專利名稱:制造組合傳感器和支承件組件以及磁盤驅(qū)動器的方法
本發(fā)明涉及可動磁存儲裝置及其記錄元件，更具體地講是適合于分批制造的組合傳感器支承件裝置和制造該裝置的方法。
尋找一種用于磁盤存儲器的有效記錄方案依然是最優(yōu)先需要考慮的問題之一。增加數(shù)據(jù)存儲密度和延長設(shè)備壽命的需要，促使進行這項研究。
磁盤存儲器是信息存儲器，它采用至少一個可轉(zhuǎn)動的數(shù)據(jù)存儲磁盤，該磁盤具有容納數(shù)據(jù)信息的同心數(shù)據(jù)軌道；一個傳感器，用于從不同軌道上讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)記錄到不同軌道；一個滑塊，用來使傳感器通常以懸浮在該介質(zhì)上的形式固定于靠近軌道處；一個支承件，用來彈性地固定軌道上方的傳感器和滑塊；以及一個聯(lián)接到該組合件的定位制動器，以便在讀取或記錄時，移動傳感器到所要到的軌道處，同時使該傳感器保持在該軌道的中心線上方。傳感器被連接到空氣支承的滑塊上，它們又都由轉(zhuǎn)動的磁盤或與磁盤接觸產(chǎn)生的氣墊支持在磁盤的軌道之上。支承體在滑塊和制動器臂之間提供了高彈性剛度和空間穩(wěn)定性。要求該支承件以盡可能低的負荷力維持傳感器和滑塊靠近磁盤的數(shù)據(jù)表面。在讀取運行中，制動器使傳感器根據(jù)所要的數(shù)據(jù)固定在正確的軌道上方，在記錄運行期間，制動器使傳感器位于數(shù)據(jù)排列的正確軌道處。如此控制制動器，即通常以橫向于軌道運動來移動組合支承件——傳感器——滑塊裝配件，使傳感器處于正確軌道上方。
在常規(guī)磁盤裝置中，傳感器和滑塊是與支承件分開制造，然后通過一個受控制的精確運行的控制器連接。這些部件很小，而且它們相互間的位置必須精確。傳感器必須精確地被安置到相關(guān)軌道處，這就意味著支承件必須被精確地安置到滑塊。支承件必須為滑塊相對于轉(zhuǎn)動磁盤的運動方向提供撓性、斜度和滾動運動，同時還提供抗擺動性能。支承件相對于滑塊的方位存在任何誤差都會導(dǎo)致這些部件的毀壞。導(dǎo)線沿支承件引出并連接到安置在支承件上或制動器上的放大器。導(dǎo)線在提供良好的電連接的同時，必須不增加滑塊的彈性剛度。通常導(dǎo)線由焊料焊接，例如焊接到傳感器輸出導(dǎo)線和放大器。另外，誤差能引起整個組合件毀壞。
中國專利公開物CN1004036B公開了一種磁盤驅(qū)動器，它包括多個安裝在一個主軸上的并且相互垂直隔開的磁盤，通過滑輪和皮帶轉(zhuǎn)動磁盤的主軸電機，多個磁頭臂，每個磁頭臂通過萬向節(jié)支撐一個磁頭，一個磁頭臂通過磁頭銷連接到其上的支架，一個支撐支架以便可繞軸轉(zhuǎn)動的塊，一個使得支架繞軸轉(zhuǎn)動的音圈電機，一個基座，一個蓋，以及一個環(huán)形過濾器。磁頭臂、支架、塊和音圈電機構(gòu)成致動器。
轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明受讓人的Kant等人的美國專利4670804描述了一種滑塊——支承件裝配件，它包括撓性材料片的支承件，在其上沉積有用于傳感器的導(dǎo)體，支承件支持著滑塊和傳感器組件?，F(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼支承件被沉積有導(dǎo)體的撓性片所置換。在該專利中，聚酰亞胺撓性片與滑塊/傳感器組合件分別制造，然后用例如粘接的方法使它們互相連接。這里未展示出這樣一種組合傳感器/滑塊/支承件裝配件，該裝配件在支承件和滑塊間不需要另外的連接步驟。
已知支承件臂可由聚酰亞胺材料制成，它帶有許多導(dǎo)線，這些導(dǎo)線連至直接沉積在聚酰亞胺支承件上的傳感器。轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明受讓人的Ainslie等人的美國專利4789914，公開了能夠用觸點焊接將含有導(dǎo)線的支承件直接與滑塊連接的技術(shù)。該傳感器已經(jīng)被沉積在該滑塊上。該滑塊包含導(dǎo)線座和設(shè)置于導(dǎo)線座及傳感器間的滑塊上的內(nèi)連接線。另外，該滑塊和傳感器也是與支承件臂分開制造，然后通過用該專利所公開的接觸焊接使它們相互連接。正如其它已知技術(shù)所披露的，該滑塊和傳感器部分的組合與包含內(nèi)連導(dǎo)線的支承裝配件是分開生產(chǎn)的。并沒有展示出組合傳感器/滑塊/帶有導(dǎo)線的支承件，也未說明進行組合的方法。
接觸讀取技術(shù)近年來顯示了很大的發(fā)展前途。具有用活性材料制成的支承件的滑塊裝置采用使傳感器周期性工作來實現(xiàn)接觸讀取，即，只有在要求讀取/記錄運行時才接觸，其余時間，該滑塊浮在磁盤觸點之上一高度處。另一種接觸讀取的方案是采用“撓性”磁頭擦過磁盤表面。在該方案中所用的磁頭是通過在基片上形成一薄膜，然后分離該薄膜而制成的。例如，Censtor Corp，的美國專利5041932(Hamilton)，公開了一種用于接觸記錄和讀取信息的輕質(zhì)的、組合傳感器/撓性頭/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。然而，“撓性”磁頭方案需要一個精心制作的機構(gòu)，以實現(xiàn)適宜的和精密的控制。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)豎直的傳感器頭實現(xiàn)了幾個優(yōu)點；最顯著的優(yōu)點是沿晶片長度制造該磁頭繞組。該結(jié)構(gòu)適用于存儲器超壽命機械磨損引起的電極頂端長度大變化的情況，從而延長了整個裝置的壽命。
遺憾的是，所有這些設(shè)計方案連帶的一些缺點限制了它們的應(yīng)用和實施。在超過典型產(chǎn)品壽命下，估計磁頭磨損為400微英寸。這種大量的磨損限制了許多這種方案的應(yīng)用性，常規(guī)磁頭的電極頂部通常大約僅為1微米長，在這種應(yīng)用中很快就磨損掉。
另外，盡管薄膜制造方法允許磁頭組合到支承件上，但這種結(jié)構(gòu)要求大量的晶片區(qū)域，這樣就使每一個晶片的磁頭產(chǎn)量大大低于常規(guī)磁頭生產(chǎn)過程的水平，也低于可允許的水平。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種磁盤系統(tǒng)，特別是一種傳感器和支承件系統(tǒng)，該系統(tǒng)克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
本發(fā)明的另一目的是提供一種增強的支承件和傳感器元件。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種減小磁頭磨損性的輕質(zhì)支承件——傳感器。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種對接觸讀取有益的支承件——傳感器裝配件。
本發(fā)明還有一個目的是生產(chǎn)一種能夠控制其啟動的薄膜支承件——傳感器。
再有一個目的是提供一種記錄驅(qū)動裝置，該裝置采用了本發(fā)明的薄膜支承件——傳感器。
本發(fā)明提供一種磁盤驅(qū)動裝備件，其中支承系統(tǒng)和傳感器被組合成一體，而且采用薄膜沉積技術(shù)制造，薄膜技術(shù)生產(chǎn)的裝配件具有很小的重量，因此允許在懸浮或接觸記錄之間進行選擇。組合成一體的傳感器和支承系統(tǒng)是通過在基片上以排或列結(jié)構(gòu)批量生產(chǎn)多個傳感器而制成。一排部分的這些傳感器進一步通過在每一傳感器上形成滑塊——支承件組件來批量加工，在基片排部分的每個傳感器上一起形成支承部分和每個傳感器的導(dǎo)線。通過蝕刻或切割，或通過除去在形成支承部分前沉積的可剝離層，去掉支持支承部分的結(jié)構(gòu)。該支承部分是有撓性的，同時保持與滑塊和其傳感器的連接。通過將排部分切開或切割成單個單元，可制成單個傳感器——支承件系統(tǒng)。
具體地講，本發(fā)明的技術(shù)方案如下。
一種加工組合傳感器和支承件組件的方法，其特征在于包括以下步驟提供一個厚度等于所需支承件長度的晶片基片；在所述晶片基片主表面上以行和列的模式形成多個傳感器和傳感器導(dǎo)體引線；從所述晶片基片上分離出一個行部分，使每個行部分具有多個傳感器，其中每列取一個傳感器；通過在所分離的行部分的分離側(cè)面淀積至少一層彈性材料，在所述分離側(cè)面上形成一個支承件部分；形成從傳感器向所述支承件部分的相對端延伸的導(dǎo)電部件；除去晶片基片上不需要的部分；將所述行部分分離為單個的傳感器，每個傳感器具有所述支承件部分的相關(guān)部分。
一種制造集成的舌簧支承件和傳感器的方法，包括以下步驟設(shè)置一個實質(zhì)上具有平面的基片；通過在所述平面上形成薄膜層來構(gòu)造所述傳感器；形成帶有基片邊緣的基片和帶有傳感器邊緣的傳感器，使得基片邊緣靠近所述平面并且與所述傳感器邊緣實質(zhì)上共面；在基片邊緣和傳感器邊緣上形成所述舌簧支承件；以及去除至少一部分所述基片。
一種制造集成的舌簧支承件和傳感器組合件的方法，其特征在于包括
設(shè)置一個實質(zhì)上具有平面的晶片基片；在所述平面上淀積多個薄膜層，形成按至少一行排列的多個傳感器系統(tǒng)；切割晶片基片，以便在一個基片部分上提供至少一個分離行的傳感器系統(tǒng)，該分離行的傳感器系統(tǒng)包括以所述至少一行排列的多個傳感器系統(tǒng)，這種切割為每個分離行的傳感器系統(tǒng)和基片部分提供了相應(yīng)的切割邊緣，其中分離行的傳感器系統(tǒng)和基片的切割邊緣實質(zhì)上彼此共面；在分離行的傳感器系統(tǒng)和基片部分的切割邊緣上淀積至少一個薄膜層，為所述分離行的傳感器系統(tǒng)中的每個傳感器系統(tǒng)形成一個舌簧支承件；以及將所述基片部分和所述分離行的傳感器系統(tǒng)切割為單獨的舌簧支承件和傳感器系統(tǒng)組合件。
在一種實施例的制造中，在厚度等于所需支承件長度的晶片基片上，形成第一可剝離層。接著，在第一可剝離層上形成支持層，然后在該支持層上，以排和列的布局形成多個薄膜傳感器。晶片被分離成多個排部分，同時具有一個傳感器的每一排從每一列分離，該列形成已成形的薄膜傳感器的該排部分。第二可剝離層在從所得到的帶有薄膜傳感器的晶片基片上分離出來的排部分的分離側(cè)上形成。接著，在第二可剝離層上，通過沉積彈性材料的薄膜層形成支承層。導(dǎo)線是從薄膜傳感器的兩個線圈端延伸到支承層的相對端(自由端)而形成。最后，將第一和第二可剝離層溶解，留下支承/傳感器裝配件備用。所得到的裝置允許在很小重量的集成的滑塊——支承裝配件上采用常規(guī)的傳感器。該裝置能采用公認的滑塊技術(shù)和高密度薄膜磁頭產(chǎn)品制造。在第二個實施例中，基片的厚度等于支承部分所需要的寬度。該薄膜傳感器隨后被沉積在具有可剝離層的基片上，它也是以排和列的結(jié)構(gòu)沉積。然而，在一排部分，傳感器以一定的距離被分割，該距離將成為滑塊的長度。排部分從晶片基片上分離，支承層沉積到該排部分合適的一側(cè)。然后將該排部分通過切開、蝕刻、切割或機械的方法分離成單個的傳感器——支承件，隨后將可剝離層溶解，使之與基片分離。
傳感器和支承層能代替可剝離層直接沉積到基片上?；匆笸ㄟ^蝕刻或鋸切除掉。在這種情況下，可以保留部分基片，以作為傳感器的滑塊托。
本發(fā)明的前述的和其它目的、特征和優(yōu)點將從下面結(jié)合附圖所做的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體的說明中表現(xiàn)出來。

圖1是由制動器連接定位的本發(fā)明的組合裝配件與磁盤存儲器的磁盤表面?zhèn)鞲嘘P(guān)系的透視圖；
圖2是具有旋轉(zhuǎn)制動器并采用本發(fā)明的磁記錄機構(gòu)的頂視圖；圖3A是用于圖1所示磁盤存儲器組合裝配件的本發(fā)明的組合傳感器——支承件的一個實施例的透視圖；圖3B是用于在制造圖3A所示組合裝配件過程中，在其上形成排和列結(jié)構(gòu)的多個磁傳感器的基片的透視圖；圖4A是顯示在如圖3B所示的圓晶片上排或列結(jié)構(gòu)布局的傳感器的晶片基片的頂視圖；圖4B是沿圖4A中4B-4B線的基片剖視圖；圖5A是用于圖2所示磁盤存儲器中本發(fā)明組合裝配件的第二個圖7A是沉積有形成本發(fā)明支承部分層的圖6所示排的頂視圖；圖7B是沿圖7A中7B-7B線取下的具有支承部分傳感器的排的剖視圖；圖8是當(dāng)將基片從圖7A和7B的支承和傳感器元件除去時，說明一排組合裝配件的側(cè)視圖。
本發(fā)明的支承系統(tǒng)、滑塊和傳感器被組合成一體，而且采用薄膜沉積技術(shù)制造，薄膜技術(shù)制造的裝配件具有很小的重量。本發(fā)明的優(yōu)選實施例通常用于大型多重介質(zhì)驅(qū)動器中，但也發(fā)現(xiàn)用于單個介質(zhì)驅(qū)動器中，一般在小型計算器中使用。所說介質(zhì)可以是帶狀也可是圓盤。
一種標(biāo)準的傳感器，在采用支承件長度作為起始晶片厚度的決定因素的實施例中被獲得。另外，與該結(jié)構(gòu)組合成一體的臂是任選的，且可以改進為活動的，因此僅當(dāng)為讀取/記錄而需要接觸時，允許動力載荷和從盤上去載。
在該實施例中，周知結(jié)構(gòu)的常規(guī)傳感器被制作在一晶片基片上。對這種實施有用的例子是上述美國專利4624048所描述的晶片基片上制造傳感器的工藝。在該技術(shù)中，傳感器和相關(guān)聯(lián)的機構(gòu)是周知的。傳感器被沉積在相當(dāng)厚的鋁或其它能起阻止蝕刻作用的適合的材料層上，此層還可能作為滑塊部分。排部分從晶片上被割下，并且被研磨到作為感應(yīng)傳感器所需要的尺寸，例如臨界截面高度。另一種方法是用光刻技術(shù)確定該尺寸。該排部分的頂部研磨成一光滑表面。
在該排部分頂部上沉積阻止蝕刻材料層。該步驟提供一個最后作為支承件的彎曲厚材料。沉積導(dǎo)電材料層作為支承件的部分，并起到提供使傳感器元件與控制它的電氣部分連接的電極作用。
另一實施例中，允許在引入導(dǎo)體之前先沉積第一接地平面層。一層頂部接地平面層提供了較大的散射場隔離性，同時使由于熱失配產(chǎn)生的對稱受力降低，在某些應(yīng)用中，這兩者都是需要的。
蝕刻工藝能用來使基片從滑——支承主體件上除去，僅僅留下支承材料和具有連帶導(dǎo)線的傳感元件。這樣就提供了一個極輕的支承——傳感器裝配件?；某タ赏ㄟ^采用可剝離層來完成。一開始，在基片上敷蓋一可剝離層，以便如上所討論的沉積的薄膜能在最后工序中容易剝離。還有一種方案是從排部分上磨去或腐蝕去適當(dāng)厚度的材料，留下所需的結(jié)構(gòu)。適合于繞拐角“彎曲”連接到傳感器上的導(dǎo)線可用各種技術(shù)實現(xiàn)。一種方案是端接電極，以便在研磨步驟中該側(cè)面被露出，而允許隨后從頂部沉積以便連接至此。如果傳感器頭表面的頂部側(cè)緣被作成圓形，則該項處理變得更為方便。支承部分用幾種技術(shù)中選擇的任何一種加強。支承件的加強在特殊應(yīng)用中或為適應(yīng)動態(tài)系統(tǒng)是需要的。
這種加強最好通過改變支承件本身的厚度分布來完成。厚度的變化對整個重量的增加不大，且提供了高控制加強特性。異向性的剛性采用槽紋實現(xiàn)。
為了自動地和類似形狀部分對準，基片上的凹槽也是被用來確定面積的。這就允許在單個晶片上制造的傳感元件的數(shù)目通過細小芯片的利用而增加，這些小芯片被粘到較大的支承件上，同時在這些小芯片形狀中，提供了一個凹槽，以便該芯片與支承件自動對準。
支承裝配件的低剛度允許其容易地附裝到制動器臂上。為了避免靜磨擦引起的任何問題，用活性材料制成的臂或支承部分通常能使滑塊和傳感器與磁盤接觸時無負荷。通過激活活性材料，使滑塊和其傳感器在令人滿意的作用力下與磁盤接觸。
參照圖1，說明體現(xiàn)本發(fā)明的一種磁盤存儲器系統(tǒng)，它包含線性制動器10和相配合的資料記錄磁盤存儲器的磁盤12的一部分。該線性制動器10包括一個聲(音線)圈馬達14，該聲圈馬達14包括一個在固定的永磁裝配件(未示出)的磁場中能夠移動的線圈，該固定的永磁裝配件具有一個磁芯和一個由外殼16支持的外部結(jié)構(gòu)。一個制動器臂20連接到可移動線圈14。連接到制動臂20的另一端的是多個臂21，它們的每一個支持著一個組合傳感器——滑塊——支承裝配件22，它是由本文下面所提出的工藝生產(chǎn)的。裝配件22包括傳感器——滑塊24和支承部分26。該支承部分2 6能在由磁盤12旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的空氣支承或墊上支持傳感器——滑塊24于磁盤12的表面之上。如果需要，支承部分26能支持傳感器——滑塊24與磁盤介質(zhì)接觸。空氣支承表面指的是平行和靠近磁盤表面的滑塊表面。它包括兩方面結(jié)構(gòu)，即設(shè)計的滑塊懸浮在磁盤之上，和在運行期間，設(shè)計的滑塊與記錄介質(zhì)——磁盤12的表面接觸。
制動器臂20包括多個臂21，每個臂21支持著組合裝配件22，每一組合裝配件22與磁盤12的每一個表面相配合。因此，在磁盤12的底面上，磁盤12也有一個安置在制動器臂20的一個臂21上的組合裝配件22。另外，其它組合裝配件與其它磁盤的頂面和底面相配合，它們的傳感器的存取是由制動器10控制。
組合傳感器——滑塊——支承裝配件22的支承部分26向傳感器——滑塊裝配件24提供一負荷，它通常是垂直于磁盤12的表面，該垂直負荷使傳感器——滑塊裝配件24在磁盤12不旋轉(zhuǎn)時保持與磁盤12的數(shù)據(jù)表面相接觸。當(dāng)磁盤12旋轉(zhuǎn)時，在傳感器——滑塊裝配件24和磁盤12之間產(chǎn)生的空氣支承與由支承部分26施加到傳感器——滑塊裝配件24上的垂直負荷相對抗。
在運行期間，通過啟動聲圈馬達14使傳感器——滑塊裝配件24移動到磁盤12資料面上同心數(shù)據(jù)軌道中所需要的音軌上。為了進行讀取或記錄，要求傳感器——滑塊裝配件迅速地從一個軌道移到另一個軌道上。必須將裝配件24的傳感器固定在所需軌道上方適當(dāng)?shù)奈恢蒙?，并且在最短的時間內(nèi)達到該軌道。圖1所描繪的制動器10是一個線性制動器，它使組合裝配件22在精確的橫向于軌道的方向上移動。其它類型的常規(guī)的磁盤存儲器采用旋轉(zhuǎn)制動器，如上述美國專利3849800中以及圖2中所示。旋轉(zhuǎn)制動器通常僅在徑向的弧形軌跡上移動本發(fā)明的組合裝配件，而且作為線性制動器10的替代件。
當(dāng)組合裝配件22在磁盤12之上懸浮在空氣支承上時，它必須提供徑向剛性并在傾斜及滾動方向上有明顯的彈性。如果需要，在組合裝配件22的支承部分26上，也可以制造一個集成電路組件28。該集成電路放大器用標(biāo)號28表示，并將做為本發(fā)明的另一實施例進行說明。
圖2描繪出一個數(shù)據(jù)記錄磁盤存儲器，它包括裝在外殼36內(nèi)的旋轉(zhuǎn)制動器32和由驅(qū)動裝置35轉(zhuǎn)動的相配合的磁盤34，旋轉(zhuǎn)制動器32使本發(fā)明的組合裝配件在磁盤34上方以弧形軌跡移動，旋轉(zhuǎn)制動器包括一聲圈馬達，它是一個可在具有磁芯38的固定的永磁組件的磁場中移動的線圈37。制動器臂33與可移動線圈37連接，制動器臂33的另一端與本發(fā)明的組合傳感器——支承裝配件相聯(lián)，并按照本文下面提出的工藝制造。
圖3A中示出了一個用于圖1的磁盤存儲器上的放大的組合裝配件22。支承部分26如以后所述的那樣被沉積在晶片的整個表面上。晶片的一部分成為傳感器——滑塊裝配件24的滑塊23。雖然僅示出了在滑塊23上形成的一個傳感器25，但可以理解，更多的傳感器也可以形成并用于和磁盤12的音軌相配合。通常，為了增加產(chǎn)量而沉積兩個或多個傳感器25，因為在工作中僅需要一個傳感器25來生產(chǎn)一個適用的組合裝配件22。
支承部分26可以包括一個絕緣層40、一電路層42、一介質(zhì)層44和一支承構(gòu)層46。支承構(gòu)層可能是例如由鋁制成的介質(zhì)層44，或可能是一單層的介質(zhì)，例如也是鋁制的。支承構(gòu)層也可以由鍍鎳——鐵合金層、噴鍍銅鍍合金層、或噴鍍不銹鋼層形成。導(dǎo)線43使傳感器25和電路層42相互連接。在電路層42的終端裝有電插接座，以便與外部放大器連接，外部放大器可以是一個集成電路放大器，如集成電路放大器28(見圖1)，它可以與用于支承部分26中的其它層一起被沉積。絕緣層40在導(dǎo)電層42和滑塊23的可能導(dǎo)電的基片之間提供電絕緣，介質(zhì)層44使電路42與金屬支承構(gòu)層46絕緣，如果需要也可以設(shè)置一個或多個接地平面層。或者是單獨的介質(zhì)層44，或者是介質(zhì)層與任一支承構(gòu)層46一起對支承件提供支持，以使組合裝配件22保持在磁盤12的音軌上方。像前面所述，支承部分26必須保持傳感器——滑塊部分24于磁盤12上方的位置。支承部分允許傾斜和滾動運動，以使傳感器——滑塊部分24能跟隨磁盤12的表面，同時阻止左右擺動，這種擺動能使傳感器25從相對于音軌的橫向位置上脫離。
圖3B示出根據(jù)用于圖1的磁盤存儲器的第一個實施例的組合裝配件22的制造方法的第一步驟，通過制備一非磁晶片基片50，實現(xiàn)薄膜傳感器25的批量制造?；?0的厚度為T，當(dāng)加上沉積的薄膜傳感器25的厚度時，它將等于支承裝配件26的寬度和滑塊23的長度。傳感器25可以是薄膜感應(yīng)傳感器，如前述美國專利4190872所示的，或者是磁阻傳感器，如前述美國專利3975772所示出的。傳感器25括導(dǎo)線52和54，以便為了磁介質(zhì)進行讀取和記錄而使傳感器啟動，傳感/器25如圖4A所示以排和列結(jié)構(gòu)被沉積到基片50上。在按照本發(fā)明工藝做進一步說明前，參考圖4A能很好的說明排和列結(jié)構(gòu)。
在圖4A中，所示的圓形晶片基片100具有多個傳感器25，例如，在該基片上沉積多排102和多列104。所示晶片100具有多個方塊，如方塊106和108，每一方塊表示一個傳感器，已知在單個晶片基片100上，能制造任一數(shù)量的排102和列104該數(shù)量取決于晶片大小和單個組合裝配件的大小。如圖4B所示，基片包括一可剝離的層109，它形成在基片100和層110之間。在該例中，層110代表形成傳感器25的那些層。
因此，再參照圖3B，在基片50上，每一個傳感器構(gòu)成一個方塊。在沉積了形成傳感器25的那些層之后，用鋸開或其它切割方法使基片50分離成排，所示的一個排56是通過鋸痕58從基片50上分離下的。在該程序后面，該排56通過鋸痕60被分離以產(chǎn)生包含一個傳感部分25的方塊62。另一鋸痕64則使該排56完全被分開成單個方塊66和68，在圖3B的每排中示出了三個方塊。對應(yīng)于鋸痕64示出了鋸痕58。單個的方塊也可以用例如蝕刻、機割或切割被分離，在根據(jù)本發(fā)明的方法中，在基片100上形成傳感器25的層110之前，先沉積一可剝離層109?？蓜冸x層109的用途將在下面參照圖7B說明。
圖5A表示出一個放大的組合裝配件30，它是與圖2的磁盤存儲器的旋轉(zhuǎn)制動器32一起應(yīng)用的，支承部分70被沉積在一個排的整個表面上，正像后面在圖5B中將說明的。晶片的一部分能成為組合裝配件30的滑塊72。盡管只出示了在滑塊72上形成的一個傳感器74，但可以理解，更多的傳感器可以被形成，并用來與磁盤34的軌道配合。
支承部分70可以包括一絕緣層76、一導(dǎo)體層78、一介質(zhì)層80和一支承構(gòu)層82，該支承構(gòu)層可以是噴鍍的銅鈹合金層，或噴鍍的不銹鋼層。導(dǎo)線84和86使傳感器74和電路層78相互連接，電連接座88安置在導(dǎo)體層78終端，與一放大器相接。該放大器可以是與用在圖7B的支承部分26中的那些層一起沉積的集成電路放大器。絕緣層76在導(dǎo)體層78和滑塊72的可能導(dǎo)電的基片之間提供電絕緣。如果需要，介質(zhì)層80能夠?qū)?dǎo)電層78提供絕緣。假如需要，也可以設(shè)置一個或多個接地平面層，介質(zhì)層80與任一支承構(gòu)層82一起主要是用于支持支承件，以保持組合裝配件30處于磁盤34的音軌上方的位置。
圖5B示出根據(jù)用于圖2的磁盤存儲器結(jié)構(gòu)中的第一實施例的組合裝配件30制造方法的第一步驟。通過制備一個非磁晶片基片90，實現(xiàn)薄膜傳感器74的批量制造。該基片90的厚度為T，當(dāng)加上沉積的薄膜傳感器74的厚度時，則等于支承部分70的長度。每一傳感器74可以是薄膜感應(yīng)傳感器，如前述美國專利4190872所描述的，或者是磁阻傳感器，如前所述美國專利3975772所示出的，每一個傳感器74包括導(dǎo)線84和86，以便為了對磁介質(zhì)進行讀取和記錄而使傳感器啟動。傳感器74以圖4A所示的排和列的結(jié)構(gòu)被沉積到基片90上，排與列的結(jié)構(gòu)已參照圖4A給予說明，此處不再說明。
繼續(xù)用圖5B討論本發(fā)明的組合裝配件30的形成。在沉積了傳感器74之后，基片90被分割成多個排部分，通過割痕94表示出從晶片基片90上分離下的一個排部分92。每排包括多個傳感器74。圖6表示了該排部分92的進一步的透視圖。
參照圖6，在制造傳感器74及其引線84和86時，一可剝離層94首先被沉積，以使傳感器74的層與晶片基片隔離。然后圖6的排92被加工成圖5A所示的形狀。支承部分70的層被沉積在排92的基片部分的頂部，對在排92和傳感器74上形成支承部分70的一個優(yōu)選實施例，下面結(jié)合圖7A和7B給出了更詳細的說明。
參照圖7A和7B，在該實施例中，支承部分70通過可剝離層96與排部分92的基片部分93隔離?？蓜冸x層96的材料與可剝離層94所用的材料相同或相似。理想的可剝離層是電鍍的鎳鐵合金，其它可用作可剝離層的材料包括銅或鉻。
在可剝離層96上形成支承部分70的層。這些層可以是如圖5A所示的層。接線柱97和98將導(dǎo)線84和86與導(dǎo)電層的導(dǎo)體連接。如果需要，可包括如圖7B所示的接地平面。在圖7B中，絕緣層76被沉積在可剝離層96上。第一接地平面層99可以沉積在該絕緣層76上。然后另一絕緣層76A被沉積在接地平面層99上。再后沉積導(dǎo)體層78，顯然，導(dǎo)體層78包括多個導(dǎo)體每個傳感器至少有兩個如圖7A中的導(dǎo)體78A和78B。支承支持層81對組合裝配件提供類片簧支持，并可以包含圖5A的層80和82。另一個接地平面(未示出)能在已沉積在導(dǎo)體層78上的另一絕緣層的頂部上沉積。頂部接地平面提供較好的絕緣性和對稱應(yīng)力，以應(yīng)付熱失配，而且在某些應(yīng)用中，這兩者都需要。接線柱89將導(dǎo)電層78的導(dǎo)體連接到圖5A的連接插座88，在圖7A中僅表示出兩個。
注意，支承部分70和傳感器部分72重疊并且在不插入可剝離層的情況下相互粘接。該步驟提供一彎曲的厚材料。利用可剝離層94和96，允許將排部分92的基片93從組合裝配件上除去，僅僅留下支承部分70和支持具有連接導(dǎo)線的傳感器72的任何支持層。由此，生產(chǎn)出帶有傳感器的極輕的支承系統(tǒng)。
可剝離層例如鎳鐵合金層的剝除，如采用例如過硫酸氨是很容易實現(xiàn)的，但它對通常用于制造傳感器步驟中的鋁不起破壞作用。
支承系統(tǒng)的加強可通過例如改變支承部分70的厚度分布來實現(xiàn)，在圖7A和7B所示的狀態(tài)中，支承部分70的厚度是均勻的，但是在某些應(yīng)用中，要求該厚度分布為適應(yīng)具體的應(yīng)用而變化。異向剛性可以通過例如沿支承部分70的長度作成波紋部分來實現(xiàn)。
圖8表示帶有不希望要并要除去的多余的基片部分的一個完整的排部分，鋸痕112使一個組合裝配件30從排部分分離下來，并且此組合裝配件保留包括其本身的支承部分114、自身的滑塊部分116、以及自身的傳感器118的組合裝配件。另外的鋸痕則使剩余的組合裝配件分離，一旦制成了這樣的組合裝配件，將它引入硬質(zhì)磁盤讀出器是容易實現(xiàn)的，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也是顯而易見的，在美國專利3849800中說明了一個這樣的磁盤讀出器。
在僅僅需要時保證傳感器靠近介質(zhì)的支承件的一個實施例中，支承件上形成一活性材料裝置，該活性材料可以是包括壓電裝置、致電伸縮裝置或加熱器的幾種已知裝置中的一種，但不僅限于這些裝置?；钚圆牧涎b置控制支承件本身，從而容易的實現(xiàn)讀取/記錄傳感器的接觸，還有其它實施例采用含有電帶狀線的支承件以便與傳感器連接。通過改變支承件的厚度，支承件的選擇性加強是容易實現(xiàn)的。這個特性允許支承件被改型，以適應(yīng)具體應(yīng)用的需要。
另一個除去含沉積了傳感器排部分的基片的方案是通過研磨或另外方法的蝕刻除去基片。用圖7B作為該方案的例子，其中，不采用可剝離層94，相反是通過研磨或其它適當(dāng)?shù)那谐に噷⒍嘤嗟幕?3除去。通過這個工藝，基片的一部分能留下用作傳感器72的基體支持滑塊部分。如果要求傳感器由氣墊支承懸浮在磁盤的磁介質(zhì)之上，則該方法特別有益。
在這里所說的方案，為生產(chǎn)具有很高產(chǎn)率的支承件——滑塊——傳感器組合裝配件產(chǎn)品創(chuàng)造了條件。相鄰系統(tǒng)可通過對沉積的薄膜進行光刻構(gòu)圖來分開，因此消除了鋸痕間隙，同樣，薄膜磁頭進深高度由平板印刷技術(shù)確定，因為只有支承系統(tǒng)材料的厚度才需要磨或蝕刻到所需的長度。
盡管本發(fā)明通過參照一些優(yōu)選的實施例做了具體地顯示和說明，但應(yīng)當(dāng)理解，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可做出各種形式和細節(jié)的改變。例如，一種傳感器可以像轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明受讓人的美國專利4190872中所說的那樣在晶片上制造。該晶片的制備材料是Jacobs的美國專利4251841的主題。按照優(yōu)選的實施例，支承部分可以是諸如由聚酰亞胺材料和其上的金屬層形成的雙層之類的幾種結(jié)構(gòu)中的任一種，以提供支承裝配件所需要的足夠的彈性和剛性。應(yīng)當(dāng)注意，支承裝配件也能用單層制成，只要該單層具有正確的厚度和剛性即可。還清楚的知道，許多導(dǎo)電材料可以用來制成電路和傳感器導(dǎo)線。銅或金是優(yōu)選的材料，但許多其它材料在該技術(shù)中也公認是適用的。雖然在此討論了空氣支承表面滑塊，但本發(fā)明也包括接觸記錄滑塊，其中滑塊的空氣支承表面是任一種適用的表面，它能在運行期間與介質(zhì)接觸。在該優(yōu)選實施例中示出了一個水平傳感器，然而，本發(fā)明也能應(yīng)用垂直傳感器，其中除傳感器外該滑塊——支承件組合件由所公開的工藝制造。垂直型傳感器被單獨生產(chǎn)，然后粘到滑塊——支承件組合件上。
權(quán)利要求
1.一種加工組合傳感器和支承件組件的方法，其特征在于包括以下步驟提供一個厚度等于所需支承件長度的晶片基片；在所述晶片基片主表面上以行和列的模式形成多個傳感器和傳感器導(dǎo)體引線；從所述晶片基片上分離出一個行部分，使每個行部分具有多個傳感器，其中每列取一個傳感器；通過在所分離的行部分的分離側(cè)面淀積至少一層彈性材料，在所述分離側(cè)面上形成一個支承件部分；形成從傳感器向所述支承件部分的相對端延伸的導(dǎo)電部件；除去晶片基片上不需要的部分；將所述行部分分離為單個的傳感器，每個傳感器具有所述支承件部分的相關(guān)部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其特征在于形成導(dǎo)電部件的步驟包括淀積一個電導(dǎo)體材料薄膜層以設(shè)置電連接部件的步驟，這些電連接部件形成在所述支承件部分的至少一層淀積材料中，并且從所述支承件部分的所述相對端延伸到所述傳感器導(dǎo)體引線，從而將連接部件電耦合到所述傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2的方法，其特征在于在形成支承件部分的步驟之后還包括在所述支承件部分上靠近所述相對端處形成一個集成電路放大器，它與所述電連接部件電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其特征在于除去晶片基片上不需要部分的步驟為每個傳感器留下一個滑塊支撐部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其特征在于形成多個傳感器和傳感器導(dǎo)體引線的步驟包括以下步驟在所述基片的一個主表面上形成第一剝離層；在所述第一剝離層上形成一個支撐層；以及在所述支撐層上以行和列的模式帶有傳感器導(dǎo)體引線的形成多個薄膜傳感器；形成支承件部分的步驟包括以下步驟在與主表面相臨的所分離的行部分的分離側(cè)面上形成第二剝離層，所述第二剝離層從第一剝離層延伸到該所分離的行部分的相對端；以及通過在第二剝離層上淀積至少一薄膜層彈性材料，形成一個支承件部分；除去不需要部分的步驟包括溶解第一和第二剝離層的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5的方法，其特征在于形成導(dǎo)電部件的步驟包括淀積一個電導(dǎo)體材料薄膜層以設(shè)置電連接部件的步驟，這些電連接部件形成在所述支承件部分的至少一層淀積材料中，并且從所述支承件部分的所述相對端延伸到所述傳感器導(dǎo)體引線。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6的方法，其特征在于在形成支承件部分的步驟之后還包括在所述支承件部分上靠近所述相對端處形成一個集成電路放大器的步驟，該放大器與所述電連接部件電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求
5的方法，在溶解第一和第二剝離層之前還包括在支承層上形成一個活性材料裝置。
9.一種制造集成的舌簧支承件和傳感器的方法，包括以下步驟設(shè)置一個具有平面的基片；通過在所述平面上形成薄膜層來構(gòu)造所述傳感器；形成帶有基片邊緣的基片和帶有傳感器邊緣的傳感器，使得基片邊緣靠近所述平面并且與所述傳感器邊緣實質(zhì)上共面；在基片邊緣和傳感器邊緣上形成所述舌簧支承件；以及去除至少一部分所述基片。
10.一種制造磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于包括以下步驟按照如下步驟制造集成的舌簧支承件和傳感器設(shè)置一個具有平面的基片；通過在所述平面上形成薄膜層來構(gòu)造所述傳感器；形成帶有基片邊緣的基片和帶有傳感器邊緣的傳感器，使得基片邊緣靠近所述平面并且與所述傳感器邊緣實質(zhì)上共面；在基片邊緣和傳感器邊緣上形成所述舌簧支承件；以及去除至少一部分所述基片；該制造磁盤驅(qū)動器的方法還包括以下步驟設(shè)置一個由主軸支撐的磁盤，并設(shè)置用于轉(zhuǎn)動主軸和所支撐磁盤的裝置；設(shè)置一個致動器，致動器具有一個致動臂；以及將集成的舌簧支承件和傳感器安裝到致動臂上，使得可以將傳感器定位到靠近磁盤上的環(huán)形道。
11.根據(jù)權(quán)利要求
9的方法，其特征在于包括步驟將基片厚度設(shè)置為與舌簧支承件長度相等。
12.根據(jù)權(quán)利要求
9的方法，其特征在于包括步驟設(shè)置一個包括多個所述基片的晶片基片；在所述晶片基片上構(gòu)造成行成列的傳感器；將晶片基片切割為分離的傳感器行，從而提供一行基片邊緣和一行傳感器邊緣，該行基片邊緣包括多個所述基片邊緣，該行傳感器邊緣包括多個所述傳感器邊緣；形成一行舌簧支承件，該行舌簧支承件包括在該行基片邊緣和該行傳感器邊緣上的多個所述舌簧支承件；以及將基片行切割為各基片，使得每個基片支撐所述集成的舌簧支承件和傳感器。
13.根據(jù)權(quán)利要求
12的方法，其特征在于包括以下步驟將基片厚度設(shè)置為與舌簧支承件長度相等。
14.根據(jù)權(quán)利要求
9的方法，其特征在于包括以下步驟在構(gòu)造所述傳感器之前，在基片平面上形成一個傳感器剝離層，然后在傳感器剝離層上構(gòu)造傳感器；在形成所述舌簧支承件之前，在基片邊緣上形成支承件剝離層以便與傳感器剝離層連接，然后在支承件剝離層上形成舌簧支承件；以及溶解支承件剝離層和傳感器剝離層，從基片上分離出舌簧支承件和傳感器。
15.根據(jù)權(quán)利要求
9的方法，其特征在于構(gòu)造傳感器的步驟包括在傳感器剝離層上淀積至少一個薄膜層，以便形成延伸到傳感器邊緣的傳感器引線；以及形成舌簧支承件的步驟包括在支承件層上淀積至少一個薄膜層，以便形成沿著舌簧支承件延伸并在所述傳感器邊緣與所述傳感器引線連接的導(dǎo)體引線。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15的方法，其特征在于包括以下步驟設(shè)置一個包括多個所述基片的晶片基片；在所述晶片基片上構(gòu)造成行成列的傳感器；將晶片基片切割為分離的傳感器行，從而提供一行基片邊緣和一行傳感器邊緣，該行基片邊緣包括多個所述基片邊緣，該行傳感器邊緣包括多個所述傳感器邊緣；形成一行舌簧支承件，該行舌簧支承件包括在該行基片邊緣和該行傳感器邊緣上的多個所述舌簧支承件；以及將基片行切割為各基片，使得每個基片支撐所述集成的舌簧支承件和傳感器。
17.根據(jù)權(quán)利要求
15的方法，其特征在于形成與傳感器引線連接的導(dǎo)體引線的步驟包括形成接線柱，接線柱使導(dǎo)體引線與傳感器引線互連。
18.根據(jù)權(quán)利要求
15的方法，其特征在于包括以下步驟在舌簧支承件上形成觸點，每個觸點具有一個嵌在舌簧支承件中并與相應(yīng)的導(dǎo)體引線接觸的端，以及一個暴露于外部環(huán)境的暴露端。
19.根據(jù)權(quán)利要求
18的方法，其特征在于包括以下步驟將集成電路安裝在舌簧支承件上，與所述觸點的暴露端接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求
9的方法，其特征在于形成舌簧支承件的步驟包括形成多個垂直薄膜層，這些垂直薄膜層垂直于傳感器的薄膜層，垂直薄膜層的一個端部覆蓋所述傳感器邊緣并與之機械連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求
20的方法，其特征在于包括以下步驟形成一個或多個垂直薄膜層，作為支撐傳感器的支撐層。
22.根據(jù)權(quán)利要求
20的方法，其特征在于構(gòu)造傳感器的步驟包括在傳感器剝離層上淀積至少一個薄膜層，以便形成延伸到傳感器邊緣的傳感器引線；以及形成舌簧支承件的步驟包括在支承件層上淀積至少一個薄膜層，以便形成沿著舌簧支承件延伸并在所述傳感器邊緣與所述傳感器引線連接的導(dǎo)體引線。
23.根據(jù)權(quán)利要求
22的方法，其特征在于包括以下步驟形成垂直薄膜層中的第一層，作為基片上的絕緣支撐層；形成垂直薄膜層中的第二層，作為所述絕緣支撐層上的所述導(dǎo)體引線；以及形成垂直薄膜層中的第三層，作為所述導(dǎo)體引線上的絕緣支撐層。
24.根據(jù)權(quán)利要求
22的方法，其特征在于包括以下步驟在構(gòu)造所述傳感器之前，在基片平面上形成一個傳感器剝離層，然后在傳感器剝離層上構(gòu)造傳感器；在形成所述舌簧支承件之前，在基片邊緣上形成支承件剝離層以便與傳感器剝離層連接，然后在支承件剝離層上形成舌簧支承件；以及溶解支承件剝離層和傳感器剝離層，從基片上分離出舌簧支承件和傳感器。
25.根據(jù)權(quán)利要求
24的方法，其特征在于包括步驟設(shè)置一個包括多個所述基片的晶片基片；在所述晶片基片上構(gòu)造成行成列的傳感器；將晶片基片切割為分離的傳感器行，從而提供一行基片邊緣和一行傳感器邊緣，該行基片邊緣包括多個所述基片邊緣，該行傳感器邊緣包括多個所述傳感器邊緣；形成一行舌簧支承件，該行舌簧支承件包括在該行基片邊緣和該行傳感器邊緣上的多個所述舌簧支承件；以及將基片行切割為各基片，使得每個基片支撐所述集成的舌簧支承件和傳感器。
26.根據(jù)權(quán)利要求
25的方法，其特征在于包括以下步驟將基片厚度設(shè)置為與舌簧支承件長度相等。
27.根據(jù)權(quán)利要求
24的方法，其特征在于包括以下步驟在基片上形成垂直薄膜層中的第一層，作為絕緣支撐層；在所述絕緣支撐層上形成垂直薄膜層中的第二層，作為所述導(dǎo)體引線；以及在所述導(dǎo)體引線上形成垂直薄膜層中的第三層，作為絕緣支撐層。
28.根據(jù)權(quán)利要求
27的方法，其特征在于包括以下步驟將集成電路安裝在舌簧支承件上，與所述觸點的暴露端接觸。
29.根據(jù)權(quán)利要求
28的方法，其特征在于形成與傳感器引線連接的導(dǎo)體引線的步驟包括形成接線柱，接線柱使導(dǎo)體引線與傳感器引線互連。
30.一種制造集成的舌簧支承件和傳感器組合件的方法，其特征在于包括設(shè)置一個具有平面的晶片基片；在所述平面上淀積多個薄膜層，形成按至少一行排列的多個傳感器系統(tǒng)；切割晶片基片，以便在一個基片部分上提供至少一個分離行的傳感器系統(tǒng)，該分離行的傳感器系統(tǒng)包括以所述至少一行排列的多個傳感器系統(tǒng)，這種切割為每個分離行的傳感器系統(tǒng)和基片部分提供了相應(yīng)的切割邊緣，其中分離行的傳感器系統(tǒng)和基片的切割邊緣實質(zhì)上彼此共面；在分離行的傳感器系統(tǒng)和基片部分的切割邊緣上淀積至少一個薄膜層，為所述分離行的傳感器系統(tǒng)中的每個傳感器系統(tǒng)形成一個舌簧支承件；以及將所述基片部分和所述分離行的傳感器系統(tǒng)切割為單獨的舌簧支承件和傳感器系統(tǒng)組合件。
31.根據(jù)權(quán)利要求
30的方法，其特征在于包括去除至少一部分所述基片部分的步驟。
32.一種制造磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于包括以下步驟按以下步驟制造集成的舌簧支承件和傳感器組合件設(shè)置一個具有平面的晶片基片；在所述平面上淀積多個薄膜層，形成按至少一行排列的多個傳感器系統(tǒng)；切割晶片基片，以便在一個基片部分上提供至少一個分離行的傳感器系統(tǒng)，該分離行的傳感器系統(tǒng)包括以所述至少一行排列的多個傳感器系統(tǒng)，這種切割為每個分離行的傳感器系統(tǒng)和基片部分提供了相應(yīng)的切割邊緣，其中分離行的傳感器系統(tǒng)和基片的切割邊緣彼此共面；在分離行的傳感器系統(tǒng)和基片部分的切割邊緣上淀積至少一個薄膜層，為所述分離行的傳感器系統(tǒng)中的每個傳感器系統(tǒng)形成一個舌簧支承件；將所述基片部分和所述分離行的傳感器系統(tǒng)切割為單獨的舌簧支承件和傳感器系統(tǒng)組合件；以及去除至少一部分所述基片部分；該制造磁盤驅(qū)動器的方法還包括以下步驟設(shè)置一個由主軸支撐的磁盤，并設(shè)置用于轉(zhuǎn)動主軸和所支撐磁盤的裝置；設(shè)置一個致動器，致動器具有一個致動臂；以及將集成的舌簧支承件和傳感器組合件安裝到致動臂上，使得可以將傳感器定位到靠近磁盤上的環(huán)形道。
33.根據(jù)權(quán)利要求
31的方法，其特征在于淀積多個薄膜層的步驟包括淀積一個薄膜層，為所述多個傳感器系統(tǒng)形成傳感器引線。
34.根據(jù)權(quán)利要求
31的方法，其特征在于構(gòu)造傳感器系統(tǒng)的步驟包括在傳感器剝離層上淀積至少一個薄膜層，以便形成延伸到分離行的傳感器系統(tǒng)的邊緣的傳感器引線；以及為每個傳感器系統(tǒng)形成舌簧支承件的步驟包括在支承件剝離層上淀積至少一個薄膜層，以便形成沿著每個舌簧支承件延伸并在分離行的傳感器系統(tǒng)的邊緣與所述傳感器引線連接的導(dǎo)體引線。
35.根據(jù)權(quán)利要求
31的方法，其特征在于為每個傳感器系統(tǒng)形成舌簧支承件的步驟包括形成多個垂直薄膜層，這些垂直薄膜層垂直于傳感器系統(tǒng)的薄膜層，垂直薄膜層的一個端部覆蓋分離行的傳感器系統(tǒng)的切割邊緣并與之機械連接。
36.根據(jù)權(quán)利要求
31的方法，其特征在于包括以下步驟將晶片基片厚度設(shè)置為與舌簧支承件長度相等。
37.根據(jù)權(quán)利要求
31的方法，其特征在于形成與傳感器引線連接的導(dǎo)體引線的步驟包括形成接線柱，接線柱使導(dǎo)體引線與傳感器引線互連。
38.根據(jù)權(quán)利要求
37的方法，其特征在于包括以下步驟在每個舌簧支承件中形成觸點，每個觸點具有一個嵌在相應(yīng)舌簧支承件中并與相應(yīng)的導(dǎo)體引線接觸的端，以及一個暴露于外部環(huán)境的暴露端。
39.根據(jù)權(quán)利要求
38的方法，其特征在于包括以下步驟將集成電路安裝在每個舌簧支承件上，與所述觸點的暴露端接觸。
40.根據(jù)權(quán)利要求
31的方法，其特征在于包括以下步驟在晶片基片上形成垂直薄膜層中的第一層，作為絕緣支撐層；在所述絕緣支撐層上形成垂直薄膜層中的第二層，作為所述導(dǎo)體引線；以及在所述導(dǎo)體引線上形成垂直薄膜層中的第三層，作為絕緣支撐層。
41.根據(jù)權(quán)利要求
31的方法，其特征在于包括以下步驟在構(gòu)造所述傳感器系統(tǒng)之前，在晶片基片平面上形成一個傳感器剝離層，然后在傳感器剝離層上形成傳感器系統(tǒng)；在為每個傳感器系統(tǒng)形成所述舌簧支承件之前，只在基片部分的邊緣上形成支承件剝離層，以便使支承件剝離層與傳感器剝離層連接，然后在支承件剝離層上為每個傳感器系統(tǒng)形成舌簧支承件；以及溶解支承件剝離層和傳感器剝離層，從基片部分上分離出舌簧支承件和傳感器系統(tǒng)組合件。
42.根據(jù)權(quán)利要求
41的方法，其特征在于構(gòu)造傳感器系統(tǒng)的步驟包括在傳感器剝離層上淀積至少一個薄膜層，以便形成延伸到分離行的傳感器系統(tǒng)的邊緣的傳感器引線；以及為每個傳感器系統(tǒng)形成舌簧支承件的步驟包括在支承件剝離層上淀積至少一個薄膜層，以便形成沿著每個舌簧支承件延伸并在分離行的傳感器系統(tǒng)的邊緣與所述傳感器引線連接的導(dǎo)體引線。
43.根據(jù)權(quán)利要求
42的方法，其特征在于為每個傳感器系統(tǒng)形成舌簧支承件的步驟包括形成多個垂直薄膜層，這些垂直薄膜層垂直于傳感器系統(tǒng)的薄膜層，垂直薄膜層的一個端部覆蓋分離行的傳感器系統(tǒng)的切割邊緣并與之機械連接。
44.根據(jù)權(quán)利要求
43的方法，其特征在于包括以下步驟將晶片基片厚度設(shè)置為與舌簧支承件長度相等。
45.根據(jù)權(quán)利要求
44的方法，其特征在于形成與傳感器引線連接的導(dǎo)體引線的步驟包括形成接線柱，接線柱使導(dǎo)體引線與傳感器引線互連。
46.根據(jù)權(quán)利要求
45的方法，其特征在于包括以下步驟在每個舌簧支承件中形成觸點，每個觸點具有一個嵌在相應(yīng)舌簧支承件中并與相應(yīng)的導(dǎo)體引線接觸的端，以及一個暴露于外部環(huán)境的暴露端。
47.根據(jù)權(quán)利要求
46的方法，其特征在于包括以下步驟在晶片基片上形成垂直薄膜層中的第一層，作為絕緣支撐層；在所述絕緣支撐層上形成垂直薄膜層中的第二層，作為所述導(dǎo)體引線；以及在所述導(dǎo)體引線上形成垂直薄膜層中的第三層，作為絕緣支撐層。
48.根據(jù)權(quán)利要求
47的方法，其特征在于包括以下步驟將集成電路安裝在每個舌簧支承件上，與所述觸點的暴露端接觸。
專利摘要
一種加工組合傳感器和支承件組件的方法，包括以下步驟8提供一個厚度等于所需支承件長度的晶片基片；在晶片基片主表面上以行和列的模式形成多個傳感器和傳感器導(dǎo)體引線；從晶片基片上分離出一個行部分，使每個行部分具有多個傳感器；通過在行部分的分離側(cè)面淀積至少一層彈性材料，在分離側(cè)面上形成支承件部分；形成從傳感器向支承件部分的相對端延伸的導(dǎo)電部件；除去晶片基片上不需要的部分；將行部分分離為單個的傳感器。
文檔編號G11B5/54GKCN1129893SQ93118811
公開日2003年12月3日 申請日期1993年8月28日
發(fā)明者羅伯特·愛德華·方坦納, 琳達·霍普·萊恩, 馬森·拉馬爾·威廉斯, 塞林·伊麗莎白·耶克-斯克蘭頓 申請人:國際商業(yè)機器公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (2),