專(zhuān)利名稱(chēng)：磁光記錄體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有極好的耐氧化性的磁光記錄體，特別是，涉及一種包括一透明基片、一第一層保護(hù)膜、一磁光記錄膜和一第二層保護(hù)膜的磁光記錄體，所述的膜在所述的基片上以這次序疊層壓制，并具有一垂直于所述的記錄膜平面的磁化的平順軸，且具有極好的耐氧化性能。
已知一種包括至少一種過(guò)渡金屬如鐵和鈷以及至少一種稀土元素如鋱(Tb)和釓(Gd)的無(wú)定形合金的薄膜具有一垂直于該薄膜平面磁化的平順軸線，且能形成一反平行于該薄膜的磁化的具有磁化強(qiáng)度的小的逆向磁疇，通過(guò)“1”或“0”表示這逆向磁疇的存在或不存在，在上述該無(wú)定形合金薄膜上記錄一數(shù)字信號(hào)成為可能。
由包括至少一過(guò)渡金屬和至少一可用于磁光記錄體的稀土元素組成的無(wú)定形合金薄膜，例如，在日本專(zhuān)利公開(kāi)57-20691中揭示了含有15至30%(原子)Tb的Tb-Fe系列的無(wú)定形合金的薄膜。還已知，在包括Tb-Fe系列的無(wú)定形合金的薄膜的磁光記錄體中已加入一第三種金屬。同樣Tb-Co系列Tb-Fe-Co系列和磁光記錄體也已眾所周知。
盡管包括如上例舉的一無(wú)定形合金的薄膜的該磁光記錄體具有極好的記錄和重現(xiàn)性質(zhì)，但從一實(shí)踐觀點(diǎn)來(lái)看，它們?nèi)陨婕暗竭@樣一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題，該無(wú)定形合金薄膜在一般的運(yùn)用過(guò)程中易受氧化，且該性質(zhì)隨時(shí)間而變化。例如，在日本的應(yīng)用磁的學(xué)會(huì)志Vol.9，No.9，P.93-96中，揭示了由如上述過(guò)渡金屬和稀土元素組成的無(wú)定形合金薄膜的氧化劣化的機(jī)理，且該文章報(bào)道了這氧化劣化的機(jī)理可如下所述分為三種類(lèi)型。
a)坑腐蝕抗腐蝕是指在該無(wú)定形合金膜中針孔的出現(xiàn)。這種腐蝕主要在高濕度的環(huán)境下產(chǎn)生，且例如，在Tb-Fe和Tb-Co系列的膜中明顯地產(chǎn)生。
b)表面氧化一表面氧化層在該無(wú)定形合金膜的表面形成，因此該膜的克耳(Kerr)旋轉(zhuǎn)角θk隨時(shí)間而變化，且最后逐漸變小。
c)稀土元素的選擇氧化存在于無(wú)定形合金膜中的稀土元素被選擇氧化，因此該膜的矯頑力Hc隨時(shí)間而逐漸大幅度變化。
因此已作了各種努力以抑制如上所述的無(wú)定形合金薄膜的這種氧化劣化。例如，提出了一種方法，其中一無(wú)定形合金將具有三層結(jié)構(gòu)，其中該膜被夾在抗氧化保護(hù)膜如Si3N4，Si O，Si O2和Al N膜中。然而，如上所提出的該抗氧化保護(hù)膜，涉及到這樣一個(gè)問(wèn)題，甚至當(dāng)這種抗氧化保護(hù)膜在該無(wú)定型合金膜上形成時(shí)，該無(wú)定形合金膜的氧化劣化的充分的抑制并不總是所預(yù)期的。事實(shí)上，如果該抗氧化保護(hù)膜具有針孔，它們不能防止與前述的膜的針孔相對(duì)應(yīng)的后面的膜的部分中該無(wú)定形膜的氧化劣化的進(jìn)行。
進(jìn)一步講，將作各種努力以通過(guò)將一第三組分金屬混入該膜如Tb-Fe和Tb-Co系列中，改善無(wú)定形合金薄膜的耐氧化性。
例如，上述日本的應(yīng)用磁學(xué)會(huì)志揭示了一試驗(yàn)以通過(guò)將這種第三組分金屬如Co，Ni，Pt，Al，Cr和Ti，以高至3.5原子%的量混入該膜中，改善Tb-Fe或Tb-Co系列的無(wú)定形合金薄膜的耐氧化性。在該試驗(yàn)中，所述的雜志報(bào)道了將少量Co，Ni和Pt混入Tb-Fe或Tb-Co，在抑制所得的膜的表面氧化和坑腐蝕中是足夠的，但在抑制在這膜中含有如一稀土元素的Tb的選擇氧化方面是無(wú)效的。該揭示是指當(dāng)將少量Co，Ni和Pt加至Tb-Fe或Tb-Co中時(shí)，存在于該所得的膜中的Tb被選擇地氧化，且該膜的矯頑力Hc大幅度變化。因此，當(dāng)少量的甚至高至3.5原子%Co，Ni和Pt被加至Tb-Fe或Tb-Co中時(shí)，在所得的膜的耐氧化性方面無(wú)足夠的改善。
為了改善無(wú)定形合金薄膜的耐氧化性，在日本應(yīng)用磁學(xué)會(huì)的第九次會(huì)議的會(huì)議錄的第209頁(yè)(1985年11月)中揭示了一種在該無(wú)定形合金薄膜方面的認(rèn)識(shí)，該薄膜可通過(guò)將Pt，Al，Cr和/或Ti，以高至10%(原子)的量加到Tb-Fe或Tb-Fe-Co?。甚謶俦将Pt，Al，Cr和/或Ti，以高至10%(原子)的量加到Tb-Fe或Tb-Fe-Co中時(shí)，而存在于所得的膜中的Tb的選擇氧化的抑制還是不夠，盡管表面氧化和抗腐蝕在一相當(dāng)有效的范圍內(nèi)能受抑制。因此，仍然留下這樣一個(gè)問(wèn)題，該所得的膜的矯頑力Hc將隨時(shí)間而大幅度變化，且最終該矯頑力Hc將大大降低。
日本專(zhuān)利公開(kāi)58-7806揭示了含有一PtCo組分的多晶薄膜，其中含有10-30%(原子)的Pt。
然而，含有PtCo組分的該多晶薄膜涉及這種問(wèn)題，如已形成的該多晶薄膜需要熱處理如退火，因?yàn)樗鼈兪嵌嗑У模w粒邊緣有時(shí)顯示出噪聲信號(hào)，且該多晶薄膜是高居里點(diǎn)的。
本發(fā)明將解決上述討論的與已有技術(shù)有關(guān)的問(wèn)題，且本發(fā)明的目的在于提供一種磁光記錄體，它具有包括一提高的矯頑力和大的克耳-和法拉第-旋轉(zhuǎn)角的極好的磁光性質(zhì)，且它在耐氧化性方面是極好的，并因此該矯頑力和克耳-角基本上不隨時(shí)間而變化。
根據(jù)本發(fā)明的一磁光記錄體包括透明基片、第一層保護(hù)膜、磁光記錄膜和第二層保護(hù)膜，所述的膜在所述的基片上以這次序疊層壓制，其中所述的磁光記錄膜為一無(wú)定形合金的薄膜，且具有一垂直于所述的記錄膜的表面的磁化的平順軸，所述的合金由式(Pt和/或Pd)y[RExTM1-x]1-r表示，其中RE為選自由Nd，Sm，Pr，Ce，Eu，Gd，Tb，Dy和Ho構(gòu)成的組的至少一種稀土元素，TM為選自由Fe和Co構(gòu)成的組的至少一種過(guò)渡金屬，且x和y為分別滿(mǎn)足0.2＜x＜0.7和0.04＜y＜0.30的正數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄體具有包括一提高的矯頑力和大的克耳-和法拉第-角的磁光性質(zhì)，且在耐氧化性方面是極好的，因此，該矯頑力和克耳-角基本上不隨時(shí)間而變化。


圖1為一根據(jù)本發(fā)明的一磁光記錄體的放大的橫截面圖;
圖2為一顯示含Pt的磁光記錄膜的Co/(Fe1Co)原子比和噪聲電平N(毫瓦分貝(dbm))間關(guān)系的曲線圖;
圖3為一顯示含Pd的磁光記錄膜的Co/(Fe1Co)原子比和噪聲電平N(毫瓦分貝)間關(guān)系的曲線圖;
圖4為一顯示在分別含Pt和Pd的磁光記錄膜上的Co/(Fe1Co)原子比和根據(jù)△C/N(分貝)的擦除性能劣化間關(guān)系的曲線圖;
圖5為一顯示在分別含Pt和Pd的磁光記錄膜上的Pt或Pd(原子%)和根據(jù)△C/N(分貝)的耐氧化性間關(guān)系的曲線圖;
圖6為一顯示一在磁光記錄膜，一個(gè)含有Pt而另一個(gè)不含Pt上的偏壓磁場(chǎng)(奧斯特(Oe))和C/N比間關(guān)系的曲線圖;
圖7為一顯示在分別含Pt和Pd的磁光記錄膜上的Pt或Pd含量(原子%)和最小偏壓磁域Hsat(奧斯特)間關(guān)系的曲線圖;
在2圖至7中所示的結(jié)果在磁光記錄體上得到的，各(磁光記錄體)具有一如圖1中所示的結(jié)構(gòu)，并包括乙烯-四環(huán)十二碳烯共聚物的基片、一厚度為700 (10-10米)的Si Nx(0＜x＜4/3)的第一層保護(hù)膜、一厚度為300 的磁光記錄膜和有一厚度為1000 的鎳合金的第二層保護(hù)膜，圖8為一顯示在本文可用的Pt8Tb28Fe51Co13和在本發(fā)明范圍外的Tb25Co75和Tb25Fe66Co9和膜上的Hc/Hco原子比隨時(shí)間而變化的曲線圖;且圖9為一顯示在本文可用的Pt13Tb30Fe49Co8和在本發(fā)明范圍外的Tb25Co75和Tb25Fe66Co9的磁光記錄膜上的Hc/Hco原子比隨時(shí)間而變化的曲線圖。
根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄體現(xiàn)在將詳細(xì)描述。
根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄體包括，如圖1所示，透明片基1、第一層保護(hù)膜2、磁光記錄膜3和第二層保護(hù)膜4，所述的膜在所述的基片上以這次序疊層壓制。該磁光記錄膜3為一無(wú)定形合金的薄膜，并具有一垂直于該膜表面的磁化的平順軸，所述的合金由式(Pt和/或Pd)Y[RExTM1-x]1-Y表示，其中RE為選自由Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho構(gòu)成的組的至少一種稀土元素，TM為選自由Fe和Co構(gòu)成的組的至少一種過(guò)渡金屬，且x和y為分別滿(mǎn)足0.2＜x＜0.7和0.04＜y＜0.30的正數(shù)。
作為用于該透明基片1的材料，為此目的以前已用的材料通常都可使用。它們的實(shí)例包括，例如，玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚碳酸酯和聚苯乙烯的聚合物合金，如在美國(guó)專(zhuān)利第4，614，778中所描述的無(wú)定形聚烯烴、聚4-甲基-戊烯-1、環(huán)氧樹(shù)脂、聚醚砜、聚砜、聚醚酰亞胺和乙烯和四環(huán)十二碳烯的共聚物。其中以下文所述的乙烯和四環(huán)十二碳烯的共聚物特別好。
該透明基片的厚度可一般為0.5至0.25毫米，且尤以1.0至1.5毫米為更好。
該透明基片1較好地由乙烯和至少一種通式[Ⅰ]或[Ⅱ]的環(huán)烯烴的無(wú)規(guī)共聚物[A]，所述的共聚物具有特性粘度[η]從0.05至10分升/克，在135℃溫度下在萘烷中測(cè)得，和一至少為70℃的軟化溫度(TMA)，
其中n和m各為0或一正整數(shù)，1為一至少為3的整數(shù)，R1至R12各表示一氫或鹵素原子或烴基。
該透明基片1由包括上述無(wú)規(guī)共聚物[A]和一乙烯和至少一上面的通式[Ⅰ]或[Ⅱ]的環(huán)烯烴的無(wú)規(guī)共聚物[B]的聚合組合物構(gòu)成亦是較好的，所述的共聚物[B]具有特性粘度[η]從0.05至5分升/克，在135℃溫度下在萘烷中測(cè)得，和一至少為70℃的軟化溫度(TMA)，在該聚合組分中的該共聚物[A]與共聚物[B]的重量比在100/0.1至100/10范圍內(nèi)。
在該無(wú)規(guī)共聚物[A]和[B]的共聚物鏈中，從該通式[Ⅰ]和[Ⅱ]的環(huán)烯烴衍生出的組分以分別通過(guò)下列結(jié)構(gòu)式[Ⅲ]和[Ⅳ]表示的重復(fù)單元的形式存在，
其中n和m各為0或一正整數(shù)，1為一至少為3的整數(shù)，R1至R12各表示為氫或鹵素原子或一烴基。
選自由通式[Ⅰ]和[Ⅱ]表示的不飽和單體構(gòu)成的組的至少一種環(huán)烯烴在這兒可與乙烯共聚。用通式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴可通過(guò)環(huán)戊二烯與合適的烯烴通過(guò)狄爾斯-阿德耳反應(yīng)縮合而容易地制備，且同樣，用通式[Ⅱ]表示的環(huán)烯烴可通過(guò)戊二烯與合適的環(huán)烯烴通過(guò)狄爾斯-阿德耳反應(yīng)縮合而容易地制備。
實(shí)際上用通式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴為如表1中所列舉的這些化合物或，及1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，這種八氫化萘如2-甲基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-乙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-丙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，8，8a-八氫化萘，2-己基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2，3-二甲基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-甲基-3-乙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-氯-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-溴-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-氟-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2，3-二氯-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-環(huán)己基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-正丁基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，2-異丁基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘等，且這種化合物如表2所列舉。
表1化學(xué)結(jié)構(gòu)式化合物名稱(chēng)
雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯
6-甲基雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯
5，6-二甲基雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯
1-甲基雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯
6-乙基雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯
6-正丁基雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯
6-異丁基雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯
7-甲基雙環(huán)[2，2，1]-2-庚烯表2化學(xué)結(jié)構(gòu)式化合物名稱(chēng)
5，10-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
2，10-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
11，12-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
2，7，9-三甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
9-乙基-2，7-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
9-異丁基-2，7-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
9，11，12-三甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
9-乙基-11，12-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.517.10]-3-十二碳烯表2(續(xù))
9-異丁基-11，12，-二甲基四環(huán)[4，4，012.5，17.10]-3-十二碳烯
5，8，9，10-四甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
六環(huán)[6，6，1，13.6，110.1302.7，09.14]-4-十七碳烯
12-甲基六環(huán)[6，6，1，13.5110.13，02.7，09.14]-4-十七碳烯
12-乙基六環(huán)[6，6，1，13.5，110.13102.7，09.14]-4-十七碳烯
1，6，10-三甲基-12-異丁基六環(huán)[6，6，1，136110.13，02.709.14]-4-十七碳烯表2(續(xù))
八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯
15-甲基八環(huán)[8，8，0，12.914.7，111.18113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯
15-乙基八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯實(shí)際上通式[Ⅱ]所表示的環(huán)烯為，例如，如表3和4中所例舉的環(huán)烯。
表3化學(xué)結(jié)構(gòu)式化合物名稱(chēng)
1，3-二甲基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯
1.6-二甲基五雙[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯
15，16-二甲基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯表3(續(xù))
五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯
1，3-二甲基五環(huán)[6，5，1，13.6，02.709.13]-4-十五碳烯
1，6-二甲基五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13，]-4-十五碳烯
14，15-二甲基五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13，]-4-十五碳烯
五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯
七環(huán)[8，7，0，12.9，14.7，111.17，03.8012.16]-5-二十碳烯
七環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，03.8，012.17]-5-二十一碳烯表4化學(xué)結(jié)構(gòu)式化合物名稱(chēng)
三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯
2-甲基-三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯
5-甲基-三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯
三環(huán)[4，4，0，12.5]-3-十一碳烯
10-甲基-三環(huán)[4，4，0，12.5]-3-十一碳烯當(dāng)該無(wú)規(guī)共聚物[A]和[B]包括一從乙烯衍生的第一組分和一從通式[Ⅰ]或[Ⅱ]的至少一種環(huán)烯烴衍生的第二組分，作為基本組成組分時(shí)，如果需要，它們可進(jìn)一步包括一從至少一種其它可共聚的單體，以一高至與在該聚合物中所得到的第一組分等摩爾的量衍生的第三組分。可用于形成該第三組分的單體包括，例如，具有3至20個(gè)碳原子的α-烯烴如丙烯，1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯和1-二十碳烯。
在該具有至少為70℃的軟化溫度(TMA)的共聚物[A]中，該從乙烯中衍生的重復(fù)單元(a)以40至85%摩爾，較好地為50至75%摩爾的量存在，同時(shí)，該從該環(huán)烯烴或環(huán)烯烴類(lèi)衍生的通式[Ⅲ]或[Ⅳ]的重復(fù)單元(b)以15至60%摩爾，較好地為25至50%摩爾的量存在，且這些重復(fù)單元(a)和(b)在該共聚物[A]中基本上是無(wú)規(guī)排列的。該重復(fù)單元(a)和(b)的摩爾百分?jǐn)?shù)通過(guò)C-NMR來(lái)測(cè)定。該共聚物[A]在135℃溫度下完全溶于萘烷這一事實(shí)表明它基本上是線性的，且無(wú)凝膠化的交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
該聚合物[A]具有一特性粘度從0.05至10分升/克，較好地為從0.08至5分升/克，在135℃溫度下在萘烷中測(cè)得。
該共聚物[A]的軟化溫度(TMA)，如通過(guò)一熱力學(xué)分析儀測(cè)定，至少為70℃，較好地為90°至250℃，更好地為100°至200℃。
該共聚物[A]的軟化溫度(TMA)通過(guò)用一由杜邦(Dupont)所提供的熱力學(xué)分析儀調(diào)節(jié)該1毫米共聚物[A]片的熱形變來(lái)測(cè)定。更進(jìn)一步講，在49克負(fù)載下，將一石英針垂直地放地該片上，且該組件以速率5℃/分加熱。該針穿入該片漿0.635毫米的溫度作為該共聚物[A]的軟化溫度。
該共聚物[A]具有一玻璃化轉(zhuǎn)變溫度[Tg]，一般從50°至230℃，且較好地為從70°至210℃。
該共聚物[A]的結(jié)晶度，如通過(guò)X-射線衍射測(cè)定，一般為從0至10%，較好地為從0至7%，且更好地為從0至5%。
在具有低于70℃的軟化溫度的無(wú)規(guī)共聚物[B]中，從乙烯衍生的重復(fù)單元(a)存在量為60至98%(摩爾)，較好地為60至95%(摩爾)而從至少一個(gè)環(huán)烯烴中衍生出的通式[Ⅲ]或[Ⅳ]的重復(fù)單位(b)存在量為2至40%(摩爾)，較好地為5至40%(摩爾)，這些重復(fù)單位(a)和(b)在共聚物[B]中的排列基本上呈無(wú)規(guī)的。共聚物[B]中的重復(fù)單位(a)和(b)的摩爾百分?jǐn)?shù)由13c-NMR測(cè)定。共聚物[B]在135℃下完全溶于萘烷的事實(shí)表明該共聚物基本上是線性的并且無(wú)凝膠化的交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
共聚物[B]的特性粘度為0.01至5dl/g，較好地為0.08至3dl/g，這都是在135℃下萘烷中測(cè)得的。
共聚物[B]的軟化溫度(TMA)，用熱力學(xué)分析儀測(cè)量得到低于70℃，較好地為-10℃至60℃，最好從10至55℃。
共聚物[B]具有一玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)正常地從-30至60℃，較好地從-20至50℃。
用X-射線衍射儀測(cè)量共聚物[B]的結(jié)晶度，通常從0至10%，較好地為0至7%，更好地為0至5%。
包含共聚物[A]和[B]的聚合組合物可較好地用作制備本發(fā)明的磁光記錄體的透明基片1，共聚物[A]和[B]是以這樣的比例存在的，共聚物[A]和共聚物[B]的重量比為100/0.1至100/10，較好地為100/0.3至100/7，最好為100/0.5至100/5。
與僅由共聚物[A]制成的基片相比，上述包含共聚物[B]加至共聚物[A]的共聚組合物所制成的基片對(duì)基片1和第一包護(hù)薄膜2之間的粘附有所改進(jìn)，同時(shí)也保留了相當(dāng)?shù)耐该鞫燃氨砻婀饣浴?br> 無(wú)規(guī)共聚物[A]和[B]通過(guò)選擇合適的條件都可進(jìn)行制備，在此條件下根據(jù)本申請(qǐng)人在日本專(zhuān)利特開(kāi)昭168708/1985、120816/1986、115916/1986、95905/1986、95906/1986、271308/1986和272216/1986中所指出的方法可制備共聚物[A]和[B]。
在聚合組合物的制備中，對(duì)已知方法有一些可行的改變，其中包括，例如，其中共聚物[A]和[B]分開(kāi)制備的方法，以及通過(guò)擠塑機(jī)將共聚物[A]和[B]共混制備得到所需的組合物，在溶液共混方法中共聚物[A]和[B]各自完全溶于合適的溶劑中，例如，諸如庚烷、己烷、癸烷、環(huán)己烷等的飽和脂族烴，或諸如甲苯、苯、二甲苯等的芳香烴，相應(yīng)的溶液加工成共混溶液得到所需的組成物，或?yàn)橐粋€(gè)方法其中共聚物[A]和[B]通過(guò)各自的聚合反應(yīng)器單獨(dú)制備，所得的聚合物用一分離的容器共混得到所需的組合物。
在135℃下于萘烷中測(cè)得的聚合組合物的特性粘度范圍是0.05-10dl/g，較好地是0.08-5dl/g，更好是0.2-3dl/g，最好為0.3-2dl/g，用熱力學(xué)分析儀測(cè)得的組合物軟化溫度范圍是80-250℃，較好為100-200℃，最好為120-170℃，組合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度范圍是70-230℃，較好為80-160℃，最好為90-150℃。
共聚物[A]或包含共聚物[A]和[B]組合物可與熱穩(wěn)定劑、老化穩(wěn)定劑、抗靜電劑、滑脫劑、防粘劑、防霧劑、潤(rùn)滑劑、染料、顏料、天然油、合成油、蠟等混合，這些添加劑的含量可被相應(yīng)地決定。例如，可選擇結(jié)合的穩(wěn)定劑包括諸如四[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸亞甲酯]甲烷、β-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸烷基酯(較好地是少于18個(gè)碳原子的烷基酯)、2，2′-草酰氨基雙[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)]丙酸乙酯等的具體的酚抗氧劑，諸如硬脂酸鋅、硬脂酸鈣、12-羥基硬脂酸鈣等的脂肪酸金屬鹽，諸如甘油單硬脂酸酯、甘油單月桂酸酯、甘油二硬脂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等的脂肪酸酯。這些化合物可單一或結(jié)合地使用。例如，可以這樣結(jié)合四[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸亞甲酯]甲烷與硬脂酸鋅和甘油單硬脂酸酯等結(jié)合以及類(lèi)似的結(jié)合等。
較好的是用酚抗氧劑與多元醇脂肪酸酯相混合。較好的多元醇脂肪酸酯是較好為有至少3個(gè)醇羥基的多元醇與酸的部分酯化而得到的。這樣的多元醇脂肪酸酯的具體例子正如上述的包括諸如甘油單硬脂酸酯、甘油單月桂酸酯、甘油單肉豆蔻酸酯、甘油單棕櫚酸酯、甘油二硬脂酸酯、甘油二月桂酸酯等的甘油脂肪酸酯及其混合物，以及諸如季戊四醇單硬脂酸酯、季戊四醇單月桂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇二月桂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等的季戊四醇脂肪酸酯及其混合物，以及諸如山梨醇單硬脂酸酯、山梨醇單月桂酸酯、山梨醇二硬脂酸酯等的山梨醇脂肪酸酯及其混合物。
上述的酚抗氧劑用量在100重量份的聚合組合物為基準(zhǔn)，占0.01-10重量份，較好占0.05-3重量份。相似地，多元醇脂肪酸酯的用量在100重量份聚合組合物中為0.01-10重量份，較好地占0.05-3重量份。
上述含有共聚物[A]和[B]的聚合組合物其吸濕性比以前用作磁光記錄體基片材料的聚碳酸酯和聚(甲基丙烯酸甲酯)的吸濕性小，這樣由這里推薦的聚合組合物制成的基片所構(gòu)成的磁光記錄體通過(guò)第一保護(hù)薄膜由于潮濕的氧化的可能性較小。進(jìn)一步地，由上述推薦的混合組合物所制得的基片表現(xiàn)出對(duì)第一保護(hù)薄膜良好的粘附。該事實(shí)進(jìn)一步對(duì)經(jīng)由上述聚合組成物制成的基片上第一保護(hù)薄膜形成的磁光記錄體的抑制有一定的作用，從而增加了具有經(jīng)由在上述聚合組合物制成的基片上的第一保護(hù)薄膜形成磁光記錄薄膜的磁光記錄體的持久性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
進(jìn)一步地，由上述聚合組成物制成的基片具有減少的雙折射，這就增加了磁光記錄薄膜讀出信息的靈敏度使在讀出信息的同時(shí)有可能使用非函數(shù)型的傳動(dòng)裝置。
第一保護(hù)薄膜在上述透明基片1上形成的第一保護(hù)薄膜2包括諸如Si3N4、Si Nx(其中X滿(mǎn)足0＜x＜4/3)、Al N、Al Si N和BN的氮化物;諸如Si O2、Tb-Si O2、Mg-Si O2、Al2O3、Si O2-Al2O3、Mg-Si O2-Al2O3、Th-Si O2-Al2O3、Ba Si O2、Ba-Al2O3、Ba-氧化硅氧化鋁、Te-Al2O3、Mg-Al2O3、Ti O2、Si O、Ti O、Zn O、Zr O2、Ta2O5、Nb2O5、Ce O2、Sn O2、Te O2和銦-錫氧化物等氧化物;諸如Zn S和Cd S的硫化物;以及Zn Se、Si C和Si。
進(jìn)一步地，CH4-或CS2-等離子噴涂或測(cè)鍍薄膜或有機(jī)薄膜，特別是諸如泰氟隆(Teflon)薄膜的紫外固化有機(jī)薄膜也可用作第一保護(hù)薄膜。
第一保護(hù)薄膜的厚度通常從50至5000 ，較好地從100至2000 ;并具有防止磁光記錄薄膜免受氧化的作用，也是一個(gè)增強(qiáng)薄膜。
磁光記錄薄膜在第一保護(hù)薄膜2上形成的磁光記錄薄膜3是一無(wú)定形合金的薄膜，具有垂直于所述記錄薄膜表面的磁化平順軸。合金必須包括(ⅰ)從Fe和Co中選擇出來(lái)的至少一種過(guò)渡金屬，(ⅱ)Pt和/或Pd和(ⅲ)至少一種稀土元素，由通式表示(Pt和/或Pd)y[RExTM1-x]1-y其中RE是從一組包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中選擇出來(lái)的至少一種過(guò)渡金屬，x和y是正值依次滿(mǎn)足0.2＜x＜0.7和0.04＜y＜0.30。
(ⅰ)過(guò)渡金屬(TM)過(guò)渡金屬(TM)從Fe和Co中選擇出來(lái)，當(dāng)磁光記錄薄膜3由上式表示時(shí)，TM在磁光薄膜3中的含量為(1-x)其中x滿(mǎn)足0.2＜x＜0.7，較好地x滿(mǎn)足0.25＜X＜0.5，x滿(mǎn)足0.3＜x＜1.5則更好。
對(duì)于TM，我們優(yōu)選用Fe和Co的結(jié)合體，特別是Fe和占Fe和Co結(jié)合原子的0至65%(原子)的Co的結(jié)合體。
對(duì)TM，可以含有不大于5原子%，特別不大于3原子%的Ni。
(ⅱ)Pt和/或Pd。
當(dāng)磁光記錄薄膜3的組合物由上式表示時(shí)，Pt和/或Pd在磁光記錄薄膜3中的含量為y，y滿(mǎn)足0.04＜y＜0.30。換言之，存在于磁光記錄薄膜3內(nèi)的Pt和/或Pd的含量大于4%(原子)但小于30%(原子)，其較好的含量為大于4%(原子)小于20%(原子)。
如果Pt和/或Pd的含量遠(yuǎn)小于4%(原子)時(shí)，磁光記錄薄膜3的抗氧化性就無(wú)明顯的改進(jìn)，即使提供了保護(hù)薄膜2和4，磁光記錄薄膜3也可被氧化從而導(dǎo)致了假使保護(hù)薄膜2或4有針孔時(shí)磁光記錄薄膜3的矯頑力Ho以及克爾(Kerr)角K的下降。
Pt和Pd可單獨(dú)或結(jié)合地使用。
(ⅲ)稀土元素(RE)除了(ⅰ)TM和(ⅱ)Pt和/或Pd外，磁光記錄薄膜3還包括(ⅲ)從一組包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中選擇出來(lái)的至少一種稀土元素。由Tb組成和其余由Dy、Sm、Pr、Ce、En、Gd和/或Ho組成的至少50%(原子)的RE，更好地為至少80%(原子)的RE。
當(dāng)磁光記錄薄膜3的組成由上式表示時(shí)，在磁光記錄薄膜3中的RE含量為x，x滿(mǎn)足于0.2＜x＜0.7較好地0.25＜x＜0.5，0.3＜x＜0.5則更好。
磁光記錄薄膜3的厚度通常從200至2000A，較好地從200至1000A。
磁光記錄薄膜較好地有下列組成(ⅰ)TM這里推薦的磁光記錄薄膜中，含有Fe或Co或者兩者都含有，在磁光記錄薄膜中Fe和/或Co的較好存在量至少為20%(原子)，較好至少為35%(原子)，而小于72%;尤以至少為40%(原子)更好，但不得超過(guò)59%(原子)。
進(jìn)一步地，在磁光記錄薄膜中的Fe和/或Co較好地是以這樣的量Co/(Fe1Co)的原子比為0至0.3存在，更好地為0至0.2，而以0.01至0.2為最好。
當(dāng)Fe和/或Co在大于40%(原子)不大于80%(原子)的范圍里變化時(shí)，有這樣一個(gè)優(yōu)點(diǎn)即所得磁光記錄薄膜具有優(yōu)良的抗氧化性和垂直于薄膜表面的磁化平順軸。
在這一點(diǎn)上，當(dāng)Co混合進(jìn)磁光記錄薄膜時(shí)，可觀察到這樣的現(xiàn)象(a)磁光記錄薄膜的Curie點(diǎn)增加以及(b)Kerr旋轉(zhuǎn)角(θ)變大。結(jié)果，通過(guò)混入的Co的量可調(diào)節(jié)磁光記錄薄膜的記錄靈敏度，此外，通過(guò)混入的Co使再生信號(hào)的載波水平有了增長(zhǎng)。在優(yōu)選的磁光記錄薄膜中，Co/(Fe1Co)的原子比從0至0.3，較好從0至0.2，從0.01至0.2更好。
圖2表示Pt Tb Fe Co系列的磁光記錄薄膜上的Co/(Fe1Co)原子比和噪聲電平(dBm)之間的關(guān)系，圖3表示Pd Tb Fe Co系列的磁光記錄薄膜上的Co/(Fe1Co)原子比和噪聲電平(dBm)之間的關(guān)系。
正如圖2所示，就具有以Pt13Tb28Fe50Co9代表的組合物的磁光記錄薄膜而言，它在這里得到推薦的，其Co/(Fe1Co)的原子比為0.15，噪聲電平是-56d Bm，而就具有由Pt13Tb28Fe36Co28代表的組合物的磁光記錄薄膜而言，其Co/(Fe1Co)的原子比是0.39，噪聲電平可高達(dá)-50d Bm。進(jìn)一步地，正如圖3所示，就具有Pt14Tb27Fe52Co7的組合物的磁光記錄體薄膜而言，正如這里所推薦的，其Co/(Fe1Co)的原子比為0.12，噪聲電平為-56d Bm，而就有Pd14Tb27Fe41Co18組成物的磁光記錄體而言，其Co/(Fe1Co)的原子比為0.31，噪聲電平可高達(dá)-51d Bm。
圖4表示兩種磁光記錄薄膜，一種組成為Pt Tb Fe Co，另一種為Pd Tb Fe Co上根據(jù)△C/N比(dB)的擦除性能劣化和Co/(Fe1Co)原子比之間的關(guān)系。
特別地，即使當(dāng)有Pt13Tb28Fe50Co9組合物的磁光記錄薄膜，正如這里所推薦的，其Co/(Fe1Co)原子比為0.155，在擦除記錄在薄膜上的信息時(shí)該磁光記錄薄膜放射出增長(zhǎng)的能量，薄膜的特性沒(méi)有改變，用與擦除前相同的載波/噪聲比(C/N)值可把新的信息記錄在擦除過(guò)的記錄薄膜上。
此外，即使當(dāng)快速記錄和擦除信息時(shí)，這里所推薦的磁光記錄薄膜的薄膜特性沒(méi)有改變。例如，在有Pt13Tb28Fe50組合物的磁光記錄薄膜上即使記錄和擦除進(jìn)行100，000次時(shí)，觀察不到C/N值的下降。
(ⅱ)Pt和/或Pd磁光記錄薄膜含有Pt或Pd，或含有兩者，在磁光記錄薄膜上的Pt和/或Pd含量大于4%(原子)小于30%(原子)，較好的含量為大于4%(原子)小于20%(原子)，最好為大于4%(原子)小于10%(原子)。
Pt和/或Pd在磁光記錄薄膜內(nèi)的量超過(guò)4%原子可帶來(lái)這樣的優(yōu)點(diǎn)，所說(shuō)的記錄薄膜具有優(yōu)良的抗氧化性，即使當(dāng)它使用了很長(zhǎng)的時(shí)期時(shí)，不產(chǎn)生點(diǎn)坑腐蝕并且其C/N比值不下降。無(wú)保護(hù)薄膜時(shí)，通常需要Pt和/或Pd至少為10%(原子)來(lái)滿(mǎn)足對(duì)磁光記錄薄膜抑制氧化的要求。但是，當(dāng)磁光薄膜被保護(hù)薄膜保護(hù)時(shí)，正如這里所提出的，即使Pt和/或Pd小于10%(原子)記錄薄膜的氧化可被令人滿(mǎn)意地抑制。
圖5表示當(dāng)所說(shuō)的記錄薄膜在85%RH和80℃的環(huán)境下保存1000小時(shí)時(shí)磁光記錄薄膜所含的Pt或Pd量與C/N比下降的關(guān)系。
從圖5中可了解到當(dāng)磁光記錄薄膜中Pt或Pd的含量超過(guò)5%(原子)，尤其是超過(guò)10%(原子)時(shí)，所說(shuō)記錄薄膜的抗氧化性有了改善，即使長(zhǎng)期使用后不產(chǎn)生點(diǎn)坑腐蝕并且C/N比也不衰減。
例如，有Pt13Tb28Fe50Co9或Pd12Tb28Fe53Co7所代表的組合物的磁光記錄薄膜即使在85%RH和100℃的環(huán)境下保存1000小時(shí)其C/N比根本沒(méi)有變化。與此對(duì)照，具有Tb25Fe68Co7所代表的組合物的磁光記錄薄膜不含Pt和Pd，當(dāng)其在85%RH和80℃環(huán)境下保存1000小時(shí)時(shí)其C/N比極大地下降。
向磁光記錄薄膜里混入數(shù)量在上面說(shuō)明范圍里的Pt和/或Pd，當(dāng)信息記錄在磁光記錄薄膜上或從中讀出記錄的信息時(shí)，甚至通過(guò)小的偏磁場(chǎng)可得到足夠高的C/N比。如果通過(guò)小的偏磁場(chǎng)得到足夠高的C/N比，可制備一塊小尺寸的磁鐵來(lái)產(chǎn)生偏磁場(chǎng)，此外，磁鐵產(chǎn)生的熱量可被抑制并且有可能簡(jiǎn)化用作支承磁光記錄薄膜光盤(pán)的起動(dòng)裝置。此外，因?yàn)樽銐蚋叩腃/N比是通過(guò)小的偏磁場(chǎng)而得到的，所以設(shè)計(jì)能把磁場(chǎng)調(diào)節(jié)的記錄書(shū)寫(xiě)在上面的磁鐵是很簡(jiǎn)便的。
圖6表示偏磁場(chǎng)和具有Pt13Tb28Fe50Co9推薦的組合物的磁光記錄薄膜以及有Tb25Fe66Co7代表組合物的磁光記錄薄膜的C/N比(dB)之間的關(guān)系。
從圖6可了解到由Tb25Fe68Co7所代表的常規(guī)的磁光記錄薄膜直到偏磁場(chǎng)達(dá)高于250 Oe時(shí)，其C/N比才飽和，而由Pt13Tb28Fe50Co9所代表的這里推薦的磁光記錄薄膜中，只要通過(guò)小的偏磁場(chǎng)即可進(jìn)行記錄并且在120Oe或更高的水平時(shí)C/N比就可飽和。在下列實(shí)施例和比較實(shí)施例中，顯示出C/N比飽和時(shí)的每片磁光記錄薄膜的最小偏磁場(chǎng)的Hsat值。Hsat值較小，接著使用小的偏磁場(chǎng)即能使C/N達(dá)到飽和。
圖7表示的Pt和Pd的含量和PtTbFeCo系列的磁光記錄薄膜以及PdTbFeCo系列的磁光記錄薄膜的最小的偏磁場(chǎng)(Hsat，(Oe))之間的關(guān)系。
從圖7中可了解到，Pt和/或Pd的含量超過(guò)10%(原子)時(shí)，最小偏磁場(chǎng)可充分地小。
(ⅲ)RE在磁光記錄薄膜中，至少含有一種稀土元素，可用的稀土元素為Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho，可單獨(dú)或結(jié)合地使用。
在上述的稀土元素中，較好的可用元素為Nd、Pr、Gd、Tb和Dy，Tb最好。稀土元素可以二種或更多種結(jié)合在一起使用，就結(jié)合使用而言較好是含至少50%(原子)的Tb。
從得到具有垂直于薄膜的磁化平順軸的光磁學(xué)的觀點(diǎn)來(lái)看，存在于磁光記錄薄膜中的稀土元素量為0.15≤x≤0.45，較好的量為0.20≤x≤0.4，其中x表示RE/(RE/FE/Co)[原子比]。
第二保護(hù)薄膜在上述磁光記錄薄膜3上形成的第二保護(hù)薄膜4包括諸如Si3N4、Al N、Al Si N和BN的氮化物;諸如Si O2、Tb-Si O2、Mg-Si O2、Al2O3、Si O2-Al2O3、Mg-Si O2-Al2O3、Th-Si O-Al2O3、Ba Si O2、Ba-Al2O3、Ba-氧化硅氧化鋁、Te-Al2O3、Mg-Al2O3、Ti O2、Si O、Ti O、Zn O、Zr O2、Ta2O5、Nb2O5、Ce O2、Sn O2、Te O2和銦-氧化錫的氧化物;諸如Zn S和Cd S的硫化物;以及Zn Se、Si C和Si;諸如Pt、Pd、Ti、Cr、Zr和Ni的金屬、諸如Ni-Cr合金。鋁合金和銅合金的金屬合金。
進(jìn)一步地，CH4-或CS2-等離子噴涂或?yàn)R鍍薄膜或有機(jī)薄膜，特別是諸如泰氟隆(Teblon)薄膜的紫外固化有機(jī)薄膜也可用作第二保護(hù)薄膜。
第二保護(hù)薄膜4具有防止磁光記錄薄膜3氧化的作用同時(shí)也起反射膜的作用。
第二保護(hù)薄膜4的厚度，假如使用無(wú)機(jī)材料通常是50至5000 ，較好地是100至2000 ，假如使用有機(jī)材料，其厚度通常為100A至100μm，較好地是300A至500μm。
本發(fā)明的磁光記錄體有垂直于磁光記錄薄膜3表面的磁化平順軸，它們中的大多數(shù)表現(xiàn)出良好方形的Kerr滯后回線。
“良好方形的Kerr滯后回線”一詞意味著θk2/θk1至少是0.8，其中θk1為飽和Kerr旋轉(zhuǎn)角，即是外界磁場(chǎng)最大處的克爾旋轉(zhuǎn)角，θk2殘留Kerr旋轉(zhuǎn)角即外界磁場(chǎng)為零處的Kerr旋轉(zhuǎn)角。
本發(fā)明的磁光記錄體具有優(yōu)良的抗氧化能力。例如，本發(fā)明的磁光記錄體在其中有夾在Si3N4第一保護(hù)薄膜和Si3N4第二保護(hù)薄膜之間的Pt8Tb28Fe51Co13組合物的無(wú)定形合金薄膜的三明治結(jié)構(gòu)，當(dāng)它在85℃和相對(duì)濕度85%下保存超過(guò)240小時(shí)時(shí)，它的矯頑磁力幾乎沒(méi)有改變，如圖8所示。進(jìn)一步地，在其中夾有在Si3N4第一保護(hù)薄膜和Si3N4第二保護(hù)薄膜之間的Pt13Tb30Fe49Co8組合物的無(wú)定形合金薄膜的三明治結(jié)構(gòu)，當(dāng)它在85℃和相對(duì)濕度85%下保存超過(guò)240小時(shí)時(shí)，它矯頑力幾乎沒(méi)有改變，如圖9所示。與此相對(duì)照，Tb25Co75和Tb25Fe66Co9組合物的不含Pt的無(wú)定形合金薄膜保存于85℃和相對(duì)濕度85%中時(shí)隨著時(shí)間要發(fā)生實(shí)質(zhì)性的變化(參見(jiàn)圖8和9)。如果此環(huán)境試驗(yàn)持續(xù)約1000小時(shí)，含有Pt和/或Pd的系統(tǒng)在其末期仍基本保持它們最初的矯頑磁力，而不含Pt和Pd的系統(tǒng)矯頑力在末期降至不可檢測(cè)水平。
進(jìn)一步地，對(duì)用于本發(fā)明磁光記錄體的磁光記錄薄膜，該薄膜含有Pt和/或Pd，在后面的實(shí)驗(yàn)中揭示即使在保護(hù)薄膜上有針孔時(shí)，記錄薄膜的Kerr旋轉(zhuǎn)角θk在環(huán)境試驗(yàn)中基本上不降低，這表明該薄膜可抑制表面的氧化;在環(huán)境試驗(yàn)后用顯微鏡觀察記錄薄膜的表面指示出薄膜的點(diǎn)坑腐蝕已經(jīng)控制。
在本發(fā)明中，通過(guò)向磁光記錄薄膜內(nèi)混入不同的元素也可以改善Curie溫度、補(bǔ)償溫度、矯頑力Ho或Kerr旋轉(zhuǎn)角θk、或者降低產(chǎn)物的成本?？捎糜诖四康倪@些元素，例如，其比例可占記錄薄膜中稀土金屬原子數(shù)的不大于50%(原子)。
用作此目的有用元素的例子包括下列的元素。
(Ⅰ)除Fe和Co以外的3d過(guò)渡元素。具體地，這樣的過(guò)渡元素包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn。
在上面列舉的這些元素中，可較好使用的是Ti、Ni、Cu和Zn。
(Ⅱ)除Pd以外的4d過(guò)渡元素。
具體地，這樣的過(guò)渡元素包括Y、Zr、Nb、Mo、Te、Ru、Rh、Ag和Cd。
在以上列舉的這些過(guò)渡元素中，可較好使用的是Zr和Nb。
(Ⅲ)除Pt以外的5d過(guò)渡元素。
具體地，這樣的元素包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au和Hg。
在這些元素中，可較好使用的是Ta。
(Ⅳ)ⅢB族元素。
具體地可用B、Al、Ga、In和Tl。
這些元素中可較好使用的是B、Al和Ga。
(Ⅴ)ⅣB族元素。
具體地可用C、Si、Ge、Sn和Pb。
這些元素中可較好使用的是Si、Ge、Sn和Pb。
(Ⅵ)ⅤB族元素。
具體可用N、P、As、Sb和Bi。
這些元素中可較好使用是Sb。
(Ⅶ)ⅥB族元素。
具體地可用S、Se、Te和Po。
這些元素中可較好使用的是Te。
制備本發(fā)明的磁光記錄體的方法描述如下。
首先，在透明基片上形成了第一保護(hù)層。這可通過(guò)已知的干涂布法進(jìn)行，比如，真空蒸鍍、濺鍍、電子束蒸鍍和旋轉(zhuǎn)涂布方法。
其次，在透明基片上所形成的第一保護(hù)膜上，用眾所周知的濺鍍或電子束蒸鍍的方法使具有預(yù)定組成物的磁光記錄薄膜沉積，其中的基片保持在室溫左右，采用帶有形成預(yù)定組成的磁光薄膜組成元素切片的復(fù)合物對(duì)陰極或有預(yù)定組成物的合金對(duì)陰極在旋轉(zhuǎn)時(shí)，基片可以固定，或者繞它的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
上述的磁光記錄薄膜可在室溫下形成，所形成的薄膜不總是需要進(jìn)行如退火那樣的熱處理，而退火的目的在于為使薄膜有垂直于薄膜的磁化平順軸。
如果需要，在這一點(diǎn)上，當(dāng)基片加熱至50至600℃或冷卻至-50℃時(shí)，磁光記錄薄膜也可以形成。
此外，在濺鍍時(shí)也可向基片上加偏壓結(jié)果使基片帶上負(fù)電勢(shì)。這樣做后，在電場(chǎng)中加速的如氬氣的惰性氣體離子不僅碰撞在對(duì)陰極物質(zhì)上而且邊磁撞在正在形成的磁光記錄薄膜上，所以通常可得到具有進(jìn)一步增強(qiáng)特性的磁光記錄薄膜。
下一步，在所形成的磁光記錄薄膜上形成第二保護(hù)層。這也可通過(guò)諸如真空蒸鍍、濺鍍、電子束蒸鍍和旋轉(zhuǎn)包覆方法的已知干包覆法進(jìn)行。
本發(fā)明的磁光記錄體包含具有垂直于記錄薄膜表面的磁化平順軸的垂直可磁化的磁光記錄薄膜;它們展示出許多情況下的良好方形克爾滯后回線，在某種意義上，在無(wú)外部磁場(chǎng)時(shí)殘余Kerr角與外界磁場(chǎng)最大時(shí)的飽和Kerr旋轉(zhuǎn)角基本上相同，它們具有增加的矯頑力Hc;因此，在磁光記錄中它們是特別有用的。由于克爾旋轉(zhuǎn)角好就意味著法拉第旋轉(zhuǎn)角好，所以本發(fā)明的磁光記錄體對(duì)利用克爾效應(yīng)和法拉第效應(yīng)的磁光記錄系統(tǒng)都是有用的。
應(yīng)該意識(shí)到本發(fā)明的磁光記錄體進(jìn)一步可包含諸如基層、抗氧化薄膜和/或有高滲透常數(shù)的順磁性薄膜。進(jìn)一步地，它們可被單獨(dú)采用，或者兩者結(jié)合采用。
本發(fā)明的磁光記錄體包括一層透明基片、第一保護(hù)薄膜、磁光記錄薄膜和第二保護(hù)薄膜，所說(shuō)的薄膜以這種順序在所說(shuō)的基片上依次疊層壓制，其中所說(shuō)的磁光記錄薄膜是一種無(wú)定形合金薄膜并具有垂直于所說(shuō)記錄薄膜表面的磁化平順軸，所說(shuō)的合金由下式表示(Pt和/或Pd)y[RExTM1-x]1-y其中RE是從一組包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中選擇出來(lái)的至少一種稀土元素，TM是從一組包括Fe和Co中選擇出來(lái)的至少一種過(guò)渡金屬，x和y為正數(shù)，依次滿(mǎn)足0.2＜x＜0.7和0.04＜y＜0.3，該磁光記錄體具有優(yōu)良的磁光特征，包括增加的矯頑力以及大的克爾-和法拉第-旋轉(zhuǎn)角，并且它具有優(yōu)良的抗氧化性從而矯頑力和克爾旋轉(zhuǎn)角基本上不隨時(shí)間而改變。進(jìn)一步地，磁光記錄薄膜可在室溫下形成，所形成的薄膜不總是需要熱處理。
通過(guò)下列闡述本發(fā)明的實(shí)施例和本發(fā)明范圍外的對(duì)比實(shí)施例將對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到實(shí)施例不是限制本發(fā)明的手段。
實(shí)施例1至8以及對(duì)比實(shí)施例1至8在每個(gè)實(shí)施例中，第一保護(hù)薄膜，磁光記錄薄膜和第二保護(hù)薄膜的組成及厚度如表5所指出的，它們通過(guò)以這種順序在玻璃基片上通過(guò)濺鍍形成。
就諸如氮化物和氧化物的電介質(zhì)材料的保護(hù)薄膜而言，相應(yīng)的燒結(jié)材料的對(duì)陰極通過(guò)RF磁控管濺鍍上去。就金屬保護(hù)薄膜來(lái)說(shuō)，相應(yīng)的金屬材料對(duì)陰極通過(guò)DC磁控管濺鍍上去。在帶有如表5所示的第一保護(hù)薄膜的每個(gè)玻璃基片上，把具有如表5所示的組合物和厚度的磁光記錄薄膜用Pt和/或Pd切片的組合物對(duì)陰極和Fe或Fe-Co對(duì)陰極按所要求的比例把必需的輕和重的稀土元素用DC磁控管濺鍍法沉積上去。在此過(guò)程中，基片用水冷卻至20至30℃的室溫。濺鍍方法的條件包括Ar壓力是5毫乇、Ar氣流速為3標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分以及最終的真空度不高于5×10乇。
如此制備的磁光記錄體進(jìn)行以下的試驗(yàn)用廣角X-射線衍射法測(cè)定記錄薄膜的結(jié)晶情況。通過(guò)ICP(電感耦合等離子體)發(fā)射光譜分析來(lái)測(cè)定薄膜的組合物。
在外界磁場(chǎng)為零來(lái)自玻璃基片一側(cè)的剩余磁化通過(guò)傾斜入射法(λ＝636納米)可測(cè)量克爾旋轉(zhuǎn)角。測(cè)量的具體方法以及用于傾斜入射法的儀器在由KazuoYamakawa匯編的“磁材料測(cè)量技術(shù)”(TorikeppsK.K.在1985，12，5出版)P.61-263頁(yè)中進(jìn)行描述了。
矯頑力也可被測(cè)定。其記錄薄膜的X值可計(jì)算出來(lái)。
進(jìn)一步地，抗氧化性可用上述的方法試驗(yàn)。磁光記錄體可進(jìn)行環(huán)境試驗(yàn)，薄膜放置在85℃和85%RH的熱潮濕條件下持續(xù)240、450或1000小時(shí)。在末期，測(cè)定Kerr旋轉(zhuǎn)角(θk)和矯頑力(Hc)并與環(huán)境試驗(yàn)前的初始值θko和Hco依次進(jìn)行比較。
結(jié)果如表5所示
實(shí)施例9～16按實(shí)施例1～8的程序，具有如表6所示組合物和厚度的第一保護(hù)膜、磁光記錄膜、第二保護(hù)膜、依此次序相繼在玻璃基片上濺鍍而成。
這樣制得的磁光記錄體以如實(shí)例1～8所描述的方法來(lái)測(cè)試其X值、Hco、Hc/Hco和θk/θko值，結(jié)果如表6所示。
權(quán)利要求
1.一種包括透明基片、第一層保護(hù)膜、磁光記錄膜和第二層保護(hù)膜的磁光記錄體，所述的膜在所述的基片上以這次序疊層壓制，其中所述的磁光記錄膜為無(wú)定形合金的薄膜，且具有一垂直于所述的記錄膜表面的磁化的平順軸，所述合金式(Pt和/或Pd)y[RExTM1-x]1-y表示，其中RE為由一組包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho選擇出來(lái)的至少一種稀土元素，TM為由一組包括Fe和Co中選擇出來(lái)的至少一種過(guò)渡金屬，且x和y為分別滿(mǎn)足0.2＜x＜0.7和0.04＜y＜0.30的正數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于其中x滿(mǎn)足0.25＜x＜0.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于其中至少60%(原子)的RE由Tb構(gòu)成，且其余的RE由Dy、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd和/或Ho構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于其中y滿(mǎn)足0.04＜y＜0.20。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁光記錄體，其特征在于其中y滿(mǎn)足0.04＜y＜0.10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于其中所述的第一層保護(hù)膜由一氮化物、一氧化物或一硫化物構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于其中所述的第一層保護(hù)膜由Si3N4、Al Si N、Ti O2、Ta2O5、Zn S、Zn Se或Si構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于其中所述的第二層保護(hù)膜由一氮化物、一硫化物、一金屬或一金屬合金構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于其中所述的第一層保護(hù)膜由Si3N4、Al Si N、Ti O2、Ta2O5、Zn S、Zn Se、Cr、Pt、一Ni-Cr合金或Ti構(gòu)成。
全文摘要
一種磁光記錄體包括透明基片，第一層保護(hù)膜，磁光記錄膜和第二層保護(hù)膜，所述的膜在所述的基片上以這次序疊層壓制，該記錄膜為一式
文檔編號(hào)G11B11/105GK1035007SQ8810856
公開(kāi)日1989年8月23日 申請(qǐng)日期1988年12月10日 優(yōu)先權(quán)日1987年12月10日
發(fā)明者水本邦彥, 春田浩一, 梶浦博一 申請(qǐng)人:三井石油化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社