存儲器和包括存儲器的存儲器系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種存儲器，包括：第一單元塊，包括多個(gè)第一字線組和一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線組，一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線組中的每個(gè)對應(yīng)于多個(gè)命中信號中的一個(gè)命中信號；第二單元塊，包括多個(gè)第二字線組和一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組，一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組中的每個(gè)對應(yīng)于多個(gè)命中信號中的一個(gè)命中信號；以及控制單元，適用于響應(yīng)于第一輸入地址而選擇單元塊和字線，以及基于在第一輸入地址之后輸入的輸入地址刷新選擇的字線，而當(dāng)通過第一輸入地址選擇的第一選擇字線與冗余字線相鄰時(shí)，響應(yīng)于第一輸入地址和命中信號而刷新與第一選擇字線相鄰的一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線，其中，第一輸入地址在目標(biāo)刷新部分中被第一個(gè)輸入。
【專利說明】存儲器和包括存儲器的存儲器系統(tǒng)
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2013年8月13日提交的申請?zhí)枮?0-2013-0096031的韓國專利申請 的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及存儲器和包括所述存儲器的存儲器系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0004] 存儲器的存儲器單元包括用作開關(guān)的晶體管和用于儲存電荷（即，數(shù)據(jù)）的電容 器。根據(jù)存儲器單元中的電容器是否儲存電荷，即根據(jù)電容器的兩個(gè)端子之間的電位是高 還是低，可以將數(shù)據(jù)的邏輯電平判定為高電平(邏輯" 1"）或低電平(邏輯"0")。
[0005] 由于數(shù)據(jù)以積累的電荷的形式儲存在電容器中，所以理想情況是儲存的電荷沒有 功耗。然而，由于金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS)晶體管的PN結(jié)會導(dǎo)致發(fā)生電流泄漏，所以儲存 的初始電荷會被放電，且因而儲存的數(shù)據(jù)會丟失。為了防止這種數(shù)據(jù)丟失，需要讀取儲存在 存儲器單元中的數(shù)據(jù)，并且在數(shù)據(jù)丟失之前基于讀取的數(shù)據(jù)對存儲器單元進(jìn)行再充電。對 存儲器單元進(jìn)行再充電的操作被稱為刷新操作。應(yīng)周期性地執(zhí)行刷新操作以保持儲存的數(shù) 據(jù)。
[0006] 圖1是說明用于描述字線干擾的存儲器中包括的單元陣列的一部分的圖。
[0007] 在圖1中，"WLK-1"、"WLK"和"WLK+1"表示依次設(shè)置在單元陣列中的三個(gè)字線。 由"HIGH_ACT"指示的字線WLK表示頻繁激活的字線，其具有大量激活次數(shù)或者高的激活頻 率，而字線WLK-I和WLK+1表示相鄰字線，其被設(shè)置成與頻繁激活的WLK相鄰。"CELL_K-1"、 "CELL_K"和"CELL_K+1"分別表示與字線WLK-UWLK和WLK+1耦接的存儲器單元。存儲器 單元CELL_K-1、CELLJ(和CELL_K+1分別包括單元晶體管TR_K-1、TRJ(和TR_K+1以及單元 晶體管CAP_K-1、CAPJ(和CAP_K+1。供作參考，"BL"和"BL+1"表示位線。
[0008] 當(dāng)頻繁激活的字線WLK被激活或預(yù)充電時(shí)，相鄰字線WLK-I和WLK+1的電壓由于 發(fā)生在字線WLK、WLK-1和WLK+1之間的耦合現(xiàn)象而增大或減小。因此，影響單元電容器CAP_ K-l、CAPJ(和CAP_K+1中儲存的電荷量。因此，當(dāng)頻繁激活的字線WLK在激活狀態(tài)和預(yù)充 電狀態(tài)之間切換時(shí)，單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中儲存的數(shù)據(jù)可能會由于單元電容器 CAP_K-1和CAP_K+1中儲存的電荷量的變化而丟失。
[0009] 另外，當(dāng)字線在激活狀態(tài)和預(yù)充電狀態(tài)之間切換時(shí)會產(chǎn)生電磁波，而電磁波允許 電子流入與相鄰字線耦接的存儲器單元中包括的單元電容器或從其流出。結(jié)果，存儲器單 元中儲存的數(shù)據(jù)可能會丟失。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 各種示例性實(shí)施例涉及提供一種存儲器和存儲器系統(tǒng)，用于通過刷新相鄰字線來 防止耦接至與頻繁激活的字線相鄰的相鄰字線的存儲器單元中的數(shù)據(jù)丟失。 toon] 此外，各種示例性實(shí)施例涉及提供一種存儲器和存儲器系統(tǒng)，用于即使在頻繁激 活的字線是替換正常字線的冗余字線時(shí)，也防止耦接至與頻繁激活的字線相鄰的相鄰字線 的存儲器單元中的數(shù)據(jù)丟失。
[0012] 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，存儲器可以包括：第一單元塊，其包括多個(gè)第一字線組和 一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線組，多個(gè)第一字線組中的每個(gè)第一字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第 一字線，一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線組中的每個(gè)第一冗余字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第一冗 余字線并且對應(yīng)于多個(gè)命中信號中的一個(gè)命中信號；第二單元塊，其包括多個(gè)第二字線組 和一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組，多個(gè)第二字線組中的每個(gè)第二字線組具有兩個(gè)或更多個(gè) 第二字線，一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組中的每個(gè)第二冗余字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第二 冗余字線并且對應(yīng)于多個(gè)命中信號中的一個(gè)命中信號；以及控制單元，其適用于響應(yīng)于第 一輸入地址而選擇單元塊和字線，以及基于在第一輸入地址之后輸入的輸入地址刷新選擇 的字線，而當(dāng)通過第一輸入地址選擇的第一選擇字線與冗余字線相鄰時(shí)，響應(yīng)于第一輸入 地址和命中信號而刷新與第一選擇字線相鄰的一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線，其中，第一輸入地 址在目標(biāo)刷新部分中被第一個(gè)輸入。
[0013] 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，一種存儲器系統(tǒng)可以包括存儲器和存儲器控制器，存儲 器包括：第一單元塊，第一單元塊適用于包括多個(gè)第一字線組和一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字 線組，多個(gè)第一字線組中的每個(gè)第一字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第一字線，一個(gè)或更多個(gè)第 一冗余字線組中的每個(gè)第一冗余字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線并且對應(yīng)于多個(gè) 命中信號中的一個(gè)命中信號；以及第二單元塊，第二單元塊適用于包括多個(gè)第二字線組和 一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組，多個(gè)第二字線組中的每個(gè)第二字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第 二字線，一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組中的每個(gè)第二冗余字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第二冗 余字線并且對應(yīng)于多個(gè)命中信號中的一個(gè)命中信號，其中，存儲器響應(yīng)于第一輸入地址而 選擇單元塊和字線，并且基于在第一輸入地址之后輸入的輸入地址刷新選擇的字線，而在 通過第一輸入字線選擇的第一選擇字線與冗余字線相鄰時(shí)響應(yīng)于第一輸入地址和命中信 號而刷新與第一選擇字線相鄰的一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線，其中，第一輸入地址在目標(biāo)刷新 部分中被第一個(gè)輸入；存儲器控制器適用于在檢測到要執(zhí)行目標(biāo)刷新操作的字線時(shí)控制存 儲器進(jìn)入目標(biāo)刷新部分，以及在目標(biāo)刷新操作期間施加用于選擇存儲器中的檢測字線的一 個(gè)或更多個(gè)地址。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 圖1是說明用于描述字線干擾的存儲器中包括的單元陣列的一部分的圖；
[0015] 圖2是描述用于刷新與頻繁激活的字線相鄰的相鄰字線的目標(biāo)刷新操作的時(shí)序 圖；
[0016] 圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的存儲器的框圖；
[0017]圖4是說明圖3中所示的控制單元的詳細(xì)框圖；
[0018]圖5是說明圖4中所示的單元塊選擇單元的詳細(xì)框圖；
[0019]圖6是說明圖4中所示的命中信號發(fā)生單元的詳細(xì)框圖；
[0020] 圖7是說明圖4中所示的目標(biāo)刷新控制單元的詳細(xì)框圖；
[0021] 圖8是說明圖4中所示的字線控制信號發(fā)生單元的詳細(xì)框圖；
[0022] 圖9是說明圖4中所示的冗余控制單元的框圖；以及
[0023] 圖10是說明根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024] 下面將參照附圖更詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式實(shí)施， 而不應(yīng)解釋為限于本文所陳列的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例使得本公開充分與完 整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本公開中，附圖標(biāo)記直接對應(yīng)于在本 發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中相同編號的部分。還應(yīng)注意的是，在本說明書中，"連接/耦接" 不僅表示一個(gè)部件與另一個(gè)部件直接耦接，還表示經(jīng)由中間部件與另一個(gè)部件間接耦接。 另外，只要未在句子中特意提及，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[0025] 附圖并非按比例繪制，在某些情況下，為了清楚地說明實(shí)施例的特征，可能對比例 做夸大處理。
[0026] 在下文中，當(dāng)字線在刷新操作中響應(yīng)于激活命令而被激活時(shí)，與激活的字線耦接 的存儲器單元被刷新。另外，刷新字線可以表示刷新與相應(yīng)的字線耦接的存儲器單元。
[0027] 在下文中，頻繁激活的字線可以表示激活次數(shù)等于或大于參考數(shù)目的字線，或者 激活頻率滿足預(yù)定條件(例如，高于參考頻率）的字線。相鄰字線可以表示與頻繁激活的字 線相鄰設(shè)置以及允許與其耦接的存儲器單元的數(shù)據(jù)受頻繁激活的字線的激活或預(yù)充電操 作的影響的字線。
[0028] 圖2是描述用于刷新與頻繁激活的字線相鄰的相鄰字線的目標(biāo)刷新操作的時(shí)序 圖。
[0029] 參見圖2,命令M0DE_SET、ACT和PRE以及地址ADDl至ADD3和ADD_SET可以與時(shí) 鐘信號CLK同步地輸入。
[0030] 存儲器可以包括多個(gè)字線WLl至WLN以及一個(gè)或更多個(gè)冗余字線RWLl至RWLM，多 個(gè)字線WLl至WLN中的每個(gè)字線與多個(gè)存儲器單元(未示出）耦接。
[0031] 當(dāng)檢測到頻繁激活的字線HIGH_ACT_WL時(shí)，存儲器控制器(未示出）可以施加用于 設(shè)定存儲器的操作模式的命令M0DE_SET。命令M0DE_SET可以包括用于存儲器的模式寄存 器設(shè)定（MRS)命令。存儲器控制器可以將地址ADD_SET與命令M0DE_SET-起施加至存儲 器。存儲器可以響應(yīng)于命令M0DE_SET和地址ADD_SET而進(jìn)入目標(biāo)刷新部分TRR_SECTI0N。
[0032] 在存儲器進(jìn)入目標(biāo)刷新部分TRR_SECTI0N之后，存儲器控制器可以順序施加激活 命令A(yù)CT和預(yù)充電命令PRE至存儲器，并且可以與上述命令一起施加與頻繁激活的字線 HIGH_ACT_WL相對應(yīng)的地址ADDl和用于選擇與頻繁激活的字線HIGH_ACT_WL相鄰的相鄰字 線ADJ1JVL和ADJ2_WL的地址ADD2 和ADD3。
[0033] 當(dāng)完成目標(biāo)刷新操作時(shí)，存儲器控制器可以將用于存儲器的地址ADD_SET與命令 M0DE_SET-起施加至存儲器以終止目標(biāo)刷新部分。存儲器可以響應(yīng)于命令M0DE_SET和地 址ADD_SET而終止目標(biāo)刷新部分TRR_SECTI0N。
[0034] 如左側(cè)圖所示，當(dāng)頻繁激活的字線HIGH_ACT_WL是字線WLl至WLN中的一個(gè)時(shí)，當(dāng) 地址ADD2和ADD3被施加到存儲器時(shí)，相鄰字線ADJ1_WL和ADJ2_WL被選擇并且被激活或 預(yù)充電，且因而正常地執(zhí)行目標(biāo)刷新操作。
[0035] 如右側(cè)圖所示，由于替換正常字線的原因，當(dāng)頻繁激活的字線HIGH_ACT_WL是冗 余字線RWLl至RWLM中的一個(gè)時(shí)，當(dāng)?shù)刂稟DD2和ADD3被施加到存儲器時(shí)，錯(cuò)誤字線WRONG_ WLl和WR0NG_WL2(并非與頻繁激活的字線HIGH_ACT_WL相鄰的相鄰字線ADJ1_WL和ADJ2_ WL)被選擇并且被激活或預(yù)充電，且因而目標(biāo)刷新操作被異常地執(zhí)行。
[0036] 由于可以通過從存儲器外部輸入的地址來選擇冗余字線，所以需要一種用于對冗 余字線正常地執(zhí)行目標(biāo)刷新操作的方法。
[0037] 圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的存儲器的框圖。
[0038] 如圖3所示，存儲器可以包括：命令輸入單元310、地址輸入單元320、命令譯碼 器330、模式設(shè)定單元340、地址譯碼器350、控制單元360、第一單元塊BLKl和第二單元塊 BLK2。圖3說明除了與本發(fā)明沒有直接關(guān)系的其他操作(諸如讀取操作、寫入操作等）相關(guān) 的配置之外的存儲器中與激活操作和目標(biāo)刷新操作有關(guān)的配置。
[0039] 將參照圖3來描述存儲器。
[0040] 命令輸入單元310可以接收從存儲器控制器(未示出）施加的命令CMD，并且地址 輸入單元320可以接收從存儲器控制器施加的地址ADD。命令CMD和地址ADD中的每個(gè)可 以包括多比特信號。
[0041] 命令譯碼器330可以對經(jīng)由命令輸入單元310輸入的命令CMD譯碼，以及產(chǎn)生激 活命令A(yù)CT、預(yù)充電命令PRE和模式設(shè)定命令M0DE_SET。當(dāng)命令信號CMD的組合表示激活 命令A(yù)CT時(shí)，激活命令A(yù)CT可以被激活，當(dāng)命令信號CMD的組合表示預(yù)充電命令PRE時(shí)，預(yù) 充電命令PRE可以被激活，以及當(dāng)命令信號CMD的組合表示模式設(shè)定命令M0DE_SET時(shí)，模 式設(shè)定命令M0DE_SET可以被激活。另外，命令譯碼器330可以對命令信號CMD譯碼，并且 產(chǎn)生用于刷新操作、讀取操作、寫入操作等的其他命令，但是由于它們與本發(fā)明沒有直接關(guān) 系，所以省略其描述和說明。
[0042] 地址譯碼器350可以對經(jīng)由地址輸入單元320輸入的地址ADD〈0:A>譯碼，并且可 以產(chǎn)生多個(gè)譯碼信號LAX0〈0:1>、LAX〈0:B>和LAXA〈0:1>。譯碼信號LAX0〈0:1>可以通過 對地址ADD〈0:A>的最低比特ADD〈0>譯碼來獲得，而譯碼信號LAXA〈0:1>可以通過對地址 ADD〈0:A>的用于選擇塊的比特ADD〈A> (在下文中，被稱為"塊選擇比特"）譯碼來獲得。譯 碼信號LAX〈0:B>可以通過對地址ADD〈0:A>的其他比特ADD〈1:A-1>(在下文中，被稱為"組 選擇比特"）譯碼來獲得。
[0043] 最低比特ADD〈0>可以是用于選擇字線組或冗余字線組中包括的兩個(gè)或更多個(gè)字 線中的一個(gè)字線的比特。例如，當(dāng)最低比特ADD〈0>具有"0"值時(shí)，字線組中的第一個(gè)設(shè)置 的字線可以被選擇；而當(dāng)最低比特ADD〈0>具有"1"值時(shí)，字線組中的最后設(shè)置的字線可以 被選擇。當(dāng)最低比特ADD〈0>具有"0"值時(shí)，譯碼信號LAX0〈0:1>的第一比特LAX0〈0>可以 被激活；而當(dāng)最低比特ADD〈0>具有" 1"值時(shí)，譯碼信號LAX0〈0: 1>的第二比特LAX0〈1>可 以被激活。
[0044] 當(dāng)塊選擇比特ADD〈A>具有"0"值時(shí)，第一單元塊BLKl可以被選擇，而當(dāng)塊選擇比 特ADD〈A>具有"1"值時(shí)，第二單元塊BLK2可以被選擇。當(dāng)塊選擇比特ADD〈A>具有"0"值 時(shí)，譯碼信號LAXA〈0: 1>的第一比特LAXA〈0>可以被激活，而當(dāng)塊選擇比特ADD〈A>具有" 1" 值時(shí)，譯碼信號LAXA〈0:1>的第二比特LAXA〈1>可以被激活。
[0045] 第一單元塊BLKl可以包括多個(gè)第一字線組WG1_1至WG1_N和一個(gè)或更多個(gè)第一 冗余字線組RWG1_1至RWG1_M，其中，多個(gè)第一字線組WG1_1至WG1_N中的每個(gè)第一字線 組包括兩個(gè)或更多個(gè)第一字線WL1_1和WL1_2, 一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線組RWG1_1至RWG1_M中的每個(gè)第一冗余字線組包括兩個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線RWL1_1和RWL1_2以替 換多個(gè)第一字線組WG1_1至WG1_N中的至少一個(gè)。如圖3所示，在第一單元塊BLKl中，多 個(gè)第一字線組WG1_1至WG1_N可以順序設(shè)置，并且一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線組RWG1_1至 RWG1_M可以順序設(shè)置在多個(gè)第一字線組WG1_1至WG1_N中的最后設(shè)置的第一字線組之后。
[0046] 第二單元塊BLK2可以包括多個(gè)第二字線組WG2_1至WG2_N和一個(gè)或更多個(gè)第二 冗余字線組RWG2_1至RWG2_M，其中，多個(gè)第二字線組WG2_1至WG2_N中的每個(gè)第二字線 組包括兩個(gè)或更多個(gè)第二字線WL2_1和WL2_2, 一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組RWG2_1至 RWG2_M中的每個(gè)第二冗余字線組包括兩個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線RWL2_1和RWL2_2以替換 多個(gè)第二字線組WG2_1至WG2_N中的至少一個(gè)。如圖3中所示，在第二單元塊BLK2中，多 個(gè)第二字線組WG2_1至WG2_N可以順序設(shè)置，并且一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組RWG2_1至 RWG2_M可以順序設(shè)置在多個(gè)第二字線組WG2_1至WG2_N中的最后設(shè)置的第二字線組之后。
[0047]被冗余字線RWL1_1、RWL1_2、RWL2_1 和RWL2_2 替換的字線WL1_1、WL1_2、WL2_1 和WL2_2可以是"正常字線"。
[0048] 冗余字線組RWG1_1至RWG1_M和RWG2_1至RWG2_M中的每個(gè)可以對應(yīng)于多個(gè)命 中信號HITl至HIT8 (圖4中所示）中的一個(gè)命中信號。字線組中的各個(gè)字線可以采用從 "WLx_l"至"WLx_2"的次序設(shè)置，而冗余字線組中的各個(gè)冗余字線可以采用從"RWLx_r'至 "RWLx_2"的次序設(shè)置。以下描述將作為每個(gè)單元塊包括四個(gè)冗余字線組(S卩，其中M=4的情 況）的實(shí)例而提供。單元塊BLKl和BLK2包括多個(gè)位線，并且存儲器單元MC與位線和字線 耦接。由于根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的存儲器與字線的訪問相關(guān)，所以省略了位線的說 明。
[0049] 當(dāng)模式設(shè)定命令M0DE_SET被激活時(shí)，模式設(shè)定單元340可以基于地址ADD〈0:A> 來設(shè)定存儲器的操作模式。當(dāng)模式設(shè)定命令M0DE_SET被激活，并且輸入地址ADD〈0:A>對 應(yīng)于目標(biāo)刷新部分的入口時(shí)，模式設(shè)定單元340可以將進(jìn)入信號TRR_ENTRY激活。當(dāng)模式 設(shè)定命令M0DE_SET被激活，并且輸入地址ADD〈0:A>對應(yīng)于目標(biāo)刷新部分的結(jié)尾時(shí)，模式設(shè) 定單元340可以激活終止信號TRR_EXIT。存儲器可以在進(jìn)入信號TRR_ENTRY被激活時(shí)進(jìn)入 目標(biāo)刷新部分，并且可以在終止信號TRR_EXIT被激活時(shí)終止目標(biāo)刷新部分。
[0050] 控制單元360可以選擇單元塊和字線，并且可以激活和預(yù)充電選擇單元塊中的選 擇字線。在這種情況下，通過激活和預(yù)充電目標(biāo)刷新部分中的選擇字線來對選擇字線執(zhí)行 刷新操作。
[0051] 當(dāng)基于輸入地址ADD〈0:A>選擇的字線未被冗余字線替換時(shí)，選擇的字線可以是 與輸入地址ADD〈0:A>相對應(yīng)的正常字線。當(dāng)基于輸入地址ADD〈0:A>選擇的字線被冗余字 線替換時(shí)，選擇的字線可以是替換基于輸入地址ADD〈0:A>選擇的字線的冗余字線。
[0052] 在下文中，將詳細(xì)描述存儲器執(zhí)行正常激活操作的情況和存儲器在目標(biāo)刷新部分 中執(zhí)行激活操作（即，目標(biāo)刷新操作）的情況。
[0053] if常激活橾作
[0054] 當(dāng)激活命令A(yù)CT被激活時(shí)，控制單元360可以激活字線。在這種情況下，控制單元 360可以基于輸入地址ADD〈0:A>來選擇要激活的單元塊和字線?？刂茊卧?60可以基于輸 入地址ADD〈0:A>來選擇字線或冗余字線。
[0055] 當(dāng)讀取命令或?qū)懭朊畋患せ顣r(shí)，控制單元360可以從與激活的字線耦接的存儲 器單元中讀取數(shù)據(jù)或向所述存儲器單元寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)預(yù)充電命令PRE在讀取操作或?qū)懭氩?作完成之后被激活時(shí)，控制單元360可以預(yù)充電激活的字線。
[0056] 目標(biāo)刷新橾作
[0057] 在目標(biāo)刷新操作期間，存儲器可以刷新與基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字 線相鄰的一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線。當(dāng)選擇的字線是單元塊中第K個(gè)設(shè)置的字線時(shí)，一個(gè)或 更多個(gè)相鄰字線可以包括第K+1個(gè)設(shè)置的第一相鄰字線和第K-I個(gè)設(shè)置的第二相鄰字線。
[0058] 當(dāng)模式設(shè)定命令M0DE_SET被激活時(shí)，模式設(shè)定單元340可以響應(yīng)于輸入地址 ADD〈0:A>而激活進(jìn)入信號TRR_ENTRY。當(dāng)目標(biāo)刷新操作完成時(shí)，模式設(shè)定單元340可以在 模式設(shè)定命令M0DE_SET被激活時(shí)響應(yīng)于輸入地址ADD〈0:A>而將終止信號TRR_EXIT激活。 存儲器進(jìn)入目標(biāo)刷新部分的方法和存儲器終止目標(biāo)刷新部分的方法可以根據(jù)設(shè)計(jì)而改變， 并且存儲器可以使用通過對從外部輸入的命令信號CMD譯碼而獲得的命令直接進(jìn)入目標(biāo) 刷新部分或直接終止目標(biāo)刷新部分。
[0059] 在存儲器進(jìn)入目標(biāo)刷新部分之后，可以輸入命令信號CMD以將激活命令A(yù)CT激活 三次，并且第一輸入地址至第三輸入地址ADD1〈0:A>、ADD2〈0:A>和ADD3〈0:A>可以與命 令信號CMD-起被順序輸入。第二輸入地址ADD2〈0:A>和第三輸入地址ADD3〈0:A>可以 是與對應(yīng)于第一輸入地址ADD1〈0:A>的字線相鄰的字線的地址。例如，當(dāng)?shù)谝惠斎氲刂?ADD1〈0:A>對應(yīng)于第K個(gè)設(shè)置的字線時(shí)，第二輸入地址ADD2〈0:A>可以對應(yīng)于第K+1個(gè)設(shè)置 的字線，而第三輸入地址ADD3〈0:A>可以對應(yīng)于第K-I個(gè)設(shè)置的字線。
[0060] 在目標(biāo)刷新部分期間，控制單元360可以選擇第一單元塊BLKl和第二單元塊BLK2 中與第一輸入地址ADD1〈0:A>相對應(yīng)的單元塊。即，控制單元360可以不考慮第二輸入地 址ADD2〈0:A>和第三輸入地址ADD3〈0:A>而保持與第一輸入地址ADD1〈0:A>相對應(yīng)的單元 塊被選擇的狀態(tài)。
[0061] 當(dāng)激活命令A(yù)CT在目標(biāo)刷新部分中首先被激活時(shí)，控制單元360可以激活基于第 一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線。此后，當(dāng)預(yù)充電命令PRE被激活時(shí)，可以對激活的字線 預(yù)充電。
[0062] 以下描述了當(dāng)基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線不與冗余字線相鄰時(shí)，即 當(dāng)選擇的字線是除第一字線組WG1_N中的第一字線WL1_2和第二字線組WG2_N中的第二字 線WL2_2之外的字線時(shí)的情況，在下文中被稱為"第一情況"。
[0063] 當(dāng)?shù)诙せ蠲預(yù)CT和第三激活命令A(yù)CT在目標(biāo)刷新部分中被激活時(shí)，控制單元 360可以激活分別與第二輸入地址ADD2〈0:A>和第三輸入地址ADD3〈0:A>相對應(yīng)的字線。 當(dāng)相應(yīng)的預(yù)充電命令PRE被激活時(shí)，每個(gè)激活的字線被預(yù)充電。與第二輸入地址ADD2〈0:A> 和第三輸入地址ADD3〈0:A>相對應(yīng)的字線可以分別是第一相鄰字線和第二相鄰字線。
[0064] 當(dāng)與第二輸入地址ADD2〈0:A>和第三輸入地址ADD3〈0:A>相對應(yīng)的第一相鄰字線 和第二相鄰字線被替換時(shí)，控制單元360可以不激活替換第一相鄰字線和第二相鄰字線的 冗余字線。這是因?yàn)樘鎿Q第一相鄰字線和第二相鄰字線的冗余字線不與基于第一輸入地址 ADD1〈0:A>選擇的字線相鄰。
[0065] 以下描述了當(dāng)基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線是單元塊中最后設(shè)置的 字線時(shí)，即當(dāng)選擇的字線是第一字線組WG1_N中的第一字線WL1_2或第二字線組WG2_N中 的第二字線WL2_2時(shí)的情況，在下文中被稱為"第二情況"。
[0066] 在第二情況中，一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線可以包括：第一設(shè)置的冗余字線，諸如第一 冗余字線組RWG1_1中的第一冗余字線RWL1_1或第二冗余字線組RWG2_1中的第二冗余字 線RWL2_1，在下文中被稱為"第一相鄰字線";和最后設(shè)置的字線前的字線，諸如第一字線組 WG1_N中的第一字線WL1_1或第二字線組WG2_N中的第二字線WL2_1，在下文中被稱為"第 二相鄰字線"。
[0067] 當(dāng)?shù)诙せ蠲預(yù)CT被激活時(shí)，控制單元360可以不考慮第二輸入地址ADD2〈0:A> 而激活第一相鄰字線。此后，當(dāng)預(yù)充電命令PRE被激活時(shí)，激活的字線可以被預(yù)充電。當(dāng)?shù)?三激活命令A(yù)CT被激活時(shí)，控制單元360可以基于第三輸入地址ADD3〈0 :A>激活第二相鄰 字線。此后，當(dāng)預(yù)充電命令PRE被激活時(shí)，激活的字線可以被預(yù)充電。
[0068] 以下描述了當(dāng)基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線是單元塊中的第一設(shè)置 的冗余字線時(shí)，即當(dāng)選擇的字線是第一冗余字線組RWG1_1中的第一冗余字線RWL1_1或第 二冗余字線組RWG2_1中的第二冗余字線RWL2_1時(shí)的情況，在下文中被稱為"第三情況"。 [0069] 在第三情況中，一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線可以包括：設(shè)置在單元塊中第一設(shè)置的冗 余字線之后的冗余字線，諸如第一冗余字線組RWG1_1中的第一冗余字線RWL1_2或第二冗 余字線組RWG2_1中的第二冗余字線RWL2_2,在下文中被稱為"第一相鄰字線";和單元塊中 最后設(shè)置的字線，諸如第一字線組WG1_N中的第一字線WL1_2或第二字線組WG2_N中的第 二字線WL2_2,在下文中被稱作為"第二相鄰字線"。
[0070] 以下描述當(dāng)基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線是單元塊中除了第一設(shè)置 的冗余字線之外的冗余字線時(shí)，即當(dāng)選擇的字線是除了第一冗余字線組RWG1_1中的第一 冗余字線RWL1_1和第二冗余字線組RWG2_1中的第二冗余字線RWL2_1之外的冗余字線時(shí) 的情況，在下文中被稱為"第四情況"。
[0071] 在第四情況中，一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線可以包括設(shè)置在基于第一輸入地址 ADD1〈0:A>選擇的冗余字線之前或之后的冗余字線，在下文中分別被稱為"第一相鄰字線和 第二相鄰字線"。
[0072] 在第三情況和第四情況中，當(dāng)?shù)诙せ蠲預(yù)CT和第三激活命令A(yù)CT被激活時(shí)，控 制單元360可以不考慮第二輸入地址ADD2〈0:A>和第三輸入地址ADD3〈0:A>而激活第一相 鄰字線和第二相鄰字線。
[0073] 如上所述，當(dāng)基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線與冗余字線相鄰時(shí)，存儲 器可以刷新第一相鄰字線和第二相鄰字線，而不使用第二輸入地址ADD2〈0:A>和第三輸 入地址ADD3〈0:A>。因此，即使當(dāng)與第一輸入地址ADD1〈0:A>相對應(yīng)的字線被替換時(shí)，也 可以正常地執(zhí)行目標(biāo)刷新操作。另外，當(dāng)執(zhí)行目標(biāo)刷新操作時(shí)，保持通過第一輸入地址 ADD1〈0:A>選擇的單元塊被選擇的狀態(tài)。因此，即使當(dāng)輸入與另一個(gè)單元塊相對應(yīng)的地址 時(shí)，也可以對選擇的單元塊正常地執(zhí)行目標(biāo)刷新操作。
[0074] 圖4是說明圖3中所示的控制單元360的詳細(xì)框圖。
[0075] 如圖4所示，控制單元360可以包括：激活控制單元410、命中信號發(fā)生單元420、 目標(biāo)刷新控制單元430、字線控制信號發(fā)生單元440、單元塊選擇單元450和460、第一字線 控制單元470以及第二字線控制單元480。
[0076] 激活控制單元410可以產(chǎn)生激活信號RACT以控制選自第一單元塊BLKl和第二單 元塊BLK2的單元塊的激活操作。激活控制單元410可以在激活命令A(yù)CT被激活時(shí)激活激 活信號RACT，以及可以在預(yù)充電命令PRE被激活時(shí)將激活信號RACT去激活。激活控制單元 410可以產(chǎn)生激活脈沖信號ACT_PUL。激活脈沖信號ACT_PUL可以是在激活命令A(yù)CT被激 活之后經(jīng)過預(yù)定時(shí)段時(shí)被激活的脈沖信號。
[0077] 單元塊選擇單元450和460可以從第一單元塊BLKl和第二單元塊BLK2中選擇與 地址ADD〈0:A>的塊選擇比特ADD〈A>相對應(yīng)的單元塊。單元塊選擇單元450和460可以在 目標(biāo)刷新部分期間選擇與第一輸入地址ADD1〈0:A>的塊選擇比特ADD1〈A>相對應(yīng)的單元 塊。單元塊選擇單元450和460可以包括第一單元塊選擇單元450和第二單元塊選擇單元 460。
[0078] 第一單元塊選擇單元450可以在譯碼信號LAXA〈0:1>的第一比特LAXA〈0>或第一 冗余使能信號RXENl被激活時(shí)激活第一塊信號BLK1_SEL。第一單元塊選擇單元450可以在 第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT被激活時(shí)更新第一塊信號BLK1_SEL的狀態(tài)，以及可以在第一 目標(biāo)控制信號RDECN_LAT被去激活時(shí)保持第一塊信號BLK1_SEL的狀態(tài)。
[0079] 第二單元塊選擇單元460可以在譯碼信號LAXA〈0:1>的第二比特LAXA〈1>或第二 冗余使能信號RXEN2被激活時(shí)激活第二塊信號BLK2_SEL。第二單元塊選擇單元460可以在 第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT被激活時(shí)更新第二塊信號BLK2_SEL的狀態(tài)，以及可以在第一 目標(biāo)控制信號RDECN_LAT被去激活時(shí)保持第二塊信號BLK2_SEL的狀態(tài)。
[0080] 命中信號發(fā)生單元420產(chǎn)生多個(gè)命中信號HITl至HIT8、BLK1J1IT和BLK2_HIT。 命中信號發(fā)生單元420可以響應(yīng)于地址ADD〈0:A>的組選擇比特ADD〈1 :A-1>而激活多個(gè)命 中信號HITl至HIT8以及第一塊命中信號BLK1J1IT和第二塊命中信號BLK2_HIT。命中信 號發(fā)生單元420可以儲存一個(gè)或更多個(gè)失效地址，將組選擇比特ADD〈1:A-1>與儲存的失效 地址相比較，以及當(dāng)存在與組選擇比特ADD〈1:A-1>相同的失效地址時(shí)將命中信號HITl至 HIT8中的一個(gè)激活。
[0081] 第一命中信號HITl至第四命中信號HIT4可以分別對應(yīng)于第一冗余字線組RWG1_1 至RWG1_M，第五命中信號HIT5至第八命中信號HITS可以分別對應(yīng)于第二冗余字線組 RWG2_1至RWG2_M。供作參考，失效地址可以是在存儲器制造過程期間被檢測到缺陷的字線 組的地址。
[0082] 命中信號發(fā)生單元420可以在第一命中信號HITl至第四命中信號HIT4中的任何 一個(gè)被激活時(shí)激活第一塊命中信號BLK1_HIT，以及可以在第五命中信號HIT5至第八命中 信號HIT8中的任何一個(gè)被激活時(shí)激活第二塊命中信號BLK2_HIT。
[0083] 目標(biāo)刷新控制單元430可以產(chǎn)生執(zhí)行目標(biāo)刷新操作所需的第一目標(biāo)控制信號至 第六目標(biāo)控制信號RDECN_LAT、RDECM、RDECP、RDECN、TXRED和LASTEN。
[0084] 目標(biāo)刷新控制單元430可以在正常激活操作期間將第一目標(biāo)控制信號RDECN_ LAT激活，并且在進(jìn)入目標(biāo)刷新部分時(shí)將第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT去激活，同時(shí)僅在目 標(biāo)刷新部分中的第一刷新操作期間響應(yīng)于激活脈沖信號ACT_PUL而將第一目標(biāo)控制信號 RDECN_LAT激活。第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT可以用于在目標(biāo)刷新部分中鎖存第一刷新 操作期間輸入或產(chǎn)生的信號。
[0085] 當(dāng)在目標(biāo)刷新部分中通過第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線是每個(gè)冗余字線 組中第一設(shè)置的冗余字線RWL1_1或RWL2_1時(shí)(第三情況)，目標(biāo)刷新控制單元430可以在 第三刷新操作期間激活第二目標(biāo)控制信號RDECM。當(dāng)在目標(biāo)刷新部分中通過第一輸入地址ADD1〈0: A>選擇的字線是每個(gè)冗余字線組中最后設(shè)置的冗余字線RWL1_2或RWL2_2時(shí)，目標(biāo) 刷新控制單元430可以在第二刷新操作期間激活第三目標(biāo)控制信號RDECP。目標(biāo)刷新控制 單元430可以在第二目標(biāo)控制信號RDECM和第三目標(biāo)控制信號RDECP被去激活的部分中激 活第四目標(biāo)控制信號RDECN。
[0086] 在第二情況中，目標(biāo)刷新控制單元430可以在第二刷新操作期間激活第五目標(biāo)控 制信號TXRED。第五目標(biāo)控制信號TXRED可以用于激活在第二情況中被選擇的單元塊的冗 余字線。在第三情況中，目標(biāo)刷新控制單元430可以在第二刷新操作期間激活第六目標(biāo)控 制信號LASTEN。第六目標(biāo)控制信號LASTEN可以用于激活在第三情況中被選擇的單元塊的 正常字線。
[0087] 響應(yīng)于第一命中信號HITl至第八命中信號HIT8、第一塊命中信號BLK1J1IT和第 二塊命中信號BLK2_HIT、譯碼信號LAX0〈0:1>和LAX〈0:B>、以及第一目標(biāo)控制信號至第六 目標(biāo)控制信號RDECN_LAT、RDECM、RDECP、RDECN、TXRED和LASTEN，字線控制信號發(fā)生單元 440可以產(chǎn)生用于控制多個(gè)字線WL1_1、WL1_2、WL2_1和WL2_2以及多個(gè)冗余字線RWL1_1、 RWL1_2、RWL2_1 和RWL2_2 的多個(gè)字線控制信號NXE、RAX〈0:3>、ΒΑΧ0〈0:1> 和ΒΑΧ〈0:Β>。
[0088] 當(dāng)單元塊中選擇的字線未被冗余字線替換時(shí)，第一字線控制信號NXE可以被激 活，而當(dāng)選擇的字線被冗余字線替換時(shí)，第一字線控制信號NXE被去激活。多個(gè)第三字線控 制信號ΒΑΧ0〈0:1>和ΒΑΧ〈0:Β>用于選擇單元塊中包括冗余字線的字線中的一個(gè)字線。
[0089] 當(dāng)?shù)谝粔K信號BLK1_SEL被激活時(shí)，第一字線控制單元470可以激活響應(yīng)于多個(gè)第 三字線控制信號ΒΑΧ0〈0:1>和ΒΑΧ〈0:Β>而被選擇的字線。第一字線控制單元470可以包 括第一冗余控制單元471和第一字線驅(qū)動器472。第一冗余控制單元471可以響應(yīng)于第一 塊命中信號BLK1J1IT和第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT而產(chǎn)生第一冗余使能信號RXEN1，以 及可以響應(yīng)于激活信號RACT、第一冗余使能信號RXEN1、第五目標(biāo)控制信號TXRED、第六目 標(biāo)控制信號LASTEN和激活脈沖信號ACT_PUL而產(chǎn)生第一冗余字線使能信號RWENl。第一字 線驅(qū)動器472可以在第一冗余字線使能信號RWENl被去激活時(shí)激活響應(yīng)于多個(gè)第三字線控 制信號ΒΑΧ0〈0:1>和ΒΑΧ〈0:Β>而被選擇的字線，以及可以在第一冗余字線使能信號RWENl 被激活時(shí)激活響應(yīng)于多個(gè)第三字線控制信號ΒΑΧ0〈0:1>和BAX〈0:B>而被選擇的冗余字線。
[0090] 當(dāng)?shù)诙K信號BLK2_SEL被激活時(shí)，第二字線控制單元480可以激活響應(yīng)于多個(gè)第 三字線控制信號ΒΑΧ0〈0:1>和ΒΑΧ〈0:Β>而被選擇的字線。第二字線控制單元480可以包 括第二冗余控制單元481和第二字線驅(qū)動器482。第二冗余控制單元481可以響應(yīng)于第二 塊命中信號BLK2_HIT和第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT而產(chǎn)生第二冗余使能信號RXEN2,并 且可以響應(yīng)于激活信號RACT、第二冗余使能信號RXEN2、第五目標(biāo)控制信號TXRED、第六目 標(biāo)控制信號LASTEN和激活脈沖信號ACT_PUL而產(chǎn)生第二冗余字線使能信號RWEN2。第二字 線驅(qū)動器482可以在第二冗余字線使能信號RWEN2被去激活時(shí)激活響應(yīng)于多個(gè)第三字線控 制信號ΒΑΧ0〈0:1>和ΒΑΧ〈0:Β>而被選擇的字線，以及可以在第二冗余字線使能信號RWEN2 被激活時(shí)激活響應(yīng)于多個(gè)第三字線控制信號ΒΑΧ0〈0: 1>和BAX〈0:B>而被選擇的冗余字線。
[0091] 圖5是說明圖4中所示的第一單元塊選擇單元450的詳細(xì)框圖。在圖5中，由于 第二單元塊選擇單元460具有與第一單元塊選擇單元450大體相同的結(jié)構(gòu)，所以在圖5中 將第一單元塊選擇單元450作為一個(gè)實(shí)例進(jìn)行描述。
[0092] 如圖5所示，第一單元塊選擇單元450可以包括鎖存器LATCHl和LATCH2、晶體管 P1、N1、N2 和N3。
[0093] 當(dāng)未執(zhí)行激活操作和目標(biāo)刷新操作時(shí)，激活信號RACT被去激活，并且晶體管Pl被 導(dǎo)通以將節(jié)點(diǎn)A預(yù)充電至高電平。當(dāng)執(zhí)行激活操作或目標(biāo)刷新操作時(shí)，激活信號RACT被激 活，并且晶體管Pl被關(guān)斷以響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)B的電壓而判定節(jié)點(diǎn)A的電壓。
[0094] 當(dāng)?shù)谝蛔志€控制信號NXE被激活且譯碼信號LAXA〈0: 1>的第一比特LAXA〈0>被激 活時(shí)，晶體管N2被導(dǎo)通，且因而節(jié)點(diǎn)B可以被下拉至低電平。當(dāng)?shù)谝蝗哂嗍鼓苄盘朢XENl 被激活時(shí)，晶體管N3被導(dǎo)通，因而節(jié)點(diǎn)B可以被下拉至低電平。當(dāng)晶體管N2和N3都被關(guān) 斷時(shí)，節(jié)點(diǎn)B被浮置。當(dāng)節(jié)點(diǎn)B被下拉時(shí)，節(jié)點(diǎn)A可以在激活脈沖信號ACT_PUL被激活的狀 態(tài)下被下拉至低電平。當(dāng)節(jié)點(diǎn)B被浮置時(shí)，節(jié)點(diǎn)A的電壓可以在激活脈沖信號ACT_PUL被 激活的狀態(tài)下保持在高電平。
[0095] 當(dāng)?shù)谝荒繕?biāo)控制信號RDECN_LAT被激活時(shí)，鎖存器LATCHl被激活以將節(jié)點(diǎn)A的電 壓反相并作為第一塊信號BLK1_SEL傳送，并且鎖存器LATCH2被去激活。當(dāng)?shù)谝荒繕?biāo)控制信 號RDECN_LAT被去激活時(shí)，鎖存器LATCHl被去激活，并且鎖存器LATCH2被激活以保持第一 塊信號BLK1_SEL的狀態(tài)。因此，當(dāng)節(jié)點(diǎn)A的電壓在第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT被激活的 狀態(tài)下為低電平時(shí)，第一塊信號BLK1_SEL被激活至高電平。當(dāng)節(jié)點(diǎn)A的電壓在第一目標(biāo)控 制信號RDECN_LAT被激活的狀態(tài)下為高電平時(shí)，第一塊信號BLK1_SEL被去激活至低電平。
[0096] 圖6是說明圖4所示的命中信號發(fā)生單元420的詳細(xì)框圖。
[0097] 如圖6所示，命中信號發(fā)生單元420可以包括：多個(gè)地址儲存單元610_1至610_8、 第一命中信號發(fā)生單元620、第二命中信號發(fā)生單元630、第一塊命中信號發(fā)生單元640和 第二塊命中信號發(fā)生單元650。
[0098] 多個(gè)地址儲存單元610_1至610_8中的每個(gè)可以儲存要被替換的字線組的地址， 并且可以輸出儲存的值ST01〈1 :A-1>至ST08〈1 :A-1>。
[0099] 第一命中信號發(fā)生單元620可以通過將儲存在地址儲存單元610_1至610_8中 的值ST01〈1:A-1>至ST04〈1:A-1>與組選擇比特ADD〈1:A-1>進(jìn)行比較來產(chǎn)生第一命中信 號HITl至第四命中信號HIT4。第一命中信號發(fā)生單元620可以在組選擇比特ADD〈1 :A-1> 與值ST01〈1:A-1>相同時(shí)激活第一命中信號HIT1，在組選擇比特ADD〈1:A-1>與值 31'02〈1^-1>相同時(shí)激活第二命中信號!1幾2，在組選擇比特400〈1^-1>與值51'03〈1^-1> 相同時(shí)激活第三命中信號HIT3，以及在組選擇比特ADD〈I:A-D與值ST04〈I:A-D相同時(shí)激 活第四命中信號HIT4。當(dāng)命中信號HITl至HIT4中的任何一個(gè)被激活時(shí)，第一塊命中信號 發(fā)生單元640可以激活第一塊命中信號BLK1_HIT。
[0100] 第二命中信號發(fā)生單元630可以通過將儲存在地址儲存單元中的值ST05〈1:A-1> 至ST08〈1 :A-1>與組選擇比特ADD〈1 :A-1>進(jìn)行比較來產(chǎn)生第五命中信號HIT5至第八命中 信號HIT8。第二命中信號發(fā)生單元630可以在組選擇比特ADD〈1:A-1>與值ST05〈1:A-1> 相同時(shí)激活第五命中信號HIT5,在組選擇比特ADD〈1:A-1>與值ST06〈1:A-1>相同時(shí)激活 第六命中信號HIT6,在組選擇比特ADD〈1:A-1>與值ST07〈1:A-1>相同時(shí)激活第七命中信 號HIT7,以及在組選擇比特ADD〈1 :A-1>與值ST08〈1 :A-1>相同時(shí)激活第八命中信號HIT8。 當(dāng)命中信號HIT5至HIT8中的任何一個(gè)被激活時(shí)，第二塊命中信號發(fā)生單元650可以激活 第二塊命中信號BLK2_HIT。
[0101] 圖7是說明圖4所示的目標(biāo)刷新控制單元430的詳細(xì)框圖。
[0102] 如圖7所示，目標(biāo)刷新控制單元430可以包括部分信號發(fā)生單元710以及第一目 標(biāo)控制信號發(fā)生單元至第三目標(biāo)控制信號發(fā)生單元720、730和740。
[0103] 部分信號發(fā)生單元710可以在進(jìn)入信號TRR_ENTRY被激活時(shí)激活表示目標(biāo)刷新部 分的部分信號TRR_EN，并且可以在終止信號TRR_EXIT被激活時(shí)將部分信號TRR_EN去激活。
[0104] 第一目標(biāo)控制信號發(fā)生單元720可以響應(yīng)于部分信號TRR_EN、激活信號RACT、第 一字線控制信號NXE、激活脈沖信號ACT_PUL和地址ADD〈0:A>的最低比特ADD〈0>而產(chǎn)生第 一目標(biāo)控制信號至第四目標(biāo)控制信號RDECN_LAT、RDECM、RDECP和RDECN。第一目標(biāo)控制信 號發(fā)生單元720可以包括多個(gè)移位單元SFl至SF3、多個(gè)鎖存單元LATl和LAT2、以及多個(gè) 門ANDl至AND8和NANDl至NAND5。供作參考，在移位單元SFl至SF3中，"I"可以表示輸 入端子，"0"可以表示輸出端子，"E"可以表示使能端子，"S"可以表示形成高輸出值的設(shè)定 端子，以及"R"可以表示形成低輸出值的復(fù)位端子。在鎖存單元LATl至LAT4中，"I"可以 表示輸入端子，"〇"可以表示輸出端子，以及"E"可以表示使能端子。在鎖存單元LATl至 LAT4的每個(gè)中，當(dāng)其使能端子E被激活時(shí)，通過輸入端子I輸入的信號被鎖存，以作為鎖存 值被輸出至輸出端子0 ;而當(dāng)使能端子E被去激活時(shí)，保持輸出端子0的鎖存值。
[0105] 當(dāng)部分信號TRR_EN被去激活至低電平時(shí)，多個(gè)移位單元SFl至SF3不執(zhí)行移位操 作，并且通過多個(gè)移位單元SFl至SF3的輸出端子0輸出的輸出值B〈0>、B〈l>和B〈2>可 以分別是高（HIGH)、低（LOW)和低（LOW)。當(dāng)部分信號TRR_EN被激活時(shí)，多個(gè)移位單元SFl 至SF3可以響應(yīng)于激活信號RACT而執(zhí)行移位操作。多個(gè)移位單元SFl至SF3可以在第一 刷新操作期間將輸出值B〈0>、B〈l>和B〈2>輸出為HIGH、LOW和LOW;在第二刷新操作期間 將輸出值B〈0>、B〈l>和B〈2>輸出為LOW、HIGH和LOW;以及在第三刷新操作期間將輸出值 B〈0>、B〈l> 和B〈2> 輸出為LOW、LOW和HIGH。
[0106] 當(dāng)部分信號TRR_EN被去激活至低電平時(shí)，門NAND3輸出被激活至高電平的第一目 標(biāo)控制信號RDECN_LAT，而與門NAND2的輸出無關(guān)。當(dāng)部分信號TRR_EN被激活至高電平并 且第一移位單元SFl的輸出值B〈0>是高電平時(shí)，第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT可以在激活 脈沖信號ACT_PUL被激活的部分中被激活。因此，第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT可以在除 了目標(biāo)刷新部分之外的部分中被激活，可以在進(jìn)入目標(biāo)刷新部分時(shí)被去激活，然后可以在 目標(biāo)刷新部分中在第一刷新操作期間被激活。
[0107] 當(dāng)部分信號TRR_EN被去激活時(shí)，中間信號REDEN可以是低電平，而當(dāng)部分信號 TRR_EN被激活時(shí)，中間信號REDEN可以在基于第一輸入地址ADD1〈0 :A>選擇的字線是正常 字線時(shí)為低電平，而在基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線是冗余字線時(shí)為高電平。 當(dāng)?shù)谝荒繕?biāo)控制信號RDECN_LAT被激活時(shí)，鎖存單元LATl可以鎖存第一字線控制信號NXE 的反相值，并且可以輸出鎖存值。中間信號REDEN可以在部分信號TRR_EN被去激活至低電 平時(shí)為低電平，并且可以在部分信號TRR_EN被激活至高電平時(shí)具有與鎖存單元LATl的鎖 存值相同的值。
[0108] 當(dāng)?shù)谝荒繕?biāo)控制信號RDECN_LAT被激活時(shí)，鎖存單元LAT2可以鎖存最低比特 ADD〈0>并且輸出鎖存值。因此，鎖存單元LAT2的鎖存值可以在除了目標(biāo)刷新部分之外的部 分中與最低比特ADD〈0>相同，并且可以在目標(biāo)刷新部分中與第一輸入地址ADD1〈0:A>的最 低比特ADDl〈0>相同。
[0109] 當(dāng)部分信號TRR_EN被去激活時(shí)，門AND7和AND3分別輸出被去激活至低電平的第 二目標(biāo)控制信號RDECM和第三目標(biāo)控制信號RDECP，而與門AND2和AND6的輸出無關(guān)。在部 分信號TRR_EN被激活的情況下，當(dāng)中間信號REDEN是高電平，并且鎖存單元LAT2的鎖存值 是低電平（即，與第一輸入地址ADD1〈0 :A>相對應(yīng)的字線是字線組中第一設(shè)置的字線)時(shí)，在 第三移位單元SF3的輸出值B〈2>為高電平的部分中第二目標(biāo)控制信號RDECM可以被激活 至高電平。在部分信號TRR_EN被激活時(shí)，中間信號REDEN為高電平，并且鎖存單元LAT2的 鎖存值為高電平（即，與第一輸入地址ADD1〈0:A>相對應(yīng)的字線是字線組中最后設(shè)置的字 線)，在第二移位單元SF2的輸出值B〈l>為高電平的部分中第三目標(biāo)控制信號RDECP可以 被激活至高電平。
[0110] 因此，第二目標(biāo)控制信號RDECM和第三目標(biāo)控制信號RDECP可以在除了目標(biāo)刷 新部分之外的部分中被去激活。當(dāng)與第一輸入地址ADD1〈0:A>相對應(yīng)的字線在目標(biāo)刷新 部分中被替換時(shí)，當(dāng)與第一輸入地址ADD1〈0:A>相對應(yīng)的字線是字線組中第一設(shè)置的字 線時(shí)，第二目標(biāo)控制信號RDECM可以在第三刷新操作期間被激活，而當(dāng)與第一輸入地址 ADD1〈0:A>相對應(yīng)的字線是字線組中最后設(shè)置的字線時(shí)，第三目標(biāo)控制信號RDECP可以在 第二刷新操作期間被激活。
[0111] 當(dāng)?shù)诙繕?biāo)控制信號RDECM和第三目標(biāo)控制信號RDECP被去激活時(shí)，第一目標(biāo)控 制信號發(fā)生單元720可以激活第四目標(biāo)控制信號RDECN。
[0112] 第二目標(biāo)控制信號發(fā)生單元730可以包括鎖存單元LAT3以及多個(gè)門AND9和 AND10。門ANDlO可以檢測出基于輸入地址ADD〈0:A>選擇的字線是單元塊中最后設(shè)置的字 線的情況。例如，當(dāng)字線具有按照位置的次序依次增加的地址值時(shí)，單元塊中最后設(shè)置的字 線的字線選擇比特ADD〈0:A-1>可以是最大值。即，當(dāng)單元塊中最后設(shè)置的字線的所有字線 選擇比特ADD〈0:A-1>的值都為高時(shí)，門ANDlO的輸出可以被激活至高電平。當(dāng)字線選擇比 特ADD〈0:A-D的值對應(yīng)于單元塊中最后設(shè)置的字線時(shí)，門ANDlO可以由激活其輸出的其他 電路來替換。當(dāng)?shù)谝荒繕?biāo)控制信號RDECN_LAT被激活時(shí)，鎖存單元LAT3可以鎖存門ANDlO 的輸出并且輸出鎖存值。當(dāng)中間信號REDEN為低并且第二移位單元SF2的輸出值B〈l>為 高時(shí)，門AND9可以將鎖存單元LAT3的鎖存值作為第五目標(biāo)控制信號TXRED傳送。
[0113] 因此，當(dāng)基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線是最后設(shè)置的字線時(shí)，諸如是 單元塊中第一字線組WG1_N的第一字線WL1_2或第二字線組WG2_N的第二字線WL2_2時(shí)， 第五目標(biāo)控制信號TXRED可以在第二刷新操作期間被激活。
[0114] 第三目標(biāo)控制信號發(fā)生單元740可以包括鎖存單元LAT4以及多個(gè)門ANDll和 AND12。門AND12可以檢測出基于輸入地址ADD〈0:A>選擇的字線是單元塊中第一設(shè)置的 冗余字線的情況。當(dāng)?shù)诙志€控制信號RAX〈0:3>中的與單元塊中第一設(shè)置的冗余字線組 RWG1_1或RWG2_1相對應(yīng)的第一比特RAX〈0>被激活至高電平，并且最低比特ADD〈0>對應(yīng)于 字線組中的第一設(shè)置的字線，即ADD〈0>=0時(shí)，門AND12可以將其輸出激活。當(dāng)?shù)谝荒繕?biāo)控 制信號RDECN_LAT被激活時(shí)，鎖存單元LAT4可以鎖存門AND12的輸出并輸出鎖存值。當(dāng)?shù)?二目標(biāo)控制信號RDECM被激活時(shí)，門ANDll可以將鎖存單元LAT4的鎖存值作為第六目標(biāo)控 制信號LASTEN傳送。
[0115] 因此，當(dāng)基于第一輸入地址ADD1〈0:A>選擇的字線是單元塊中的第一設(shè)置的冗余 字線時(shí)，第六目標(biāo)控制信號LASTEN可以在第三刷新操作期間被激活。
[0116] 圖8是說明圖4中所示的字線控制信號發(fā)生單元440的詳細(xì)框圖。
[0117] 如圖8所示，字線控制信號發(fā)生單元440可以包括第一字線控制信號發(fā)生單元810 至第三字線控制信號發(fā)生單元830。
[0118] 第一字線控制信號發(fā)生單元810可以包括鎖存單元LATl以及多個(gè)門ORl和N0R1。 在第一塊命中信號BLK1J1IT或第二塊命中信號BLK1J1IT被激活至高電平時(shí)，門ORl的輸 出可以被激活至高電平。因此，當(dāng)與輸入地址ADD〈0:A>相對應(yīng)的字線在第一單元塊BLKl或 第二單元塊BLK2中被替換時(shí)，門ORl的輸出可以被激活。當(dāng)?shù)谝荒繕?biāo)控制信號RDECN_LAT 被激活時(shí)，鎖存單元LATl可以鎖存門ORl的輸出并輸出鎖存值。即，鎖存單元LATl可以在 第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT被激活時(shí)鎖存第一塊命中信號BLK1J1IT或第二塊命中信號 BLK2_HIT。門NORl可以在第五目標(biāo)控制信號TXRED被去激活至低電平時(shí)將鎖存單元LATl 的鎖存值反相并將其作為第一字線控制信號NXE傳送，以及在第五目標(biāo)控制信號TXRED被 激活至高電平時(shí)將第一字線控制信號NXE去激活至低電平。
[0119] 因此，第一字線控制信號NXE是表示選擇單元塊中的正常字線是否將被激活的信 號，其中，第一字線控制信號NXE可以在正常字線被激活時(shí)被激活，并且可以在正常字線被 去激活(低）即冗余字線被激活時(shí)被去激活。
[0120] 第二字線控制信號發(fā)生單元820可以響應(yīng)于命中信號HITl至HIT8而產(chǎn)生具有多 個(gè)比特的第二字線控制信號RAX〈0:3>。第二字線控制信號發(fā)生單元820可以包括多個(gè)門 0R2至0R5。門0R2可以在第一命中信號HITl或第五命中信號HIT5被激活時(shí)將第一比特 RAX〈〇>激活至高電平，門0R3可以在第二命中信號HIT2或第六命中信號HIT6被激活時(shí)將 第二比特RAX〈1>激活至高電平，門0R4可以在第三命中信號HIT3或第七命中信號HIT7被 激活時(shí)將第三比特RAX〈2>激活至高電平，以及門0R5可以在第四命中信號HIT4或第八命 中信號HIT8被激活時(shí)將第四比特RAX〈3>激活至高電平。
[0121] 第二字線控制信號中的第一比特RAX〈0>至第四比特RAX〈3>分別對應(yīng)于單元塊中 的第一冗余字線組RWG1_1至RWG1_M和第二冗余字線組RWG2_1至RWG2_M。第一比特RAX〈0> 可以對應(yīng)于第一冗余字線組RWG1_1和第二冗余字線組RWG2_1，第二比特RAX〈1>可以對應(yīng) 于第一冗余字線組RWG1_2和第二冗余字線組RWG2_2,第三比特RAX〈2>可以對應(yīng)于第一冗 余字線組RWG1_3和第二冗余字線組RWG2_3,以及第四比特RAX〈3>可以對應(yīng)于第一冗余字 線組RWG1_4和第二冗余字線組RWG2_4,即其中M=4的情況。
[0122] 第三字線控制信號發(fā)生單元830可以包括鎖存單元831、傳送單元832和發(fā)生單 元833。鎖存單元831可以響應(yīng)于第一目標(biāo)控制信號RDECN_LAT而鎖存第二字線控制信號 RAX〈0:3>，并且將其作為鎖存的第二字線控制信號RAX_LAT〈0:3>輸出。因此，在除了目標(biāo) 刷新部分之外的部分中，每當(dāng)字線被激活時(shí)，鎖存的第二字線控制信號RAX_LAT〈0:3>的值 被更新，而在目標(biāo)刷新部分中，鎖存的第二字線控制信號RAX_LAT〈0:3>的值可以保持在第 一刷新操作期間確定的值。
[0123] 傳送單元832可以根據(jù)響應(yīng)于第二控制信號至第四控制信號RDECM、RDECP和 RDECN而設(shè)定的關(guān)系來將鎖存的第二字線控制信號RAX_LAT〈0: 3>作為傳送信號RAX_ TS〈0: 3>傳送。如表1中所示，傳送單元832可以將鎖存的第二字線控制信號RAX_LAT〈0: 3> 作為傳送信號RAX_TS〈0:3>傳送。
[0124]表1
[0125]

【權(quán)利要求】
1. 一種存儲器，包括： 第一單元塊，所述第一單元塊包括多個(gè)第一字線組和一個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線組， 所述多個(gè)第一字線組中的每個(gè)第一字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第一字線，所述一個(gè)或更多個(gè) 第一冗余字線組中的每個(gè)第一冗余字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第一冗余字線并且對應(yīng)于多 個(gè)命中信號中的一個(gè)命中信號； 第二單元塊，所述第二單元塊包括多個(gè)第二字線組和一個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線組， 所述多個(gè)第二字線組中的每個(gè)第二字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第二字線，所述一個(gè)或更多個(gè) 第二冗余字線組中的每個(gè)第二冗余字線組具有兩個(gè)或更多個(gè)第二冗余字線并且對應(yīng)于所 述多個(gè)命中信號中的一個(gè)命中信號；以及 控制單元，所述控制單元適用于響應(yīng)于第一輸入地址而選擇單元塊和字線，以及基于 在所述第一輸入地址之后輸入的輸入地址刷新選擇的字線，而當(dāng)通過所述第一輸入地址選 擇的第一選擇字線與冗余字線相鄰時(shí)，響應(yīng)于所述第一輸入地址和所述命中信號而刷新與 所述第一選擇字線相鄰的一個(gè)或更多個(gè)相鄰字線，其中，所述第一輸入地址在目標(biāo)刷新部 分中被第一個(gè)輸入。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲器，其中，當(dāng)與所述第一輸入地址相對應(yīng)的字線未由冗余 字線替換時(shí)，所述第一選擇字線是與所述第一輸入地址相對應(yīng)的正常字線；而當(dāng)與所述第 一輸入地址相對應(yīng)的字線由冗余字線替換時(shí)，所述第一選擇字線是用于替換與所述第一輸 入地址相對應(yīng)的所述正常字線的所述冗余字線。
3. 如權(quán)利要求1所述的存儲器，其中，在所述第一單元塊中，所述第一字線被順序設(shè) 置，并且所述第一冗余字線被順序設(shè)置在最后設(shè)置的第一字線之后；以及在所述第二單元 塊中，所述第二字線被順序設(shè)置，并且所述第二冗余字線被順序設(shè)置在最后設(shè)置的第二字 線之后。
4. 如權(quán)利要求1所述的存儲器，其中，在所述目標(biāo)刷新部分中順序輸入所述第一輸入 地址、第二輸入地址和第三輸入地址，并且所述第二輸入地址和所述第三輸入地址是相鄰 字線的地址。
5. 如權(quán)利要求4所述的存儲器，其中，當(dāng)所述第一選擇字線是最后設(shè)置的字線時(shí)，所述 相鄰字線包括設(shè)置在所述最后設(shè)置的字線之前的字線和第一設(shè)置的冗余字線。
6. 如權(quán)利要求4所述的存儲器，其中，當(dāng)所述第一選擇字線為第一設(shè)置的冗余字線時(shí)， 所述相鄰字線包括最后設(shè)置的字線和設(shè)置在所述第一設(shè)置的冗余字線之后的冗余字線。
7. 如權(quán)利要求4所述的存儲器，其中，當(dāng)所述第一選擇字線是除了第一設(shè)置的冗余字 線之外的冗余字線中的一個(gè)時(shí)，所述相鄰字線包括設(shè)置在所述第一選擇字線之前的冗余字 線和設(shè)置在所述第一選擇字線之后的冗余字線。
8. 如權(quán)利要求1所述的存儲器，其中，所述控制單元適用于在所述目標(biāo)刷新部分期間 執(zhí)行刷新操作三次，其中，所述控制單元適用于刷新所述第一選擇字線、設(shè)置在所述第一選 擇字線之后的第一相鄰字線、和設(shè)置在所述第一選擇字線之前的第二相鄰字線。
9. 如權(quán)利要求4所述的存儲器，其中，所述控制單元包括單元塊選擇單元，所述單元塊 選擇單元適用于響應(yīng)于所述輸入地址而選擇所述第一單元塊和所述第二單元塊中的一個(gè)， 而在所述目標(biāo)刷新部分期間，響應(yīng)于所述第一輸入地址而選擇所述第一單元塊和所述第二 單元塊中的一個(gè)。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲器，其中，所述控制單元包括命中信號發(fā)生單元，所述命 中信號發(fā)生單元適用于產(chǎn)生與所述第一冗余字線組和所述第二冗余字線組相對應(yīng)的所述 多個(gè)命中信號、與所述第一單元塊相對應(yīng)的第一塊命中信號、和與所述第二單元塊相對應(yīng) 的第二塊命中信號， 其中，所述命中信號發(fā)生單元將與要替換對應(yīng)于輸入地址的字線組的冗余字線組相對 應(yīng)的命中信號激活，在激活的命中信號與所述第一冗余字線組相對應(yīng)時(shí)激活所述第一塊命 中信號，以及在所述激活的命中信號與所述第二冗余字線組相對應(yīng)時(shí)激活所述第二塊命中 信號。
【文檔編號】G11C11/401GK104376867SQ201410098051
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月13日
【發(fā)明者】李斗燦, 宋清基 申請人:愛思開海力士有限公司