本發(fā)明屬于熒光材料與存儲(chǔ)器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種在固態(tài)環(huán)境下調(diào)控?zé)晒獠牧习l(fā)光性能的方法及利用該方法實(shí)現(xiàn)的全固態(tài)電寫(xiě)入光讀出存儲(chǔ)單元。

背景技術(shù)：

大數(shù)據(jù)時(shí)代帶來(lái)的海量信息數(shù)據(jù)和器件微型化的發(fā)展趨勢(shì)要求信息存儲(chǔ)器件對(duì)信息數(shù)據(jù)進(jìn)行高密度存儲(chǔ)。由于生產(chǎn)工藝及存儲(chǔ)原理等方面的限制，現(xiàn)有的商用磁性存儲(chǔ)材料及基于硅基半導(dǎo)體材料的信息存儲(chǔ)材料已經(jīng)不能滿(mǎn)足海量數(shù)據(jù)高密度存儲(chǔ)的要求。利用具有刺激響應(yīng)功能的分子材料是實(shí)現(xiàn)高密度信息存儲(chǔ)的途徑之一。

熒光材料是光致發(fā)光材料，即，當(dāng)外界光源照射熒光材料，熒光材料獲得能量產(chǎn)生激發(fā)導(dǎo)致發(fā)光(稱(chēng)為激發(fā)光)。目前，對(duì)熒光材料熒光性能的調(diào)控手段較多使用電場(chǎng)作用下的氧化還原，但是這種調(diào)控需要在液態(tài)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)，因此極大地限制了其在實(shí)際中的應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述技術(shù)現(xiàn)狀，本發(fā)明旨在提供一種在固態(tài)環(huán)境下調(diào)控?zé)晒獠牧习l(fā)光性能的方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明人將全固態(tài)的熒光材料層與固態(tài)的電解質(zhì)材料層上下疊放在一起，二者分別連接電極，在光照射下，熒光材料層發(fā)生光子的吸收、能量傳遞及激發(fā)光發(fā)射，這時(shí)在電極兩端施加電信號(hào)，在電場(chǎng)作用下，電解質(zhì)材料層中的金屬離子發(fā)生定向移動(dòng)而進(jìn)入熒光材料層，并與熒光材料發(fā)生相互作用，使光子發(fā)生猝滅效應(yīng)，從而導(dǎo)致激發(fā)光性能發(fā)生變化。

即，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：一種在固態(tài)環(huán)境下調(diào)控?zé)晒獠牧习l(fā)光性能的方法，具體如下：

將固態(tài)的熒光材料層與固態(tài)的電解質(zhì)材料層上下疊放，電解質(zhì)材料層連接第一電極，熒光材料層連接第二電極；入射光照射熒光材料層，熒光材料層受到激發(fā)而發(fā)光(稱(chēng)為激發(fā)光)；在第一電極和第二電極之間施加電信號(hào)，電解質(zhì)材料層中的金屬離子在電場(chǎng)作用下定向移動(dòng)而進(jìn)入熒光材料層，并與熒光材料發(fā)生相互作用，使光子發(fā)生猝滅效應(yīng)，導(dǎo)致激發(fā)光性能發(fā)生變化。

所述的相互作用是指金屬離子與熒光材料發(fā)生共價(jià)鍵、氫鍵等作用中的一種或者幾種。

作為優(yōu)選，所述的熒光材料包含可以與金屬離子發(fā)生相互作用的非金屬原子。所述的非金屬原子包括但不限于氧，硫，氮，磷，氟，氯，溴，碘等中的一種或幾種。

例如，作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述的熒光材料是由一種含稀土元素的熒光化合物組成，其分子式是[eu(hfac)3prano]2，其中hfac指代六氟乙酰丙酮，prano指代吡嗪氮氧化物，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，其中，可以與金屬離子發(fā)生相互作用的非金屬原子是氮原子。在波長(zhǎng)為250-400nm范圍的紫外光照射下，該熒光材料可以產(chǎn)生激發(fā)光。

作為另一種實(shí)現(xiàn)方式，所述的熒光材料是熒光化合物cop-so2cl，其結(jié)構(gòu)為：

其中，n為重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的數(shù)目，可以是任意整數(shù)?？梢耘c金屬離子發(fā)生相互作用的非金屬原子是氧原子和硫原子。

所述的電解質(zhì)材料是一種具有離子導(dǎo)電性的固態(tài)材料，在電場(chǎng)作用下，該材料中的一種或兩種以上的金屬離子可以沿電場(chǎng)方向發(fā)生定向移動(dòng)。

所述的第一電極材料和第二電極材料分別具有導(dǎo)電性，包括但不限于金屬、金屬氮化物、金屬氧化物摻雜導(dǎo)電體、摻雜的半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子、有機(jī)高分子超導(dǎo)體，以及電氧化銦錫、導(dǎo)電銦鎵鋅氧、導(dǎo)電銦鎵鋅氧等中的一種或者兩種以上的組合物。所述的金屬、金屬氮化物以及摻雜的半導(dǎo)體包括但不限于鋁(al)、銅(cu)、氮化鈦(tin)、氮化鋁鈦(tiaalbnc)、銥(ir)、鉑(pt)、銀(ag)、金(au)、多晶硅、鎢(w)、鈦(ti)、鉭(ta)、氮化鉭(tan)、氮化鎢(wn)、鎳(ni)、鈷(co)、鉻(cr)、銻(sb)、鐵(fe)、鉬(mo)、鈀(pd)、錫(sn)、鋯(zr)、鋅(zn)等中的至少一種。所述的金屬氧化物摻雜導(dǎo)電體包括但不限于ito金屬氧化物等。

所述的熒光材料層制備方法不限，包括但不限于如下方法：層層自組裝，真空熱蒸發(fā)，磁控濺射，激光脈沖沉積等。

所述的電信號(hào)可以是脈沖電壓信號(hào)或者直流掃描電壓信號(hào)。

在上述調(diào)控方法中，通過(guò)調(diào)節(jié)電信號(hào)可以實(shí)現(xiàn)可逆調(diào)控，即，設(shè)在第一電極和第二電極之間不施加電信號(hào)，所述激發(fā)光的光性能為初始光性能；然后，在第一電極和第二電極之間施加第一電信號(hào)，所述激發(fā)光的光性能變化為第一光性能；接著，在第一電極和第二電極之間施加第二電信號(hào)，所述時(shí)激發(fā)光的光性能恢復(fù)為初始光性能。

利用該可逆調(diào)控能夠?qū)崿F(xiàn)一種全固態(tài)電寫(xiě)入光讀出存儲(chǔ)單元，包括第一電極，位于第一電極表面的熒光材料層層，位于熒光材料層層表面的熒光材料層，以及位于熒光材料層表面的第二電極；入射光照射所述熒光材料層，熒光材料發(fā)射激發(fā)光，通過(guò)光探測(cè)元件探測(cè)該激發(fā)光的光性能；

初始狀態(tài)下，第一電極和第二電極之間不輸入電信號(hào)，所述的激發(fā)光的光性能為初始光性能；

在初始狀態(tài)下，在第一電極和第二電極之間輸入電信號(hào)，所述的激發(fā)光的光性能作為輸出信號(hào)。

例如，在初始狀態(tài)下，在第一電極和第二電極之間施加第一電信號(hào)，記作邏輯輸入“0”，所述的激發(fā)光的光性能作變化為第一光性能，記作邏輯輸出“0”；然后，在第一電極和第二電極之間施加第二電信號(hào)，記作邏輯輸入“1”，所述的激發(fā)光的光性能作恢復(fù)至初始光性能，記作邏輯輸出“1”。

所述的第一電極可以位于襯底表面或者無(wú)襯底。

所述的熒光材料層、熒光材料層層、第一電極以及第二電極的整體結(jié)構(gòu)不限，可以是層層疊加結(jié)構(gòu)、平面結(jié)構(gòu)、交叉電路結(jié)構(gòu)，以及能夠?qū)崿F(xiàn)該柔性阻變存儲(chǔ)器的任何其他結(jié)構(gòu)。

綜上所述，本發(fā)明提供的熒光材料發(fā)光性能的調(diào)控方法是一種全固態(tài)的調(diào)控方法，利用電場(chǎng)作用下電解質(zhì)材料層中的金屬離子定向移動(dòng)至熒光材料層，與熒光材料發(fā)生相互作用而使光子發(fā)生猝滅效應(yīng)導(dǎo)致發(fā)光性能變化的方法實(shí)現(xiàn)調(diào)控。該調(diào)控方法能夠?qū)崿F(xiàn)可逆調(diào)控，利用該可逆調(diào)控能夠?qū)崿F(xiàn)一種全固態(tài)電信號(hào)寫(xiě)入光信號(hào)讀出的存儲(chǔ)方式，不但可以進(jìn)行高密度的信息存儲(chǔ)，而且還可以作為信息的無(wú)干擾和高通量傳輸，大大拓展了熒光材料的應(yīng)用領(lǐng)域，具有良好的應(yīng)用前景。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中全固態(tài)電寫(xiě)入光讀出存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1，2和3中使用的全固態(tài)熒光材料結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例1中全固態(tài)熒光材料單元在電場(chǎng)作用下熒光強(qiáng)度變化圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例1中全固態(tài)熒光材料單元在電場(chǎng)作用下熒光強(qiáng)度變化的循環(huán)測(cè)試圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例2中全固態(tài)熒光材料單元在電場(chǎng)作用下熒光強(qiáng)度變化圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例2中全固態(tài)熒光材料單元在電場(chǎng)作用下熒光強(qiáng)度變化的循環(huán)測(cè)試圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例3中全固態(tài)熒光材料單元在電場(chǎng)作用下熒光強(qiáng)度變化圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例3中全固態(tài)熒光材料單元在電場(chǎng)作用下熒光強(qiáng)度變化的循環(huán)測(cè)試圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。需要指出的是，以下所述實(shí)施例旨在便于對(duì)本發(fā)明的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。

實(shí)施例1：

本實(shí)施例中，全固態(tài)熒光材料單元的結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括位于襯底表面的第一電極，位于第一電極表面的熒光材料層層，位于熒光材料層層表面的熒光材料層，以及位于熒光材料層表面的第二電極。

第一電極位于襯底材料si表面。

第一電極層由鉑組成。

第二電極層由透明導(dǎo)電的ito(氧化銦錫)組成。

熒光材料層厚度為100nm，是由一種含稀土銪的熒光化合物組成，其分子式是[eu(hfac)3prano]2，其中hfac指代六氟乙酰丙酮，prano指代吡嗪氮氧化物，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。其中，可以與金屬離子發(fā)生相互作用的非金屬原子是氮原子。

該熒光化合物材料的制備方法是：在三氯甲烷溶劑中，將六氟乙酰丙酮合銪與吡嗪氮氧化物等摩爾比混合，溶劑蒸發(fā)后得到該熒光化合物。然后，通過(guò)真空熱蒸發(fā)方法將該熒光化合物形成熒光材料薄膜層。

固體電解質(zhì)層厚度為100nm。固體電解質(zhì)材料是由含有硝酸銅的聚氧化乙烯組成，其中硝酸銅的質(zhì)量百分含量為10％。通過(guò)旋涂的方法將該固體電解質(zhì)材料制成固體電解質(zhì)薄膜層。

采用波長(zhǎng)為350nm的入射光照射該熒光材料層，熒光材料層受到激發(fā)而發(fā)射激發(fā)光，采用熒光光譜探測(cè)器andor(ir303)作為光探測(cè)元件，用于探測(cè)該激發(fā)光的光強(qiáng)。當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極之間不施加電壓信號(hào)時(shí)，如圖3所示，該激發(fā)光在波長(zhǎng)為612納米處光強(qiáng)最強(qiáng)，波峰強(qiáng)度為19500光子數(shù)，設(shè)該狀態(tài)為初始狀態(tài)，即在初始狀態(tài)下該熒光材料層呈高熒光強(qiáng)度狀態(tài)；

在初始狀態(tài)下，在第一電極和第二電極之間施加掃描電壓信號(hào)，該激發(fā)光發(fā)生如下變化：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，如圖3所示，所述激發(fā)光的強(qiáng)度發(fā)生減弱，在612納米處的熒光強(qiáng)度為未施加電場(chǎng)時(shí)熒光強(qiáng)度的60％，呈低熒光強(qiáng)度狀態(tài)；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，如圖3所示，所述激發(fā)光在612納米處的熒光強(qiáng)度恢復(fù)為初始狀態(tài)時(shí)(即，未施加電場(chǎng)時(shí))的熒光強(qiáng)度，即恢復(fù)為高熒光強(qiáng)度狀態(tài)。

即，利用外加電場(chǎng)可以在固態(tài)環(huán)境下調(diào)控該熒光材料的熒光強(qiáng)度。并且，該調(diào)控是可逆的，即，當(dāng)在初始狀態(tài)下施加負(fù)向電壓時(shí)能夠減弱熒光光強(qiáng)，然后當(dāng)施加正向電壓時(shí)能夠恢復(fù)至初始狀態(tài)下的熒光光強(qiáng)。

(2)重復(fù)上述(1)的調(diào)控過(guò)程：在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma。相對(duì)于初始狀態(tài)下的激發(fā)光光強(qiáng)，所述激發(fā)光的相對(duì)強(qiáng)度變化圖如圖4所示，顯示該調(diào)控呈穩(wěn)定性。

利用該電場(chǎng)對(duì)熒光材料的可逆調(diào)控性，可以將該全固態(tài)熒光材料單元作為一種信息存儲(chǔ)單元。即，在初始狀態(tài)下在第一電極和第二電極之間施加的電壓信號(hào)作為輸入信號(hào)，該激發(fā)光的熒光強(qiáng)度作為輸出信號(hào)，當(dāng)進(jìn)行如下假設(shè)時(shí)：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“0”；

(2)在第一電極和第二電極之間施加3v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“1”；

(3)初始狀態(tài)下該熒光材料層的高熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“1”；

(4)施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)后，該熒光材料層的低熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“0”；

對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“0”，則其邏輯輸出“0”；對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“1”，則其邏輯輸出“1”。

即，該全固態(tài)熒光材料單元實(shí)現(xiàn)了電場(chǎng)寫(xiě)入，光信號(hào)讀出功能，是一種全固態(tài)電寫(xiě)入光讀出存儲(chǔ)單元。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例中，全固態(tài)熒光材料單元的組成結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中的全固態(tài)熒光材料單元的結(jié)構(gòu)基本相同，所不同的是熒光化合物材料中由稀土鋱?zhí)娲鷮?shí)例1中的稀土銪。

該熒光化合物材料的制備方法與實(shí)施例1中基本相同，所不同的是由稀土鋱?zhí)娲鷮?shí)例1中的稀土銪。

采用波長(zhǎng)為350nm的入射光照射該熒光材料層，熒光材料層受到激發(fā)而發(fā)射激發(fā)光，采用熒光光譜探測(cè)器andor(ir303)探測(cè)該激發(fā)光的光強(qiáng)。當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極之間不施加電壓信號(hào)時(shí)，如圖3所示，該激發(fā)光在波長(zhǎng)為545納米處光強(qiáng)最強(qiáng)，波峰強(qiáng)度為5900光子數(shù)，設(shè)該狀態(tài)為初始狀態(tài)，即在初始狀態(tài)下該熒光材料層呈高熒光強(qiáng)度狀態(tài)；

在初始狀態(tài)下，在第一電極和第二電極之間施加掃描電壓信號(hào)，該激發(fā)光發(fā)生如下變化：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，如圖5所示，所述激發(fā)光的強(qiáng)度發(fā)生減弱，在545納米處的熒光強(qiáng)度為未施加電場(chǎng)時(shí)熒光強(qiáng)度的65％，呈低熒光強(qiáng)度狀態(tài)；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，如圖3所示，所述激發(fā)光在545納米處的熒光強(qiáng)度恢復(fù)為初始狀態(tài)時(shí)(即，未施加電場(chǎng)時(shí))的熒光強(qiáng)度，即恢復(fù)為高熒光強(qiáng)度狀態(tài)。

即，利用外加電場(chǎng)可以調(diào)控該固態(tài)熒光材料的熒光強(qiáng)度。并且，該調(diào)控是可逆的，即，當(dāng)在初始狀態(tài)下施加負(fù)向電壓時(shí)能夠減弱熒光光強(qiáng)，然后當(dāng)施加正向電壓時(shí)能夠恢復(fù)至初始狀態(tài)下的熒光光強(qiáng)。

(2)重復(fù)上述(1)的調(diào)控過(guò)程：在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma。相對(duì)于初始狀態(tài)下的激發(fā)光光強(qiáng)，所述激發(fā)光的相對(duì)強(qiáng)度變化圖如圖6所示，顯示該調(diào)控呈穩(wěn)定性。

利用該電場(chǎng)對(duì)熒光材料的可逆調(diào)控性，可以將該全固態(tài)熒光材料單元作為一種信息存儲(chǔ)單元。即，在初始狀態(tài)下在第一電極和第二電極之間施加的電壓信號(hào)作為輸入信號(hào)，該激發(fā)光的熒光強(qiáng)度作為輸出信號(hào)，當(dāng)進(jìn)行如下假設(shè)時(shí)：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“0”；

(2)在第一電極和第二電極之間施加3v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“1”；

(3)初始狀態(tài)下該熒光材料層的高熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“1”；

(4)施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)后，該熒光材料層的低熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“0”；

對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“0”，則其邏輯輸出“0”；對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“1”，則其邏輯輸出“1”。

即，該全固態(tài)熒光材料單元實(shí)現(xiàn)了電場(chǎng)寫(xiě)入，光信號(hào)讀出功能，是一種全固態(tài)電寫(xiě)入光讀出存儲(chǔ)單元。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例中，全固態(tài)熒光材料單元的組成結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中的全固態(tài)熒光材料單元的結(jié)構(gòu)基本相同，所不同的是熒光化合物材料中由稀土鏑替代實(shí)例1中的稀土銪。

該熒光化合物材料的制備方法與實(shí)施例1中基本相同，所不同的是由稀土鏑替代實(shí)例1中的稀土銪。

采用波長(zhǎng)為350nm的入射光照射該熒光材料層，熒光材料層受到激發(fā)而發(fā)射激發(fā)光，采用熒光光譜探測(cè)器andor(ir303)探測(cè)該激發(fā)光的光強(qiáng)。當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極之間不施加電壓信號(hào)時(shí)，如圖3所示，該激發(fā)光在波長(zhǎng)為575納米處光強(qiáng)最強(qiáng)，波峰強(qiáng)度為2700光子數(shù)，設(shè)該狀態(tài)為初始狀態(tài)，即在初始狀態(tài)下該熒光材料層呈高熒光強(qiáng)度狀態(tài)；

在初始狀態(tài)下，在第一電極和第二電極之間施加掃描電壓信號(hào)，該激發(fā)光發(fā)生如下變化：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，如圖5所示，所述激發(fā)光的強(qiáng)度發(fā)生減弱，在575納米處的熒光強(qiáng)度為未施加電場(chǎng)時(shí)熒光強(qiáng)度的70％，呈低熒光強(qiáng)度狀態(tài)；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，如圖7所示，所述激發(fā)光在575納米處的熒光強(qiáng)度恢復(fù)為初始狀態(tài)時(shí)(即，未施加電場(chǎng)時(shí))的熒光強(qiáng)度，即恢復(fù)為高熒光強(qiáng)度狀態(tài)。

即，利用外加電場(chǎng)可以調(diào)控該固態(tài)熒光材料的熒光強(qiáng)度。并且，該調(diào)控是可逆的，即，當(dāng)在初始狀態(tài)下施加負(fù)向電壓時(shí)能夠減弱熒光光強(qiáng)，然后當(dāng)施加正向電壓時(shí)能夠恢復(fù)至初始狀態(tài)下的熒光光強(qiáng)。

(2)重復(fù)上述(1)的調(diào)控過(guò)程：在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma。相對(duì)于初始狀態(tài)下的激發(fā)光光強(qiáng)，所述激發(fā)光的相對(duì)強(qiáng)度變化圖如圖8所示，顯示該調(diào)控呈穩(wěn)定性。

利用該電場(chǎng)對(duì)熒光材料的可逆調(diào)控性，可以將該全固態(tài)熒光材料單元作為一種信息存儲(chǔ)單元。即，在初始狀態(tài)下在第一電極和第二電極之間施加的電壓信號(hào)作為輸入信號(hào)，該激發(fā)光的熒光強(qiáng)度作為輸出信號(hào)，當(dāng)進(jìn)行如下假設(shè)時(shí)：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“0”；

(2)在第一電極和第二電極之間施加3v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“1”；

(3)初始狀態(tài)下該熒光材料層的高熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“1”；

(4)施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)后，該熒光材料層的低熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“0”；

對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“0”，則其邏輯輸出“0”；對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“1”，則其邏輯輸出“1”。

即，該全固態(tài)熒光材料單元實(shí)現(xiàn)了電場(chǎng)寫(xiě)入，光信號(hào)讀出功能，是一種全固態(tài)電寫(xiě)入光讀出存儲(chǔ)單元。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例中，全固態(tài)熒光材料單元的組成結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中的全固態(tài)熒光材料單元的組成結(jié)構(gòu)基本相同，所不同的是：熒光化合物材料是cop-so2cl，其結(jié)構(gòu)如下式所示，

其中，n為重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的數(shù)目，可以是任意整數(shù)。

其中，可以與金屬離子發(fā)生相互作用的非金屬原子是氧原子和硫原子；將其溶解在n,n二甲基甲酰胺中，旋涂形成熒光材料層。

采用波長(zhǎng)為350nm的入射光照射該熒光材料層，熒光材料層受到激發(fā)而發(fā)射激發(fā)光，采用熒光光譜探測(cè)器andor(ir303)探測(cè)該激發(fā)光的光強(qiáng)。當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極之間不施加電壓信號(hào)時(shí)，如圖3所示，該激發(fā)光在波長(zhǎng)為575納米處光強(qiáng)最強(qiáng)，波峰強(qiáng)度為3000光子數(shù)，設(shè)該狀態(tài)為初始狀態(tài)，即在初始狀態(tài)下該熒光材料層呈高熒光強(qiáng)度狀態(tài)；

在初始狀態(tài)下，在第一電極和第二電極之間施加掃描電壓信號(hào)，該激發(fā)光發(fā)生如下變化：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，所述激發(fā)光的強(qiáng)度發(fā)生減弱，在500納米處的熒光強(qiáng)度為未施加電場(chǎng)時(shí)熒光強(qiáng)度的65％，呈低熒光強(qiáng)度狀態(tài)；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma時(shí)，所述激發(fā)光在500納米處的熒光強(qiáng)度恢復(fù)為初始狀態(tài)時(shí)(即，未施加電場(chǎng)時(shí))的熒光強(qiáng)度，即恢復(fù)為高熒光強(qiáng)度狀態(tài)。

即，利用外加電場(chǎng)可以調(diào)控該固態(tài)熒光材料的熒光強(qiáng)度。并且，該調(diào)控是可逆的，即，當(dāng)在初始狀態(tài)下施加負(fù)向電壓時(shí)能夠減弱熒光光強(qiáng)，然后當(dāng)施加正向電壓時(shí)能夠恢復(fù)至初始狀態(tài)下的熒光光強(qiáng)。

(2)重復(fù)上述(1)的調(diào)控過(guò)程：在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma；然后，在第一電極和第二電極之間施加+3v的掃描電壓信號(hào)，掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma。相對(duì)于初始狀態(tài)下的激發(fā)光光強(qiáng)，所述激發(fā)光的相對(duì)強(qiáng)度變化類(lèi)似圖6所示，顯示該調(diào)控呈穩(wěn)定性。

利用該電場(chǎng)對(duì)熒光材料的可逆調(diào)控性，可以將該全固態(tài)熒光材料單元作為一種信息存儲(chǔ)單元。即，在初始狀態(tài)下在第一電極和第二電極之間施加的電壓信號(hào)作為輸入信號(hào)，該激發(fā)光的熒光強(qiáng)度作為輸出信號(hào)，當(dāng)進(jìn)行如下假設(shè)時(shí)：

(1)在第一電極和第二電極之間施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“0”；

(2)在第一電極和第二電極之間施加3v的掃描電壓信號(hào)(掃描時(shí)間為5秒，限制電流為1ma)作為邏輯輸入“1”；

(3)初始狀態(tài)下該熒光材料層的高熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“1”；

(4)施加-2.5v的掃描電壓信號(hào)后，該熒光材料層的低熒光強(qiáng)度狀態(tài)為邏輯輸出“0”；

對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“0”，則其邏輯輸出“0”；對(duì)該全固態(tài)熒光材料單元進(jìn)行邏輯輸入“1”，則其邏輯輸出“1”。

即，該全固態(tài)熒光材料單元實(shí)現(xiàn)了電場(chǎng)寫(xiě)入，光信號(hào)讀出功能，是一種全固態(tài)電寫(xiě)入光讀出存儲(chǔ)單元。

以上所述的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的原則范圍內(nèi)所做的任何修改、補(bǔ)充或類(lèi)似方式替代等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。