本公開的實施例大體上涉及半導體存儲器裝置領域。更具體來說，本公開的實施例涉及動態(tài)隨機存取存儲器(dram)裝置中的自校準及跟蹤。

背景技術：

1、存儲器裝置的操作速率(包含存儲器裝置的數(shù)據(jù)速率)隨時間推移不斷提高。作為存儲器裝置的速度提高的副作用，歸因于失真所致的數(shù)據(jù)錯誤可能增加。例如，可能發(fā)生經(jīng)傳輸數(shù)據(jù)之間的符號間干擾，借此先前接收的數(shù)據(jù)影響當前接收的數(shù)據(jù)(例如，先前接收的數(shù)據(jù)影響并干擾隨后接收的數(shù)據(jù))。一種校正這種干擾的方式是通過使用決策反饋均衡器(dfe)電路，所述dfe電路可經(jīng)編程以抵消(即，消除、減輕或低消)信道對經(jīng)傳輸數(shù)據(jù)的影響。

2、另外，校正經(jīng)傳輸信號中的失真仍是重要的。一種校正失真的方式可為使用鏈路訓練及后續(xù)再訓練，其中主機裝置(例如，處理器)訓練dram裝置與主機裝置之間的雙倍數(shù)據(jù)速率(ddr)接口的鏈路。這種鏈路訓練/再訓練包含主機裝置通過ddr接口發(fā)送/接收信號，同時對接口相關參數(shù)的調(diào)整進行編程。然而，這些dram裝置的ddr接口的鏈路訓練及后續(xù)再訓練時間可能相對漫長且對用戶體驗有負面影響。

技術實現(xiàn)思路

1、一方面，本公開提供一種方法，其包括：使用半導體裝置自訓練所述半導體裝置的均衡器；在所述半導體裝置處，接收用于再訓練所述均衡器的條件的指示；基于所述自訓練期間導出的經(jīng)訓練值操作所述均衡器；使用所述半導體裝置確定已滿足所述條件；及由所述半導體裝置再訓練所述均衡器，而無需由耦合到所述半導體裝置的主機裝置調(diào)用再訓練。

2、另一方面，本公開進一步提供一種半導體裝置，其包括：接收器，其經(jīng)配置以從另一裝置接收數(shù)據(jù)位且使用第一參考電壓將所述數(shù)據(jù)位中的至少一些并行地鎖存在第一組鎖存器中并使用第二參考電壓將所述數(shù)據(jù)位中的至少一些并行地鎖存在第二組鎖存器中；及自校準電路系統(tǒng)，其包括：分析電路系統(tǒng)，其經(jīng)配置以比較相應并行鎖存位以確定是否遞增位計數(shù)器；平均電路系統(tǒng)，其包括經(jīng)配置以跟蹤所述分析電路系統(tǒng)中確定的遞增的數(shù)目的位計數(shù)器，且所述平均電路系統(tǒng)經(jīng)配置以跟蹤所述分析電路系統(tǒng)中執(zhí)行的位比較的數(shù)目；加法器/減法器電路系統(tǒng)，其經(jīng)配置以基于所計數(shù)遞增的所述數(shù)目將某一值加到當前設置或從當前設置減去所述值以產(chǎn)生新設置；及參考電壓產(chǎn)生器，其用以轉換所述新設置以產(chǎn)生所述第一參考電壓。

3、又一方面，本公開進一步提供一種經(jīng)配置以在存儲器裝置中執(zhí)行自訓練的自校準電路系統(tǒng)，其中所述自校準電路系統(tǒng)包括：輸入，其經(jīng)配置以接收從所述存儲器裝置處接收的單個位捕獲的第一及第二經(jīng)鎖存位；分析電路系統(tǒng)，其用以比較所述第一與第二經(jīng)鎖存位以基于所述第一與第二經(jīng)鎖存位的比較確定遞增第一位計數(shù)器；數(shù)字平均電路系統(tǒng)，其包括：所述第一位計數(shù)器，其經(jīng)配置以跟蹤所述分析電路系統(tǒng)中確定的遞增的數(shù)目；及第二位計數(shù)器，其經(jīng)配置以跟蹤所述分析電路系統(tǒng)中執(zhí)行的位比較的數(shù)目；加法器/減法器電路系統(tǒng)，其經(jīng)配置以：接收指示遞增值的步長信號；接收均衡器的先前設置的指示；及至少部分地基于所述步長信號、所述先前設置的所述指示及所述第一位計數(shù)器中計數(shù)的遞增的所述數(shù)目將所述遞增值加到所述先前設置或從所述先前設置減去所述遞增值以輸出新設置；以及參考電壓產(chǎn)生器，其用以轉換所述新設置以產(chǎn)生參考電壓。

技術特征：

1.一種方法，其包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述半導體裝置包括存儲器裝置。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述均衡器是決策反饋均衡器。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述條件包括自所述自訓練以來已流逝的持續(xù)時間、經(jīng)監(jiān)測溫度已超過閾值、電壓已在一時間段內(nèi)沿一個方向變動、經(jīng)監(jiān)測電壓已超過電壓閾值或其組合。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中再訓練包括確定待在所述均衡器中使用的電壓或電流電平。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中再訓練包括確定待在所述均衡器中使用的抽頭系數(shù)。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中自訓練包括所述主機裝置啟動所述自訓練，但所述半導體裝置在沒有所述主機裝置監(jiān)督的情況下處置所述自訓練及再訓練的剩余部分。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述條件包括只要所述再訓練未被停用，所述再訓練就連續(xù)的指示，且再訓練包括連續(xù)再訓練。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述連續(xù)再訓練包括即使在其它存儲器排活動時也再訓練經(jīng)停用存儲器排。

10.一種半導體裝置，其包括：

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置包括存儲器裝置，所述另一裝置包括主機裝置，且所述自校準電路系統(tǒng)經(jīng)配置以在沒有來自所述主機裝置的監(jiān)督的情況下產(chǎn)生所述第一參考電壓。

12.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其中確定是否遞增所述位計數(shù)器包括至少部分地基于所述并行鎖存位的邏輯值的比較確定遞增所述位計數(shù)器。

13.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其中所述加法器/減法器電路系統(tǒng)經(jīng)配置以接收指示將被加到所述當前設置或從所述當前設置減去以產(chǎn)生所述新設置的所述值的步長信號。

14.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置包括存儲器裝置，所述存儲器裝置包括包含所述自校準電路系統(tǒng)的多個自校準電路系統(tǒng)。

15.根據(jù)權利要求14所述的半導體裝置，其包括各自對應于所述多個自校準電路系統(tǒng)中的相應自校準電路系統(tǒng)的多條數(shù)據(jù)線(dq)。

16.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其中所述平均電路系統(tǒng)包括經(jīng)配置以跟蹤所執(zhí)行的位比較的所述數(shù)目且當位比較的所述數(shù)目達到閾值數(shù)目時輸出停止信號的第二位計數(shù)器。

17.根據(jù)權利要求16所述的半導體裝置，其中所述閾值數(shù)目由所述另一裝置指定或者由所述半導體裝置的一或多個熔絲指示。

18.一種經(jīng)配置以在存儲器裝置中執(zhí)行自訓練的自校準電路系統(tǒng)，其中所述自校準電路系統(tǒng)包括：

19.根據(jù)權利要求18所述的自校準電路系統(tǒng)，其中所述新設置包括所述參考電壓產(chǎn)生器經(jīng)配置以將其轉換成模擬電壓的數(shù)字代碼，且所述參考電壓產(chǎn)生器包括經(jīng)配置以基于所述數(shù)字代碼選擇性地輸出不同電壓電平作為所述參考電壓的電阻梯。

20.根據(jù)權利要求19所述的自校準電路系統(tǒng)，其中所述自校準電路系統(tǒng)經(jīng)配置以使用所述分析電路系統(tǒng)、所述數(shù)字平均電路系統(tǒng)及所述加法器/減法器電路系統(tǒng)，使用所述參考電壓的所述新設置確定所述均衡器的抽頭設置。

技術總結
本公開涉及存儲器裝置中的自校準。系統(tǒng)及方法包含使用半導體裝置自訓練所述半導體裝置的均衡器。所述半導體裝置接收用于再訓練所述均衡器的條件的指示。所述半導體裝置基于所述自訓練期間導出的經(jīng)訓練值操作所述均衡器。所述半導體裝置還確定已滿足所述條件，且作為響應，所述半導體裝置再訓練所述均衡器，而無需由耦合到所述半導體裝置的主機裝置調(diào)用再訓練。

技術研發(fā)人員：J·E·泰勒,E·J·斯特夫,T·M·霍利斯,C·李,C·G·霍盧布
受保護的技術使用者：美光科技公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/17