專利名稱::光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì),在這類光記錄介質(zhì)中,相應(yīng)于信息的凹痕在記錄層上形成,而記錄層是在基片上由諸如光或熱的能量射束照射構(gòu)成的。目前有兩類光記錄介質(zhì)一類是要形成物理變形部分,例如通過能量射束照射在記錄層某一部位點(diǎn)上形成的孔或凹狀點(diǎn),另一類是要形成在光性能上例如由能量射束照射在記錄層某一部位上的折射率和反射率業(yè)已改變的部分。記錄層主要由低熔點(diǎn)金屬組成,例如至今業(yè)已公知作為兩類光記當(dāng)介質(zhì)的記錄層的碲(Te)(日本特開昭第71195/1983號和第9234/1983號)。代表低熔點(diǎn)金屬膜的Te薄膜要能在其上形成所要求的物理變形部分或者通過照射很低的能量在光性能上業(yè)已改變的部分〔下文通稱“凹痕”(pits)],故它作高感光度材料是極其有用的。本文中所用的感光度是由單位表面積形成凹痕所需的能量(mJ/cm2)來定義。雖然眾所周知,記錄層主要由Te構(gòu)成,但是包含諸如聚碳酸酯樹脂基片的一般基片的光記錄介質(zhì)和在其上疊壓成層的這些記錄層存在著一個記錄感光度總是不足的問題。因此,需要提供一些記錄感光度得以提高的光記錄介質(zhì)。另外,包含諸如聚碳酸酯樹脂基片的一般基片的光記錄介質(zhì)和在其上疊壓成層的主要由Te構(gòu)成的記錄層還有一個基片與記錄層的粘合力不夠的問題。故而,需要一步脫除用作基片的聚碳酸酯樹脂中所含有水。而且,有時還需要一步用等離子處理聚碳酸酯樹脂基片的表面,以提高基片與記錄層的粘合力。為了提供記錄感光度以及基片與記錄層之間的粘合力均得以提高的光記錄介質(zhì),本發(fā)明人進(jìn)行了深入的研究并且發(fā)現(xiàn),當(dāng)使用由乙烯和一個環(huán)烯烴單元組成的具有特殊結(jié)構(gòu)的無規(guī)共聚物作為基片和在其上以特殊的記錄層疊壓成層時,可以獲得記錄感光度以及基片與記錄層之間的粘合力均佳的光記錄介質(zhì)。本發(fā)明人終于在這一發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上完成了本發(fā)明。再有,為了提高其抗氧化性,業(yè)已研究了主要包含Te的記錄層的組合物與其氧化之間的關(guān)系。例如,含C和H的Te膜以及含Cr的Te膜均已分別申請了日本專利(特公昭第33320/1984號和特開昭第63084/1984號)。然而,已申請的主要包含Te的記錄層其抗氧化性是不足的。本發(fā)明旨在解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,而本發(fā)明的目的在于提供記錄感光度以及基片與記錄層之間的粘合力均佳的光記錄介質(zhì)。本發(fā)明的第一種光記錄介質(zhì)包括一基片和在其上形成的一記錄層,其中記錄層用能量射束照射,以在其上形成相應(yīng)于給定信息片的凹痕,從而記錄信息片。所說的記錄層是主要由Te構(gòu)成的薄膜,另外還含有Cr、C和H。所說的基片由乙烯和環(huán)烯烴單位的一種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組成,由以下一般式[Ⅰ]表示。本發(fā)明的第二種光記錄介質(zhì)包括一基片和在其上形成的一記錄層,其中記錄層用能量射束照射,以在其上形成相應(yīng)于給定信息片的凹痕,從而記錄信息片。所說的記錄層是主要由Te構(gòu)成的薄膜,另外還含有Cr、C和H。所說的基片由環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物形成,它包括[A]一種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物,它包含一乙烯單元和一由以下一般式[Ⅰ]衍生的環(huán)烯烴單元,并且具有在135℃下萘烷中測定的特性粘度[η]為0.05-10dl/g,軟化溫度(TMA)不低于70℃,一種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物,它包含一乙烯單元和一由以下一般式[Ⅰ]衍生的環(huán)烯烴單元,并且具有在135℃下萘烷中測定的特性粘度[η]為0.05-10dl/g,軟化溫度(TMA)低于70℃,所說的[A]組分與所說的[B]組分的重量比為100/0.1到100/10。一般式[Ⅰ]中,n為0或正整數(shù),R1-R12可以相同也可以不同,每個代表氫原子、鹵原子或烴基,如果R9-R12結(jié)合在一起,則可形成可以任意具有雙鍵或多個雙鍵的單或多環(huán)的烴環(huán),或者R9和R10或R11和R12結(jié)合在一起,則可形成亞烷基。在無規(guī)共聚物的聚合物鏈中,由一般式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴類衍生的單元以重復(fù)單元的形式存在,如以下一般式[Ⅱ]表示式中R1-R12以及n如上所限定。圖1為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一實(shí)例的剖面示意圖;圖2和圖3所示為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)和通常的記錄介質(zhì)之間的功能和效果的差別;圖4為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的另一實(shí)例的剖面示意圖。圖中,10代表光記錄介質(zhì),11代表基片,12代表記錄層,13代表底涂層。以下,將結(jié)合附圖對本發(fā)明的光記錄介質(zhì)作更詳細(xì)地說明。如圖1所示,本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10包括基片11和在其上形成的記錄層12?;诒景l(fā)明的第一種光記錄介質(zhì)10中,基片11由乙烯和由以下一般式[Ⅰ]表示的至少一個環(huán)烯烴單元的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組成,在135℃下萘烷中測定的特性粘度[η]為0.05-10dl/g,式中n為0或正整數(shù),優(yōu)先采用為不大于3,R1-R12可以相同也可以不同,每個代表氫原子、鹵原子或烴基,如果R9-R12結(jié)合在一起,則可以形成可任意具有雙鍵或多個雙鍵的單或多環(huán)的烴環(huán),或者R9和R10或R11和R12結(jié)合在一起,則可形成亞烷基。在本發(fā)明的第二種光記錄介質(zhì)10中,所說的基片11由環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物構(gòu)成,它包括[A]一種由一乙烯單元和一由一般式[Ⅰ]衍生的環(huán)烯烴單元組成的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物,它具有在135℃下萘烷中測定的特性粘度[η]為0.05-10dl/g,軟化溫度(TMA)不低于70℃,[B]一種由乙烯單元和一由一般式[Ⅰ]衍生的環(huán)烯烴單元組成的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物,它具有在135℃下萘烷中測定的特性粘度[η]為0.05-10dl/g,軟化溫度(TMA)低于70℃,所說的組分[A]與所說的組分[B]組分的重量比為100/0.1到100/10。當(dāng)組分[A]即共聚物[A]進(jìn)一步以上述規(guī)定的比例與組分[B]即共聚物[B]混合時,則與把記錄層12疊合在僅由組分[A]組成的基片11上的情況相比,有可能進(jìn)一步提高基片11和記錄層12之間的粘合力。本文所用的環(huán)烯烴包括諸如由一般式(Ⅰ)表示的以下不飽和單體。由一般式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴可易于用環(huán)戊二烯類與由Diels-Alder反應(yīng)來的合適的烯烴類的縮合反應(yīng)制備。由一般式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴類的實(shí)例包括如表1中所列舉的化合物及其衍生物,以及除了1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘之外,八氫化萘類如2-甲基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-乙基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-丙基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-己基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-硬脂基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2,3-二甲基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-甲基-3-乙基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-氯代-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-溴代-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-氟代-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2,3-二氯代-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-環(huán)己基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘、2-正丁基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘以及2-異丁基-1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘。如上所述,環(huán)烯烴無規(guī)共聚物含有乙烯單元和環(huán)烯烴單元作為主要組分。然而,除了所說的兩種主要單元之外,環(huán)烯烴無規(guī)共聚物可任意地含有其他可共聚的不飽和單體單元,其范圍為它們不妨礙本發(fā)明的目的的范圍??扇我獾乇还簿鄣牟伙柡蛦误w具體地為具有3-20個碳原子的α-烯烴類,例如丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯等等。在構(gòu)成本發(fā)明的第一光記錄介質(zhì)的基片的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物中,由乙烯衍生的重復(fù)單元(a)的含量為40-85%(摩爾),優(yōu)先采用的為50-75%(摩爾),而由環(huán)烯烴或環(huán)烯烴類衍生的重復(fù)單元(b)的含量為15-60%(摩爾),優(yōu)先采用的為25-50%(摩爾),這些重復(fù)單元(a)和(b)在共聚物的直鏈上基本呈無規(guī)排列。重復(fù)單元(a)和(b)的摩爾百分比由13C-NMR測定。共聚物在135℃下可完全溶于萘烷,這一事實(shí)表明,所說的共聚物的化學(xué)結(jié)構(gòu)基本上為直鏈且無膠凝交聯(lián)結(jié)構(gòu)。經(jīng)在135℃下萘烷中測定,共聚物的特性粘度[η]為0.05-10dl/g,優(yōu)先的為0.08-5dl/g。經(jīng)熱力學(xué)分析儀測定,共聚物的軟化溫度(TMA)合乎需要的為至少70℃,優(yōu)先采用的為90°-250°,較佳的為100°-200℃。共聚物[A]的軟化溫度(TMA)通過采用DuPont公司的熱力學(xué)分析儀監(jiān)控1毫米共聚物板的熱變形行為來測定。更具體地說,將石英針狀體垂直地放置在板上,加載49g,以5℃/分的速度對其加熱。把針穿進(jìn)板的深度為0.635毫米時的溫度定為共聚物的軟化溫度。共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度通常為50-230℃,優(yōu)先采用的為70°-210℃。經(jīng)用X-射線衍射法測定,共聚物的結(jié)晶度通常為0-10%,優(yōu)先采用的為0-7%,較佳的為0-5%。以下,將更詳細(xì)地說明第二種光記錄介質(zhì)。在軟化溫度(TMA)不小于70℃且包含在構(gòu)成本發(fā)明的第二種光記錄介質(zhì)的基片的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物中的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]中,由乙烯衍生的重復(fù)單元(a)的含量為40-85%(摩爾),優(yōu)先采用的為50-75%(摩爾),而由環(huán)烯烴或環(huán)烯烴類衍生的重復(fù)單元(b)的含量為15-60%(摩爾),優(yōu)先采用的為25-50%(摩爾),這些重復(fù)單元(a)和(b)在共聚物[A]的直鏈上基本呈無規(guī)排列。重復(fù)單元(a)和(b)的摩爾百分比由13C-NMR測定。共聚物[A]在135℃下可完全溶于萘烷,這一事實(shí)表明,所說的共聚物的化學(xué)結(jié)構(gòu)基本上為直鏈且無膠凝交聯(lián)結(jié)構(gòu)。經(jīng)在135℃下萘烷中測定,環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]的特性粘度[η]為0.05-10dl/g,優(yōu)先的為0.08-5dl/g。經(jīng)熱力學(xué)分析儀測定,環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]的軟化溫度(TMA)不小于70℃,優(yōu)先采用的為90°-250℃,較佳的為100°-200℃。而且,所說的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)通常為50-230℃,優(yōu)先采用的為70-210℃。經(jīng)用X-射線衍射法測定,環(huán)烯烴無規(guī)共聚物的結(jié)晶度指數(shù)為0-10%,優(yōu)先采用的為0-7%,較佳的為0-5%。在軟化溫度(TMA)小于70℃且包含在構(gòu)成本發(fā)明的第二種光記錄介質(zhì)的基片的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物的組合物中的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]中,由乙烯衍生的重復(fù)單元(a)的含量為60-98%(摩爾),優(yōu)先采用的為60-95%(摩爾),而由環(huán)烯烴或環(huán)烯烴類衍生的重復(fù)單元(b)的含量為2-40%(摩爾),優(yōu)先采用的為5-40%(摩爾),這些重復(fù)單元(a)和(b)在共聚物[B]的直鏈上基本呈無規(guī)排列。重復(fù)單元(a)和(b)的摩爾百分比由13C-NMR測定。共聚物[B]在135℃下可完全溶解,這一事實(shí)表明,所說的共聚物的化學(xué)結(jié)構(gòu)基本上為直鏈且無膠凝交聯(lián)結(jié)構(gòu)。經(jīng)在135℃下萘烷中測定,共聚物[B]的特性粘度[η]為0.05-5dl/g,優(yōu)先采用的為0.08-3dl/g。經(jīng)熱力學(xué)分析儀測定,共聚物[B]的軟化溫度(TMA)小于70℃,優(yōu)先采用的為-10°-60℃,較佳的為10°-55℃。共聚物[B]的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)通常為-30-60℃,優(yōu)先采用的為-20-50℃。經(jīng)用X-射線衍射法測定,共聚物[B]的結(jié)晶度通常為0-10%,優(yōu)先采用的為0-7%,較佳的為0-5%。在用作本發(fā)明的第二種光記錄介質(zhì)的基片的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物中,共聚物[A]與共聚物[B]的重量比為100/0.1到100/10,優(yōu)先采用的為100/0.3到100.7,較佳的為100/0.5到100/5。當(dāng)共聚物[A]以上述限定的比與共聚物[B]混合時,在惡劣的條件下可以獲得基片和記錄層之間的良好的粘合,而保持基片本身的良好透明度和表面光滑度。此外,由包括共聚物[A]和共聚物[B]的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物構(gòu)成的基片的優(yōu)點(diǎn)是,本發(fā)明中所用的基片和記錄層之間的良好粘合甚至在記錄介質(zhì)處于高溫和潮濕的條件下仍不變壞。構(gòu)成本發(fā)明基片的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物和環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]及[B]可以通過選擇合適的條件來制備,制備它們的條件,可參照本申請人在日本特開昭第168708/1985號、第120816/1986號、第115912/1986號、第115916/1986號、第95905/1986號、第95906/1986號、第271308/1986號以及第272216/1986號中所提出的方法。此外,本發(fā)明的光盤的基片可以由具有由環(huán)烯烴單體[Ⅰ]的開環(huán)作用而形成的一般式[Ⅲ]的重復(fù)單元的聚合物或者由具有由單元[Ⅲ]氫化而形成的一般式[Ⅳ]的重復(fù)單元的聚合物構(gòu)成。在一般式[Ⅲ]或[Ⅳ]中,n為R1-R12如上所限定。環(huán)烯烴無規(guī)共聚物或者環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物可以與熱穩(wěn)定劑、老化穩(wěn)定劑、抗靜電劑、滑移劑、防粘劑、防霧劑、潤滑劑、染料、顏料、天然油、合成油、蠟等等混合,并且它們的添加量適量。例如,可以任意混合的穩(wěn)定劑具體包括酚類抗氧化劑,如四[亞甲基-3-(3,5-二-叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]甲烷、β-3-(3,5-二-叔丁基-4-羥苯基)丙酸烷基酯(具體地優(yōu)先先用18C或低級烷基酯)、2,2′-草酰胺基雙[乙基-3-(3,5-二-叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯等等,脂肪酸的金屬鹽類,如硬脂酸鋅、硬脂酸鈣、12-羥基硬脂酸鈣等以及多元醇的脂肪酸酯類,如甘油-硬脂酸酯、甘油-月桂酸酯、甘油二硬脂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等。這些化合物可以單獨(dú)或者混合加入到共聚物或者共聚物組合物中。例如,可以用一種四[亞甲基-3-(3,5-二-叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]甲烷與硬脂酸鋅和甘油-硬脂酸酯的混合物以及一些類似的混合物。本發(fā)明優(yōu)先選用酚類抗氧化劑與多元醇的脂肪酸酯的一些混合物。優(yōu)先選用的多元醇的脂肪酸酯類為其中三元或多元醇的醇式羥基部分被酯化。這些多元醇脂肪酸酯類的實(shí)例具體包括甘油脂肪酸酯,如甘油-硬脂酸酯、甘油-月桂酸酯、甘油-十四酸酯、甘油-十六酸酯、甘油二硬脂酸酯、甘油二月桂酸酯等以及季戊四醇的脂肪酸酯,如季戊四醇-硬脂酸酯、季戊四醇-月桂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇二月桂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等。酚類抗氧化劑的用量為0.01-10份(重量),優(yōu)先采用的為0.05-3份(重量),較佳的為0.1-1份(重量)(按環(huán)烯烴無規(guī)共聚物或環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物的量計)。多元醇的脂肪酸酯的用量為0.01-10份(重量),優(yōu)先采用的為0.05-3份(重量)(按環(huán)烯烴無規(guī)共聚物或環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物的量計)。在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中,環(huán)烯烴無規(guī)共聚物或者環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物均用作基片11。雖然迄今還不知道產(chǎn)生這些意想不到效果的原因,但是本發(fā)明的光記錄介質(zhì)在記錄感光度上是優(yōu)于把聚碳酸酯或聚(甲基異丁烯酸酯)用作基片的通常光記錄介質(zhì)的。由環(huán)烯烴無規(guī)共聚物或者環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物構(gòu)成的基片11與記錄層12的粘合是良好的。因此,記錄層具有良好的長期穩(wěn)定性,可以有效地防止其被氧化。故而,包含由環(huán)烯烴無規(guī)共聚物或環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物構(gòu)成的基片11以及在其上疊合的記錄層12的光記錄介質(zhì)具有良好的記錄感光度以及耐用性和長期穩(wěn)定性。而且,本發(fā)明的光記錄介質(zhì)既不會引起翹曲,也不會引起開裂。記錄層本發(fā)明的記錄層12是一種主要由Te組成且另外還含有至少Cr、C和H的薄膜。記錄層可以含有除Te之外的低熔點(diǎn)元素或其他組分??梢栽谟涗泴?2中添加的元素除了Te以外包括諸如Ti、Mn、Ni、Zr、Nb、Ta、Al、Pt、Sb、Ge、Ag、Sm、Bi、In、Se、Pb、Co、Si、Pd、Sn、Zn等等。Cr在記錄層12中的含量為0.1-40%(原子),優(yōu)先采用的為0.5-10%(原子),特別好的為1-4%(原子)(按記錄層中存在的總原子計),或者為0.1-40%(原子),優(yōu)先采用的為0.5-10%(原子),特別好的為1-4%(原子)(按記當(dāng)層中存在的Te和Cr原子總數(shù)計)。通過把上述范圍內(nèi)的Cr原子加入到記錄層中,有可能在不降低記錄感光度或者在某些時候還會提高記錄感光度的情況下提高所說記錄層12的抗氧化性。從提高記錄層的記錄感光度和使用壽命來看,則要求記錄層12中的C含量小于40%(原子),優(yōu)先采用的為3-20%(原子)(按記錄層中存在的總原子計),或者小于40%(原子),優(yōu)先采用的為3-20%(原子)(按記錄層中存在的Te、Cr和C的總原子數(shù)計)。通過把上述范圍內(nèi)的C原子加入到記錄層中,則可提高記錄層的記錄感光度和記錄裕度。從延長使用壽命來看,則要求記錄層12中的H含量為1-40%(原子),優(yōu)先采用的為3-25%(原子)(按記錄層中存在的總原子計)。記錄層12中所含有元素量如金屬元素象Te和Cr由ICP發(fā)射分光分析(inducedcoupledplasmaemissionspectrometry)測定。C含量由X-射線光電分光光譜法(ESCA)測定,H含量由有機(jī)元素分析測定。對于把信息記錄在具有上述組合物的記錄層12來說,可以通過用能量射束,例如按照待記錄的信息片調(diào)制激光束(開或關(guān))照射記錄層,再在記錄層的照射部分上形成相應(yīng)的凹痕,來實(shí)現(xiàn)給定信息片的所要求的記錄。凹痕可以是由物理方式變形成的,如孔或凹點(diǎn),或者可以是記錄層的部分,其中光性能如折射率和反射率受能量射束照射業(yè)已被改變。上述的記錄層12的厚度必須厚到這樣的程度,以致于獲得足夠的光反射率,同時還必須薄到這樣的程度,以致于不損失感光度。具體來說,當(dāng)在記錄層12上形成以物理方式變形的部分如孔時,則記錄層的膜厚度為大約100-1μm,優(yōu)先采用的為100-5000,較佳的為150-700。當(dāng)在記錄層12上形成其中光性能如折射率或反射率業(yè)已改變的部分,則記錄層的膜厚度為大約100-1μm,優(yōu)先采用的為100-5000,較佳的為200-2000??梢酝ㄟ^以下方法,在基片11上形成記錄層12。通過用Te-Cr合金作為靶子或者在含C和H的有機(jī)氣體和CH4或C2H2氣與Ar氣的混合氣體中施用磁控管濺射的Te和Cr分別排列的靶子,可以使由含有C和H的Te-Cr合金薄膜構(gòu)成的記錄層12在基片11上形成。通過使以等離子形式的CH4、Te和Cr的蒸氣沉積而不用濺射,也可以使用含有C和H的Te-Cr合金薄膜構(gòu)成的記錄層12在基片11上形成。還可通過蒸氣相生長或者等離子蒸氣相生長,使記錄層12在基片11上形成。此外,還可用其他的一些方法,使部分或全部Te、Cr、C和H原子離子化成束狀并使之積聚在基片上。在同時濺射Te和Cr時通過控制分別施加于Te和Cr的電壓以及在應(yīng)用一種合金靶子時通過改變合金組分,可以自由地控制由含有C的H的Te-Cr合金薄膜構(gòu)成的記錄層12的Te與Cr的原子含量比。通過CH4的Ar的混合比或者施加最好為高頻電源,可以任意地控制在由Te-Cr合金薄膜構(gòu)成的記錄層12中的C的H的含量。記錄層中H的最合適的含量將根據(jù)C含量確定。只要記錄層中和H含量不高到氫氣(H2)放出,可以任意地選擇H含量。此外,由于薄膜厚度與濺射時間成比例,故而“薄膜厚度”可易于控制。由此形成的由含有C和H的Te-Cr合金薄膜構(gòu)成的記錄層12的光特性如折射率和消光系數(shù)隨C和H的含量變化而變化。因此,薄膜厚度要根據(jù)用于記錄信息的記錄層的所要求的光特性來確定。與僅用一種低熔點(diǎn)金屬如Te所構(gòu)成的記錄層相比,上述記錄層12在抗氧化性和記錄感光度方面業(yè)已得到顯著的提高。例如,實(shí)驗(yàn)證實(shí),當(dāng)主要由Te組成且另外含有Cr、C和H的記錄層長期置于高溫和潮濕和條件下時,隨著Cr含量的增加,記錄層的反射率的變化會越來越小。因此,與僅由Te組成的記錄層相比,本發(fā)明的記錄層的抗氧化性得到提高。實(shí)驗(yàn)還證實(shí),本發(fā)明的記錄層需要較小的記錄能量輸出且具有良好和記錄感光度。此外,如圖2中曲線A所示,本發(fā)明的光記錄介質(zhì)在復(fù)制過程中對記錄能量輸出的瞬間電壓波動的C/N比幾乎不變,并且如圖2中曲線B所示,與包括含有C和H的Te記錄層的通常光記錄介質(zhì)相比,具有寬的記錄裕度。除此之外,如圖3中曲線B所示,與包括含有C和H的Te記錄層的通常光記錄介質(zhì)相比,本發(fā)明的光記錄介質(zhì)在經(jīng)過的時間中反射比幾乎不變。以下表3將清楚地說明這種提高。本發(fā)明在以上述的方法使記錄層12在基片上形成之后,可以在含有惰性氣體、還原性氣體或氧的氣體氣氛中單獨(dú)對記錄層12或者與基片11一起進(jìn)行熱處理。熱處理的溫度必須低于記錄層中所含和Te的熔點(diǎn),優(yōu)先采用的為70-300℃,特別是90-150℃。熱處理時間至少為5秒,優(yōu)先采用的為5秒-10小時,較佳的為5分鐘-2小時。由于在以上述的方法使所說的記錄層在基片11上形成之后記錄層12單獨(dú)或與基片11一起熱處理,故而記錄層的記錄感光度得以提高且記錄裕度得以擴(kuò)大。人們認(rèn)為,這是由于熱處理使記錄層結(jié)晶到一定程度之故。本發(fā)明并不限于圖1所示的實(shí)施例,但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)為,在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以作出各種變換和改型。例如,如圖4所示,可以把底涂層13置于基片11和記錄層12之間。底涂層包括諸如氟化鎂(MgF2)那樣的氟化物的膜,如氧化硅(SiO2,SiO)或者四氮化三硅(Si3O4)那樣的硅化合物的膜,由Ti、Ni、Cr或Ni-Cr組成的金屬膜,如聚四氟乙烯(PTFE)那樣的氟取代的烴類化合物的膜和(或)其聚合物膜以及Cr-C-H膜(含有Cr、C和H的膜)。底涂層的膜厚一般為10-1000,優(yōu)先采用的為50-500,雖然膜厚可隨用于底涂層的材料的變化而變化。根據(jù)上述的膜厚度,以上所列舉的這些底涂層均可保持其透明度,同時可以顯示作為底涂層的各種持性。如上所述,以與在用磁控管濺射、蒸氣相生長、等離子蒸氣相生長、真空蒸發(fā)或者旋轉(zhuǎn)涂敷法形成記錄層12的情況相同的方法,使底涂層13在基片11的表面上形成。把上述的底涂層置于基片11和決錄層12之間則使記錄感光度進(jìn)一步提高并且在某些情況下使其記錄裕度進(jìn)一步擴(kuò)大。以上述的方法通過把記錄層12疊合在基片11上所得到的光記錄介質(zhì)具有特別良好的記錄感光度并且有時具有擴(kuò)大的記錄裕度。而且,如圖1和圖4所示,本發(fā)明可使表層在光記錄介質(zhì)10的記錄層12的表面上形成。用于形成表層的材料包括用于記錄層的元素、氧化物、氮化物以及Si、Ti的金屬等。表層的薄膜厚度為5-100,優(yōu)先采用的為10-50,雖然薄膜厚度可隨用于形成表層的材料的變化而變化。本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有這樣一種結(jié)構(gòu),記錄層主要由Te組成且另外含有Cr、C和H,記錄層疊合在由乙烯-環(huán)烯烴無規(guī)共聚物構(gòu)成的基片上。故而,它們具有良好的基片與記錄層的粘合性能和具有良好的抗氧化性能及記錄性能的長期穩(wěn)定性。此外,記錄層的記錄感光度得以提高,記錄裕度得以擴(kuò)大。本發(fā)明的用作基片材料的共聚物的吸水值小于普通的樹脂如聚碳酸酯樹脂的值。故而,由所說的共聚物構(gòu)成的基片在濺射之前僅僅需要大約由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成的基片所需的一半抽真空時間。因此,將大大提高本發(fā)明的盤片的生產(chǎn)率。以下,將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作詳細(xì)地說明,但應(yīng)當(dāng)認(rèn)為,本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1真空容器抽真空之后,將Ar氣和CH4氣充入該容器中,容器中的內(nèi)部壓力保持在6×10-3Torr(Ar/CH氣體流量比=9/1)。在容器中,用Te和Cr作為靶子,同時濺射,調(diào)節(jié)施加到每個靶子上的電壓和控制濺射時間,以獲得由Te87Cr2C4H7構(gòu)成的記錄層,其在由乙烯和1,4,5,8-二甲橋-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氫化萘(化學(xué)結(jié)構(gòu)式下文縮寫為DMON)的非結(jié)晶性共聚物構(gòu)成的光盤基片(下文稱之為PO(1)基片)上的薄膜厚度為240A,從而獲得一種光記錄介質(zhì)。經(jīng)由13C-NMR分析測定,所說的共聚物的乙烯單元為59%(摩爾),DMON單元為41%(摩爾)。經(jīng)在135℃下萘烷中測定,其特性粘度[η]為0.42dl/g,軟化溫度(TMA)為154℃。實(shí)施例2除了調(diào)節(jié)薄膜厚度到290之外,重復(fù)實(shí)施例1的方法,得到一種在PO(1)基片上由Te87Cr2C4H7構(gòu)成的記錄層。實(shí)施例3和4使由實(shí)施例1和2分別得到的光記錄介質(zhì)各自在N2氣氛中100℃溫度下熱處理20分鐘。實(shí)施例5除了使用Te97Cr3合金靶之外,采用Ar/CH氣體流量比=9/1,重復(fù)實(shí)施例1的方法,得到由Te87Cr2C4H7構(gòu)成的一種記錄層,其在PO(1)基片上的薄膜厚度為230。使由此得到的光記錄介質(zhì)在N2氣氛中100℃溫度下熱處理20分鐘。實(shí)施例6真空容器抽真空之后,將Ar氣和CH4氣充入該容器中,容器中的內(nèi)部壓力保持在6×10-3Torr(Ar/CH4氣體量比=9/1)。在容器中,用Te和Cr作為靶子,同時濺射,調(diào)節(jié)施加到每個靶子上的電壓和控制濺射時間,以得到在PO(1)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr和C在所說記錄層中的原子比由一般式表示(Te98.8Cr1-2)96C4,其薄膜厚度為240。實(shí)施例7除了調(diào)節(jié)薄膜厚度到290之外,重復(fù)實(shí)施例6的方法,得到在PO(1)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所說的記錄層中的原子比由一般式表示(Te98Cr2)96C4。實(shí)施例8除了調(diào)節(jié)薄膜厚到260之外,重復(fù)實(shí)施例6的方法,得到在PO(1)基片上包含TeCr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te96.8Cr3.2)96C4。實(shí)施例9除了調(diào)節(jié)薄膜厚度到230之外,重復(fù)實(shí)施例6的方法,得到在PO(1)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te92Cr8)98C2。實(shí)施例10除了采用Te97Cr7合金靶子和調(diào)節(jié)薄膜厚度到230之外,重復(fù)實(shí)施例6的方法,得到在PO(1)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te97.5Cr2.5)96C。實(shí)施例11除了采用Te94Cr6合金靶和調(diào)節(jié)薄膜厚度到250之外,重復(fù)實(shí)施例6的之法,得到在PO(1)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te95.1Cr4.9)98C2。實(shí)施例12-17使由實(shí)施例6-11分別得到的光記錄介質(zhì)各自在N2氣氛中100℃溫度下熱處理20分鐘。對照實(shí)施例1由環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物構(gòu)成的基片的制備(ⅰ)聚合實(shí)施例1軟化溫度不低于70℃的共聚物(A)的合成用一裝有攪拌葉片的2升玻璃聚合反應(yīng)器,連續(xù)地進(jìn)行乙烯和DMON之間的共聚反應(yīng)。也就是說,連續(xù)地將DMON在環(huán)己烷中的溶液(使聚合反應(yīng)器中的DMON濃度達(dá)60g/l)、作為催化劑的VO(OC2H5)Cl2在環(huán)己烷中的溶液(使聚合反應(yīng)器中的釩濃度達(dá)0.9毫摩爾)以及倍半氯化乙基鋁[Al(C2H5)1.5Cl1.5]在環(huán)己烷中的溶液(使聚合反應(yīng)器中的釩濃度達(dá)7.2毫摩爾/升)加入到聚合反應(yīng)器中,同時,連續(xù)地從聚合反應(yīng)器的底部抽出聚合液,使聚合反應(yīng)器中的聚合液的容積保持為1升。同時,從聚合反應(yīng)器的頂部以85升/小時的速率將乙烯,以6升/小時速率將氫以及以45升/小時的速率將氮供入聚合反應(yīng)器中。通過使制冷劑經(jīng)固定在聚合反應(yīng)器外部的夾套循環(huán),在10℃下進(jìn)行共聚反應(yīng)。在上述的條件進(jìn)行共聚作用,隨后得到含有乙烯/DMON無規(guī)共聚物的聚合反應(yīng)混合物。通過把少量異丙醇添加到從反應(yīng)器的底部抽出的聚合液中使聚合反應(yīng)停止。爾后,將聚合液倒入含有大約三倍于聚合液體積的丙酮的家用混合器中,同時起動混合器,從而使所得共聚物沉積。過濾收集沉積共聚物,再分散在丙酮中,使聚合物的濃度達(dá)到大約50g/l并在丙酮的沸點(diǎn)下處理該共聚物2小時。上述處理之后,過濾收集共聚物并在減壓條件下于120℃干燥過夜(12小時)。經(jīng)由13C-NMR分析測定,所得乙烯DMON-無規(guī)共聚物(A)的乙烯單元為59%(摩爾)。經(jīng)在135℃下萘烷中測定,特性粘度[η]為0.42dl/g,軟化溫度(TMA)為154℃。(ⅱ)聚合實(shí)施例2軟化溫度小于70℃的共聚物(B)的合成除了將DMON、VO(OC2H5)Cl2及倍半氯化乙基鋁加入到聚合反應(yīng)器中,使聚合反應(yīng)器中的DMON、VO(OC2H5)Cl2及倍半氯化乙基鋁的濃度分別達(dá)23g/l、0.7mmol/l及5.6mmol/l以及分別以140升/小時、13升/小時和25升/小時的速率將乙烯、氫和氮供入聚合反應(yīng)器中和聚合溫度為10℃之外,進(jìn)行與聚合實(shí)施例(1)中相同的聚合反應(yīng)。共聚反應(yīng)完成之后,如聚合實(shí)施例(1)那樣,使所得的共聚物沉積、收集且在減壓條件下于180℃干燥12小時。經(jīng)由13C-NMR分析測定,所得的乙烯DMON共聚物(B)的乙烯單元含量為89%(摩爾)。經(jīng)在135℃下萘烷中測定,特性粘度[η]為0.44dl/g,軟化溫度(TMA)為39℃。(ⅲ)由環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物構(gòu)成的基片的制備將400g在聚合實(shí)施例(ⅰ)中制備的共聚物(A)和4g在聚合實(shí)施例(ⅱ)中制備的共聚物(B)(A/B=100/1(重量)]加入到8升環(huán)己烷中且在大約50℃下溶解,同時充分地攪拌,得到一種均勻的溶液。將由此得到的均勻溶液倒在24升丙酮中,沉積一種(A)/(B)混合物。在減壓條件下于120℃使由此得到的混合物干燥過夜。使由此所得的(A)/(B)混合物與0.5%四[亞甲基-3-(3,5-二-叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]甲烷、0.05%硬酯酸鋅以及0.5%作為穩(wěn)定劑的甘油-硬脂酸酯混合(每種數(shù)量均按共聚物(A)和(B)的總重量計)。在23℃下,用φ20mm擠出機(jī)(L/D=20)將所得混合物造粒,再用注塑成型機(jī)模塑成φ130mm,厚度1.2mm光盤基片(下文稱之PO(2)基片)。實(shí)施例18真空容器抽真空之后,將Ar氣和CH4氣充入該容器中,容器中的內(nèi)部壓力保持在6×10-3Torr(Ar/CH4氣體流量比=9/1)。在容器中,用Te和Cr作為靶子,同時濺射,調(diào)節(jié)施加到每個靶子上的電壓和控制濺射時間,以獲得由Te87Cr2C4H7構(gòu)成的記錄層,其在由對照實(shí)施例1中所得的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物構(gòu)成的PO(2)基片上的薄膜厚度為240,從而得到一種光記錄介質(zhì)。實(shí)施例19除了調(diào)節(jié)薄膜厚度到290之外,重復(fù)實(shí)施例18的方法,得到一種在PO(2)基片上由Te87Cr2C4H7構(gòu)成的記錄層。實(shí)施例20和21使由實(shí)施例18和19分別得到的光記錄介質(zhì)各自在N2氣氛中100℃溫度下熱處理20分鐘。實(shí)施例22除了使用Te97Cr3合金靶之外,采用Ar/CH4氣體流量比=9/1,重復(fù)實(shí)施例18的方法,得到由Te87Cr2C4H7構(gòu)成的一種記錄層,其在PO(2)基片上的薄膜厚度為230。實(shí)施例23真空容器抽真空之后,將Ar氣和CH4氣充入該容器中,容器中的內(nèi)部壓力保持在6×10-3Torr(Ar/CH4氣體流量比=9/1)。在容器中,用Te和Cr作為靶子,同時濺射,調(diào)節(jié)施加到每個靶子上的電壓和控制濺射時間,以得到在PO(2)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te98.8Cr1.2)96C4,其薄膜厚度為240。實(shí)施例24除了調(diào)節(jié)薄膜厚度到290之外,重復(fù)實(shí)施例23的方法,得到PO(2)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te98Cr2)96C4。實(shí)施例25除了調(diào)節(jié)薄膜厚度到260之外,重復(fù)實(shí)施例23的方法,得到PO(2)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te96.8Cr3.2)96C4。實(shí)施例26除了調(diào)節(jié)薄膜厚度達(dá)230之外,重復(fù)實(shí)施例23的方法,得到PO(2)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te92Cr8)98C2。實(shí)施例27除了采用Te94Cr6合金靶子和調(diào)節(jié)薄膜厚度到230之外,重復(fù)實(shí)施例23的方法,得到PO(2)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te97.5Cr2.5)96C4。實(shí)施例28除了采用Te94Cr6合金靶子和調(diào)節(jié)薄膜厚度到250之外,重復(fù)實(shí)施例23的方法,得到在PO(2)基片上包含Te、Cr、C和H的記錄層,Te、Cr、和C在所述的記錄層中的原子比由一般式表示(Te95.1Cr4.9)98C2。實(shí)施例29-34使由實(shí)施例23-28分別得到的光記錄介質(zhì)各自在N2氣氛中100℃溫度下熱處理20分鐘。試驗(yàn)結(jié)果(1)使光記錄介質(zhì)的盤片以1800rpm旋轉(zhuǎn)且用頻率為3.7MHz的激光束照射,以檢驗(yàn)記錄性能。本文所用的C/Nmax表示激光功率變化時C/N的最大值。記錄感光度表示CNmax×0.9<C/N達(dá)到時激光功率的最小值,裕度量表示C/Nmax×0.9<C/N達(dá)到時激光功率的范圍。試驗(yàn)結(jié)果示于表2表2C/Nmax(dB)記錄感光度(mW)裕度(mW)實(shí)施例1506.30.8實(shí)施例2517.00.5實(shí)施例355.55.82.2實(shí)施例4566.61.4實(shí)施例555.55.92.1實(shí)施例6516.50.5實(shí)施例7517.00.5實(shí)施例852.56.40.6實(shí)施例9546.02.0實(shí)施例1053.56.11.3實(shí)施例11536.60.9實(shí)施例1255.55.82.2實(shí)施例13566.61.4實(shí)施例14556.42.1實(shí)施例15496.62.7實(shí)施例1655.55.92.6實(shí)施例1752.56.71.9實(shí)施例18506.30.8實(shí)施例19517.00.5實(shí)施例2055.55.82.2實(shí)施例21566.61.4實(shí)施例2255.55.92.1實(shí)施例23516.50.5實(shí)施例24517.00.5實(shí)施例2552.56.40.6實(shí)施例26546.02.0實(shí)施例2753.56.11.3實(shí)施例28536.60.9實(shí)施例2955.55.82.2實(shí)施例30566.61.4實(shí)施例31556.42.1實(shí)施例32496.62.7實(shí)施例3355.55.92.6實(shí)施例3452.56.71.9(2)使光記錄介質(zhì)的盤片處于70℃和85%RH的環(huán)境中之后所測定的反射率R與原始反射率Ro相比較,以檢驗(yàn)反射率波動百分?jǐn)?shù)。試驗(yàn)結(jié)果示于表3表3反射率波動百分?jǐn)?shù)(Ro-R)×100/Ro實(shí)施例32%實(shí)施例122%實(shí)施例202%實(shí)施例292%對基片與記錄層之間的粘合的評定用以下的方法,對基片與實(shí)施例子3和20中所得的每一種光記錄介質(zhì)的記錄層之間的粘合進(jìn)行評定。其結(jié)果示于表4。粘合試驗(yàn)劃格法附著力試驗(yàn)(JIS.K5400)借助于切割刀,在記錄層上,以長度和寬度的每個方向,間隔1mm,且相互成直角地劃11條平行線。切片呈棋盤式的正方形,每1平方厘米有100個正方形。用玻璃紙帶(一種Nichiban的產(chǎn)品)作剝離評定。評定(1)在形成記錄層之后立即評定(2)在80℃和85%RH環(huán)境下經(jīng)過100小時之后評定。表4基片光記錄層劃格法附著力在形成記錄層之后立即評定在80℃/85%RH下經(jīng)過100小時后評定實(shí)施例3實(shí)施例20PO(1)基片PO(2)基片Te87Cr2C4H7Te87Cr2C4H7100/100*未被剝離100/100*未被剝離-100/100*未被剝離</table></tables>*100/100表示在100個正方形切片中,未被剝離的正方形切片數(shù)為100個。權(quán)利要求1.一種光記錄介質(zhì),包括基片和在其上形成的記錄層,其特征在于所說的記錄層用能量射束照射,以在其上形成相應(yīng)于給定的信息片的凹痕,從而記錄信息片,所說的記錄層為一種主要由Te構(gòu)成且另外含有Cr、C和H的薄膜,所說的基片包括由乙烯單元組成的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物式中n為0或正整數(shù),R1-R12可以是相同的,也可以是不同的,各自代表氫原子、鹵原子或者烴基,如果R9-R12結(jié)合在一起可形成可以任意地具有雙鍵或多個雙鍵的一種單環(huán)或多環(huán)的烴環(huán),或者R9和R10或R11和R12結(jié)合在一起可形成一亞烷基。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì),其特征在于所說的基片包含軟化溫度(TMA)不小于70℃的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層中Cr的含量為0.1-40%(原子)(按記錄層中存在總原子計)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層中C的含量為小于40%(原子)(按記錄層中存在的總原子計)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層中H的含量為1-40%(原子)(按記錄層中存在的總原子計)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層的薄膜厚度為100-1μm。7.一種光記錄介質(zhì),包括基片和在其上形成的記錄層,其特征在于所說有記錄層用能量射束照射,以在其上形成相應(yīng)于給定的信息片的凹痕,從而記錄信息片,所說的記錄層為一種主要由Te構(gòu)成且另外含有Cr、C和H的薄膜,所說的基片由包括以下共聚物的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物組合物組成[A]一種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物,它由乙烯單元和自以下一般式[Ⅰ]衍生的環(huán)烯烴單元構(gòu)成,經(jīng)在1350℃下萘烷中測定,其特性粘度[η]為0.05-10dl/g,軟化溫度(TMA)為小于70℃,[B]一種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物,它由乙烯單元和自以下一般式[Ⅰ]衍生的環(huán)烯烴單元構(gòu)成,經(jīng)在135℃下萘烷中測定,其特性粘度為0.05-5dl/g,軟化溫度(TMA)小于70℃,組分[A]與組分[B]的重量比為100/0.1-100/10,式中n為0或正整數(shù),R1-R12可以相同,也可以不同,各自代表氫原子、鹵原子或烴基,如果R9-R12結(jié)合在一起,可以形成可以任意地具有雙鍵或多個雙鍵的一種單環(huán)或多環(huán)的烴環(huán),或者R9和R10或R11和R12結(jié)合在一起可形成一亞烷基。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層中Cr的含量為0.1-40%(原子)(按記錄層中存在的總原子計)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層中C的含量為小于40%(原子)(按記錄層中存在總原子計)。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層中H的含量為1-40%(原子)(按記錄層中存在總原子計)。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄介質(zhì),其特征在于記錄層的薄膜厚度為100-1μm。全文摘要本發(fā)明中所揭示的光記錄體具有良好的記錄感光度以及良好的基片記錄層的粘合性,所說的基片由乙烯和環(huán)烯烴的無規(guī)共聚物組成,并且具有一種特殊的結(jié)構(gòu)。文檔編號G11B7/2538GK1042425SQ8910833公開日1990年5月23日申請日期1989年10月31日優(yōu)先權(quán)日1988年11月1日發(fā)明者樋端久治,黑巖光之,美濃田武,藤堂昭申請人:三井石油化學(xué)工業(yè)株式會社