本發(fā)明涉及集成電路存儲(chǔ)器領(lǐng)域，更確切地說(shuō)，涉及一次編程存儲(chǔ)器（otp）。

背景技術(shù)：

三維一次編程存儲(chǔ)器（3d-otp）是一種單體（monolithic）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它含有多個(gè)垂直堆疊的otp存儲(chǔ)元。3d-otp存儲(chǔ)元分布在三維空間中，而傳統(tǒng)平面型otp的存儲(chǔ)元分布在二維平面上。相對(duì)于傳統(tǒng)otp，3d-otp具有存儲(chǔ)密度大，存儲(chǔ)成本低等優(yōu)點(diǎn)。此外，與閃存相比，3d-otp數(shù)據(jù)壽命長(zhǎng)（>100年），適合長(zhǎng)久存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)。

中國(guó)專利《三維只讀存儲(chǔ)器及其制造方法》（專利號(hào)：zl98119572.5）提出了多種3d-otp。圖1描述了一種典型3d-otp00。它含有一個(gè)半導(dǎo)體襯底0和兩個(gè)堆疊在襯底0上方的otp存儲(chǔ)層100、200。其中，存儲(chǔ)層200疊置在存儲(chǔ)層100上。半導(dǎo)體襯底0中的晶體管及其互連線構(gòu)成一襯底電路（包括3d-otp的周邊電路）。每個(gè)存儲(chǔ)層（如100）含有多條地址線（包括字線20a、20b…和位線30a、30b…）和多個(gè)otp存儲(chǔ)元（如1aa-1bb…）。每個(gè)存儲(chǔ)層（如100）還含有多個(gè)otp陣列。每個(gè)otp陣列是在一個(gè)存儲(chǔ)層（如100）中所有共享了至少一條地址線的存儲(chǔ)元之集合。接觸通道孔（如20av、30av）將地址線（如20a、30a）和襯底0耦合。

在現(xiàn)有技術(shù)中，每個(gè)otp存儲(chǔ)元存儲(chǔ)一位信息，即每個(gè)存儲(chǔ)元具有兩種狀態(tài)?1’和?0’：處于狀態(tài)?1’的存儲(chǔ)元（?1’存儲(chǔ)元）能導(dǎo)通電流，而處于狀態(tài)?0’的存儲(chǔ)元（?0’存儲(chǔ)元）則不能。由于每個(gè)存儲(chǔ)元只能存儲(chǔ)一位信息，3d-otp的存儲(chǔ)容量有限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的是提供一種容量更大的3d-otp。

本發(fā)明的另一目的是提供一種更廉價(jià)的3d-otp。

本發(fā)明的另一目的是在存儲(chǔ)元漏電流較大的情況下保證3d-otp正常工作。

本發(fā)明的另一目的是在外界干擾較大時(shí)保證3d-otp正常工作。

為了實(shí)現(xiàn)這些以及別的目的，本發(fā)明提出一種多位元三維一次編程存儲(chǔ)器（多位元3d-otp）。它含有多個(gè)堆疊在襯底上方并與該襯底耦合的otp存儲(chǔ)元。每個(gè)存儲(chǔ)元含有一反熔絲膜，反熔絲膜的電阻在編程時(shí)從高阻態(tài)不可逆轉(zhuǎn)地轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)。通過(guò)改變編程電流，已編程反熔絲膜具有不同電阻。otp存儲(chǔ)元具有n（n>2）種狀態(tài)：0，1，…n-1。按其電阻從大到小排列為r0、r1...rn-1，其中，r0為狀態(tài)’0’的電阻，r1為狀態(tài)’1’的電阻，…rn-1為狀態(tài)’n-1’的電阻。由于n>2，每個(gè)otp存儲(chǔ)元存儲(chǔ)多位（>1位）信息。

為了避免由于存儲(chǔ)元漏電流較大而使讀過(guò)程出錯(cuò)，本發(fā)明提出一種“全讀”模式。在全讀模式下，一個(gè)讀周期內(nèi)將讀出被選中字線上所有存儲(chǔ)元的狀態(tài)。讀周期分兩個(gè)階段：預(yù)充電階段和讀階段。在預(yù)充電階段，一個(gè)otp存儲(chǔ)陣列中的所有地址線（包括所有字線和所有位線）均被預(yù)充電到讀出放大器的偏置電壓。在讀階段，所有位線懸??；未選中字線上的電壓不變，被選中字線上的電壓上升到讀電壓vr，并通過(guò)存儲(chǔ)元向相應(yīng)的位線充電。通過(guò)測(cè)量這些位線上的電壓變化，可以推算出各個(gè)存儲(chǔ)元的狀態(tài)。

為了在外界干擾較大時(shí)保證多位元3d-otp的正常工作，本發(fā)明還提出采用差分讀出放大器來(lái)測(cè)量存儲(chǔ)元的狀態(tài)。差分讀出放大器的第一輸入是待測(cè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元（存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元）的位線電壓vb，第二輸入是來(lái)自啞存儲(chǔ)元（提供讀出參考電壓的存儲(chǔ)元）的參考電壓vref。啞存儲(chǔ)元也具有n種狀態(tài)。為了測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元的狀態(tài)，需要做n-1個(gè)測(cè)量。在第k（k=1，2，…n-1）個(gè)測(cè)量過(guò)程中，參考電壓vref,k=(vk-1+vk)/2，其中，vk-1是’k-1’啞存儲(chǔ)元的位線電壓，vk是’k’啞存儲(chǔ)元的位線電壓。如果vref,k-1<vb<vref,k，則數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元的狀態(tài)是’k’。

相應(yīng)地，本發(fā)明提出一種多位元三維一次編程存儲(chǔ)器（多位元3d-otp），其特征在于含有：一含有晶體管的半導(dǎo)體襯底(0)；多個(gè)堆疊在襯底上方并與該襯底耦合的otp存儲(chǔ)元(1aa-1ad)；每個(gè)存儲(chǔ)元含有一個(gè)反熔絲膜(22)，該反熔絲膜(22)的電阻在編程時(shí)不可逆轉(zhuǎn)地從高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)；所述反熔絲膜(22)具有n（n>2）種狀態(tài)，不同狀態(tài)下的反熔絲膜(22)具有不同電阻，所述反熔絲膜的電阻值由一編程電流設(shè)定。

附圖說(shuō)明

圖1是一種三維一次編程存儲(chǔ)器（3d-otp）的透視圖。

圖2a-圖2d是具有四種狀態(tài)的otp存儲(chǔ)元之截面圖。

圖3表示一種otp存儲(chǔ)元的電路符號(hào)。

圖4a是四種otp存儲(chǔ)元的i-v圖；圖4b表示反熔絲電阻（raf）與編程電流（ip）的關(guān)系。

圖5a-圖5c是三種otp存儲(chǔ)元的截面圖。

圖6a表示一種采用全讀模式并使用單端讀出放大器的otp存儲(chǔ)陣列；圖6b是其電信號(hào)時(shí)序圖。

圖7a表示一種采用全讀模式并使用差分讀出放大器的otp存儲(chǔ)陣列；圖7b-圖7c是其電信號(hào)時(shí)序圖。

圖8a表示另一種采用全讀模式并使用差分讀出放大器的otp存儲(chǔ)陣列；圖8b是其電信號(hào)時(shí)序圖。

圖9是一種含有啞字線的otp存儲(chǔ)陣列。

注意到，這些附圖僅是概要圖，它們不按比例繪圖。為了顯眼和方便起見(jiàn)，圖中的部分尺寸和結(jié)構(gòu)可能做了放大或縮小。在不同實(shí)施例中，相同的符號(hào)一般表示對(duì)應(yīng)或類似的結(jié)構(gòu)。在圖6a、圖7a、圖8a和圖9的電路圖中，實(shí)心圓表示已編程存儲(chǔ)元，空心圓表示未編程存儲(chǔ)元。在本發(fā)明中，“/”表示“和”或“或”的關(guān)系。

具體實(shí)施方式

圖2a-圖2d是具有四種狀態(tài)的otp存儲(chǔ)元1aa-1ad之截面圖。它們分別處于四種狀態(tài)：’0’,‘1’,‘2’,‘3’。每個(gè)otp存儲(chǔ)元（如1aa）含有一頂電極30a、一底電極20a、一反熔絲膜22和一準(zhǔn)導(dǎo)通膜24。反熔絲膜22未編程時(shí)（圖2a）具有高電阻。在編程后（圖2b-圖2d）不可逆轉(zhuǎn)地轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娮?。?zhǔn)導(dǎo)通膜24具有如下特性：當(dāng)外加電壓的數(shù)值小于讀電壓或外加電壓的方向與讀電壓相反時(shí)，準(zhǔn)導(dǎo)通膜的電阻遠(yuǎn)大于其在讀電壓下的電阻。

由于存儲(chǔ)元1aa未編程，其反熔絲膜22中沒(méi)有形成任何導(dǎo)體絲（conducivefilament）。存儲(chǔ)元1ab-1ad已編程，其反熔絲膜22中形成了具有不同大小的導(dǎo)體絲25x-25z。其中，存儲(chǔ)元1ab中的導(dǎo)體絲25x最細(xì)，其電阻在所有已編程反熔絲膜中最大；存儲(chǔ)元1ad中的導(dǎo)體絲25z最粗，其電阻在所有已編程反熔絲膜中最?。淮鎯?chǔ)元1ac中的導(dǎo)體絲25y介于存儲(chǔ)元1ab和1ad之間，其電阻也介于兩者之間。

圖3表示一種otp存儲(chǔ)元1的電路符號(hào)。存儲(chǔ)元1含有一反熔絲12和一二極管14。反熔絲12含有反熔絲膜22，其電阻在編程時(shí)從高阻不可逆轉(zhuǎn)地轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥?。二極管14含有準(zhǔn)導(dǎo)通膜24，它泛指任何具有如下特征的二端器件：當(dāng)其外加電壓的數(shù)值小于讀電壓或外加電壓的方向與讀電壓相反時(shí)，其電阻遠(yuǎn)大于其在讀電壓下的電阻。

圖4a-圖4b披露各種otp存儲(chǔ)元1aa-1ad的電學(xué)特性。圖4a是四種狀態(tài)’0’-’3’下存儲(chǔ)元1aa-1ad的i-v特性圖。其中，i-v曲線130對(duì)應(yīng)于狀態(tài)為’0’的存儲(chǔ)元1aa，i-v曲線131對(duì)應(yīng)于狀態(tài)為’1’的存儲(chǔ)元1ab，i-v曲線132對(duì)應(yīng)于狀態(tài)為’2’的存儲(chǔ)元1ac，i-v曲線133對(duì)應(yīng)于狀態(tài)為’3’的存儲(chǔ)元1ad。二極管12具有一導(dǎo)通電壓（turn-onvoltage）von。當(dāng)外加電壓超過(guò)von后，二極管12的電阻大為下降，這時(shí)存儲(chǔ)元1的電阻主要由已編程反熔絲膜14的電阻決定。

圖4b表示反熔絲電阻（raf）與編程電流（ip）的關(guān)系。通過(guò)改變ip，已編程反熔絲具有不同電阻raf。raf與ip具有反比關(guān)系。對(duì)于狀態(tài)’1’，其編程電流ip1較小，因此其電阻r1較大；對(duì)于狀態(tài)’3’，其編程電流ip3較大，因此其電阻r3較??；狀態(tài)’2’則介于狀態(tài)’1’和狀態(tài)’3’之間?？傮w說(shuō)來(lái)，ip1<ip2<ip3，r1>r2>r3。

圖5a-圖5c是三種otp存儲(chǔ)元1aa的截面圖。在圖5a的實(shí)施例中，底電極（字線）20a含有金屬或高摻雜的半導(dǎo)體材料。頂電極（位線）30a含有金屬或高摻雜的半導(dǎo)體材料。反熔絲膜22是一層絕緣介質(zhì)（如氧化硅、氮化硅）。準(zhǔn)導(dǎo)通膜24用于形成二極管14。對(duì)于半導(dǎo)體二極管14來(lái)說(shuō)，底電極20a含有p+半導(dǎo)體材料、準(zhǔn)導(dǎo)通膜24含有n-半導(dǎo)體材料、頂電極30a含有n+半導(dǎo)體材料；或者，底電極20a含有金屬材料、準(zhǔn)導(dǎo)通膜24含有p+/n-/n+二極管、頂電極30a另含金屬材料。對(duì)于肖特基二極管14來(lái)說(shuō)，底電極20a含有金屬材料、準(zhǔn)導(dǎo)通膜24含有n-半導(dǎo)體材料、頂電極30a含有n+半導(dǎo)體材料。對(duì)于陶瓷二極管14來(lái)說(shuō)，底電極20a含有金屬材料、準(zhǔn)導(dǎo)通膜24含有陶瓷材料（如金屬氧化物）、頂電極30a另含金屬材料。

圖5b的實(shí)施例與圖5a類似，除了在反熔絲膜22和準(zhǔn)導(dǎo)通膜24之間還含有一層導(dǎo)體材料26。該導(dǎo)體材料26最好是一層金屬材料，以避免在編程時(shí)編程電流損傷準(zhǔn)導(dǎo)通膜24。圖5c的實(shí)施例比圖5a和圖5b簡(jiǎn)單。它沒(méi)有一個(gè)獨(dú)立的準(zhǔn)導(dǎo)通膜24。在擊穿反熔絲膜22后，頂電極30a和底電極20a自然形成一二極管。作為一個(gè)例子，底電極20a是高摻雜的p+半導(dǎo)體材料，頂電極30a是高摻雜的n+半導(dǎo)體材料。對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的專業(yè)人士來(lái)說(shuō)，otp存儲(chǔ)元1aa還可以采用很多其它形式。

為了避免由于存儲(chǔ)元漏電流較大而使讀過(guò)程出錯(cuò)，本發(fā)明提出一種“全讀”模式。在全讀模式下，一個(gè)讀周期t內(nèi)將讀出被選中字線上所有存儲(chǔ)元的狀態(tài)。圖6a-圖6b表示一種采用全讀模式并使用單端讀出放大器58s讀出數(shù)據(jù)的otp存儲(chǔ)陣列0a。它含有字線20a-20z、位線30a-30z和存儲(chǔ)元1aa-1zz（括號(hào)中的數(shù)值是該存儲(chǔ)元的狀態(tài)）。讀周期t分兩個(gè)階段：預(yù)充電階段tpre和讀階段tr。在預(yù)充電階段tpre，所有地址線（字線20a-20z和位線30a-30z）均被預(yù)充電到讀出放大器58s的偏置電壓vi。

在讀階段tr，所有位線30a-30z懸浮，行解碼器52基于地址信號(hào)52a將被選中字線20a上的電壓上升到讀電壓vr，其它字線20b-20z上的電壓保持在vi。這時(shí)，字線20a通過(guò)存儲(chǔ)元1aa-1az向位線30a-30z充電，位線30a-30z上的電壓開(kāi)始升高。這時(shí)通過(guò)改變列地址54a來(lái)逐一測(cè)量位線30a-30z的電壓變化。對(duì)于每個(gè)列地址54a，列解碼器54將選中一條位線（如30b），并將其電壓信號(hào)vb送到讀出放大器58s的輸入51中。當(dāng)該信號(hào)vb的大小超過(guò)讀出放大器58s的閾值vt時(shí)，輸出55翻轉(zhuǎn)。通過(guò)測(cè)量輸出55翻轉(zhuǎn)的時(shí)間，可以推算出每個(gè)存儲(chǔ)元（如位于所選中字線20a和所選中位線30b交叉處的otp存儲(chǔ)元1ab）的狀態(tài)。

在上述讀操作中，由于讀出放大器58s的vt較?。▇0.1v或更?。?，位線30a-30z上的電壓變化都很小，最大電壓變化delta(v)max~n*vt，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于讀電壓vr。只要存儲(chǔ)元的i-v特性滿足i(vr)>>i(-n*vt)，即使存儲(chǔ)元具有較大的漏電流，也不會(huì)影響3d-otp正常工作。

為了在外界干擾較大時(shí)保證多位元3d-otp的正常工作，本發(fā)明提出使用差分讀出放大器來(lái)測(cè)量存儲(chǔ)元的狀態(tài)。圖7a-圖7c表示第一種采用全讀模式并使用差分讀出放大器的opt存儲(chǔ)陣列0a。該實(shí)施例含有n-1（=3）個(gè)差分讀出放大器58a-58c。差分讀出放大器58a-58c均有兩個(gè)輸入，第一輸入是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元（存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元）的位線電壓vb，第二輸入是由啞存儲(chǔ)元（提供參考電壓的存儲(chǔ)元）提供的參考電壓vref,1-vref,3（圖7a）。比方說(shuō)，差分讀出放大器58a的參考電壓是vref,1~(v’0’+v’1’)/2，它介于狀態(tài)’0’位線電壓（即在讀出狀態(tài)’0’存儲(chǔ)元時(shí)的位線電壓）和狀態(tài)’1’位線電壓（即在讀出狀態(tài)’1’存儲(chǔ)元時(shí)的位線電壓）之間，最好是其平均值。

為了產(chǎn)生這些參考電壓vref,1-vref,3，存儲(chǔ)陣列0a除了含有數(shù)據(jù)位線30a-30z（它們組成數(shù)據(jù)位線組30dt），還含有2n-2（=6）條啞位線31a-31f（它們組成啞位線組30dy）。每條字線（如20a）含有2n-2（=6）個(gè)啞存儲(chǔ)元1a0-1z5。這些啞存儲(chǔ)元1a0-1z3具有n種狀態(tài)。其中，字線20a上啞存儲(chǔ)元1a0-1a5的狀態(tài)分別為’0’,‘1’,‘1’,‘2’,‘2’,‘3’（圖7a）。對(duì)于vref,1來(lái)說(shuō)，由于啞位線31a（與狀態(tài)’0’存儲(chǔ)元電耦合）和啞位線31b（與狀態(tài)’1’存儲(chǔ)元電耦合）短接，讀出放大器58a的第二輸入53a具有如下參考電壓vref,1~(v’0’+v’1’)/2。對(duì)于vref,2來(lái)說(shuō)，由于啞位線31c（與狀態(tài)’1’存儲(chǔ)元電耦合）和啞位線31d（與狀態(tài)’2’存儲(chǔ)元電耦合）短接，讀出放大器58b的第二輸入53b具有如下參考電壓vref,2~(v’1’+v’2’)/2。對(duì)于vref,3來(lái)說(shuō)，由于啞位線31e（與狀態(tài)’2’存儲(chǔ)元電耦合）和啞位線31f（與狀態(tài)’3’存儲(chǔ)元電耦合）短接，讀出放大器58c的第二輸入53c具有如下參考電壓vref,3~(v’2’+v’3’)/2（圖7b）。

為了測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元的狀態(tài)，需要在n-1（=3）個(gè)差分讀出放大器58a-58c處做n-1（=3）個(gè)測(cè)量。在第k（k=1，2，…n-1）個(gè)測(cè)量過(guò)程中，如果vref,k-1<vb<vref,k，則數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元的狀態(tài)是’k’。在此以數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元1ab（狀態(tài)’2’）為例。對(duì)于與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元1ab電耦合的數(shù)據(jù)位線30b，其電壓51為狀態(tài)’2’位線電壓。在讀出放大器58a-58c與vref,1-vref,3比較后，讀出放大器58a和58b的輸出55a和55b為高，讀出放大器58c的輸出55c為低。相應(yīng)地，存儲(chǔ)元1ab的狀態(tài)能被推算出（圖7c）。

圖8a-圖8b表示第二種采用全讀模式并使用差分讀出放大器的opt存儲(chǔ)陣列0a。差分讀出放大器58d的第一輸入是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元的位線電壓vb，第二輸入為參考電壓vref。存儲(chǔ)陣列0a只需n（=4）條啞位線，每條字線（如20a）含有n（=4）個(gè)啞存儲(chǔ)元1a0-1z3。這些啞存儲(chǔ)元1a0-1z3具有n種狀態(tài)（圖8a）。為了測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元的狀態(tài)，需要做n-1次測(cè)量。在第k（k=1，2，…n-1）次測(cè)量過(guò)程中，參考電壓vref,k=(vk-1+vk)/2，其中，vk-1是狀態(tài)’k-1’啞存儲(chǔ)元的位線電壓，vk是狀態(tài)’k’啞存儲(chǔ)元的位線電壓。如果vref,k-1<vb<vref,k，則待測(cè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元的狀態(tài)是k（圖8b）。

在此以數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元1ab（狀態(tài)’2’）為例。在第一次測(cè)量t1時(shí)，控制信號(hào)56a為高，其它控制信號(hào)56b和56c為低，這時(shí)傳輸晶體管（passtransistors）56a1和56a2導(dǎo)通，差分讀出放大器58d的第二輸入53上的信號(hào)是vref,1~(v’0’+v’1’)/2。由于位線30b（狀態(tài)’2’）上的電壓大于第二輸入53的電壓vref,1，差分放大器58d輸出55為高。在第二次測(cè)量t2時(shí)，控制信號(hào)56b為高，其它控制信號(hào)56a和56c為低，這時(shí)傳輸晶體管56b1和56b2導(dǎo)通，第二輸入53上的信號(hào)是vref,2~(v’1’+v’2’)/2，差分放大器58d輸出55還為高。在第三次測(cè)量t3時(shí)，控制信號(hào)56c為高，其它控制信號(hào)56a和56b為低，這時(shí)傳輸晶體管56c1和56c2導(dǎo)通，第二輸入53上的信號(hào)是vref,3~(v’2’’+v’3’)/2，差分放大器58d輸出55為低。通過(guò)分析三次測(cè)量t1,t2,t3時(shí)的輸出55，可以讀出存儲(chǔ)元1ab的信息（圖8b）。

在上述實(shí)施例（圖6a-圖8b）中，行解碼器52、列解碼器54和差分讀出放大器58a-58c均位于襯底0上，它們是襯底電路0k的一部分。而存儲(chǔ)陣列0a堆疊在襯底電路0k之上，并覆蓋至少部分襯底電路0k。與傳統(tǒng)的平面型otp相比，3d-otp芯片具有較小面積，成本較低。

所有的啞存儲(chǔ)元都需要在出廠測(cè)試時(shí)進(jìn)行預(yù)編程，預(yù)編程需要對(duì)啞存儲(chǔ)元的電阻做精確控制。對(duì)于圖7a（或圖8a）的實(shí)施例來(lái)說(shuō)，每條字線上都有2n-2個(gè)（或n個(gè)）啞存儲(chǔ)元，存儲(chǔ)陣列0a（含有m條數(shù)據(jù)字線和n條數(shù)據(jù)位線）中的啞存儲(chǔ)元數(shù)目為(2n-2)*m（或n*m）。這些啞存儲(chǔ)元都需要進(jìn)行精確預(yù)編程，過(guò)多的精確預(yù)編程會(huì)導(dǎo)致測(cè)試時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。為了降低精確預(yù)編程的時(shí)間，需要減少啞存儲(chǔ)元的編程量。因此，本發(fā)明還提出一種含有啞字線的otp存儲(chǔ)陣列。如圖9所示，otp存儲(chǔ)陣列0a含有多條數(shù)據(jù)字線20a、20b…20y,20z，以及一條啞字線20d。預(yù)編程僅對(duì)啞字線和啞位線交叉處的啞存儲(chǔ)元1d1-1d5進(jìn)行，其它啞存儲(chǔ)元（如1a0-1a5,1b0-1b5,1y0-1y5,1z0-1z5）均不需要預(yù)編程（它們均處于未編程狀態(tài)）。在讀過(guò)程中，除了將被選中字線（如20a）上的電壓升高到vr，同時(shí)還將啞字線20d上的電壓升高到vr。由于啞字線20d與所有數(shù)據(jù)位線30a-30z交叉處的啞存儲(chǔ)元1da-1dz均未編程，啞字線20d上的電壓升高不會(huì)影響數(shù)據(jù)位線30a-30z上的信號(hào)。此外，由于被選中字線（如20a）與所有啞位線31a-31f交叉處的啞存儲(chǔ)元1a0-1a5也均未編程，被選中字線上的電壓升高也不會(huì)影響啞位線31a-31f上的信號(hào)。因此，其讀過(guò)程與圖7a-圖8b類似。

注意到，在圖7a-圖9的實(shí)施例中，為了保證啞存儲(chǔ)元具有良好性能，所有的啞字線、啞位線和啞存儲(chǔ)元最好放置在otp存儲(chǔ)陣列0a的中間位置。比如說(shuō)，啞字線20d放置在otp存儲(chǔ)陣列0a的中間位置；啞位線31a-31f也放置在otp存儲(chǔ)陣列0a的中間位置。

本說(shuō)明書(shū)中的例子雖然是橫向3d-otp（即存儲(chǔ)層的方向平行于襯底0），對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的專業(yè)人士來(lái)說(shuō)，這些實(shí)施例均可以應(yīng)用到縱向3d-otp（即存儲(chǔ)串的方向垂直于襯底0）中?？v向3d-otp可參考申請(qǐng)日為2016年4月16日，申請(qǐng)?zhí)枮?01610234999.5的中國(guó)專利申請(qǐng)《三維縱向一次編程存儲(chǔ)器》。

應(yīng)該了解，在不遠(yuǎn)離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明的形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行改動(dòng)，這并不妨礙它們應(yīng)用本發(fā)明的精神。比如說(shuō)，除了具有n=4種狀態(tài)（即每個(gè)存儲(chǔ)元存儲(chǔ)2位信息），本發(fā)明還可以推廣到n=8種或更多種狀態(tài)（即每個(gè)存儲(chǔ)元存儲(chǔ)3位或更多位信息）。因此，除了根據(jù)附加的權(quán)利要求書(shū)的精神，本發(fā)明不應(yīng)受到任何限制。