具有交錯設置跡線的雙導電層撓曲件的磁盤驅(qū)動器懸浮組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有交錯設置跡線的雙導電層撓曲件的磁盤驅(qū)動器懸浮組件。一種磁盤驅(qū)動器懸浮組件具有負載梁和附接到負載梁的層壓撓曲件。層壓撓曲件包括具有磁頭安裝舌形件的結(jié)構(gòu)層以及第一和第二導電層。第一電介質(zhì)層在結(jié)構(gòu)層和第一導電層之間放置，并且第二電介質(zhì)層在第一導電層和第二導電層之間放置。第一導電層包括第一多個交錯跡線，其至少具有通過第一橫向跡線間間隔隔開的第一導電跡線和第二導電跡線。第二導電層包括第二多個交錯跡線，其至少具有通過第二橫向跡線間間隔隔開的至少第三導電跡線和第四導電跡線。第四導電跡線覆蓋在第一橫向跡線間間隔之上且第一導電跡線位于第二橫向跡線間間隔之下。
【專利說明】具有交錯設置跡線的雙導電層撓曲件的磁盤驅(qū)動器懸浮組件
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年8月23日提交的美國臨時專利申請序列號61/869，165 (律師卷號N0.T6623.P)的優(yōu)先權(quán)，在此并入其全部內(nèi)容。

【背景技術(shù)】
[0003]信息存儲設備在計算機和其他消費者電子設備中用于檢索和/或存儲數(shù)據(jù)。磁硬盤驅(qū)動器為信息存儲設備的實例，其包括能夠讀取和寫入的一個或更多個磁頭，但其他信息存儲設備也包括磁頭——有時包括不能進行寫入操作的磁頭。
[0004]在現(xiàn)代磁硬盤驅(qū)動器設備中，每個磁頭為磁頭萬向架組件(HGA)的子部件，該磁頭萬向架組件通常包括懸浮組件，其具有層壓撓曲件以攜帶到達和來自磁頭的電信號。HGA為磁頭堆疊組件(HSA)的子部件，該磁頭堆疊組件通常包括多個HGA、致動器和柔性印刷電路。多個HGA附接到致動器的各種臂形件，并且HGA的層壓撓曲件中的每個具有電連接到HSA的柔性印刷電路的撓曲件尾部。
[0005]現(xiàn)代層壓撓曲件通常包括通過聚酰亞胺電介質(zhì)層從不銹鋼結(jié)構(gòu)層隔離的導電銅跡線。使得來自/到達磁頭的信號可到達致動器主體上的柔性電纜，每個HGA撓曲件包括撓曲件尾部，其沿著致動器臂形件延伸遠離磁頭并最終附接到相鄰致動器主體的柔性印刷電路。也就是說，撓曲件包括從相鄰磁頭延伸并在柔性印刷電路處的電連接點處終止的跡線。柔性印刷電路包括對應于撓曲件尾部的電連接點的電導線管。
[0006]由于撓曲件的導電跡線通過電介質(zhì)層從結(jié)構(gòu)層隔開，因此在導電跡線和結(jié)構(gòu)層之間存在電容。電容也在一條導電跡線和另一條相鄰的導電跡線之間存在。該類電容影響導電跡線的電容性電抗和阻抗，并因此影響導電跡線的帶寬。
[0007]熱輔助磁記錄(HAMR)使用脈沖激光二極管作為磁頭上的熱源。在HAMR應用中，連接磁頭和HSA的柔性印刷電路的前置放大器的導電跡線要求至少兩個高帶寬傳輸路徑:磁寫入路徑和脈沖激光路徑。其他導電跡線可攜帶來自讀取換能器(例如遂穿磁阻傳感器)、到達基于磁頭的微致動器，和/或到達電阻加熱器的信號，以用于動態(tài)飛行高度控制。因此，本領(lǐng)域中需要一種撓曲件設計，其能夠提供用于現(xiàn)代HAMR或非-HAMR應用中所需要的撓曲件尾部上的傳輸路徑，而不需要撓曲件尾部變得太寬，且具有足夠高帶寬的傳輸路徑而沒有過多的串擾或過多的阻抗。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為能夠包括本發(fā)明的一個實施例的磁盤驅(qū)動器的頂部透視圖。
[0009]圖2A和圖2B分別示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的懸浮組件的頂部和下側(cè)透視圖。
[0010]圖2C為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的層壓撓曲件的舌形件部分的特寫底部透視圖。
[0011]圖2D為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的層壓撓曲件尾部的特寫平面圖。
[0012]圖3A和圖3B分別示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的層壓撓曲件在中點和終止處的透視橫截面視圖。
[0013]圖4為根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件的橫截面視圖。
[0014]圖5為根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件的橫截面視圖。
[0015]圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件的橫截面視圖。
[0016]圖7為根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件的橫截面視圖。

【具體實施方式】
[0017]圖1為能夠包括本發(fā)明的一個實施例的磁盤驅(qū)動器100的頂部透視圖。磁盤驅(qū)動器100包括磁盤驅(qū)動器基座102和兩個環(huán)形磁盤104。磁盤驅(qū)動器100進一步包括主軸106，其轉(zhuǎn)動地安裝在磁盤驅(qū)動器基座102上，以用于轉(zhuǎn)動磁盤104。磁盤104的轉(zhuǎn)動引起空氣流過再循環(huán)過濾器108。在其他實施例中，磁盤驅(qū)動器100可僅具有單個磁盤，或可選地，多于兩個磁盤。
[0018]磁盤驅(qū)動器100進一步包括轉(zhuǎn)動地安裝在磁盤驅(qū)動器基座102上的致動器110。音圈電動機112轉(zhuǎn)動致動器110通過有限角范圍，以使至少一個磁頭萬向架組件(HGA) 114相對磁盤104中的相應一個上的一個或更多個信息磁軌理想地定位。在圖1的實施例中，致動器110包括三個臂形件，其中四個HGA 114在其上附接，每個HGA對應于兩個磁盤104中的一個的表面。然而在其他實施例中，可根據(jù)所包括的磁盤104數(shù)目和磁盤驅(qū)動器100是否減少而包括更少或更多HGA。每個HGA 114包括用于從磁盤104中的一個讀取數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)寫入磁盤104中的一個的磁頭150。致動器110有時可通過閂扣120被閂鎖在有限角范圍內(nèi)的極限角位置處。到達/來自HGA 114的電信號經(jīng)由包括柔性電纜122(優(yōu)選地包括前置放大器電路)和柔性電纜支架124的柔性印刷電路被攜帶到其他驅(qū)動器電子裝置。
[0019]圖2A和圖2B分別示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的懸浮組件的頂部和下側(cè)視圖?，F(xiàn)又參考圖2A和圖2B，懸浮組件200經(jīng)設計以在其被組裝到HGA之后支撐磁頭(例如磁頭150)。然而，在組裝到HGA中之前，懸浮組件200不包括磁頭，并且可在不包括磁頭的情況下制造和出售懸浮組件。懸浮組件200包括負載梁202。負載梁202的目的是當懸浮組件202被包括在HGA中時，為磁頭150提供垂直順性，以在磁盤104轉(zhuǎn)動時遵循磁盤104表面的垂直波動，以及在其轉(zhuǎn)動時通過通常被稱為“克負載(gram load) ”的預負載力將磁頭150相對磁盤104的表面預加載。
[0020]懸浮組件200還包括附接到負載梁202的層壓撓曲件204。例如，層壓撓曲件204的結(jié)構(gòu)層可被點焊到負載梁202。當懸浮組件220被包括在HGA中時，磁頭150附接到層壓撓曲件204的舌形件206的磁頭安裝表面。層壓撓曲件204的第一目的是為磁頭150提供順性，以在磁盤104轉(zhuǎn)動時遵循磁盤104表面的俯仰角和側(cè)滾角波動，并限制磁頭150和負載梁202之間在橫向方向和關(guān)于偏航軸線的相對運動。層壓撓曲件204的第二目的是提供多個電路徑到磁頭150,以便于到達/來自磁頭150的信號的傳輸。
[0021]對于第二目的，層壓撓曲件204可包括多個電導電(例如銅)跡線。使得來自/到達磁頭150的信號能夠到達相鄰致動器110的柔性電纜122，層壓撓曲件204可包括撓曲件尾部208，其沿著致動器110延伸遠離磁頭150并最終連接到相鄰致動器110的柔性電纜122。也就是說，層壓撓曲件204可包括導電跡線，其從相鄰磁頭150延伸并在撓曲件尾部208的終止區(qū)域212處的電連接點終止。如從圖1、圖2A和圖2B看出，與柔性電纜122相t匕，撓曲件尾部208為不同的較小部件。撓曲件尾部208電連接到柔性電纜122的方法包括超聲波焊接(tab)接合、焊料回流、各向異性導電膜接合或焊料噴射接合(SJB)。
[0022]圖2C為在舌形件206的磁頭安裝表面區(qū)域中的HGA 200的一部分的特寫透視圖?，F(xiàn)附加地參考圖2C，層壓撓曲件204可包括通過電介質(zhì)層從下層電隔開的多個導電跡線230。層壓撓曲件204也可包括多個導電通孔232，其中多個導電層可通過多個導電通孔232連接到下層中的跡線和/或連接到彼此。例如，導電跡線230可攜帶到磁頭的寫入信號并優(yōu)選地交錯(interleave)(例如,相鄰跡線可以以順序W+、W-、W+、W_交替)。例如，導電通孔232可包括諸如銅或金的導電金屬。而且，可選擇的絕緣覆蓋層可覆蓋導電跡線230的最上層，除了它們的末端必須暴露以電連接到磁頭。
[0023]交錯能夠減小阻抗和增加傳輸線的帶寬。在本發(fā)明上下文中，如果傳輸線包括被劃分成第一組普通導體的第一導體，其中每個導體在傳輸線的近端和遠端處都并聯(lián)連接，并且如果傳輸線還包括被劃分成第二組普通導體的第二導體，其中每個導體在傳輸線的近端和遠端處都并聯(lián)連接，以及如果那些第一組普通導體在那些第二組普通導體之間散置而不與那些第二組普通導體短接(直接連接)，則認為傳輸線是“交錯的”。例如，如果導電跡線230是交錯的并且攜帶寫入信號，那么W+跡線將在W-跡線之間橫向散置而不與W-跡線短接(接觸或直接連接)。
[0024]圖2D為撓曲件尾部208的終止區(qū)域212的特寫平面圖。請注意，導電跡線230可為交錯的。例如，攜帶到磁頭的寫入信號的導電跡線230的子集可以交替順序(例如，W+、W-、W+、W_)設置在撓曲件尾部208上，以使W-跡線在平面圖中位于W+跡線之間，反之亦然。
[0025]圖3A和圖3B分別示出層壓撓曲件300在中點和終止處的透視橫截面視圖。在圖3A的示例實施例中，上部行的導電跡線310、311利用八條交錯跡線(四條輸出跡線310與四條返回跡線311交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動脈沖激光器。符號314表示提供信號以驅(qū)動脈沖激光器的電路。下部行的導電跡線320、321利用八條交錯跡線(四條輸出跡線320與四條返回跡線321交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動磁頭的磁寫入器。符號324表示提供信號以便驅(qū)動磁頭的磁寫入器的電路。
[0026]圖3A和圖3B示出上部行的交替導電跡線310、311(例如，脈沖激光器驅(qū)動信號傳輸跡線)可如何在層壓撓曲件300的末端附近交錯，以及下部行的交替導電跡線320、321 (例如，寫入信號傳輸跡線)可如何在層壓撓曲件300的末端附近交錯的實例。這種交錯布置可按照電性質(zhì)提供實質(zhì)優(yōu)點，例如相對于結(jié)構(gòu)層平衡每條跡線的電容、改變跡線間電容、增加帶寬和屏蔽電磁噪音以及抑制或消除共模。
[0027]在圖3A和圖3B的實施例中，上部行的導電跡線310、311與下部行的導電跡線320,321交錯設置(stagger)(即橫向偏移)，以使上部導電跡線310,311之間的間隔或空隙覆蓋下部導電跡線320、321中的相應導電跡線并與其對準。類似地，下部導電跡線320、321之間的間隔或空隙位于上部導電跡線310、311中的相應導電跡線之下并與其對準。
[0028]在前述上下文中，“與其對準”意味著導電跡線310、311或320、321的二等分縱向中心線在±5微米的容差范圍內(nèi)與其他層的跡線之間的間隔或空隙的二等分縱向中心線對準。而且，本文中的“覆蓋”不意味著直接接觸，而是上部導電跡線310、311的最大主要表面與下部行的導電跡線320、321的兩個之間的橫向間隔或空隙重疊，并且通過電介質(zhì)材料垂直地間隔開。類似地，本文中的“位于…之下”不意味著直接接觸，而是上部行的導電跡線310、311的兩個之間的橫向間隔或空隙與相應下部導電跡線320、321的最大主要表面重疊,并通過電介質(zhì)材料垂直地間隔開。
[0029]作為圖3A中所示的導電跡線的一層相對于另一層交錯設置的結(jié)果，交錯跡線的每個單層組看到另一層，其如槽形地平面橫向偏移。在某些實施例中，這能夠在不增加附加金屬層的情況下有利地增加兩個相應高帶寬信號路徑之間的隔離。因此，可以僅利用兩個導電跡線層獲得兩個高帶寬信號路徑，而不必要具有附加地平面層。
[0030]在圖3A和圖3B的實施例中，第一和第二導電層例如可包含銅并具有2.5微米到18微米范圍中的厚度，其中根據(jù)第一和第二導電層，第一和第二行導電跡線310、311和320,321被分別圖案化。層壓撓曲件300還可包括結(jié)構(gòu)層306，其例如可包含不銹鋼并具有10微米到20微米范圍中的厚度。
[0031 ] 在圖3A和圖3B的實施例中，層壓撓曲件300還包括在第一行導電跡線310、311和第二行導電跡線320、321之間放置的第一電介質(zhì)層。層壓撓曲件300還包括在結(jié)構(gòu)層306和包括第二行導電跡線320、321的第二導電層之間放置的第二電介質(zhì)層。例如，第一和第二電介質(zhì)層每個可包含聚酰亞胺并具有5微米到25微米范圍中的厚度。
[0032]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件400的橫截面視圖。在圖4的示例實施例中，上部行的導電跡線410利用八條交錯跡線(四條輸出跡線與四條返回跡線交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動脈沖激光器。下部行的導電跡線420利用六條交錯跡線(三條輸出跡線與三條返回跡線交錯)攜帶信號以便驅(qū)動磁頭的磁寫入器。層壓撓曲件400還可包括結(jié)構(gòu)層406，其可例如包含不銹鋼并具有10微米到20微米范圍中的厚度。如果結(jié)構(gòu)層406包括導電材料，則可以根據(jù)需要將其窗口化以便減小與上覆導電跡線的電容。
[0033]在圖4的實施例中，上部行的導電跡線410與下部行的導電跡線420交錯設置(即橫向偏移)，以使上部導電跡線410之間的間隔或空隙覆蓋下部導電跡線420中的相應導電跡線并與其對準。類似地，下部導電跡線420之間的間隔或空隙位于上部導電跡線410中的相應導電跡線之下并與其對準。作為圖4中所示的導電跡線的一層相對于另一層交錯設置的結(jié)果，交錯跡線的每個單層組看到另一層，其如槽形地平面橫向偏移。在某些實施例中，這能夠有利地增加兩個相應高帶寬信號路徑之間的隔離，而不需要增加附加金屬層。
[0034]在圖4的示例實施例中，導電跡線410、420的每個的橫向?qū)挾萕近似等于導電跡線410、420之間的間隔或空隙的橫向?qū)挾萐。例如，W和S的每個可在5到30微米的范圍中。在圖4的實施例中，層壓撓曲件400還包括在第一行導電跡線410和第二行導電跡線420之間放置的電介質(zhì)層。在某些實施例中，上部行的導電跡線410和下部行的導電跡線420之間的電介質(zhì)層的厚度H優(yōu)選地在5微米到25微米的范圍中。
[0035]在圖4的實施例中，第一和第二導電層可包含銅,其中根據(jù)第一和第二導電層,第一和第二行導電跡線410、420被分別圖案化。例如，第一導電層的厚度Tl可在2.5微米到18微米的范圍中，根據(jù)其，第一行導電跡線410被圖案化。在某些實施例中，第二導電層的厚度T2不必要等于Tl，但也可優(yōu)選地在2.5微米到18微米的范圍中，其中根據(jù)該第二導電層，第二行導電跡線420被圖案化。在某些實施例中，Tl可有目的地與T2不同，以便管理信號路徑的相對阻抗或帶寬。
[0036]圖5示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件500的橫截面視圖。在圖5的示例實施例中，上部行的導電跡線510利用通過間隔或空隙513隔開的八條交錯跡線(四條輸出跡線與四條返回跡線交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動脈沖激光器。下部行的導電跡線520利用通過間隔或空隙523隔開的八條交錯跡線(四條輸出跡線與四條返回跡線交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動磁頭的磁寫入器。層壓撓曲件500還可包括結(jié)構(gòu)層506，其例如可包含不銹鋼并具有10微米到20微米范圍中的厚度。如果結(jié)構(gòu)層506包括導電材料，則根據(jù)需要其可被窗口化以便減小與上覆導電跡線的電容。
[0037]在圖5的實施例中，上部行的導電跡線510與下部行的導電跡線520交錯設置(即橫向偏移)，以使上部導電跡線510之間的間隔或空隙513覆蓋下部導電跡線520中的相應導電跡線并與其對準。類似地，下部導電跡線520之間的間隔或空隙523位于上部導電跡線510中的相應導電跡線之下并與其對準。作為圖5中所示的導電跡線的一層相對于另一層交錯設置的結(jié)果，交錯跡線的每個單層組看到另一層，其如槽形地平面橫向偏移。在某些實施例中，這能夠有利地增加兩個相應高帶寬信號路徑之間的隔離，而不需要增加附加金屬層。
[0038]在圖5的示例實施例中，導電跡線510、520中的每個的橫向?qū)挾萕可選擇地分別大于導電跡線510、520之間的間隔或空隙513、523的橫向?qū)挾萐。例如，W可在5到30微米的范圍中。請注意，盡管在圖5中交錯跡線的寬度被示為相等，但它們并不必相等。在某些實施例中，可優(yōu)選不相等的寬度。例如，在圖5的實施例中,第一和第二導電層例如可包含銅并具有2.5微米到18微米范圍中的厚度T，其中根據(jù)第一和第二導電層，第一和第二行導電跡線510、520被分別圖案化。在圖5的實施例中，層壓撓曲件500還包括在第一行導電跡線510和第二行導電跡線520之間放置的電介質(zhì)層。在某些實施例中，電介質(zhì)層的厚度H優(yōu)選地在5微米到25微米的范圍中。
[0039]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件600的橫截面視圖。在圖6的示例實施例中，上部行的導電跡線610利用六條交錯跡線(三條輸出跡線與三條返回跡線交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動磁頭的磁寫入器。下部行的導電跡線620利用六條交錯跡線(三條輸出跡線與三條返回跡線交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動脈沖激光器。層壓撓曲件600還可包括結(jié)構(gòu)層606，其例如可包含不銹鋼并具有10微米到20微米范圍中的厚度。如果結(jié)構(gòu)層606包括導電材料，則根據(jù)需要其可被窗口化以便減小與上覆導電跡線電容。
[0040]在圖6的實施例中，上部行的導電跡線610與下部行的導電跡線620交錯設置(即橫向偏移)，以使上部導電跡線610之間的間隔或空隙覆蓋下部導電跡線620中的相應導電跡線并與其對準。類似地，下部導電跡線620之間的間隔或空隙位于上部導電跡線610中的相應導電跡線之下并與其對準。作為圖6中所示的導電跡線的一層相對于另一層交錯設置的結(jié)果，交錯跡線的每個單層組看到另一層，其如槽形地平面橫向偏移。在某些實施例中，這能夠有利地增加兩個相應高帶寬信號路徑之間的隔離，而不需要增加附加金屬層。
[0041]在圖6的示例實施例中，導電跡線610、620中的每個的橫向?qū)挾萕近似等于導電跡線610、620之間的間隔或空隙的橫向?qū)挾萐。例如，W和S的每個可在5到30微米的范圍中。在圖6的實施例中，層壓撓曲件600還包括在第一行導電跡線410和第二行導電跡線620之間放置的電介質(zhì)層。在某些實施例中，上部行的導電跡線610和下部行的導電跡線620之間的電介質(zhì)層的厚度H優(yōu)選地在5微米到25微米的范圍中。
[0042]在圖6的實施例中，第一和第二導電層可包含銅,其中根據(jù)第一和第二導電層,第一和第二行導電跡線610、620被分別圖案化。第一導電層的厚度Tl例如可在2.5微米到18微米的范圍中，其中根據(jù)第一導電層，第一行導電跡線610被圖案化。在某些實施例中，第二導電層的厚度T2不必要等于Tl，但也可優(yōu)選地在2.5微米到18微米的范圍中，其中根據(jù)第二導電層，第二行導電跡線620被圖案化。在某些實施例中，Tl可有目的地與T2不同，以管理信號路徑的相對阻抗或帶寬。
[0043]圖7示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的層壓撓曲件700的橫截面視圖。在圖7的示例實施例中，上部行的導電跡線710利用通過間隔或空隙713彼此隔開的六條交錯跡線(三條輸出跡線與三條返回跡線交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動脈沖激光器。下部行的導電跡線720利用通過間隔或空隙723彼此隔開的六條交錯跡線(三條輸出跡線與三條返回跡線交錯)攜帶信號，以便驅(qū)動磁頭的磁寫入器。層壓撓曲件700還可包括結(jié)構(gòu)層706，例如其可包含不銹鋼并具有10微米到20微米范圍中的厚度。如果結(jié)構(gòu)層706包括導電材料，則根據(jù)需要其可被窗口化以便減小與上覆蓋導電跡線的電容。
[0044]在圖7的實施例中，上部行的導電跡線710與下部行的導電跡線720交錯設置(即橫向偏移)，以使上部導電跡線710之間的間隔或空隙713覆蓋下部導電跡線720中的相應導電跡線并與其對準。類似地，下部導電跡線720之間的間隔或空隙723位于上部導電跡線710中的相應導電跡線之下并與其對準。
[0045]在前述上下文下，“與其對準”意味著導電跡線710的二等分縱向中心線在±5微米的容差范圍內(nèi)與跡線720之間的間隔或空隙723的二等分縱向中心線對準。類似地，導電跡線720的二等分縱向中心線可在±5微米的容差范圍內(nèi)優(yōu)選地與跡線710之間的間隔或空隙713的二等分縱向中心線對準。而且，本文中的“覆蓋”不意味著直接接觸，而是上部導電跡線710的最大主要表面與下部行的導電跡線720的兩個之間的橫向間隔或空隙重疊，并通過電介質(zhì)材料垂直地間隔開。類似地，本文中的“位于間隔和空隙之下”不意味著直接接觸，而是上部行的導電跡線710的兩個之間的橫向間隔或空隙713與相應下部導電跡線720的最大主要表面重疊，并通過電介質(zhì)材料垂直地間隔開。
[0046]作為圖7中所示的導電跡線的一層相對于另一層交錯設置的結(jié)果，交錯跡線的每個單層組看到另一層，其如槽形地平面橫向偏移。在某些實施例中，這能夠有利地增加兩個相應高帶寬信號路徑之間的隔離，而不需要增加附加金屬層。
[0047]在圖7的示例實施例中，導電跡線710、720中的每個的橫向?qū)挾萕可選擇地分別大于導電跡線710、720之間的間隔或空隙713、723的橫向?qū)挾萐。例如，W可在5到30微米的范圍中。請注意，盡管在圖7中交錯跡線的寬度被示為相等，但它們并不必相等。在某些實施例中，可優(yōu)選不相等的寬度。在圖7的實施例中，第一和第二導電層例如可包含銅并具有2.5微米到18微米范圍中的厚度T，其中根據(jù)第一和第二導電層，第一和第二行導電跡線710、720被分別圖案化。在圖7的實施例中，層壓撓曲件700還包括在第一行導電跡線710和第二行導電跡線720之間放置的電介質(zhì)層。在某些實施例中，電介質(zhì)層的厚度H優(yōu)選地在5微米到25微米的范圍中。
[0048]在前述說明書中，參考具體示例性實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到本發(fā)明不限于那些示例。想到的本發(fā)明的各種特征和方面可獨立或者聯(lián)合使用，并且可能在不同環(huán)境或者應用中使用。因此，說明書和附圖被視為圖示性和示例性的，而不是限制性的。例如，詞“優(yōu)選地”和短語“優(yōu)選地但不是必要的”在本文中被同義地用于一致地包括“非必要”的含義或可選地?！鞍?、“包括”和“具有”意指開放式術(shù)語。
【權(quán)利要求】
1.一種磁盤驅(qū)動器，其包括: 磁盤驅(qū)動器基座， 致動器，其樞軸地附接到所述磁盤驅(qū)動器基座，所述致動器包括臂形件；以及磁頭萬向架組件，即HGA，其附接到所述致動器臂形件，所述HGA包括磁頭，以及包括負載梁和附接到所述負載梁的層壓撓曲件的懸浮組件，所述層壓撓曲件包括: 具有磁頭安裝舌形件的結(jié)構(gòu)層，其中所述磁頭接合到所述磁頭安裝舌形件； 包括第一多個交錯跡線的第一導電層和包括第二多個交錯跡線的第二導電層； 第一電介質(zhì)層，其放置在所述結(jié)構(gòu)層和所述第一導電層之間；以及 第二電介質(zhì)層，其放置在所述第一導電層和所述第二導電層之間； 其中所述第一多個交錯跡線至少包括通過第一橫向跡線間間隔隔開的第一導電跡線和第二導電跡線，并且所述第二多個交錯跡線至少包括通過第二橫向跡線間間隔隔開的第三導電跡線和第四導電跡線；并且 其中所述第四導電跡線覆蓋在所述第一橫向跡線間間隔之上且所述第一導電跡線位于所述第二橫向跡線間間隔之下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述第一、第二、第三和第四導電跡線中的每個，以及所述第一和第二橫向跡線間間隔中的每個，具有5微米到30微米范圍中的橫向覽度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述第四導電跡線與所述第一橫向跡線間間隔對準，并且所述第一導電跡線與所述第二橫向跡線間間隔對準。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述第一導電跡線的橫向?qū)挾鹊扔谒龅诙M向跡線間間隔的橫向?qū)挾取?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述第一導電跡線的橫向?qū)挾瘸^所述第二橫向跡線間間隔的橫向?qū)挾取?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述第一和第二電介質(zhì)層中的每個包含聚酰亞胺并具有5微米到25微米范圍中的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述第一和第二導電跡線共同攜帶到所述磁頭的寫入信號，并且所述第三和第四導電跡線共同攜帶到所述磁頭的激光二極管驅(qū)動信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述第一和第二導電層中的每個包含銅并具有2.5微米到18微米范圍中的厚度。
9.一種磁頭萬向架組件，即HGA，其包括: 磁頭；以及 懸浮組件，其包括: 負載梁； 附接到所述負載梁的層壓撓曲件，所述層壓撓曲件包括: 具有磁頭安裝舌形件的結(jié)構(gòu)層，其中所述磁頭接合到所述磁頭安裝舌形件； 包括第一多個交錯跡線的第一導電層，以及包括第二多個交錯跡線的第二導電層；第一電介質(zhì)層，其放置在所述結(jié)構(gòu)層和所述第一導電層之間；以及第二電介質(zhì)層，其放置在所述第一導電層和所述第二導電層之間； 其中所述第一多個交錯跡線至少包括通過第一橫向跡線間間隔隔開的第一導電跡線和第二導電跡線，并且所述第二多個交錯跡線至少包括通過第二橫向跡線間間隔隔開的第三導電跡線和第四導電跡線；并且 其中所述第四導電跡線覆蓋在所述第一橫向跡線間間隔之上并與其對準，并且所述第一導電跡線位于所述第二橫向跡線間間隔之下并與其對準。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的HGA，其中所述第一、第二、第三和第四導電跡線中的每個具有5微米到30微米范圍中的橫向?qū)挾取?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的HGA，其中所述第一和第二導電跡線共同攜帶到所述磁頭的寫入信號，并且所述第三和第四導電跡線共同攜帶到所述磁頭的激光二極管驅(qū)動信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的HGA，其中所述第一導電跡線的橫向?qū)挾鹊扔谒龅诙M向跡線間間隔的橫向?qū)挾取?br> 13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的HGA，其中所述第一導電跡線的橫向?qū)挾瘸^所述第二橫向跡線間間隔的橫向?qū)挾取?br> 14.一種懸浮組件，其包括: 負載梁； 附接到所述負載梁的層壓撓曲件，所述層壓撓曲件包括: 包括磁頭安裝舌形件的結(jié)構(gòu)層；包括第一多個交錯跡線的第一導電層，和包括第二多個交錯跡線的第二導電層；第一電介質(zhì)層，其放置在所述結(jié)構(gòu)層和所述第一導電層之間；以及第二電介質(zhì)層，其放置在所述第一導電層和所述第二導電層之間； 其中所述第一多個交錯跡線至少包括通過第一橫向跡線間間隔隔開的第一導電跡線和第二導電跡線，并且所述第二多個交錯跡線至少包括通過第二橫向跡線間間隔隔開的第三導電跡線和第四導電跡線；并且 其中所述第四導電跡線覆蓋在所述第一橫向跡線間間隔之上，并且所述第一導電跡線位于所述第二橫向跡線間間隔之下。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的懸浮組件，其中所述第一、第二、第三和第四導電跡線中的每個以及所述第一和第二橫向跡線間間隔中的每個，具有5微米到30微米范圍中的橫向?qū)挾取?br> 16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的懸浮組件，其中所述第四導電跡線與所述第一橫向跡線間間隔對準，并且所述第一導電跡線與所述第二橫向跡線間間隔對準。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的懸浮組件，其中所述第一導電跡線的橫向?qū)挾鹊扔谒龅诙M向跡線間間隔的橫向?qū)挾取?br> 18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的懸浮組件，其中所述第一導電跡線的橫向?qū)挾瘸^所述第二橫向跡線間間隔的橫向?qū)挾取?br> 19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的懸浮組件，其中所述第一和第二電介質(zhì)層中的每個包含聚酰亞胺并具有5微米到25微米范圍中的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的懸浮組件，其中所述第一和第二導電層中的每個包含銅并具有2.5微米到18微米范圍中的厚度。
【文檔編號】G11B5/60GK104424963SQ201410420993
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】W·D·休伯 申請人:西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司