技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基于自旋霍爾效應(yīng)磁隧道結(jié)的非易失性鎖存單元，是在傳統(tǒng)鎖存單元的基礎(chǔ)上，集成非易失性自旋霍爾效應(yīng)磁隧道結(jié)器件，使鎖存單元具有非易失性，具體包括兩種方案。方案一是基于面內(nèi)磁各向異性自旋霍爾效應(yīng)磁隧道結(jié)的非易失性鎖存單元；整個非易失性鎖存單元由2個PMOS晶體管8個NMOS晶體管以及2個面內(nèi)磁各向異性自旋霍爾效應(yīng)磁隧道結(jié)組成。方案二是基于垂直磁各向異性自旋霍爾效應(yīng)磁隧道結(jié)的非易失性鎖存單元；整個非易失性鎖存單元由2個PMOS晶體管，9個NMOS晶體管以及2個垂直磁各向異性自旋霍爾效應(yīng)磁隧道結(jié)組成。本發(fā)明解決了傳統(tǒng)易失性鎖存單元掉電數(shù)據(jù)丟失的問題，從而減小鎖存單元的靜態(tài)功耗，同時提高數(shù)據(jù)可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：康旺;趙巍勝
受保護的技術(shù)使用者：北京航空航天大學(xué)
文檔號碼：201610542896
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.11
技術(shù)公布日：2016.12.21