硬盤及其消磁方法和消磁裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種硬盤及其消磁方法和消磁裝置。本發(fā)明硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，碟片間的至少一隔片上設(shè)置產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，該產(chǎn)生磁信號(hào)的電路與電路板中的SOC電連接，SOC控制產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成的磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。本發(fā)明實(shí)施例通過在隔片上設(shè)置產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，在對(duì)該產(chǎn)生磁信號(hào)的電路通電時(shí)，實(shí)現(xiàn)硬盤中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的快速擦除；相比于現(xiàn)有技術(shù)，無需專業(yè)環(huán)境，通電即可實(shí)現(xiàn)，操作方便。
【專利說明】硬盤及其消磁方法和消磁裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及信息安全技術(shù)，尤其涉及一種硬盤及其消磁方法和消磁裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著通信技術(shù)的發(fā)展，信息安全備受關(guān)注。而硬盤作為存儲(chǔ)信息的主要介質(zhì)之一，也是信息安全重點(diǎn)關(guān)注對(duì)象。當(dāng)硬盤損壞或報(bào)廢時(shí)，為了保證個(gè)人隱私或機(jī)密資料不被泄露，需先銷毀存儲(chǔ)的信息。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，針對(duì)硬盤中數(shù)據(jù)有效的銷毀辦法包括:專業(yè)的消磁機(jī)器、化學(xué)藥水和向硬盤寫數(shù)據(jù)。但采用現(xiàn)有技術(shù)銷毀硬盤中數(shù)據(jù)，至少存在以下缺陷:
[0004]I)需要專業(yè)的環(huán)境(專業(yè)的數(shù)據(jù)清除設(shè)備或化學(xué)藥水)，但專業(yè)環(huán)境不容易獲取，且專業(yè)環(huán)境價(jià)格昂貴；
[0005]2)如果利用磁頭向硬盤寫數(shù)據(jù)，銷毀等待時(shí)間較長。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種硬盤及其消磁方法和消磁裝置，以實(shí)現(xiàn)方便、快速擦除硬盤中數(shù)據(jù)。
[0007]第一方面，本發(fā)明提供一種硬盤，碟片間的至少一隔片上設(shè)置一產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路與電路板中的片上系統(tǒng)SOC電連接，所述SOC控制所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成的磁信號(hào)用于改變所述碟片上磁信號(hào)的方向。
[0008]結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路為一線圈，所述線圈通電后生成的磁場強(qiáng)度足以改變所述碟片上磁信號(hào)的方向。
[0009]結(jié)合第一方面或第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，還包括:
[0010]加熱線圈，設(shè)置在所述碟片和/或所述隔片上，用于對(duì)所述硬盤的內(nèi)部進(jìn)行加溫；
[0011]電流控制模塊，設(shè)置在所述電路板上，所述電流控制模塊的第一端與所述SOC電連接，所述電流控制模塊的第二端與所述加熱線圈電連接，所述電流控制模塊的第三端與所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路電連接。
[0012]結(jié)合第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)所述電流控制模塊檢測到所述硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，控制所述加熱線圈停止加熱。
[0013]結(jié)合第一方面、第一方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中任意一種，在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，還包括:
[0014]用戶控制模塊，與所述SOC電連接，用于接收用戶的觸發(fā)操作，并將所述觸發(fā)操作對(duì)應(yīng)的命令傳達(dá)給所述S0C，以使所述SOC控制所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路對(duì)硬盤進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除，其中，所述觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)。
[0015]第二方面，本發(fā)明通過一種硬盤消磁方法，所述方法包括:[0016]硬盤接收用戶的觸發(fā)操作，所述觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)；
[0017]所述硬盤中的片上系統(tǒng)SOC控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，所述磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。
[0018]結(jié)合第二方面，在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述硬盤中的SOC控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，包括:
[0019]所述硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度。
[0020]結(jié)合第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度，包括:
[0021]所述硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述硬盤的內(nèi)部溫度；
[0022]若確定所述硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，所述電流控制模塊控制加熱線圈停止加熱。
[0023]第三方面，本發(fā)明通過一種硬盤消磁裝置，所述裝置包括:
[0024]接收模塊，用于接收用戶的觸發(fā)操作，所述觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)；
[0025]控制模塊，用于控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，所述磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。
[0026]結(jié)合第三方面，在第三方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述控制模塊具體用于:
[0027]控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度。
[0028]結(jié)合第三方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述控制模塊進(jìn)一步用于:
[0029]控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述硬盤的內(nèi)部溫度；
[0030]若確定所述硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，控制加熱線圈停止加熱。
[0031]本發(fā)明通過在隔片上設(shè)置產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，在對(duì)該產(chǎn)生磁信號(hào)的電路通電時(shí)，實(shí)現(xiàn)硬盤中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的快速擦除；相比于現(xiàn)有技術(shù)，無需專業(yè)環(huán)境，通電即可實(shí)現(xiàn)，操作方便。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中硬盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明硬盤實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明硬盤實(shí)施例一中隔片和碟片間位置關(guān)系示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明硬盤實(shí)施例二中隔片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明硬盤實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖6為本發(fā)明硬盤消磁方法實(shí)施例一的流程圖；[0039]圖7為本發(fā)明硬盤消磁裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供的硬盤，在結(jié)構(gòu)上與現(xiàn)有硬盤的區(qū)別在于:碟片間的至少一隔片上設(shè)置一產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，該產(chǎn)生磁信號(hào)的電路與電路板中的片上系統(tǒng)(System on aChip，簡稱:S0C)電連接，SOC控制產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成的磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。
[0042]其中，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中硬盤的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明硬盤實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]同時(shí)參考圖1和圖2。在具體的硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，硬盤內(nèi)部由頭盤組件和電路板10組成，其中，頭盤組件是硬盤的核心部分，設(shè)置在基座20上，頭盤組件包括碟片21、主軸22、讀寫磁頭23和磁臂25等主要部件，其中碟片21的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的載體，碟片21之間由隔片(未示出)隔開，位于各碟片21的中心部位的主軸22，用于帶動(dòng)碟片21做高速旋轉(zhuǎn)；電路板10上設(shè)置有S0C11、音圈電機(jī)(Voice Coil Motor，簡稱:VCM)12、緩沖器13、讀通道14、溫度傳感器15和主機(jī)接口 16，其中，SOCll控制硬盤內(nèi)部組件的動(dòng)作，通過主機(jī)接口 16與外界聯(lián)系，其中，主機(jī)接口可以為串行連接小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SerialAttached Small Computer System Interface,簡稱:SAS)或串行高級(jí)技術(shù)附件(SerialAdvanced Technology Attachment,簡稱:SATA)接口等；VCM12 在永久磁鐵(未不出)生成的磁場內(nèi)，通過改變其內(nèi)部直流電流的大小，控制磁臂25的動(dòng)作，并通過磁臂25帶動(dòng)讀寫磁頭23進(jìn)行碟片21中數(shù)據(jù)的讀寫。
[0044]具體地，硬盤內(nèi)，隔片與碟片的位置關(guān)系如圖3所示，該實(shí)施例中以2個(gè)碟片組成的硬盤為例進(jìn)行說明，但碟片的個(gè)數(shù)不限于2個(gè)。在圖3中，主軸31設(shè)置在基座30上，碟片32之間設(shè)置有隔片32。本發(fā)明提供的硬盤，即在隔片32上增設(shè)產(chǎn)生磁信號(hào)的電路(即圖2中標(biāo)記為26部分，該產(chǎn)生磁信號(hào)的電路26由VCM12控制，通電時(shí)生成磁信號(hào)，該磁信號(hào)用于改變碟片上原有磁信號(hào)的方向)，實(shí)現(xiàn)硬盤中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的擦除。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例通過在隔片上設(shè)置產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，在對(duì)該產(chǎn)生磁信號(hào)的電路通電時(shí)，實(shí)現(xiàn)硬盤中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的快速擦除；相比于現(xiàn)有技術(shù)，無需專業(yè)環(huán)境，通電即可實(shí)現(xiàn)，操作方便。
[0046]在上述實(shí)施例中，產(chǎn)生磁信號(hào)的電路可以為一線圈，該線圈通電后生成的磁場強(qiáng)度足以改變碟片上磁信號(hào)的方向。例如，如圖4所示，隔片40上設(shè)置線圈41，其中，對(duì)線圈41的線圈個(gè)數(shù)、線圈粗細(xì)等均不限制，線圈41通電后生成的磁場強(qiáng)度足以銷毀碟片上所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)即可。
[0047]進(jìn)一步地,在圖2所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上,如圖5所示,硬盤還可以包括加熱線圈27和電流控制模塊17，其中，加熱線圈27設(shè)置在碟片21上，用于對(duì)硬盤的內(nèi)部進(jìn)行加溫；電流控制模塊17設(shè)置在電路板10上，電流控制模塊17的第一端與S0C11電連接，電流控制模塊17的第二端與加熱線圈27電連接，電流控制模塊17的第三端與產(chǎn)生磁信號(hào)的電路26電連接。需要說明的是，加熱線圈27在碟片21上的具體位置以不影響數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為優(yōu)，例如，加熱線圈27設(shè)置在碟片21的邊緣位置等?？蛇x地，加熱線圈27還可以設(shè)置在隔片(未示出)上。
[0048]在上述基礎(chǔ)上，當(dāng)電流控制模塊17檢測到硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，控制加熱線圈27停止加熱。該預(yù)設(shè)溫度為根據(jù)實(shí)際需求預(yù)先設(shè)置的，例如可以為80°等等。
[0049]可選地，硬盤還可以包括用戶控制模塊18，與SOCll電連接，用于接收用戶的觸發(fā)操作，并將該觸發(fā)操作對(duì)應(yīng)的命令傳達(dá)給SOCl I，以使SOCl I控制產(chǎn)生磁信號(hào)的電路26對(duì)硬盤進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除，其中，該觸發(fā)操作可包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)。
[0050]具體地，在硬盤內(nèi)增加快速格式化的命令，當(dāng)用戶需要快速格式化硬盤中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí)，通過下發(fā)命令，使得產(chǎn)生磁信號(hào)的電路通電，產(chǎn)生磁信號(hào)，該磁信號(hào)使得硬盤中碟片旋轉(zhuǎn)，從而快速的將碟片上所有的有序磁信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)闊o序信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)硬盤中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的擦除。
[0051]圖6為本發(fā)明硬盤消磁方法實(shí)施例一的流程圖。本發(fā)明實(shí)施例提供一種硬盤消磁方法，該方法用于對(duì)上述任一實(shí)施例中硬盤所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行擦除。該方法可以有硬盤消磁裝置執(zhí)行，該裝置可以集成在個(gè)人電腦(Personal Computer,簡稱:PC)、筆記本電腦、平板電腦或個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant,簡稱:PDA)等終端設(shè)備中。如圖6所示，該方法包括:
[0052]S601、硬盤接收用戶的觸發(fā)操作，該觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)。
[0053]S602、硬盤中的SOC控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，該磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。
[0054]理想的狀態(tài)下，當(dāng)外加磁場大于磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的矯頑力時(shí)，磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的小磁體的磁化方向就應(yīng)該和外加磁場的方向一致，并達(dá)到該磁性材料的飽和磁化強(qiáng)度，當(dāng)外加磁場撤除后，小磁體的方向和磁場強(qiáng)度就固定了。如果原來小磁體的磁化方向與外加磁場的方向不一致，就會(huì)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，改變其磁化方向，也就達(dá)到了消磁的目的。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例利用上述原理，在硬盤內(nèi)的隔片上設(shè)置產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，當(dāng)用戶觸發(fā)銷毀硬盤中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，通過SOC為該產(chǎn)生磁信號(hào)的電路通電，使其生成磁信號(hào)，以改變碟片上原有磁信號(hào)的方向。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例通過SOC控制隔片上的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，對(duì)硬盤中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)進(jìn)行擦除，相比于現(xiàn)有技術(shù)使用消磁器和藥水等銷毀數(shù)據(jù)的方法，無需專用的數(shù)據(jù)清除設(shè)備，實(shí)現(xiàn)簡單方便；相比于現(xiàn)有技術(shù)利用磁頭向硬盤寫數(shù)據(jù)，快速擦除數(shù)據(jù)，銷毀等待時(shí)間短。
[0057]在上述基礎(chǔ)上，S602可以具體包括:硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度?？蛇x地，硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度具體為:硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)硬盤的內(nèi)部溫度；若確定硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，電流控制模塊控制加熱線圈停止加熱。
[0058]圖7為本發(fā)明硬盤消磁裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，硬盤消磁裝置70包括:接收模塊71和控制模塊72。其中，接收模塊71用于接收用戶的觸發(fā)操作，該觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)；控制模塊72用于控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，該磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。
[0059]本實(shí)施例的裝置，可以用于執(zhí)行圖6所示方法實(shí)施例的技術(shù)方案，其實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，此處不再贅述。
[0060]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，控制模塊72可具體用于控制電流控制模塊調(diào)節(jié)產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度?？蛇x地，控制模塊72可進(jìn)一步用于控制電流控制模塊調(diào)節(jié)硬盤的內(nèi)部溫度；若確定硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，控制加熱線圈停止加熱。
[0061]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述各方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成。前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述各方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0062]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種硬盤，其特征在于，碟片間的至少一隔片上設(shè)置一產(chǎn)生磁信號(hào)的電路，所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路與電路板中的片上系統(tǒng)SOC電連接，所述SOC控制所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成的磁信號(hào)用于改變所述碟片上磁信號(hào)的方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤，其特征在于，所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路為一線圈，所述線圈通電后生成的磁場強(qiáng)度足以改變所述碟片上磁信號(hào)的方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硬盤，其特征在于，還包括: 加熱線圈，設(shè)置在所述碟片和/或所述隔片上，用于對(duì)所述硬盤的內(nèi)部進(jìn)行加溫； 電流控制模塊，設(shè)置在所述電路板上，所述電流控制模塊的第一端與所述SOC電連接，所述電流控制模塊的第二端與所述加熱線圈電連接，所述電流控制模塊的第三端與所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硬盤，其特征在于，當(dāng)所述電流控制模塊檢測到所述硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，控制所述加熱線圈停止加熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的硬盤，其特征在于，還包括: 用戶控制模塊，與所述SOC電連接，用于接收用戶的觸發(fā)操作，并將所述觸發(fā)操作對(duì)應(yīng)的命令傳達(dá)給所述S0C，以使所述SOC控制所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路對(duì)硬盤進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除，其中，所述觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)。
6.—種硬盤消磁方法,其特征在于,所述方法包括: 硬盤接收用戶的觸發(fā)操作，所述觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)； 所述硬盤中的片上系統(tǒng)SOC控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，所述磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述硬盤中的SOC控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，包括: 所述硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度，包括: 所述硬盤中的SOC控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述硬盤的內(nèi)部溫度； 若確定所述硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，所述電流控制模塊控制加熱線圈停止加熱。
9.一種硬盤消磁裝置，其特征在于，所述裝置包括: 接收模塊，用于接收用戶的觸發(fā)操作，所述觸發(fā)操作包括按鈕觸發(fā)和命令觸發(fā)； 控制模塊，用于控制隔片上所設(shè)置的產(chǎn)生磁信號(hào)的電路生成磁信號(hào)，所述磁信號(hào)用于改變碟片上磁信號(hào)的方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊具體用于: 控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述產(chǎn)生磁信號(hào)的電路所生成磁信號(hào)的磁場強(qiáng)度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊進(jìn)一步用于: 控制電流控制模塊調(diào)節(jié)所述硬盤的內(nèi)部溫度； 若確定所述硬盤的內(nèi)部溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度時(shí)，控制加熱線圈停止加熱。
【文檔編號(hào)】G11B5/024GK103956172SQ201410124207
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】畢德春, 楊天文, 王利生 申請人:華為技術(shù)有限公司