用于具有受控的可平均和可隔離電壓參考的mram的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】存儲器具有多個非易失性電阻式(NVR)存儲器陣列，每個NVR存儲器陣列具有通過參考電路耦合鏈路耦合至參考線的相關(guān)聯(lián)參考電壓生成電路，該參考被耦合至該NVR存儲器陣列的感測放大器。參考線耦合鏈路將不同NVR存儲器陣列的參考線耦合在一起。任選地，移除或斷開這些參考耦合鏈路中的不同參考耦合鏈路，從而在不同參考線上獲得相應(yīng)不同的平均和隔離參考電壓。任選地，移除或斷開這些參考電路耦合鏈路中的不同參考電路耦合鏈路，從而在參考線上獲得相應(yīng)不同的平均電壓、并且解耦和隔離不同參考電路。
【專利說明】用于具有受控的可平均和可隔離電壓參考的MRAM的系統(tǒng)和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及非易失性電阻式存儲器，尤其涉及用于存取非易失性電阻式存儲器的參考電壓的生成和分發(fā)。
[0002]背景
[0003]諸如便攜式無線電話和個人數(shù)字助理(PDA)等個人計算設(shè)備需要不斷增長的數(shù)據(jù)存儲容量來執(zhí)行名單越來越長的應(yīng)用。例如，無線電話可包括數(shù)碼攝像機(jī)、視頻和音頻文件播放器、便攜式游戲機(jī)、以及因特網(wǎng)訪問/ web瀏覽器。但是與此同時，便攜式通信設(shè)備正變得越來越小，并且由于處理這些任務(wù)會消耗相當(dāng)可觀的電量而電池壽命是非常寶貴的，所以使數(shù)據(jù)存儲的功耗保持最低是優(yōu)選的。
[0004]將數(shù)據(jù)作為可切換電阻來存儲的電阻式存儲器在滿足個人計算設(shè)備當(dāng)前所預(yù)計的數(shù)據(jù)存儲需求方面表現(xiàn)出前景，因為它們可提供高容量、展現(xiàn)不斷提高的訪問速度、并且具有低功耗。
[0005]一種電阻式存儲器件是磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。MRAM典型地由磁隧穿結(jié)(MTJ)晶體管的行-列陣列構(gòu)成。數(shù)據(jù)通過選擇性電流流動以感生磁場從而使MTJ的磁化在兩個狀態(tài)之間切換的方式被存儲在MTJ中。MTJ的電阻對應(yīng)于其磁狀態(tài)并且是可讀的。通過注入穿過該存儲MTJ的數(shù)據(jù)讀取電流以引起讀取電壓、以及同時注入具有大致相同值的穿過具有預(yù)設(shè)參考電阻狀態(tài)的參考MTJ的參考讀取電流，就可執(zhí)行讀取。這些預(yù)設(shè)參考電阻狀態(tài)被選擇成使得參考電壓介于該存儲MTJ在其高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)時的讀取電壓之間的半途處。因此，將讀取電壓比對參考電壓便(優(yōu)選地以可接受的準(zhǔn)確性)指示了該存儲MTJ的電阻狀態(tài)。
[0006]概述
[0007]示例性實施例針對用于在電阻式存儲器件中生成和耦合參考電壓的系統(tǒng)和方法。
[0008]在一個或更多個示例性實施例中，提供了一種非易失性電阻式(NVR)存儲器，該存儲器可具有與至少一個位單元陣列(I / O)相關(guān)聯(lián)的多個參考單元，并且另外，這多個參考單元中的至少兩個可被耦合至共用節(jié)點。對于此方面進(jìn)一步地，多個感測放大器可與這些I / O相關(guān)聯(lián)，其中至少一個感測放大器被耦合至該共用節(jié)點。
[0009]在另一方面，至少一個開關(guān)器件可被配置成隔離這多個參考單元中的至少一個參考單元。
[0010]在另一方面，至少一個開關(guān)器件可被配置成將這多個參考單元中的至少一個參考單元與該共用節(jié)點相隔離。
[0011]在其他示例性實施例中，提供了一種NVR存儲器，該NVR存儲器可具有:第一位單元陣列(I / O)，其具有第一參考單元、自該第一參考單元至第一 I / O參考線的第一參考單元可選鏈路、以及耦合至該第一 I / O參考線的第一感測放大器；并且還可具有第二 I /0，其具有第二參考單元、自該第二參考單元至第二 I / O參考線的第二參考單元可選鏈路、以及耦合至該第二I/O參考線的第二感測放大器。此外，可在該第一I / O參考線和該第二I / O參考線之間提供參考線耦合鏈路。
[0012]在一方面，第一參考單元可選鏈路和第二參考單元可選鏈路中的至少一者可以是可熔鏈路，該可熔鏈路能夠被燒斷從而進(jìn)行將第一參考單元與第一 I / O參考線隔離、以及將第二參考單元與第二I/O參考線隔離中的至少一者。
[0013]根據(jù)一個或更多個示例性實施例，提供了一種用于非易失性電阻式存儲器的方法，并且示例方法可包括:提供至少一個I / 0，每個I / O具有至少一個含參考電壓輸出節(jié)點和對應(yīng)的I / O參考線的參考單元；并且還可包括選擇這些I / O參考線中的至少兩條以用于共用參考線，以及將至少兩條所選I / O參考線相耦合以形成共用參考線。
[0014]在一方面，在根據(jù)這些示例性實施例的方法中，該至少兩條I / O參考線的選擇可包括:將這些I / O中的至少兩個I / O的相應(yīng)參考電壓輸出節(jié)點處的電壓與給定的可接受范圍相比較；并且進(jìn)一步，選擇這些I / O參考線中的至少一條可以至少部分地基于該比較的結(jié)果。
[0015]在另一方面，根據(jù)這些示例性實施例的方法還可包括:相對于給定的可接受性范圍來標(biāo)識這些I / O中的至少一個I / O的參考單元的參考電壓輸出處的電壓的可接受性；以及基于標(biāo)識可接受性的結(jié)果來隔離這些參考單元中的至少一個參考單元。
[0016]根據(jù)一個或更多個不例性實施例，可提供一種NVR存儲器,該NVR存儲器可包括:用于生成第一參考電壓的裝置；以及用于生成第二參考電壓的裝置。根據(jù)這些實施例的NVR存儲器可具有:用于提供第一感測參考和第二感測參考的裝置，并且該裝置可包括用于選擇性地將第一參考電壓和第二參考電壓組合成共用電壓并用于選擇性地提供該共用電壓作為第一感測參考的裝置、以及用于選擇性地提供第一參考電壓作為第一感測參考的裝置。根據(jù)這些實施例的NVR存儲器還可具有:用于相對于第一感測參考來感測第一位單元陣列的電壓的裝置；以及用于相對于第二感測參考來感測第二位單元陣列的電壓的裝置。
[0017]附圖簡要說明
[0018]給出附圖以幫助對本發(fā)明實施例進(jìn)行描述，且提供附圖僅用于解說實施例而非對其進(jìn)行限定。
[0019]圖1是一個示例電阻式存儲器存儲單元、以及相關(guān)聯(lián)的參考和讀取電路系統(tǒng)的簡化示意圖。
[0020]圖2是一個示例電阻式存儲器單元陣列、以及相關(guān)聯(lián)的參考和讀取電路系統(tǒng)的簡化功能圖。
[0021]圖3是一個示例多排電阻式存儲器的簡化功能圖。
[0022]圖4是根據(jù)一個或更多個示例性實施例的具有一個示例選擇性耦合的參考的一個示例多排電阻式存儲器的簡化示意圖。
[0023]圖5A和5B分別是根據(jù)一個或更多個示例性實施例的一個示例多排電阻式存儲器的第一和第二狀態(tài)的簡化示意圖，其展現(xiàn)了可控的、選擇性耦合的參考節(jié)點的開關(guān)耦合方面。
[0024]圖6A和6B分別是根據(jù)一個或更多個示例性實施例的一個示例多排電阻式存儲器的第一和第二狀態(tài)的簡化示意圖，其展現(xiàn)了可控的、選擇性耦合/可隔離的參考電路的開關(guān)耦合方面。[0025]圖7A和7B分別是根據(jù)一個或更多個示例性實施例的一個示例多排電阻式存儲器的第一和第二狀態(tài)的簡化示意圖，其展現(xiàn)了可控的、選擇性耦合/可隔離的參考節(jié)點和參考電路的開關(guān)稱合方面。
[0026]圖8是根據(jù)一個或更多個示例性實施例用于配置具有可控的、選擇性開關(guān)耦合/開關(guān)可隔離的參考的多排電阻式存儲器的一個過程的功能流程圖。
[0027]圖9是根據(jù)一個或更多個示例性實施例的一個示例個人計算設(shè)備的功能框圖。
[0028]圖10是根據(jù)一個或更多個示例性實施例用于制造具有可控的、選擇性開關(guān)耦合/開關(guān)可隔離的參考的多排電阻式存儲器的一個過程的功能流程圖。
[0029]詳細(xì)描述
[0030]本發(fā)明的各方面在以下針對本發(fā)明具體實施例的描述和有關(guān)附圖中被公開。可以設(shè)計替換實施例而不會脫離本發(fā)明的范圍。另外，本發(fā)明中眾所周知的元素將不被詳細(xì)描述或?qū)⒈皇∪ヒ悦怃螞]本發(fā)明的相關(guān)細(xì)節(jié)。
[0031]措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實施例不必被解釋為優(yōu)于或勝過其他實施例。同樣，術(shù)語“本發(fā)明的實施例”并不要求本發(fā)明的所有實施例都包括所討論的特征、優(yōu)點、或工作模式。
[0032]本文中所使用的術(shù)語僅出于描述特定實施例的目的，而并不旨在限定本發(fā)明的實施例。如本文所使用的，單數(shù)形式的“一”、“某”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確指示。還將理解，術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用時指明所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、和/或組件的存在，但并不排除一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、組件和/或其群組的存在或添加。
[0033]此外，許多實施例是根據(jù)將由例如計算設(shè)備的元件執(zhí)行的動作序列來描述的。將可認(rèn)識到，本文中所描述的各種動作能由專用電路(例如，專用集成電路(ASIC))、由正被一個或多個處理器執(zhí)行的程序指令、或由這兩者的組合來執(zhí)行。另外，本文中所描述的這些動作序列可被認(rèn)為是完全體現(xiàn)在任何形式的計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)內(nèi)，該計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)內(nèi)存儲有一經(jīng)執(zhí)行就將使相關(guān)聯(lián)的處理器執(zhí)行本文所描述的功能性的相應(yīng)計算機(jī)指令集。因此，本發(fā)明的各種方面可以用數(shù)種不同形式來體現(xiàn)，所有這些形式都已被構(gòu)想落在所要求保護(hù)的主題內(nèi)容的范圍內(nèi)。另外,對于本文中所描述的每個實施例,任何此類實施例的對應(yīng)形式可在本文被描述為例如“配置成執(zhí)行所描述的動作的邏輯”。
[0034]圖1是一個非易失性電阻式存儲器(“NVR”)電路100的簡化示意圖，該NVR電路100包括一個NVR位單元102、相關(guān)聯(lián)的NVR參考電路或單元104、以及感測放大器(SA)電路106。將理解，出于本描述的目的，術(shù)語“參考單元104”和“參考電路104”具有相互等同的意義，并且將可互換地使用。NVR位單元102可代表例如M列乘N行的陣列(未在圖1中示出)中的一個NVR位單元。NVR參考單元104可以與例如所繪NVR位單元102所處的行中的M-1個其他NVR位單元相關(guān)聯(lián)。此外，NVR位單元(諸如102)的MXN陣列的N行中的每一行可具有相關(guān)聯(lián)的NVR參考單元(諸如104)。感測放大器電路106通過將來自NVR位單元102的讀取電壓與來自NVR參考單元的參考電壓進(jìn)行比較來提供讀取結(jié)果，如在稍后部分中更詳細(xì)地描述的。
[0035]仍然參考圖1，NVR位單元102包括電阻式存儲器元件112，該電阻式存儲器元件112可被切換至兩個或更多個不同的磁化狀態(tài)，其中每個磁化狀態(tài)具有不同的電阻。該電阻式存儲器元件可以是例如磁隧穿結(jié)(MTJ)元件。NVR位單元102可具有由列讀取選擇(RDEN)線116控制的列讀取啟用晶體管114，并且可具有由字線(WL) 120控制的字線啟用晶體管118。可假設(shè)NVR位單元102的MXN陣列具有M條分開的列讀取選擇線，每一列一條，并且具有N條分開的字線120，每一行一條。電阻式存儲器元件112的一端耦合至位線122。因此，當(dāng)列讀取啟用晶體管114被切換為導(dǎo)通時，電阻式存儲器元件112提供從位線122至源極線(SL) 125至接地的電流路徑。可假設(shè)NVR位單元102的MXN陣列可具有延伸經(jīng)過每一列的位線(諸如122)，該列中的N個NVR位單元中的每一個NVR位單元中的電阻式存儲器元件(諸如112)的一端耦合至該位線122。由于一列中的各NVR位單元一次只有一個可被啟用，所以被啟用的NVR位單元的電阻式存儲器元件是從位線122至接地的路徑。
[0036]繼續(xù)參考圖1，與Vclamp (V箝位)晶體管126串聯(lián)的、由列讀取選擇線116上的RDEN信號控制的列選擇晶體管124控制位線122至位線參考節(jié)點128的耦合。對于Vclamp晶體管126的控制，可以假設(shè)其在正常讀取操作中總是導(dǎo)通的。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，Vclamp電位是由通過122到接地的最大允許電流決定的。位線參考節(jié)點128進(jìn)而被耦合至感測放大器電路106中的電壓感測放大器130的輸入130A。NVR參考單元104的節(jié)點或分路156上的電壓Vref (V#if)被耦合至電壓感測放大器130的輸入130B、以及耦合至讀取電流晶體管132的柵極(未單獨標(biāo)號)。當(dāng)NVR位單元102被啟用時，由Vref控制的讀取電流晶體管132向從感測放大器130的輸入130A經(jīng)過電阻式存儲器元件112至接地的讀取電流路徑提供讀取電流，如將在稍后部分更詳細(xì)地描述的。
[0037]仍然參照圖1，NVR參考單元104可被結(jié)構(gòu)化成與NVR位單元102相似，但是具有至少兩個參考電阻式存儲器元件136和138，而非NVR位單元102的這一個電阻式存儲器元件112。字啟用晶體管140和142各自——分別關(guān)于參考電阻式存儲器元件136和138——執(zhí)行與字啟用晶體管118關(guān)于NVR位單元102的電阻式存儲器元件112所執(zhí)行的功能基本相同的功能。類似地，列選擇晶體管144和146各自關(guān)于參考電阻式存儲器元件136和138執(zhí)行與列選擇晶體管124關(guān)于電阻式存儲器元件112所執(zhí)行的功能基本相同的功能。可假設(shè)Vclamp晶體管148和150在正常讀取操作中各自皆處于導(dǎo)通狀態(tài)。第一參考電流晶體管152和第二參考電流晶體管154各自的柵極被耦合至同一 Vref分路或節(jié)點156，并且Vref節(jié)點156還耦合至電壓感測放大器130的輸入130B。讀取電流晶體管132、第一參考電流晶體管152以及第二參考電流晶體管154具有基本相同的寬度、以及相應(yīng)地具有基本相同的電流特性一般是優(yōu)選的。
[0038]繼續(xù)參照圖1，寄生電容(Cpara) 160是諸如圖1中所繪的實際NVR存儲器中可能顯現(xiàn)的寄生電容的一般示例的簡化模型。NVR存儲器領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀本公開內(nèi)容后可容易地建模和分析與根據(jù)本發(fā)明實施例的諸實踐有關(guān)的寄生電容及其各種效應(yīng)(若有)，因此更詳細(xì)的描述被省略。
[0039]為了避免附圖中不必要的復(fù)雜性以及不必要的隨附描述，圖1省略了用于設(shè)置電阻式存儲器元件112和參考電阻式存儲器元件136和138的磁化狀態(tài)的寫電路系統(tǒng)的顯式描繪。如NVR存儲器領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所已知的，通過根據(jù)部分地由電阻式存儲器元件的特定結(jié)構(gòu)及技術(shù)確立的各種參數(shù)來注入電流，數(shù)據(jù)就被寫至NVR位單元(諸如102)。這些人員在閱讀本公開內(nèi)容后可容易地實現(xiàn)用于寫(即，設(shè)置電阻式存儲器元件(諸如112)、以及參考電阻式存儲器元件(諸如136和138)的磁化狀態(tài))的裝置，以根據(jù)本發(fā)明實施例進(jìn)行實踐，因此，更詳細(xì)的描述被省略。
[0040]參照圖1，將描述一個示例讀取過程。在該示例中，將假設(shè)電阻式存儲器元件112可切換至表示邏輯“O”和邏輯“I”的磁狀態(tài)，其中一個具有低電阻狀態(tài)Rlow，而另一個具有高電阻狀態(tài)Rhigh。還將假設(shè)，第一參考電阻式存儲器元件136已被設(shè)置在展現(xiàn)Rlow的磁化狀態(tài)，以及第二參考電阻式存儲器元件138已被設(shè)置在展現(xiàn)Rhigh的磁化狀態(tài)。
[0041]該示例讀取過程可始于在圖1所繪的字線120上以及在所繪的列讀取選擇線116上施加啟用電壓。用于控制電阻式存儲器陣列中的字線和位選擇線的方法和結(jié)構(gòu)是公知的，因此，更詳細(xì)的描述被省略。列讀取選擇線116電壓將列讀取啟用晶體管114切換至導(dǎo)通狀態(tài)，并且將列選擇晶體管124、144和146切換至導(dǎo)通狀態(tài)。字線120電壓切換字線啟用晶體管118、140和142。因此，建立了自Vdd經(jīng)過讀取電流晶體管132、經(jīng)過Vclamp晶體管126、經(jīng)過列選擇晶體管124、至位線122、經(jīng)過電阻式存儲器元件112、經(jīng)過源極線125、經(jīng)過字線啟用晶體管118、以及然后經(jīng)過列讀取啟用晶體管114至接地的讀取電流路徑。
[0042]仍然參照圖1，在字線120和列讀取選擇線116上設(shè)置啟用電壓還建立自Vdd至接地的、包括第一和第二參考電阻式存儲器元件136和138的參考電流路徑。更具體地，列讀取選擇線116上的啟用電壓切換列讀取啟用晶體管114、以及列選擇晶體管124、144和146。同樣地，字線120上的啟用電壓切換字線啟用晶體管118、140和142。結(jié)果是得到自Vdd至接地、通過Vref分路或節(jié)點156被分流在一起的兩條并行參考電流路徑。將理解，出于本描述的目的，術(shù)語“Vref分路156”和“Vref節(jié)點156”具有相互等同的意義，并且將可互換地使用。這些參考電流路徑中的一條是經(jīng)過參考電流晶體管152、至Vref節(jié)點156、經(jīng)過Vclamp晶體管148、經(jīng)過列選擇晶體管144、經(jīng)過第一參考電阻式存儲器元件136、然后經(jīng)過第一字線啟用晶體管140至接地。這兩條參考電流路徑中的第二條是經(jīng)過第二參考電流晶體管154、至同一 Vref節(jié)點156、經(jīng)過Vclamp晶體管150、經(jīng)過列選擇晶體管146、經(jīng)過第二參考電阻式存儲器元件138、然后經(jīng)過第二字線啟用晶體管142至接地。
[0043]如先前描述的，電阻式存儲器元件112、第一參考電阻式存儲器元件136、以及第二參考電阻式存儲器元件138具有基本等同的磁化-電阻特性(特別是相同的Rhigh和Rlow值)一般是優(yōu)選的。同樣地，NVR位單元的讀取電流晶體管132、第一參考電流晶體管152以及第二參考電流晶體管154具有基本相同的寬度、以及由此具有基本相同的電流特性一般是優(yōu)選的。此外，如所描述的，第一參考電阻式存儲器元件136假設(shè)被設(shè)置于表示邏輯“O”的Rlow狀態(tài)，并且第二參考存儲器元件138被設(shè)置在表示邏輯“I”的Rhigh狀態(tài)。當(dāng)讀取電流路徑被建立時，自Vdd至位線參考節(jié)點128的讀取電流晶體管132的電阻與自位線參考節(jié)點128至接地的電阻串聯(lián)，作為一種近似可被視為相對于Vdd的分壓器。由于后一電阻取決于電阻式存儲器兀件112是處在Rhigh還是Rlow狀態(tài)而具有兩個值中的一個值，因此位線參考節(jié)點128處由通過讀取電流路徑的讀取電流所導(dǎo)致的電壓，即Vhigh(V高)和Vlow (Vffi)中的一者，指示該電阻狀態(tài)。因此，節(jié)點156處的Vref理想地是位于Vhigh和Vlow之間的中點。電壓感測放大器130的輸出因此指示NVR位單元102中所存儲的值。
[0044]如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解的，Vref節(jié)點156上出現(xiàn)的電壓實際值的變化將使電壓感測放大器的判決閾值移動到離Vhigh或Vlow中的一者比離另一者更近之處。因此，假設(shè)邏輯“O”和邏輯“ I ”為電阻式存儲器元件112所存儲的值的似然性相等，則無論相對于該理想中點向上還是向下移動Vref節(jié)點156處的電壓都將增大總體位差錯率。[0045]圖2是一個示例NVR存儲陣列200的簡化示意圖，該NVR存儲陣列200具有M=八
(8)列204-1...204-8 (統(tǒng)稱204_i)乘以N行NVR位單元(未單獨示出)的NVR位單元陣列202。一個示例為N=512。M=8和N=512的值僅是示例，因為每一者都可以是任何數(shù)字。每個NVR位單元陣列202可以如圖1的示例102那樣來結(jié)構(gòu)化。寫電路系統(tǒng)被省略以避免與實施例的思想不相關(guān)的不必要復(fù)雜性。通過選擇性地將M條列讀取選擇線(統(tǒng)一地示為208)中的一條上電、同時將N條字線中的一條(諸如所繪的一般性示例210-n)上電，來訪問NVR陣列202的個體NVR位單元，以達(dá)到讀取其所存儲數(shù)據(jù)的目的。被上電的列讀取選擇線和字線的交點處的NVR位單元被啟用。假設(shè)該NVR位單元是依照圖1示例102的，則其電阻式存儲器元件(例如，112)變成自電壓感測放大器214的“ + ”輸入至接地的路徑。讀取電流隨后經(jīng)過讀取電流晶體管216和Vclamp晶體管218、經(jīng)過該電阻式存儲器元件至接地。Vref線212上收到的電壓Vref耦合至電壓感測放大器的端子。Vref線212可例如耦合至NVR參考單元的Vref節(jié)點(圖2中未示出)，諸如圖1示例NVR參考單元104的參考節(jié)點156。圖1和圖2共有的參考標(biāo)記“A”解說了此種示例。類似地，圖2位線220中的任何位線可以是根據(jù)圖1示例102的NVR位單元(圖2中未示出)的位線122 (如圖1和圖2共有的參考標(biāo)記“B”所示)、以及圖1示例NVR存儲器電路100的位線參考節(jié)點128。
[0046]如先前描述的，Vref電壓的不準(zhǔn)確性可對讀取準(zhǔn)確性具有相當(dāng)大的影響，即可能導(dǎo)致BER有實質(zhì)性的不可接受的增長。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將領(lǐng)會的，Vhigh和Vlow之間的差異越小，此Vref電壓不準(zhǔn)確性的負(fù)面影響就越大。
[0047]所附的相關(guān)技術(shù)圖3示出了一個示例NVR系統(tǒng)300，該示例NVR系統(tǒng)300具有四個(4)NVR 存儲器排，記為 312-1、312-2、312-3、和 312-4 (統(tǒng)稱 “312_k”)。每個 NVR 存儲器排312-k可包括位單元陣列，例如，NVR陣列314-k和316_k，以及為該NVR陣列314_k和316-k所共享的Vref電路318_k。每個NVR陣列314-k和316_k可統(tǒng)稱為“I / O”。每個Vref電路318-k耦合至相應(yīng)NVR存儲器排312_k的Vref線320_k。因此，如容易看到的，Vref生成和分布是對每個NVR存儲器排312_k而言是個體的。
[0048]然而，由于制造偏差，如相關(guān)技術(shù)圖3中所繪的單獨Vref電路318_k可能分別生成不同的參考電壓電平。換言之，并非在每個NVR存儲器排312-k的相應(yīng)一對感測放大器(圖3中未顯式示出)處收到相同的參考電壓值，而是每對感測放大器可能收到四個不同電壓中的相應(yīng)一個電壓。例如，Vref電路318-1、318-2、318-3和318-4可能分別生成電壓VRef-1、VRef-2、VRef_3和VRef_4 (統(tǒng)稱VRef_k，未在圖3中分開標(biāo)記)，各個電壓位于分開的Vref線320-1、320-2、320-3和320-4中的相應(yīng)一者上。另外對于VRef_k不等于Vref-1而言進(jìn)一步地，存在著電壓VRef-1、VRef-2、VRef-3和VRef_4中的至少一者處在可接受偏差之外的統(tǒng)計學(xué)似然性。這種統(tǒng)計學(xué)似然性可能導(dǎo)致降低的制造產(chǎn)量。
[0049]圖4示出了根據(jù)一個或更多個示例性實施例的一個NVR存儲器系統(tǒng)400，該NVR存儲器系統(tǒng)400提供的益處尤其有:相比于對每個NVR存儲器排使用分開的Vref生成可獲得的Vref統(tǒng)計學(xué)分布而言明顯更為緊密的Vref統(tǒng)計學(xué)分布。
[0050]參照圖4，NVR存儲器系統(tǒng)400被示為具有四個(4)NVR存儲器排，記為412_1、412-2、412-3、和412-4(統(tǒng)稱為“412”，并且在一般意義上單個地稱為“412-k”)。將理解，四個僅是一個示例，并且無意作為對任何實施例的范圍的任何限制。每個NVR存儲器排412-k可包括一個或更多個I / 0，例如，所繪的I / 0414-k和I / 0416-k，其中每個I / O可包括M列乘N行陣列的NVR位單元(未在圖4中個別地示出)。作為一個示例，I / 0414-k和I / 0416-k可根據(jù)圖2示例NVR存儲陣列200進(jìn)行配置。I / 0414-k和I / 0416_k的NVR位單元可以依照圖1中所示的NVR位單元102。
[0051]在一方面，每個NVR存儲器排412-k還可包括Vref電路418_k(統(tǒng)稱為“418”)。Vref電路418可由根據(jù)圖1示例NVR參考單元104的參考電路或單元的陣列(例如IxM陣列)形成。然而將理解，各種示例性實施例并不限于只是NVR位單元(諸如示例NVR位單元102)的陣列，也不限于NVR參考單元(諸如示例NVR參考單元104)。每個Vref電路418-k耦合至所繪的參考電路耦合鏈路420-1、420-2、420-3和420-4 (統(tǒng)稱為“參考電路耦合鏈路420”)當(dāng)中的一參考電路耦合鏈路420-k。每個參考電路耦合鏈路420-k進(jìn)而耦合至NVR存儲器排412-k的參考分發(fā)線422-k，其中422_k是所繪的NVR排參考分發(fā)線422-1、422-2、422-3和422-4(統(tǒng)稱為“NVR排參考分發(fā)線422”)當(dāng)中的一者。每個NVR排參考分發(fā)線422-k將其電壓至少耦合至對應(yīng)的I / 0414-k和416-k。該耦合可以通往NVR存儲器排412-k內(nèi)的一個或更多個電壓感測放大器(未在圖4中示出)中的每個電壓感測放大器的一個輸入。例如，NVR排參考分發(fā)線422-1可對I / 0414-1內(nèi)的電壓感測放大器和I /0416-1內(nèi)的一個電壓感測放大器的一個輸入進(jìn)行饋電。
[0052]繼續(xù)參照圖4,根據(jù)一方面，參考線稱合鏈路(諸如所繪的示例424-1、424_2和424-3)可將所繪的四個NVR存儲器排412中的任何兩者或更多者的NVR排參考分發(fā)線422彼此耦合。這將獲得共用參考電壓線，該共用參考電壓線具有由耦合至所耦合的NVR排參考分發(fā)線422的諸參考電路418生成的參考電壓的均值。在所繪示例中，第一參考線耦合鏈路424-1將第一 NVR存儲器排412-1的NVR排參考分發(fā)線422-1耦合至第二 NVR存儲器排412-2的NVR排參考分發(fā)線422-2。類似地，第二參考線耦合鏈路424-2將第二 NVR存儲器排412-2的NVR排參考分發(fā)線422-2耦合至第三NVR存儲器排412-3的NVR排參考分發(fā)線422-3。此外，第三參考線耦合鏈路424-3將第三NVR存儲器排412-3的NVR排參考分發(fā)線422-3耦合至第四NVR存儲器排412-4的NVR排參考分發(fā)線422-4。
[0053]如可以領(lǐng)會的，根據(jù)一個示例性實施例的圖4NVR存儲器系統(tǒng)400為多個(例如，四個)NVR存儲器排412提供單個共用的參考電壓(CM_VRef)。電壓CM_Vref，作為一般近似可被建模為獨立模式下由Vref電路418-1、418-2、418-3和418-4所遞送的電壓的均值，即 V4X (VRef-l+VRef-2+VRef-3+VRef-4)。更一般地，對于 R 個 NVR 存儲器排 412，電壓 CM_VRef=I / RX Σ VRef-k，其中 k=l 至 R。
[0054]具有圖4所解說的示例性實施例的NVR存儲器系統(tǒng)所提供的其中一個益處是:不同的NVR存儲器排412間VRef-k更緊密的統(tǒng)計學(xué)分布。作為一個解說，參照圖3，假設(shè)R個NVR存儲器排312中的任何一者具有單獨而言生成超容限Vref的Vref電路314的概率為EB0圖3系統(tǒng)300符合要求工作的概率由此為(1-EB) XR。相反，使用同一示例的R個NVR存儲器排，根據(jù)圖4所示實施例的系統(tǒng)可符合要求地工作，而不論其R個存儲器排中是否有一個或更多個存儲器排具有單獨而言將生成超容限的VRef的Vref電路418。更一般而言，對于根據(jù)圖4的實施例，即使VRef-k(k=l至R)中的一者或更多者可能超出容限，但是電壓CM_VRef的水平，SP I / RX Σ VRef-k(k=l至R)，可以在容限內(nèi)。
[0055]將理解，在圖4所繪的系統(tǒng)中，在該系統(tǒng)仍能符合要求地工作的情況下，其R個Vref電路418中可超容限的Vref電路的實際數(shù)目是因應(yīng)用而異的，例如，取決于系統(tǒng)性能要求、Vref的可接受范圍、以及Vref電路418的具體電路系統(tǒng)。
[0056]將理解，參考線耦合鏈路424的圖4所繪配置僅是用于示例的目的，而不是對本發(fā)明實施例所構(gòu)想的用于將不同NVR陣列的NVR排參考分發(fā)線422彼此耦合的結(jié)構(gòu)類型的限制。例如，參照圖4，可安排附加的參考線耦合鏈路(未示出)以將NVR存儲器排412-1的NVR排參考分發(fā)線422-1直接耦合至NVR存儲器排412-3的NVR排參考分發(fā)線422-3。作為另一示例，可以移除參考線耦合鏈路424-1，并且可安排另一參考線耦合鏈路(未示出)以將NVR排參考分發(fā)線422-1耦合至NVR排參考分發(fā)線422-3或422-4中的任何一者。
[0057]在一方面，參考線耦合鏈路424可以是熔融鏈路，從而能夠被燒斷以將不同NVR存儲器排412的排參考分發(fā)線422彼此選擇性地耦合或隔離。此外，在一方面，在根據(jù)圖4實施例的NVR存儲器系統(tǒng)中，NVR存儲器排412可通過參考線耦合鏈路424的恰適配置(例如，燒斷可熔鏈路)被配置成多個(兩個或更多個)群組，其中每個群組中的所有NVR存儲器排412具有相耦合的NVR排參考分發(fā)線422。將領(lǐng)會，NVR排參考分發(fā)線422的這種可選擇編組可從使用圖4所繪的R個(例如，4)NVR存儲器排的NVR存儲器系統(tǒng)獲得(否則原本可能無法獲得的)令人滿意的性能。這進(jìn)而可在制造多排NVR存儲器系統(tǒng)時提供更高的產(chǎn)量。
[0058]在另一方面，參考電路耦合鏈路420-k中的一者或更多者可以是可熔鏈路。對于此方面而言進(jìn)一步地，與形成參考線耦合鏈路424-k的可熔鏈路的各種組合一起，任何參考電路耦合鏈路420-k的各種組合可被選擇性地?zé)龜?。如將容易領(lǐng)會的，這些方面可提供對各種Vref電路418-k的選擇性編組、平均、以及隔離。
[0059]將理解，形成NVR存儲器排412的NVR位單元可以是具有一個或更多個MXN NVR位單元陣列的磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)排，每個NVR位單元具有例如磁隧道結(jié)(MTJ)晶體管或自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)晶體管，并且可以是相變存儲器(PRAM)。
[0060]圖5A和5B分別示出了根據(jù)另一實施例的NVR存儲器系統(tǒng)的一個示例的狀態(tài)500A和500B。術(shù)語“NVR存儲器系統(tǒng)500”此后意謂“由圖5A和5B共同示出的能夠在如所描述的諸狀態(tài)(包括示例狀態(tài)500A和500B)之間移動的NVR存儲器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)”。
[0061]合起來參照圖5A和5B，NVR存儲器系統(tǒng)500可具有四個(4) NVR存儲器排，記為512-1、512-2、512-3、和512-4 (統(tǒng)稱為“ 512 ”，并且在一般意義上單個地被稱為“ 512_k ”)。將理解，四個僅是一個示例，并且無意作為對任何實施例的范圍的任何限制。每個NVR存儲器排512-k可包括I / 0，例如，I / 0514-k和I / 0516_k，并且每個I / O可具有M列乘N行的NVR位單元(未在圖5中個別地示出)。每個NVR存儲器排512-k可具有相關(guān)聯(lián)的Vref電路518-k(統(tǒng)稱為“518”，并且在一般意義上單個地稱為“518_k”)。將理解，每個Vref電路518-k，若與所有其他生成電路518解耦，則可生成獨立的參考電壓，并且，為了描述示例操作，這些電壓將被稱為VRef-1、VRef-2, VRef-3和VRef_4(未在圖5A和5B中示出)。
[0062]繼續(xù)參照圖5A和5B，NVR存儲器系統(tǒng)500可具有四個NVR排參考分發(fā)線，分別記為520-1、520-2、520-3、和520-4 (統(tǒng)稱為“520”，并且在一般意義上單個地被稱為“520_k”)。在一方面，提供了四個參考電路耦合鏈路，分別記為522-1、522-2、522-3、和522-4(統(tǒng)稱為“524”，并且在一般意義上單個地被稱為“522-k” )，其中每一個參考電路耦合鏈路將Vref電路518-k耦合至對應(yīng)的NVR排參考分發(fā)線520-k。[0063]在一方面，NVR存儲器系統(tǒng)500可具有多個(例如，3個)參考線耦合開關(guān)，諸如分別記為524-1、524-2和524-3的示例(統(tǒng)稱為“524”，并且在一般意義上單個地被稱為“524-m”)。參考線耦合開關(guān)524的示例特征在下文進(jìn)行更詳細(xì)地描述。將理解，參考線耦合開關(guān)526的數(shù)量3僅是對應(yīng)于示例數(shù)量為四個的NVR存儲器排512的示例。
[0064]根據(jù)一方面，第一參考線耦合開關(guān)524-1可選擇性地將第一 NVR存儲器排512-1的NVR排參考分發(fā)線520-1耦合至第二 NVR存儲器排512-2的NVR排參考分發(fā)線520-2。第二參考線耦合開關(guān)524-2可選擇性地將第二 NVR存儲器排512-2的NVR排參考分發(fā)線520-2耦合至第三NVR存儲器排512-3的NVR排參考分發(fā)線520-3。第三參考線耦合開關(guān)524-3可選擇性地將第三NVR存儲器排512-3的NVR排參考分發(fā)線520-3耦合至第四NVR存儲器排512-4的NVR排參考分發(fā)線520-4。
[0065]參照圖5A，在示例狀態(tài)500A中，所有參考線耦合開關(guān)524都是閉合的，意謂著全部處在導(dǎo)電狀態(tài)。圖5A狀態(tài)500A因此獲得如參照圖4描述的沒有可熔鏈路被燒斷的相同參考線耦合，即所有NVR存儲器排512具有等于V4X (VRef-l+VRef-2+VRef-3+VRef-4)的參考電壓CM_VRef。
[0066]相反，在圖5B示例狀態(tài)500B中，參考線耦合開關(guān)524-2是斷開的。然而，參考線耦合開關(guān)524-1繼續(xù)將第一 NVR存儲器排512-1的排參考分發(fā)線520-1耦合至第二 NVR存儲器排512-2的排參考分發(fā)線520-2，并且參考線耦合開關(guān)524-3繼續(xù)將NVR存儲器排512-3和512-4各自的排參考分發(fā)線520-3和520-4相耦合。排參考分發(fā)線520-1和520-2上得到的參考電壓因此是獨立VRef-1和VRef-2的均值。以類似方式，排參考分發(fā)線520-3和520-4上得到的參考電壓是獨立VRef-3和VRef_4的均值。
[0067]在圖5A和5B解說的實施例所提供的其中一些特征和益處在于:可控地將排參考分發(fā)線520-k耦合成具有一個或更多個NVR存儲器排512的可選群組，每個群組具有其自己的共用參考電壓，該共用參考電壓等于該群組的所有Vref電路518的獨立參考電壓的均值。這進(jìn)而可提供諸如參照圖4描述的益處，且具有在制造多排NVR存儲器系統(tǒng)中提供更加高產(chǎn)量的額外可控性。
[0068]仍然參照圖5A和圖5B，在另一方面，每個參考電路耦合鏈路522-k可以是可熔鏈路。對于此方面而言進(jìn)一步地，與參考線耦合開關(guān)524的開關(guān)狀態(tài)的各種組合一起，任何參考電路耦合鏈路522-k的各種組合可被選擇性地?zé)龜?。如將容易領(lǐng)會的，這些方面可提供對各種Vref電路518的選擇性編組、平均、以及隔離。
[0069]圖6A和6B分別不出了根據(jù)另一實施例的NVR存儲器系統(tǒng)的一個不例的狀態(tài)600A和600B。術(shù)語“NVR存儲器系統(tǒng)600”此后意謂“由圖6A和6B共同示出的能夠在如所描述的諸狀態(tài)(包括示例狀態(tài)600A和600B)之間移動的NVR存儲器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)”。
[0070]合起來參照圖6A和6B，NVR存儲器系統(tǒng)600可具有例如四個⑷NVR存儲器排，記為612-1、612-2、612-3、和612-4 (統(tǒng)稱為“612”，并且在一般意義上單個地被稱為“612-k”)。將理解，四個僅是一個示例，并且無意作為對任何實施例的范圍的任何限制。每個NVR存儲器排612-k可包括I / 0614-k和I / 0616_k，其中每個I / O可具有M列乘N行的NVR位單元(未在圖6A和6B中個別地示出)。形成NVR存儲器排612的NVR位單元可以依照圖1中所示的NVR位單元102。每個NVR存儲器排612-k可具有相關(guān)聯(lián)的Vref電路618-k(統(tǒng)稱為“618”，并且在一般意義上單個地稱為“618-k”)。Vref電路618可由根據(jù)圖1示例NVR參考單元104的Vref生成單元的陣列(例如IxM陣列)形成。將理解,每個Vref電路618-k，若與所有其他生成電路618解耦，則可生成獨立的參考電壓，并且，為了描述示例操作，這些電壓將被稱為VRef-1、VRef-2、VRef-3和VRef_4(未在圖6A和6B中示出)。
[0071]繼續(xù)參照圖6A和6B，NVR存儲器系統(tǒng)600，根據(jù)一方面，可具有四個參考電路耦合開關(guān)，分別記為620-1、620-2、620-3、和620-4 (統(tǒng)稱為“620”，并且在一般意義上單個地被稱為“620-k”)。每個參考電路耦合開關(guān)620-k選擇性地將NVR存儲器排612-k的對應(yīng)Vref電路618-k耦合至可在所有四個NVR存儲器排612上方延伸的共用參考線622。在一方面，共用參考線622耦合至每個NVR存儲器排612-k的I / 0616_k和618_k。共用參考線622可率禹合至相應(yīng)電壓感測放大器(未在圖6A和6B中不出)的一個輸入。如將領(lǐng)會的，參考電路耦合開關(guān)620通過形成選擇性平均來提供對CM_VRef的選擇性增量控制，并且進(jìn)一步提供此CM-VRef至I / 0614-k和616_k的、獨立于它們的本地Vref電路618_k的饋電。
[0072]參照圖6A，在示例狀態(tài)600A中，所有參考電路耦合開關(guān)620是閉合的。四個NVR存儲器排612中的每一個因此接收等于V4X (VRef-l+VRef-2+VRef-3+VRef-4)的參考電壓CM_Vref0
[0073]現(xiàn)在參照圖6B，在所繪示例狀態(tài)600B中，參考電路耦合開關(guān)620_3被切換為斷開，而其余參考電路耦合開關(guān)620-1、620-2、和620-4閉合。結(jié)果是被所有NVR存儲器排612所接收、并且僅由所選的Vref電路618-1、618-2和618-4貢獻(xiàn)得到的受控平均參考電壓。
[0074]如將領(lǐng)會的，在圖6A和6B所繪的示例性實施例提供的其中一個特征是對每個NVR存儲器排612所利用的參考電壓的增量控制，以在全體(在所繪示例中為4個)Vref電路618內(nèi)盡可能獲得最接近最優(yōu)的值。在圖6A和6B所繪的示例性實施例還提供切出有缺陷的Vref電路618-k的操作，而不會喪失其正常相關(guān)聯(lián)的I / 0614-k和616_k。這些以及其他所公開的特征進(jìn)而可在制造多排NVR存儲器系統(tǒng)中提供更加高的產(chǎn)量。
[0075]將理解，參照圖4、圖5A和5B以及圖6A和6B描述的示例性實施例可以組合以形成其他實施例。例如，圖7A和7B示出了一個此類示例性實施例的相應(yīng)狀態(tài)700A和700B，該示例性實施例具有在圖5A和5B描繪的一個或更多個實施例以及在圖6A和6B描繪的一個或更多個實施例。
[0076]術(shù)語“NVR存儲器系統(tǒng)700”此后意謂“由圖7A和7B共同示出的能夠在如所描述的諸狀態(tài)(包括示例狀態(tài)700A和700B)之間移動的NVR存儲器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)”。
[0077]合起來參照圖7A和7B，NVR存儲器系統(tǒng)700可具有例如四個⑷NVR存儲器排，記為712-1、712-2、712-3、和712-4 (統(tǒng)稱為“712”，并且在一般意義上單個地被稱為“712-k”)。每個NVR存儲器排712-k可包括I / 0714-k和I / 0716-k，其中每個I / O可具有M列乘N行的NVR位單元(未在圖7A和7B中個別地示出)。形成NVR存儲器排712的NVR位單元可以依照圖1中所示的NVR位單元102。每個NVR存儲器排712_k可具有相關(guān)聯(lián)的Vref電路718-k(統(tǒng)稱為“618”，并且在一般意義上單個地稱為“718-k”)。Vref電路718可由根據(jù)圖1示例NVR參考單元104的Vref生成單元的陣列(例如IxM陣列)形成。將理解，每個Vref電路718-k，若與所有其他生成電路718解耦，則可生成獨立的參考電壓，并且，為了描述示例操作，這些電壓將被稱為VRef-1、VRef-2、VRef_3和VRef_4 (未在圖7A和7B中示出)。將理解，所繪的四個NVR存儲器排712僅是一個示例，并且無意作為對任何實施例的范圍的任何限制。
[0078]繼續(xù)參照圖7A和7B，NVR存儲器系統(tǒng)700，根據(jù)一方面，可具有四個參考電路耦合開關(guān)，分別記為720-1、720-2、720-3、和720-4 (統(tǒng)稱為“720”，并且在一般意義上單個地被稱為“720-k”)。每個參考電路耦合開關(guān)720-k選擇性地將NVR存儲器排712_k的對應(yīng)Vref電路718-k耦合至排參考分發(fā)線722_k。在一方面，每條排參考分發(fā)線722_k耦合至其對應(yīng)NVR存儲器排712-k的I / 0712-k和714_k。
[0079]仍然參照圖7A和圖7B，在一方面，NVR存儲器系統(tǒng)700可具有三個參考線耦合開關(guān)，分別記為724-1、724-2和724-3(統(tǒng)稱為“724”，并且在一般意義上單個地被稱為“724-m”)。將理解，參考線耦合開關(guān)724的數(shù)量3僅是對應(yīng)于示例數(shù)量為四個的NVR存儲器排712的不例。
[0080]根據(jù)一方面，第一參考線耦合開關(guān)724-1可選擇性地將第一 NVR存儲器排712-1的排參考分發(fā)線722-1耦合至第二 NVR存儲器排712-2的排參考分發(fā)線722-2。第二參考線耦合開關(guān)724-2可選擇性地將第二 NVR存儲器排712-2的排參考分發(fā)線722-2耦合至第三NVR存儲器排712-3的排參考分發(fā)線722-3。同樣地，第三參考線耦合開關(guān)724-3可選擇性地將第三NVR存儲器排712-3的排參考分發(fā)線722-3耦合至第四NVR存儲器排712-4的排參考分發(fā)線722-4。
[0081]參照圖7A，在示例狀態(tài)700A中，所有參考電路耦合開關(guān)718和所有參考線耦合開關(guān) 722 都是閉合的。這產(chǎn)生為 V4X (VRef-l+VRef-2+VRef-3+VRef-4)的 CM_VRef。
[0082]現(xiàn)在參照圖7B，在所繪示例狀態(tài)700B中，參考電路耦合開關(guān)720_4被切換為斷開，而其余參考電路耦合開關(guān)720-1、720-2、和720-3閉合。此外，第一參考線耦合開關(guān)724-1被切換為斷開，而其余參考線耦合開關(guān)724-2和724-3為閉合。如容易看到的，此圖7B示例狀態(tài)700B中的參考電壓的生成和分發(fā)包括NVR存儲器排712-1以獨立方式使用來自其Vref電路718-1的VRef-10另一方面，NVR存儲器排712-2,712-3和712-4使用僅選擇Vref電路718-2和718-3貢獻(xiàn)得到的平均參考值。NVR存儲器排712-4的Vref電路718-4被選擇性地隔離。
[0083]如將領(lǐng)會的，對參考電路耦合開關(guān)722-k和參考線耦合開關(guān)720-k的選擇性控制提供了對個體Vref電路718-k的選擇性的增量平均和隔離的組合。這些以及其他特征可允許即使一個或更多個Vref電路718-k是超容限的或者另行有缺陷仍能從NVR存儲器系統(tǒng)得到令人滿意的性能。在圖7A和7B描繪的示例性實施例因此可提供的其中一個益處是進(jìn)一步明顯提高的NVR存儲器件的制造產(chǎn)量。
[0084]圖8是根據(jù)各種示例性實施例用于配置具有可控的、選擇性耦合/可隔離參考的多排電阻式存儲器的一個示例過程800的功能流程圖。參照圖8，過程800可始于802，即對每個NVR存儲器排中的參考電路執(zhí)行參考寫操作。例如，對圖1所繪的參考電路執(zhí)行的參考寫操作802可向第一參考電阻式存儲器元件136和第二參考電阻式存儲器元件138中的一者寫入邏輯“0”，以及向136和138中的另一者寫入邏輯“ I ”。接著，示例過程800可在804測量從每排中的參考電路生成的參考電平(VREF)。例如，關(guān)于制造或編程如圖7A所繪的多個存儲器排(每個存儲器排具有如圖1所繪的參考電路)所執(zhí)行的參考測量操作804可測量圖1節(jié)點156處的電壓。
[0085]繼續(xù)參照圖8，在804測量參考電壓之后，過程800，如過程框806所繪的，可分析在804獲得的測量，并且對于每一個測得的參考電平確定該參考電平是否在可接受范圍內(nèi)。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員從本公開內(nèi)容將領(lǐng)會的，構(gòu)成“可接受范圍”的具體電壓容易根據(jù)各種因素(諸如可接受的讀取差錯率、可用電壓電平、噪聲環(huán)境、以及電壓感測放大器(例如，圖1的電壓感測放大器130)的準(zhǔn)確性等)來確定。接著，使用在804獲得的測量和來自806的分析結(jié)果，過程800可去往808并且例如將參考輸出中的所選參考輸出與共用參考線耦合或解耦(即，形成諸如在圖6B所示的連接狀態(tài))。將理解，在框808表示的此耦合和解耦示例并不限于圖6A和6B所示的可切換連接，而是也可對使用其他連接裝置(諸如可熔鏈路)的實施例執(zhí)行。在一方面，808處的選擇性耦合可將諸如在圖5B所繪的所選參考線連接耦合或解耦，以使參考線彼此隔離、和/或形成所選共用參考線。在另一方面，808處的選擇性耦合可執(zhí)行對諸如圖7B所繪的參考電路隔離開關(guān)(或其他可編程連接裝置)的組合的所選耦合和解耦。
[0086]圖9是根據(jù)一個或更多個示例性實施例的電子設(shè)備900(諸如無線電話)的功能框圖。設(shè)備900可包括基于選擇性耦合/可隔離電阻的存儲器電路902，后者耦合至處理器(諸如數(shù)字信號處理器(DSP) 904之類)，該處理器可耦合至另一存儲器906，例如DRAM。在一個解說性示例中，該基于選擇性耦合/可隔離電阻的存儲器電路902可包括諸如參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離NVR存儲器系統(tǒng)400之類的裝置，或者作為一個替換方案，該基于選擇性耦合/可隔離參考電阻的存儲器電路902可包括諸如參照圖5A和5B所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500之類的裝置、或者諸如參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600之類的裝置、或者諸如參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考耦合/可隔離NVR存儲器系統(tǒng)700之類的裝置，或者替換地，以上的任何組合。
[0087]仍然參照圖9，電子設(shè)備900可具有耦合至DSP904且耦合至顯示器910的顯示控制器908。另外，編碼器/解碼器(CODEC) 912可耦合至DSP904，并且可耦合至揚(yáng)聲器936和話筒938。無線控制器918可耦合至數(shù)字信號處理器904并且耦合至無線天線920。在特定實施例中，將DSP904、顯示控制器908、基于選擇性耦合/可隔離電阻的存儲器電路902、以及C0DEC912、和無線控制器918包括在系統(tǒng)級封裝或片上系統(tǒng)(SOC) 922中。在特定實施例中，輸入設(shè)備930 (例如，觸摸墊、按鍵板、其他人工命令接口)以及電源944被耦合至S0C922。此外，如圖9所解說的，在一方面，顯示器910、輸入設(shè)備930、揚(yáng)聲器936、話筒938、無線天線920、和電源944可以外置于S0C922。然而，每一者都可例如通過接口或控制器來耦合至S0C922的一個或更多個組件。
[0088]上文所公開的設(shè)備和功能性可被設(shè)計和配置在存儲于計算機(jī)可讀介質(zhì)上的計算機(jī)文件(例如，RTL、⑶SII和GERBER等)中。一些或全部此類文件可被提供給基于此類文件制造設(shè)備的制造處理人員。結(jié)果產(chǎn)生的產(chǎn)品包括半導(dǎo)體晶片，其隨后被切割為半導(dǎo)體管芯并被封裝成半導(dǎo)體芯片。這些芯片隨后用在上文描述的設(shè)備中。
[0089]圖10描繪電子設(shè)備制造過程1000的特定解說性實施例?？稍谥圃爝^程1000中諸如在研究計算機(jī)1006處接收物理器件信息1002。物理器件信息1002可包括表示基于選擇性耦合/可隔離電阻的存儲器的至少一種物理屬性的設(shè)計信息，該存儲器諸如是參照圖4所述的NVR存儲器系統(tǒng)400之類的裝置，或者作為一個替換方案，是諸如參照圖5A和5B所述的選擇性開關(guān)耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500之類的裝置、或者諸如參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離NVR存儲器系統(tǒng)600之類的裝置、或者諸如參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離NVR存儲器系統(tǒng)700之類的裝置，或者在一個替換方案中為以上的任何組合。例如，物理器件信息1002可包括可經(jīng)由耦合至研究計算機(jī)1006的用戶接口 1004輸入的物理參數(shù)、材料特性、以及結(jié)構(gòu)信息。研究計算機(jī)1006可包括耦合至計算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如存儲器1010)的處理器1008，諸如一個或更多個處理核心。存儲器1010可存儲計算機(jī)可讀指令，后者可被執(zhí)行以使處理器1008將物理器件信息1002轉(zhuǎn)換成遵循文件格式并生成庫文件1012。
[0090]在特定實施例中，庫文件1012可包括至少一個含該經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件。例如，庫文件1012可包括半導(dǎo)體器件庫，半導(dǎo)體器件包括參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離NVR存儲器系統(tǒng)400的任何器件，或者作為一個替換方案，包括參照圖5A和5B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600、或者參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)700、或者在一個替換方案中為以上各項的任何組合中的任何器件，該器件被提供以與電子設(shè)計自動化(EDA)工具1020聯(lián)用。
[0091]庫文件1012可在設(shè)計計算機(jī)1014處與EDA工具1020協(xié)同使用，設(shè)計計算機(jī)1014包括耦合至存儲器1018的處理器1016，諸如一個或更多個處理核心。EDA工具1020可作為處理器可執(zhí)行指令被存儲在存儲器1018處，以使設(shè)計計算機(jī)1014的用戶能從庫文件1012設(shè)計電路，該電路包括參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)400、或者作為一個替換方案，參照圖5A和5B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600、或者參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)700、或者在一個替換方案中為以上的任何組合。例如，設(shè)計計算機(jī)1014的用戶可經(jīng)由耦合至設(shè)計計算機(jī)1014的用戶接口 1024輸入電路設(shè)計信息1022。電路設(shè)計信息1022可包括設(shè)計信息，該設(shè)計信息表示參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)400、或者作為一個替換方案，參照圖5A和5B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600、或者參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)700、或者在一個替換方案中為以上的任何組合的至少一種物理屬性。作為解說，電路設(shè)計屬性可包括特定電路的標(biāo)識和與電路設(shè)計中其他元件的關(guān)系、定位信息、特征尺寸信息、互連信息、或表示半導(dǎo)體器件的物理屬性的其他信息。
[0092]設(shè)計計算機(jī)1014可被配置成將包括電路設(shè)計信息1022的設(shè)計信息轉(zhuǎn)換成遵循文件格式。作為解說，該文件格式化可包括以分層格式表示關(guān)于電路布局的平面幾何形狀、文本標(biāo)記、及其他信息的數(shù)據(jù)庫二進(jìn)制文件格式，諸如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式。設(shè)計計算機(jī)1014可被配置成生成包括該經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件，諸如⑶SII文件1026，其包括描述參照圖5A和5B所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者諸如參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600之類的裝置、或者諸如參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考耦合/可隔離NVR存儲器系統(tǒng)700之類的裝置、或者替換地為以上的任何組合的信息。
[0093]⑶SII文件1026可在制造過程1028被接收以根據(jù)⑶SII文件1026中的經(jīng)轉(zhuǎn)換信息來制造參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)400、或者作為一個替換方案，參照圖5A和5B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600、或者參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)700、或者在一個替換方案中為以上的任何組合。例如，器件制造過程可包括將GDSII文件1026提供給掩模制造商1030以創(chuàng)建被解說為代表性掩模1032的一個或更多個掩模，諸如將被用于光刻處理的掩模。掩模1032可在制造過程期間被用于生成一個或更多個晶片1034，后者可經(jīng)過測試并被分成管芯，諸如代表性管芯1036。管芯1036可包括具有參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)400、或者參照圖5A和5B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600、或者參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)700、或者在一個替換方案中為以上的任何組合中的一個或更多個器件的電路。
[0094]管芯1036可被提供給封裝過程1038，其中管芯1036被納入代表性封裝1040中。例如，封裝1040可包括單個管芯1036或多個管芯，諸如系統(tǒng)級封裝(SiP)安排。封裝1040可被配置成遵循一個或更多個標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，諸如電子器件工程聯(lián)合委員會(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)。
[0095]關(guān)于封裝1040的信息可諸如經(jīng)由存儲于計算機(jī)1046處的組件庫被分發(fā)給各產(chǎn)品設(shè)計者。計算機(jī)1046可包括耦合至存儲器1050的處理器1048，諸如一個或更多個處理核心。印刷電路板(PCB)工具可作為處理器可執(zhí)行指令被存儲在存儲器1050處以處理經(jīng)由用戶接口 1044接收自計算機(jī)1046的用戶的PCB設(shè)計信息1042。PCB設(shè)計信息1042可包括經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件在電路板上的物理定位信息，該經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件對應(yīng)于封裝1040、參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)400、或者參照圖5A和5B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600、或者參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)700、或者在一個替換方案中為以上的任何組合。
[0096]計算機(jī)1046可被配置成轉(zhuǎn)換PCB設(shè)計信息1042以生成諸如GERBER文件1052之類的數(shù)據(jù)文件，該GERBER文件1052具有包括經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件在電路板上的物理定位信息以及諸如跡線和通孔等電氣連接布局的數(shù)據(jù)，其中該經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件對應(yīng)于封裝1040，后者包括將在參照圖4所述的選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)400、或者參照圖5A和5B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)500、或者參照圖6A和6B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)600、或者參照圖7A和7B所述的開關(guān)耦合式選擇性耦合/可隔離參考NVR存儲器系統(tǒng)700、或者在一個替換方案中為以上的任何組合中使用的器件組件。在其他實施例中，由經(jīng)轉(zhuǎn)換的PCB設(shè)計信息生成的數(shù)據(jù)文件可具有GERBER格式以外的其他格式。
[0097]GERBER文件1052可在板組裝過程1054處被接收并且被用于創(chuàng)建PCB，諸如根據(jù)GERBER文件1052內(nèi)存儲的設(shè)計信息制造的代表性PCB1056。例如，GERBER文件1052可被上傳至用于執(zhí)行PCB生產(chǎn)過程的各個步驟的一臺或更多臺機(jī)器。PCB1056可填充有包括封裝1040的電子組件以形成所表示的印刷電路組裝件(PCA) 1058。[0098]PCA1058可在產(chǎn)品制造過程1060處被接收，并被集成到一個或更多個電子設(shè)備中，諸如第一代表性電子設(shè)備1062和第二代表性電子設(shè)備1064。作為解說的非限制性不例，第一代表性電子設(shè)備1062、第二代表性電子設(shè)備1064、或者這兩者可選自包括以下各項的群組:機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置的數(shù)據(jù)單元、以及計算機(jī)。作為另一解說的非限制性示例，電子設(shè)備1062和1064中的一者或更多者可以是遠(yuǎn)程單元(諸如移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元)、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)據(jù)助理、啟用全球定位系統(tǒng)(GPS)的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備)、固定位置的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、或存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機(jī)指令的任何其他設(shè)備、或其任何組合。盡管圖1-9中的一者或更多者可解說根據(jù)本公開的教義的遠(yuǎn)程單元，但本公開并不限于這些所解說的示例性單元。本公開的各實施例可適于用在包括有源集成電路系統(tǒng)(包括存儲器)和用于測試和表征的片上電路系統(tǒng)的任何設(shè)備中。
[0099]關(guān)于圖1-9所公開的實施例的一個或更多個方面可被包括于各個處理階段，諸如包括在庫文件1012內(nèi)、⑶SII文件1026內(nèi)、以及GERBER文件1052內(nèi)，以及可被存儲于研究計算機(jī)1006的存儲器1010處、設(shè)計計算機(jī)1014的存儲器1018處、計算機(jī)1046的存儲器1050處、在各個階段(諸如在板組裝過程1054)使用的一個或更多個其他計算機(jī)或處理器(未示出)的存儲器處，并且還可被納入到一個或更多個其他物理實施例中，諸如掩模1032、管芯1036、封裝1040、PCA1058、諸如原型電路或設(shè)備(未示出)之類的其他產(chǎn)品、或者以上的任何組合中。盡管描繪了從物理器件設(shè)計到最終產(chǎn)品的各個代表性生產(chǎn)階段，然而在其他實施例中可使用較少的階段或可包括附加階段。類似地，過程1000可由單個實體執(zhí)行、或者由執(zhí)行過程1000的各個階段的一個或更多個實體來執(zhí)行。
[0100]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)領(lǐng)會，信息和信號可使用各種不同技術(shù)和技藝中的任何一種來表示。例如，貫穿上面描述始終可能被述及的數(shù)據(jù)、指令、命令、信息、信號、位、碼元、和碼片可由電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光粒子、或其任何組合來表示。
[0101]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會，結(jié)合本文中公開的實施例描述的各種解說性邏輯塊、模塊、電路、和算法步驟可被實現(xiàn)為電子硬件、計算機(jī)軟件、或兩者的組合。為清楚地解說硬件與軟件的這一可互換性，各種解說性組件、塊、模塊、電路、和步驟在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此類功能性是被實現(xiàn)為硬件還是軟件取決于具體應(yīng)用和施加于整體系統(tǒng)的設(shè)計約束。技術(shù)人員對于每種特定應(yīng)用可用不同的方式來實現(xiàn)所描述的功能性，但這樣的實現(xiàn)決策不應(yīng)被解讀成導(dǎo)致脫離了本發(fā)明的范圍。
[0102]結(jié)合本文中公開的實施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由處理器執(zhí)行的軟件模塊中、或在這兩者的組合中體現(xiàn)。軟件模塊可駐留在RAM存儲器、閃存、ROM存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器、硬盤、可移動盤、CD-ROM、或本領(lǐng)域中所知的任何其他形式的存儲介質(zhì)中。示例性存儲介質(zhì)耦合到處理器以使得該處理器能從/向該存儲介質(zhì)讀寫信息。替換地，存儲介質(zhì)可以被整合到處理器。
[0103]盡管上述公開示出了本發(fā)明的解說性實施例，但是應(yīng)當(dāng)注意到，在其中可作出各種更換和改動而不會脫離如所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的范圍。根據(jù)本文中所描述的本發(fā)明實施例的方法權(quán)利要求的功能、步驟和/或動作不必按任何特定次序來執(zhí)行。此外，盡管本發(fā)明的要素可能是以單數(shù)來描述或主張權(quán)利的，但是復(fù)數(shù)也是已料想了的，除非顯式地聲明了限定于單數(shù)。
【權(quán)利要求】
1.一種非易失性電阻式存儲器，包括: 與至少一個位單元陣列(I / O)相關(guān)聯(lián)的多個參考單元，其中所述多個參考單元中的至少兩個被耦合至共用節(jié)點；以及 與所述I / O相關(guān)聯(lián)的多個感測放大器，其中至少一個感測放大器被耦合至所述共用節(jié)點。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括: 至少一個開關(guān)器件，配置成隔離所述多個參考單元中的至少一個參考單元。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括: 至少一個開關(guān)器件，配置成將所述多個參考單元中的至少一個參考單元與所述共用節(jié)點相隔尚。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲器，其特征在于，還包括: 至少一個開關(guān)器件，配置成隔離所述多個參考單元中的至少一個參考單元。
5.如權(quán)利要求3所述的存儲器，其特征在于，被隔離的參考單元被耦合至其相關(guān)聯(lián)的I / O。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器是MRAM、STT-MRAM、PRAM或電阻式RAM之一。
7.一種非易失性電阻式存儲器，包括: 第一位單元陣列(I / O)，其具有第一參考單元、從所述第一參考單元至第一 I / O參考線的第一參考單元可選鏈路、以及耦合至所述第一 I / O參考線的第一感測放大器； 第二 I / O，其具有第二參考單元、從所述第二參考單元至第二 I / O參考線的第二參考單元可選鏈路、以及耦合至所述第二 I / O參考線的第二感測放大器；以及 介于所述第一I/O參考線和所述第二I/O參考線之間的參考線耦合鏈路。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可熔鏈路，所述可熔鏈路能夠被燒斷從而進(jìn)行將所述第一參考單元與所述第一I/O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I/O參考線隔離中的至少一者。
9.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是處于所選燒斷狀態(tài)的可熔鏈路，從而進(jìn)行將所述第一參考單元與所述第一I/O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I/O參考線隔離中的至少一者。
10.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可開關(guān)器件，所述可開關(guān)器件能夠被切換為進(jìn)行將所述第一參考單元耦合至所述第一I/O參考線以及將所述第二參考單元耦合至所述第二I/O參考線中的至少一者的導(dǎo)通狀態(tài)、以及能夠被切換為進(jìn)行將所述第一參考單元與所述第一I/O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I/O參考線隔離中的至少一者的斷開狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述參考線耦合鏈路是將所述第一I /O參考線和所述第二 I / O參考線耦合至共用參考節(jié)點的可熔鏈路，所述共用參考節(jié)點被耦合至所述第一感測放大器且被耦合至所述第二感測放大器，所述可熔鏈路能夠被燒斷以破壞所述共用參考節(jié)點。
12.如權(quán)利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可熔鏈路，所述可熔鏈路能夠被燒斷從而進(jìn)行將所述第一參考單元與所述第一I/O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I/O參考線隔離中的至少一者。
13.如權(quán)利要求12所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可開關(guān)器件，所述可開關(guān)器件能夠被切換為進(jìn)行將所述第一參考單元耦合至所述第一I/O參考線以及將所述第二參考單元耦合至所述第二I / O參考線中的至少一者的導(dǎo)通狀態(tài)、以及能夠被切換為進(jìn)行將所述第一參考單元與所述第一I/O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I/O參考線隔離中的至少一者的斷開狀態(tài)。
14.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述參考線耦合鏈路是可開關(guān)器件，所述可開關(guān)器件能夠被切換為導(dǎo)通以將所述第一I/O參考線和所述第二I/O參考線耦合至共用參考節(jié)點、以及能夠被切換為斷開以移除所述共用參考節(jié)點，所述共用參考節(jié)點被耦合至所述第一感測放大器且被耦合至所述第二感測放大器。
15.如權(quán)利要求14所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可熔鏈路，所述可熔鏈路能夠被燒斷從而進(jìn)行將所述第一參考單元與所述第一I/O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I/O參考線隔離中的至少一者。
16.如權(quán)利要求14所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可開關(guān)器件，所述可開關(guān)器件能夠被切換為進(jìn)行將所述第一參考單元耦合至所述第一I/O參考線以及將所述第二參考單元耦合至所述第二I / O參考線中的至少一者的導(dǎo)通狀態(tài)、以及能夠被切換為進(jìn)行將所述第一參考單元與所述第一I/O參考線 隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I/O參考線隔離中的至少一者的斷開狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，還包括: 第三I / O，其具有通過第三參考單元可選鏈路耦合至第三I / O參考線的第三參考單元、以及耦合至所述第三I / O參考線的第三感測放大器；以及 介于所述第三I/O參考線與所述第一I/O參考線和所述第二I/O參考線中的至少一者之間的另一參考線耦合鏈路。
18.如權(quán)利要求17所述的存儲器，其特征在于，所述參考線耦合鏈路是第一可開關(guān)器件且所述另一參考線耦合鏈路是第二可開關(guān)器件，所述第一可開關(guān)器件能夠在所述第二可開關(guān)器件處于導(dǎo)通導(dǎo)電狀態(tài)的同時處于導(dǎo)通導(dǎo)電狀態(tài)以使所述第一I / O參考線、所述第二I / O參考線以及所述第三I / O參考線形成耦合至所述第一感測放大器、所述第二感測放大器和所述第三感測放大器的第一共用節(jié)點。
19.如權(quán)利要求18所述的存儲器，其特征在于，所述第一可開關(guān)器件能夠在所述第二可開關(guān)器件處于導(dǎo)通導(dǎo)電狀態(tài)的同時處于斷開非導(dǎo)電狀態(tài)以破壞所述第一共用參考節(jié)點并使所述第二I/O參考線和所述第三參考I/O線形成耦合至所述第二感測放大器和所述第三放大器并且與所述第一I/O參考線和所述第一感測放大器相隔離的第二共用參考節(jié)點。
20.如權(quán)利要求17所述的存儲器，其特征在于，所述參考線耦合鏈路是第一可熔鏈路且所述另一參考線耦合鏈路是第二可熔鏈路以使所述第一 I / O參考線、所述第二 I / O參考線和所述第三I/O參考線形成第一共用節(jié)點。
21.如權(quán)利要求20所述的存儲器，其特征在于，所述第一可熔鏈路能夠在所述第二可熔鏈路處于導(dǎo)電狀態(tài)的同時處于燒斷狀態(tài)，以破壞所述第一共用節(jié)點并使所述第二 I / O參考線和所述第三參考I/O線形成耦合至所述第二感測放大器和所述第三感測放大器且與所述第一I/O參考線和所述第一感測放大器相隔離的第二共用參考節(jié)點。
22.如權(quán)利要求21所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路是第一參考單元可熔鏈路，所述第二參考單元可選鏈路是第二參考單元可熔鏈路，且所述第三參考單元可選鏈路是第三參考單元可熔鏈路。
23.如權(quán)利要求22所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路能夠在所述第二參考可選鏈路和所述第三參考單元可選鏈路中的每一者皆處于非燒斷狀態(tài)的同時處于燒斷狀態(tài)，以在將所述第一參考單元與所述第一共用參考節(jié)點相隔離的同時使所述第二參考單元和所述第三參考單元耦合至所述第一共用參考節(jié)點。
24.一種用于非易失性電阻式存儲器的方法，包括: 提供至少一個位單元陣列(I / 0)，每個I / O具有至少一個含參考電壓輸出節(jié)點和對應(yīng)的I/o參考線的參考單元； 選擇所述I/O參考線中的至少兩條以用于共用參考線；以及 將至少兩條所選I/O參考線相耦合以形成共用參考線。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其`特征在于，所述選擇包括: 將所述I/O中的至少兩個I/O的相應(yīng)參考電壓輸出節(jié)點處的電壓與給定的可接受范圍相比較；以及 至少部分地基于所述比較的結(jié)果來選擇所述I/O參考線中的至少一條。
26.如權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，還包括: 相對于給定的可接受性范圍來標(biāo)識所述I/O中的至少一個I/O的所述參考單元的參考電壓輸出處的電壓的可接受性；以及 基于所述標(biāo)識可接受性的結(jié)果來隔離所述參考單元中的至少一個參考單元。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所提供的I/ O中的至少一個I / O具有介于該I / O的參考電壓輸出節(jié)點和I / O參考線之間的導(dǎo)電鏈路，并且其中至少一種隔離包括燒斷所述導(dǎo)電鏈路。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所提供的I/ O中的至少一個I / O具有介于該I / O的參考電壓輸出節(jié)點和I / O參考線之間的可編程開關(guān)，并且其中至少一種隔離包括將所述可編程開關(guān)編程為斷開狀態(tài)。
29.一種非易失性電阻式位單元陣列存儲器，包括: 用于生成第一參考電壓的裝置； 用于生成第二參考電壓的裝置； 用于提供第一感測參考和第二感測參考的裝置，包括用于選擇性地將所述第一參考電壓和所述第二參考電壓組合成共用電壓并用于選擇性地提供所述共用電壓作為所述第一感測參考的裝置、以及用于選擇性地提供所述第一參考電壓作為所述第一感測參考的裝置； 用于相對于所述第一感測參考來感測第一位單元陣列的電壓的裝置；以及 用于相對于所述第二感測參考來感測第二位單元陣列的電壓的裝置。
30.如權(quán)利要求29所述的存儲器，其特征在于，所述用于提供第一感測參考和第二感測參考的裝置進(jìn)一步包括用于選擇性地提供所述第二參考電壓作為所述第二感測參考的>j-U ρ?α裝直。
31.如權(quán)利要求29所述的存儲器，其特征在于，所述用于提供第一感測參考和第二感測參考的裝置進(jìn)一步包括用于選擇性地提供所述第一參考電壓作為所述第二感測參考的>j-U ρ?α裝直。
32.—種通信設(shè)備，包括: 天線； 耦合至所述天線的無線控制器； 耦合至所述無線控制器的集成電路，具有 處理單元， 耦合至所述處理單元的非易失性電阻式存儲器，所述存儲器包括與至少一個位單元陣列(I / O)相關(guān)聯(lián)的多個參考單元，其中所述多個參考單元中的至少兩個被耦合至共用節(jié)點，以及 與所述I / O相關(guān)聯(lián)的多個感測放大器，其中至少一個感測放大器被耦合至所述共用節(jié)點；以及 耦合至所述集成電路的輸入設(shè)備。
33.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其特征在于，所述集成電路存儲器進(jìn)一步包括: 至少一個開關(guān)器件，配置成隔離所述多個參考單元中的至少一個參考單元。
34.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其特征在于，所述集成電路存儲器進(jìn)一步包括: 至少一個開關(guān)器件，配置成將所述多個參考單元中的至少一個參考單元與所述共用節(jié)點相隔尚。
35.如權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其特征在于，所述集成電路存儲器進(jìn)一步包括: 至少一個開關(guān)器件，配置成隔離所述多個參考單元中的至少一個參考單元。
36.如權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其特征在于，被隔離的參考單元被耦合至其相關(guān)聯(lián)的
37.一種用于非易失性電阻式存儲器的方法，包括以下步驟: 提供至少一個位單元陣列(I / 0)，每個I / O具有至少一個含參考電壓輸出節(jié)點和對應(yīng)的I/o參考線的參考單元； 選擇所述I/O參考線中的至少兩條以用于共用參考線；以及 將至少兩條所選I/O參考線相耦合以形成共用參考線。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于，所述選擇的步驟包括以下步驟: 將所述I / O中的至少兩個I / O的相應(yīng)參考電壓輸出節(jié)點處的電壓與給定的可接受范圍相比較；以及 至少部分地基于所述比較的結(jié)果來選擇所述I/O參考線中的至少一條。
39.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟: 相對于給定的可接受性范圍來標(biāo)識所述I/O中的至少一個I/O的所述參考單元的參考電壓輸出處的電壓的可接受性；以及 基于所述標(biāo)識可接受性的結(jié)果來隔離所述參考單元中的至少一個參考單元。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所提供的I/ O中的至少一個I / O具有介于該I / O的參考電壓輸出節(jié)點和I / O參考線之間的導(dǎo)電鏈路，并且其中至少一種隔離包括燒斷所述導(dǎo)電鏈路。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所提供的I/ O中的至少一個I / O具有介于該I / O的參考電壓輸出節(jié)點和I / O參考線之間的可編程開關(guān)，并且其中至少一種隔離包括將所述 可編程開關(guān)編程為斷開狀態(tài)。
【文檔編號】G11C7/08GK103890849SQ201280051796
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月21日
【發(fā)明者】J·P·金, T·金 申請人:高通股份有限公司