本公開通常涉及選擇性使能的感測(cè)放大器。

背景技術(shù)：

非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，例如嵌入式存儲(chǔ)裝置(例如，嵌入式多媒體卡(eMMC)裝置)和可拆卸存儲(chǔ)裝置(例如，可拆卸通用串行總線(USB)閃存存儲(chǔ)裝置及其它可拆卸存儲(chǔ)卡)，已經(jīng)允許提高數(shù)據(jù)和軟件應(yīng)用的便攜性。非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的用戶越來(lái)越依賴非易失性存儲(chǔ)裝置來(lái)儲(chǔ)存和提供對(duì)大數(shù)據(jù)量的快速存取。

隨著非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置容量的增加(例如，隨著存儲(chǔ)器的儲(chǔ)存元件密度的增長(zhǎng))，大量的儲(chǔ)存元件包括在存儲(chǔ)器的字線中。隨著字線中包括的儲(chǔ)存元件數(shù)的增加，大量的感測(cè)放大器耦接到字線以使數(shù)據(jù)從字線讀取。在字線上執(zhí)行讀取操作前，電壓施加到耦接到字線的每個(gè)感測(cè)放大器，并且感測(cè)放大器的每一個(gè)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定狀態(tài)操作條件。因此，隨著容量的增加，執(zhí)行讀取操作以讀取儲(chǔ)存在字線的數(shù)據(jù)涉及功率密集過程以提供電壓到耦接到字線的全部感測(cè)放大器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括控制器和耦接到控制器的存儲(chǔ)器。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括解碼器，解碼器配置為接收與讀取操作相關(guān)聯(lián)的讀取請(qǐng)求以讀取存儲(chǔ)器的字線的一部分。根據(jù)讀取請(qǐng)求，解碼器可識(shí)別對(duì)應(yīng)于字線要讀取的部分的儲(chǔ)存元件的組。例如，讀取請(qǐng)求可包括要讀取數(shù)據(jù)的地址和數(shù)據(jù)量，根據(jù)讀取請(qǐng)求，解碼器可識(shí)別要讀取字線的第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件。在識(shí)別要讀取的儲(chǔ)存元件的組后，解碼器可選擇地使能對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存元件的組的一組感測(cè)放大器讀取，并且選擇性地禁用不對(duì)應(yīng)將被讀取的儲(chǔ)存元件的組的一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器。例如，解碼器可產(chǎn)生位掩碼，位掩碼施加為選擇性地使能/禁用耦接到字線的多個(gè)感測(cè)放大器。因此，在使能感測(cè)放大器的組(并且一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器被禁用)時(shí)，儲(chǔ)存元件的組(例如，字線的部分)可從存儲(chǔ)器讀取。

解碼器可根據(jù)字線要讀取部分的識(shí)別選擇性地使能第一組感測(cè)放大器且選擇性地禁用第二組感測(cè)放大器。結(jié)果，與非選擇性地禁用一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置相比，在讀取操作期間用于供電多個(gè)感測(cè)放大器的功率量可減小。另外，通過選擇性地使能不是全部耦接到字線的感測(cè)放大器，與使能所有耦接到字線的感測(cè)放大器的字線讀取操作相比，執(zhí)行字線的讀取操作的時(shí)間量可減小。

附圖說明

圖1是包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的系統(tǒng)的特定說明實(shí)施例的框圖，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括配置為選擇性使能/禁用的感測(cè)放大器；

圖2是包括配置為選擇性地使能/禁用的感測(cè)放大器的電路的示意圖；

圖3是選擇性地使能一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器的方法的說明性實(shí)施例的流程圖；

圖4是另一個(gè)說明性系統(tǒng)的框圖，該系統(tǒng)配置為選擇性地使能一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器；

圖5是另一個(gè)說明性系統(tǒng)的框圖，該系統(tǒng)配置為選擇性地使能一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器；

圖6是圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、圖4的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置和/或圖5的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器的特定實(shí)施例的框圖；以及

圖7是圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、圖4的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置和/或圖5的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器的另一個(gè)說明性實(shí)施例的框圖。

具體實(shí)施方式

本公開的特定實(shí)施例參考附圖進(jìn)行描述。在描述中，共同的特征在全部附圖中由共同的附圖標(biāo)記表示。

圖1是包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102和主機(jī)裝置130的系統(tǒng)100的特定說明性實(shí)施例的框圖。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102包括控制器120(例如，存儲(chǔ)器控制器)，其耦接到包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裸芯的存儲(chǔ)裝置，例如代表性存儲(chǔ)器裸芯103。存儲(chǔ)器裸芯103可包括存儲(chǔ)器104(例如，非易失性存儲(chǔ)器，諸如閃存存儲(chǔ)器)。存儲(chǔ)器104可包括感測(cè)放大器144，其可選擇性地配置(例如，使能和/或禁用)為在字線的讀取操作期間減小功率消耗量，該字線諸如存儲(chǔ)器104的代表性字線107。例如，解碼器145可配置為決定字線107要讀取的部分且選擇性地使能對(duì)應(yīng)于該部分的感測(cè)放大器的組，并且選擇性地禁用不對(duì)應(yīng)于該部分的一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器，如這里進(jìn)一步描述。為了說明，解碼器145可配置為產(chǎn)生位掩碼，在施加到感測(cè)放大器144時(shí)，其引起第一組感測(cè)放大器(耦接到字線107)使能且引起第二組感測(cè)放大器(耦接到字線107)禁用。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可嵌入在主機(jī)裝置130內(nèi)，例如根據(jù)嵌入式多媒體卡(弗吉尼亞州阿靈頓市的聯(lián)合電子裝置工程委員會(huì)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)的商標(biāo))配置?？商鎿Q地，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可從主機(jī)裝置130拆卸(即，“可拆卸連接”)。例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可為根據(jù)可拆卸通用串行總線(USB)配置可拆卸地耦接到主機(jī)裝置130。在一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可包括或?qū)?yīng)于固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)，其可用作嵌入式存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器、企業(yè)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器(ESD)或云存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器(CSD)，作為說明性、非限制性示例。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可配置為經(jīng)由通信路徑110耦接到主機(jī)裝置130，通信路徑110例如為有線通信路徑和/或無(wú)線通信路徑。例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可包括接口108(例如，主機(jī)接口)，其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102和主機(jī)裝置130之間使能通信(通過通信路徑110)，例如在接口108耦接到主機(jī)裝置130時(shí)。

例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可配置為作為嵌入式存儲(chǔ)器耦接到主機(jī)裝置130，例如(弗吉尼亞州阿靈頓市的JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)的商標(biāo))和eSD，作為說明性示例。為了說明，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可對(duì)應(yīng)于eMMC(嵌入式多媒體卡)裝置。作為另一個(gè)示例，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)卡，諸如安全數(shù)字卡、卡、miniSD^TM卡(特拉華州威明頓市的SD-3C LLC的商標(biāo))、MultiMediaCard^TM(MMC^TM)卡(弗吉尼亞州阿靈頓市的JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)的商標(biāo))或(CF)卡(加利福尼亞州苗比達(dá)市的SanDisk公司的商標(biāo))。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可操作為依據(jù)JEDEC工業(yè)規(guī)范。例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可操作為依據(jù)JEDEC eMMC規(guī)范、JEDEC通用閃存儲(chǔ)存(UFS)規(guī)范、一個(gè)或多個(gè)其它規(guī)范或其組合。

主機(jī)裝置130可包括處理器存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器可配置為儲(chǔ)存由處理器可執(zhí)行的數(shù)據(jù)和/或指令。存儲(chǔ)器可為單個(gè)存儲(chǔ)器，或者可包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器，例如一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器、一個(gè)或多個(gè)易失性存儲(chǔ)器或其組合。主機(jī)裝置130可將一個(gè)或多個(gè)命令發(fā)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102，例如一個(gè)或多個(gè)請(qǐng)求，以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102的存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫入到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102的存儲(chǔ)器104。例如，主機(jī)裝置130可配置為提供數(shù)據(jù)(例如用戶數(shù)據(jù)132)以儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器104或者請(qǐng)求從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)。例如，主機(jī)裝置130可包括移動(dòng)電話、音樂播放器、影像播放器、游戲控制臺(tái)、電子圖書閱讀器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、計(jì)算機(jī)(例如膝上計(jì)算機(jī)或筆記本計(jì)算機(jī))、任何其它電子裝置或其任何組合。主機(jī)裝置130通過存儲(chǔ)器接口通信以能從存儲(chǔ)器104讀取和寫入到存儲(chǔ)器104。例如，主機(jī)裝置130可操作為依據(jù)聯(lián)合電子裝置工程委員會(huì)(JEDEC)工業(yè)規(guī)范，例如通用閃存儲(chǔ)存(UFS)主機(jī)控制器主機(jī)控制器接口規(guī)范。作為其它示例，主機(jī)裝置130可操作為依據(jù)一個(gè)或多個(gè)其它規(guī)范，例如安全數(shù)字(SD)主機(jī)控制器規(guī)范，作為說明性示例。主機(jī)裝置130可根據(jù)任何其它適當(dāng)?shù)耐ㄐ艆f(xié)議與存儲(chǔ)器104通信。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102包括耦接到存儲(chǔ)器裸芯103的控制器120?？刂破?20可經(jīng)由總線106、接口(例如接口電路)、另一個(gè)結(jié)構(gòu)或其組合耦接到存儲(chǔ)器裸芯103。存儲(chǔ)器裸芯103可與控制器120分開和耦接到控制器120(例如，經(jīng)由總線106)。例如，控制器120可包括在與存儲(chǔ)器裸芯103不同的特性裸芯中。然而，在其它實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器裸芯103可包括控制器120。

控制器120配置為從主機(jī)裝置130接收數(shù)據(jù)和指令且將數(shù)據(jù)和指令發(fā)送到主機(jī)裝置130，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可操作地耦接到主機(jī)裝置130?？刂破?20還配置為發(fā)送數(shù)據(jù)和命令到存儲(chǔ)器104且從存儲(chǔ)器104接收數(shù)據(jù)。例如，控制器120配置為發(fā)送數(shù)據(jù)和寫入命令以指令存儲(chǔ)器104儲(chǔ)存數(shù)據(jù)到規(guī)定的地址?？刂破?20可配置為發(fā)送讀取要求162到存儲(chǔ)器104以從存儲(chǔ)器104的規(guī)定地址讀取數(shù)據(jù)。

控制器120可包括地址映射引擎152。地址映射引擎152可配置為使用映射數(shù)據(jù)150(例如邏輯-物理地址映射數(shù)據(jù))以映射邏輯地址到物理地址和/或映射物理地址到邏輯地址。例如，地址映射引擎152可將包括在讀取請(qǐng)求中的特定邏輯地址或者從主機(jī)裝置130接收的寫入請(qǐng)求映射到存儲(chǔ)器104的物理地址。映射數(shù)據(jù)150可儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器104且為了使用由控制器120恢復(fù)?？刂破?20可將映射數(shù)據(jù)150儲(chǔ)存在控制器120的存儲(chǔ)器(未示出)，諸如在隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)處。盡管地址映射引擎152示出為包括在控制器120中，但是在其它實(shí)施例中，地址映射引擎152可包括在存儲(chǔ)器裸芯103中。

存儲(chǔ)器104可包括非易失性存儲(chǔ)器(例如，NAND閃存存儲(chǔ)器)。存儲(chǔ)器104可包括二維(2D)存儲(chǔ)器配置或者三維(3D)存儲(chǔ)器配置。為了說明，存儲(chǔ)器104的多個(gè)儲(chǔ)存元件可布置成2D配置或3D配置。分別參考圖6和7描述電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)和3D NAND結(jié)構(gòu)的示例。存儲(chǔ)器104可包括儲(chǔ)存元件組，諸如代表性的儲(chǔ)存元件180-185。儲(chǔ)存元件組可設(shè)置成一個(gè)或多個(gè)頁(yè)、一個(gè)或多個(gè)字線(例如，代表性的字線107，包括儲(chǔ)存元件180-185)和/或一個(gè)或多個(gè)塊。例如，字線的每一個(gè)可包括一個(gè)或多個(gè)頁(yè)(例如，物理頁(yè))。另外，多個(gè)字線的每一個(gè)可包括在存儲(chǔ)器104的塊中。儲(chǔ)存元件組的每個(gè)儲(chǔ)存元件可配置為單級(jí)單元(SLC)或多級(jí)單元(MLC)。存儲(chǔ)器104可儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，例如用戶數(shù)據(jù)132或編碼的用戶數(shù)據(jù)，例如碼字133，如這里進(jìn)一步描述。盡管字線107示出為包括六個(gè)儲(chǔ)存元件，但是在其它實(shí)施例中，字線107可包括少于六個(gè)儲(chǔ)存元件或多于六個(gè)儲(chǔ)存元件。

存儲(chǔ)器104可包括與存儲(chǔ)器104的每個(gè)操作相關(guān)聯(lián)的支持電路。例如，存儲(chǔ)器104可與電路相關(guān)聯(lián)以支持儲(chǔ)存元件180-185的操作，諸如感測(cè)放大器144、讀取電路140、寫入電路142和解碼器145。存儲(chǔ)器104也可與一個(gè)或多個(gè)閾值電壓143相關(guān)聯(lián)，該閾值電壓143用于決定儲(chǔ)存在儲(chǔ)存元件180-185的一個(gè)或多個(gè)位值。盡管示出為分開的組件，但是感測(cè)放大器144、讀取電路140、寫入電路142和解碼器145或其組合可結(jié)合成存儲(chǔ)器104(例如，存儲(chǔ)器裸芯103)的單個(gè)組件(例如，硬件和/或軟件)。讀取電路140和寫入電路142可配置為分別使能從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器104的操作。例如，寫入電路142可配置為寫入數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器104，并且讀取電路140可配置為從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)。盡管示出為分開的組件，但是讀取電路140和寫入電路142可包括在存儲(chǔ)器裸芯103的單個(gè)組件中。

為了從存儲(chǔ)器104(例如，從字線107)讀取數(shù)據(jù)，讀取電路140可配置為經(jīng)由導(dǎo)電路徑179施加讀取電壓到字線107。例如，讀取電路140可激活字線驅(qū)動(dòng)器以經(jīng)由導(dǎo)電路徑179施加讀取電壓到字線。另外，讀取電路140可激活位線驅(qū)動(dòng)器，位線驅(qū)動(dòng)器耦接到對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存元件180-185的位線。位線驅(qū)動(dòng)器可施加位線讀取電壓到位線的每一個(gè)以使得讀取電流流過儲(chǔ)存元件的每一個(gè)。每個(gè)位線可耦接到接收位線中的電流的對(duì)應(yīng)的感測(cè)放大器(感測(cè)放大器144)，并且將電流轉(zhuǎn)換成經(jīng)由路徑147提供到讀取電路140的電壓值。讀取電路140可配置為比較從感測(cè)放大器144到一個(gè)或多個(gè)閾值電壓143的電壓值以決定與儲(chǔ)存元件180-185相關(guān)聯(lián)的位值。

感測(cè)放大器144可耦接到字線107的儲(chǔ)存元件180-185。感測(cè)放大器144可包括多個(gè)感測(cè)放大器190-195。盡管感測(cè)放大器144示出為包括六個(gè)感測(cè)放大器，但是在其它實(shí)施例中感測(cè)放大器144可包括少于六個(gè)感測(cè)放大器或多于六個(gè)感測(cè)放大器。多個(gè)感測(cè)放大器190-195的每個(gè)感測(cè)放大器可對(duì)應(yīng)于字線107的儲(chǔ)存元件180-185的不同儲(chǔ)存元件。多個(gè)感測(cè)放大器190-195的每個(gè)感測(cè)放大器可獨(dú)立于感測(cè)放大器190-195的任何其它的使能/禁用而個(gè)別使能和/或禁用。例如，多個(gè)感測(cè)放大器190-195可根據(jù)由解碼器145提供的位掩碼160使能/禁用，解碼器145包括用于感測(cè)放大器190-195的每一個(gè)的分開的位，表示對(duì)應(yīng)于該位的感測(cè)放大器是否使能或禁用。在使能特定的感測(cè)放大器時(shí)，特定的感測(cè)放大器可接收(經(jīng)由位線)流過特定的對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存元件對(duì)的位線電流。為了說明，在使能感測(cè)放大器191時(shí)，感測(cè)放大器可接收(經(jīng)由代表性的位線177)流過特定儲(chǔ)存元件181的位線電流，并且可供電，使得感測(cè)放大器191中的電路元件(例如開關(guān))使能感測(cè)放大器191的操作。

解碼器145可配置為根據(jù)讀取請(qǐng)求決定多個(gè)感測(cè)放大器190-195的使能/禁用，該讀取請(qǐng)求諸如讀取要求162，以讀取字線107的一部分。例如，解碼器145可配置為接收讀取要求162，該讀取要求162包括要讀取的邏輯地址或邏輯地址范圍、要讀取的物理地址或物理地址范圍、要讀取的數(shù)據(jù)量或其組合。根據(jù)讀取請(qǐng)求，解碼器145可識(shí)別對(duì)應(yīng)于字線107要讀取的部分的存儲(chǔ)器104的物理地址。解碼器145可決定字線107要讀取的第一儲(chǔ)存元件和字線107要讀取的最后儲(chǔ)存元件以識(shí)別字線107的第一組儲(chǔ)存元件。為了說明，根據(jù)物理地址和要讀取的數(shù)據(jù)量，解碼器145可決定儲(chǔ)存元件181是第一儲(chǔ)存元件，并且可決定儲(chǔ)存元件183是最后儲(chǔ)存元件。因此，第一組儲(chǔ)存元件可包括儲(chǔ)存元件181-183。

解碼器145也可配置為，在識(shí)別要讀取的第一組儲(chǔ)存元件后，決定要使能的第一組感測(cè)放大器(例如，選擇)、要禁用的第二組感測(cè)放大器(例如，不選擇)或其組合。例如，當(dāng)?shù)谝唤M儲(chǔ)存元件包括儲(chǔ)存元件183時(shí)，將要選擇性地使能的第一組感測(cè)放大器可包括感測(cè)放大器191-193，并且要選擇性地禁用的第二組感測(cè)放大器可包括感測(cè)放大器190和194-195。

解碼器145可配置為產(chǎn)生位掩碼160以使能第一組感測(cè)放大器且禁用第二組感測(cè)放大器。例如，位值‘0’可禁用對(duì)應(yīng)的感測(cè)放大器，并且位值‘1’可使能對(duì)應(yīng)的感測(cè)放大器。為了說明，當(dāng)位掩碼160具有值“011100”時(shí)，感測(cè)放大器190可被禁用，感測(cè)放大器191-193可使能，并且感測(cè)放大器194-195可禁用。解碼器145可提供位掩碼160到感測(cè)放大器144和/或到讀取電路140。

在操作期間，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可耦接到主機(jī)裝置130。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可從主機(jī)裝置130接收讀取命令，諸如用戶數(shù)據(jù)132。用戶數(shù)據(jù)132可包括要讀取的邏輯地址或邏輯地址的范圍、要讀取的數(shù)據(jù)量或其組合。讀取命令可指令數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102讀取存儲(chǔ)器104的字線107的一部分。

控制器120可接收讀取命令。地址映射引擎152可將讀取命令中包括的邏輯地址或邏輯地址范圍根據(jù)映射數(shù)據(jù)150轉(zhuǎn)換成物理地址或物理地址范圍?？刂破骺僧a(chǎn)生讀取要求162，其包括要讀取的邏輯地址或邏輯地址范圍、要讀取的物理地址或物理地址范圍、要讀取的數(shù)據(jù)量或其組合。讀取要求162可包括指令讀取電路140讀取字線107的部分，諸如儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器104處的多個(gè)碼字的一個(gè)或多個(gè)碼字。控制器120可發(fā)送讀取要求162到解碼器145和/或到讀取電路140。

解碼器145可接收讀取要求162且向感測(cè)放大器144發(fā)信號(hào)以選擇性地使能對(duì)應(yīng)于字線107要讀取部分的一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器，并且選擇性地禁用不對(duì)應(yīng)于字線107要讀取部分一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器。例如，解碼器145可產(chǎn)生位掩碼160，其施加為選擇性地使能/禁用感測(cè)放大器144。解碼器145也可向(例如，發(fā)送位掩碼160到)讀取電路140發(fā)信號(hào)以通知讀取電路140哪個(gè)感測(cè)放大器144將在讀取操作期間使能。根據(jù)位掩碼160，讀取電路140可感知到哪個(gè)感測(cè)放大器配置為提供輸出值，該輸出值用于決定字線107的部分上儲(chǔ)存的位值。

讀取電路140可根據(jù)讀取要求162開始讀取操作。根據(jù)讀取操作，讀取電路140可決定對(duì)應(yīng)于字線107的部分的讀取數(shù)據(jù)(例如，一個(gè)或多個(gè)位值)。讀取數(shù)據(jù)可為字線107的部分上儲(chǔ)存的一個(gè)或多個(gè)碼字的代表。為了說明，讀取數(shù)據(jù)可包括作為碼字133發(fā)送到控制器120的特定碼字的代表。在發(fā)送讀取數(shù)據(jù)的至少一部分到主機(jī)裝置130前，讀取電路140可發(fā)送讀取數(shù)據(jù)到誤差校正碼(ECC)引擎以檢測(cè)和/或糾正讀取數(shù)據(jù)中的一個(gè)或多個(gè)誤差，例如碼字133。

在特定實(shí)施例中，讀取電路140可接收與感測(cè)放大器144的每一個(gè)相關(guān)聯(lián)的輸出值，與感測(cè)放大器的一個(gè)或多個(gè)是否禁用(例如，不選擇)無(wú)關(guān)。與禁用的感測(cè)放大器相關(guān)聯(lián)的輸出值可為未限定的，并且讀取電路140可配置為在從感測(cè)放大器144接收的全部接收值當(dāng)中提取(例如，解析)與使能的感測(cè)放大器相關(guān)聯(lián)的輸出值，例如通過參考位掩碼160。

盡管解碼器145在圖1中示出為與讀取電路140分開，但是在一些實(shí)施例中，解碼器145和讀取電路140可包括在相同的組件中。盡管解碼器145示出為包括在存儲(chǔ)器裸芯103中，但是在其它實(shí)施例中，解碼器145可包括在控制器120中。例如，解碼器145和地址映射引擎152可包括在相同的組件中。當(dāng)解碼器145包括在控制器120之中時(shí)，讀取要求162可包括位掩碼160。

解碼器145可配置為根據(jù)與讀取命令相關(guān)聯(lián)的邏輯地址決定物理地址，以讀取字線107的一部分，讀取命令諸如為從主機(jī)裝置130接收的讀取命令。例如，解碼器145可配置為存取儲(chǔ)存在控制器120的映射數(shù)據(jù)150、儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器104的映射數(shù)據(jù)150的副本或儲(chǔ)存在對(duì)解碼器154可存取的另一個(gè)存儲(chǔ)裝置(例如，另一個(gè)存儲(chǔ)器)的映射數(shù)據(jù)150的副本。

具體而言，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可包括多個(gè)存儲(chǔ)裸芯，其包括存儲(chǔ)器裸芯103。例如，多個(gè)存儲(chǔ)裸芯可堆疊成三維(3D)配置。多個(gè)存儲(chǔ)裸芯的每一個(gè)可包括一個(gè)或多個(gè)字線和對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存元件。多個(gè)存儲(chǔ)裸芯的每個(gè)存儲(chǔ)器裸芯可包括對(duì)應(yīng)的解碼器，例如解碼器145。包括字線的特定存儲(chǔ)器裸芯的解碼器可根據(jù)讀取命令(或讀取請(qǐng)求)決定耦接到要讀取的儲(chǔ)存元件的組的感測(cè)放大器的組。為了說明，包括字線107的存儲(chǔ)器裸芯103的解碼器145可根據(jù)來(lái)自主機(jī)裝置130的讀取命令和/或讀取要求162決定耦接到存儲(chǔ)器104的儲(chǔ)存元件的組(例如，儲(chǔ)存元件(181-183)且對(duì)應(yīng)于字線107要讀取部分的感測(cè)放大器的組(例如，感測(cè)放大器191-193)。

映射數(shù)據(jù)150可儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器104處。另外，映射數(shù)據(jù)150可儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器(未示出)處，諸如控制器120的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?？刂破?20的存儲(chǔ)器可為單個(gè)存儲(chǔ)器組件，可包括多個(gè)不同的存儲(chǔ)器組件和/或多個(gè)不同類型(例如，易失性存儲(chǔ)器和/或非易失性)的存儲(chǔ)器組件。在其它實(shí)施方式中，映射數(shù)據(jù)150的至少一部分可儲(chǔ)存在主機(jī)裝置130的存儲(chǔ)器、在耦接到控制器120的另一個(gè)存儲(chǔ)器或其組合。

在一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102可包括誤差校正碼(ECC)引擎。ECC引擎可配置為接收數(shù)據(jù)，例如用戶數(shù)據(jù)132，并且根據(jù)該數(shù)據(jù)產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)誤差校正碼(ECC)碼字(例如，包括數(shù)據(jù)部分和奇偶校驗(yàn)部分)。例如，ECC引擎可接收用戶數(shù)據(jù)132，并且可產(chǎn)生碼字。為了說明，ECC引擎可包括編碼器，配置為采用ECC編碼技術(shù)編碼數(shù)據(jù)。ECC引擎可包括Reed-Solomon編碼器、Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)編碼器、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)編碼器、turbo編碼器、配置為根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其它ECC技術(shù)編碼的編碼器或其組合，作為說明性、非限制的示例。

ECC引擎可包括解碼器，解碼器配置為解碼從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)，以檢測(cè)和糾正數(shù)據(jù)中可能存在的位誤差。例如，ECC引擎可糾正達(dá)到ECC引擎所用ECC技術(shù)的誤差糾正能力的多個(gè)位誤差。ECC引擎識(shí)別的很多誤差可由控制器120跟蹤，諸如由ECC引擎跟蹤。例如，根據(jù)誤差數(shù)，ECC引擎可決定與存儲(chǔ)器104相關(guān)聯(lián)的位誤差率(BER)。

解碼器145可以響應(yīng)于字線107要讀取部分的識(shí)別來(lái)使能將被選擇性使能和/或選擇性禁用的感測(cè)放大器144。結(jié)果，與不選擇性禁用一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置相比，在讀取操作期間運(yùn)轉(zhuǎn)感測(cè)放大器144所用的功率量可減小。另外，通過選擇性地使能耦接到字線107的少于全部的感測(cè)放大器144，與使能所有耦接到字線的感測(cè)放大器的字線讀取操作相比，執(zhí)行字線107的讀取操作的時(shí)間可減少。

參見圖2，示出了包括感測(cè)放大器且總體上由200表示的說明性電路，感測(cè)放大器配置為選擇性地使能/禁用。電路200可包括在圖1的存儲(chǔ)器104、一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器190-195和/或讀取電路140中。

電路200可包括感測(cè)放大器210、數(shù)字-模擬(D/A)轉(zhuǎn)換器220和比較器230。感測(cè)放大器210可包括或?qū)?yīng)于圖1的感測(cè)放大器190-195之一。感測(cè)放大器210可經(jīng)由位線耦接到存儲(chǔ)器的一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存元件。例如，參見圖1，感測(cè)放大器191經(jīng)由位線177耦接到儲(chǔ)存元件181。感測(cè)放大器210可配置為根據(jù)使能/禁用信號(hào)選擇性地使能或選擇性地禁用。例如，使能/禁用信號(hào)可對(duì)應(yīng)于位掩碼的位值，例如圖1的位掩碼160。感測(cè)放大器210可配置為經(jīng)由位線接收在耦接到感測(cè)放大器210的特定儲(chǔ)存元件上執(zhí)行的讀取操作期間讀取值，例如讀取電流。感測(cè)放大器210上接收的讀取電流量可對(duì)應(yīng)于特定儲(chǔ)存元件上編程的數(shù)據(jù)值。在使能感測(cè)放大器210時(shí)，感測(cè)放大器210可配置為根據(jù)接收的讀取值輸出讀取電壓值(Vread)。使能信號(hào)可控制感測(cè)放大器210到電源或接地的連接，可防止或允許讀取值接收，和/或可防止或使能要產(chǎn)生的輸出信號(hào)。

D/A轉(zhuǎn)換器220可配置為接收數(shù)字參考值(Vref Digital)。例如，數(shù)字參考值可包括或?qū)?yīng)于閾值電壓143的特定閾值電壓。D/A轉(zhuǎn)換器220可根據(jù)接收的數(shù)字參考值(Vref Digital)輸出參考電壓值(Vref)。

比較器230可耦接到感測(cè)放大器210以及到D/A轉(zhuǎn)換器220。比較器230可配置為接收讀取電壓值(Vread)和參考電壓值(Vref)。比較器230還可配置為產(chǎn)生與儲(chǔ)存在儲(chǔ)存元件的數(shù)據(jù)值相關(guān)聯(lián)的輸出值，儲(chǔ)存元件對(duì)應(yīng)于感測(cè)放大器210。

盡管D/A轉(zhuǎn)換器220和比較器230示出為不接收使能/禁用信號(hào)，但是在其它實(shí)施例中，D/A轉(zhuǎn)換器220和/或比較器230可在各使能輸入(未示出)處接收使能/禁用信號(hào)。因此，D/A轉(zhuǎn)換器220和/或比較器230可與感測(cè)放大器210一起選擇性地使能或選擇性地禁用。例如，整個(gè)電路200可配置為根據(jù)使能/禁用信號(hào)而禁用。

參見圖3，示出了讀取字線的一部分的方法300的說明性實(shí)施例。例如，方法300可由圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102的存儲(chǔ)器104(例如，解碼器145)或控制器120執(zhí)行。

方法300包括在302處接收讀取命令以讀取存儲(chǔ)器的字線的一部分。讀取命令可包括要讀取的邏輯地址、要讀取的物理地址、要讀取的數(shù)據(jù)量或其組合或與其相關(guān)。字線可配置為儲(chǔ)存與多個(gè)碼字對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的字線可包括或?qū)?yīng)于圖1的存儲(chǔ)器104的字線107。

方法300還包括在304處決定該部分的第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件以識(shí)別字線的儲(chǔ)存元件的組。例如，解碼器，如圖1的解碼器145，可接收讀取命令，并且可識(shí)別第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件。第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件可限定儲(chǔ)存元件對(duì)應(yīng)于該部分的范圍。儲(chǔ)存元件的范圍可包括或?qū)?yīng)于一個(gè)或多個(gè)碼字。

方法300也可包括在306處決定多個(gè)感測(cè)放大器的第一組感測(cè)放大器和第二組感測(cè)放大器。第一組感測(cè)放大器可耦接到儲(chǔ)存元件的組，并且第二組感測(cè)放大器可耦接到字線的儲(chǔ)存元件的組之外的字線的一個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存元件。例如，解碼器可至少部分地根據(jù)所識(shí)別的儲(chǔ)存元件的組識(shí)別感測(cè)放大器的組和第二組感測(cè)放大器。多個(gè)感測(cè)放大器可包括或?qū)?yīng)于圖1的感測(cè)放大器144。

方法300還包括在308處通過施加電壓到字線且提供感測(cè)放大器使能信號(hào)到第一組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器，而第二組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器禁用，而從儲(chǔ)存元件的組讀取數(shù)據(jù)。儲(chǔ)存在儲(chǔ)存元件的組的數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于碼字。感測(cè)放大器使能信號(hào)可根據(jù)由解碼器產(chǎn)生的感測(cè)放大器位掩碼施加到第一組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器。感測(cè)放大器位掩碼可配置為使能第一組感測(cè)放大器，而禁用第二組感測(cè)放大器。

因此，耦接到字線的多個(gè)感測(cè)放大器可配置為使能第一組感測(cè)放大器以讀取字線的部分且禁用第二組感測(cè)放大器的不對(duì)應(yīng)于字線的該部分。通過選擇性地配置(使能和/或禁用)感測(cè)放大器用于在讀取操作期間使用，與使用全部感測(cè)放大器來(lái)讀取全部字線相比，感測(cè)放大器消耗的功率量可以減少。

圖3的方法300可由專用集成電路(ASIC)、處理單元或其任何組合開始或控制，處理器諸如為中央處理單元(CPU)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、控制器、另外的硬件裝置、固件裝置、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)裝置。作為示例，圖3的方法300可由一個(gè)或多個(gè)處理器開始或控制，例如包括在或耦接到控制器或存儲(chǔ)器的一個(gè)或多個(gè)處理器。配置為執(zhí)行圖3的方法300的控制器能選擇性地使能/禁用感測(cè)放大器以用于在讀取操作期間使用。

參見圖4，示出了包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的系統(tǒng)的說明性實(shí)施例，且總體上表示為400。系統(tǒng)400包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402包括耦接到存儲(chǔ)組件408的控制器組件404。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402可包括或?qū)?yīng)于圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102。存儲(chǔ)組件408可包括或?qū)?yīng)于圖1的存儲(chǔ)器裸芯103。

控制器組件404可包括主機(jī)接口電路410、控制器412和儲(chǔ)存接口電路414。例如，控制器組件404可包括或?qū)?yīng)于圖1的控制器120。主機(jī)接口電路410可包括或?qū)?yīng)于主機(jī)接口108。

控制器組件404可經(jīng)由總線406耦接到存儲(chǔ)組件408，總線406例如為8位或16位并行數(shù)據(jù)總線，作為說明性、非限制的示例?？偩€406可包括或?qū)?yīng)于圖1的總線106?？刂破鹘M件404可經(jīng)由主機(jī)接口電路410與外部主機(jī)(未示出)通信指令和數(shù)據(jù)。控制器412可配置為響應(yīng)于由主機(jī)接口電路410接收的指令，并且還可配置為經(jīng)由儲(chǔ)存接口電路414發(fā)送和接收數(shù)據(jù)和指令到存儲(chǔ)組件408。

在特定實(shí)施例中，存儲(chǔ)組件408包括接口電路420、耦接到接口電路420的控制器430、以及對(duì)控制器430可存取的存儲(chǔ)器陣列440。例如，存儲(chǔ)器陣列440可包括或?qū)?yīng)于圖1的存儲(chǔ)器104。

存儲(chǔ)器陣列440可包括多個(gè)字線和多個(gè)位線。例如，存儲(chǔ)器陣列440可包括第一字線WL_i-1、第二字線WL_i、第三字線WL_i+1、第四字線WL_i+2和第五字線WL_i+n。盡管存儲(chǔ)器陣列440示出為具有五個(gè)字線，但是存儲(chǔ)器陣列440可包括多于五個(gè)的字線或少于五個(gè)的字線。作為另一個(gè)示例，存儲(chǔ)器陣列440可包括第一位線BL_j-1、第二位線BL_j、第三位線BL_j+i和第四位線BL_j+2。盡管存儲(chǔ)器陣列440示出為具有四個(gè)位線，但是存儲(chǔ)器陣列可包括多于四個(gè)的位線或少于四個(gè)的位線。

存儲(chǔ)組件408可包括行解碼器電路450和列解碼器電路452，它們對(duì)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器陣列440的一個(gè)或多個(gè)特定行和特定列的數(shù)據(jù)使能訪問，例如從位線BL_j和字線WL_i處的特定存儲(chǔ)器單元442讀取值或者將值寫入到位線BL_j和字線WL_i處的特定存儲(chǔ)器單元442。緩存寄存器460以及數(shù)據(jù)寄存器和(一個(gè)或多個(gè))感測(cè)放大器462還可耦接到存儲(chǔ)器陣列440，并且可用于緩存或臨時(shí)儲(chǔ)存寫入到存儲(chǔ)器陣列440的數(shù)據(jù)或者已經(jīng)讀出存儲(chǔ)器陣列440之外的數(shù)據(jù)。感測(cè)放大器，例如圖1的感測(cè)放大器144或圖2的感測(cè)放大器210，可耦接到位線BL_j-1-BL_j+2。感測(cè)放大器的每一個(gè)可配置為選擇性地使能和選擇性地禁用。在特定實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列440可包括閃存存儲(chǔ)器。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列440可包括3D存儲(chǔ)器，如參考圖6-7進(jìn)一步描述。

在特定實(shí)施例中，控制器430包括一個(gè)或多個(gè)緩沖器432以儲(chǔ)存指令、數(shù)據(jù)或其任何組合。控制器430還可包括一個(gè)或多個(gè)狀態(tài)寄存器434、狀態(tài)機(jī)控制電路436、高電壓發(fā)生器電路438和解碼器電路439?？刂破?30可耦接為提供電信號(hào)到行解碼器電路450、到列解碼器電路452、到緩存寄存器460以及到數(shù)據(jù)寄存器和感測(cè)放大器462。在特定實(shí)施例中，控制器430的狀態(tài)寄存器434可包括儲(chǔ)存數(shù)值的一個(gè)或多個(gè)指令器，諸如通過/失敗(P/F)值442、繁忙/就緒(B/R)值444、寫入保護(hù)(WP)值446、一個(gè)或多個(gè)其它指令器或其組合。狀態(tài)寄存器434可訪問狀態(tài)機(jī)控制電路436。

狀態(tài)機(jī)控制電路436可包括專用硬件和電路以響應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)接收的指令和內(nèi)部狀態(tài)控制控制器430的操作，諸如可以表示在狀態(tài)寄存器434。狀態(tài)機(jī)控制電路436可包括諸如讀取態(tài)狀態(tài)、數(shù)據(jù)寫入狀態(tài)、數(shù)據(jù)讀取狀態(tài)，作為說明性、非限制的示例。

在特定實(shí)施例中，高電壓發(fā)生器電路438可響應(yīng)于狀態(tài)機(jī)控制電路436，并且可配置為產(chǎn)生高電壓以將數(shù)值編程到存儲(chǔ)器陣列440或從其擦除數(shù)值。例如，存儲(chǔ)器陣列440可為可經(jīng)由“高”電壓編程或擦除(諸如，五伏特(V))的電壓的閃存存儲(chǔ)器或其它存儲(chǔ)器。

控制器430還可包括解碼器電路439。解碼器電路439可包括地址解碼器電路490和感測(cè)放大器使能/禁用電路491。地址解碼器電路490可包括硬件和邏輯電路以從控制器組件404接收存儲(chǔ)器地址信息且解碼存儲(chǔ)器地址信息到具體行和列以提供到行解碼器電路450和列解碼器電路452。感測(cè)放大器使能/禁用電路491可包括硬件和邏輯以從地址解碼器電路490接收存儲(chǔ)器地址信息、決定存儲(chǔ)器陣列440對(duì)應(yīng)于字線要讀取部分的儲(chǔ)存元件的組、和/或發(fā)送使能/禁用信號(hào)(例如，位掩碼，例如圖1的位掩碼160)到數(shù)據(jù)寄存器和感測(cè)放大器462。感測(cè)放大器使能/禁用電路491可包括或?qū)?yīng)于圖1的解碼器145。盡管感測(cè)放大器使能/禁用電路491示出為包括在控制器430中，但是在其它實(shí)施例中感測(cè)放大器使能/禁用電路491可與控制器430不同。在一些實(shí)施例中，感測(cè)放大器使能/禁用電路491可包括在數(shù)據(jù)寄存器和感測(cè)放大器462中。

接口電路420可包括數(shù)據(jù)總線連接器422、耦接到數(shù)據(jù)總線連接器422的輸出驅(qū)動(dòng)器424、以及輸入/輸出(I/O)緩沖器和鎖存器426。I/O緩沖器和鎖存器426可配置為儲(chǔ)存或鎖存經(jīng)由數(shù)據(jù)總線連接器422接收的數(shù)據(jù)或者經(jīng)由數(shù)據(jù)總線連接器422要寫入到數(shù)據(jù)總線406的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)總線連接器422可包括物理電連接器以連接接口電路420到數(shù)據(jù)總線406。輸出驅(qū)動(dòng)器424可包括專用電路和電連接以使能接口電路420驅(qū)動(dòng)總線406上的電信號(hào)。在特定實(shí)施例中，接口電路420配置為適合于一個(gè)或多個(gè)總線通信協(xié)議或標(biāo)準(zhǔn)。

參見圖5，示出了包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的系統(tǒng)的說明性實(shí)施例，并且總體上表示為500。系統(tǒng)500包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置502，其包括經(jīng)由總線506耦接到一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)組件的控制器組件504，例如代表性的存儲(chǔ)組件508。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置502可包括或?qū)?yīng)于圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102或圖2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402。總線406可包括或?qū)?yīng)于圖1的總線106或圖4的總線406?？刂破鹘M件404可包括或?qū)?yīng)于圖1的控制器120或圖4的控制器組件404。

代表性的存儲(chǔ)組件508可包括或?qū)?yīng)于圖1的存儲(chǔ)器裸芯103。代表性的存儲(chǔ)組件508包括接口電路590以經(jīng)由總線506通信。

存儲(chǔ)組件508還包括控制器592，其耦接到接口電路590且還耦接到存儲(chǔ)器，諸如存儲(chǔ)器陣列594。控制器592可配置為接收感測(cè)放大器位掩碼598，例如圖1的位掩碼160。感測(cè)放大器位掩碼598可施加為選擇性地使能和/或禁用耦接到存儲(chǔ)器陣列594或包括在其中的感測(cè)放大器。例如，感測(cè)放大器可選擇性地使能和/或選擇性地禁用以配置感測(cè)放大器，以用于在與感測(cè)放大器位掩碼598相關(guān)聯(lián)的讀取操作(讀取存儲(chǔ)器陣列594的字線的一部分)期間使用。存儲(chǔ)器陣列594可包括一個(gè)或多個(gè)類型的存儲(chǔ)介質(zhì)，例如NAND陣列或ReRAM陣列。例如，存儲(chǔ)器陣列594可包括或?qū)?yīng)于圖1的存儲(chǔ)器104或圖4的存儲(chǔ)器陣列440。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列594可具有2D配置。在其它實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列594可具有3D配置，如參考圖6-7進(jìn)一步描述。

在特定實(shí)施例中，控制器組件504包括耦接到總線控制器520的主機(jī)接口電路510，諸如直接存儲(chǔ)器存取(DMA)總線控制器。控制器組件504還包括耦接到總線控制器520的儲(chǔ)存接口電路540。例如，主機(jī)接口電路510可包括或?qū)?yīng)于圖1的主機(jī)接口108和圖4的接口電路410。

在特定實(shí)施例中，主機(jī)接口電路510包括耦接到輸入/輸出(I/O)緩沖器和鎖存器514的總線連接器512。總線連接器512還耦接到輸出驅(qū)動(dòng)器電路516。主機(jī)接口電路510還包括控制器518。在特定實(shí)施例中，主機(jī)接口電路510根據(jù)通用串行總線(USB)協(xié)議操作。例如，控制器518可編程為通過耦接到通用串行總線的總線連接器512從主機(jī)裝置(未示出)接收USB協(xié)議指令和數(shù)據(jù)?？刂破?18可包括硬件處理器，其執(zhí)行儲(chǔ)存在內(nèi)部存儲(chǔ)器(例如只讀存儲(chǔ)器(未示出))的指令以使能USB指令和數(shù)據(jù)的接收和確認(rèn)?？商鎿Q地或者額外地，主機(jī)接口電路510可配置為支持其它的通信協(xié)議，諸如安全數(shù)字(SD)協(xié)議、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、并聯(lián)接口(SPI)、緊湊閃存(CF)協(xié)議、一個(gè)或多個(gè)其它協(xié)議或其任何組合。

控制器組件504可包括處理器核530、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)522和只讀存儲(chǔ)器(ROM)524。處理器核530、RAM522和ROM524可經(jīng)由內(nèi)部總線521耦接到總線控制器520。在特定實(shí)施例中，處理器核530包括指令緩存存儲(chǔ)器532、加載/存儲(chǔ)單元534、運(yùn)算邏輯單元(ALU)536和寄存器文檔538。處理器核530可包括ARM核或者可與其具有基本上類似的功能，作為說明性、非限制的示例。例如，處理器核530可支持精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)(RISC)微型結(jié)構(gòu)。處理器核530可配置為經(jīng)由加載/存儲(chǔ)單元534從只讀存儲(chǔ)器524取回?cái)?shù)據(jù)和可執(zhí)行指令526。

可執(zhí)行指令526可包括一個(gè)或多個(gè)指令以使能處理器核530產(chǎn)生位掩碼，從而選擇性地使能和/或禁用包括在存儲(chǔ)組件508中的感測(cè)放大器。例如，可執(zhí)行指令526可包括感測(cè)放大器位掩碼發(fā)生指令527。感測(cè)放大器位掩碼發(fā)生指令527可使能處理器核530產(chǎn)生感測(cè)放大器位掩碼598。作為另一個(gè)示例，可執(zhí)行指令526可包括使能處理器核530以將邏輯地址轉(zhuǎn)化為物理地址的一個(gè)或多個(gè)指令、決定存儲(chǔ)器陣列594要讀取部分的指令、決定字線對(duì)應(yīng)于該部分的第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件的指令、根據(jù)第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件識(shí)別對(duì)應(yīng)于該部分的感測(cè)放大器的組的指令、產(chǎn)生且發(fā)送位掩碼598到存儲(chǔ)組件508的指令或其組合。

可替換地或者額外地，至少一些可執(zhí)行指令526可不儲(chǔ)存在ROM 524處，而是可替代地儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器陣列594處?？蓤?zhí)行指令526可從存儲(chǔ)器陣列594取回且儲(chǔ)存在RAM522處。處理器核530可配置為從RAM522取回可執(zhí)行指令526用于執(zhí)行。

可執(zhí)行指令526可由加載/存儲(chǔ)單元534取回且儲(chǔ)存到指令緩存存儲(chǔ)器532。儲(chǔ)存在指令緩存存儲(chǔ)器532的可執(zhí)行指令可安排且提供到一個(gè)或多個(gè)執(zhí)行流水線，諸如包括ALU單元536的執(zhí)行流水線。ALU單元536可包括專用電路以執(zhí)行運(yùn)算和邏輯操作，諸如加和減、AND、NOT、OR、異-OR(XOR)、其它運(yùn)算或邏輯操作或其任何組合。

寄存器文檔538可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其可對(duì)執(zhí)行指令所用的數(shù)據(jù)處理器核532提供高速存取。在寄存器文檔538處的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器單元可專用于儲(chǔ)存狀態(tài)指示器。另外的數(shù)據(jù)值，諸如表示存儲(chǔ)器類型、存儲(chǔ)器寫入狀態(tài)和寫入保護(hù)狀態(tài)的數(shù)值，也可在處理器核530的可執(zhí)行指令526的執(zhí)行期間設(shè)定。

因此，在特定實(shí)施例中，處理器核530可編程為執(zhí)行圖3的方法300的至少一部分。例如，處理器核530可編程為接收讀取命令以讀取存儲(chǔ)器的字線的一部分。處理器核530可編程為決定該部分的第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件以識(shí)別字線對(duì)應(yīng)于該部分的第一儲(chǔ)存元件的組。處理器核530可編程為決定多個(gè)感測(cè)放大器的第一組感測(cè)放大器和第二組感測(cè)放大器。例如，第一組感測(cè)放大器可耦接到第一儲(chǔ)存元件的組，并且第二組感測(cè)放大器可耦接到由第一儲(chǔ)存元件的組執(zhí)行的字線的一個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存元件。處理器核530可編程為通過發(fā)送控制信號(hào)(例如，指令和/或位掩碼598)以引起控制器192施加讀電壓到字線且提供感測(cè)放大器使能信號(hào)到第一組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器而禁用第二組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器，以從第一組儲(chǔ)存元件讀取數(shù)據(jù)(例如，開始數(shù)據(jù)讀取操作)。

儲(chǔ)存接口電路540可包括數(shù)據(jù)總線連接器542、輸出驅(qū)動(dòng)器544、輸入/輸出緩沖器和鎖存器546、以及誤差糾錯(cuò)碼(ECC)電路548。數(shù)據(jù)總線連接器542可包括電連接器以經(jīng)由總線506使能電信號(hào)傳播。I/O緩沖器和鎖存器546可配置為儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)經(jīng)由總線控制器520接收，以采用在數(shù)據(jù)總線連接器542由輸出驅(qū)動(dòng)器544產(chǎn)生的電信號(hào)經(jīng)由總線506傳輸。另外或可替換地，I/O緩沖器和鎖存器546可儲(chǔ)存通過數(shù)據(jù)總線506在數(shù)據(jù)總線連接器542接收的電信號(hào)表示的數(shù)據(jù)值，諸如由存儲(chǔ)組件508的接口電路590產(chǎn)生的信號(hào)。

誤差糾錯(cuò)電路548可包括專用的硬件和電路，其配置為使用對(duì)應(yīng)于作為存儲(chǔ)器從存儲(chǔ)組件508讀取的結(jié)果接收的數(shù)據(jù)執(zhí)行操作(例如，誤差檢測(cè)操作和/或誤差糾錯(cuò)操作)。儲(chǔ)存接口電路540可包括閃存存儲(chǔ)器接口，并且誤差糾錯(cuò)電路548可依據(jù)一個(gè)或多個(gè)閃存誤差糾錯(cuò)碼協(xié)議。

圖6是存儲(chǔ)器600的特定實(shí)施例的示意圖。存儲(chǔ)器600可包括在圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102、圖4的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402和/或圖5的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置502中。圖6示出了存儲(chǔ)器600的三維結(jié)構(gòu)的一部分，諸如電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)。例如，存儲(chǔ)器600可包括圖1的存儲(chǔ)器104、圖4的存儲(chǔ)器陣列440和/或圖5的存儲(chǔ)器594。在圖6所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器600(例如，ReRAM)包括在襯底之上的物理層中的多個(gè)導(dǎo)線(例如，基本上并行于襯底的表面)，諸如代表性的字線620、621、622和623(僅其一部分示出在圖6中)，以及通過物理層的多個(gè)垂直導(dǎo)線，例如代表性的位線610、611、612和613。

存儲(chǔ)器600還包括多個(gè)基于電阻的儲(chǔ)存元件(例如，存儲(chǔ)器單元)，諸如代表性的儲(chǔ)存元件630、631、632、640、641和642，其每一個(gè)耦接到襯底(例如，硅襯底)之上的多個(gè)物理層中的存儲(chǔ)器單元的陣列中的位線和字線。存儲(chǔ)器600還包括讀取/寫入電路604，諸如圖1的讀取電路140、圖1的寫入電路142、圖2的電路200、圖4的存儲(chǔ)組件408的一個(gè)或多個(gè)組件或其組合。讀取/寫入電路604耦接到字線驅(qū)動(dòng)器608和位線驅(qū)動(dòng)器606。讀取/寫入電路604還可耦接到感測(cè)放大器(未示出)，該感測(cè)放大器耦接到位線且配置為在讀操作期間感測(cè)位線中的電流。存儲(chǔ)器還包括解碼器602。解碼器602可包括或?qū)?yīng)于圖1的解碼器145或圖4的解碼器電路439(例如，感測(cè)放大器使能/禁用電路491)。解碼器602可配置為產(chǎn)生感測(cè)放大器位掩碼603，諸如圖1的位掩碼160或圖5的感測(cè)放大器位掩碼598。感測(cè)放大器位掩碼603可使將被配置的(例如，選擇性地使能和/或選擇性地禁用)存儲(chǔ)器600的一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器605與讀取操作相關(guān)聯(lián)以讀取存儲(chǔ)器600的字線的一部分。

在圖6所示的實(shí)施例中，字線的每一個(gè)包括多個(gè)指部(例如，第一字線620包括指部624、625、626和627)。每個(gè)指部可耦接到一個(gè)以上的位線。為了說明，第一字線620的第一指部624經(jīng)由第一儲(chǔ)存元件630在第一指部624的第一端耦接到第一位線610，并且經(jīng)由第二儲(chǔ)存元件640在第一指部624的第二端耦接到第二位線611。

在圖6所示的實(shí)施例中，每個(gè)位線可耦接到一個(gè)以上的字線。為了說明，第一位線610經(jīng)由第一儲(chǔ)存元件630耦接到第一字線620，并且經(jīng)由第三儲(chǔ)存元件632耦接到第三字線622。

在寫入操作期間，控制器120可產(chǎn)生數(shù)據(jù)(例如，控制數(shù)據(jù))，或者可從主機(jī)裝置接收數(shù)據(jù)(例如，用戶數(shù)據(jù))，例如圖1的主機(jī)裝置130?？刂破?20可發(fā)送數(shù)據(jù)(或數(shù)據(jù)的代表)到存儲(chǔ)器600。例如，控制器120可在發(fā)送編碼數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器600前編碼數(shù)據(jù)。

讀取/寫入電路604可寫入數(shù)據(jù)到對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)的目的地的儲(chǔ)存元件。例如，讀取/寫入電路604可施加選擇信號(hào)到耦接到字線驅(qū)動(dòng)器608和位線驅(qū)動(dòng)器606的選擇控制線以引起寫入電壓施加在選擇的儲(chǔ)存元件上。例如，為了選擇第一儲(chǔ)存元件630，讀取/寫入電路604可激活字線驅(qū)動(dòng)器608和位線驅(qū)動(dòng)器606以驅(qū)動(dòng)通過第一儲(chǔ)存元件630編程電流(也稱為寫入電流)。為了說明，第一寫入電流可用于寫入第一邏輯值(例如，對(duì)應(yīng)于高電阻狀態(tài)的值)到第一儲(chǔ)存元件630，并且第二寫入電流可用于寫入第二邏輯值(例如，對(duì)應(yīng)于低電阻狀態(tài)的值)到第一儲(chǔ)存元件630。編程電流可通過施加第一電壓到第一位線610和第一字線620之外的字線，并且施加第二電壓到第一字線620而通過在第一儲(chǔ)存元件630上產(chǎn)生編程電壓而施加。在特定實(shí)施例中，第一電壓施加到其它位線(例如，位線614、615)以在存儲(chǔ)器600中減小泄漏電流。

另外，控制器120可存取儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器600的數(shù)據(jù)?？刂破?20可引起讀取/寫入電路604通過施加選擇信號(hào)到耦接到字線驅(qū)動(dòng)器607和位線驅(qū)動(dòng)器606的選擇控制線引起讀取電壓施加在選擇的儲(chǔ)存元件上而從存儲(chǔ)器600的特定儲(chǔ)存元件讀取位。例如，為了選擇第一儲(chǔ)存元件630，讀取/寫入電路604可激活字線驅(qū)動(dòng)器608和位線驅(qū)動(dòng)器606以施加第一電壓(例如，0.7伏特(V))到第一位線610和第一字線620之外的字線。較低的電壓(例如，0V)可施加到第一字線620。因此，讀電壓施加在第一儲(chǔ)存元件630上，并且對(duì)應(yīng)于讀電壓的讀電流可在與讀取/寫入電路604相關(guān)聯(lián)的感測(cè)放大器檢測(cè)。讀電流對(duì)應(yīng)于(經(jīng)由歐姆定律)第一儲(chǔ)存元件630的電阻狀態(tài)，其對(duì)應(yīng)于第一儲(chǔ)存元件630上儲(chǔ)存的邏輯值。從第一儲(chǔ)存元件630讀取的邏輯值以及在讀取操作期間讀取的其它元件可提供到控制器120。

可替換地，存儲(chǔ)器600的寫入操作和/或讀取操作可由圖4的控制器412和/或圖5的處理器核530開始。從存儲(chǔ)器600讀取的邏輯值可提供到控制器，諸如圖1的控制器120、圖4的控制器組件404和圖5的控制器組件504。

圖7示出了存儲(chǔ)裝置700的實(shí)施例。存儲(chǔ)裝置700可包括或?qū)?yīng)于圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102、圖4的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402和/或圖5的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置502。

存儲(chǔ)裝置700可包括具有3D NAND閃存配置的存儲(chǔ)器701。存儲(chǔ)器701可包括或?qū)?yīng)于圖1的存儲(chǔ)器104、圖4的存儲(chǔ)器陣列440和/或圖5的存儲(chǔ)器陣列594。存儲(chǔ)裝置700還可包括讀取/寫入電路760和解碼器764。讀寫入電路760可包括或?qū)?yīng)于讀取電路140、寫入電路142、圖2的電路200、圖4的存儲(chǔ)組件408的一個(gè)或多個(gè)組件或圖6的讀取/寫入電路604。解碼器764可包括或?qū)?yīng)于圖1的解碼器145、圖4的解碼器電路439(例如，感測(cè)放大器使能/禁用電路491)或圖6的解碼器602。解碼器764可配置為產(chǎn)生感測(cè)放大器位掩碼766，例如圖1的位掩碼160、圖5的感測(cè)放大器位掩碼598或圖6的感測(cè)放大器位掩碼603。感測(cè)放大器位掩碼766可使能存儲(chǔ)器701的一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器762，以配置為(例如，選擇性地使能和/或選擇性地禁用)與讀取操作相關(guān)而讀取存儲(chǔ)器701的字線的一部分。

存儲(chǔ)器701包括多個(gè)物理層702，該多個(gè)物理層702單片地形成在襯底704之上，襯底704例如為硅襯底。儲(chǔ)存元件(例如，存儲(chǔ)器單元)，例如代表性的存儲(chǔ)單元710，設(shè)置成在物理層702中的陣列。

代表性的存儲(chǔ)單元710包括在字線/控制柵極(WL4)728和導(dǎo)電溝道712之間的電荷陷阱結(jié)構(gòu)714。電荷可通過相對(duì)于字線728偏壓導(dǎo)電溝道712而注入電荷陷阱結(jié)構(gòu)714中或從其排掉。例如，電荷陷阱結(jié)構(gòu)714可包括氮化硅，并且可由諸如氧化硅的柵極介電層與字線728和導(dǎo)電溝道712分開。電荷陷阱結(jié)構(gòu)714中的電荷量影響存儲(chǔ)單元710的讀取操作期間通過導(dǎo)電溝道712的電流量且表示存儲(chǔ)單元710中儲(chǔ)存的一個(gè)或多個(gè)位值。

存儲(chǔ)器104包括多個(gè)擦除塊，包括第一塊(塊0)750、第二塊(塊1)752和第三塊(塊2)754。每個(gè)塊750-754包括物理層702包括字線堆疊的"豎直薄片"，示出為第一字線(WL0)720、第二字線(WL1)722、第三字線(WL2)724、第四字線(WL3)726和第五字線(WL4)728。多個(gè)導(dǎo)電溝道(相對(duì)于圖7具有基本上豎直的定向)延伸通過字線的堆疊。每個(gè)導(dǎo)電溝道耦接到每個(gè)字線720-728中的儲(chǔ)存元件，其形成儲(chǔ)存元件的NAND串。為了說明的清楚性起見，圖7示出了三個(gè)塊750-754、在每個(gè)塊中的五個(gè)字線720-728以及在每個(gè)塊中的三個(gè)導(dǎo)電溝道。然而，存儲(chǔ)器104可具有三個(gè)以上的塊、每個(gè)塊五個(gè)以上的字線、以及每個(gè)塊三個(gè)以上的導(dǎo)電溝道。

讀取/寫入電路760經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)電線耦接到導(dǎo)電溝道，示出為在導(dǎo)電溝道的“頂端”(例如，遠(yuǎn)離襯底704)的第一位線(BL0)730、第二位線(BL1)732和第三位線(BL2)734以及在導(dǎo)電溝道的“底端”(例如，靠近襯底704或在襯底704內(nèi))的第一源極線(SL0)740、第二源極線(SL1)742和第三源極線(SL2)744。讀取/寫入電路760示出為經(jīng)由“P”控制線耦接到位線730-734，經(jīng)由“M”控制線耦接到源極線740-744，并且經(jīng)由“N”控制線耦接到字線720-728。P、M和N的每一個(gè)根據(jù)存儲(chǔ)器701的具體配置可具有正整數(shù)。在圖7的說明性示例中，P＝3，M＝3，且N＝5。

在特定實(shí)施例中，位線的每一個(gè)和源極線的每一個(gè)可耦接到不同導(dǎo)電溝道的相同端(例如，頂端或底端)。例如，特定的位線可耦接到導(dǎo)電溝道792的頂部，并且特定的源極線可耦接到導(dǎo)電溝道712的頂部。導(dǎo)電溝道792的底部可連接(例如，電連接)到導(dǎo)電溝道712的底部。因此，導(dǎo)電溝道792和導(dǎo)電溝道712可串聯(lián)連接，并且可耦接到特定的位線和特定的源極線。

讀取/寫入電路760可操作為如相對(duì)于圖1的寫入電路142、圖2的電路200、圖4的存儲(chǔ)組件408的一個(gè)或多個(gè)組件、圖6的讀取/寫入電路604或其組合所描述。例如，數(shù)據(jù)可儲(chǔ)存到耦接到字線728的儲(chǔ)存元件，并且讀取/寫入電路760可從儲(chǔ)存元件讀取位值。作為另一個(gè)示例，讀取/寫入電路760可施加選擇信號(hào)到耦接到字線720-728、位線730-734和源極線740-742的控制線以引起編程電壓(例如，電壓脈沖或系列電壓脈沖)施加在選擇字線(例如，第四字線728)的選擇儲(chǔ)存元件上。

在讀取操作期間，控制器120可從主機(jī)裝置接收請(qǐng)求，主機(jī)裝置例如為圖1的主機(jī)裝置130。解碼器764可產(chǎn)生感測(cè)放大器位掩碼766，其可施加為選擇性地使能/禁用存儲(chǔ)器701的感測(cè)放大器?？刂破?20可通過施加適當(dāng)?shù)男盘?hào)到控制線以引起所選的字線的儲(chǔ)存元件被感測(cè)而引起讀取/寫入電路760從存儲(chǔ)器104的特定儲(chǔ)存元件讀取位。因此，存儲(chǔ)器104可配置為從一個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存元件讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫入到一個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存元件。

盡管圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102和主機(jī)裝置130、圖2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402、圖5的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置502、圖6的存儲(chǔ)器600以及圖7的存儲(chǔ)裝置700的各種組件這里示出為塊組件且以通常的術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了描述，但是這樣的組件可包括一個(gè)或多個(gè)微處理器、狀態(tài)機(jī)或配置為使能各種組件以執(zhí)行這里描述的操作其它電路。各種組件的一個(gè)或多個(gè)方面可采用微處理器或微控制器實(shí)施，其編程為執(zhí)行這里描述的操作，例如圖3的方法300的一個(gè)或多個(gè)操作。在特定實(shí)施例中，圖1的控制器120、存儲(chǔ)器裸芯103(例如，讀取電路140、解碼器145)、圖4的控制器430、圖5的處理器核530、圖6的解碼器602、讀取/寫入電路604、圖7的讀取/寫入電路760和/或解碼器764包括處理器以執(zhí)行存儲(chǔ)器上儲(chǔ)存的指令，例如主機(jī)裝置130或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102的非易失性存儲(chǔ)器。可替換地或者額外地，由處理器執(zhí)行的可執(zhí)行指令可儲(chǔ)存在分開的存儲(chǔ)器位置，其不是非易失性存儲(chǔ)器的部分，例如在圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102或主機(jī)裝置130的只讀存儲(chǔ)器(ROM)、圖4的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402或圖5的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置502。

在說明性示例中，處理器可執(zhí)行接收讀取命令的指令以讀取存儲(chǔ)器的字線的一部分。接收讀取指令的指令可包括決定邏輯地址或邏輯地址范圍的指令、決定物理地址或物理地址范圍的指令、將邏輯地址或邏輯地址范圍轉(zhuǎn)換成物理地址或物理地址范圍的指令、決定讀取數(shù)據(jù)量的指令和/或根據(jù)讀取指令開始讀取操作的指令，作為說明性、非限制的示例。處理器可執(zhí)行指令以決定該部分的第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件，從而識(shí)別字線對(duì)應(yīng)于該部分的第一儲(chǔ)存元件的組。

決定第一儲(chǔ)存元件和最后儲(chǔ)存元件的指令可包括決定邏輯地址或邏輯地址范圍的指令、決定物理地址或物理地址范圍的指令、將邏輯地址或邏輯地址范圍轉(zhuǎn)成物理地址或物理地址范圍的指令、決定讀取數(shù)據(jù)量的指令、根據(jù)物理地址決定第一儲(chǔ)存元件的指令和/或根據(jù)物理地址、第一儲(chǔ)存元件和/或要讀取的數(shù)據(jù)量決定最后儲(chǔ)存元件的指令，作為說明性、非限制的示例。處理器可執(zhí)行指令決定多個(gè)感測(cè)放大器的第一組感測(cè)放大器和第二組感測(cè)放大器。例如，第一組感測(cè)放大器可耦接到第一儲(chǔ)存元件的組，并且第二組感測(cè)放大器可耦接到由第一儲(chǔ)存元件的組執(zhí)行的字線的一個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存元件。決定第一組感測(cè)放大器和第二組感測(cè)放大器的指令可包括決定感測(cè)放大器對(duì)應(yīng)于字線要讀取部分的范圍的指令、決定對(duì)應(yīng)于第一儲(chǔ)存元件的第一感測(cè)放大器的指令、決定對(duì)應(yīng)于最后儲(chǔ)存元件的另一個(gè)感測(cè)放大器的指令、和/或根據(jù)第一組感測(cè)放大器和/或第二組感測(cè)放大器產(chǎn)生位掩碼的指令，作為說明性的、非限制的示例。處理器可通過施加讀電壓到字線且提供感測(cè)放大器使能信號(hào)到第一組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器而禁用第二組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器執(zhí)行從第一組儲(chǔ)存元件讀取數(shù)據(jù)(例如，開始數(shù)據(jù)讀取操作)的指令。讀取數(shù)據(jù)的指令可包括開始讀取操作的指令、產(chǎn)生感測(cè)放大器使能/禁用信號(hào)的指令、施加感測(cè)放大器位掩碼的指令、施加讀電壓到字線的指令、激活字線驅(qū)動(dòng)器的指令、激活一個(gè)或多個(gè)位線驅(qū)動(dòng)器的指令、施加讀電壓到一個(gè)或多個(gè)位線的指令、使能第一組感測(cè)放大器的指令、和/或禁用第二組感測(cè)放大器的指令，作為說明性、非限制的示例。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，諸如圖1的存儲(chǔ)器104、圖4的存儲(chǔ)器陣列440、圖5的存儲(chǔ)器陣列595、RAM 522或ROM 524、圖6的存儲(chǔ)器600或圖7的存儲(chǔ)器701包括易失性存儲(chǔ)裝置——諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)("DRAM")或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)("SRAM")裝置；非易失性存儲(chǔ)裝置——諸如電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器("ReRAM")、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器("EEPROM")、閃存存儲(chǔ)器(其也可看作EEPROM的子集)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器("FRAM")、磁電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器("MRAM")；以及能儲(chǔ)存信息的其它半導(dǎo)體元件。每種類型的存儲(chǔ)裝置可具有不同的配置。例如，閃存存儲(chǔ)裝置可配置在NAND或NOR配置中。

存儲(chǔ)裝置可由無(wú)源和/或有源元件以任何組合的方式構(gòu)成。作為非限制的示例，無(wú)源半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件包括ReRAM裝置元件，其在一些實(shí)施例中包括電阻率轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器元件——諸如反熔絲、相變材料等、以及選擇性的操作元件——諸如二極管等。此外，作為非限制的示例，有源半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件包括EEPROM和閃存存儲(chǔ)裝置元件，其在一些實(shí)施例中包括含有電荷存儲(chǔ)區(qū)域的元件——諸如浮置柵極、導(dǎo)電納米粒子或電荷存儲(chǔ)介電材料。

多個(gè)存儲(chǔ)器元件可配置為使它們串聯(lián)連接或者使每個(gè)元件可被獨(dú)立地訪問。作為非限制的示例，NAND配置(NAND存儲(chǔ)器)中的閃存存儲(chǔ)裝置典型地包含串聯(lián)連接的存儲(chǔ)器元件。NAND存儲(chǔ)器陣列可配置為使陣列由存儲(chǔ)器的多個(gè)串組成，其中串由共享單個(gè)位線且作為組存取的多個(gè)存儲(chǔ)器元件組成。可替換地，存儲(chǔ)器元件可配置為使每個(gè)元件個(gè)別地可存取，例如，在NOR存儲(chǔ)器陣列中。所描述的NAND和NOR存儲(chǔ)器配置已經(jīng)表示為示例，并且存儲(chǔ)器元件可另外配置。

設(shè)置在襯底內(nèi)和/或之上的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件可設(shè)置成二維或三維，諸如二維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)或三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。

在二維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件設(shè)置在單個(gè)平面中或單個(gè)存儲(chǔ)裝置級(jí)中。典型地，在二維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)器元件被布置在基本上平行于支撐存儲(chǔ)器元件的襯底的主表面而延伸的平面中(例如，在x-z方向平面中)。襯底可以是在其上或其中形成存儲(chǔ)器元件的層的晶片，或者它可以是在存儲(chǔ)器元件形成之后附接到存儲(chǔ)器元件的載體襯底。作為非限制性示例，襯底可以包括諸如硅的半導(dǎo)體。

存儲(chǔ)器元件可以布置在有序的陣列中的單個(gè)存儲(chǔ)器裝置級(jí)中——諸如在多個(gè)行和/或列中。但是，存儲(chǔ)器元件在不規(guī)則或者非正交的配置中形成陣列。存儲(chǔ)器元件的每一個(gè)具有兩個(gè)或多個(gè)電極或接觸線——諸如位線和字線。

三維存儲(chǔ)器陣列被布置為使得存儲(chǔ)器元件占據(jù)多個(gè)平面或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置級(jí)，從而在三維中形成結(jié)構(gòu)(即，在x、y和z方向中，其中y方向基本上垂直于襯底的主表面，并且x和z方向基本上平行于襯底的主表面)。

作為非限制的示例，三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)可垂直地設(shè)置為多個(gè)二維存儲(chǔ)器裝置級(jí)的堆疊。作為另一個(gè)非限制的示例，三維存儲(chǔ)器陣列可設(shè)置為多個(gè)垂直列(例如，基本上垂直于襯底的主表面延伸的列，即在y方向上)，其每個(gè)列具有在每個(gè)列中的多個(gè)存儲(chǔ)器元件。列可設(shè)置成二維配置(例如，在x-z平面)，產(chǎn)生具有元件在多個(gè)垂直地堆疊的存儲(chǔ)器平面上的存儲(chǔ)器元件的三維布置。存儲(chǔ)器元件在三維中的其它配置也可以組成三維存儲(chǔ)器陣列。

作為非限制的示例，在三維NAND存儲(chǔ)器陣列中，存儲(chǔ)器元件可以耦接在一起以在單個(gè)水平的(例如，x-z)存儲(chǔ)器裝置級(jí)中形成NAND串?？商鎿Q地，存儲(chǔ)器元件可以耦接在一起以形成橫穿多個(gè)水平的存儲(chǔ)器裝置級(jí)的垂直的NAND串?？梢栽O(shè)想其它三維配置，其中一些NAND串在單個(gè)存儲(chǔ)器級(jí)中包含存儲(chǔ)器元件，而其它串在跨過多個(gè)存儲(chǔ)器級(jí)的存儲(chǔ)器元件。三維存儲(chǔ)器陣列也可以設(shè)計(jì)在NOR配置中和在ReRAM配置中。

典型地，在單片式三維存儲(chǔ)器陣列中，一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)裝置級(jí)形成在單個(gè)襯底之上?？蛇x地，單片三維存儲(chǔ)器陣列也可以具有至少部分在單個(gè)襯底中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器層。作為非限制的示例，襯底可包括諸如硅的半導(dǎo)體材料。在單片式三維陣列中，構(gòu)成陣列的每個(gè)存儲(chǔ)裝置級(jí)的層典型地形成在陣列的下層存儲(chǔ)裝置級(jí)的層上。然而，單片式三維存儲(chǔ)器陣列的相鄰存儲(chǔ)器裝置級(jí)的層可以被共享或者具有在存儲(chǔ)器裝置級(jí)之間相互介入的層。

二維陣列可分開形成，然后封裝在一起以形成具有多層存儲(chǔ)器的非單片式存儲(chǔ)裝置。例如，非單片式堆疊存儲(chǔ)器可通過在分開的襯底上形成存儲(chǔ)器級(jí)然后彼此堆疊存儲(chǔ)器級(jí)而構(gòu)成。為了說明，存儲(chǔ)裝置級(jí)的每一個(gè)可具有在堆疊存儲(chǔ)裝置級(jí)前被薄化或者去除的對(duì)應(yīng)的襯底以形成存儲(chǔ)器陣列。因?yàn)榇鎯?chǔ)裝置級(jí)的每一個(gè)開始形成在分開的襯底之上，所以所形成的存儲(chǔ)器陣列不是單片式的三維存儲(chǔ)器陣列。此外，多個(gè)二維存儲(chǔ)器陣列或三維存儲(chǔ)器陣列(單片式或非單片式)可形成在分開的裸芯上，并且然后封裝在一起以形成堆疊的裸芯式存儲(chǔ)裝置。

在一些實(shí)施方式中，圖1的存儲(chǔ)器104、圖4的存儲(chǔ)器陣列440、圖5的存儲(chǔ)器陣列595、RAM 522或ROM 524、圖6的存儲(chǔ)器600、或者圖7的存儲(chǔ)器701是具有三維(3D)存儲(chǔ)器配置的非易失性存儲(chǔ)器，其單片地形成在存儲(chǔ)器單元的陣列的一個(gè)或多個(gè)物理級(jí)中，存儲(chǔ)器單元具有設(shè)置在硅襯底之上的有源區(qū)域。存儲(chǔ)單元的有源區(qū)域可為由存儲(chǔ)單元的電荷陷阱部分導(dǎo)電地調(diào)節(jié)的存儲(chǔ)單元的一個(gè)區(qū)域。圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置102和/或主機(jī)裝置130、圖2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置402、圖2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置502、圖6的存儲(chǔ)器600和/或圖7的存儲(chǔ)裝置700可包括電路，例如讀取/寫入電路，作為說明性、非限制的示例，與存儲(chǔ)器單元的操作相關(guān)。

相關(guān)聯(lián)的電路典型地用于存儲(chǔ)器元件的操作以及與存儲(chǔ)器元件的通信。作為非限制的示例，存儲(chǔ)裝置可具有用于控制和驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器元件的電路以執(zhí)行諸如編程和讀取的功能。相關(guān)聯(lián)的電路可作為存儲(chǔ)器元件在相同的襯底上和/或在分開的襯底上。例如，用于存儲(chǔ)器讀取-寫入操作的控制器可設(shè)置在分開的控制裸芯上和/或在與存儲(chǔ)器元件相同的襯底上。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本公開不限于所描述的二維和三維結(jié)構(gòu)，而是覆蓋這里描述且如本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的本公開的精神和范圍內(nèi)的所有相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。

提交本公開的摘要以應(yīng)將其理解為不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍和意義。另外，在前述的具體實(shí)施方式中，各種特征可一起組成或者描述單個(gè)的實(shí)施例用于簡(jiǎn)化披露的目的。本公開不應(yīng)解釋為反應(yīng)這樣的意思，即所要求的實(shí)施例需要比引用的每個(gè)權(quán)利要求更多的特征。相反，如所附的權(quán)利要求所反應(yīng)，本發(fā)明的主題事項(xiàng)可針對(duì)于少于任何公開實(shí)施例的全部特征。

這里公開的實(shí)施例的圖示旨在提供各種實(shí)施例的一般理解。可使用其它的實(shí)施例以及來(lái)自本公開的實(shí)施例，從而在不脫離本公開范圍的情況下可進(jìn)行結(jié)構(gòu)和邏輯的替換和變化。本公開旨在覆蓋各種實(shí)施例的任何和所有后續(xù)的改變或變化。

上面公開的主題應(yīng)看作說明性的，而不是限制性的，并且所附的權(quán)利要求旨在覆蓋所有這樣的修改、增加和其它實(shí)施例，它們落入本公開的范圍內(nèi)。因此，對(duì)于法律允許的最大范圍，本公開的范圍由下述權(quán)利要求極其等同物的最寬泛允許的解釋確定，而不應(yīng)受前述具體實(shí)施方式的限定或限制。