專(zhuān)利名稱(chēng)：用于構(gòu)圖介質(zhì)的商業(yè)制造的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及襯底領(lǐng)域，例如磁盤(pán)、微制造，并且尤其涉及襯底的構(gòu)圖，例如用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)的硬盤(pán)的磁層。
背景技術(shù)：
襯底的微制造是在例如半導(dǎo)體、平板顯示器、發(fā)光二極管(LED)、用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)(HDD)的硬盤(pán)等的制造中采用的公知技木。已經(jīng)知道，半導(dǎo)體、平板顯示器以及LED的制造涉及對(duì)襯底進(jìn)行構(gòu)圖的各種步驟。另ー方面，硬盤(pán)的傳統(tǒng)制造，通常被稱(chēng)為縱向記錄技木，不涉及構(gòu)圖。類(lèi)似地，用于垂直記錄技術(shù)的磁盤(pán)制造不涉及構(gòu)圖。沉積更加均勻的層并且通常通過(guò)由記錄頭感應(yīng)的磁通的交替變化來(lái)定義存儲(chǔ)器單元，其中每ー個(gè)記錄比特在未構(gòu)圖的磁層內(nèi)包圍多個(gè)磁粒(grain)。已經(jīng)證明，為了保持與其它形式存儲(chǔ)器的競(jìng)爭(zhēng)，在面積比特密度和成本方面，非構(gòu)圖磁盤(pán)將不能滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。結(jié)果，已經(jīng)提出應(yīng)該對(duì)下一代磁盤(pán)進(jìn)行構(gòu)圖。已經(jīng)展望，盡管目前還不確定哪ー種光刻技術(shù)會(huì)被商業(yè)化，并且還沒(méi)有商業(yè)系統(tǒng)可用于構(gòu)圖介質(zhì)的商業(yè)制造，但是構(gòu)圖エ藝能夠利用光刻。光刻的競(jìng)爭(zhēng)者中有干渉光刻、近場(chǎng)刻蝕和納米壓印光刻(NIL)0無(wú)論使用何種光刻技術(shù)，一旦曝光和顯影了光致抗蝕劑，需要根據(jù)期望的圖案蝕刻和制造磁盤(pán)。然而，目前大多數(shù)研發(fā)努力都集中于構(gòu)圖步驟并且對(duì)在商業(yè)可行環(huán)境下制造構(gòu)圖磁盤(pán)還沒(méi)有提出任何技術(shù)。可以確定，蝕刻、濺射和其它制造技術(shù)對(duì)于半導(dǎo)體、平板顯示器、LED等是公知的并且發(fā)展得很好。然而，還沒(méi)有提出將這些技術(shù)集成以能夠制造用于HDD的磁盤(pán)的系統(tǒng)。而且，與HDD磁盤(pán)不同，在所有這些應(yīng)用中僅需要蝕刻襯底的一側(cè)-這在制造期間允許吸盤(pán)(chuck)從背側(cè)固定襯底。另ー方面，HDD磁盤(pán)需要在兩側(cè)上制造，禁止使用吸盤(pán)。實(shí)際上，在HDD磁盤(pán)制造中，制造系統(tǒng)的任何部件都不能接觸磁盤(pán)的任何表面。而且，在HDD制造商期望系統(tǒng)具有每小時(shí)1000個(gè)磁盤(pán)數(shù)量級(jí)的產(chǎn)量的同時(shí)，半導(dǎo)體制造商采用僅具有每小時(shí)幾十個(gè)襯底的產(chǎn)量的系統(tǒng)?？紤]到這些，需要能夠制造硬盤(pán)以提供用于HDD的構(gòu)圖介質(zhì)的方法和系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
下面所包括的發(fā)明內(nèi)容部分提供對(duì)本發(fā)明的ー些方面和特征的基本理解。該發(fā)明內(nèi)容不是本發(fā)明的寬泛概述并且因而并非g在專(zhuān)門(mén)標(biāo)識(shí)本發(fā)明的主要或者關(guān)鍵元件或者界定本發(fā)明的范圍。其唯一目的是以簡(jiǎn)化形式提供本發(fā)明的ー些概念作為下面提供的更加詳細(xì)描述的前瞻。按照商業(yè)可行方式提供用于在HDD中使用的磁盤(pán)的集成制造的方法和系統(tǒng)。概括了各種處理步驟并且設(shè)計(jì)其順序以產(chǎn)生功能構(gòu)圖的介質(zhì)磁盤(pán)?？梢酝ㄟ^(guò)修改商業(yè)處理系統(tǒng)來(lái)構(gòu)造所述系統(tǒng)，例如從Santa Clara, CA的Intevac可獲得的200 Lean 。如上所述，其中構(gòu)圖介質(zhì)的制造要求將蝕刻技術(shù)結(jié)合到磁盤(pán)制造中等等。在考慮將等離子體蝕刻技術(shù)應(yīng)用到硬盤(pán)時(shí)，本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)意識(shí)到，標(biāo)準(zhǔn)等離子體蝕刻技術(shù)對(duì)于蝕刻構(gòu)圖硬盤(pán)是有問(wèn)題的。與半導(dǎo)體和其它應(yīng)用不同，需要在兩側(cè)上蝕刻磁盤(pán)。因此，僅在一側(cè)上具有等離子體蝕刻的傳統(tǒng)系統(tǒng)不適于硬盤(pán)。而且，由于制造磁盤(pán)的兩側(cè)，不允許制造機(jī)器的任何元件接觸磁盤(pán)的任一表面。因此，利用傳統(tǒng)吸盤(pán)的現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)由于接觸背側(cè)而不能用于處理硬盤(pán)。這提出了另一問(wèn)題，即，如果沒(méi)有吸盤(pán)能夠用于固定磁盤(pán)，如何能夠施加偏置電勢(shì)以使等離子體的粒子(specy)撞擊到磁盤(pán)的表面上？本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)提出了對(duì)上述問(wèn)題的解決方案并且開(kāi)發(fā)了一種商業(yè)可行的構(gòu)圖介質(zhì)制造系統(tǒng)。該制造系統(tǒng)包括蝕刻系統(tǒng)以及能夠在不接觸磁盤(pán)的任何表面的情況下蝕刻磁盤(pán)兩側(cè)的方法。本發(fā)明的實(shí)施例還能夠施加偏置電勢(shì)以在不將磁盤(pán)附接到吸盤(pán)的情況下使等離子體粒子碰撞到磁盤(pán)表面。


結(jié)合到說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)一部分的附圖示例了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書(shū)一起用于解釋和說(shuō)明本發(fā)明的原理。附圖旨在以圖示的方式說(shuō)明示例性實(shí)施例的主要特征。附圖并非旨在描述實(shí)際實(shí)施例的每一個(gè)特征并且也并非旨在描述元件的相對(duì)尺寸，并且所述附圖并非按照比例繪制。圖1說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)通用實(shí)施例用于制造HDD構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的完整工藝的流程圖。圖2說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)通用實(shí)施例經(jīng)過(guò)通用工藝流的構(gòu)圖介質(zhì)的截面圖。圖3說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的構(gòu)圖系統(tǒng)的示例。圖4說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的另一工藝。圖5說(shuō)明了設(shè)計(jì)用于執(zhí)行圖4的工藝的系統(tǒng)的通用結(jié)構(gòu)。圖6說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的另一工藝。圖7說(shuō)明了設(shè)計(jì)用于執(zhí)行圖6的工藝的系統(tǒng)的通用結(jié)構(gòu)。圖8說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造構(gòu)圖硬盤(pán)的系統(tǒng)的一部分。圖9說(shuō)明了沿著圖8中的線(xiàn)A-A的截面圖。圖10說(shuō)明了沿著圖8中的線(xiàn)B-B的截面圖。圖1lA是在遠(yuǎn)離磁盤(pán)的位置示出的可移動(dòng)陰極的局部立體圖，而圖1lB是在接近磁盤(pán)的位置示出的可移動(dòng)陰極的局部立體圖。圖12說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)蝕刻腔室。圖13說(shuō)明了具有可選蝕刻腔室和冷卻站的系統(tǒng)的實(shí)施例。圖14說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的工藝流。圖15說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的可選實(shí)施例。圖16說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的某些可選特征。圖17是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蝕刻工藝的流程圖。圖18說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的另一工藝。
圖19說(shuō)明了設(shè)計(jì)用于執(zhí)行圖18的工藝的通用結(jié)構(gòu)。圖20說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于先構(gòu)圖(patterning-first)工藝的示例。圖21說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于先構(gòu)圖工藝的另一示例。
具體實(shí)施例方式通用工藝根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供用于制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的系統(tǒng)和方法。圖1說(shuō)明了用于制造HDD構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的完整工藝的流程圖，通常將其劃分為四個(gè)模塊(由虛線(xiàn)框表示)。在圖1中，實(shí)線(xiàn)框表示利用傳統(tǒng)的連續(xù)介質(zhì)制造設(shè)備，虛線(xiàn)框表示利用光刻設(shè)備，例如以納米壓印光刻為例，雙線(xiàn)框表示利用新穎的構(gòu)圖介質(zhì)制造設(shè)備。在模塊10中，通過(guò)在清洗裝置12中清洗磁盤(pán)開(kāi)始制造。然后將磁盤(pán)移動(dòng)到傳統(tǒng)處理系統(tǒng)14，例如用于制造非構(gòu)圖磁層的200 Lean 。之后，將磁盤(pán)移動(dòng)到光刻模塊16以壓印構(gòu)圖。光刻模塊可以是當(dāng)前考慮中的任何技術(shù)，包括但不限于納米壓印光刻。通常，在光刻模塊中，磁盤(pán)涂覆有光致抗蝕劑，將光致抗蝕劑“曝光”至所需要的圖案(或者通過(guò)輻射或者通過(guò)與主體(master)的物理接觸，即，壓印)，然后使曝光的抗蝕劑顯影，或者在UV輻射下固化。一旦完成了光刻處理，將磁盤(pán)傳輸?shù)綐?gòu)圖系統(tǒng)18。在構(gòu)圖系統(tǒng)18中執(zhí)行各種處理，這些處理可以包括清除浮渣、抗蝕劑修整、硬掩模沉積和蝕刻、抗蝕劑剝離、金屬蝕刻、平坦化(可以包括碳或者金屬或者氧化物再填充和回蝕)。在多個(gè)腔室中執(zhí)行這些工藝，每一個(gè)腔室具有獨(dú)立的真空環(huán)境；然而，一旦磁盤(pán)進(jìn)入系統(tǒng)18就不再離開(kāi)真空環(huán)境，直到完成處理。下面將描述關(guān)于這些工藝以及用于執(zhí)行這些工藝的各種系統(tǒng)元件的細(xì)節(jié)。一旦完成了在構(gòu)圖系統(tǒng)18中的處理，將磁盤(pán)移動(dòng)到模塊20和22，這與本發(fā)明的主題不再相關(guān)。圖2說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例經(jīng)過(guò)通用工藝流的構(gòu)圖介質(zhì)的截面圖。磁盤(pán)到達(dá)具有表示為200的結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖系統(tǒng)。該結(jié)構(gòu)包括其上沉積有軟下層(SUU210的襯底205。SUL層是用作對(duì)于從記錄頭的寫(xiě)入極到返回極的場(chǎng)的通量返回路徑的“柔軟的”或者具有相對(duì)低矯頑力的磁滲透下層。種子層215形成在SUL 210上方，并且磁層220形成在種子層上方。為了保護(hù)磁盤(pán)上的磁層免受由浮動(dòng)磁頭造成的機(jī)械磨損和環(huán)境化學(xué)腐蝕，在磁層220上方施加金剛碳(碳涂覆，C0C)層225的薄保護(hù)涂層。然后在納米壓印步驟中例如使用光致抗蝕劑或者其它掩模材料形成構(gòu)圖掩模230。然后，示出為200的結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)構(gòu)圖系統(tǒng)中的處理，該構(gòu)圖系統(tǒng)通常由結(jié)構(gòu)240、250、260和270示出。在240中，已經(jīng)蝕刻COC層以用作硬掩模。S卩，一旦蝕刻了 COC層，可以移除光致抗蝕劑并且COC層將維持期望的圖案。然后，在250處，使用COC層作為硬掩模蝕刻磁層?？梢园凑枕槾尾襟E執(zhí)行這兩個(gè)蝕刻步驟的每一個(gè)，即，一次蝕刻磁盤(pán)的一側(cè)。這將在下面進(jìn)行更完整的解釋。在260中，沉積碳再填充層以填充構(gòu)圖的磁層，并且然后回蝕該碳再填充層以形成相對(duì)平坦的頂部表面。在170處，形成金剛碳狀層(通常被稱(chēng)為NCT碳)的薄保護(hù)涂層。通用系統(tǒng)架構(gòu)圖3說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的構(gòu)圖系統(tǒng)的示例。系統(tǒng)的通用結(jié)構(gòu)可以模仿從Santa Clara, CA的Intevac可獲得的200 Lean 。在該示例中，系統(tǒng)具有兩個(gè)升降結(jié)構(gòu)302和304以及標(biāo)記為1-16的十六個(gè)處理腔室。在該系統(tǒng)中，每一個(gè)腔室具有用作傳輸腔室的下部以及用于對(duì)磁盤(pán)執(zhí)行該工藝的上處理腔室，其中該傳輸腔室用于傳輸具有磁盤(pán)的載體，通常為306。盡管一些腔室同時(shí)處理磁盤(pán)的兩側(cè)，但是其它腔室僅處理一側(cè)，并且因此成對(duì)設(shè)置以完成對(duì)磁盤(pán)兩側(cè)的處理。在圖3的示例中，腔室I是清除浮渣/修整腔室，其也可以用于修整光致抗蝕劑。注意到，在該工藝涉及硬掩模構(gòu)圖時(shí)，由于硬掩模構(gòu)圖將移除任何過(guò)多的光致抗蝕劑，假設(shè)光致抗蝕劑具有期望的形狀和總的尺寸，則可以跳過(guò)該步驟。該腔室同時(shí)處理磁盤(pán)的兩側(cè)。腔室2和3用于碳硬掩模蝕刻，即，用于蝕刻COC層。在圖3的示例中，可以通過(guò)例如使用偏置的RF源的氧化輔助軟蝕刻或者例如使用氧氣的遠(yuǎn)程等離子體執(zhí)行該蝕刻工藝。在該示例中，使用偏置的RF等離子體，使得每一個(gè)腔室2和3蝕刻磁盤(pán)的一側(cè)。這可以利用在站4、6、8和9中使用的鄰近偏置背板機(jī)制實(shí)現(xiàn)。如果使用非偏置的等離子體，例如遠(yuǎn)程等離子體源，則可以在單個(gè)腔室中執(zhí)行該工藝，同時(shí)蝕刻兩側(cè)。通常，對(duì)于該步驟，蝕刻選擇比是光致抗蝕劑與碳之間的自然選擇比率，根據(jù)碳類(lèi)型和抗蝕劑類(lèi)型，可以在1:1到1:10之間。根據(jù)磁層厚度和蝕刻選擇比，總蝕刻厚度大約是10-1000A。對(duì)于這里示出的示例，COC蝕刻的端點(diǎn)是關(guān)鍵的以避免氧氣污染磁層。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，朝向硬掩模氧化輔助蝕刻工藝的端部，停止氧氣流，以使得該工藝?yán)脽o(wú)氧氣等離子體繼續(xù)。在另一實(shí)施例中，用于碳硬掩模蝕刻的氧化反應(yīng)劑可以是降低(減輕)的氧化能力試劑，其在金屬表面處能夠有效地停止并且考慮到兩個(gè)工藝步驟的差別。由于在大多數(shù)應(yīng)用中光致抗蝕劑的厚度將超出COC層的厚度，在完成COC蝕刻之后，一些光致抗蝕劑很可能將保留。因此，在腔室2和3中，或者在隨后的腔室(未不出)中，也可以執(zhí)行抗蝕劑的減小剝離的步驟。這也可以使用軟等離子體執(zhí)行，該軟等離子體使用H2/02源氣體。由于該工藝也可以使用氧氣，避免氧氣污染磁層是關(guān)鍵的。這可以通過(guò)及時(shí)停止氧氣流或者通過(guò)在執(zhí)行該剝離抗蝕劑步驟之前在磁層上方形成鈍化層(例如Pt、Ta、Cr)來(lái)進(jìn)行。腔室4_9用于交替蝕刻位于磁盤(pán)一側(cè)上的磁層并且在蝕刻工藝之后冷卻磁盤(pán)。在該示例中，在腔室8和9之間沒(méi)有設(shè)置冷卻腔室，這是由于在該示例中這兩個(gè)蝕刻工藝之間的冷卻在升降結(jié)構(gòu)304中完成。當(dāng)然，如果需要，也可以在這兩個(gè)腔室之間增加另一冷卻腔室。在該示例中，使用離子束蝕刻(IBE)蝕刻磁層，這需要偏置磁盤(pán)。因此，構(gòu)造每一個(gè)腔室以?xún)H蝕刻磁盤(pán)的一側(cè)。如果使用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，則可以配置每一個(gè)腔室以同時(shí)蝕刻兩側(cè)。使用創(chuàng)新的蝕刻腔室執(zhí)行磁層蝕刻，這將在標(biāo)題為蝕刻腔室的部分中進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)該設(shè)計(jì)磁層蝕刻工藝以避免削弱碳硬掩模，因此這里選擇比更重要。該步驟的總蝕刻深度是大約100-1000A。期望在未蝕刻島的頂部上剩余COC層的一些厚度，這也有助于防止對(duì)磁層的破壞。腔室10用于形成碳再填充層以填充被蝕刻的區(qū)域。這可以通過(guò)濺射碳，例如NCT或者被濺射的碳，填充Si02或者其它材料進(jìn)行。再填充的厚度應(yīng)該足以允許接下來(lái)的平坦化。在圖3的示例中，在兩個(gè)階段中執(zhí)行再填充(腔室10和12)，伴有兩個(gè)接下來(lái)的平坦化步驟(腔室11和13)。當(dāng)然，根據(jù)再填充材料以及用于再填充和平坦化的技術(shù)，可以使用其它設(shè)置和不同數(shù)量的腔室。可以使用回蝕，例如使用軟蝕刻，進(jìn)行平坦化。再填充-回蝕刻處理之后是冷卻腔室14。腔室15和16用于在平坦化的再填充上方形成硬保護(hù)層。碳再填充的其它優(yōu)點(diǎn)是有效地鈍化被蝕刻的磁特征件的側(cè)壁。這對(duì)于構(gòu)圖介質(zhì)的關(guān)鍵特征件的磁完整性是關(guān)鍵的?？梢酝ㄟ^(guò)NCT站實(shí)現(xiàn)構(gòu)圖介質(zhì)側(cè)壁的側(cè)壁覆蓋和鈍化，該NCT站在具有零偏置的HDD產(chǎn)業(yè)中采用場(chǎng)，這影響了各向同性碳沉積的化學(xué)汽相沉積環(huán)境以及構(gòu)圖介質(zhì)所需的側(cè)壁覆蓋和鈍化?？蛇x工藝和系統(tǒng)架構(gòu)圖4說(shuō)明了用于制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的另一工藝，從與圖2的200相同的光致抗蝕劑構(gòu)圖磁盤(pán)400開(kāi)始。圖5說(shuō)明了設(shè)計(jì)用于執(zhí)行圖4的工藝的通用架構(gòu)。關(guān)于步驟440，在腔室I中的清除浮渣之后，將磁盤(pán)移動(dòng)到腔室2以蝕刻薄的C0C，并且從而產(chǎn)生硬掩模，其中一些光致抗蝕劑可能仍然保留在COC層的頂部上。在步驟450中蝕刻磁層。在該示例中，與冷卻步驟交錯(cuò)地依次執(zhí)行磁層蝕刻步驟。這在圖5中示出，其中磁盤(pán)在腔室3中經(jīng)過(guò)在一側(cè)上的RIE (反應(yīng)離子蝕刻)蝕刻，在腔室4中冷卻，利用接下來(lái)的冷卻步驟對(duì)相同側(cè)進(jìn)行進(jìn)一步蝕刻。然后，對(duì)相對(duì)側(cè)重復(fù)該工藝。在該示例中，在完成對(duì)磁盤(pán)兩側(cè)上的磁層蝕刻步驟之后，仍然保留一些光致抗蝕劑。之后，在步驟460中執(zhí)行碳再填充步驟，之后進(jìn)行回蝕?？梢栽谇皇?2和3中重復(fù)該步驟。然后回蝕碳再填充以曝光和剝離剩余的光致抗蝕齊IJ(步驟470)。最后，在腔室15和16中在磁盤(pán)上方形成碳保護(hù)層。圖6說(shuō)明了用于制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的另一工藝，從與圖2的200相同的光致抗蝕劑構(gòu)圖磁盤(pán)600開(kāi)始。圖7說(shuō)明了設(shè)計(jì)用于執(zhí)行圖6的工藝的系統(tǒng)通用架構(gòu)。在腔室I中的清除浮渣步驟之后，在步驟640中在光致抗蝕劑上方沉積硬掩模層，例如Sn02或者碳硬掩模。可以使用腔室2中的濺射工藝執(zhí)行該步驟。然后在腔室3中剝離光致抗蝕劑，以使得僅Sn02硬掩模保留-步驟650。然后，使用交替的蝕刻和冷卻腔室4_9，硬掩模用于蝕刻磁層(步驟660)。當(dāng)完成磁層蝕刻步驟時(shí)，可以在腔室10中例如使用氫氣可選地移除Sn02硬掩模?？蛇x地，腔室10可以是冷卻腔室代替移除硬掩模，在硬掩模上方執(zhí)行碳再填充和回蝕的交替步驟，最后一次回蝕用于平坦化磁盤(pán)的表面并且移除Sn02硬掩模。然后，在腔室15和16中在磁盤(pán)的兩側(cè)上方形成保護(hù)涂層。蝕刻腔室在目前討論的制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的示例中，需要蝕刻步驟來(lái)蝕刻磁層。下面描述用于執(zhí)行濺射蝕刻的新型可移動(dòng)非接觸電極，這對(duì)于在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)(HDD)中使用的硬磁盤(pán)的濺射尤其有利。電極移動(dòng)到襯底的接觸距離附近但是不接觸襯底以將RF能量耦合到磁盤(pán)。要被蝕刻的材料可以例如是Co/Pt/Cr的金屬或者類(lèi)似金屬。不允許系統(tǒng)的任何部分進(jìn)行表面接觸。將襯底垂直保持在載體中并且必須蝕刻兩側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，在一個(gè)腔室中蝕刻一側(cè)并且在下一個(gè)腔室中蝕刻第二側(cè)。在兩個(gè)腔室之間設(shè)置隔離閥并且磁盤(pán)載體在腔室之間移動(dòng)磁盤(pán)。載體可以是例如使用磁化輪和線(xiàn)性電機(jī)的線(xiàn)性驅(qū)動(dòng)載體。在一個(gè)實(shí)施例中，腔室在一側(cè)上具有噴頭并且在另一側(cè)上具有可移動(dòng)電極。可以將噴頭接地或者偏置，并且噴頭具有向腔室中傳送氣體的設(shè)置，該氣體例如是氬氣和/或諸如CxFy、Cl2, Br2等的反應(yīng)氣體。腔室還具有用于線(xiàn)性驅(qū)動(dòng)磁盤(pán)載體的導(dǎo)軌或者軌道。當(dāng)磁盤(pán)載體位于(assume)處理位置時(shí)，電極移動(dòng)到接近磁盤(pán)但是不接觸磁盤(pán)。將例如13.56MHz的RF功率耦合到電極，電極電容性耦合到磁盤(pán)。然后在磁盤(pán)和噴頭之間的空隙中點(diǎn)燃等離子體，從而從磁盤(pán)的表面濺射材料。在下一個(gè)腔室中，除了按照相對(duì)面對(duì)的順序，提供同樣的設(shè)置，以蝕刻磁盤(pán)的相對(duì)表面。冷卻腔室可以?shī)A置在兩個(gè)腔室之間，或者在這兩個(gè)腔室之后?，F(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明蝕刻腔室的實(shí)施例。圖8說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造構(gòu)圖硬盤(pán)的系統(tǒng)的一部分，例如在圖3、5或者7的任意一幅圖中說(shuō)明的系統(tǒng)的一部分。在圖8中，示出了三個(gè)處理腔室100、105和110，但是每一側(cè)上的三個(gè)點(diǎn)表示可以使用任何數(shù)量的腔室。而且，盡管示出了三個(gè)具體腔室，但是也不必一定要采用這里示出的腔室結(jié)構(gòu)。而是可以使用其它腔室結(jié)構(gòu)并且可以在所示的腔室之間夾置其它類(lèi)型的腔室。出于說(shuō)明目的，在圖8的示例中，三個(gè)腔室100、105和110是蝕刻腔室，每一個(gè)腔室由其自己的真空泵102、104、106去真空。每一個(gè)處理腔室具有傳送部分122、124和126以及處理部分132、134和136。磁盤(pán)150安裝在磁盤(pán)載體120上。在該實(shí)施例中，通過(guò)磁盤(pán)的外周固定磁盤(pán)，即，由于要制造兩個(gè)表面以構(gòu)圖兩側(cè)，所以不接觸其任何表面。磁盤(pán)載體120具有架設(shè)在軌道(圖8中未示出)上的一組輪121。在一個(gè)實(shí)施例中，使輪磁化以提供更好的牽引和穩(wěn)定。磁盤(pán)載體120架設(shè)在設(shè)置在傳送部分中的軌道上以在處理部分中定位磁盤(pán)。在一個(gè)實(shí)施例中，使用線(xiàn)性電機(jī)結(jié)構(gòu)(圖8中未示出)從外部向磁盤(pán)載體120提供原動(dòng)力。圖9說(shuō)明了沿著圖8中的線(xiàn)A-A的截面圖。為了簡(jiǎn)化，在圖9中說(shuō)明了不帶有載體的磁盤(pán)250，但是應(yīng)該意識(shí)到，在圖8的系統(tǒng)中執(zhí)行的整個(gè)處理中磁盤(pán)保持在磁盤(pán)載體上，并且磁盤(pán)通過(guò)磁盤(pán)載體從一個(gè)腔室傳輸?shù)搅硪粋€(gè)腔室，如圖9中的箭頭所示。在該說(shuō)明性實(shí)施例中，在每一個(gè)腔室200、205和210中，在一側(cè)上制造磁盤(pán)。如圖9所示，隨著磁盤(pán)從一個(gè)腔室移動(dòng)到另一個(gè)腔室，在交替?zhèn)壬现圃齑疟P(pán)，然而應(yīng)該意識(shí)到，可以改變表面制造的順序。圖9中還示出了在制造期間隔離每一個(gè)腔室的隔離閥202、206。每一個(gè)腔室包括安裝在可移動(dòng)支撐242’、244’、246’上的可移動(dòng)電極(在該示例中是陰極)242、244、246以及諸如噴頭的前體氣體傳送裝置262、264、266。圖10說(shuō)明了沿著圖8中的線(xiàn)B-B的截面圖。所示的磁盤(pán)350安裝在載體320上。載體320具有架設(shè)在軌道324上的輪321。輪321可以是磁性的，在這種情況下軌道324可以由順磁材料制成。在該實(shí)施例中，可以通過(guò)線(xiàn)性電機(jī)326移動(dòng)載體，盡管可以使用其它原動(dòng)力和/或結(jié)構(gòu)。一旦使腔室去真空，前體氣體例如經(jīng)由噴頭364提供到腔室中。噴頭可以接地。通過(guò)向可移動(dòng)陰極344施加RF偏置能量，點(diǎn)燃并且維持等離子體。盡管可以利用用于點(diǎn)燃和維持等離子體的其它裝置，但是可移動(dòng)陰極提供吸引等離子體粒子并且使其朝向磁盤(pán)加速以從磁盤(pán)濺射材料必需的偏置能量。即，當(dāng)可移動(dòng)陰極344移動(dòng)到非常接近磁盤(pán)的一個(gè)表面時(shí)，其將RF偏置能量電容性耦合到磁盤(pán)，以使得朝向磁盤(pán)加速等離子體粒子以蝕刻相對(duì)表面。應(yīng)該意識(shí)到，盡管參照可移動(dòng)陰極344解釋了圖8，但是使用移動(dòng)陽(yáng)極也能夠?qū)崿F(xiàn)相同的效果，這將參照?qǐng)D16進(jìn)行描述。圖1lA是表示在遠(yuǎn)離磁盤(pán)的位置中的可移動(dòng)電極的局部立體圖，而圖1lB是表示在接近磁盤(pán)的位置中的可移動(dòng)電極的局部立體圖。圖1lA說(shuō)明了磁盤(pán)正好插入到腔室中或者即將離開(kāi)該腔室并且沒(méi)有執(zhí)行處理的情況。圖1lB說(shuō)明了處理期間腔室的情況，S卩，在蝕刻磁盤(pán)期間。由載體420的夾子423通過(guò)磁盤(pán)450的外周來(lái)固定磁盤(pán)450 (在該示例中是四個(gè)夾子)?？梢苿?dòng)電極組件444包括電極殼體441、電極蓋443以及電極447。在該示例中，電極蓋443具有與夾子423相匹配的凹槽449，以使得在圖1lB所示的其近端位置中該蓋不會(huì)接觸夾子。而且，盡管有一些模糊，但是電極本身是與磁盤(pán)的形狀相匹配的環(huán)形形狀，即，具有與磁盤(pán)的中心孔相匹配的中心孔。圖12說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蝕刻腔室。在圖12中，剪裁和移除了一些元件以暴露出與理解本實(shí)施例相關(guān)的元件。將整個(gè)組件安裝在主腔室體500上，該主腔室體500具有用作用于載體傳輸?shù)膫鬏斍皇业南虏?22以及專(zhuān)用于磁盤(pán)制造，即，蝕刻，的上部532。在該圖中，移除了通常位于傳輸腔室522中的軌道和線(xiàn)性電機(jī)以提供更清楚的視圖。從主腔室體500的一側(cè)進(jìn)行前體氣體傳送而從另一側(cè)提供RF能量耦合。在該實(shí)施例中，使用噴頭組件562將前體氣體傳送到腔室中。使用與磁盤(pán)非常接近但是不接觸磁盤(pán)的可移動(dòng)電極組件實(shí)現(xiàn)RF能量耦合。使用移動(dòng)組件585移動(dòng)電極組件以使該電極組件在磁盤(pán)移動(dòng)期間處于收縮模式并且在蝕刻期間處于伸展模式(參見(jiàn)圖1lA和11B)。從傳導(dǎo)電極到磁盤(pán)并且因此到等離子體進(jìn)行電容性RF能量耦合。電極組件包括由傳導(dǎo)材料制成并且其形狀與磁盤(pán)表面互補(bǔ)的電極544。電極蓋543設(shè)置在電極周?chē)⑶已由斐鲭姌O544以在電極處于其近端加電位置時(shí)，電極蓋543覆蓋磁盤(pán)的邊緣。在該位置中，電極蓋543防止等離子體粒子襲擊磁盤(pán)的側(cè)面并且防止等離子體到達(dá)磁盤(pán)的背側(cè)表面，即，防止等離子體接近位于面對(duì)電極的表面和電極之間的空間。對(duì)于非反應(yīng)蝕刻，前體氣體可以例如是氬氣。由于通常用于磁盤(pán)的磁金屬可以被物理蝕刻，即，通過(guò)濺射，氬氣是適合的前體氣體。在處理期間，可以使腔室保持在降低的壓力下，例如10-80毫托(mT)，盡管可以在ImT到10托的壓力下執(zhí)行某些處理。可以將RF能量設(shè)置為在例如頻率為13.56MHz的例如100-3000瓦。在圖5的示例中，通過(guò)將RF匹配器580耦合到蝕刻腔室，該結(jié)構(gòu)被制成緊湊。來(lái)自匹配器580的RF功率耦合到傳導(dǎo)電極544。在一個(gè)實(shí)施例中，流體管547提供流體作為熱交換媒介以冷卻或者加熱電極544。類(lèi)似地，流體管569可以向噴頭提供熱交換流體。為了將RF能量有效耦合到磁盤(pán)，必須將電極544放置得距離磁盤(pán)很近。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，可以將磁盤(pán)與電極之間的距離設(shè)置在0.02”到0.75”之間。在這些示例中，可以按照±0.005”的精度進(jìn)行該放置。在一個(gè)示例中，通過(guò)使用諸如一個(gè)或者多個(gè)光學(xué)傳感器的接近傳感器實(shí)現(xiàn)該放置精度。如圖12所示，光纖582提供從電極544到光學(xué)傳感器584的光學(xué)路徑?？梢允褂枚鄠€(gè)光纖和相應(yīng)的傳感器并且可以利用各種光學(xué)技術(shù)來(lái)增強(qiáng)放置精度并且防止與磁盤(pán)碰撞。在一個(gè)示例中，電極和噴頭都由硬陽(yáng)極化的鋁制成。值得注意的是，與傳統(tǒng)蝕刻腔室不同，這里暴露電極的傳導(dǎo)表面并且不使用絕緣體覆蓋該傳導(dǎo)表面。而在其它示例中，噴頭接地并且固定，即，不可移動(dòng)。絕緣部件可以由氧化鋁(這時(shí)會(huì)發(fā)生暴露于等離子體)或者耐高溫絕緣材料(Ultem)制成。利用所描述的實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)高于每秒IOnm的蝕刻速率。圖13說(shuō)明了具有交替的蝕刻腔室和冷卻腔室的系統(tǒng)實(shí)施例。如每一側(cè)上的三個(gè)點(diǎn)所表明的，該結(jié)構(gòu)可以本身重復(fù)或者耦合到執(zhí)行其它工藝的其它腔室或者耦合到冷卻或傳送腔室。值得注意的是，設(shè)置腔室600的位置以蝕刻磁盤(pán)650的一個(gè)表面。然后打開(kāi)隔離閥602并且向冷卻腔室600’移動(dòng)磁盤(pán)。在下一個(gè)回合中，打開(kāi)閥602’并且將磁盤(pán)移動(dòng)到蝕刻腔室605中。設(shè)置蝕刻腔室605的位置以蝕刻磁盤(pán)的相對(duì)側(cè)。之后將磁盤(pán)移動(dòng)到另一冷卻站605’。圖14說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的工藝流。在步驟700處打開(kāi)隔離閥并且在步驟705處傳輸載體以將襯底放置到正確位置進(jìn)行處理。在步驟710處關(guān)閉隔離閥并且在步驟715處電極移動(dòng)到其近端位置，即，位于襯底附近但是不接觸襯底。在步驟720處將氣體供應(yīng)到腔室并且在步驟725處將RF提供到電極以點(diǎn)燃和維持等離子體。注意到，如果使用另一結(jié)構(gòu)點(diǎn)燃等離子體，例如，使用感應(yīng)線(xiàn)圈、遠(yuǎn)程微波等，則仍然需要到電極的RF以提供偏置電勢(shì)使等離子體粒子朝向襯底加速。只要處理在進(jìn)行，就提供氣體和RF，并且當(dāng)在步驟730處停止工藝時(shí)，在步驟735處停止RF，在步驟740處停止氣體傳送，并且將電極移動(dòng)到其遠(yuǎn)端位置，即，遠(yuǎn)離襯底。然后重復(fù)該工藝以處理下一個(gè)磁盤(pán)并且將當(dāng)前磁盤(pán)移動(dòng)到另一個(gè)腔室。圖15說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明系統(tǒng)的可選實(shí)施例。在圖15中，耦合兩個(gè)蝕刻腔室800和805，在這兩個(gè)腔室之間沒(méi)有任何冷卻腔室。而是將冷卻腔室800’和805’設(shè)置在蝕刻腔室的每一個(gè)雙聯(lián)體之間，以使得在襯底進(jìn)入冷卻腔室之前該襯底在兩側(cè)上進(jìn)行蝕刻。圖16說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的某些可選特征。出于說(shuō)明目的，圖16的腔室與圖10中的類(lèi)似，下面強(qiáng)調(diào)不同之處。例如，在圖16的腔室中，提供一個(gè)或者多個(gè)氣體注射器972，而不是使用噴頭。相反地，腔室可以采用噴頭和氣體注射器二者。例如，噴頭可以提供一種類(lèi)型的氣體，例如惰性氣體，而注射器提供另一種類(lèi)型的氣體，例如反應(yīng)氣體。圖16的腔室的另一特征是使用可移動(dòng)陽(yáng)極。即，在圖16的腔室中，將RF功率耦合到靜止電極964，該靜止電極964可以嵌入在噴頭中或者不嵌入在噴頭中?？梢苿?dòng)陽(yáng)極944耦合到地。圖17是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的工藝流程圖。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的任何腔室都可以利用圖17的工藝。在步驟1000中，將襯底移動(dòng)到腔室中。在步驟1005中將可移動(dòng)電極移動(dòng)到鄰近襯底但是不接觸襯底的位置。在步驟1010中將氣體引入到腔室中并且在步驟1015中將功率耦合到可移動(dòng)電極或者靜止電極，以便在步驟1020中點(diǎn)燃等離子體。在這種條件下，例如通過(guò)物理和/或反應(yīng)離子蝕刻處理襯底。在完成處理步驟時(shí)，或者通過(guò)時(shí)序或者通過(guò)檢測(cè)端點(diǎn)，在步驟1025中關(guān)閉RF功率，在步驟1030中使電極收縮到其遠(yuǎn)端位置，并且在步驟1035中使腔室去真空。在步驟1040中移除該襯底并且重復(fù)該工藝用于另一個(gè)襯底。應(yīng)該注意到，盡管將移除一個(gè)襯底并且引入另一個(gè)襯底表示為兩個(gè)單獨(dú)的步驟，但是可以同時(shí)進(jìn)行這些處理，即，在將一個(gè)襯底移出的同時(shí)，將第二襯底移入?？蛇x的非蝕刻工藝和系統(tǒng)架構(gòu)圖18說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的非蝕刻工藝。圖19說(shuō)明了設(shè)計(jì)用于執(zhí)行圖18的工藝的系統(tǒng)的通用架構(gòu)。在該示例中，使用離子注入限定磁層的圖案。緊接著腔室I中的清除浮渣工藝，在步驟840處執(zhí)行離子實(shí)現(xiàn)。如圖19所示，在該示例中，一次在一側(cè)執(zhí)行離子注入工藝，其間進(jìn)行冷卻。該實(shí)現(xiàn)可以是例如將擾亂磁層以在其中限定圖案的He、N或者氬離子。在完成注入時(shí)，在步驟850處剝離光致抗蝕劑(腔室8)。然后在步驟860處形成保護(hù)層(腔室11和12)?？蛇x的先構(gòu)圖工藝和系統(tǒng)架構(gòu)圖20說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例先構(gòu)圖工藝的示例。圖20的工藝開(kāi)始于在形成在襯底2005上的SUL層2010上方對(duì)光致抗蝕劑2030進(jìn)行構(gòu)圖。然后使用這里公開(kāi)的任何示例將該結(jié)構(gòu)移動(dòng)到根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例配置的系統(tǒng)中。在步驟2040處，在構(gòu)圖的光致抗蝕劑上方形成硬掩模2032。在步驟2050中移除光致抗蝕劑以?xún)H留下由硬掩模2032形成的圖案。在步驟2060中使用用于構(gòu)圖的硬掩模蝕刻SUL層。如上所述，通過(guò)順序蝕刻磁盤(pán)的每一側(cè)執(zhí)行該步驟。然后移除該硬掩模(未示出)并且然后在步驟2070中在蝕刻的圖案上方形成種子層2072和磁層2074，然后在步驟2080中利用碳沉積/回蝕和保護(hù)層2082覆蓋該磁層2074。圖21說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例先構(gòu)圖工藝的另一示例。圖21的工藝開(kāi)始于在襯底2005正上方對(duì)光致抗蝕劑2030進(jìn)行構(gòu)圖。然后使用這里公開(kāi)的任何示例將該結(jié)構(gòu)移動(dòng)到根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例配置的系統(tǒng)中。在步驟2140處在構(gòu)圖的光致抗蝕劑上方形成硬掩模2132。在步驟2150中移除光致抗蝕劑以?xún)H留下由硬掩模2132形成的圖案。在步驟2160中使用用于構(gòu)圖的硬掩模2132蝕刻襯底2105。如上所述，通過(guò)順序蝕刻磁盤(pán)的每一側(cè)執(zhí)行該步驟。然后移除該硬掩模(未示出)并且然后在步驟2070中在蝕刻的圖案上方形成SUL層2176、種子層2172和磁層2174，然后在步驟2180中利用碳沉積/回蝕和保護(hù)層2182覆蓋該磁層2174。應(yīng)該意識(shí)到，這里描述的工藝和系統(tǒng)能夠商業(yè)制造用于硬驅(qū)的構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)。通過(guò)該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)快速生產(chǎn)和高產(chǎn)量，其中在形成光致抗蝕劑圖案之后，將磁盤(pán)移動(dòng)到系統(tǒng)中的真空環(huán)境中并且在不將磁盤(pán)從真空環(huán)境中移除的情況下執(zhí)行整個(gè)構(gòu)圖制造。應(yīng)該理解，這里描述的工藝和技術(shù)并非本質(zhì)上與任何特定的裝置相關(guān)并且可以通過(guò)部件的適當(dāng)組合實(shí)現(xiàn)。此外，根據(jù)這里描述的教導(dǎo)，可以使用各種類(lèi)型的通用設(shè)備。構(gòu)造專(zhuān)用裝置來(lái)執(zhí)行這里描述的方法步驟也可以證明是有利的。已經(jīng)參照具體示例描述了本發(fā)明，這些示例是說(shuō)明性的而非限制性的。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，硬件、軟件和固件的許多不同組合都將適合于實(shí)踐本發(fā)明。而且，根據(jù)這里公開(kāi)的說(shuō)明書(shū)和本發(fā)明的實(shí)踐，本發(fā)明的其它實(shí)現(xiàn)對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。可以單獨(dú)使用或者以任何組合形式使用所描述實(shí)施例的各個(gè)方面和/或部件。所述說(shuō)明和示例旨在作為示例性的說(shuō)明，而本發(fā)明的真實(shí)范圍和精神由下面的權(quán)利要求表示。
權(quán)利要求
1.一種用于在真空環(huán)境下制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的系統(tǒng)，包括: 成對(duì)設(shè)置的多個(gè)蝕刻腔室，其中所述蝕刻腔室的每ー個(gè)蝕刻所述磁盤(pán)的ー側(cè)以完成對(duì)所述磁盤(pán)的兩側(cè)的處理； 至少ー個(gè)碳涂覆沉積腔室； 至少ー個(gè)平坦化腔室； 至少ー個(gè)再填充沉積腔室；并且 其中一旦所述磁盤(pán)進(jìn)入系統(tǒng)，則所述磁盤(pán)不離開(kāi)所述真空環(huán)境直至處理完成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述磁盤(pán)垂直保持在載體中，并且磁盤(pán)載體在所述腔室之間移動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述蝕刻腔室的每ー個(gè)包括可移動(dòng)非接觸電極，所述可移動(dòng)非接觸電極移動(dòng)到所述磁盤(pán)的接觸距離附近但是不接觸所述磁盤(pán)以將RF能量耦合到所述磁盤(pán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述蝕刻腔室的每ー個(gè)在ー側(cè)上具有噴頭并且在相對(duì)側(cè)上具有所述可移動(dòng)非接觸電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中在所述蝕刻腔室的每ー個(gè)中，RF功率被耦合至所述可移動(dòng)非 接觸電極，所述可移動(dòng)非接觸電極將所述RF功率電容性耦合到所述磁盤(pán)，使得在所述磁盤(pán)和所述噴頭之間的空隙中點(diǎn)燃等離子體，從而從所述磁盤(pán)的表面濺射材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中在每?jī)蓚€(gè)腔室之間插入冷卻腔室。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中通過(guò)所述磁盤(pán)外周不接觸任何所述磁盤(pán)的表面將所述磁盤(pán)保持在所述載體中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括清除浮渣腔室。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述蝕刻腔室的每ー個(gè)包括可移動(dòng)電極，其中當(dāng)所述可移動(dòng)電極被移動(dòng)至非常接近所述磁盤(pán)的ー個(gè)表面時(shí)，所述可移動(dòng)電極將RF偏置能量電容性耦合到所述磁盤(pán)，使得等離子體粒子朝向所述磁盤(pán)加速以蝕刻所述磁盤(pán)的相對(duì)表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述電極具有與所述磁盤(pán)的中心孔相匹配的中心孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中通過(guò)移動(dòng)組件移動(dòng)所述電極，以使所述電極在磁盤(pán)移動(dòng)期間處于收縮模式并且在蝕刻期間處于伸展模式。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)蝕刻腔室還包括電極蓋，所述電極蓋設(shè)置在所述電極周?chē)⑶已由斐鏊鲭姌O，以在所述電極被移動(dòng)至非常接近所述磁盤(pán)的ー個(gè)表面時(shí)所述電極蓋覆蓋所述磁盤(pán)的邊緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)蝕刻腔室包括接近傳感器以增強(qiáng)所述電極的放置精度并且防止與所述磁盤(pán)碰撞。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)蝕刻腔室包括流體管以向所述磁盤(pán)提供流體作為熱交換媒介。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)蝕刻腔室包括氣體注射器。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括離子注入腔室。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中離子注入エ藝一次只在所述磁盤(pán)的一側(cè)上執(zhí)行。
18.一種用于制造構(gòu)圖介質(zhì)硬盤(pán)的方法，包括: 獲得磁盤(pán)，所述磁盤(pán)具有位于襯底上方的磁疊置體以及位于所述磁疊置體上方的經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑； 將所述磁盤(pán)傳送至制造系統(tǒng)內(nèi)的真空環(huán)境中，并且在不從所述真空環(huán)境移出所述磁盤(pán)的情況下執(zhí)行以下步驟: 蝕刻所述磁盤(pán)疊置體； 在所蝕刻的磁疊置體上方形成再填充層； 回蝕所述再填充層；以及 在所述再填充層上方形成保護(hù)層； 其中在不將所述磁盤(pán)從所述真空環(huán)境移出的情況下執(zhí)行所述步驟，并且 其中一次只在所述磁盤(pán)的一側(cè)上執(zhí)行所述磁疊置體的蝕刻，從而蝕刻所述磁盤(pán)的兩偵れ
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括在蝕刻所述磁疊置體之前在所述光致抗蝕劑上方形成硬掩模，在形成硬掩模的步驟之后并且在蝕刻所述磁疊置體的步驟之前剝離所述光致抗蝕劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述硬掩模并且剝離所述光致抗蝕劑的步驟在不將所述磁盤(pán)從所述 真空環(huán)境移出的情況下執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種蝕刻用于硬驅(qū)的構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)的系統(tǒng)。設(shè)計(jì)該模塊化系統(tǒng)以執(zhí)行具體工藝序列，從而在未從真空環(huán)境中移除磁盤(pán)的情況下制造構(gòu)圖介質(zhì)磁盤(pán)。在一些序列中蝕刻磁疊置體而在另一些序列中在形成所述磁疊置體之前執(zhí)行蝕刻。在另一序列中，使用離子注入而非蝕刻步驟。對(duì)于蝕刻，利用可移動(dòng)非接觸電極執(zhí)行濺射蝕刻。陰極移動(dòng)到襯底的接觸距離附近但是不接觸該襯底以將RF能量耦合到磁盤(pán)。將襯底垂直固定在載體中并且依次蝕刻兩側(cè)。即，在一個(gè)腔室中蝕刻一側(cè)而在下一個(gè)腔室中蝕刻第二側(cè)。
文檔編號(hào)G11B5/855GK103093766SQ20121040456
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2008年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者K·P.·費(fèi)爾貝恩, M·S.·巴恩斯, T·布盧克, R·徐, C·劉, R·科恩斯 申請(qǐng)人:因特瓦克公司