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      一種存儲器的適配能力測試裝置的制作方法

      文檔序號:40400248發(fā)布日期:2024-12-20 12:23閱讀:16來源:國知局
      一種存儲器的適配能力測試裝置的制作方法

      本技術(shù)屬于服務(wù)器,具體涉及一種存儲器的適配能力測試裝置。


      背景技術(shù):

      1、存儲器根據(jù)斷電后是否保留存儲的信息可分為易失性存儲器和非易失性存儲器,其中只讀存儲器(rom)是主要的非易失性存儲器,其特點是一旦在其體內(nèi)存儲了資料就無法再被改寫或刪除,但其存儲過的內(nèi)容也不會因為電源關(guān)閉而丟失。

      2、作為一種電可擦除可編程只讀存儲器,flash存儲器不但能進(jìn)行擦除和編程操作,具有非易失性的同時還可以快速讀取數(shù)據(jù)。目前占據(jù)主流市場的flash存儲器分為norflash和nand?flash,nor?flash的讀取速度較快,常用于存儲系統(tǒng)固件、引導(dǎo)程序和操作系統(tǒng),nand?flash的寫入速度較快,常用于存儲大量數(shù)據(jù),如圖像、音頻和視頻文件。

      3、在服務(wù)器領(lǐng)域,nor?flash通常用于存儲主控芯片的啟動代碼,初始化相關(guān)的硬件配置,實現(xiàn)相應(yīng)的功能邏輯,因此,主控芯片需要與nor?flash進(jìn)行適配,方可正常使用。通常,芯片廠商會在avl清單中列出芯片所適配的flash型號,然而實際使用過程中,avl清單中的nor?flash可能存在eol或是交期跳票的情況,這時需要我們自行對主控芯片的norflash進(jìn)行適配。面對不同封裝、不同廠商的各種nor?flash,通常采用飛線的方式,將主控板的spi總線連接到待適配nor?flash上,若適配失敗需要重新飛線,費時費力,效果不理想,而且需要在板卡上進(jìn)行多處飛線操作,操作不當(dāng)容易造成板卡短路,燒壞板卡。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、針對現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,本實用新型提供一種存儲器的適配能力測試裝置,以解決上述技術(shù)問題。

      2、本實用新型提供一種存儲器的適配能力測試裝置,包括:

      3、存儲器插槽,所述存儲器插槽用于搭載待測存儲器;所述存儲器插槽搭載的待測存儲器通過二選一開關(guān)芯片分別連接主控芯片和bmc,所述bmc連接所述二選一開關(guān)芯片的控制端口;所述主控芯片的io接口連接bmc;所述bmc通過i2c線路連接復(fù)雜可編程邏輯器件;所述存儲器插槽連接供電電源,且所述存儲器插槽與供電電源之間串聯(lián)有供電開關(guān)。

      4、在一個可選的實施方式中,包括多個存儲器插槽,多個所述存儲器插槽搭載多個存儲器,多個所述存儲器的spi總線端口均連接二選一開關(guān)芯片的輸出端,二選一開關(guān)芯片的一個輸入端連接主控芯片的spi接口,二選一開關(guān)芯片的另一個輸入端連接bmc的spi接口。

      5、在一個可選的實施方式中,bmc通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第一輸入端,主控芯片通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第二輸入端,二選一開關(guān)芯片的輸出端通過同步串行信號線連接多個存儲器插槽。

      6、在一個可選的實施方式中,所述存儲器插槽通過第一線路連接第一供電電源,所述存儲器插槽通過第二線路連接第二供電電源,第一線路上串聯(lián)有第一插針開關(guān),第二線路上串聯(lián)有第二插針開關(guān)。

      7、在一個可選的實施方式中,所述第一供電電源為3.3v電源,所述第二供電電源為1.8v電源。

      8、在一個可選的實施方式中,所述bmc通過i2c線路連接輔助芯片,所述輔助芯片的io引腳連接存儲器插槽的電源接口。

      9、在一個可選的實施方式中,所述輔助芯片電連接led燈。

      10、在一個可選的實施方式中,所述輔助芯片采用ca9555芯片。

      11、在一個可選的實施方式中,所述bmc通過三個io引腳連接目標(biāo)選擇芯片。

      12、在一個可選的實施方式中,二選一開關(guān)芯片的多條與待測存儲器相連接的輸出端支路上,均設(shè)有開關(guān)芯片;所述目標(biāo)選擇芯片的多個引腳分別連接對應(yīng)的開關(guān)芯片的控制端

      13、本實用新型的有益效果在于,本實用新型提供的存儲器的適配能力測試裝置,通過構(gòu)建bmc、主控芯片、目標(biāo)選擇芯片和待測存儲器之間的連接拓?fù)洌槍lash芯片擦寫失敗導(dǎo)致與主控芯片適配失敗的情況加以區(qū)分,排除此種情況下flash型號與主控芯片不適配的結(jié)果,提高了檢測的可靠性。

      14、此外,本實用新型設(shè)計原理可靠,結(jié)構(gòu)簡單,具有非常廣泛的應(yīng)用前景。



      技術(shù)特征:

      1.一種存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,包括多個存儲器插槽,多個所述存儲器插槽搭載多個存儲器,多個所述存儲器的spi總線端口均連接二選一開關(guān)芯片的輸出端,二選一開關(guān)芯片的一個輸入端連接主控芯片的spi接口,二選一開關(guān)芯片的另一個輸入端連接bmc的spi接口。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,bmc通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第一輸入端,主控芯片通過同步串行信號線連接二選一開關(guān)芯片的第二輸入端,二選一開關(guān)芯片的輸出端通過同步串行信號線連接多個存儲器插槽。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,所述存儲器插槽通過第一線路連接第一供電電源,所述存儲器插槽通過第二線路連接第二供電電源,第一線路上串聯(lián)有第一插針開關(guān),第二線路上串聯(lián)有第二插針開關(guān)。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,所述第一供電電源為3.3v電源,所述第二供電電源為1.8v電源。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,所述bmc通過i2c線路連接輔助芯片,所述輔助芯片的io引腳連接存儲器插槽的電源接口。

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,所述輔助芯片電連接led燈。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,所述輔助芯片采用ca9555芯片。

      9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,所述bmc通過三個io引腳連接目標(biāo)選擇芯片。

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器的適配能力測試裝置,其特征在于,二選一開關(guān)芯片的多條與待測存儲器相連接的輸出端支路上,均設(shè)有開關(guān)芯片;所述目標(biāo)選擇芯片的多個引腳分別連接對應(yīng)的開關(guān)芯片的控制端。


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)涉及服務(wù)器技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種存儲器的適配能力測試裝置,包括:存儲器插槽,所述存儲器插槽用于搭載待測存儲器;所述存儲器插槽搭載的待測存儲器通過二選一開關(guān)芯片分別連接主控芯片和BMC,所述BMC連接所述二選一開關(guān)芯片的控制端口;所述主控芯片的IO接口連接BMC;所述BMC通過I2C線路連接復(fù)雜可編程邏輯器件;所述存儲器插槽連接供電電源,且所述存儲器插槽與供電電源之間串聯(lián)有供電開關(guān)。本技術(shù)提高了存儲器適配能力檢測的可靠性。

      技術(shù)研發(fā)人員:楊德浩
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:蘇州元腦智能科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240430
      技術(shù)公布日:2024/12/19
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