專利名稱:磁頭和信息存儲(chǔ)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將光和磁場施加到信息存儲(chǔ)介質(zhì)的磁頭，并且涉及一種使用光和磁場對(duì)信息存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行信息存取的信息存儲(chǔ)設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著信息處理社會(huì)的發(fā)展，信息量不斷增加。因?yàn)樾畔⒘吭黾?，所以需要開發(fā)具有非常高的記錄密度的信息記錄方法和信息存儲(chǔ)裝置。其上使用磁場來存取信息的磁盤作為可重寫的高密度記錄介質(zhì)而受到關(guān)注并且被積極地研究和開發(fā)，以便進(jìn)一步提高密度。
用于以高密度在磁盤上記錄信息的一種公知方法是熱輔助記錄方法，其中使用具有產(chǎn)生磁場的磁極和照射光的光照射裝置的磁頭，以用光照射磁盤，以使記錄膜的溫度接近居里點(diǎn)，并且在這種狀態(tài)下，向記錄膜施加磁場，以將記錄膜的磁化引導(dǎo)到與信息相符的方向，由此記錄信息。
在熱輔助記錄方法中，如果照射有光的區(qū)域比施加了磁場的區(qū)域更寬，則磁盤上的與被施加磁場以寫入信息的區(qū)域相鄰的磁道也被加熱，并且以前寫入在那些磁道中的信息可能被破壞。另一方面，工程師正試圖通過減小用于記錄一位信息的記錄區(qū)域(位尺寸)來提高磁盤本身的容量。需要使用光精確地照射微小的寫入?yún)^(qū)域，以僅僅可靠地加熱該寫入?yún)^(qū)域。近來，使用從小于光波長的微小孔徑照射的近場光來產(chǎn)生比光波長更小的照射光斑，以加熱該寫入?yún)^(qū)域，而不是將從光源發(fā)射的光直接施加到寫入?yún)^(qū)域。
對(duì)于上述使用近場光的技術(shù)，已提出了多種技術(shù)，例如其中與產(chǎn)生磁場的磁極相鄰地設(shè)置微小孔徑，并通過光波導(dǎo)將光傳送到該微小孔徑，以提供近場光的技術(shù)(例如，參見日本專利特開No.2003-6803和No.2002-298302)；其中以蝴蝶結(jié)的形式設(shè)置兩個(gè)三角形磁極，它們之間具有微小間隙，并且使用光纖用光照射該間隙，以提供近場光的技術(shù)(例如，參見日本專利特開No.2003-195002)；以及其中提供被微小間隙分開的磁極和磁盤，并且向該間隙施加光，從而產(chǎn)生近場光的技術(shù)(例如，參見日本專利特開No.2000-67901)。根據(jù)日本專利特開2003-6803、No.2002-298302、No.2000-195002以及No.2003-67901中描述的技術(shù)，可以使用近場光來照射微小區(qū)域，由此避免上述的信息破壞。
由芯和包層構(gòu)成的光波導(dǎo)通常用于傳送光，其中通過該芯傳送光，該包層圍繞該芯并限制光。為了有效地傳送光，芯和包層必須被形成為厚度大于光波長。結(jié)果，即使與磁極相鄰地設(shè)置光波導(dǎo)，也會(huì)產(chǎn)生下述的問題照射有光的區(qū)域的中心遠(yuǎn)離施加了磁場的寫入?yún)^(qū)域的中心1.5個(gè)波長或更多。
日本專利特公No.2000-195002中描述的技術(shù)可以精確地將光施加到被施加磁場的區(qū)域。但是，因?yàn)榇艠O以蝴蝶結(jié)的形式設(shè)置，因此產(chǎn)生近場光的效率較差。該技術(shù)的另一問題是因?yàn)樗纬傻拇艠O的厚度必須為幾個(gè)納米厚，以便在磁極和磁盤之間的間隙中產(chǎn)生近場光，因此由磁極產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度降低。
因?yàn)楦淖兞舜艠O的形狀并且將光波導(dǎo)設(shè)置在小空間中，所以日本專利特開No.2003-6803、No.2002-298302以及No.2000-195002中描述的技術(shù)需要很大程度地改變制造其中僅通過使用磁場而不施加光來執(zhí)行信息存取的常規(guī)磁信息儲(chǔ)存裝置的工藝，以便制造使用熱輔助記錄方法的磁信息儲(chǔ)存裝置。
另一方面，日本專利特開No.2003-67901中描述的技術(shù)僅需要在常規(guī)磁信息儲(chǔ)存裝置中使用的磁頭被設(shè)置為更靠近磁盤并且在磁頭外部設(shè)置用于向磁頭和磁盤之間的間隙施加光的裝置。因此，可以使用用于制造常規(guī)磁信息存儲(chǔ)裝置的工藝。在磁信息存儲(chǔ)裝置中，通常沿磁道掃描磁盤。其中磁頭相對(duì)于磁道移動(dòng)的方向在這里被稱為磁道掃描方向。在包括產(chǎn)生磁通量的主磁極和用于將磁通量反饋給主磁極的輔助磁極的磁頭中，沿磁道掃描方向，從磁頭的前端按順序設(shè)置輔助磁極和主磁極，并且在磁道掃描方向上，在磁頭的向前部分中的主磁極下面的區(qū)域中形成記錄磁場。但是，在日本專利特開No.2003-67901中描述的技術(shù)中，不能在磁道掃描方向上前向施加光，因?yàn)檩o助磁極位于光的施加路徑中，因此可以在磁道掃描方向上后向施加光。為了在該結(jié)構(gòu)中，在形成記錄磁場的區(qū)域中產(chǎn)生近場光，在磁道掃描方向上，主磁極必須足夠薄。這種減小的厚度將降低磁場強(qiáng)度。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況而提出本發(fā)明，并且本發(fā)明提供了一種能夠在施加了磁場的位置附近施加光，而不減小磁場強(qiáng)度的磁頭和信息存儲(chǔ)設(shè)備。
一種解決上述問題的磁頭，其包括從一端部發(fā)射磁通量的磁極；具有與所述磁極的所述端部對(duì)準(zhǔn)的端部并具有與磁極的折射率不同的折射率的光極；以及將光側(cè)向施加給所述光極所述端部的光施加部分。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，具有相互不同折射率的磁極和光極互相接觸，因?yàn)樗鼈兊恼凵渎手g的差異，所以從光施加部分施加到光極的光被有效地轉(zhuǎn)換成近場光，并且從光極發(fā)射近場光。因此，不必通過使用光波導(dǎo)將光引導(dǎo)到靠近光極和磁極的位置，由此可以減小光極的尺寸。因此，可以使施加了磁場的位置和施加了光的位置彼此充分地靠近。此外，光極如此微小，以致它可以被設(shè)置在留下的間隙中。因此，僅通過向用于制造常規(guī)磁信息存儲(chǔ)裝置的磁頭的工藝增加用于使用諸如薄膜成形的工藝來形成光極的步驟，就可以制造采用熱協(xié)助記錄方法的信息存儲(chǔ)設(shè)備的磁頭，而不需要對(duì)該工藝進(jìn)行任何較大的修改。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭優(yōu)選地包括填充部分，該填充部分至少填充光施加部分和光極的所述端部之間的空間的光極側(cè)部分，并且折射率與磁極的折射率和光極的折射率中的任意一個(gè)不同。
該填充部分的提供保證了近場光的產(chǎn)生。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，光極的所述端部和磁極的所述端部優(yōu)選地在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上彼此對(duì)準(zhǔn)地設(shè)置。
使光極的所述端部和磁極的所述端部沿記錄介質(zhì)上的磁道彼此對(duì)準(zhǔn)保證了僅施加了磁場的磁道被光加熱。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，優(yōu)選地，在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上，光極的所述端部寬度小于由光施加部分施加的光的波長。
通過優(yōu)選模式的磁頭，可以將光可靠地施加到下述的位置，該位置靠近施加了磁場的位置。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，在與記錄介質(zhì)上的磁道交叉的方向上，光極的所述端部的寬度優(yōu)選地小于或等于磁極的所述端部的寬度。
因?yàn)楣鈽O的所述端部在與磁道交叉的方向上的寬度小于磁極的所述端部的寬度，所以可以防止與記錄介質(zhì)上的施加了磁場的位置相鄰的磁道被加熱。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，該光極優(yōu)選地包括高折射率材料層和低折射率材料層，該高折射率材料層的折射率高于磁極的折射率，該低折射率材料層的折射率低于磁極的折射率，高折射率材料層和低折射率材料層在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上層疊。
因?yàn)楦哒凵渎什牧蠈雍偷驼凵渎什牧蠈釉谘卮诺赖姆较蛏蠈盈B，所以可以有效地產(chǎn)生近場光。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，該光極優(yōu)選地包括高折射率材料層和低折射率材料層，該高折射率材料層的折射率高于磁極的折射率，該低折射率材料層的折射率低于磁極的折射率，高折射率材料層和低折射率材料層在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上層疊，高折射率材料層被設(shè)置在光極中的更靠近磁極的位置中。
因?yàn)楦哒凵渎什牧媳辉O(shè)置在更靠近磁極的位置，所以可以使近場光的照射峰值進(jìn)一步靠近施加了磁場的位置。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，該光極優(yōu)選地包括夾在低折射率材料層之間的高折射率材料層，該高折射率材料層的折射率高于磁極的折射率，低折射率材料層的折射率低于磁極的折射率，高折射率材料層和低折射率材料層在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上層疊。
因?yàn)樵诘驼凵渎什牧蠈又g設(shè)置了高折射率材料層，所以可以通過簡單的結(jié)構(gòu)有效地產(chǎn)生近場光。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，該光極優(yōu)選地包括高折射率材料層和低折射率材料層，該高折射率材料層的折射率高于磁極的折射率，并且沿光極的端部在光極的該端部中延伸，該低折射率材料層的折射率低于磁極的折射率，并且在除了其中高折射率材料層延伸的方向之外的所有方向上包圍該高折射率材料。
因?yàn)楦哒凵渎什牧蠈颖坏驼凵渎什牧蠈影鼑钥梢杂行У禺a(chǎn)生近場光。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，優(yōu)選地包括光極的覆蓋部分，該覆蓋部分覆蓋其上被光施加部分施加了光的側(cè)面，該覆蓋部分具有小于光波長的厚度，并且折射率低于磁極的折射率和填充部分的折射率中的任意一個(gè)，其中，該填充部分填充光施加部分和覆蓋部分之間的空間。
因?yàn)楣鈽O覆蓋有覆蓋部分，所以光極受到保護(hù)并且提高了使用折射率之間的差異的耦合效率，因此更有效地產(chǎn)生近場光。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，光極的其上被光施加部分施加了光的部分優(yōu)選地是平坦表面。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，從光施加部分發(fā)射的光被施加到光極，而不是通過光波導(dǎo)傳送到光極。因此，在除了在光極中產(chǎn)生近場光的照射光斑之外的區(qū)域中可能出現(xiàn)近場光的雜散光。但是，因?yàn)楣鈽O的其上被光施加部分施加了光的部分的表面是平坦的，所以減少了雜散光的產(chǎn)生。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，磁極的端部的部分從被施加了光的部分到光極逐漸變細(xì)。
由于越微小的磁極端部可以向越小的端部施加磁場，因此可以在記錄介質(zhì)上更致密地記錄信息，并且整個(gè)磁極的小型化降低了磁場強(qiáng)度。通過使更靠近記錄介質(zhì)的磁極的端部的部分比其中光極被光照射的部分更薄并且使其余部分更厚，可以提高記錄密度和磁場強(qiáng)度。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，光施加部分優(yōu)選地施加在與記錄介質(zhì)上的磁道交叉的方向上偏振的光。
如果光在沿磁道的方向上偏振，則光極中的近場光的產(chǎn)生效率將降低，并且近場光的雜散光將增加。因此，優(yōu)選地向光極施加在與磁道交叉的方向上偏振的光。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，光施加部分在與記錄介質(zhì)上的磁道交叉的方向上施加光。
如前所述，在沿磁道的方向上，光極的端部優(yōu)選地與磁極的端部對(duì)準(zhǔn)。在該優(yōu)選結(jié)構(gòu)中，在與磁道交叉的方向上有效地施加光。
在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，優(yōu)選地包括光引導(dǎo)部分，其接收光并將光引導(dǎo)到光施加部分。
光引導(dǎo)部分將光有效地引導(dǎo)到光施加部分。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭，優(yōu)選地包括光引導(dǎo)部分，該光引導(dǎo)部分具有接收光的照射并接受光的光柵以及將由光柵接收的光引導(dǎo)到光施加部分的波導(dǎo)。
即使在其中例如光被傾斜地施加到磁頭，而不是從正面施加的結(jié)構(gòu)中，該光柵也可以有效地將光引導(dǎo)到光施加部分。因此，可以提高設(shè)計(jì)磁頭時(shí)的靈活度。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭優(yōu)選地包括用于反射光的反射鏡，其中光施加部分將由反射鏡反射的光直接或間接地施加到光極的端部。
反射鏡的提供使得能夠?qū)⒐馐┘拥焦鈽O，即使光施加部分被安裝在磁頭內(nèi)部。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭優(yōu)選地包括通過刻蝕Si基板而形成并反射光的Si反射鏡；以及用于填充Si基板的被刻蝕部分的模制玻璃；其中光施加部分將由Si反射鏡反射的光直接或間接地施加到光極的端部。
該優(yōu)選模式的磁頭可以通過簡化的制造工藝來制造。
一種解決上述問題的信息存儲(chǔ)設(shè)備包括通過使用光和磁場對(duì)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行存取的磁頭；支撐信息記錄介質(zhì)的介質(zhì)支撐部分；以及支撐磁頭并將磁頭定位在信息記錄介質(zhì)上方的磁頭支撐部分；該磁頭包括從其端部發(fā)射磁通量的磁極；具有與磁極的端部對(duì)準(zhǔn)的端部并具有與磁極的折射率不同的折射率的光極；以及用于將光從側(cè)面施加到光極的端部的光施加部分。
根據(jù)本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備使得能夠?qū)⒐馐┘拥娇拷┘恿舜艌龅奈恢?，并且將信息更致密地寫在信息記錄介質(zhì)上，而不減小磁場強(qiáng)度。
盡管在此僅給出了信息存儲(chǔ)設(shè)備的一種基本形式，但是在此所指的信息存儲(chǔ)設(shè)備不限于如上所述的基本形式。在此所指的信息存儲(chǔ)設(shè)備的概念包括適合于上述各種形式的磁頭的各種形式的信息存儲(chǔ)設(shè)備。
一種根據(jù)本發(fā)明的磁頭包括具有主磁極、輔助磁極以及線圈的磁場產(chǎn)生部分；該線圈的端子部分；光極，其設(shè)置在主磁極和輔助磁極之間，并且折射率與主磁極的折射率和輔助磁極的折射率中的任意一個(gè)不同；將光從側(cè)面施加到光極的端部的光施加部分；以及接收光并將光引導(dǎo)到光施加部分的光引導(dǎo)部分；其中磁場產(chǎn)生部分、端子部分、光極、光施加部分以及光引導(dǎo)部分被設(shè)置在給定基板的同一側(cè)面上。
根據(jù)本發(fā)明的信息存儲(chǔ)設(shè)備包括通過使用光和磁場對(duì)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行存取的磁頭；支撐信息記錄介質(zhì)的介質(zhì)支撐部分；以及支撐磁頭并將磁頭定位在信息記錄介質(zhì)上方的磁頭支撐部分；該磁頭包括具有主磁極、輔助磁極以及線圈的磁場產(chǎn)生部分；該線圈的端子部分；光極，其設(shè)置在主磁極和輔助磁極之間，并且折射率與主磁極的折射率和輔助磁極的折射率中的任意一個(gè)不同；將光從側(cè)面施加到光極的端部的光施加部分；以及接收光并將光引導(dǎo)到光施加部分的光引導(dǎo)部分；其中磁場產(chǎn)生部分、端子部分、光極、光施加部分以及光引導(dǎo)部分被設(shè)置在給定基板的同一側(cè)面上。
通過根據(jù)本發(fā)明的磁頭和信息存儲(chǔ)設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)高精度的信息存取，同時(shí)防止磁場強(qiáng)度減小。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種磁頭和信息存儲(chǔ)設(shè)備，其能夠?qū)⒐馐┘拥娇拷┘恿舜艌龅奈恢玫奈恢茫粶p小磁場強(qiáng)度。



圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的信息存儲(chǔ)設(shè)備；圖2是滑塊的端部的放大示圖；圖3示意性地示出了設(shè)置在滑塊上的磁頭的結(jié)構(gòu)；圖4示意性地示出了磁頭的立體圖；
圖5是沿平行于磁道掃描方向的平面并穿過主磁極截取的磁頭的剖面圖；圖6是說明用于切割磁極和光學(xué)組件的示例性工藝的示圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果；圖8示出了在與圖7相同的平面上的近場光的光斑分布圖(強(qiáng)度分布)的曲線圖；圖9示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的磁頭的立體圖；圖10是沿平行于磁道掃描方向的平面并穿過主磁極截取的磁頭的剖面圖；圖11示意性地示出了沿磁道掃描方向從背面觀察的磁頭的結(jié)構(gòu)的示圖；圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果；圖13示意性地示出了在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的磁頭的主磁極和光學(xué)組件的端部周圍的部分的結(jié)構(gòu)；圖14示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果；圖15示出了當(dāng)在與磁道交叉的方向上，僅在主磁極和光學(xué)組件的兩個(gè)側(cè)面形成薄膜時(shí)，電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果；圖16示意性地示出了從磁盤觀察的根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的磁頭的結(jié)構(gòu)；圖17示意地示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的磁頭的主磁極和光學(xué)組件的結(jié)構(gòu)；圖18示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果；以及圖19示出了在根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的滑塊的端部周圍的部分。
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的信息存儲(chǔ)設(shè)備。
圖1所示的激光協(xié)助磁記錄-再現(xiàn)設(shè)備1表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的信息存儲(chǔ)設(shè)備，并包含有第一實(shí)施例的磁頭。圖1示出了激光協(xié)助磁記錄-再現(xiàn)設(shè)備1，其外殼被去除，以展現(xiàn)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。該激光協(xié)助磁記錄-再現(xiàn)設(shè)備1包括沿由箭頭R指示的方向轉(zhuǎn)動(dòng)并由轉(zhuǎn)軸2a支撐的磁盤2；設(shè)置有磁頭的滑塊5，該磁頭在磁盤2上寫入和讀取信息，這將稍后描述；朝向滑塊5發(fā)射光的光源6，支撐滑塊5的架臂3以臂軸3a為樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，并沿磁盤2的表面移動(dòng)；以及驅(qū)動(dòng)架臂3的臂致動(dòng)器4。該外殼的內(nèi)部空間由覆蓋物(未示出)密封。
圖2示出了滑塊5的端部，而圖3示意性地示出了安裝在滑塊5上的磁頭15的結(jié)構(gòu)。
在滑塊5的端部設(shè)置有用于向磁盤2施加磁場和光的磁頭15、用于接收從光源6發(fā)射的光的耦合光柵11、用于將由耦合光柵11接收的光引導(dǎo)至設(shè)置在磁頭15附近的光施加孔徑12a的光波導(dǎo)12、用于輸出通過讀取記錄在磁盤2上的信息而生成的再現(xiàn)信號(hào)的再現(xiàn)片(pad)13、以及用于向設(shè)置在磁頭15中的線圈提供電流的線圈引線片14。從光源6發(fā)射的光由耦合光柵11進(jìn)行偏振并被輸入到光波導(dǎo)12，這保證了光被引導(dǎo)到光施加孔徑12a。光施加孔徑12a是本發(fā)明中所指的光施加部分的一個(gè)示例，耦合光柵11是本發(fā)明中所指的光柵部分的一個(gè)示例，光波導(dǎo)管12是本發(fā)明中所指的光波導(dǎo)的一個(gè)示例，并且耦合光柵11和光波導(dǎo)12的組合是本發(fā)明中所指的光引導(dǎo)部分的一個(gè)示例。
磁盤2的沿由圖1所示的箭頭R指示的方向的轉(zhuǎn)動(dòng)使得磁頭15沿與由箭頭R表示的方向相反的方向上的磁道來掃描磁盤2(下文中，將掃描磁盤2的方向稱為磁道掃描方向)。圖3是在由箭頭R表示的方向上從正面觀察(即，沿磁道掃描方向從背面觀察)的磁頭15的示圖。沿磁道掃描方向從背面按順序在磁頭15上設(shè)置產(chǎn)生磁通量的主磁極21、線圈23(線圈引線22從其延伸)、以及采集由主磁極21產(chǎn)生的磁通量并將它們反饋給線圈23和主磁極21的輔助磁極24。輔助磁極24的前部設(shè)置有通過使用GMR膜(巨磁阻膜)來檢測磁場并讀取記錄在磁盤2上的信息的再現(xiàn)磁頭。再現(xiàn)磁頭未示出，因?yàn)榕c從磁盤2讀取信息相比，本發(fā)明主要以將信息寫入到磁盤2為特征。
為了對(duì)磁盤2進(jìn)行信息存取，圖1所示的臂致動(dòng)器4驅(qū)動(dòng)架臂3，架臂3通過使用抽樣伺服方法，將設(shè)置在滑塊5上的磁頭15精確地定位在轉(zhuǎn)動(dòng)的磁盤2上的期望磁道上方。當(dāng)磁盤2轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，磁頭15依次訪問設(shè)置在磁盤2的各個(gè)磁道中的微型區(qū)域。
為了在磁盤2上記錄信息，通過光波導(dǎo)12將從光源6發(fā)射的光引導(dǎo)到光施加孔徑12a并施加到與主磁極21的端部相鄰設(shè)置并與主磁極21的端部對(duì)準(zhǔn)的光學(xué)組件(稍后描述)，并且將在光通過光學(xué)組件時(shí)產(chǎn)生的近場光施加到磁盤2上的微型區(qū)域。當(dāng)使用近場光照射時(shí)，磁盤2上的微小區(qū)域被加熱，并且此后立即通過主磁極21施加記錄磁場。結(jié)果，磁盤2的記錄膜的磁化方向根據(jù)信息而改變，從而在磁盤2上記錄信息。
為了從磁盤2再現(xiàn)信息，使用GMR膜(未示出)來檢測微小區(qū)域的磁化方向，并且根據(jù)由各個(gè)磁化產(chǎn)生的磁場來生成電再現(xiàn)信號(hào)。
對(duì)磁盤2的存取基本上如上所述進(jìn)行。
下面將詳細(xì)地描述磁頭15。
圖4示意性地示出了磁頭15的立體圖。圖5是沿平行于磁道掃描方向的平面并穿過主磁極21截取的磁頭15的剖面圖；在下面的描述中，磁道掃描方向被表示為Z軸，與磁道交叉的徑向被表示為X軸，而沿磁頭15和磁盤2之間的間隙的方向被表示為Y軸。
如圖4所示，在磁頭15中在磁道掃描方向上從正面按順序設(shè)置輔助磁極24、線圈23、光學(xué)組件25以及主磁極21。其中設(shè)置有這些組件的空間由填充部分26填充。主磁極21表示本發(fā)明中所指的磁極的示例，而光學(xué)組件25表示本發(fā)明中所指的光極的示例。填充部分26表示本發(fā)明中所指的填充部分的示例。
主磁極21和輔助磁極24由諸如Fe-Co基合金或Fe-Ni基合金的磁性材料制成。如圖5所示，輔助磁極24由平行于磁盤2的平行部分24a和垂直于磁盤2并與磁道掃描方向正交的垂直部分24b組成。主磁極21的前端部21a面對(duì)磁盤2，而后端部21b與輔助磁極24的垂直部分24b相連。由填充有絕緣材料232(例如，氧化鋁)的螺旋導(dǎo)體231(例如，銅)制成的線圈23附著在主磁極21上。因此，主磁極21構(gòu)成線圈23的芯，并且由主磁極21的端部21a產(chǎn)生磁通量，以在輔助磁極24附近的磁盤2上的區(qū)域P中形成強(qiáng)磁分布。
在主磁極21的端部21a和輔助磁極24的平行部分24a之間設(shè)置有小于通過光施加孔徑12a施加的光束的直徑的間隙，并且在該間隙中設(shè)置有光學(xué)組件25。光學(xué)組件25具有三層結(jié)構(gòu)，其中，由折射率和熔點(diǎn)比主磁極21高的非磁性材料(例如，層厚為660 nm的Si，n＝3.80，k＝0.01，并且熔點(diǎn)為1,420℃)制成的第一元件251被夾在兩個(gè)第二元件252之間，第二元件252由折射率比第一元件251低而熔點(diǎn)比主磁極21高的非磁性材料(例如，層厚為660 nm的SiO2，n＝1.48，k＝0.0，并且熔點(diǎn)為1,730℃)制成。在此，材料的復(fù)合折射率表示為n-j·k，其中n表示實(shí)數(shù)部分，k表示虛數(shù)部分，而j表示虛數(shù)單位。
填充部分26填充磁頭15中的空間，并且還用作主磁極21、輔助磁極24以及光學(xué)組件25的保護(hù)件。填充部分26由折射率比第一元件251低但比第二元件252高并且熔點(diǎn)較高的非磁性材料(例如，n＝2.56，k＝0.06并且熔點(diǎn)為1,840℃的TiO2)制成。為了確保使用通過光波導(dǎo)12傳送并通過光施加孔徑12a發(fā)射而沒有折射的光來照射光學(xué)組件25，填充部分26優(yōu)選地由折射率與芯(稍后描述)的折射率相當(dāng)?shù)牟牧现瞥?，光通過該芯在波導(dǎo)12中傳播。
當(dāng)使用光照射光學(xué)組件25時(shí)，因?yàn)橹鞔艠O21、光學(xué)組件25以及填充部分26的折射率之間的差異，在第一元件251和第二元件252之間的邊界處產(chǎn)生等離子體激光(plasmon)。結(jié)果，光學(xué)組件25朝磁盤2發(fā)射近場光。如上所述，磁極21的端部21a發(fā)射磁通量，在輔助磁極24附近的磁盤2上的區(qū)域P中形成強(qiáng)磁場強(qiáng)度分布。但是，光學(xué)組件25可以將近場光高精度地施加到施加了強(qiáng)磁場的區(qū)域P，因?yàn)楣鈱W(xué)組件25被設(shè)置在主磁極21和輔助磁極24之間。
根據(jù)第一實(shí)施例，主磁極21和光學(xué)組件25被制造為集成組件，因此可以將近場光高精度地施加到將被施加磁場的位置。下面將描述用于制造主磁極21和光學(xué)組件25的方法及主磁極21和光學(xué)組件25的形狀特征。
在第一實(shí)施例的磁頭15的制造中，在通過使用用于制造磁頭的常規(guī)方法形成主磁極21之前，通過諸如光刻的技術(shù)首先形成光學(xué)組件25膜。
然后，在光學(xué)組件25上形成主磁極21膜，使用諸如FIB(聚焦離子束)設(shè)備的設(shè)備一次性地對(duì)主磁極21的端部和面對(duì)磁盤2的光學(xué)組件25進(jìn)行切割工藝。該切割工藝確定了主磁極21在與磁道交叉的方向上的寬度。
圖6示出了磁極和光學(xué)組件的切割工藝的示例。
在第一實(shí)施例中，主磁極21和光學(xué)組件25的端部的照射有通過光波導(dǎo)12傳送的光L的側(cè)面被形成為平行于磁道掃描方向的平坦表面，以使得該平坦表面距離磁頭15的底面(面對(duì)磁盤2的表面)的高度不小于光束L的直徑的1/。通過使用光L照射這種平坦表面，可以通過光學(xué)組件25有效地產(chǎn)生近場光，并且可以減少近場光的雜散光。
主磁極21和光學(xué)組件25的未照射光L的側(cè)面被形成為使得其端部比其余部分薄。通過以這種方式形成主磁極21，可以高精度地將磁場施加到磁盤上2的微型區(qū)域，并且可以使磁場強(qiáng)度的減小最小化。
利用如圖6所示的切割工藝，可以獲得由來自光學(xué)組件25的近場光照射出的下述光斑尺寸，該光斑尺寸在與磁道交叉的方向上等于或小于主磁極21的寬度，因此可以高精度地向通過主磁極21施加了磁場的區(qū)域照射近場光。此外，根據(jù)該實(shí)施例，通過在形成主磁極21之前附加地形成光學(xué)組件25，可以利用常規(guī)的磁盤制造方法，而不需要較大的修改。此外，因?yàn)橐淮涡缘貙?duì)主磁極21和光學(xué)組件25進(jìn)行切割工藝，所以該實(shí)施例不需要將施加了光的位置與施加了磁場的位置對(duì)準(zhǔn)的步驟。
下面將描述被施加到光學(xué)組件25的光L和引導(dǎo)光L的光波導(dǎo)12。
如圖4所示，主磁極21和光學(xué)組件25的照射有光L的側(cè)面被形成為平行于磁道掃描方向的平坦表面。光L到該平坦表面的入射角越大，從光L到近場光的轉(zhuǎn)換效率越高。當(dāng)光L被垂直施加到該平坦表面時(shí)，可以獲得最高的轉(zhuǎn)換效率。但是，為了垂直于光學(xué)組件25施加光，其光軸必須設(shè)置在磁頭15的底面。實(shí)際上，難以產(chǎn)生這種光L。因此，根據(jù)該實(shí)施例，具有與和磁道(X方向)交叉的方向相同的主偏振方向的光L以大約45度的入射角施加到光學(xué)組件25。
如圖6所示，被設(shè)置用來將光傳送到光施加孔徑12a的光波導(dǎo)12由芯122和包層121構(gòu)成，從圖1所示的光源6發(fā)射的光L通過該芯122傳送，包層121包圍芯122并對(duì)光進(jìn)行限制。光波導(dǎo)12設(shè)置在與其上引出線圈引線22的側(cè)面相對(duì)的側(cè)面上，如圖3所示，而不是其上設(shè)置有線圈23的側(cè)面。因?yàn)榫€圈23具有微米量級(jí)的厚度，所以由線圈23節(jié)省的空間可以用來形成足夠厚度的芯122和包層121。通過使用具有足夠厚度的芯122和包層121的光波導(dǎo)12，可以減小由吸收導(dǎo)致的光損失，因此可以減小由光源6發(fā)射的光量，由此使磁頭15的發(fā)熱最小化。光波導(dǎo)12的芯122可以由具有高折射率的光學(xué)透明材料制成，例如Ta2O5。包層122可以由折射率比芯122低的材料制成，例如SiO2。
圖7示出了該實(shí)施例中的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果。
圖7示出了當(dāng)磁頭15和磁盤2之間的距離是10nm時(shí)，在從磁盤2觀察與磁頭15相距3nm的點(diǎn)處的電磁場強(qiáng)度分布。
在該模擬模型中，主磁極21和輔助磁極24的磁性材料是Fe(n＝2.36，k＝3,27，并且熔點(diǎn)為1,730℃)，第一元件251的材料是Si(n＝3.84，k＝0.016，并且熔點(diǎn)為1,420℃)，第二元件252的材料是SiO2(n＝1.48，k＝0.0，并且熔點(diǎn)為1,730℃)，填充部分26的材料是TiSO2(n＝2.56，k＝0.06，并且熔點(diǎn)為1,840℃)。該模擬模型的尺寸如下在與磁道交叉的方向上，主磁極21和光學(xué)組件25的組合寬度是320nm，在磁道掃描方向上，第一元件251的厚度是40nm，而在磁道掃描方向上，第二元件252的厚度是240nm。光L具有λ＝660nm的波長，并且以45度的入射角到達(dá)第一元件251的端部。
由圖7可以看到，在第一元件251的比光L的波長窄的部分中出現(xiàn)了電磁場強(qiáng)度的峰值。該峰值強(qiáng)度是119[(v/m)2]。
圖8示出了與圖7相同的平面上的近場光的光斑分布圖(強(qiáng)度分布)的曲線圖。
圖8的部分(A)中的曲線的水平軸表示磁頭15在與磁道交叉的方向(X軸方向)上的位置；圖8的部分(B)中的曲線的水平軸表示磁頭15在磁道掃描方向(Z軸方向)上的位置。這些曲線的垂直軸表示光強(qiáng)度。
在磁道掃描方向(Z軸方向)上，該模擬模型中的近場光的半峰全寬為60nm，而在與磁道交叉的方向(X軸方向)上為240nm。該計(jì)算中使用的模擬模型中的光源6的電場幅值是1[(V/m)2]。
因此，根據(jù)第一實(shí)施例，可以使用如圖8所示的小光斑以及如圖7所示的強(qiáng)近場光來照射磁盤2。因此，光被集中在一位大小的點(diǎn)上，并且照射有光的位置足夠地靠近將被施加電場的位置。因此，可以高密度地寫入和讀取信息。
根據(jù)第一實(shí)施例，僅將薄的光學(xué)組件25添加到常規(guī)磁頭上，而對(duì)其余組件的形狀和結(jié)構(gòu)幾乎沒有修改。因?yàn)閷?duì)制造工藝的修改較小，所以可以保持由GMR膜等制成的再現(xiàn)部分的性能，而不會(huì)退化。
接下來將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。除了輔助磁極和光學(xué)組件的形狀之外，本發(fā)明的第二實(shí)施例大致與第一實(shí)施例相同。因此相同的元件由相同的標(biāo)號(hào)來標(biāo)記，并將省略對(duì)其的描述，而僅描述與第一實(shí)施例的差異。
圖9示意性地示出了根據(jù)第二實(shí)施例的磁頭15B的立體圖。圖10是沿平行于磁道掃描方向的平面和穿過磁頭15B的主磁極21截取的磁頭15B的剖面圖。
如圖9所示，除了根據(jù)第二實(shí)施例的磁頭15B的輔助磁極24B僅包括與磁道掃描方向正交的垂直部分以外，根據(jù)第二實(shí)施例的磁頭15B具有與根據(jù)圖4所示的第一實(shí)施例的磁頭15大致相同的結(jié)構(gòu)。此外，第二實(shí)施例的磁頭15B的光學(xué)組件25B中的第一元件251(參見圖10)被設(shè)置得更靠近主磁極21，如圖10所示。
圖11示意性地示出了在磁道掃描方向上從背面觀察的磁頭15B的結(jié)構(gòu)。
在第二實(shí)施例的磁頭15B中，在輔助磁極24B中沒有設(shè)置平行部分24a(參見圖5)。因此，光波導(dǎo)12B可以延伸到靠近主磁極21的設(shè)置有光學(xué)組件25B的端部的位置。結(jié)果，光L被有效地施加到光學(xué)組件25B。
圖12示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例中的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果。
該模擬模型的組件由與圖7所示的第一實(shí)施例的模擬模型相似的材料制成。在磁道掃描方向上，第一元件251的厚度是40nm，并且在磁道掃描方向上，第二元件252在更靠近主磁極21的部分中的厚度是240nm，而在較遠(yuǎn)離主磁極21的部分中的厚度是1,120nm。
在圖12中，近場光具有97[(V/m)2]的峰值強(qiáng)度，表示施加了足夠強(qiáng)的近場光。此外，在磁道掃描方向(Z軸方向)上，與圖12相同的平面上的近場光的光斑大小是55nm，而在與磁道交叉的方向(X軸方向)上是320nm。因此，即使第一元件251和第二元件252不均衡地設(shè)置，也可以使用近場光有效地照射第一元件251。
至此，已經(jīng)描述了本發(fā)明的第二實(shí)施例。接下來將描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。本發(fā)明的第三實(shí)施例具有與第一實(shí)施例大致相同的結(jié)構(gòu)。因此，相同的元件使用相同的標(biāo)號(hào)來標(biāo)記，并省略對(duì)其的描述，并且將僅描述與第一實(shí)施例的差異。
圖13示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的磁頭15C的主磁極21的端部和光學(xué)組件25周圍的部分的結(jié)構(gòu)的示意圖。
根據(jù)第三實(shí)施例的磁頭15C與圖4所示的第一實(shí)施例的磁頭15大致相同，除了其主磁極21的端部和光學(xué)組件25覆蓋有薄膜27以外，該薄膜27的厚度小于光的波長。薄膜27的折射率低于主磁極21和填充部分26的折射率并且由透明材料制成。薄膜27表示本發(fā)明中所稱的涂層的示例。
圖14示出了本發(fā)明的第三實(shí)施例中的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果。
除了主磁極21和光學(xué)組件25覆蓋有薄膜27以外，該模擬模型與圖7所示的第一實(shí)施例中的模擬模型相同。薄膜27由SiO2(n＝1.48，k＝0.0，并且熔點(diǎn)為1,730℃)制成，該材料是與光學(xué)組件25的第二元件252相同的材料，并且具有40 nm的厚度。在圖14中，近場光具有152[(V/m)2]的峰值強(qiáng)度，在磁道掃描方向上的半峰全寬為60nm，而在與磁道交叉的方向上為300nm。
因?yàn)橹鞔艠O21和光學(xué)組件25覆蓋有薄膜27，所以主磁極21和光學(xué)組件25受到保護(hù)，并有效地產(chǎn)生近場光。在第三實(shí)施例的模擬模型中，與第一實(shí)施例中的模擬模型相比，在第一元件251處產(chǎn)生的近場光的量可以增加約26％。
應(yīng)當(dāng)注意，如果在圖7所示的第一實(shí)施例的模擬模型中，在與磁道交叉的方向上，僅在主磁極21和光學(xué)組件25的兩個(gè)側(cè)面上形成薄膜27，而不是也使用薄膜27覆蓋主磁極21和光學(xué)組件25的端部，如圖13所示，則將出現(xiàn)近場光的兩個(gè)峰值強(qiáng)度。但是，通過減小更靠近磁盤2的兩個(gè)主磁極21和光學(xué)組件25的端部在與磁道交叉的方向上的寬度，可以提供單個(gè)峰值強(qiáng)度。
圖15示出了僅在主磁極21和光學(xué)組件25的兩個(gè)側(cè)面形成薄膜27的情況下，在與磁道交叉的方向上的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果。
該模擬模型與根據(jù)圖7所示的第一實(shí)施例的模擬模型相同，除了在與磁道交叉的方向上主磁極21和光學(xué)組件25的寬度被減小到160nm以及在與磁道交叉的方向上，在主磁極21和光學(xué)組件25的兩個(gè)側(cè)面上形成具有40nm厚度的SiO2膜之外。在圖15中，近場光具有192[(V/m)2]的峰值強(qiáng)度，并且在磁道掃描方向上的半峰全寬為60nm，而在與磁道交叉的方向上為140nm。
至此，已經(jīng)描述了本發(fā)明的第三實(shí)施例。接下來將描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。本發(fā)明的第四實(shí)施例也與第一實(shí)施例大致相同。因此，相同的元件使用相同的標(biāo)號(hào)來標(biāo)記，并省略對(duì)其的描述，并且將僅描述與第一實(shí)施例的差異。
圖16示意性地示出了從磁盤2觀察的根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的磁頭15D的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)圖4所示的第一實(shí)施例的磁頭15的光學(xué)組件25的第一元件251和第二元件252在磁道掃描方向上層疊，而根據(jù)第四實(shí)施例的光學(xué)組件25的第二元件252圍繞第一元件251。此外，在與磁道交叉的方向上，第一元件251的寬度被形成為比主磁極21的端部的寬度窄，以減小施加到磁盤2上的近場光的生成光斑的尺寸。
在磁頭15D中，第二元件252覆蓋具有高折射率的第一元件251并用作圖13所示的第三實(shí)施例中的磁頭15C的薄膜27。通過這種方式，具有低折射率的薄膜可以覆蓋整個(gè)主磁極21和光學(xué)組件25D，或可以僅覆蓋光學(xué)組件25D。通過僅在被施加了光L的端部形成薄膜，光可以有效地耦合到設(shè)置在主磁極21和輔助磁極24之間的光學(xué)組件25，由此可以增加近場光的產(chǎn)生效率。
至此，已經(jīng)描述了本發(fā)明的第四實(shí)施例。下面將描述本發(fā)明的第五實(shí)施例。本發(fā)明的第五實(shí)施例也具有與第一實(shí)施例大致相同的結(jié)構(gòu)。因此，相同的元件使用相同的標(biāo)號(hào)來標(biāo)記，并省略對(duì)其的描述，并且將僅描述與第一實(shí)施例的差異。
圖17示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的磁頭15E的主磁極21和光學(xué)組件25E的端部附近的部分的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖17所示的第五實(shí)施例的磁頭15E與根據(jù)上述第一至第四實(shí)施例的磁頭15的不同之處在于，磁頭15E的光學(xué)組件25E由單種材料制成。
圖18示出了第五實(shí)施例中的電磁場強(qiáng)度分布的模擬結(jié)果。
在該模擬模型中，在磁道掃描方向(Z軸方向)上，光學(xué)組件25E的厚度是160nm，在與磁道交叉的方向(X軸方向)上，厚度是320nm，而在垂直方向(Y軸方向)上，厚度是120nm。
在圖18所示的模型中，峰值強(qiáng)度是44[(V/m)2]，在磁道掃描方向(Z軸方向)上，近場光的光斑尺寸是110nm，而在與磁道交叉的方向(X軸方向)上是120nm。在單層光學(xué)組件25E中，當(dāng)與由具有不同折射率的兩層組成的圖7所示的光學(xué)組件25相比較時(shí)，出現(xiàn)強(qiáng)度峰值的區(qū)域在磁道掃描方向上延伸。但是，已經(jīng)表明該延伸性實(shí)際上是不重要的。
因此，本發(fā)明中所稱的光極優(yōu)選地由多層構(gòu)成，盡管其可以由單層制成。
至此，已經(jīng)描述了本發(fā)明的第五實(shí)施例。下面將描述本發(fā)明的第六實(shí)施例。與圖2所示的第一實(shí)施例相同的元件使用相同的標(biāo)號(hào)來標(biāo)記，并省略對(duì)其的描述，并且將僅描述差異。
圖19示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的滑塊5F的端部周圍的部分。
根據(jù)第六實(shí)施例的滑塊5F與圖2所示的第一實(shí)施例的滑塊5的不同之處在于，磁頭15被設(shè)置在滑塊5F內(nèi)部，而不是在其端部?；瑝K5F包括構(gòu)成主體的AlTiC基板33、反射光的Si基板31、透明的模制玻璃34以及由芯121和包層122構(gòu)成的光波導(dǎo)12，所有這些組件在磁道掃描方向上從前端按照該順序?qū)盈B。磁頭15位于光波導(dǎo)12的端部。在光波導(dǎo)12的芯121中設(shè)置耦合光柵11，并且在反射光并將光引導(dǎo)到耦合光柵11的Si基板31上形成鏡面32。Si基板31表示在此所稱的Si基板的示例，而模制玻璃34表示在此所稱的模制玻璃的示例。鏡面32表示在此所稱的反射鏡的示例，并且還表示在此所稱的Si反射鏡。
從光源6(參見圖1)發(fā)射的光L到達(dá)模制玻璃34，然后被鏡面32反射并被引導(dǎo)到耦合光柵11。在耦合光柵11處，光L被耦合到由芯121和包層122構(gòu)成的光波導(dǎo)12中。光L通過光波導(dǎo)傳送并被施加到磁頭15的光學(xué)組件25。如果因?yàn)榛瑝K5F的小型化尺寸或其它的原因，耦合光柵11不能被設(shè)置在滑塊5F的端部，則圖19所示的結(jié)構(gòu)是有效的。
為了制造圖19所示的滑塊5F，將Si基板31與AlTiC基板33接合，其構(gòu)成滑塊5F的主體。Si基板31被形成為毫米或亞毫米的量級(jí)，以使得從外部設(shè)置的光源6(參見圖1)發(fā)射的光L有效地進(jìn)入滑塊5F。
然后，通過濕法各向異性蝕刻在Si基板31上形成鏡面32及其他組件。預(yù)先選擇Si的晶體取向，以將在使用濕法蝕刻形成的表面反射的光傳送到滑塊5F中。
然后，通過壓力在使用濕法蝕刻形成的Si基板31上接合透明的模制玻璃(低熔點(diǎn)玻璃)34，并通過拋光使不必要的部分平滑。因?yàn)檫M(jìn)入磁頭15的光束L的直徑為毫米或亞毫米的量級(jí)，這使得使用物理或化學(xué)薄膜形成方法來形成薄膜幾乎不可能，所以使用模制玻璃。
在設(shè)置了模制玻璃34之后，在通過模制玻璃34透射并被鏡面32反射的光被引導(dǎo)的位置制造耦合光柵11。然后，在耦合光柵11上，由具有比模制玻璃34更高折射率的材料形成光波導(dǎo)12的芯121。然后在芯121上形成包層122。光波導(dǎo)12的厚度為微米的量級(jí)，因此可以通過使用普通的薄膜形成方法來形成。使包層122平滑并通過使用光刻技術(shù)來制造磁頭15。
通過這種方式，根據(jù)第六實(shí)施例，可以通過簡單的工藝容易地制造滑塊5F。
在此所指的記錄介質(zhì)是其上通過與磁相結(jié)合地使用光或熱來記錄信息的記錄介質(zhì)。本發(fā)明可以使用具有面內(nèi)磁記錄膜或垂直磁記錄膜的記錄介質(zhì)。
盡管已經(jīng)描述了其中為讀取記錄在磁盤上信息而設(shè)置了GMR薄膜的示例，但是用于讀取信息的方法不限于使用磁阻元件的方法。也可以使用光學(xué)地檢測信息的方法。
盡管已經(jīng)描述了其中在與設(shè)置線圈的層不同的層中制造光學(xué)組件的示例，但是可以在與線圈相同的層中制造光學(xué)組件。
盡管通過光波導(dǎo)將光傳送到光極的端部附近的位置，但是可以通過透鏡系統(tǒng)將光直接施加到光極的端部。
在包括Si基板和模制玻璃的滑塊中，通過耦合光柵和光波導(dǎo)將光施加到光極，但是Si鏡面反射的光可以直接施加到光極的側(cè)面，而不通過它們傳送光。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，包括從其端部發(fā)射磁通量的磁極；具有與所述磁極的所述端部對(duì)準(zhǔn)的端部并且折射率與所述磁極的折射率不同的光極；以及將光從側(cè)面施加到所述光極的所述端部的光施加部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，還包括填充部分，所述至少填充所述光施加部分和所述光極的所述端部之間的空間的光極側(cè)部分并且折射率與所述磁極的折射率和所述光極的折射率中的任意一個(gè)不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述光極的所述端部和所述磁極的所述端部在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上彼此對(duì)準(zhǔn)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上，所述光極的所述端部的寬度小于由所述光施加部分施加的光的波長。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，在與記錄介質(zhì)上的磁道交叉的方向上，所述光極的所述端部的寬度小于或等于所述磁極的所述端部的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述光極包括高折射率材料層和低折射率材料層，所述高折射率材料層的折射率高于所述磁極的折射率，所述低折射率材料層的折射率低于所述磁極的折射率，所述高折射率材料層和低折射率材料層在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上層疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述光極包括高折射率材料層和低折射率材料層，所述高折射率材料層的折射率高于所述磁極的折射率，所述低折射率材料層的折射率低于所述磁極的折射率，所述高折射率材料層和低折射率材料層在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上層疊，所述高折射率材料層被設(shè)置在所述光極的較靠近所述磁極的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述光極包括夾在低折射率材料層之間的高折射率材料層，所述高折射率材料層的折射率高于所述磁極的折射率，所述低折射率材料層的折射率低于所述磁極的折射率，所述高折射率材料層和低折射率材料層在沿記錄介質(zhì)上的磁道的方向上層疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述光極包括高折射率材料層和低折射率材料層，所述高折射率材料層的折射率高于所述磁極的折射率，并沿所述光極的所述端部在所述光極的所述端部中延伸，所述低折射率材料層的折射率低于所述磁極的折射率，并在除了其中所述高折射率材料層延伸的方向以外的所有方向上包圍所述高折射率材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的磁頭，還包括覆蓋其上被所述光施加部分施加了光的側(cè)面的覆蓋部分，該覆蓋部分的厚度小于所述光的波長，并且折射率低于所述磁極的折射率和所述填充部分的折射率中的任意一個(gè)。其中所述填充部分填充所述光施加部分和所述覆蓋部分之間的空間。
11.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述光極的其上被所述光施加部分施加了光的部分是平坦表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述磁極的所述端部的一部分從被施加了光的所述部分到所述光極逐漸變細(xì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，其中，所述光施加部分施加在與記錄介質(zhì)上的磁道交叉的方向上偏振的光。
14.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，還包括接收光并將光引導(dǎo)至所述光施加部分的光引導(dǎo)部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，還包括接收光的照射并接受光的光柵，以及將由所述光柵接收的光引導(dǎo)至所述光施加部分的波導(dǎo)。
16.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，還包括反射光的反射鏡，其中所述光施加部分直接或間接地將由所述反射鏡反射的光施加給所述光極的所述端部。
17.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的磁頭，還包括通過蝕刻Si基板而形成的并反射光的Si反射鏡；以及填充所述Si基板的被蝕刻部分的模制玻璃；其中所述光施加部分直接或間接地將由所述Si反射鏡反射的光施加給所述光極的所述端部。
18.一種信息存儲(chǔ)設(shè)備，包括通過使用光和磁場對(duì)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行存取的磁頭；支撐所述信息記錄介質(zhì)的介質(zhì)支撐部分；以及支撐所述磁頭并將所述磁頭定位在所述信息記錄介質(zhì)上方的磁頭支撐部分；所述磁頭包括從其端部發(fā)射磁通量的磁極；具有與所述磁極的所述端部對(duì)準(zhǔn)的端部并且折射率與所述磁極的折射率不同的光極；以及將光從側(cè)面施加到所述光極的所述端部的光施加部分。
19.一種磁頭，包括具有主磁極、輔助磁極以及線圈的磁場產(chǎn)生部分；所述線圈的端子部分；設(shè)置在所述主磁極和所述輔助磁極之間的光極，該光極的折射率與所述主磁極的折射率和所述輔助磁極的折射率中的任意一個(gè)不同；將光從側(cè)面施加到所述光極的所述端部的光施加部分；以及接收光并將光引導(dǎo)到所述光施加部分的光引導(dǎo)部分；其中所述磁場產(chǎn)生部分、所述端子部分、所述光極、所述光施加部分以及所述光引導(dǎo)部分被設(shè)置在給定基板的同一側(cè)面上。
20.一種信息存儲(chǔ)設(shè)備，包括通過使用光和磁場對(duì)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行存取的磁頭；支撐所述信息記錄介質(zhì)的介質(zhì)支撐部分；以及支撐所述磁頭并將所述磁頭定位在所述信息記錄介質(zhì)上方的磁頭支撐部分；所述磁頭包括具有主磁極、輔助磁極以及線圈的磁場產(chǎn)生部分；所述線圈的端子部分；設(shè)置在所述主磁極和所述輔助磁極之間的光極，該光極的折射率與所述主磁極的折射率和所述輔助磁極的折射率中的任意一個(gè)不同；將光從側(cè)面施加到所述光極的所述端部的光施加部分；以及接收光并將光引導(dǎo)至所述光施加部分的光引導(dǎo)部分；其中所述磁場產(chǎn)生部分、所述端子部分、所述光極、所述光施加部分、以及所述光引導(dǎo)部分被設(shè)置在給定基板的同一側(cè)面上。
專利摘要
提供了一種能夠?qū)⒐馐┘拥娇拷┘恿舜艌龅奈恢玫奈恢?，而不減小磁場強(qiáng)度的磁頭和信息存儲(chǔ)設(shè)備。該磁頭包括從其端部發(fā)射磁通量的磁極；具有與所述磁極的所述端部對(duì)準(zhǔn)的端部并且折射率與所述磁極的折射率不同的光極；從遠(yuǎn)離所述光極的位置將光施加到所述光極的所述端部的側(cè)面的光施加部分；以及填充所述光施加部分和所述光極的所述端部之間的空間并且折射率與所述磁極的折射率和所述光極的折射率中的任意一個(gè)不同的填充部分。
文檔編號(hào)G01Q60/22GKCN101022023SQ200610093504
公開日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2006年6月23日
發(fā)明者田和文博, 長谷川信也 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan