專利名稱：用于磁光存儲器記錄的磁場調(diào)制控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于磁光存儲器記錄的磁場調(diào)制控制電路。所謂磁光存儲器，是指所有呈現(xiàn)垂直于其表面的磁性各向異性的磁光記錄介質(zhì)。
磁光記錄介質(zhì)或磁光存儲器主要包含一個在環(huán)境溫度下穩(wěn)定的磁性層。為了對這類存儲器進行記錄，需要預(yù)先沿著垂直于磁性層表面的方向，例如向上的方向，對磁性層進行磁化。信息的記錄是通過局部地使磁化方向逆轉(zhuǎn)來實現(xiàn)的，其方法是，在把待記錄的區(qū)域加熱到超過居里點溫度的同時，施加一個外磁場。當(dāng)重新冷卻到環(huán)境溫度時，新的磁化方向即被“凍結(jié)”。對待記錄區(qū)域的加熱一般是借助一束激光來實現(xiàn)的，而磁場是借助于諸如線圈那樣的磁場發(fā)生器來獲得的。因此，為了進行信息記錄，既可以調(diào)制激光束，也可以調(diào)制磁場發(fā)生器。
采用調(diào)制磁場發(fā)生器的解決方法呈現(xiàn)一些優(yōu)點。實際上，在向上和向下兩個磁場方向之間存在著完美的對稱性，因此在讀出信號中不含有二次諧波成分。另一方面，不論原先的磁化狀態(tài)如何，都可以進行寫入操作。從而，在寫入之前就不再需要進行擦除操作。然而，在調(diào)制磁場發(fā)生器過程中，將因有很大的消散損耗而導(dǎo)致高頻下的大能量運行。
因而，本發(fā)明的目的是，提供一種新的，用于磁光存儲器記錄的磁場調(diào)制控制電路，它能夠從根本上減少消散損耗。
本發(fā)明的另外目的是提供一種新的，用于磁光存儲器記錄的磁場調(diào)制控制電路，它有特別簡單的結(jié)構(gòu)，并能適用于待記錄信號-信息所采用的任何調(diào)制編碼形式。
因此，本發(fā)明的目的是，一種用于磁光存儲器記錄的磁場調(diào)制控制電路，其特征在于，它含有并聯(lián)安裝的如下元件一個能產(chǎn)生磁場的第一線圈，該磁場的極性由信號-信息確定;一個電容器;以及一個轉(zhuǎn)換開關(guān)電路，該轉(zhuǎn)換開關(guān)電路的打開和關(guān)閉是由一個具有確定持續(xù)時間的第一脈沖來控制的，每當(dāng)待記錄信號信息跳變時，便會產(chǎn)生此脈沖。
根據(jù)一種優(yōu)選的具體實現(xiàn)模式，為了避免能量損耗，第一脈沖的持續(xù)時間為t = πLC]]>，其中L代表線圈的電感量，C代表電容器的電容量。這樣，在電容器的端電壓為零時，也即在電容器完全被放電的時刻，將產(chǎn)生轉(zhuǎn)換開關(guān)電路的閉合脈沖。
另一方面，第一脈沖由一個單穩(wěn)電路產(chǎn)生，該電路的聯(lián)結(jié)方式使得每當(dāng)待記錄信號-信息發(fā)生跳變時便觸發(fā)一次。
根據(jù)一種優(yōu)選的具體實現(xiàn)模式，轉(zhuǎn)換開關(guān)電路至少由一個大功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管組成，在該晶體管的柵極上接收具有確定持續(xù)時間的第一脈沖。
然而，為了避免MOS晶體管漏極處的通道二極管效應(yīng)，轉(zhuǎn)換開關(guān)電路最好由兩個反向安裝的MOS晶體管組成，在它們的柵極上分別接收具有確定持續(xù)時間的第一脈沖。
根據(jù)本發(fā)明的另一個特征，磁場調(diào)制控制電路另外還包含一個激勵和保持電路。
根據(jù)一種優(yōu)選的具體實現(xiàn)模式，激勵和保持電路由一個第二線圈組成，該線圈與第一線圈安裝在同一個磁心上，并且連接在地線和兩個開關(guān)的公共點之間;這兩個開關(guān)分別與一個正電壓和一個負電壓相連，它們的打開和閉合分別由具有確定持續(xù)時間的第二和第三脈沖控制，第二脈沖由待記錄信號-信息的下降沿產(chǎn)生，而第三脈沖則由待記錄信號-信息的上升沿產(chǎn)生。
具有確定持續(xù)時間的第二和第三脈沖最好與具有確定持續(xù)時間的第一脈沖有相同的持續(xù)時間。各個脈沖都由單穩(wěn)電路產(chǎn)生。
關(guān)于本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點，將在下面對各種非限制性的具體實現(xiàn)模式所作的描述內(nèi)容中，借助于參考附圖而表現(xiàn)出來。在附圖中

圖1是按照本發(fā)明的控制電路的第一種電機實現(xiàn)模式的電路。
圖2示出電路中不同地點的電信號，以及圖3是按照本發(fā)明的控制電路的一種電子實現(xiàn)模式的電路圖。
為了簡化描述，圖中相同的元件都用相同的符號表示。
本發(fā)明的控制電路主要由一個安裝在磁心2上的第一線圈1所組成，該線圈的安裝方式使之能夠建立外磁場，以便對磁光記錄介質(zhì)進行記錄，為了簡單起見，后者沒有在圖中示出。在線圈1的兩個線端e1和e2上，分別并聯(lián)著一個電容器C和一個轉(zhuǎn)換開關(guān)電路S1。轉(zhuǎn)換開關(guān)電路S1的打開和閉合由從一個單穩(wěn)電路3所產(chǎn)生的脈沖G來控制。如圖1所示意的那樣，單穩(wěn)電路3從它的兩個輸入端接收待記錄的信號信息Sb，該信號信息是一個二值形式的信號，呈現(xiàn)低或“0”狀態(tài)和高或“1”狀態(tài)。單穩(wěn)電路3的各個接線端已經(jīng)按照人們所熟知的方式連接好，使得單穩(wěn)態(tài)電路3在信號信息每次發(fā)生跳變時都被觸發(fā)，如圖1中的符號所示。
另一方面，為了使得由線圈1組成的，產(chǎn)生磁場的電路得以激勵和保持，本發(fā)明的控制電路還包含有一個繞在磁心2上的線圈4，實際上它構(gòu)成了由線圈1和4所組成的電路的初級線圈。線圈4的一個線端e4與地線相連接，而另一個線端e′4則與兩個串聯(lián)在正電壓+V和負電壓-V之間的轉(zhuǎn)換開關(guān)S2、S3的公共點e5相連接。轉(zhuǎn)換開關(guān)S2和S3的打開和閉合由具有確定持續(xù)時間的第二和第三脈沖控制。實際上，第二和第三脈沖的持續(xù)時間和脈沖G的持續(xù)時間相同，它們在圖1中用同樣的形式來表示。第二脈沖由單穩(wěn)電路5產(chǎn)生，該電路在其輸入端上接收信號-信息Sb，并且它的各個端點的連接方式使之在信號-信息的下降沿處被觸發(fā)。轉(zhuǎn)換開關(guān)S3接收來自單穩(wěn)電路6的具有確定持續(xù)時間的脈沖。該單穩(wěn)電路6在其輸入端接收信號-信息Sb，并且它的各個端點的連接方式使之在信號的上升沿處被觸發(fā)。
現(xiàn)在參考圖2來解釋上述電路的功能。如圖2(a)所示，信號-信息Sb是一個二值信號，它由一組處于低電平“0”和處于高電平“1”的信息組成。作為例子，這種信號-信息可能具有圖2(a)所示信號的形狀。一般地說，待記錄的信息是利用非同步的二值代碼來編碼的，它有緊湊的優(yōu)點。
特別地，信號Sb被施加在單穩(wěn)電路3上。當(dāng)信號Sb從0變?yōu)?時，如時刻ta所示的那樣，單穩(wěn)電路被觸發(fā)，并發(fā)出一個規(guī)范脈沖G，也就是一個具有確定持續(xù)時間T的脈沖。在這個脈沖的持續(xù)期間，轉(zhuǎn)換開關(guān)S1被打開。于是在線圈1和轉(zhuǎn)換開關(guān)電路S1中流動的電流IS被反射到電容器C中。電容器兩端的電壓V發(fā)生振蕩，由電容器C和線圈1所組成的電路形成了一個振蕩電路。當(dāng)脈沖G結(jié)束時，開關(guān)電路S1又被閉合，從而電容器兩端的電壓變?yōu)榱?。為了避免消散損耗，選擇脈沖G的持續(xù)時間為T＝LC]]>，也就是說，使T與由電容器C和線圈1所組成的振蕩電路的半周期相對應(yīng)。這樣，開關(guān)電路S1恰好在電容器兩端電壓經(jīng)過零點的同樣瞬間被閉合，如圖2(c)所示。于是由流I被保持在線圈1中。如圖2(d)所示，這個電流是負的，從而磁化方向反轉(zhuǎn)。當(dāng)信號-信息Sb發(fā)生新的跳變時，如圖2中時刻tb所示的那樣，從電平“1”變?yōu)殡娖健?”，則單穩(wěn)電路3將產(chǎn)生一個新脈沖G，它重新打開轉(zhuǎn)換開關(guān)電路S1。于是流經(jīng)線圈的負電流IS又一次被反射到電容器C之中，并在電容器C上建立一個負電壓V，如圖2(c)所示。在線圈1中的電流以另一個方向流動，并感生出與時期ta-tb中所感生的磁場方向相反的磁場。另一方面，如圖2(e)所示，在每次跳變時，電壓VE的正、負性總是使得能夠通過線圈4而向線圈1電路注入一個補充磁通量，用來補償在跳變時和保持時所發(fā)生的消散損耗。
如圖3所示，轉(zhuǎn)換開關(guān)電路S1可以用兩個反向安裝的大功率MOS晶體管T1和T2來實現(xiàn)。也就是說，晶體管T2的漏極與晶體管T1的漏極相連，并且晶體管T1和T2的源極分別和線圈1的線端e1和e′1相連。此時，晶體管T1和T2的柵極從一個控制電路8來接收脈沖G。
該裝置8在其輸入端接收單穩(wěn)電路3的輸出Q1。單穩(wěn)電路3在其一個輸入端上接收信號信息Sb，同時單穩(wěn)電路3的輸出端Q2和其這樣一個輸入端相連，使得在每次跳變時單穩(wěn)電路3都發(fā)生振蕩。
舉例而言，線圈1的電感量為45uH，電容器C的電容量為2nF。
權(quán)利要求
1.用于磁光存儲器記錄的磁場調(diào)制控制電路，其特征在于，它含有并聯(lián)安裝的一個能產(chǎn)生其極性取決于信號-信息的磁場的第一線圈(1)，一個電容器(C)以及一個轉(zhuǎn)換開關(guān)電路(S1)，該轉(zhuǎn)換開關(guān)電路的打開和閉合是由一個具有確定持續(xù)時間的，每當(dāng)待記錄信號-信息發(fā)生跳變時就會產(chǎn)生的第一脈沖(G)來控制的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其特征在于，第一脈沖(G)的持續(xù)時間t =πLC]]>，其中L代表線圈(1)的電感量，C代表電容器(C)的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任一個的電路，其特征在于，第一脈沖是由一個在其兩個輸入端上接收待記錄信號信息(Sb)的單穩(wěn)電路(3)產(chǎn)生的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一個的電路，其特征在于，轉(zhuǎn)換開關(guān)電路至少由一個在其柵極上接收具有確定持續(xù)時間的第一脈沖的大功率MOS晶體管來組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的電路，其特征在于，轉(zhuǎn)換開關(guān)電路由兩個反向安裝的MOS晶體管(T1，T2)組成，在它們的柵極上各自接收具有確定持續(xù)時間的第一脈沖(G)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一個的電路，其特征在于，它另外還含有一個激勵和保持電路(4，5，6，S2，S3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的電路，其特征在于，激勵和保持電路是由一個和第一線圈安裝在同一個磁心上的，連接在地線和兩個開關(guān)(S2，S3)間的公共點(e5)之間的第二線圈(4)所組成，這兩個開關(guān)分別與一個正電壓(+V)和一個負電壓(-V)相連，開關(guān)的打開和閉合分別由具有確定持續(xù)時間的第二和第三脈沖來控制，第二脈沖由待記錄信號-信息的下降沿產(chǎn)生，而第三脈沖由待記錄信號-信息的上升沿產(chǎn)生。
8.根據(jù)權(quán)利要求3的電路，其特征在于，具有確定持續(xù)時間的第二和第三脈沖與具有確定持續(xù)時間的第一脈沖有相同的持續(xù)時間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7和8的電路，其特征在于，具有確定持續(xù)時間的第二和第三脈沖各自由一個單穩(wěn)電路(5，6)來產(chǎn)生。
全文摘要
本發(fā)明為一種用于磁光存儲器記錄的磁場調(diào)制控制電路。該電路含有并聯(lián)安裝的一個能產(chǎn)生其極性取決于信號-信息的磁場的第一線圈(1)，一個電容器(C)以及一個轉(zhuǎn)換開關(guān)電路(S1)，該轉(zhuǎn)換開關(guān)電路的打開和閉合是由一個具有確定持續(xù)時間的，每當(dāng)待記錄信號-信息發(fā)生跳變時就會產(chǎn)生的第一脈沖(G)來控制的。本發(fā)明適用于磁光存儲器。
文檔編號G11B11/105GK1047751SQ9010409
公開日1990年12月12日 申請日期1990年6月2日 優(yōu)先權(quán)日1989年6月2日
發(fā)明者勒于雷奧·讓-克洛德 申請人:湯姆森-Csf公司