本發(fā)明涉及芯片，特別是涉及一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、目前的行車記錄儀產(chǎn)品銷售的區(qū)域覆蓋國內(nèi)外，由于各地溫度差異較大會出現(xiàn)一些開機不良的現(xiàn)象，即在對行車記錄儀產(chǎn)品中的芯片進行高低溫測試時，出現(xiàn)測試不穩(wěn)定的情況，從而導致開機不良，主要是和芯片內(nèi)部的ddr的穩(wěn)定度有關(guān)系，因此，如何能夠保證芯片測試的穩(wěn)定性，是目前急需接近的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，提出了本發(fā)明實施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。

2、第一個方面，本發(fā)明實施例提供一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法，應(yīng)用于存儲器，所述存儲器和主控芯片封裝在一起，所述方法包括：

3、獲取待測試程序；

4、執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；

5、在所述待測試存儲器的溫度大于第一預設(shè)值或待測試存儲器工作預設(shè)時間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作。

6、可選地，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時鐘觸發(fā)后的訪問時間、寫入/校正時間、預充電有效時間、首命令延遲時間、行有效至行預充電時間、刷新周期、行刷新周期時間、行單元到行單元的延時時間中的一種或多種。

7、可選地，所述方法還包括：

8、根據(jù)預先設(shè)置的第一延時時間，將所述存儲器的上電電壓從第一電壓值提高到第二電壓值；

9、根據(jù)預先設(shè)置的第二延時時間，將所述存儲器的上電電壓從所述第二電壓值提高到第三電壓值，避免所述待測試存儲器的電壓在發(fā)生變化時出現(xiàn)死機的現(xiàn)象。

10、可選地，所述方法還包括：

11、在所述待測試的存儲器的溫度大于預設(shè)溫度值的情況下，每隔預設(shè)時間段，根據(jù)實際采集的溫度，對所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進行調(diào)整。

12、可選地，所述方法還包括：

13、在開機的情況下，通過預設(shè)的調(diào)節(jié)程序?qū)λ龃郎y試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進行調(diào)節(jié)，直至所述穩(wěn)定參數(shù)達到穩(wěn)定狀態(tài)；

14、在所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)達到穩(wěn)定狀態(tài)情況，執(zhí)行主程序。

15、可選地，所述方法還包括：

16、在對所述主控芯片進行寫操作和讀操作的中間增加一次對不同地址寫入不同值的操作。

17、第二個方面，本發(fā)明實施例提供一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準裝置，應(yīng)用于存儲器，所述存儲器和主控芯片封裝在一起，該裝置包括：

18、獲取模塊，用于獲取待測試程序；

19、執(zhí)行模塊，用于執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；

20、校準模塊，用于在所述待測試存儲器的溫度大于第一預設(shè)值或待測試存儲器工作預設(shè)時間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作。

21、可選地，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時鐘觸發(fā)后的訪問時間、寫入/校正時間、預充電有效時間、首命令延遲時間、行有效至行預充電時間、刷新周期、行刷新周期時間、行單元到行單元的延時時間中的一種或多種。

22、可選地，所述校準模塊，用于：

23、根據(jù)預先設(shè)置的第一延時時間，將所述存儲器的上電電壓從第一電壓值提高到第二電壓值；

24、根據(jù)預先設(shè)置的第二延時時間，將所述存儲器的上電電壓從所述第二電壓值提高到第三電壓值，避免所述待測試存儲器的電壓在發(fā)生變化時出現(xiàn)死機的現(xiàn)象。

25、可選地，所述校準模塊，用于：

26、在所述待測試的存儲器的溫度大于預設(shè)溫度值的情況下，每隔預設(shè)時間段，根據(jù)實際采集的溫度，對所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進行調(diào)整。

27、可選地，所述校準模塊，用于：

28、在開機的情況下，通過預設(shè)的調(diào)節(jié)程序?qū)λ龃郎y試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進行調(diào)節(jié)，直至所述穩(wěn)定參數(shù)達到穩(wěn)定狀態(tài)；

29、在所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)達到穩(wěn)定狀態(tài)情況，執(zhí)行主程序。

30、可選地，所述校準模塊，用于：

31、在對所述主控芯片進行寫操作和讀操作的中間增加一次對不同地址寫入不同值的操作。

32、第三個方面，本發(fā)明實施例提供一種終端設(shè)備，包括：至少一個處理器和存儲器；

33、存儲器存儲計算機程序；至少一個處理器執(zhí)行存儲器存儲的計算機程序，以實現(xiàn)第一個方面提供的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法。

34、第四個方面，本發(fā)明實施例提供一種計算機可讀存儲介質(zhì)，該計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機程序，計算機程序被執(zhí)行時實現(xiàn)第一個方面提供的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法。

35、本發(fā)明實施例包括以下優(yōu)點：

36、本發(fā)明實施例提供的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)，通過獲取待測試程序；執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；在所述待測試存儲器的溫度大于第一預設(shè)值或待測試存儲器工作預設(shè)時間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作，本申請實施例中芯片可以內(nèi)置低成本的ddr或者兼容更多型號的ddr，提高芯片本身的競爭力，而且可以通過提高ddr的兼容性，分散ddr型號停產(chǎn)的風險，提高產(chǎn)品競爭力，也可以在和ddr供貨商談判中提高話語權(quán)。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法，其特征在于，應(yīng)用于存儲器，所述存儲器和主控芯片封裝在一起，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時鐘觸發(fā)后的訪問時間、寫入/校正時間、預充電有效時間、首命令延遲時間、行有效至行預充電時間、刷新周期、行刷新周期時間、行單元到行單元的延時時間中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

7.一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準裝置，其特征在于，所述裝置包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時鐘觸發(fā)后的訪問時間、寫入/校正時間、預充電有效時間、首命令延遲時間、行有效至行預充電時間、刷新周期、行刷新周期時間、行單元到行單元的延時時間中的一種或多種。

9.一種終端設(shè)備，其特征在于，包括：至少一個處理器和存儲器；

10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，該計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機程序，所述計算機程序被執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1-6中任一項所述的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例提供了一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)，通過獲取待測試程序；執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；在所述待測試存儲器的溫度大于第一預設(shè)值或待測試存儲器工作預設(shè)時間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作，本申請實施例中芯片可以內(nèi)置低成本的DDR或者兼容更多型號的DDR，提高芯片本身的競爭力，而且可以通過提高DDR的兼容性，分散DDR型號停產(chǎn)的風險，提高產(chǎn)品競爭力，也可以在和DDR供貨商談判中提高話語權(quán)。

技術(shù)研發(fā)人員：馮振國,付澤民
受保護的技術(shù)使用者：凌嘉科技（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19