度的下限值、通道比特長度(channel bitlength) /軌道間距，反復重放使能計數(shù)，最佳再現(xiàn)功率，溝槽寬度與岸臺寬度(land width)之間的比......與擺動地址格式的關(guān)系溝槽部分與岸臺部分之間記錄層厚度的關(guān)系提高記錄信息糾錯能力的技術(shù)和與PRML的組合3-3)本實施例中有機染料記錄膜共同的記錄特性最佳記錄功率的上限值3-4)關(guān)于本實施例中“由高到低(以下縮寫為H-L) ”記錄膜的特性的說明未記錄層中反射因數(shù)的上限值A(chǔ) _的值與\ Imax的值之間的關(guān)系(未記錄/記錄位置處吸光率最大波長)未記錄/記錄位置處的反射因數(shù)相對值和調(diào)制度，及再現(xiàn)波長處的光吸收值......范圍nXk所需分辨率特性與記錄層厚度之間上限值的關(guān)系第4章再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備與記錄條件/再現(xiàn)電路的說明4-1)本實施例中再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)和特性的說明使用波長范圍，NA值，和RM強度4-2)本實施例中再現(xiàn)電路的說明4-3)本實施例中記錄條件的說明第5章本實施例中有機染料記錄膜的具體實施例的說明5-1)關(guān)于本實施例中“L-H”記錄膜的特性的說明記錄原理和未記錄/記錄位置處的調(diào)制度和反射因數(shù)5-2)與本實施例中“L-H”記錄膜相關(guān)的吸收光譜的特性用于設(shè)置最大吸收波長X_胃入、Al4tl5的值和Ah4tl5的值的條件5-3)陰離子部分偶氮(Azo metal complex) +陽離子部分染料5-4)使用“銅”作為含氮金屬絡(luò)合物+主金屬記錄后吸收光譜在“H-L”記錄膜中加寬，在“L-H”記錄膜中變窄。記錄前和記錄后最大吸收波長改變量的上限值記錄前和記錄后最大吸收波長的改變量很小，并且最大吸收波長處吸光率變化。第6章關(guān)于涂層型(coating type)有機染料記錄膜中和光反射層界面上的預刻凹坑形狀/預刻溝槽形狀的說明
6-1)光反射層(材料和厚度)厚度范圍和鈍化結(jié)構(gòu)......記錄原理和針對退化的對策(信號比襯底形變或比空腔(cavity)更易于退化)6-2)關(guān)于涂層型有機染料記錄膜中和光反射層界面上的預刻凹坑形狀的說明通過增加系統(tǒng) 導入?yún)^(qū)中軌道間距_/通道比特間距而實現(xiàn)的有利效果系統(tǒng)導入?yún)^(qū)中的再現(xiàn)信號振幅值和分辨率關(guān)于光反射層4-2中岸臺部分和預刻凹坑部分處步進量(step amount)的規(guī)定6-3)關(guān)于涂層型有機染料記錄膜中和光反射層界面上的預刻溝槽形狀的說明關(guān)于光反射層4-2中岸臺部分和預刻溝槽部分處步進量的規(guī)定推挽信號振幅范圍擺動信號振幅范圍(與擺動調(diào)制系統(tǒng)的組合)第7章第一下一代光盤的說明HD DVD系統(tǒng)(以下稱為H格式):記錄原理和針對再現(xiàn)信號退化的對策(信號比襯底形變或比空腔更易于退化)糾錯碼(ECC)結(jié)構(gòu)，PRML(部分響應(yīng)最大似然Partial Response MaximumLikelihood)系統(tǒng)溝槽的寬平區(qū)域和擺動地址格式之間的關(guān)系。在一次性寫入記錄中，在作為非數(shù)據(jù)區(qū)的VFO區(qū)域中執(zhí)行覆寫。覆寫區(qū)域中DC分量改變的影響被降低。特別地，對“L-H”記錄膜的有利效果是顯著的。第8章第二下一代光盤的說明B格式記錄原理和針對再現(xiàn)信號退化的對策(信號比襯底形變或空腔更易于退化)溝槽中寬平區(qū)域與擺動地址格式之間的關(guān)系在一次性寫入記錄中，在作為非數(shù)據(jù)區(qū)的VFO區(qū)域中執(zhí)行覆寫。覆寫區(qū)域中DC分量改變的影響被降低。特別地，“L-H”記錄膜中的有利效果是顯著的。現(xiàn)在將給出本實施例的說明。第0章使用波長與本實施例之間的關(guān)系的說明作為通過將有機染料材料用于記錄介質(zhì)而獲得的一次性寫入光盤，市場上已經(jīng)出現(xiàn)使用記錄/再現(xiàn)激光源波長780nm的⑶-R盤和使用記錄/再現(xiàn)激光束波長650nm的DVD-R盤。另外，在已經(jīng)實現(xiàn)高密度的下一代一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，計劃將接近405nm(即，在355nm 455nm范圍內(nèi))的用于記錄或再現(xiàn)的激光源波長用在稍后描述的圖I的H格式(Dl)或B格式(D2)中。在使用有機染料材料的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，記錄/再現(xiàn)特性由于光源波長的輕微改變而靈敏地改變。原則上，密度與用于記錄/再現(xiàn)的激光源波長的平方成反比地増加，并且因此希望將更短的激光源波長用于記錄/再現(xiàn)。但是，由于上述原因，不能將用于⑶-R盤或DVD-R盤的有機染料材料用作405nm的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)。此外，由于405nm接近紫外線波長，所以很容易出現(xiàn)ー種不利情況，即“可以容易地用405nm的光束記錄的”記錄材料的特性容易因紫外線照射而改變，從而缺少長期穩(wěn)定性。特性根據(jù)使用的有機染料材料而相互明顯不同，并因此一般難以確定這些染料材料的特性。作為示例，將通過特定波長描述前述特性。關(guān)于用波長為650nm的光束優(yōu)化的有機染料記錄材料，要使用的光變得短于620nm，記錄/再現(xiàn)特性發(fā)生明顯變化。因此，在用波長小于620nm的光束執(zhí)行記錄/再現(xiàn)操作的情形中，需要開發(fā)新的有機染料材料，該材料對于記錄光或再現(xiàn)光的光源波長是最佳的?？梢院苋菀椎赜貌ㄩL小于530nm的光束執(zhí)行記錄的有機染料材料容易由于紫外線照射而引起特性退化，從而缺少長期穩(wěn)定性。在本實施例中，將對與適合在接近405nm的情況下使用的有機記錄材料有關(guān)的實施例做出說明。即，將對在考慮取決于半導體激光源的制造商的光發(fā)射波長波動的情況下與可以在355nm 455nm范圍內(nèi)穩(wěn)定使用的有機記錄材料相關(guān)的實施例做出說明。即，本實施例的范圍對應(yīng)于 適合于波長620nm、并且理想的情況是波長小于530nm的光源的光束(最窄范圍內(nèi)清晰度(,definition)為 355nm 455nmノ。另外，由于有機染料材料的吸收光譜而引起的光學記錄靈敏度也受到記錄波長的影響。適合長期穩(wěn)定性的有機染料材料在關(guān)于波長小于620nm的光束的光吸收率方面容易降低。特別地，對波長小于620nm的光束，光吸收率顯著降低，并且特別地，對波長小于530nm的光束，光吸收率的降低尤為劇烈。因此，在最苛刻的條件下，即用波長為355nm 455nm的激光束執(zhí)行記錄的情形中，記錄靈敏度由于吸光率很低而被減弱，并且需要使用如本實施例所示的新記錄原理的新設(shè)計。用于記錄或再現(xiàn)應(yīng)用的焦斑(focusing spot)的尺寸與所使用的光束的波長成比例地縮小。因此，僅從焦斑尺寸的角度出發(fā)，在波長減小到上述值的情形中，試圖通過關(guān)于作為傳統(tǒng)技術(shù)的當前DVD-R盤(使用波長650nm)的波長分量縮小軌道間距或通道比特長度。但是，如下面在“3-2-A]要求應(yīng)用依照本實施例的技術(shù)的范圍”中所述，只要使用諸如DVD-R盤這樣的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中的記錄原理，就存在不能縮小軌道間距或通道比特長度的問題。軌道間距或通道比特長度可以通過使用本實施例中設(shè)計的下述技術(shù)而與上述波長成比例地縮小。第I章本實施例中信息存儲介質(zhì)的組元的組合的說明在本實施例中，存在ー個重要的技術(shù)特征，S卩，已經(jīng)設(shè)計了適合于波長等于或小于620nm的光源的有機記錄介質(zhì)材料(有機染料材料)。這種有機記錄介質(zhì)(有機染料材料)具有光反射因數(shù)在記錄刻記中増大的獨特特性(由低到高特性)，這是傳統(tǒng)CD-R盤或DVD-R盤中沒有的。因此，在信息存儲介質(zhì)的結(jié)構(gòu)、尺寸、或格式(信息記錄格式)組合中產(chǎn)生本實施例的技術(shù)特征和由此獲得的新效果，所述信息存儲介質(zhì)更有效地產(chǎn)生本實施例所示的有機記錄材料(有機染料材料)的特性。圖I示出產(chǎn)生本實施例中的新技術(shù)特征和有利效果的組合。即本實施例中的信息存儲介質(zhì)具有下列組元A]有機染料記錄膜B]預制格式(諸如預刻溝槽形狀/尺寸或預刻凹坑形狀/尺寸)；C]擺動狀態(tài)(諸如擺動調(diào)制方法和擺動改變形狀，擺動振幅，和擺動分配方法)；和D]格式(諸如用于記錄將被記錄或已經(jīng)被預先記錄在信息存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)的格式)。組元的特定實施例對應(yīng)于圖I的每欄中所描述的內(nèi)容。在圖I所示組元的特定實施例的組合中產(chǎn)生本實施例的技術(shù)特征和獨特的有利效果。下面將在解釋實施例的階段對各個實施例的組合狀態(tài)做出說明。關(guān)于不指定組合的組元，其表示使用如下特性
A5)任意涂層記錄膜；B3)任意溝槽形狀和任意凹坑形狀；C4)任意調(diào)制系統(tǒng)C6)任意振幅量；和D4)任意記錄方法和一次性寫入介質(zhì)中的格式。第2章相變記錄膜與有機染料記錄膜之間再現(xiàn)信號的差異的說明2-1)記錄原理/記錄膜的差異和關(guān)于生成再現(xiàn)信號的基本概念的差異 圖2A示出標準相變記錄膜結(jié)構(gòu)(主要用于可重寫型信息存儲介質(zhì))，圖2B示出標準有機染料記錄膜結(jié)構(gòu)(主要用于一次性寫入型信息存儲介質(zhì))。在本實施例的說明中，不包含圖2A和2B中所示透明襯底2-1和2-2 (包含光反射層4_1和4_2)的整個記錄膜結(jié)構(gòu)被定義為“記錄膜”，并與其內(nèi)設(shè)置有記錄材料的記錄層3-1和3-2相區(qū)別。關(guān)于使用相變的記錄材料，通常，記錄區(qū)(在記錄刻記中)和未記錄區(qū)(在記錄刻記外)的光學特性改變量很小，并且因此使用增強結(jié)構(gòu)來提高再現(xiàn)信號的相對變化率。因此，如圖2A所示，在相變記錄膜結(jié)構(gòu)中，在透明襯底2-1與相變型記錄層3-1之間設(shè)置底襯中間層5，在光反射層4-2與相變型記錄層3-1之間設(shè)置上中間層。在本發(fā)明中，作為用于透明襯底2-1和2-2的材料，使用是透明塑性材料的丙烯酸PMMA(聚甲基丙烯酸甲酷)或聚碳酸酯PC。本實施例中所使用的激光束7的中心波長是405nm，并且該波長處聚碳酸酯PC的折射率n21、n22接近I. 62。結(jié)晶區(qū)中，最經(jīng)常被用作為相變型記錄材料的GeSbTe (鍺銻碲)處對405nm的標準折射率H31和吸收系數(shù)k31為Ii31與1.5, k31與2.5，而在無定形區(qū)！!31與2.5，k31與1.8。因此，相變型記錄介質(zhì)的折射率(在無定形區(qū))與透明襯底2-1的折射率不同，并且在相變記錄膜結(jié)構(gòu)中，容易發(fā)生激光束7在各層之間的界面上的反射。如上所述，由于(I)相變記錄膜結(jié)構(gòu)采用增強結(jié)構(gòu)；和(2)各層之間的折射率差異很大等原因，作為底襯中間層5、記錄層3-1、上中間層6與光反射層4-2之間界面上所生成的多反射光束的干涉結(jié)果，可以獲得在從記錄在相變記錄膜中的記錄刻記進行再現(xiàn)時的光反射量改變(來自記錄刻記的光反射量與來自未記錄區(qū)的光反射量的差值)。在圖2A中，雖然激光束7明顯在底襯中間層5與記錄層3-1之間的界面、記錄層3-1與上中間層6之間的界面、上中間層6與光反射層4-2之間的界面上被反射，但事實上，作為多個多反射光束之間的干渉結(jié)果獲得反射光量改變。與此相反，有機染料記錄膜結(jié)構(gòu)采用由有機染料記錄層3-2和光反射層4-2構(gòu)成的非常簡單的疊層結(jié)構(gòu)。使用這種有機染料記錄膜的信息存儲介質(zhì)(光盤)被稱為一次性寫入型信息存儲介質(zhì)，其只能被記錄一次。但是，與使用相變記錄介質(zhì)的可重寫型信息存儲介質(zhì)不同，該介質(zhì)不能對已經(jīng)記錄的信息執(zhí)行擦除處理或重寫處理。一般有機染料記錄材料在405nm的折射率經(jīng)常接近H32與1.4 (多種有機染料記錄材料在405nm的折射率范圍是n32 = I. 4 I. 9)，并且吸收系數(shù)通常接近Ii32=^ 0.2 (多種有機染料記錄材料在405nm的吸收系數(shù)范圍是k32$0.1 ~ 0.2 )。由于有機染料記錄材料與透明襯底2-2之間的折射率差異很小，所以記錄層3-2與透明襯底2-2之間的界面上幾乎不出現(xiàn)光反射量。因此，有機顔料記錄膜的光學再現(xiàn)原理(反射光量發(fā)生變化的原因)不是相變記錄膜中的“多次干渉”，并且主要因素是“激光束7在光反射層4-2中被反射后返回的光徑中途的光量損失(包括干渉)”。導致光徑中途光量損失的具體原因包括“由于部分在激光束7中引起的相差而產(chǎn)生的干涉現(xiàn)象”或“記錄層3-2中的光學吸收現(xiàn)象”。不存在預刻凹坑或預刻溝槽的鏡像表面上未記錄區(qū)中有機染料記錄膜的光反射因數(shù)的特征是，直接由這樣ー個值獲得，其中該值是通過從光反射層4-2中激光束7的光反射因數(shù)中減去在穿過記錄層3-2時的光學吸收量而得到的。如上所述，這種膜與相變記錄膜不同，后者的光反射因數(shù)是通過計算“多次干渉”而獲得的。首先，將對作為傳統(tǒng)技術(shù)應(yīng)用在當前DVD-R盤中的記錄原理做出說明。在當前的DVD-R盤中，當用激光束7照射記錄膜吋，記錄層3-2局部吸收激光束7的能量，并變熱。如果超過特定溫度，則透明襯底2-2局部形變。雖然包括透明襯底2-2的形變的機制根據(jù)DVD-R盤的制造商而不同，但是據(jù)說這種機制是通過如下而實現(xiàn)的(I)由于記錄層3-2的氣化能量而引起的透明襯底2-2的局部塑性形變；和(2)熱量從記錄層3-2到透明襯底2-2的轉(zhuǎn)移，以及由于受熱而引起的透明襯底
2-2的局部塑性形變。如果透明襯底2-2發(fā)生局部塑性形變，則穿過透明襯底2-2在光反射層4_2中被反射的激光束7的光學距離改變，其中激光束7又穿過透明襯底2-2返回。在來自記錄刻記的激光束7與來自記錄刻記外圍的激光束7之間發(fā)生相差，其中前者穿過局部塑性形變的透明襯底2-2的部分返回，后者穿過未形變的透明襯底2-2的部分返回，并因此反射光束由于這些光束之間的干涉而發(fā)生光量改變。另外，特別地，在上述機制(I)已經(jīng)發(fā)生的情形中，由于氣化(蒸發(fā))導致的記錄層3-2中記錄刻記內(nèi)氣穴現(xiàn)象所產(chǎn)生的實際折射率n32的改變，或者可選地，由于記錄刻記中有機染料記錄材料的熱分解而產(chǎn)生的折射率n32的改變，也會導致上述相差的出現(xiàn)。在當前的DVD-R盤中，在透明襯底2-2發(fā)生局部形變之前，需要使記錄層3-2變熱(即，在上述機制(I)中記錄層3-2的氣化溫度或在上述機制(2)中對透明襯底2-2進行塑性重整所需的記錄層3-2的內(nèi)部溫度)，或者需要記錄層3-2的部分變熱以便導致熱分解或氣化(蒸發(fā))。為了形成記錄刻記，需要大量的激光束7功率。為了形成記錄刻記，記錄層3-2必需能在第一階段吸收激光束7的能量。記錄層
3-2中的吸收光譜影響有機染料記錄膜的記錄靈敏度。下面將參照本實施例的(A3)描述構(gòu)成記錄層3-2的有機染料記錄材料中的光吸收原理。圖3示出圖I所示信息存儲介質(zhì)的組元的具體內(nèi)容“ (A3)偶氮+Cu”的特定分子式。獲得圖3所示偶氮的中心金屬M周圍的環(huán)形外圍區(qū)域作為光發(fā)射區(qū)8。當激光束7穿過該光發(fā)射區(qū)8吋，該光發(fā)射去8中的局域電子(local electron)與激光束7的電場變化發(fā)生共振，并吸收激光束7的能量。對于這些電子共振最強并容易吸收能量的電場變化頻率轉(zhuǎn)換成激光束波長的值被稱為最大吸收波長，用Xmax表示。隨著圖3所示光發(fā)射區(qū)8(共振范圍)的范圍増大，最大吸收波長偏移到長波長側(cè)。另外，在圖3中，中心金屬M周圍的局域電子的定位范圍(中心金屬M可以將局域電子吸引到中心附近的范圍)可以通過改變中心金屬M的原子而改變，并且最大吸收波長\ _的值發(fā)生變化。雖然可以預知在只存在ー個溫度為絕對0度的高純度光發(fā)射區(qū)8的情形中，有機 染料記錄材料的吸收光譜為靠近最大吸收波長Xmax的窄線性光譜，但是，通常溫度下包含雜質(zhì)并進ー步包含多個光吸收區(qū)的一般有機記錄材料的光吸收光譜相對于最大吸收波長入_周圍的光束波長展示出寬的光吸收特性。
圖4示出用于當前DVD-R盤的有機染料記錄材料的光吸收光譜的示例。在圖4中，用于照射通過涂敷有機染料記錄材料而形成的有機染料記錄膜的光束的波長用橫軸表示，并且在用具有相應(yīng)波長的光束照射有機染料記錄膜時所獲得的吸光率用縱軸表示。這里所使用的吸光率是通過對于在一次性寫入型信息存儲介質(zhì)已經(jīng)完成的狀態(tài)(或者可選地，僅記錄層3-2已經(jīng)在透明襯底2-2上形成的狀態(tài)(對于圖2B的結(jié)構(gòu)形成光學反射層4-2的狀態(tài)))從透明襯底2-2側(cè)引入入射強度為Io的光束、并然后測量反射激光強度Ir (從記錄層3-2側(cè)透射的激光束的光強度It)所獲得的值。吸光率Ar(At)表示為Ar = -IoglO (Ir/Io)(A-I)Ar = -IoglO (It/Io)(A_2)本實施例中，除非特別說明，雖然在給出的說明中假設(shè)吸光率表示公式(A-I)所表示的反射形式的吸光率Ar，但可以定義公式(A-2)所表示的透射形式的吸光率At，而不限制于此。在圖4所示實施例中，有多個光吸收區(qū)，每個都包含光發(fā)射區(qū)8，并因此存在多個吸光率最大的位置。在這種情形中，存在多個在吸光率取最大值時的最大吸收波長Xmax。當前DVD-R盤中的記錄激光的波長設(shè)為650nm。在本實施例中存在多個最大吸收波長入max的情形中，最接近記錄激光束波長的最大吸收波長Xmax的值變得重要。因此，只在本實施例的說明中，設(shè)置在最接近記錄激光束波長的位置處的最大吸收波長的值被定義為“入.寫入”；并與另一入max(Xmax0)相區(qū)別。2-2)預刻凹坑/預刻溝槽區(qū)中光反射層形狀的差異圖5A和5B示出在記錄膜在預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)10中形成時的形狀的比較。圖5A示出與相變記錄膜相關(guān)的形狀。在構(gòu)造底襯中間層5、記錄層3-1、上中間層6和光反射層4-1中任何一個的情形中，在真空中使用濺射汽相沉積、真空汽相沉積或離子鍍方法中任何ー種。因此，在多個層中，比較準確地復制了透明襯底2-2的不規(guī)則性。例如，在透明襯底2-1的預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)10中截面形狀為矩形或梯形的情形中，記錄層3-1和光反射層4-1的截面形狀也是矩形或梯形。圖5B示出在已經(jīng)使用有機染料記錄膜的情況下作為傳統(tǒng)技術(shù)的當前DVD-R盤的一般記錄膜截面形狀。在這種情形中，作為用于構(gòu)成記錄膜3-2的方法，使用被稱為旋轉(zhuǎn)涂布(或旋轉(zhuǎn)式涂布)的方法，這與圖5A所示的完全不同。這里使用的旋轉(zhuǎn)涂布指的是用于將構(gòu)成記錄層3-2的有機染料記錄材料溶解在有機溶劑中；將涂層應(yīng)用于透明襯底2-2上；然后通過高速旋轉(zhuǎn)透明襯底2-2，以借助離心カ使涂布劑擴展到透明襯底2-2的外邊緣側(cè)；并將有機溶劑氣化從而形成記錄層3-2的方法。通過使用這種方法，使用用于涂敷有機溶劑的處理，并因此容易使記錄層3-2 (與光反射層2-2的界面)的表面平滑。結(jié)果，獲得的光反射層2-2與記錄層3-2之間界面上的截面形狀與透明襯底2-2的表面(透明襯底2-2與記錄層3-2之間的界面)的形狀不同。例如，在其中透明襯底2-2的表面(透明襯底2-2與記錄層3-2之間的界面)的截面形狀為矩形或梯形的預刻溝槽區(qū)中，形成的光反射層2-2與記錄層3-2之間界面上的截面形狀基本是V型溝槽形。在預刻凹坑區(qū)中，形成的上述截 面形狀基本為錐形側(cè)面形。另外，在進行旋轉(zhuǎn)涂布時，有機溶劑容易在凹陷部分聚集，并因此，預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)中記錄層3-2的厚度Dg( S卩，從預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)的底面到相對光反射層2-2的界面最低的位置的距離)大于岸臺區(qū)12中的厚度Dl (Dg > Dl)。結(jié)果，預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)10中透明襯底2-2與記錄區(qū)3-2之間界面上的不規(guī)則體的數(shù)量變得充分小于透明襯底2-2和記錄層3-2上不規(guī)則體的數(shù)量。如上所述，光反射層2-2與記錄層3-2之間界面上的不規(guī)則體形狀變鈍，并且不規(guī)則體的數(shù)量明顯變小。因此，在透明襯底2(預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)10)表面上的不規(guī)則體的形狀和尺寸根據(jù)形成記錄膜的方法不同而相互相等的情形中，在激光照射時來自有機染料記錄膜的反射光束的衍射強度明顯比來自相變記錄膜的反射光束的衍射強度退化得多。結(jié)果，在透明襯底2(預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)10)表面上的不規(guī)則體的形狀和尺寸相互相等的情形中，與使用相變記錄膜的情況相比，使用傳統(tǒng)有機染料記錄膜的不利特征在于(I)來自預刻凹坑區(qū)的光再現(xiàn)信號的調(diào)制度 很小，并且來自預刻凹坑區(qū)的信號再現(xiàn)可靠性差；(2)幾乎不能從預刻溝槽區(qū)中根據(jù)推挽技術(shù)獲得足夠大的軌道偏移檢測信號；和(3)在預刻溝槽區(qū)中發(fā)生擺動的情形中，幾乎不能獲得足夠大的擺動檢測信號。另外，在DVD-R盤中，諸如地址信息這樣的特定信息以小的不規(guī)則(凹點)形狀記錄在岸臺區(qū)中，并因此，岸臺區(qū)12的寬度Wl大于預刻凹坑區(qū)或預刻溝槽區(qū)10的寬度Wg(Wg> Wl)。第3章本實施例中有機染料記錄膜的特性的說明3-1)關(guān)于使用傳統(tǒng)有機染料材料在一次性寫入型記錄膜(DVD-R)中實現(xiàn)高密度的問題如“2-1)記錄原理/記錄膜結(jié)構(gòu)的差異和關(guān)于生成再現(xiàn)信號的基本概念的差異”中所述，作為使用傳統(tǒng)有機染料材料的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)的當前DVD-R或CD-R的一般記錄原理包括“透明襯底2-2的局部塑性形變”或“記錄層3-2中的局部熱分解或“氣化””。圖6A和6B示出使用傳統(tǒng)有機染料材料的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中記錄刻記9位置處特定透明襯底2-2的塑性形變狀態(tài)。有兩類典型的塑性形變狀態(tài)。有兩種情形，即，在一種情形中，如圖6A所示，記錄刻記9位置處的預刻溝槽區(qū)的底面14的深度(相對于相鄰岸臺區(qū)12的步進量)與未記錄區(qū)中預刻溝槽區(qū)11的底面的深度不同(在圖6A所示的示例中，記錄刻記9位置處預刻溝槽區(qū)中底面14的深度比未記錄區(qū)中的小)；在另ー種情形中，如圖6B所示，記錄刻記9位置處的預刻溝槽區(qū)中底面14變形并發(fā)生輕微彎曲(底面14的平面性被扭曲在圖6B所示的示例中，記錄刻記9位置處的預刻溝槽區(qū)中的底面14稍微向底側(cè)彎曲)。這兩種情形的特種都在于記錄刻記9位置處的透明襯底2-2的塑性變形范圍覆蓋寬的范圍。在當前傳統(tǒng)技術(shù)DVD-R盤中，軌道間距是0. 74 u m,通道比特長度為0. 133 u m。在該程度的大值情形中，即使記錄刻記9位置處透明襯底2-2的塑性形變范圍覆蓋寬的范圍，也可以執(zhí)行比較穩(wěn)定的記錄和再現(xiàn)處理。但是，如果軌道間距窄于上述0. 74 u m,則記錄刻記9位置處透明襯底2_2的塑性形變范圍覆蓋寬的范圍，并因此對相鄰軌道產(chǎn)生不利影響，并且存在的相鄰軌道的記錄刻記9由于其中記錄刻記9加寬至相鄰軌道的“交叉寫入”或覆寫而基本被擦除(不能被再現(xiàn))。另外，在沿著軌道的方向(圓周方向)上，如果通道比特長度窄于0.133 pm，則發(fā)生問題，出現(xiàn)碼間干擾；再現(xiàn)時的誤差率明顯增加；并且再現(xiàn)的可靠性降低。3-2)本實施例中有機染料記錄膜共同的基本特性的說明3-2-A]需要應(yīng)用依照本實施例的技術(shù)的范圍
如圖6A和6B所示，在包含透明襯底2_2的塑性形變或記錄膜3_2中局部熱分解或氣化現(xiàn)象的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，下面將說明出現(xiàn)不利影響時軌道間距變窄到什么程度，或出現(xiàn)不利影響時通道比特長度變窄到什么程度，以及在對于這種不利影響的原因已經(jīng)執(zhí)行技術(shù)討論之后所獲得的結(jié)果。在使用傳統(tǒng)記錄原理的情形中開始出現(xiàn)不利影響的范圍是指由于本實施例中所示新型記錄原理而獲得有利效果的(適于實現(xiàn)高密度的)范圍。(I)記錄層3-2的厚度Dg的條件在試圖執(zhí)行熱分析以便在理論上確定可允許的通道比特長度的下限值或可允許的軌道間距的下限值時，基本可以被熱分析的記錄層3-2的厚度Dg的范圍變得重要。如圖6A和6B所示，在包括透明襯底2-2塑性形變的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(⑶-R或DVD-R)中，對于在記錄刻記8中提供信息再現(xiàn)焦斑的情形中或焦斑在記錄層3-2的未記錄區(qū)中的情形中的光反射量改變，最大因素是“由于記錄刻記9中和未記錄區(qū)中光學距離差異所產(chǎn)生的干涉效應(yīng)”。另外，其光學距離的差異主要由“由于透明襯底2-2的塑性形變所引起的物理記錄層3-2的厚度Dg (從透明襯底2-2與記錄層3-2之間界面到記錄層3_2與光反射層4-2之間界面的物理距離)的改變”和“記錄刻記9中記錄層3-2的折射率n32的改變”引起。因此，為了在記錄刻記9與未記錄區(qū)之間獲得充足的再現(xiàn)信號(光反射量改變)，在將激光束在真空中的波長定義為、時，未記錄區(qū)中厚度3-2的值的大小必需在一定程度上可以與X/n32相當。否則，不會出現(xiàn)記錄刻記9與未記錄區(qū)之間光學距離的差異(相位差)，并且光干渉效應(yīng)變小。事實上，必須滿足最低條件Dg 彡入 /8n32(I)并且優(yōu)選地，必須滿足條件Dg 彡入 /4n32(2)在進行目前的討論時,假設(shè)入=405nm附近。405nm時有機染料記錄材料的折射率H32的值的范圍是I. 3 2. O。因此，作為將n32 = 2.0代入公式⑴中的結(jié)果，有條件地要求記錄層3-2的厚度Dg的值為Dg ^ 25nm(3)這里，討論包括透明襯底2-2的塑性形變的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(CD-R或DVD-R)的有機染料記錄層已經(jīng)與405nm的光束關(guān)聯(lián)時的條件。如下所述，在本實施例中，雖然對不發(fā)生透明襯底2-2塑性形變且吸收系數(shù)k32的改變是記錄原理的主要因素的情形做出了說明，但需要通過使用來自記錄刻記9的DPD (差分相位檢測)技術(shù)來執(zhí)行軌道偏移檢測，并因此，事實上，折射率n32的改變是在記錄刻記9中引起的。因此，公式(3)的條件變成了其中不發(fā)生透明襯底2-2塑性形變的本實施例中應(yīng)滿足的條件。也從另ー個角度出發(fā)，可以指定厚度Dg的范圍。在圖5A所示相變記錄膜的情形中，在透明襯底的折射率為n21時，在通過使用推挽技術(shù)獲得最大軌道偏移檢測信號吋，預刻凹坑區(qū)與岸臺區(qū)之間的步進量是入バ8n21)。但是，如前所述，在圖5B所示的有機染料記錄膜的情形中，記錄層3-2與光反射層4-2之間界面上的形狀變鈍，并且步進量變小。因此，需要増加透明襯底2-2上預刻凹坑區(qū)與岸臺區(qū)之間的步進量，使其明顯大于入バSn22)。例如，在已經(jīng)將聚碳酸酯用作透明襯底2-2的材料的情形中，405nm時的折射率Il22 41.62,并因此，需要增加預刻凹坑區(qū)與岸臺區(qū)之間的步進量，使其明顯大于31nm。在使用旋轉(zhuǎn)涂布、技術(shù)的情形中，如果預刻溝槽區(qū)中記錄層3-2的厚度Dg大于透明徹底2-2上預刻凹坑區(qū)與岸臺區(qū)之間的步進量，就存在岸臺區(qū)12中記錄層3-2的厚度Dl被消除的危險。因此，根據(jù)上述討論結(jié)果，需要滿足條件Dg ^ 3 Inm(4)公式(4)的條件也是其中不發(fā)生透明襯底2-2塑性形變的本實施例中應(yīng)滿足的條件。雖然下限值的條件已經(jīng)在公式⑶和⑷中示出，但通過用n32 = I. 8替換公式⑵中的等號部分所獲得的值Dg □ 60nm已經(jīng)被用作為用于熱分析的記錄層3_2的厚度Dg。然后，假設(shè)用聚碳酸酯作為透明襯底2-2的標準材料，將聚碳酸酯的玻璃化轉(zhuǎn)換溫度150°C已經(jīng)被設(shè)為透明襯底2-2側(cè)的熱形變 溫度的估計值。對于使用熱分析的討論，已將k32 = 0. I 0. 2的值假設(shè)為405nm時有機染料記錄膜3_2的吸收系數(shù)的值。另外，已經(jīng)對在穿過物鏡時入射光強度分布和調(diào)焦(focusing)物鏡的NA值為NA = 60和H格式(圖I中(Dl) NA = 0. 65)和B格式(圖I中(D2) NA = 0. 85)的情形做出了討論，其中B格式是假設(shè)的傳統(tǒng)DVD-R格式中的條件。(2)通道比特長度的下限值條件已經(jīng)對在記錄功率已經(jīng)改變時沿著與記錄層3-2接觸的透明襯底2-2側(cè)上達到熱分解溫度的區(qū)域中軌道的方向上的縱向變化進行檢查。已經(jīng)討論了在再現(xiàn)時考慮窗ロ空邊(window margin)的情況下可允許的通道比特長度的下限值。結(jié)果，如果通道比特長度略低于105nm，那么就認為依照記錄功率的輕微改變而發(fā)生在透明襯底2-2側(cè)達到熱分解溫度的區(qū)域中軌道方向上的縱向改變，并且不能獲得足夠的窗ロ空邊。討論熱分析時，在NA值是0. 60,0. 65、和0. 85中任何一個的情形中示出了模擬趨勢。雖然通過改變NA值改變了焦斑大小，但是可能的原因被認為是熱傳播范圍較寬(與記錄層3-2接觸的透明襯底2-2側(cè)上溫度分布的梯度相對平緩)。在上面的熱分析中，討論了與記錄層3-2接觸的透明襯底
2-2側(cè)上的溫度分布，并因此，不會出現(xiàn)記錄層3-2的厚度Dg的影響。另外，發(fā)生圖6A和6B所示的透明襯底的形狀改變的情形中，襯底形變區(qū)的邊界位置變模糊，并因此，窗ロ空邊更明顯地變小。用電子顯微鏡觀察形成記錄刻記9的區(qū)域的截面形狀吋，認為襯底形變區(qū)的邊界位置的模糊量隨著記錄層3-2的厚度Dg的值增加而増加。關(guān)于由于以上記錄功率改變而產(chǎn)生的對熱分解區(qū)長度的影響，考慮到該襯底形變區(qū)的邊界位置的模糊，認為需要使允許分配足夠窗ロ空邊的通道比特長度的下限值是記錄層
3-2的厚度Dg的兩倍的量級，并且優(yōu)選地下限值大于120nm。前面，已經(jīng)主要對在發(fā)生透明襯底2-2熱分解的情形中使用熱分析的討論做出了說明。還存在ー種情形，其中作為傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(CD-R或DVD-R)中記錄原理(用于構(gòu)成記錄刻記9的機制)，透明襯底2-2的塑性形變非常小，并且主要發(fā)生記錄層3-2中有機染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))。因此，將對這種情形做出另外的說明。雖然有機染料記錄材料的氣化(蒸發(fā))溫度根據(jù)有機染料材料的類型不同而不同，但通常，溫度范圍是220°C 370°C，并且熱分解溫度比該范圍低。雖然上面的討論中已將聚碳酸酯樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)換溫度150°C設(shè)為襯底形變時的到達溫度，但150°C與220°C之間的溫差小，并且當透明襯底2-2達到150°C吋，記錄層3-2內(nèi)超過220°C。因此，雖然根據(jù)有機記錄材料的類型而存在例外情況，但即使在透明襯底2-2的塑性形變非常小且主要發(fā)生記錄層中有機染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))的情況下，還是獲得與上述討論結(jié)果基本相同的結(jié)果。在總結(jié)關(guān)于以上通道比特長度的討論結(jié)果時，在包括透明襯底2-2塑性形變的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(⑶-R或DVD-R)中，認為當通道比特長度窄于120nm吋，窗ロ空邊降低，并且另外，如果長度小于105nm，則難以進行穩(wěn)定的再現(xiàn)。也就是說，當通道比特小于120nm(105nm)時,通過使用本實施例所示的新型記錄原理獲得有利效果。(3)軌道間距的下限值條件當對記錄層3-2施加記錄功率時，在記 錄層3-2中吸收能量，并且獲得高溫度。在傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(CD-R或DVD-R)中，必需在記錄層3-2中吸收能量，直到透明襯底3-2已經(jīng)達到熱形變溫度。在記錄層3-2中發(fā)生有機染料記錄材料的結(jié)構(gòu)變化且折射率n32或吸收系數(shù)k32的值開始變化的溫度比透明襯底2-2開始熱形變的到達溫度低得多。因此，在透明襯底2-2側(cè)發(fā)生熱形變的記錄刻記9外圍處的記錄層3-2中，折射率n32或吸收系數(shù)k32的值在比較寬的范圍內(nèi)變化，并且這個變化可能引起相鄰軌道的“交叉寫入”或“交錯擦除”。可以設(shè)置在透明襯底2-2超過熱形變溫度時達到改變記錄層3-2中折射率n32或吸收系數(shù)k32的溫度的區(qū)域的寬度的情況下不發(fā)生“交叉寫入”或“交錯擦除”的軌道間距的下限值。從上述觀點的角度出發(fā)，認為“交叉寫入”或“交錯擦除”發(fā)生在軌道間距等于或小于500nm的位置。另外，由于信息存儲介質(zhì)的翹曲或傾斜或記錄功率(記錄功率裕度)改變的影響，可以斷定，難以將在透明襯底2-2已經(jīng)達到熱形變溫度之前在記錄層3-2中吸收能量的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(CD-R或DVD-R)中的軌道間距設(shè)為600nm或更小。如上所述，即使NA值從0.60變到0.65，然后變到0. 85，顯示趨向也基本相同，因為當透明襯底2-2在中心部分處達到熱形變溫度時外圍記錄層3-2中的溫度分布梯度比較平緩，并且熱傳播范圍寬。在透明徹底2-2的塑性形變非常小、并且主要發(fā)生記錄層3-2中有機染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))作為傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(CD-R或DVD-R)的另ー記錄原理(構(gòu)成記錄刻記9的機制)的情形中，如已經(jīng)在“(2)通道比特下限值條件”部分中所述，作為基本類似的結(jié)果，獲得開始發(fā)生“交叉寫入”或“交錯擦除”的軌道間距值。由于上述原因，在將軌道間距設(shè)為600nm(500nm)或更小時，通過本實施例中所示的新型記錄原理獲得有利效果。3-2-B]本發(fā)明中有機染料記錄材料共同的基本特性如上所述，在透明襯底2-2的塑性形變非常小、并且主要發(fā)生記錄層3-2中有機染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))作為傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)(CD-R或DVD-R)的另ー記錄原理(構(gòu)成記錄刻記9的機制)的情形中，出現(xiàn)ー個問題，即，由于在形成記錄刻記9吋，記錄層3-2內(nèi)部或透明襯底2-2的表面達到高溫，所以通道比特長度或軌道間距不能變窄。為了解決上述問題，本實施例的主要特征在于“創(chuàng)新的有機染料材料”，其中“記錄原理是記錄層3-2中在比較低的溫度下發(fā)生的局部光學特性變化”，和“上述記錄原理容易發(fā)生而不導致襯底形變和記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))的設(shè)置環(huán)境(記錄膜結(jié)構(gòu)或形狀)”。下面列出本實施例的特定特性。a ]記錄層3-2內(nèi)光學特性改變方法-顯色特性(chromogeniccharacteristic)改變---由于光發(fā)射區(qū)8(圖3)的質(zhì)變(qualitative change)或摩爾分子(molarmo I ecu I e)光吸收系數(shù)的改變所導致的光吸收截面的改變光發(fā)射區(qū)8被部分損壞，或光發(fā)射區(qū)8的尺寸發(fā)生變化，由此，實際光吸收截面發(fā)生變化。這樣，記錄刻記9中入_胃入的位置處的振幅(吸光率)發(fā)生變化，而維持光吸收光譜(圖4)本身的輪廓(特性)。-關(guān)于引起顯色現(xiàn)象的電子的電子結(jié)構(gòu)(電子軌道)的改變—基于退色反應(yīng)的光吸收光譜(圖4)的改變，所述退色反應(yīng)是由于切斷了局部電子軌道(局部分子鍵斷開連接)或光發(fā)射區(qū)8(圖3)的尺寸或結(jié)構(gòu)的改變
-定向(orientation)或陣列的分子內(nèi)(分子間)變化---基于例如圖3所示偶氮的定向變化的光學特性改變-分子中分子結(jié)構(gòu)改變—例如，對導致陽離子部分與陰離子部分之間離解、陽離子部分和陰離子部分的熱分解、以及分子結(jié)構(gòu)本身被損壞且碳原子被沉淀(變性為煤焦油(black coal tar))的焦油現(xiàn)象(tar phenomenon)的有機染料材料做出了討論。結(jié)果，記錄刻記9中的折射率n32或吸收系數(shù)k32相對于未記錄區(qū)改變，從而可以進行光學再現(xiàn)。^ ]設(shè)置記錄膜結(jié)構(gòu)或形狀，使其易于穩(wěn)定地引起上述[a ]的光學特性改變—在“3-2-C]使導致本實施例所示記錄原理變得容易的理想記錄膜結(jié)構(gòu)”部分及其后續(xù)下文中將詳細描述關(guān)于這種技術(shù)的具體內(nèi)容。y]降低記錄功率，以便在記錄層內(nèi)部或透明襯底表面的溫度比較低的狀態(tài)下形成記錄刻記—上述[a]中所示的光學特性變化在低于透明襯底2-2的形變溫度或記錄層3-2中的氣化(蒸發(fā))溫度低的溫度上發(fā)生。因此，降低記錄時的曝光量(記錄功率)，以防止在透明襯底2-2表面上超過形變溫度或在記錄層3-2中超過氣化(蒸發(fā))溫度。稍后在“3-3)本實施例中有機染料記錄層共同的記錄特性”部分中詳細描述該內(nèi)容。另外，與此相反，可以通過在記錄時檢查最佳功率的值來確定上述[a]所示的光學特性的改變是否發(fā)生。6 ]光發(fā)射區(qū)中的電子結(jié)構(gòu)被穩(wěn)定，并且?guī)缀醪划a(chǎn)生與紫外線或再現(xiàn)光照射相關(guān)的結(jié)構(gòu)分解—當在進行再現(xiàn)時用再現(xiàn)光照射記錄層3-2或用紫外線照射記錄層3-2吋，記錄層3-2中溫度升高。需要看起來矛盾的性能，即避免與這種升溫相關(guān)的特性衰減并在低于襯底形變溫度或記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))溫度的溫度下執(zhí)行記錄。在本實施例中，通過“穩(wěn)定光發(fā)射區(qū)中的電子結(jié)構(gòu)”保證了上述看似矛盾的性能。“第4章本實施例中有機染料記錄膜的實施例的具體說明”中將描述具體技術(shù)內(nèi)容。e ]對于由于紫外線或再現(xiàn)光照射所發(fā)生的再現(xiàn)信號衰減的情形，提高了再現(xiàn)信息的可靠性—在本實施例中，雖然為了“穩(wěn)定光發(fā)射區(qū)中的電子結(jié)構(gòu)”而做出技術(shù)發(fā)明，但與由于透明襯底2-2表面的塑性形變或氣化(蒸發(fā))而產(chǎn)生的記錄層3-2中的局部空穴相比，本實施例中所示記錄原理中所形成的記錄刻記9的可靠性可能大體上被降低。作為此現(xiàn)象的對策，在本實施例中，如稍后在“第7章H格式的說明”和“第8章B格式的說明”中所述，在與強大的糾錯能力(新型ECC區(qū)塊結(jié)構(gòu))相結(jié)合的同時實現(xiàn)了記錄信息的高密度和可靠性的有利效果。另外，在本實施例中，使用PRML(部分響應(yīng)最大似然)技術(shù)作為再現(xiàn)方法，如“ 4-2本實施例中再現(xiàn)電路的說明”部分中所述，在進行ML解調(diào)時與糾錯技術(shù)結(jié)合的同時實現(xiàn)了記錄信息的高密度和可靠性。在本實施例的上述特定特性中，已經(jīng)對[a ] [Y ]項是本實施例中為了實現(xiàn)“窄軌道間距”或“窄通道比特長度”而新設(shè)計的技術(shù)性發(fā)明的內(nèi)容這一事實做出了說明。另外，“窄通道比特長度”導致實現(xiàn)“縮小最小記錄刻記長度”。下面將詳細描述涉及剰余[S]和[e]兩項的本實施例的意圖(目標)。在本實施例中H格式進行再現(xiàn)時，穿過記錄層3-2的光的焦斑的通過速度(線速)被設(shè)為6.61m/s，并且B格式中的線速被設(shè)置在5. Om/s 10. 2m/s的范圍內(nèi)。在任何情況下，本實施例中再現(xiàn)時的線速大于或等于5m/s。如圖31所示，H格式中數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI的起始位置的直徑為47. 6mm。同樣，在B格式中，用戶數(shù)據(jù)被記錄在直徑大于或等于45mm的位置處。直徑45mm的內(nèi)邊緣為0. 141m,并因此，在以線速5m/s再現(xiàn)該 位置時的信息存儲介質(zhì)的轉(zhuǎn)動頻率被獲得為35. 4轉(zhuǎn)/秒。作為使用依照本發(fā)明的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)的ー種方法，提供諸如TV節(jié)目這樣的視頻圖像信息。例如，當用戶在再現(xiàn)用戶的所記錄視頻圖像中按下“中止(暫停)鍵”時，再現(xiàn)焦斑停在其暫停位置的軌道上。當焦斑停在暫停位置的軌道上時，用戶可以在按下“再現(xiàn)開始鍵”之后立即在暫停位置開始再現(xiàn)。例如，在用戶按下“中止(暫停)鍵”后，在用戶去衛(wèi)生間之后立即有客人拜訪用戶家的情形中，就會發(fā)生用戶接待客人時暫停鍵處于被按下狀態(tài)長達一小時的情形。一次性寫入型信息存儲介質(zhì)每小時旋轉(zhuǎn)35.4x60x60與130,000轉(zhuǎn)，并且在此過程(130，ooo
次反復重放)中，焦斑追蹤同一軌道上。如果記錄層3-2由于反復重放的原因而老化，且在該時間周期之后視頻圖像信息不能被再現(xiàn)，那么一小時后返回的用戶不能看到視頻圖像的任何部分，并因此生氣，并且最糟糕的情況是，有可能將該問題訴諸法院的危險。因此，如果所記錄的視頻圖像信息即使在這種暫停時間持續(xù)ー小時甚至更長時間(即使在同一軌道中連續(xù)重放)的情況下也不損壞，則沒有視頻圖像數(shù)據(jù)被損壞，這種情況的最低條件要求保證至少發(fā)生100，000次反復重放，不發(fā)生再現(xiàn)退化。在一般使用狀態(tài)下，很少發(fā)生用戶將在相同位置的一小時暫停(反復重放)重復10次的情形。因此，在保證依照本實施例的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)理想地進行1，000，000次反復重放時，一般用戶的使用不會出現(xiàn)問題，并且只要記錄層3-2不老化，就認為反復重放次數(shù)的上限值設(shè)為1，000，000次是足夠的。如果將反復重放次數(shù)的上限值設(shè)為明顯大于1，000，000次的值，則出現(xiàn)“記錄靈敏度降低”或“介質(zhì)價格升高”的麻煩。在保證上述反復再現(xiàn)次數(shù)的上限值的情形中，再現(xiàn)功率值變成重要因素。在本實施例中，記錄功率被限定在公式(8) (13)中設(shè)置的范圍內(nèi)。據(jù)說，半導體激光束的特征在于連續(xù)光照射在等于或小于最大使用功率的1/80的值中不穩(wěn)定。由于作為最大使用功率的1/80的功率處于光照射剛剛開始(開始模式啟動)的位置，所以很可能發(fā)生模式跳躍。因此，在該光照射功率下，信息存儲介質(zhì)的光反射層4-2中所反射的光返回到半導體激光源，那里發(fā)生“回光噪聲”，其特征在于光發(fā)射量總是改變。因此，在本實施例中，設(shè)置的再現(xiàn)功率值在公式(12)或(13)右側(cè)所描述的值的1/80之下[光學再現(xiàn)功率]>0. 91X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (B-I)[光學再現(xiàn)功率]>0. 91X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)12(B_2)
另外，最佳再現(xiàn)功率的值受到功率監(jiān)控光學檢測器的動態(tài)范圍的限制。雖然圖11的信息記錄/再現(xiàn)單元141中沒有示出，但存在記錄/再現(xiàn)光學頭。該光學頭包括監(jiān)控半導體激光源的光發(fā)射量的光學檢測器。在本實施例中，為了提高再現(xiàn)時再現(xiàn)功率的光照射精確性，該光學檢測器在光照射時檢測光發(fā)射量并將反饋應(yīng)用到要提供給半導體激光源的電流量。為了降低光學頭的價格，有必要使用非常廉價的光學檢測器。可在商業(yè)上獲得的廉價光學檢測器通常是用樹脂塑造的(包圍著光學檢測單元)。如“第0章使用波長與本實施例之間的關(guān)系的說明”中公開的那樣，本實施例中使用等于或小于530nm(特別地，等于或小于455nm)作為光源波長。在該波長區(qū)域的情形中，如果波長光被照射(諸如深黃退色或出現(xiàn)狹縫(crack)(細白條fine whitestripes))并且光學檢測特性被削弱，則用于塑造光學檢測單元的樹脂(主要是環(huán)氧樹脂)導致在已經(jīng)照射紫外線時發(fā)生的退化。特別地，在本實施例所示一次性寫入型信息存儲介質(zhì)的情形中，如圖8A、8B和SC所示，由于存儲介質(zhì)具有預刻溝槽區(qū)11而可能發(fā)生成型樹脂退化。作為光學頭的聚焦模糊(focus blurring)檢測系統(tǒng)，為了消除由于來自該預刻溝槽區(qū)11的衍射光造成的不利影響，最通常使用在信息存儲介質(zhì)有關(guān)的成像位置處分配光學檢測器的“刀ロ技術(shù)(knife-edge technique) ” (成像放大倍率為3 10倍)。將光學檢測器被布置在成像位置處時，由于光束聚焦在光學檢測器上，所以高的光學密度被照射到成型樹脂上，并且可能出現(xiàn)由此導致的樹脂老化。由于光子模式(光學作用)而主要發(fā)生這種成型樹脂特性退化，但是，可以在與熱模式(熱激勵)中光發(fā)射量進行比較中預知可允許的照射量的上限值。假設(shè)最糟糕的情形，讓我們假設(shè)這樣的光學系統(tǒng)，其中光學檢測器被布置在成像位置處作為光學頭。根據(jù)“3-2-A]需要應(yīng)用依照本實施例的技術(shù)的范圍”中“(I)記錄層3-2的厚度Dg條件”中描述的內(nèi)容，當在本實施例中記錄時在記錄層3-2中發(fā)生最佳特性變化(熱模式)時，認為記錄層3-2的溫度暫時上升到80°C 150°C的范圍內(nèi)。由于室溫大約為15°C，所以溫差ATmite的范圍是65°C 135°C。記錄時發(fā)生脈沖光發(fā)射，并且在再現(xiàn)時發(fā)生連續(xù)光發(fā)射。在再現(xiàn)時，在記錄層3-2中溫度升高，并產(chǎn)生溫差AT_d。當光學頭中檢測系統(tǒng)的成像放大倍率為M吋，獲得的聚焦在光學檢測器上的被檢測光的光學密度為照射在記錄層
3-2上的匯聚光的光學密度的1/M2，并且因此，獲得的在再現(xiàn)時光學檢測器處的升溫量大約為AT_d/M2。由于可以被照射在光學檢測器上的光學密度的上限值是由升溫量轉(zhuǎn)換的，所以認為該上限值為AT_d/M2< TC的量級。光學頭中檢測系統(tǒng)的成像放大倍率M通常為
3 10倍的量級，如果暫時估計放大倍率為M2 = 10，則有必要設(shè)置再現(xiàn)功率，以便
得到A Tread/A Twrite 彡 20 (B-3)假設(shè)在記錄時記錄脈沖的占空比被估計為50%，要求滿足[最佳再現(xiàn)功率]([最佳記錄功率]/10(B-4)因此，考慮到稍后描述的公式⑶ (13)和上面的公式(B-4)，對最佳再現(xiàn)功率進行如下賦值[最佳再現(xiàn)功率]<3 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (B-5)[最佳再現(xiàn)功率]<3 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (B-6) [最佳再現(xiàn)功率]<2 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (B-7)
[最佳再現(xiàn)功率]<2 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (B_8)[最佳再現(xiàn)功率]<I. 5X (0. 65/NA)2X (V/6. 6) (B_9)[最佳再現(xiàn)功率]<I. 5X (0. 65/NA)2X (V/6. 6)1/2(B-IO)(參照“3-2-E]關(guān)于用于參數(shù)定義的本實施例中記錄層的厚度分布的基本特性，，。)例如，當 NA = 0. 65，V = 6. 6m/s 時，得[最佳再現(xiàn)功率]く3mW， [最佳再現(xiàn)功率]く2mW，或[最佳再現(xiàn)功率]くI. 5mW。事實上，與信息存儲介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并相對移動的事實相比，光學檢測器是固定的，并且因此鑒于這一事實，有必要進ー步設(shè)置最佳再現(xiàn)功率，使其為上述公式中所得到的值的1/3或更小。在依照本實施例的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，再現(xiàn)功率的值設(shè)為0. 4mW。3-2-C]容易產(chǎn)生本實施例所示記錄原理的理想記錄膜結(jié)構(gòu)下面將介紹用干“設(shè)置環(huán)境”(記錄膜結(jié)構(gòu)或形狀)的方法，在該環(huán)境中容易產(chǎn)生本實施例中的記錄原理。作為可能發(fā)生上述記錄層3-2內(nèi)光學特性變化的環(huán)境，本實施例的特征在于在記錄膜結(jié)構(gòu)或形式中執(zhí)行技術(shù)型發(fā)明，諸如“在用于形成記錄刻記9的區(qū)域中，超過可能發(fā)生光學特性變化的臨界溫度，并且在記錄刻記9的中心部分，超過氣化(蒸發(fā))溫度，并且記錄刻記9中心部分附近的透明襯底2-2的表面不超過熱溫度”下面將參照圖7A、7B和7C描述關(guān)于上述說明的具體內(nèi)容。在圖7A、7B和7C中，空(空白)箭頭指示照射激光束7的光學路徑，而虛線箭頭指示熱流。圖7A所示的記錄膜結(jié)構(gòu)表示最可能發(fā)生與本實施例相應(yīng)的記錄層3-2內(nèi)光學特性變化的環(huán)境。也就是說，在圖7A中，由有機染料記錄材料構(gòu)成的記錄層2-2具有公式(3)或公式(4)中所示范圍內(nèi)的均勻厚度(厚度足夠大)，并且在垂直于記錄層3-2的方向上接收激光束7的照射。如“6-1)光反射層(材料和厚度)”中詳細描述的，銀合金被用作為本實施例中光反射層4-2的材料。含有光反射因數(shù)高的金屬的材料通常具有高的熱傳導性和熱輻射性，而不限于銀合金。因此，雖然記錄層3-2的溫度通過吸收所照射的激光束7的能量而升高，但熱量向具有熱輻射特性的光反射層4-2輻射。雖然圖7A所示的記錄膜在任何地方都構(gòu)造為相同形狀，但在記錄層3-2內(nèi)發(fā)生比較均勻的溫度升高，并且中心部分a、P和Y點的溫差比較小。因此，在形成記錄刻記9時，如果超過a和P點處發(fā)生光學特性變化的臨界溫度，則中心部分Y點處不超過氣化(蒸發(fā))溫度；并且在最接近中心部分a點處的位置存在的透明襯底(未示出)的表面不超過熱形變溫度。相比之下，如圖7B所示，部分記錄膜3-2中提供了階躍(st印)。在S點和e點處，激光束7的照射在方向上向記錄層3-2排列的方向傾斜，并因此，単位面積上激光束7的照射量與中心部分a點處相比相對較低。結(jié)果，記錄層3-2中8點和e點處的升溫量低。同樣，在8點和e點處，發(fā)生朝著光反射層4-2的熱輻射，并因此，與中心部分的a點相比，8點和e點處的到達溫度足夠低。因此，一股熱量從P點流向a點，并且ー股熱量從a點流到P點，并因此，P和Y點處相對于中心部分的a點的溫差非常小。在記錄吋，P和Y點處的升溫量低，并且在P和a點處幾乎不超過發(fā)生光學特性變化的臨界溫度。作為針對這種 情況的對策，為了在0和Y點處發(fā)生光學特性變化(為了達到臨界溫度或更高)，需要增加激光束7的曝光量(記錄功率)。在圖7B所示的記錄膜結(jié)構(gòu)中，中心部分a點處相對于P和Y點的溫差非常大。因此，在當前溫度已經(jīng)上升到在@和Y點處發(fā)生光學特性變化的溫度時，在中心部分a點處超過氣化(蒸發(fā))溫度，或中心部分a點附近的透明襯底(未示出)的表面幾乎不超過熱形變溫度。另外，即使受到激光束7照射側(cè)的記錄層3-2表面都與激光束7的照射方向垂直，在記錄層3-2的厚度根據(jù)位置而改變的情形中，也提供了幾乎不發(fā)生依照本發(fā)明的記錄層
3-2內(nèi)光學特性變化的結(jié)構(gòu)。例如，如圖7C所示，讓我們考慮對于中心部分的a點處記錄層3-2的厚度Dg，外圍部分的厚度Dl明顯較小(例如，不滿足公式(2)或公式(4))的情形。即使在中心部分的a點處，雖然熱量向光反射層4-2輻射，但記錄層3-2的厚度Dg足夠大，因此可能實現(xiàn)熱積聚或?qū)崿F(xiàn)高溫。相比之下，在厚度Dl明顯小的(和n點處，熱量向光反射層4-2輻射，而不進行熱積聚，并且因此，升溫量小。結(jié)果，與朝向光反射層4-2的熱福射ー樣，依次發(fā)生向著點P、S和(的熱福射和依次發(fā)生向著點Y、e和??！的熱福射，并且因此，如圖7B所示，中心部分a點處與P和Y點的溫差變得非常大。當激光束7的曝光量(記錄功率)增加以便在P和Y處產(chǎn)生光學特性變化(為了產(chǎn)生臨界溫度或更高溫度)時，超過中心部分的a點處的氣化(蒸發(fā))溫度，或中心部分的a點處附近的透明襯底(未示出)的表面超過熱形變溫度。基于上述內(nèi)容，參照圖8A、8B和SC，將說明關(guān)于用來提供其中可能進行依照本實施例的記錄原理的“環(huán)境設(shè)置(記錄膜的結(jié)構(gòu)或形狀)”的預刻溝槽形狀/尺寸的本實施例中技術(shù)性發(fā)明的內(nèi)容；以及關(guān)于記錄層厚度分布的本實施例中技術(shù)性發(fā)明的內(nèi)容。圖8A示出諸如CD-R或DVD-R這樣的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中的記錄膜結(jié)構(gòu)；圖SB和8C分別示出本實施例中的記錄膜結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，如圖8A、8B和8C所示,記錄刻記9形成在預刻溝槽區(qū)11中。3-2-D]關(guān)于本實施例中預刻溝槽形狀/尺寸的基本特性如圖8A所示，已經(jīng)存在很多情形，其中預刻溝槽區(qū)11被形成在諸如⑶-R或DVD-R這樣的傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中的“ V型槽”中。在該結(jié)構(gòu)的情形中，如圖7B所述，激光束7的能量吸收效率低，并且記錄層3-2中溫度分布不均勻性變得非常大。本實施例的特征在于，為了接近圖7A所示的理想狀態(tài)，至少在“透明襯底2-2”側(cè)預刻溝槽區(qū)11中提供與入射激光束7的傳播方向垂直的平面形狀。如參照圖7A所述，希望該平面區(qū)域盡量寬。因此，本實施例的第二特征在于在預刻溝槽區(qū)11中提供平面區(qū)域，并且預刻溝槽區(qū)11的寬度Wg大于岸臺區(qū)的寬度Wl (Wg > Wl)。在此說明中，預刻溝槽區(qū)的寬度Wg和岸臺區(qū)的寬度Wl被定義為某一位置處其各自的寬度，其中在這個位置處交叉放置ー個平面，該平面的高度為預刻溝槽區(qū)的平面位置處的高度與岸臺區(qū)最高的位置處的高度之間的中間高度，并且該平面具有預刻溝槽中的傾斜面。已經(jīng)利用熱分析進行了討論，數(shù)據(jù)已經(jīng)被記錄在實際被生成作為原型的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，已經(jīng)進行了由于記錄刻記9位置處截面SEM(掃描型電子顯微鏡)圖像的襯底形變觀察，并且已經(jīng)重復對存在或不存在因記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))而產(chǎn)生的空穴的觀察。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過增加預刻溝槽區(qū)的寬度Wg，使其明顯寬于岸臺區(qū)的寬度W1，可以達到有利效果。另外，預刻溝槽區(qū)寬度Wg與岸臺區(qū)寬度Wl的比Wg Wl = 6 4，并且優(yōu)選地，該比值大于Wg Wl = 7 3，從而認為可能發(fā)生記錄層3-2中局部光學特性變化，而變化在記錄時更穩(wěn)定。如上所述，當預刻溝槽區(qū)寬度Wg與岸臺區(qū)寬度Wl之間的差増加時，如圖SC所示，從岸臺區(qū)12頂部消除平表面。在傳統(tǒng)DVD-R盤中，預刻凹坑(岸臺預刻凹坑未示出)在岸臺區(qū)12中形成，并且這里預先了解用于記錄地址信息等的格式。因此，有條件地要求在岸臺區(qū)12中形成平面區(qū)域。結(jié)果，已經(jīng)出現(xiàn)其中以“V型槽”形狀形成預刻溝槽區(qū)11的情形。另外，在傳統(tǒng)⑶-R盤中，已經(jīng)通過調(diào)頻將擺動信號記錄在預刻溝槽區(qū)11中。在傳統(tǒng)CD-R盤的調(diào)頻系統(tǒng)中，槽縫間隙(slot gap)(詳細給出了每種格式的詳細說明)不是固定不變的，并且擺動信號檢測(PLL PLL(鎖相環(huán))的同歩)時的相位調(diào)節(jié)已經(jīng)相當難。因此，將預刻溝槽區(qū)11的壁面集中(使之接近V型槽)在再現(xiàn)焦斑的強度最高且擺動振幅量増加的中心附近，從而保證了擺動信號檢測精確性。如圖SB和SC所示，在將本實施例中預刻溝槽區(qū)11中的平面區(qū)域加寬之后，在預刻溝槽區(qū)11的傾斜表面與再現(xiàn)焦斑的中心位置相比相對向外偏移時，幾乎不能獲得擺動檢測信號。本實施例的特征在于加寬了上述預刻溝槽區(qū)的寬度Wg，并且組合使用其中總是固定地維持擺動檢測處槽縫間隙的PSK (移相鍵控)的H格式或使用FSK (移頻鍵控)或STW(鋸齒狀擺動)的B格式，從而在 低記錄功率下保證了穩(wěn)定的記錄特性(適合于高速記錄或分層)，并保證穩(wěn)定的信號檢測特性。特別地，在H格式中，除上述組合之外，“比非調(diào)制區(qū)域更顯著地降低了擺動調(diào)制比”，由此更顯著地促進了擺動信號檢測時的同步，并且更顯著地穩(wěn)定了擺動信號檢測特性。3-2-E]本實施例中記錄層3-2的厚度分布的基本特性在本實施例中，如圖8B和8C所示，岸臺區(qū)12中記錄層3_2最厚的部分中的厚度被定義為岸臺區(qū)12中的記錄層厚度Dl ;并且預刻溝槽區(qū)11中記錄層3-2最厚的部分的厚度被定義為預刻溝槽區(qū)中的記錄層厚度Dg。如參照圖7C所述，岸臺區(qū)中的記錄層厚度Dl相對增加，從而記錄時可能穩(wěn)定地發(fā)生記錄層中的局部光學特性變化。以跟上述相同的方式，已經(jīng)利用熱分析進行了討論，已經(jīng)將數(shù)據(jù)記錄在實際被生產(chǎn)作為原型的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，已經(jīng)進行襯底形變觀察和由于通過記錄刻記9位置處截面SEM (掃描型電子顯微鏡)圖像的記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))而產(chǎn)生的空穴的存在或不存在的觀察。結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)需要將預刻溝槽區(qū)中的記錄層厚度Dg和岸臺區(qū)中的記錄層厚度Dl之間的比設(shè)為等于或小于Dg Dl = 4 I。另外,設(shè)置Dg Dl = 3 I,并且優(yōu)選地，設(shè)置Dg Dl = 2 1，由此可以保證本實施例中記錄原理的穩(wěn)定性。3-3)本實施例中有機染料記錄膜共同的記錄特性作為ー個“3-2-B]本實施例中有機染料記錄材料共同的基本特性”，如[Y ]項中所述，本實施例的特征在于記錄功率控制。由于記錄層3-2中的局部光學特性變化所引起的記錄刻記9形成發(fā)生在遠遠低于傳統(tǒng)透明襯底2-2的塑性形變溫度的溫度下，發(fā)生在記錄層3-2中的熱分解溫度，或氣化(蒸發(fā))溫度下。因此，限制記錄功率的上限值，以免記錄時透明襯底2-2局部超過塑性形變溫度或在記錄層3-2中局部超過氣化(蒸發(fā))溫度。與使用熱分析的討論并行地，通過使用稍后在“ 4-1)本實施例中再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)和特性的說明”中描述的設(shè)備，和通過使用稍后在“4-3)本實施例中記錄條件的說明”中描述的記錄條件，已經(jīng)對已經(jīng)以本實施例中所示記錄原理執(zhí)行記錄的情形中的最佳功率的值進行了示例。示例測驗中所使用的記錄/再現(xiàn)設(shè)備中物鏡的數(shù)值孔徑的值為0.65，并且記錄時的線速為6. 61m/s。作為稍后在“4_3)本實施例中記錄條件的說明”中定義的記錄功率(峰值功率)的值，已經(jīng)發(fā)現(xiàn) 大多數(shù)有機染料記錄材料在30mW下發(fā)生氣化(蒸發(fā)),并且在記錄刻記中出現(xiàn)空穴；…記錄層3-2附近位置處透明襯底2-2的溫度明顯超過玻璃化轉(zhuǎn)換溫度； 記錄層3-2附近位置處透明襯底2-2的溫度在20mW下達到塑性形變溫度(玻璃化轉(zhuǎn)換溫度)； 在考慮諸如信息存儲介質(zhì)的表面預先扭曲(pre-warping)或記錄功率變化這樣的裕度(margin)的情況下,理想為15mW或更小。上述“記錄功率”表示照射到記錄層3-2的曝光量的總和。獲得焦斑中心部分處和光學強度密度最高的部分處的光學能量密度，作為本實施例中討論的參數(shù)。焦斑大小與NA值成反比，并因此，焦斑中心部分處的光學能量密度與NA值的平方成比例地増加。因此，通過使用下面的公式，當前值可以被轉(zhuǎn)換成稍后描述的B格式或圖I (D3)所示另一格式(另ー個NA值)中的最佳記錄功率的值[可應(yīng)用于不同NA值的記錄功率]= [NA = 0. 65 時的記錄功率]X 0. 652/NA2 (5)另外，最佳記錄功率根據(jù)相變型記錄材料中的線速V改變。通常，據(jù)說最佳記錄功率與相變型記錄材料中的線速V的1/2次方成比例地變化，并且與有機染料記錄材料中的線速V成比例地變化。因此，得到通過擴展公式(5)所得到的考慮線速V的最激記錄功率的轉(zhuǎn)換公式如下[總記錄功率]= [NA = 0. 65 時的記錄功率；6. 6m/s] X (0. 65/NA) 2 X (V/6. 6) (6)或[總記錄功率]= [NA = 0. 65 時的記錄功率；6. 6m/s] X (0. 65/NA) 2 X (V/6. 6)1/2 (7)在總結(jié)上面的討論結(jié)果時，作為用于保證本實施例中所示記錄原理的記錄功率，希望設(shè)置上限值，諸如[最佳記錄功率]<30 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (8)[最佳記錄功率]< 30 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (9)[最佳記錄功率]<20 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (10)[最佳記錄功率]<20X (0. 65/NA)2X (V/6. 6)1/2(II)[最佳記錄功率]<15 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (12)[最佳記錄功率]<15 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (13)從上面的公式中，得到用于公式(8)或公式(9)的條件作為強制性條件；得到用于
(10)或公式(11)的目標條件；并且得到用于公式(12)或公式(13)的條件作為理想條件。3-4)關(guān)于本實施例中“H-L”記錄膜特性的說明具有記錄刻記9中光反射量低于未記錄區(qū)中這ー特性的記錄膜被稱為“H-L”記錄膜。相反，上述光反射量高的記錄膜被稱為“L-H”記錄膜。其中，對于“H-L”記錄膜，本實施例的特征在于
(I)提供再現(xiàn)波長下的吸光率與光吸收光譜的入位置處的吸光率之比的上限值；和(2)改變光吸收光譜輪廓以便形成記錄刻記。下面將參照圖9和10給出關(guān)于上述內(nèi)容的詳細說明。在本實施例中“H-L”記錄膜中，如圖9所示，寫人的波長短于用于記錄/再現(xiàn)的使用波長(405nm附近)。如圖10明顯示出的那樣，在入_胃入的波長附近，未記錄部分與記錄部分之間吸光率的變化很小。如果未記錄部分與記錄部分之間吸光率的變化很小，則不能獲得大的再現(xiàn)信號振幅。即使發(fā)生記錄或再現(xiàn)激光源的波長發(fā)生，鑒于不能穩(wěn)定執(zhí)行記錄或再現(xiàn)這一事實，如圖9所示，在本實施例中，設(shè)計記錄膜3-2,使得入maxi|A的波長達到355nm 455nm之外，即達到短于355nm的波長側(cè)。 在“2-1)記錄原理/記錄膜結(jié)構(gòu)的差異和有關(guān)再現(xiàn)信號生成的基本概念的差異”中限定的Xmax胃入位置處的吸光率吋，“第0章使用波長與本實施例之間的關(guān)系的說明”中所描述的355nm、455nm和405nm處的相對吸光率被定義為Ah355、Ah455和Ah4(l5。在Ah4tl5 = 0.0的情形中，來自處于未記錄條件的記錄膜的光反射因數(shù)與波長為405nm時光反射層4-2中的一致。稍后將在“6_1)光反射層”部分中詳細描述光反射層4_2的光反射因數(shù)。在下文中，將對為了簡化而將光反射層4-2的光反射因數(shù)定義為100%這ー事實做出說明。在使用本實施例中“ H-L”記錄膜的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，再現(xiàn)電路通常共用在使用一側(cè)單層膜情形中只讀型信息存儲介質(zhì)(HD DVD-ROM盤)的情形中。因此，在這種情形中，依照一側(cè)單層膜的只反射信息存儲介質(zhì)(HD DVD-ROM盤)的光反射因數(shù)，將光學反射因數(shù)定義為45% 85%。因此，需要將未記錄位置處的光反射因數(shù)設(shè)為40%或更多。由于1-0. 4 = 0. 6，所以可以直觀地理解405nm時的吸光率Ah4tl5是否可以被設(shè)置為Ah405 ^ 0. 6(14)在滿足上面的公式(14)的情況下，可以輕易地明白可以將光反射因數(shù)設(shè)為40%或更多。因此，在本實施例中，選擇在未記錄區(qū)中滿足公式(14)的有機染料記錄材料。在圖9中，上面的公式(14)假設(shè)在光反射層4-2將波長為入_胃入的光束反射在記錄層3-2上時得到的光反射因數(shù)為0%。但事實上，這時得到的光反射因數(shù)不是0%，而是具有一定的光反射因數(shù)。因此，嚴格地說，需要修正公式(14)。在圖9中，如果在光反射層4-2已經(jīng)將波長為入_胃入的光束反射在記錄層3-2上時將光反射因數(shù)定義為R Xmax胃入，那么得到的將未記錄位置處光反射因數(shù)設(shè)為40%或更大的嚴格條件式為I-Ah405 X a_R 入 max write) ^ 0.4(15)在“ H-L”記錄層中，在很多情況下，(RAmx^a)彡0. 25，并且因此，公式(15)如下Ah405 彡 0. 8 (16)在依照本實施例的“H-L”記錄膜中，有條件地強制性地滿足公式(16)。已經(jīng)提供上面的公式(14)的特性，另外，已經(jīng)在記錄層3-2的膜厚度滿足公式(3)或公式(4)的條件下做出了詳細的光學薄膜設(shè)計，其中考慮了多種裕度，諸如膜厚度改變或再現(xiàn)光的波長改變。結(jié)果，已經(jīng)得到令人滿意的結(jié)果Ah405 ^ 0. 3 (17)假設(shè)公式(14)成立，當
Ah455 彡 0. 6 (18)或Ah355 彡 0. 6 (19)時，記錄/再現(xiàn)特性更穩(wěn)定。這是因為，在公式(14)成立時公式(14)至少滿足公式(18)和(19)中任何一個的情況下，在波長為355nm 405nm范圍內(nèi)或405nm 455nm范圍(偶爾在355nm 455nm范圍)內(nèi)，Ah的值變成0. 6或更小，并因此，即使記錄激光源(或再現(xiàn)激光源)的光發(fā)射波長發(fā)生波動，吸光率的值也不大幅度改變。作為本實施例中“ H-L”記錄膜的具體記錄原理，使用在已經(jīng)作為本實施例中“H-L”記錄膜的具體記錄原理被描述的“3-2-B]本實施例中有機染料記錄材料共同的基本特征”中[a]項中所列出的記錄機制中的“分子之間的陣列變化”或“分子中分子結(jié)構(gòu)變化”的現(xiàn)象。結(jié)果，如上面的(2)項中所述，光吸收光譜曲線發(fā)生變化。圖10中，本實施例中記錄刻記中的光吸收光譜曲線輪廓用實線表示，未記錄位置的光吸收光譜曲線使用虛線添加，由此可以對這些曲線進行比較。在本實施例中，記錄刻記中的光吸收光譜曲線比較寬地變化，并且可能發(fā)生分子中的分子結(jié)構(gòu)變化和發(fā)生碳原子的局部沉淀(煤焦油)。本實施 例的特征在于，記錄刻記中吸光率最大時的波長入1_的值比未記錄位置處的波長入_胃入的值更接近再現(xiàn)波長405nm。這樣，吸光率最高的波長\ Ifflax處的吸光率變得小于1，并且再現(xiàn)波長405nm處的吸光率Al4tl5的值變得大于Ah405的值。結(jié)果，記錄刻記中總的光反射因數(shù)降低。在本實施例中的H格式中，作為調(diào)制系統(tǒng)，使用ETM(8到12 8位數(shù)據(jù)代碼被轉(zhuǎn)換成12通道比持)和RLL(1，10)(在調(diào)制后的代碼串(code train)中，與12通道比特長度T相關(guān)的最小倒轉(zhuǎn)長度(invention length)為2T,并且最大倒轉(zhuǎn)長度為11T)。執(zhí)行稍后在“4-2)本實施例中再現(xiàn)電路的說明”中所描述的再現(xiàn)電路的性能評估時，為了通過再現(xiàn)電路穩(wěn)定地執(zhí)行再現(xiàn)，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)有必要滿足差值I11 E I1ih-Iul與I1ih之比為In/I11H 彡 0. 4(20)或優(yōu)選地，111/11111>0.2(21)，其中I1ih是來自具有足夠大長度(IlT)的未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號量，而Im是來自具有足夠大長度(IlT)的記錄刻記的再現(xiàn)信號量。在實施例中，在以高密度所記錄的信號再現(xiàn)時使用PRML方法，并使用圖15 17中所示的信號處理電路和狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖(稍后給出詳細說明)。為了依照PRML技術(shù)精確地執(zhí)行檢測，要求再現(xiàn)信號為線性。已經(jīng)基于圖17所示的狀態(tài)轉(zhuǎn)意圖分析了圖15和16所示的信號處理電路的特性，以便確保上述再現(xiàn)信號的線性。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，需要滿足在長度為3T的記錄刻記和來自未記錄間隔的重復信號的再現(xiàn)信號振幅被定義為I3時關(guān)于上述I11的比滿足I3/In 彡 0. 35 (22)或優(yōu)選地，I3/In > 0. 2(23)考慮上述公式(16)的條件，本實施例的技術(shù)特征在于已經(jīng)設(shè)置Al4tl5的值以滿足公式(20)和(21)。參照公式(16)，可得1-0. 3 = 0. 7 (24)考慮公式(24)，由與公式(20)的關(guān)系得出下列條件(Al405-O. 3) /0. 7)彡 0. 4，即
Al405 彡 0. 58 (25)公式(25)是從討論的非常不精確結(jié)果所得出的公式，并且只作為基本概念示出。由于Ah4tl5設(shè)置范圍是依照公式(16)給定的，在本實施例中，Al4tl5至少必須滿足條件Al405 > 0. 3 (26)作為用于選擇適合于特定“H-L”記錄層的有機染料材料的方法，選擇這樣的有機染料材料，對于該材料，在本實施例中，基于光學薄膜設(shè)計，未記錄狀態(tài)下的折射系數(shù)范圍是n32 = I. 3 2. 0 ;吸收系數(shù)范圍是k32 = 0. I 0. 2,理想值為n32 = I. 7 I. 9 ;吸收系數(shù)范圍是k32 = 0. 15 0. 17,并且滿足上述一系列條件。 在圖9或圖10所示的“H-L”記錄膜中，在未記錄區(qū)域的光吸收光譜中，雖然Xnix寫A的波長短于再現(xiàn)光或記錄/再現(xiàn)光的波長(例如405nm)，但入 胃入的波長可以長于再現(xiàn)光或記錄/再現(xiàn)光的波長(例如405nm)而不限于此。為了滿足以上公式(22)或公式(23)，記錄層3-2的厚度Dg受到影響。例如，如果記錄層3-2的厚度Dg明顯超過允許值，則記錄層3-2中只有與透明襯底2-2接觸的部分的光學特性被變成形成記錄刻記9之后的狀態(tài)，由此，所獲得的與其位置相鄰的光反射層4-2接觸的部分的光學特性的值與未記錄區(qū)域中的相等。結(jié)果，再現(xiàn)光量改變被降低，并且公式
(22)或公式(23)中的值I3被減小，并且無法滿足公式(22)或(23)的條件。因此，為了滿足公式(22)，如圖SB和SC所示，需要改變記錄刻記9中與光反射層4-2接觸的部分的光學特性。另外，如果記錄層3-2的厚度明顯超過允許值，則在記錄刻記形成時，在記錄層3-2中厚度方向上出現(xiàn)溫度梯度。于是，在達到記錄層3-2中與光反射層4-2接觸的部分處光學特性改變溫度之前，已經(jīng)超過了與透明襯底2-2接觸的部分的氣化(蒸發(fā))溫度，或在透明襯底2-2中超過了熱形變溫度。由于上述原因，在本實施例中，為了滿足公式(22)，基于熱分析的討論而將記錄層3-2的厚度Dg設(shè)為“3T”或更??；并且滿足公式(23)的條件是將記錄層3-2的厚度Dg設(shè)為“3X3T”或更小?；旧希谟涗泴?-2的厚度Dg等于或小于“3T”的情形中，雖然能滿足公式(22)，但在考慮由于一次性寫入型信息存儲介質(zhì)的表面運動或翹曲或與焦斑模糊相關(guān)的裕度而產(chǎn)生的傾斜效果的情況下，可以將厚度設(shè)為“T”。由于通過前述公式(I)和(2)所獲得的結(jié)果，本實施例中的記錄層3-2的厚度Dg被設(shè)置在要求的最小條件9T 彡 Dg 彡入 /8n32 (27)并且理想的條件是3T 彡 Dg 彡入 /4n32 (28)所指定的范圍內(nèi)。不限于此，最嚴格的條件可以被定義為T 彡 Dg 彡入 /4n32 (29)如稍后所述，通道比特長度T的值在H格式中為102nm，在B格式中為69nm 80nm。因此，在H格式中，3T的值為306nm，而在B格式中為207nm 240nm。H格式中9T的值為918nm，而在B格式中為621nm 720nm。這里，雖然已經(jīng)描述了“H-L”記錄膜，但也可以將公式(27) (29)的條件應(yīng)用于“L-H”記錄膜，不限于此。第4章記錄設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備和記錄條件/再現(xiàn)電路的說明4-1)本實施例中再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)和特性的說明
圖11示出信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備的一個實施例中的結(jié)構(gòu)說明。在圖11中，控制單元143的上側(cè)主要是用于信息存儲介質(zhì)的信息記錄控制系統(tǒng)。在這個信息再現(xiàn)設(shè)備的實施例中，不包含圖11中信息記錄控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)對應(yīng)于以上結(jié)構(gòu)。在圖11中，粗實線箭頭表示指定再現(xiàn)信號或記錄信號的主信息的流；細實線箭頭表示信息流；點劃線箭頭表示參考時鐘線；虛線指示命令指示方向。

光學頭(未示出)被設(shè)置在圖11所示的信息記錄/再現(xiàn)單元141中。在本實施例中，雖然光學頭中所使用的光源(半導體激光)的波長為405nm，但本實施例不限于此，并且如前所述，可以使用使用波長等于或小于620nm或530nm的光源、或355nm 455nm范圍的光源。另外，光學頭中可以包括兩個用來將上述波長的光束聚焦到信息存儲介質(zhì)上的物鏡。在對H格式的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行記錄/再現(xiàn)操作的情形中，使用NA值為0. 65的物鏡。提供了一種結(jié)構(gòu)，使得在對B格式的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行記錄/再現(xiàn)操作的情形中，使用NA=0. 85的物鏡。作為光入射到物鏡直接之前的入射光強度分布，中心強度被設(shè)為I時(在孔徑的邊界位置)物鏡外圍區(qū)域處相對強度被稱為“RM強度”。H格式中RIM強度的值被設(shè)置在55% 70%范圍內(nèi)。此時,對于使用波長入，光學上將光學頭中波面偏差量(wavesurface aberration amount)設(shè)計為 0. 33 入(0. 33 入或更小)。在本實施例中，部分響應(yīng)最大似然(PRML)被用于信息再現(xiàn)以實現(xiàn)信息存儲介質(zhì)的高密度(圖1，[A]點)。作為多次測試的結(jié)果，在將PR(1，2，2，2，I)用作要使用的PR類(class)時，可以增加線密度，并且在已經(jīng)發(fā)生諸如聚焦模糊或軌道偏移這樣的伺服校正誤差(servo correction error)時,可以提高再現(xiàn)信號的可靠性(即，可以提高解調(diào)可靠性)。因此，在本實施例中，使用PR(1，2，2，2，1)(圖1，點[A])。在本實施例中，調(diào)制后的通道比特模式(pattern)依照(d, k ；m, n)調(diào)制規(guī)則(在上述方法中，這表示m/n調(diào)制的RLL(d，k))被記錄在信息存儲介質(zhì)中。特別地，用于將8位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為12位(m = 8，n = 12)的ETM (8到12調(diào)制)被用作為調(diào)制系統(tǒng)，并且必須滿足RLL(1，10)的條件，其中具有連續(xù)“0”的最小值被定義為d= 1，并且最大值被定義為k= 10，作為運行長度受限(run length limited) RLL限制，用于對調(diào)制后通道比特模式中“0”之后的長度的應(yīng)用限制。在本實施例中，為了實現(xiàn)信息存儲介質(zhì)的高密度，通道位隙(channel bit gap)減到最小。結(jié)果，例如，在已經(jīng)在信息存儲介質(zhì)中已經(jīng)記錄了模式“ 101010101010101010101010”模式，即d= I的模式的重復之后，在信息記錄/再現(xiàn)單元141中再現(xiàn)數(shù)據(jù)的情形中，數(shù)據(jù)接近具有再現(xiàn)光學系統(tǒng)的MTF特性的關(guān)閉頻率(shutdown frequency),并且因此，再現(xiàn)的原始信號(raw signal)的信號振幅以幾乎被噪聲隱藏(hidden)的形狀被形成。因此，部分響應(yīng)最大似然(PRML)技術(shù)被用作為用于再現(xiàn)已經(jīng)密集到MTF特性的極限(截止頻率)附近的記錄刻記或凹坑的方法。也就是說，從信息記錄/再現(xiàn)單元141所再現(xiàn)的信號通過PR均衡器電路130接收再現(xiàn)波形糾正。通過將通過PR均衡器電路130后的信號按照從參考時鐘生成電路160所發(fā)送的參考時鐘198的定時轉(zhuǎn)換成數(shù)字量，來對已經(jīng)通過PR均衡器電路130的信號進行采樣；通過AD轉(zhuǎn)換器169將經(jīng)過采樣的信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)；在維特比(Viterbi)解碼器156中執(zhí)行維特比解碼處理。將經(jīng)過維特比解碼處理的數(shù)據(jù)作為與傳統(tǒng)限幅電平(slice level)處的ニ進制數(shù)據(jù)完全相似的數(shù)據(jù)進行處理。在已經(jīng)使用PRML技術(shù)的情形中，如果通過AD轉(zhuǎn)換器169所獲得的采樣定時發(fā)生轉(zhuǎn)移，那么經(jīng)過維特比解碼后的數(shù)據(jù)的誤差率増加。因此，為了提高采樣定時的精確性，依照本實施例的信息再現(xiàn)設(shè)備或信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備特別地具有另ー采樣定時采樣電路(施密特觸發(fā)ニ進制化電路(Schmidt trigger binarizing circuit) 155 和 PLL 電路 174 的組合)。該施密特觸發(fā)電路155具有用于ニ進制化的分界參考電平處特定值(實際ニ極管的前向電壓值)，并且其特征在于只在已經(jīng)超過特定寬度時才提供ニ進制化。因此，例如，如上所述，在已經(jīng)輸入“ 101010101010101010101010”模式的情形中，信號振幅非常小，并且因此不發(fā)生ニ進制化的切換。在例如已經(jīng)輸入比上述模式更罕見片斷(fraction)模式“1001001001001001001001”模式的情形中，再現(xiàn)原始信號的振幅増大，并且因此，依照定時“I”通過施密特觸發(fā)ニ進制化電路155進行ニ進制信號的極性轉(zhuǎn)換。在本實施例中，使用NRZI (不歸零反向Non Return to Zero Invert)技術(shù)，并且上述模式的“ I ”位置與記錄刻記或凹坑的邊緣部分(邊界部分)一致。PLL電路174檢測作為該施密特觸發(fā)ニ進制化電路155的輸出的ニ進制信號與參考時鐘生成電路160所發(fā)送的參考時鐘198的信號之間的頻率和相位的偏移，以改變PLL電路174的輸出時鐘的頻率和相位。通過使用該PLL電路174的輸出信號，并解碼維特比解碼器156中關(guān)于維特比解碼器156和路徑度量(path metric)存儲器中收斂長度(關(guān)于(到收斂的距離)的信息)的特性信息，參考時鐘生成電路160將反饋施加到參考時鐘198的(頻率和相位)，以便降低維特比解碼后的誤差率，盡管圖中沒有明確示出。將該參考時鐘生成電路160所生成的參考時鐘198用作在再現(xiàn)信號處理時的參考定時。同步碼位置采樣單元145用來檢測共存在維特比解碼器156的輸出數(shù)據(jù)序列中的同步代碼的存在和位置，并對上述輸出數(shù)據(jù)的起始位置進行采樣。將該起始位置定義為基準時，解調(diào)電路152對臨時存儲在移位寄存電路170中的數(shù)據(jù)進行解調(diào)處理。在本實施例中，上述臨時存儲的數(shù)據(jù)在12通道逐位的基礎(chǔ)上參考記錄在解調(diào)轉(zhuǎn)換表記錄單元154中的轉(zhuǎn)換表被返回到其原始位模式。然后，ECC解碼電路162執(zhí)行糾錯處理，并且解擾電路159執(zhí)行解擾。地址信息預先通過擺動調(diào)制被記錄在依照本實施例的記錄型(可重寫型或一次性寫入型)信息存儲介質(zhì)中。擺動信號檢測單元135再現(xiàn)該地址信息(即，判斷擺動信號的內(nèi)容)，并給控制単元143提供對于提供對期望位置的存取所需的信息。下面將介紹在控制單元143的上側(cè)所提供的信息記錄控制系統(tǒng)。在從數(shù)據(jù)ID生成単元165依照信息存儲介質(zhì)上的記錄位置而已經(jīng)生成數(shù)據(jù)ID信息后，在CPR_MAI數(shù)據(jù)生成単元167生成復制控制信息吋，關(guān)于數(shù)據(jù)ID、IED、CPR_MAI和EDC的多種信息被添加到要被數(shù)據(jù)ID、IED、CPR_MAI和EDC添加単元168記錄的信息中。在被添加的信息已經(jīng)被解擾電路157解擾之后，ECC編碼電路161形成ECC塊，并且ECC塊被調(diào)制電路151轉(zhuǎn)換為通道比特模式。同步碼生成/添加単元146添加同步碼，并且數(shù)據(jù)被記錄在信息記錄/再現(xiàn)單元141中的信息存儲介質(zhì)中。在進行調(diào)制吋，DSV(數(shù)字和值Digital Sum Value)計算單元148順序計算調(diào)制后的DSV值，并且順序計算的值被反饋給調(diào)制后的代碼變換。圖12示出包含圖11所示同步碼位置檢測單元145的外圍部分的詳細結(jié)構(gòu)。同步碼包括同步位置檢測代碼部分和具有固定模式的可變代碼部分。根據(jù)來自維特比解碼器的通道比特模式輸出，同步位置檢測代碼檢測器単元182檢測具有上述固定模式的同步位置 檢測代碼部分?？勺兇a傳輸單元183和184對在被檢測位置之前或之后存在的可變代碼上的數(shù)據(jù)進行采樣，并判斷同步代碼位于扇區(qū)中哪個同步幀中，其中用于檢測具有上述固定模式的同步位置的識別單元185檢測同步碼。記錄在信息存儲介質(zhì)上的用戶信息按照移位寄存器電路170、解調(diào)電路152中的解調(diào)處理単元188、和ECC解碼電路162的順序被順
序傳輸。在本實施例中，在H格式中，通過使用用于數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)、和數(shù)據(jù)導出區(qū)中再現(xiàn)的PRML系統(tǒng)實現(xiàn)信息存儲介質(zhì)的高密度(特別地，提高線密度)。另外，通過使用用于系統(tǒng)導入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導出區(qū)中再現(xiàn)的限幅電平檢測系統(tǒng)保證與當前DVD的兼容性，并保證再現(xiàn)穩(wěn)定性。(詳細說明將在“第7章H格式說明”中給出。) 4-2)本實施例中的再現(xiàn)電路的說明圖13示出使用在系統(tǒng)導入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導出區(qū)中進行再現(xiàn)時所使用的限幅電平檢測系統(tǒng)的信號再現(xiàn)電路的實施例。圖13中的正交光學檢測器(quadrature optical detector) 302被安裝到存在于圖11所示信息記錄/再現(xiàn)單元141中的光學頭中。在下文中，已經(jīng)對從正交光學檢測器302的光學檢測單元(optical detecting cell) la、lb、Ic和Id所獲得的檢測信號取和的信號被稱為“引導通道(lead channel) I信號”。圖13中從前置放大器304到限制器(slicer) 310對應(yīng)于圖11中限幅電平檢測電路132中的詳細結(jié)構(gòu)。在信號通過高通濾波器306之后，預均衡器308對從信息存儲介質(zhì)所獲得的再現(xiàn)信號進行波形均衡處理，其中高通濾波器濾掉低于再現(xiàn)信號頻帶寬度的頻率分量。根據(jù)測試，發(fā)現(xiàn)該預均衡器308通過使用7抽頭均衡器將電路尺寸最小化，并能夠精確地檢測再現(xiàn)信號。因此，在本實施例中，使用7抽頭均衡器。圖13中的VFO電路/PLL 312與圖11中的PLL電路174相對應(yīng)；圖13中的解調(diào)/ECC解碼電路314與圖11中的解碼電路152和ECC解碼電路162相對應(yīng)。圖14示出圖13中的限制器電路的詳細結(jié)構(gòu)。通過使用比較器316生成限幅之后的ニ進制信號。響應(yīng)于ニ進制化后ニ進制數(shù)據(jù)的反向信號，在ニ進制化時設(shè)置在限幅電平處。在本實施例中，該低通濾波器的截止頻率被設(shè)為5KHz。當該截止頻率高時，限幅電平變化快，并且低通濾波器受到噪聲影響。相反，如果截止頻率低，則限幅電平響應(yīng)慢，并且因此，濾波器受到信息存儲介質(zhì)上灰塵或劃痕的影響?？紤]到前述RLL(1，10)與通道比特的參考頻率之間的關(guān)系，將截止頻率設(shè)為5KHz，。圖15示出使用用于數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)、和數(shù)據(jù)導出區(qū)中信號再現(xiàn)的PRML檢測技術(shù)的信號處理器電路。圖15中的正交光學檢測器302被安裝到光學頭中，其中光學頭位于圖11所示的信息記錄/再現(xiàn)單元141中。在下文中，用“引導通道I信號”表示已經(jīng)對從正交光學檢測器302的光學檢測單元la、lb、lc和Id所獲得的檢測信號取和的信號。圖11中PR均衡器電路130中的詳細結(jié)構(gòu)包括圖15中從前置放大器304到抽頭控制器332、均衡器330、和偏置消除器(offset canceller) 336的電路。圖15中的PLL電路334是PR均衡器電路130的一部分，并且表示除施密特觸發(fā)ニ進制化電路155之外的元件。圖15中高通濾波器306的初級截止頻率(primary cutoff frequency)被設(shè)為lKHz。預均衡器電路308以與圖13中相同的方式使用7抽頭均衡器(因為7抽頭均衡器的使用將電路尺寸最小化并能夠精確檢測再現(xiàn)信號)。A/D轉(zhuǎn)換器電路324的采樣時鐘頻率被設(shè)為72MHz，并且產(chǎn)生數(shù)字輸出作為8位輸出。在PRML檢測技術(shù)中，如果再現(xiàn)信號受到其整個信號的電平改變(直流偏置)的影響，那么在進行維特比解調(diào)時可能出現(xiàn)錯誤。為了消除這種影響，提供了通過使用從均衡器輸出所獲得的信號的偏置消除器336來校正偏置的結(jié)構(gòu)。在圖15所示的實施例中，在PR均衡器電路130中執(zhí)行自適應(yīng)均衡處理。因此，通過利用維特比解碼器156的輸出信號，利用用于自動校正均衡器330中抽頭系數(shù)的抽頭控制器。圖16示出圖11或15所示維特比解碼器156的結(jié)構(gòu)。通過分支度量計算單元(branch metric calculating unit) 340計算關(guān)于響應(yīng)于輸入信號能夠預測的所有分支的分支度量，并且所計算的值被發(fā)送到ACS 342。ACS 342是相加比較選擇(Add CompareSelect)的首字母縮寫,其計算通過響應(yīng)于可以在ACS 342中預測的姆次通過(pass)而將分支度量相加所獲得的路徑度量，并將計算結(jié)果發(fā)送到路徑度量存儲器350。此時，在ACS342中，對包含在路徑度量存儲器350中的信息執(zhí)行計算處理。路徑存儲器346暫時存儲與每個路徑(轉(zhuǎn)換)狀態(tài)相對應(yīng)的路徑度量的值和這樣的每個路徑，其中所述路徑(轉(zhuǎn)換)狀態(tài)和每個路徑可以在存儲器346中預測，所述值由ACS 342計算。輸出切換單元348比較與每個路徑相對應(yīng)的路徑度量，并在路徑度量最小時選擇路徑。 圖17示出本實施例中PR(1，2，2，2，I)類中的狀態(tài)變化?？梢允箍梢栽赑R(1，2，2，2,1)類中得到的狀態(tài)的變化只如圖17所示的變化，并且在維特比解碼器156中基于圖17中的轉(zhuǎn)換圖識別可以在解碼時存在(可以預測)的路徑。4-3)本實施例中記錄條件的說明“3-3)本實施例中有機染料記錄膜共同的記錄特性”中已經(jīng)對本實施例中的“最佳記錄功率(峰值功率)”進行了說明。下面將參照圖18，對在檢查最佳記錄功率時所使用的記錄波形(記錄時的曝光條件)進行說明。記錄時的曝光級別有記錄功率(峰值功率)、偏置功率I、偏置功率2、偏置功率3四個級別。在形成長(4T或更長)記錄刻記9吋，以記錄功率(峰值功率)和偏置功率3之間多脈沖的形式執(zhí)行調(diào)制。在本實施例中，在任何H格式和B格式系統(tǒng)中，獲得與通道比特長度T相關(guān)的最小刻記長度為2T。在記錄該2T最小刻記的情形中，如圖18所示，使用偏置功率I后的記錄功率(峰值功率)的ー個寫脈沖，并且在寫入脈沖之后立即臨時獲得偏置功率2。在記錄3T記錄刻記9的情形中，在曝光兩個寫入脈沖、偏置功率I之后記錄功率(峰值功率)等級的第一脈沖和最后ー個脈沖后，臨時使用偏置功率2。在記錄長度為4T或更長的記錄刻記9情形中，在多脈沖和寫入脈沖曝光后使用偏置功率2。圖18中的垂直虛線表示通道時鐘周期。在記錄2T最小刻記的情況下，激光功率在從時鐘邊緣延遲Tsfp的位置處上升，并在從后續(xù)時鐘邊緣向后Tap的位置處下降。激光功率被設(shè)為偏置功率2的周期被定義為し。Tsfp、Teuj、和Tlc的值被記錄在包含在稍后在H格式的情形中所描述的控制數(shù)據(jù)區(qū)CDZ中的物理格式信息PFI中。在形成3T或更長記錄刻記的情形中，激光功率在從時鐘邊緣延遲Tsfp的位置處上升，并最后，以最后ー個脈沖結(jié)束。在最后ー個脈沖之后，激光功率立即在!Y。期間保持在偏置功率2。從時鐘邊緣到最后ー個脈沖的上升/下降定時的偏移時間被定義為TSU)、TEU>。另外，從時鐘邊緣到最后ー個脈沖的下降定時的偏移時間被定義為Tefp，并且進ー步，多脈沖的單脈沖的間隔被定義為Tmp。如圖19所示，時間間隔Teuj-TsfpJmpJeuj-Tsuj和！Y。中每ー個被定義為最大值的半值寬度。另外，在本實施例中，上述參數(shù)設(shè)置范圍被限定為0. 25T く Tsfp く I. 50T (30)0. OOT く Telp く I. OOT (31)I. OOT ^ Tefp 彡 I. 75T (32)-0. IOT く Tslp く I. OOT (33)
0. OOT ( Tlc ( I. OOT (34)0. 15T ^ Tmp ^ 0. 75T (35)另外，在本實施例中，如圖20A、20B和20C所示，上述參數(shù)的值可以根據(jù)記錄刻記長度(記號長度)和直接相鄰在前/直接相鄰在后空間長度(導引/抱尾(Leading/Trailing)空間長度)而改變。如“ 3_3)本實施例中有機染料記錄膜共同的記錄特性”部分中所述，圖21A、21B和21C分別示出在已經(jīng)檢查用本實施例所示記錄原理記錄的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)的最佳功率時的參數(shù)值。此時，偏置功率I、偏置功率2和偏置功率3的值為2. 6mW、I. 7mff和I. 7mff,而再現(xiàn)功率是0. 4mW。
第5章本實施例中“L-H”記錄膜的特性的說明下面將對具有其中記錄刻記中的光反射量比未記錄區(qū)中的高這ー特性的“ L-H”記錄膜進行說明。根據(jù)“3-2-B]本實施例中有機染料記錄膜共同的基本特性”中描述的記錄原理，在使用該記錄膜的情況下的記錄原理主要使用以下任何特性-顯色特性改變；-關(guān)于造成顯色現(xiàn)象(退色反應(yīng)等)的元素的電子結(jié)構(gòu)(電子軌道)改變；和-分子之間的陣列改變，以及光吸收光譜的改變特性?！癓-H”記錄膜的特征在干，已經(jīng)鑒于具有單面雙層結(jié)構(gòu)的只讀型信息存儲介質(zhì)的特性指定了未記錄位置和記錄位置中的反射量范圍。圖22示出依照本實施例的“ L-H”記錄膜和“ H-L”記錄膜的未記錄區(qū)域(非記錄部分)中光反射因數(shù)范圍。在本實施例中，指定了“H-L”記錄膜的非記錄部分處反射因數(shù)的下限值S，使其高于“L-H”記錄膜的非記錄部分處的上限值Y。當將上述信息存儲介質(zhì)安裝到信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備或信息再現(xiàn)設(shè)備上時，通過圖11所示的限幅電平檢測單元132或PR均衡器電路130測量非記錄部分的光反射因數(shù)，由此可以判斷膜是“H-L”記錄膜還是“L-H”記錄膜，并因此可以很容易地判斷記錄膜類型。當“H-L”記錄膜的非記錄部分處下限值S與“L-H”記錄膜的非記錄部分處上限值Y之間的光反射因數(shù)a被設(shè)置在32% 40%范圍內(nèi)吋，在改變的生產(chǎn)條件下制造“H-L”記錄和“L-H”記錄膜時執(zhí)行測量。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，獲得記錄膜的高制造性能，并促進了介質(zhì)成本的降低。在使“L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)的光學反射因數(shù)范圍801與只讀型信息存儲介質(zhì)中單面雙記錄層的光反射因數(shù)范圍803 —致之后，在“ H-L”記錄膜的非記錄部分(“H”部分)的光反射因數(shù)范圍802與只讀型信息存儲介質(zhì)中單面單層的光反射因數(shù)范圍804 —致時，可以共用使用信息再現(xiàn)設(shè)備的再現(xiàn)電路，以便很好地與只讀型信息存儲介質(zhì)兼容，并且因此，可以廉價地制造信息再現(xiàn)設(shè)備。在多種改變的生產(chǎn)條件下制造“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜時已經(jīng)執(zhí)行了測量，以便幫助在提高記錄膜的生產(chǎn)性能的同時降低介質(zhì)的價格。結(jié)果，“L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)的光反射因數(shù)的下限值P被設(shè)為18%，上限值Y被設(shè)為32% ；并且“H-L”記錄膜的非記錄部分(“H”部分)的光反射因數(shù)的下限值8被設(shè)為40%，上限值e被設(shè)為85%。圖23和24示出本實施例中多種記錄膜中非記錄位置和記錄位置處的反射因數(shù)。在已經(jīng)使用H格式(參照“第7章H格式的說明”)的情形中，如圖22所示，指定非記錄部分處光學反射因數(shù)范圍，由此，在溝槽電平(groove level)被定義為基準時，在“L_H”記錄膜中凸點(emboss)區(qū)域(諸如系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI)和記錄刻記區(qū)(數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI，數(shù)據(jù)導出區(qū)DTLD0，或數(shù)據(jù)區(qū)DTA)中相同方向上出現(xiàn)信號。同樣，在“H-L”記錄膜中，在溝槽電平被定義為基準時，在凸點區(qū)域(諸如系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYSDI)和記錄刻記區(qū)(數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI，數(shù)據(jù)導出區(qū)DTLDO，或數(shù)據(jù)區(qū)DTA)中相反方向上出現(xiàn)信號。利用這ー現(xiàn)象，除了“ L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜之間記錄膜識別的使用外，還促進了對應(yīng)于“L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜的檢測電路設(shè)計。另外，從記錄在本實施例所示“L-H”記錄膜上的記錄刻記所獲得的再現(xiàn)信號特性被調(diào)整以符合從“H-L”記錄膜所獲得的信號特性滿足公式(20) (23)。這樣，在使用“L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜中任意之一的情形中，可以使用相同的信號處理電路，并且信號處理電路可以被簡化，并且價格降低。下面將參照圖90A 92，對與表示圖22 24所示“L-H”記錄膜與“H-L”記錄膜之間光反射率關(guān)系的實施例相關(guān)的另一實施例做出說明。在本實施例中，如圖8所示， 預刻溝槽區(qū)11的寬度Wg被設(shè)置為大于岸臺區(qū)12的寬度Wl。這樣，如圖90B所示，當在預刻溝槽區(qū)11 (數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI，數(shù)據(jù)區(qū)DTA，或數(shù)據(jù)導出區(qū)DTLD0)上執(zhí)行跟蹤時，來自預刻溝槽區(qū)11的信號電平(lot)溝槽增加。下面將參照圖90A，給出檢測信號(及其信號檢測電路)的說明。通過準直鏡1122使從半導體激光器1121所發(fā)射的激光束1117成為平行光束。于是，在所得到的光束已經(jīng)穿過分束器1123之后，光束通過物鏡1128聚焦在信息記錄介質(zhì)1101的預刻溝槽區(qū)1111上。信息記錄介質(zhì)1101的預刻溝槽區(qū)1111中所反射的光束在再次穿過物鏡1128之后通過分束器1123被反射；反射的光束穿過聚焦透鏡1124 ;并且光束被照射到光學檢測器1125上。光學檢測器1125具有光學檢測單元1125-1和光學檢測單元1125-2。從光學檢測單元1125-1檢測Il信號，而從光學檢測單元1125-2檢測12信號。在圖82所示的檢測信號(及其檢測電路)中，取Il和12之間的差，并且獲得軌道偏移檢測信號。在圖90A所示的檢測信號(及其信號檢測電路中)，通過借助于加法器1126將Il和12信號相加，檢測(11+12)信號。圖90B示出通過(11+12)檢測的信號波形。圖90B示出當由圖90A所示的光學頭的物鏡1128所引起的焦斑已經(jīng)照射到信息存儲介質(zhì)1101上每個區(qū)域上時再現(xiàn)信號的檢測信號電平。如圖35C所示，在依照本實施例的一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI內(nèi)側(cè)被構(gòu)造為凸坑(emboss pit)區(qū)211，并且到處都形成凸坑。因此，在系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中，可以如圖90B所示從凸坑獲得再現(xiàn)信號。這里，系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的最高檢測信號電平被定義為I11HP。在本實施例中，如上所述，通過使用利用光學頭所檢測的檢測信號電平定義“光反射因數(shù)”。首先，入射光量Io的平行激光束照射到?jīng)]有諸如預刻凹坑或預刻溝槽這樣的不規(guī)則體的信息存儲介質(zhì)1101的特定區(qū)域；測量從信息存儲介質(zhì)1101所反射的平行激光束的反射光量Ik ;并且將Rs = IrZi0的值用作為光反射因數(shù)Rs的參考。因此，不使用光學頭所測量的值被定義為校準光反射因數(shù)Rs。下一歩，將通過使用光學頭在其預定區(qū)域內(nèi)檢測到的檢測信號定義為反射光功率Ds，并且將Rs/Ds的值用作為用于從利用光學頭在信息存儲介質(zhì)1101的每個位置處所檢測到的檢測信號電平轉(zhuǎn)換為“光反射因數(shù)”的轉(zhuǎn)換系數(shù)。即，當已經(jīng)在圖90A所示的光學頭上再現(xiàn)上述預定區(qū)域時，來自加法器1126的檢測信號電平輸出被測量作為反射光功率Ds。例如，光學頭移動到系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中，并且測量加法器1126的所獲得檢測信號電平中的最高檢測信號電平IllHP。(Rs/Ds) XIllHP的值被定義為作為系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中反射因數(shù)的I11HP。
本實施例的特征在于 指定信息記錄介質(zhì)的反射因數(shù)，使得“H-L”記錄膜的系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI的光反射因數(shù)在16% 32%的范圍內(nèi)。如圖35C所示，與形成于凸點區(qū)域211上的系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI相鄰地存在形成于鏡面(mirror face) 210上的連接區(qū)CNA。在借助于圖90A所示光學頭的物鏡1128所聚焦的焦斑已經(jīng)移動到連接區(qū)CNA吋，由于不存在凸坑，所以光反射因數(shù)在各處都是統(tǒng)ー的檢測信號電平。下一歩，存在與連接區(qū)CAN相鄰的數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI，并且存在數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI和數(shù)據(jù)區(qū)DTA、以及數(shù)據(jù)導出區(qū)DTLDO的預刻溝槽區(qū)214(圖35C)中的預刻溝槽。在該預刻溝槽區(qū)214中，當軌道循環(huán)(track loop)為開(ON)時，生成檢測信號電平為圖90B所示的(lot)溝槽電平。在已經(jīng)在該預刻溝槽上形成記錄刻記的情形中，“H-L”記錄膜中記錄刻記位置中的光反射量降低。因此，如圖90B所示，記錄膜的檢測信號電平低于(lot)溝槽電平。已經(jīng)記錄該記錄刻記的區(qū)域中的最高檢測信號電平被定義為I11HM。該預刻溝槽區(qū)214中的光反射因數(shù)也以與前述相同的方式被定義為(Rs/Ds) XI11HM。在本實施例中，在“H-L”記錄膜中形成記錄刻記的位置中的光反射因數(shù)被指定在14% 28%的范圍內(nèi)。另外，本實施例中“H-L”記錄膜的未記錄區(qū)域中系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射量(lot)溝槽與反射因數(shù)IllHP的比(lot)溝槽/IllHP被指定為高電平，以被包括在0.5 1.0的范圍內(nèi)。如圖8B和8C所示，本實施例具有這樣的主要技術(shù)特征，即溝槽區(qū)11的寬度Wg比岸臺區(qū)12的寬度Wl窄，從而如圖90B所示，提高了(lot)溝槽電平。另外，特別地，在“H-L”記錄膜中，如圖8B和8C所示，記錄層3-2的厚度Dg增加，由此減少了溝槽與岸臺之間的步進差量。通過這樣的方式，(lot)溝槽電平被提高，使得(lot)溝槽/IIIHP的值為50%或更多。結(jié)果，可以很大地取來自記錄在溝槽區(qū)11中的記錄刻記的光反射量I11HM，并且來自溝槽區(qū)1111上記錄刻記的檢測信號振幅増大?，F(xiàn)在，將參照圖91A和91B，對“L-H”記錄膜中的檢測信號電平做出說明。圖91A所示的光學頭結(jié)構(gòu)和檢測信號(信號檢測方法和檢測電路)與圖90A中所示相同。與“H-L”記錄膜的情形一祥，“ L-H”記錄膜的系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射量被定義為(Rs/Ds) XIllHP0在本實施例中，“L-H”記錄膜的系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射因數(shù)被指定在14% 28%范圍內(nèi)。在“ L-H”記錄膜中，圖8B和8C所示的預刻溝槽區(qū)11和岸臺區(qū)12的記錄膜3-2的厚度Dg和Dl相對較小。因此，當未記錄區(qū)中軌道循環(huán)為ON吋，預刻溝槽區(qū)214的未記錄區(qū)中的檢測信號電平(lot)溝槽比圖90B所示的“H-L”記錄膜中的低。因此，在本實施例中，數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA或數(shù)據(jù)導出區(qū)DTLDO中未記錄位置處預刻溝槽區(qū)214上的光反射量(lot)溝槽的比(lot)溝槽/IllHP被設(shè)置為比“H-L”記錄膜的低，以被包括在40% 80%范圍內(nèi)。在“ L-H”記錄膜中，記錄刻記中的光反射因數(shù)增加得比未記錄區(qū)的反射因數(shù)更顯著，因此產(chǎn)生如圖SB所示的再現(xiàn)信號波形。同樣，在圖91B中，對于光反射量，用使用來自記錄刻記的再現(xiàn)信號的最高檢測信號電平IllHM的(Rs/Ds) XIllHM來指定反射因數(shù)。在本實施例中，“ L-H”記錄膜中的反射因數(shù)在14% 28%范圍內(nèi)。圖92共同地示出圖90A 91B所示“L_H”記錄膜和“H_L”記錄膜中的檢測信號電平。本實施例的特征在于，指定系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射因數(shù)范圍以在“L_H”記錄膜和“ H-L”記錄膜中部分重疊。在圖92所示的系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的“ H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜之間的光反射因數(shù)中存在重疊部分a。在本實施例中，該區(qū)域中的光反射因數(shù)在16%和28%之間。在本實施例中，通過用于在系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中在“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜之間重疊反射因數(shù)范圍的方法，通過控制每個記錄層3-2的光學特性，形成系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中“ H-L”記錄膜和“ L-H”記錄膜之間反射因數(shù)的重疊部分。另外，在本實施例中，如圖92所示，當在數(shù)據(jù)導入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA、或數(shù)據(jù)導出區(qū)DTLDO中軌道循環(huán)為ON時，也提供光反射因數(shù)范圍的重疊部分P。該重疊部分的主要特征在于，如圖90B所示，“ H-L”記錄膜中未記錄區(qū)中的(lot)溝槽電平被設(shè)置為高于圖91B所示“ L-H”記錄膜中未記錄區(qū)中的檢測信號電平(lot)溝槽的信號電平，從而存在兩個光反射因數(shù)的重疊部分@。特別地，如圖8B和8C所示，在“H-L”記錄膜中，記錄層3-2的膜厚度Dg和Dl被設(shè)置為比“ L-H”記錄膜中的大。結(jié)果，“ H-L”記錄膜中光反射層4-2中的步進差Hr比“ L-H”記錄膜中的小。結(jié)果，“H-L”記錄膜中未記錄區(qū)的檢測信號電平(lot)溝槽變高。在本實施例中，如圖92所示，在軌道循環(huán)為ON時，在“H-L”記錄膜中和“L-H”記錄膜中，光反射因數(shù)范圍相互一致，從而使數(shù)據(jù)區(qū)DTA等中“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜之間的光反射因數(shù)中 的重疊部分P最大。另外，在本實施例中，在a部分與0部分之間存在光反射因數(shù)重疊的Y部分，其中在a部分，系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射因數(shù)相互重疊，在P部分，數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的光反射因數(shù)相互重疊。在依照本實施例的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備或信息再現(xiàn)設(shè)備中，如圖13或15所示，通過使用相同的前置放大器電路304檢測系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中的再現(xiàn)信號和數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的再現(xiàn)信號。在光反射因數(shù)在5% 50%范圍內(nèi)時，前置放大器電路304可以穩(wěn)定地檢測檢測信號的最大值電平。因此，所有光反射因數(shù)的范圍都依照前置放大器電路304的特性被設(shè)置在5% 50%范圍內(nèi)。結(jié)果,通過使用ー個前置放大器,可以在系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI和數(shù)據(jù)區(qū)DTA中檢測信號，由此可以降低信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備或信息再現(xiàn)設(shè)備的成本。在本實施例中，如圖92所示，通過增加系統(tǒng)導入?yún)^(qū)SYLDI中光反射因數(shù)重疊的a部分與數(shù)據(jù)區(qū)DTA中光反射因數(shù)重疊的P部分之間的光反射因數(shù)重疊的Y部分，可以通過前置放大器電路304穩(wěn)定地檢測信號。在本實施例中，如圖SB和SC所示，預刻溝槽區(qū)11的寬度Wg大于岸臺區(qū)12的寬度W1，并且檢測信號電平(lot)溝槽從諸如數(shù)據(jù)區(qū)DTA內(nèi)部這樣的未記錄區(qū)中的溝槽被降低，由此加寬a部分與P部分之間光反射因數(shù)重疊部分Y。下面對關(guān)于圖22、23和24所示的“H_L”記錄膜和“L_H”記錄膜中光反射因數(shù)的另ー實施例做出說明。圖92示出依照與圖22相對應(yīng)的另ー實施例的光反射因數(shù)。圖90和91示出與圖23所示實施例相對應(yīng)的另ー實施例。5-2)關(guān)于本實施例中“L-H”記錄膜的光吸收光譜的特性如“3-4)關(guān)于本實施例中“H-L”記錄膜的特性的說明”中所述，未記錄區(qū)中的相對吸光率基本上低于“H-L”記錄膜中的，并且因此，當在再現(xiàn)時已經(jīng)用再現(xiàn)光照射時，發(fā)生通過吸收再現(xiàn)光的能量所產(chǎn)生的光學特性變化。即使在再現(xiàn)光的能量已經(jīng)在具有高吸光率的記錄刻記中被吸收之后光學特性(記錄動作的更新)已經(jīng)改變時，來自記錄刻記的光反射因數(shù)也被降低。因此，由于這種改變在再現(xiàn)信號的再現(xiàn)信號(I11 E I1ih-Iul)振幅増大的方向上產(chǎn)生作用，所以再現(xiàn)信號處理受到的影響較小。與此不同，“ L-H”記錄膜具有以下光學特性“未記錄區(qū)的光反射因數(shù)比記錄刻記中的低”。這意味著，如關(guān)于圖2B的描述內(nèi)容中顯而易見的那樣，未記錄部分的吸光率高于記錄刻記中的。因此，與“H-L”記錄膜相比，在“L-H”記錄膜中，可能出現(xiàn)再現(xiàn)時的信號衰減。如“3-2-B]本發(fā)明中有機染料記錄材料共同的基本特性”中所述，需要提高在由于紫外線或再現(xiàn)光照射而已經(jīng)引發(fā)再現(xiàn)信號衰減的情形中再現(xiàn)信息的可靠性。詳細檢查有機染料記錄材料的特性后發(fā)現(xiàn)，吸收再現(xiàn)光的能量以引起光學特性改變的機制與因紫外線照射而引起的光學特性改變的機制基本相同。結(jié)果，如果在未記錄區(qū)中提供用于提高紫外線照射的持久性的結(jié)構(gòu)，則幾乎不出現(xiàn)再現(xiàn)時的信號衰減。因此，本實施例的特征在于，在“L-H”記錄膜中，入_胃入(最接近記錄光波長的最大吸收波長)的值比記錄光或再現(xiàn)光的波長(接近405nm)長。通過這種方式，可以降低與紫外線相關(guān)的吸光率，并可以顯著提高與紫外線照射相關(guān)的持久性。如圖26中所示，入_胃入附近記錄部分和未記錄部分之間吸光率差異很小，并且在光波長在入_胃入附近的情形中再現(xiàn)信號調(diào)制度(信號振幅)被降低。由于半導體激光源的波長改變，希望在355nm 455nm范圍內(nèi)獲得足夠大的再現(xiàn)信號調(diào)制度(信號振幅)。因此，在本實施例中，設(shè)計記錄膜3-2，使得入_胃入的波長在355nm 455nm之外(即，在比455nm更長的波長)。圖25示出本實施例中“L-H”記錄膜中的光吸收光譜的示例。如“5_1)關(guān)于“L_H” 記錄膜的特性的說明”中所述，本實施例中，“ L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)處光反射系數(shù)的下限值P被設(shè)為18%，上限值Y被設(shè)為32%。根據(jù)1-0. 32 = 0.68，為了滿足上述條件，可以從直觀上明白405nm時未記錄區(qū)中吸光率的值A(chǔ)l4tl5是否應(yīng)該滿足Al405 ^ 68%(36)雖然圖2A和2B中光反射層4_2的405nm時的光反射因數(shù)略小于100%，但為了簡化，假設(shè)該系數(shù)幾乎接近100%。因此，吸光率Al =0時的光反射因數(shù)幾乎是100%。在圖25中，波長為胃入時整個記錄膜的光反射因數(shù)由指定。此時，假設(shè)光反射因數(shù)為00 入_胃入 0)，得出公式(36)。但事實上，該系數(shù)不被設(shè)為0，并且因此，需要生成更嚴格的公式。下面給出用于設(shè)置“L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)的光反射因數(shù)的上限值Y的嚴格條件式I-Al405 X a_R 入 maxwrite)彡 0. 32 (37)在傳統(tǒng)一次性寫入型信息存儲介質(zhì)中，只使用“H-L”記錄膜，并且沒有關(guān)于“L-H”記錄膜的信息的累積。但是，在使用稍后在“5-3)陰離子部分偶氮+陽離子部分染料”和“5-4)使用“銅”作為偶氮+中心金屬”中所描述的本實施例的情形中，得到滿足公式(37)的最嚴格條件是Al405 ^ 80%(38)在使用稍后在本實施例中所描述的有機染料記錄材料的情形中，當記錄膜的光學設(shè)計包括諸如制造時特性改變或記錄層3-2的厚度改變等的裕度時，發(fā)現(xiàn)可以滿足滿足本實施例中“關(guān)于“L-H”記錄膜的特性的說明”部分中所述的反射因數(shù)的最小條件Al405 ^ 40%(39)。另外,通過滿足Al355 ^ 40%(40)Al455 ^ 40%(41)中任何一個，即使光源的波長在355nm 405nm范圍內(nèi)或在405nm 455nm范圍內(nèi)(在同時滿足兩個公式的情形中在355nm 455nm范圍內(nèi))變化,也可以保證穩(wěn)定的記錄特性或再現(xiàn)特性。圖26示出記錄在依照本實施例的“L-H”記錄膜中之后的光吸收光譜。考慮記錄刻記中最大吸收波長Mmax的值偏離入_胃入的波長，并發(fā)生分子間陣列變化(例如，偶氮之間的陣列變化)。另外,還考慮平行于其中入Imax位置中的吸光率和405nm時的吸光率A1405被降低且光吸收光譜本身擴展的位置發(fā)生退色反應(yīng)(局部電子軌道中斷(局部分子鍵離解))。同樣，在依照本實施例的“L-H”記錄膜中，通過滿足公式(20)、(21)、(22)和(23)，相同的信號處理電路可用干“ L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜，由此促進簡化并降低信號處理電路的價格。在公式(20)中，當
權(quán)利要求
1.ー種信息存儲介質(zhì),包括導入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導出區(qū)和數(shù)據(jù)導出區(qū)的導出區(qū)。
2.一種用于從信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法，所述信息存儲介質(zhì)包括導入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導出區(qū)和數(shù)據(jù)導出區(qū)的導出區(qū)，所述方法包括從所述信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息。
3.一種用于在信息存儲介質(zhì)上記錄信息的方法，所述信息存儲介質(zhì)包括導入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導出區(qū)和數(shù)據(jù)導出區(qū)的導出區(qū)，所述方法包括在所述信息存儲介質(zhì)上記錄信息。
4.一種用于從信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息的設(shè)備，所述信息存儲介質(zhì)包括導入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導出區(qū)和數(shù)據(jù)導出區(qū)的導出區(qū)，所述設(shè)備包括再現(xiàn)單元，配置成從所述信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息。
5.一種用于在信息存儲介質(zhì)上記錄信息的設(shè)備，所述信息存儲介質(zhì)包括導入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導出區(qū)和數(shù)據(jù)導出區(qū)的導出區(qū)，所述設(shè)備包括記錄單元，配置成在所述信息存儲介質(zhì)上記錄信息。
全文摘要
公開了存儲介質(zhì)，再現(xiàn)方法和記錄方法。BCA包括兩個BCA前導部分，兩個BCA后同步指令部分，和兩個BCA數(shù)據(jù)區(qū)。BCA檢錯碼和BCA糾錯碼添加到每個BCA數(shù)據(jù)區(qū)。相同的信息項多次記錄在兩個BCA數(shù)據(jù)區(qū)。即使由于存儲介質(zhì)表面上形成的劃痕或灰塵而導致一項數(shù)據(jù)不能再現(xiàn)，也可以從其它BCA數(shù)據(jù)區(qū)再現(xiàn)數(shù)據(jù)，提高的數(shù)據(jù)的可靠性。
文檔編號G11B7/24GK102646427SQ201210123959
公開日2012年8月22日 申請日期2006年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月22日
發(fā)明者丸山純孝, 安東秀夫, 小川昭人, 柏原裕, 長井裕士 申請人:株式會社東芝