獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈。具有兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的寫入器組件允許針對具體應(yīng)用細(xì)調(diào)和優(yōu)化由該寫入器組件產(chǎn)生的組合寫磁場。兩個(gè)前置放大器可被納入到印刷電路板中以分別地驅(qū)動(dòng)寫線圈。在其它實(shí)現(xiàn)中，可存在兩個(gè)以上的寫線圈和對應(yīng)的前置放大器。
【專利說明】獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈【背景技術(shù)】
[0001]硬盤驅(qū)動(dòng)器(即HDD)是基于塊的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，它使用HDD的一個(gè)或多個(gè)旋轉(zhuǎn)盤片片內(nèi)的非易失性存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)和檢取數(shù)字信息。典型的HDD包括一個(gè)或多個(gè)寫入器組件，這些寫入器組件在相應(yīng)盤片表面上方飛行并將電流轉(zhuǎn)換成磁場以將數(shù)據(jù)寫至HDD的盤片。
[0002]前置放大器通過在每個(gè)寫入器組件中串聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)寫線圈施加要求的電流。每個(gè)寫入器組件中的寫線圈發(fā)揮功能以將電流轉(zhuǎn)換成磁場并通過寫磁極引導(dǎo)結(jié)果得到的磁通密度以將數(shù)據(jù)寫至HDD的盤片。由于一個(gè)或多個(gè)寫線圈中的每一個(gè)被串聯(lián)地纏繞在每個(gè)寫入器組件內(nèi)，所以不能將寫電流各自地調(diào)諧至HDD的每個(gè)寫入器組件內(nèi)的寫線圈中的
每一個(gè)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本文描述和要求保護(hù)的實(shí)現(xiàn)通過使用單獨(dú)的前置放大器獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)寫入器組件內(nèi)的至少兩個(gè)寫線圈來解決前述問題。
[0004]本文描述和要求保護(hù)的實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步通過提供一種寫入器組件來解決前述問題，該寫入器組件包括:由第一前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第一寫線圈；以及由第二前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第二寫線圈。
[0005]本文描述和要求保護(hù)的實(shí)現(xiàn)又進(jìn)一步通過提供一系統(tǒng)來解決前述問題，該系統(tǒng)包括:包括第一前置放大器和第二前置放大器的印刷電路板；以及包括由第一前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第一寫線圈和由第二前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第二寫線圈的寫入器組件。
[0006]本文還描述和記載了其它實(shí)現(xiàn)方`式。
[0007]附圖簡述
[0008]圖1示出一示例性硬盤驅(qū)動(dòng)器組件，該硬盤驅(qū)動(dòng)器組件包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈，它們被安裝在位于執(zhí)行器臂的末端并位于存儲(chǔ)介質(zhì)盤上方的滑塊上。
[0009]圖2是包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的寫入器組件的橫截面圖。
[0010]圖3是寫入器組件的兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的分解平面圖。
[0011]圖4示出包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的寫入器組件的示例性電路圖。
[0012]圖5示出使用包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的寫入器組件的示例性操作。
【具體實(shí)施方式】
[0013]圖1示出一示例性硬盤驅(qū)動(dòng)器或HDD組件100，該組件100包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈128、130，它們被安裝在位于執(zhí)行器臂110的末端并位于存儲(chǔ)介質(zhì)盤(或盤片)108上方的滑塊120上。特別參見視圖A(x-y平面)，盤108包括外徑102和內(nèi)徑104，在外徑102和內(nèi)徑104之間是由圓形虛線表示的數(shù)個(gè)大致圓形的數(shù)據(jù)軌道(例如軌道106)。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，盤108以高速繞盤轉(zhuǎn)軸112轉(zhuǎn)動(dòng)，同時(shí)信息被寫入至和讀出自盤108上的數(shù)據(jù)軌道。此外，盤轉(zhuǎn)速可以是固定的或變化的。[0014]信息可通過使用執(zhí)行器臂110被寫入至或讀出自盤108。執(zhí)行器臂110在尋道操作期間繞執(zhí)行器轉(zhuǎn)軸114轉(zhuǎn)動(dòng)以定位盤108上的合需數(shù)據(jù)軌道和扇區(qū)。介質(zhì)盤108上的特定位置可由任何可用的尋址機(jī)制來定義。示例方案包括柱面-磁頭-扇區(qū)(CHS)尋址以及邏輯塊尋址(LBA)方案。執(zhí)行器臂110朝向盤108延伸并且滑塊120位于執(zhí)行器臂110的末端處?；瑝K120緊鄰盤108地在其上飛行，同時(shí)從盤108讀出數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)寫至盤108。在其它實(shí)現(xiàn)中，盤驅(qū)動(dòng)器組件100中存在一個(gè)以上的滑塊120、執(zhí)行器臂110和/或盤108。
[0015]柔性電纜122提供從印刷電路板(PCB，未示出)至附連于滑塊120的電子組件(例如讀元件116和寫線圈128、130)的必要電連接路徑，同時(shí)允許執(zhí)行器臂110在操作期間樞轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。柔性電纜122可沿執(zhí)行器臂110從PCB路由至滑塊120。PCB可包括電路(例如前置放大器或預(yù)放器)，用于例如在寫操作期間控制被施加至寫線圈128、130的寫電流并在讀操作期間放大由讀元件116產(chǎn)生的讀信號(hào)。參見圖2以獲得有關(guān)寫線圈128、130的細(xì)節(jié)，以及參見圖4以獲得有關(guān)與每個(gè)寫線圈對應(yīng)的前置放大器的細(xì)節(jié)。
[0016]滑塊120的側(cè)視圖詳細(xì)示出于圖1的x-z平面的視圖B中，并且包括讀元件116、寫線圈128和130、寫磁極118以及回歸磁極132，它們均位于滑塊120的后緣126附近。其它微電子組件也被安裝在后緣126附近或滑塊120的其它區(qū)域上?；瑝K120和組件100其它特征的外觀僅為說明目的給出并且不按照比例繪制。寫線圈128和130、寫磁極118以及回歸磁極132可一并被稱為寫入器組件124。
[0017]盤108具有嵌入到其內(nèi)的眾多獨(dú)立磁域，并且盤108在視圖B中總體而言相對于滑塊120沿負(fù)X方向移動(dòng)。讀元件116是磁阻的(即其阻值隨著從讀元件116下面經(jīng)過的下層盤108的磁域的的磁場和極性而變化)，這允許讀元件116從下層盤108讀出數(shù)據(jù)。
[0018]寫線圈128、130各自彼此獨(dú)立地操作并分別經(jīng)由導(dǎo)線對134、136電連接于PCB上的專用前置放大器(未示出)。寫線圈128、130各自經(jīng)由導(dǎo)線對134、136從相應(yīng)前置放大器接收電流，并將接收的電流轉(zhuǎn)換成磁場。由寫線圈128、130產(chǎn)生的累計(jì)(或組合)磁場經(jīng)由寫磁極118和回歸磁極132被引導(dǎo)至下層盤108 (如箭頭138所示)。當(dāng)盤108的磁域在寫磁極118下面經(jīng)過時(shí)，磁場改變盤108的磁域的磁極性。這允許寫入器組件124將數(shù)據(jù)寫至下層盤108。
[0019]通過獨(dú)立地改變施加于寫線圈128、130中的每一個(gè)的電流，可針對具體的操作或HDD配置來細(xì)調(diào)累計(jì)寫磁場。更具體地，通過獨(dú)立地改變施加于寫線圈128、130中的每一個(gè)的電流，可細(xì)調(diào)累計(jì)寫磁場角、大小、梯度、過沖幅度、過沖時(shí)長和相位中的一個(gè)或多個(gè)。對施加于寫線圈128、130中的每一個(gè)的電流的細(xì)調(diào)將在下面參照圖2進(jìn)行更詳細(xì)的討論。此夕卜，對寫線圈128、130本身的細(xì)調(diào)也更詳細(xì)地參照圖2予以討論。
[0020]寫磁場角和大小指參照滑塊120空氣承載表面的寫磁場矢量方向和大小。寫磁場梯度指沿盤108的數(shù)據(jù)軌道每單位距離的寫磁場大小變化率。過沖幅度指寫電流大小相比穩(wěn)態(tài)寫電流大小遵循寫線圈電流極性變化的短暫增加。過沖時(shí)長指該短暫增加的時(shí)長。過沖可改善寫入器組件124性能以使在寫入器組件124下面經(jīng)過的磁域的磁極性平移。相位指當(dāng)將施加于寫線圈128的電流信號(hào)與施加于寫線圈130的信號(hào)電流作比較時(shí)的波形相位差。
[0021]當(dāng)前公開的技術(shù)可應(yīng)用于存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器組件，而不是圖1所示的盤驅(qū)動(dòng)器子組件
100。此外，當(dāng)前公開的技術(shù)可用于將數(shù)據(jù)寫至平坦表面而不是例如盤108之類的旋轉(zhuǎn)盤。[0022]圖2是包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈228、230的寫入器組件224的橫截面圖。圖2的橫截面圖是跨寫線圈228、230的中點(diǎn)剖切的，寫線圈228、230是相對平坦的(即薄餅式)線圈，每個(gè)寫線圈圍繞大致沿X方向定位的軸線盤繞。寫線圈228、230被圖示為具有大致三匝并在每匝中包括各線股構(gòu)成的線束。
[0023]在其它實(shí)現(xiàn)中，寫線圈228、230中的每一匝包括單個(gè)線股。此外，根據(jù)寫線圈228、230的要求性能特征，寫線圈228、230中的一個(gè)或兩者可具有比所繪出的三匝更多或更少數(shù)量的匝。在其它實(shí)現(xiàn)中，存在兩個(gè)以上獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈。此外，盡管圖1-4中繪出的寫線圈是圍繞基本沿X方向取向的軸線盤繞的相對平坦線圈，然而其它實(shí)現(xiàn)可將螺旋式線圈用于寫線圈228、230中的一個(gè)或兩者，該螺旋式線圈可圍繞大致沿z方向取向的軸線。
[0024]寫線圈228、230被取向在寫磁極218的相對兩側(cè)上并產(chǎn)生累計(jì)(或組合)寫磁場矢量(由箭頭238表示)，該寫磁場矢量經(jīng)由寫磁極218被引向下層盤208，并經(jīng)由回歸磁極232返回到寫入器組件224。通過寫線圈228、230驅(qū)動(dòng)的電流產(chǎn)生一磁場，當(dāng)盤208的磁域從寫磁極218下面經(jīng)過時(shí)，該磁場改變盤208的磁域的磁極性。這允許寫入器組件224將數(shù)據(jù)寫至盤208。寫入器組件224內(nèi)的寫線圈228、230中的每一個(gè)的相對取向可根據(jù)要求的性能特征而改變。
[0025]累計(jì)寫磁場矢量(由箭頭238所示)被圖示為具有負(fù)X方向的分量。這暗示著流過寫線圈228的電流大小、方向和/或相位與寫入器組件224 (包括寫磁極218和寫入器屏蔽件(未示出))的幾何性質(zhì)相結(jié)合，使得寫線圈228的輸出磁通量勝過寫線圈230的輸出磁通。在其它實(shí)現(xiàn)中，寫線圈230的輸出磁通量勝過寫線圈228的輸出磁通量，這將改變累計(jì)寫磁場以使其具有正的X方向分量。
[0026]寫線圈228、230彼此獨(dú)立地工作。更具體地，寫線圈228經(jīng)由導(dǎo)線234、235連接于前置放大器240。前置放大器240將規(guī)定的(或預(yù)定的)電流施加至寫線圈228以從寫線圈228產(chǎn)生合需的寫磁場。類似地，寫線圈230經(jīng)由導(dǎo)線236、237連接于前置放大器242。前置放大器242將規(guī)定的電流施加至寫線圈230以從寫線圈230產(chǎn)生合需的寫磁場。由寫線圈228、230中的每一個(gè)產(chǎn)生的寫磁場組合以產(chǎn)生組合的合需寫磁場矢量(如箭頭238所示)O
[0027]盡管前置放大器240、242中的每一個(gè)被圖示為產(chǎn)生具有特定極性的電流，但在其它實(shí)現(xiàn)中，前置放大器240、242中的一個(gè)或兩者產(chǎn)生具有相反極性的電流。在又一實(shí)現(xiàn)中，由前置放大器240、242中的每一個(gè)產(chǎn)生的電流的大小、極性和/或相對相位可隨時(shí)間改變。
[0028]通過獨(dú)立地改變施加于寫線圈228、230中的每一個(gè)的電流，可針對具體的操作或HDD配置來細(xì)調(diào)累計(jì)寫磁場。更具體地，通過獨(dú)立地改變施加于寫線圈228、230中的每一個(gè)的電流，可細(xì)調(diào)累計(jì)寫磁場角、大小、梯度、過沖幅度、過沖時(shí)長和相位中的一個(gè)或多個(gè)。
[0029]在一種實(shí)現(xiàn)中，將大約50毫安施加于寫線圈228并將大約30毫安施加于寫線圈230(或以相反方式施加)相比于通過串聯(lián)電連接的傳統(tǒng)寫入器線圈達(dá)成的各自接收約40毫安的寫線圈228、230取得優(yōu)越的性能。盡管該示例性實(shí)現(xiàn)采用80毫安乘以寫線圈228、230中的每一個(gè)的線圈總匝數(shù)得到的不變的總磁動(dòng)勢(MMF)，然而其它實(shí)現(xiàn)可改變總MMF以獲得要求的性能特性。
[0030]圖3是寫入器組件(未示出)的兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈328、330的分解平面圖。寫線圈328、330中的每一個(gè)是相對平坦的(即薄餅式)線圈并圍繞基本沿X方向取向的軸線盤繞。寫線圈328、330被圖示為具有大致三匝，在最內(nèi)匝和最外匝的端部具有電接觸焊盤344、346、348、350。更具體地，寫線圈328在其最外匝包括電接觸焊盤344并在其最內(nèi)匝具有電接觸焊盤346。同樣地，寫線圈330在其最外匝包括電接觸焊盤348并在其最內(nèi)匝具有電接觸焊盤350。在其它實(shí)現(xiàn)中，根據(jù)寫線圈328、330的要求性能特征，寫線圈328、330中的一個(gè)或兩者可具有比三匝更多或更少數(shù)量的匝。在其它實(shí)現(xiàn)中，存在兩個(gè)以上獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈。
[0031]在圖示實(shí)現(xiàn)中，寫線圈328、330在y-z平面(如箭頭352所示)內(nèi)彼此層疊，其中寫線圈328應(yīng)當(dāng)由寫線圈330隱藏(如果沿組裝的取向描繪的話)。在其它實(shí)現(xiàn)中，寫線圈328、330相對于彼此處于其它的取向，并且可對各種取向進(jìn)行優(yōu)化以獲得要求的性能特征。
[0032]寫線圈328、330彼此獨(dú)立地工作。更具體地，寫線圈328經(jīng)由導(dǎo)線334、335連接于前置放大器340。前置放大器340將規(guī)定的(或預(yù)定的)電流施加至寫線圈328以從寫線圈328產(chǎn)生合需的寫磁場。類似地，寫線圈330經(jīng)由導(dǎo)線336、337連接于前置放大器342。前置放大器342將規(guī)定的(或預(yù)定的)電流施加至寫線圈330以從寫線圈330產(chǎn)生合需的寫磁場。由寫線圈328、330中的每一個(gè)產(chǎn)生的寫磁場組合以產(chǎn)生組合的合需寫磁場(未示出)。
[0033]寫線圈328、330、接觸焊盤344、346、348、350以及導(dǎo)線334、335、336、337可由任何可用的導(dǎo)電金屬或金屬性合金(例如銅合金和金合金)構(gòu)造成。此外，盡管前置放大器340、342中的每一個(gè)被圖示為產(chǎn)生具有特定極性的電流，但在其它實(shí)現(xiàn)中，前置放大器340、342中的一個(gè)或兩者產(chǎn)生具有相反極性的電流。在又一實(shí)現(xiàn)中，由前置放大器340、342中的每一個(gè)產(chǎn)生的電流的大小、相對相位和/或極性隨時(shí)間改變。
[0034]通過獨(dú)立地改變施加于寫線圈328、330中的每一個(gè)的電流，可針對具體的操作或HDD配置來細(xì)調(diào)累計(jì)寫磁場。更具體地，通過獨(dú)立地改變施加于寫線圈328、330中的每一個(gè)的電流，可細(xì)調(diào)累計(jì)寫磁場角、大小、梯度、過沖幅度、過沖時(shí)長和相位中的一個(gè)或多個(gè)。
[0035]在另一實(shí)現(xiàn)中，存在位于寫線圈328、330中的每一個(gè)中的不同匝處的輔助焊盤。例如，寫線圈328、330中的每一個(gè)可具有位于第二匝處的輔助焊盤。這提供了靈活性，以根據(jù)選擇使用的焊盤對來接合寫線圈328、330中的每一個(gè)的所有三匝、兩匝或一匝。這些選擇的焊盤可在相應(yīng)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器操作期間改變以優(yōu)化存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器的性能特征。
[0036]圖4示出包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈428、430的寫入器組件424的示例性電路圖400。電路圖400包括電連接于印刷電路板(PCB) 454的滑塊420?；瑝K420包括讀元件416和寫入器組件424，該寫入器組件424進(jìn)一步包括寫線圈428和430、寫磁極418和回歸磁極432?；瑝K420緊貼地在存儲(chǔ)介質(zhì)表面(未示出)之上飛行，同時(shí)使用讀元件416將數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)介質(zhì)讀出并使用寫入器組件414將數(shù)據(jù)寫至存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0037]PCB454包括讀驅(qū)動(dòng)器456和前置放大器440、442，前置放大器440、442分別驅(qū)動(dòng)寫線圈428、430。讀驅(qū)動(dòng)器456處理從讀元件416接收的讀信號(hào)并將讀信號(hào)送出至讀通道。前置放大器440、442處理進(jìn)入的寫數(shù)據(jù)并將電信號(hào)輸出至與寫數(shù)據(jù)對應(yīng)的寫線圈428、430。寫線圈428、430形成一組合磁場,該組合磁場經(jīng)由寫磁極418和回歸磁極432被引導(dǎo)至存儲(chǔ)介質(zhì)。組合磁場有選擇地切換存儲(chǔ)介質(zhì)上的磁域的極性，以將寫數(shù)據(jù)寫至存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0038]圖5示出使用包括兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的寫入器組件的示例性操作500。第一驅(qū)動(dòng)操作505用第一電流驅(qū)動(dòng)第一寫線圈。在一種實(shí)現(xiàn)中，電路板上的第一前置放大器產(chǎn)生第一電流。第二驅(qū)動(dòng)操作510用第二電流驅(qū)動(dòng)第二寫線圈。在一種實(shí)現(xiàn)中，電路板上的第二前置放大器產(chǎn)生第二電流。
[0039]產(chǎn)生操作515從第一寫線圈和第二寫線圈產(chǎn)生組合的寫磁場。更具體地，第一寫線圈將來自第一前置放大器的電流轉(zhuǎn)換成第一寫磁場。第二寫線圈將來自第二前置放大器的電流轉(zhuǎn)換成第二寫磁場。第一寫磁場和第二寫磁場組合成組合的寫磁場。組合的寫磁場被用來通過改變存儲(chǔ)介質(zhì)上的選定磁域的極性而將數(shù)據(jù)寫至存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0040]在一種實(shí)現(xiàn)中，具有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的寫入器組件被用于產(chǎn)品存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器中，以將數(shù)據(jù)選擇性地寫至存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器中的存儲(chǔ)介質(zhì)。例如，可在各產(chǎn)品存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器的委任下調(diào)整每個(gè)寫線圈的MMF以使具體應(yīng)用的性能最大化和/或補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器制造中的差異。此外，性能可依賴于存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器中的具體頭(例如頭1、頭2等)和位置(例如位于盤片內(nèi)徑附近還是盤片外徑附近)而顯著改變?？墒褂冒總€(gè)寫線圈根據(jù)具體頭及其當(dāng)前位置的MMF值的查找表以實(shí)時(shí)地優(yōu)化寫入器組件的寫性能。
[0041]在其它實(shí)現(xiàn)中，具有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的寫入器組件被用作度量裝置，以配置產(chǎn)品存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器的各種存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器頭、介質(zhì)和頭介質(zhì)組合。具有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的寫線圈的度量裝置寫入器組件可用于隨時(shí)間地改變寫線圈的輸入?yún)?shù)以確定哪種配置取得最佳的性能。其它寫入器組件可被設(shè)計(jì)成取得與由度量寫入器組件取得的相似優(yōu)化的寫磁場。
[0042]本文描述的本發(fā)明的各實(shí)施例在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中被實(shí)現(xiàn)為邏輯步驟。本發(fā)明的這些邏輯操作被實(shí)現(xiàn)為:(I)在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行的一系列處理器實(shí)現(xiàn)的步驟；(2) —個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的互連機(jī)或電路模塊。這種實(shí)現(xiàn)是取決于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能需求的選擇問題。因此，構(gòu)成本文描述的本發(fā)明的實(shí)施例的邏輯操作各自不同地被稱為操作、步驟、對象或模塊。此外，應(yīng)當(dāng)理解，邏輯操作可以任何順序執(zhí)行，根據(jù)需要增加或省去一些操作，除非明確聲明是其它情形或者特定順序是權(quán)利要求語言所固有地要求的。
[0043]前面的說明、示例和數(shù)據(jù)提供了對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和示例性實(shí)施例的使用的完整說明。由于可不脫離本發(fā)明的精神和范圍地構(gòu)思出本發(fā)明的許多實(shí)施例，因此本發(fā)明落在下面所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。此外，不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)特征可結(jié)合到又一實(shí)施例中而不脫離所引述的權(quán)利要求的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 使用不同的前置放大器獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)寫入器組件中的至少兩個(gè)寫線圈。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同的前置放大器使用不同電流大小、相位和極性中的一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)所述至少兩個(gè)寫線圈。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少兩個(gè)寫線圈產(chǎn)生各自的寫磁場，所述寫磁場得到組合的寫磁場。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述組合的寫磁場經(jīng)由寫磁極和回歸磁極被引導(dǎo)至存儲(chǔ)介質(zhì)以將數(shù)據(jù)寫至所述存儲(chǔ)介質(zhì)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述至少兩個(gè)寫線圈被取向在所述寫磁極的相對兩側(cè)上。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少兩個(gè)寫線圈中的每一個(gè)具有基本平坦的取向和基本螺旋的取向中的一種。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述寫線圈中的至少一個(gè)利用位于所述寫線圈的不同匝上的至少三個(gè)焊盤。
8.一種寫入器組件，包括: 由第一前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第一寫線圈；以及 由第二前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第二寫線圈。
9.如權(quán)利要求8所述的寫入器組件，其特征在于，使用不同的電流大小、相位和極性中的一個(gè)或多個(gè)，所述第一前置放大器驅(qū)動(dòng)所述第一寫線圈而所述第二前置放大器驅(qū)動(dòng)所述第二寫線圈。
10.如權(quán)利要求8所述的寫入器組件，其特征在于，所述第一寫線圈和所述第二寫線圈產(chǎn)生各自的寫磁場，所述寫磁場得到組合的寫磁場。
11.如權(quán)利要求10所述的寫入器組件，其特征在于，還包括: 寫磁極；以及 回歸磁極，其中所述組合的寫磁場經(jīng)由所述寫磁極和所述回歸磁極被引導(dǎo)至存儲(chǔ)介質(zhì)以將數(shù)據(jù)寫至所述存儲(chǔ)介質(zhì)。
12.如權(quán)利要求11所述的寫入器組件，其特征在于，所述第一寫線圈和所述第二寫線圈被取向在所述寫磁極的相對兩側(cè)上。
13.如權(quán)利要求8所述的寫入器組件，其特征在于，所述第一寫線圈和所述第二寫線圈中的每一個(gè)具有基本平坦的取向和基本螺旋的取向中的一種。
14.如權(quán)利要求8所述的寫入器組件，其特征在于，所述第一寫線圈和所述第二寫線圈中的至少一個(gè)利用位于所述寫線圈的不同匝上的至少三個(gè)焊盤。
15.—種系統(tǒng),包括: 包括第一前置放大器和第二前置放大器的印刷電路板；以及 寫入器組件，所述寫入器組件包括由所述第一前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第一寫線圈和由所述第二前置放大器獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的第二寫線圈。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，使用不同的電流大小、相位和極性中的一個(gè)或多個(gè)，所述第一前置放大器驅(qū)動(dòng)所述第一寫線圈而所述第二前置放大器驅(qū)動(dòng)所述第二寫線圈。
17.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一寫線圈和所述第二寫線圈產(chǎn)生各自的寫磁場，所述寫磁場得到組合的寫磁場。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述寫入器組件還包括寫磁極和回歸磁極，其中組合的寫磁場經(jīng)由所述寫磁極和所述回歸磁極被引導(dǎo)至存儲(chǔ)介質(zhì)以將數(shù)據(jù)寫至所述存儲(chǔ)介質(zhì)。
19.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一寫線圈和所述第二寫線圈中的每一個(gè)具有基本平坦的取向和基本螺旋的取向中的一種。
20.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一寫線圈和所述第二寫線圈中的至少一個(gè)利用位于所述寫線圈的不同匝上`的至少三個(gè)焊盤。
【文檔編號(hào)】G11B5/17GK103886872SQ201310105885
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】K·R·希姆, K·A·瑞弗欽, E·麥洛克, J·沃爾夫 申請人:希捷科技有限公司