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      光記錄介質(zhì)的制作方法

      文檔序號:6746054閱讀:187來源:國知局
      專利名稱:光記錄介質(zhì)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì),具體涉及與光盤(CD)兼容的光記錄介質(zhì),當(dāng)波長大于600nm時,該介質(zhì)具有較高的反射率,通過通用數(shù)字光盤播放器(DVDP)和光盤播放器(CDP),能夠向該介質(zhì)記錄信息并且重放所記錄的信息,同時,能夠以較低成本進(jìn)行生產(chǎn)。
      對于光記錄介質(zhì),其每記錄單位的記錄區(qū)小于常規(guī)磁記錄介質(zhì)每記錄單位的記錄區(qū),因此,光記錄介質(zhì)被用作高密度記錄介質(zhì)。光記錄介質(zhì)被分為以下幾類只讀存儲器(ROM)類型——只能重放已記錄信息的介質(zhì);寫一次和多次讀(WORM)類型——只能記錄一次,但能多次讀的介質(zhì);可重寫類型——能夠記錄、擦除和重寫的介質(zhì)。記錄在光記錄介質(zhì)上的信息應(yīng)能被ROM類型介質(zhì)的播放器重放。由此,光記錄介質(zhì)必須滿足常規(guī)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)(紅皮書),從而,要求反射率大于等于65%,載波噪音比(CNR)大于等于47dB。
      在可記錄的光記錄介質(zhì)中,能夠根據(jù)反射率變化重放記錄信息,其中反射率變化是由于記錄前后記錄層中的物理變化、相變和磁性變化造成的。同時,為了使光記錄介質(zhì)與CD兼容,要求具有長期數(shù)據(jù)存儲特性和高記錄密度,以及上述的高反射率和CNR特性。為了改進(jìn)光記錄介質(zhì)的特性,并且使其生產(chǎn)過程簡便,人們提出了由不同材料組成的不同光記錄介質(zhì),并且正在使用部分光記錄介質(zhì)。
      作為常規(guī)光記錄介質(zhì),日本公開專利公報No.showha 63-268142,公開了具有如下結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì),由明膠、酪蛋白或聚乙烯醇(PVA)組成的反光層,和作為記錄層的金屬薄片順序疊加在基片上,其中,金屬薄片由鉻(Cr)、鎳(Ni)或金(Au)組成。根據(jù)記錄介質(zhì)的光記錄原理,金屬薄片吸收照射激光束的熱量,從而感光層和金屬薄片變形,形成記錄凹坑。然而,該記錄介質(zhì)的記錄凹坑是裸露的,所以很難長期存儲記錄信息。
      美國專利No.4,973,520公開了具有如下結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì),其中三層金屬薄片疊加在基片上。該記錄介質(zhì)的記錄特性很好,然而,由于其記錄凹坑裸露,也不能長期存儲記錄信息。
      為了解決以上缺陷,美國專利No.4,983,440公開了具有如下結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì),其中作為記錄層和保護(hù)層(用于保護(hù)記錄層)的兩層金屬薄片,順序疊加在基片上。然而,該記錄介質(zhì)的反射率很低(約為20%),并且在實(shí)際使用時,需要高功率的光源。同時,該記錄介質(zhì)與常規(guī)CD不兼容。
      根據(jù)美國專利No.5,328,813,在基片上作出一層金屬薄片作為記錄層,同時在金屬薄片上作出一硬金屬氧化層,以便改進(jìn)信息存儲特性,并且將反射率增加到40-69%。然而,其CNR仍然很低。
      此外,美國專利No.5,155,723公開了具有如下結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì),其中作為記錄層的有機(jī)染料層疊加在基片上,而反射層和保護(hù)層疊加在記錄層之上。根據(jù)該記錄介質(zhì),染料層吸收用于記錄的記錄激光束,以發(fā)射熱量。通過加熱使基片受熱變形,從而,根據(jù)與記錄相對應(yīng)的反射率的差別,重放記錄信號。這里,為了與CD兼容,記錄介質(zhì)的反射率應(yīng)大于等于70%,并且記錄后的CNR應(yīng)大于等于47dB。但是,記錄介質(zhì)的記錄層具有較低的耐熱性和耐光性,此外,由于有機(jī)染料昂貴,其生產(chǎn)費(fèi)用很高。另外,在生產(chǎn)過程中,還要用有機(jī)染料溶液進(jìn)行旋轉(zhuǎn)鍍膜。然而,由于鍍膜層的厚度決定其反射率,所以在光盤的生產(chǎn)過程中,必須將鍍膜層的厚度誤差精確控制在±3%之內(nèi),并且還需要昂貴設(shè)備,其產(chǎn)量也很低。
      為了解決以上問題,本發(fā)明目的在于提供一種光記錄介質(zhì),該介質(zhì)能夠與光盤(CD)兼容,并能以較低成本提供較大產(chǎn)量。
      為實(shí)現(xiàn)以上目的,提供一種光記錄介質(zhì),該介質(zhì)包括具有預(yù)槽(pregrooves)的基片,一金屬記錄層,一緩沖層和一反射層,以上各層順序疊加在基片上,其中預(yù)槽斜面的角度(θ)為30-90°,并且緩沖層在140℃的溶解粘度為10-50,000Pa.S。
      預(yù)槽底部的寬度最好為10-450nm,預(yù)槽最高處的寬度最好為400-1,000nm,預(yù)槽的深度最好為30-450nm。
      最好緩沖層至少由一種樹脂組成,該樹脂的玻璃臨界溫度為70-130°(Tg),可從以下樹脂組中選擇。該樹脂組包括乙烯醇樹脂、乙烯基乙酸酯樹脂、丙烯酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂、纖維素樹脂、脂肪酸樹脂及其共聚物。此外,緩沖層可能包括染料,該染料在光記錄介質(zhì)的實(shí)際波長區(qū),具有較高的反射率。這里,根據(jù)緩沖層的重量,染料含量不超過30wt%。
      以下,參照


      對應(yīng)本發(fā)明最佳實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)及其特性。
      通過參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實(shí)施方式,本發(fā)明的以上目的和優(yōu)點(diǎn)將更加顯而易見。其中附圖是圖1是一剖面圖,說明對應(yīng)本發(fā)明最佳實(shí)施方式的光盤的結(jié)構(gòu);圖2是一剖面圖,說明圖1中光盤的記錄區(qū)和非記錄區(qū);圖3是一個圖形,說明與圖1中光盤緩沖區(qū)厚度對應(yīng)的反射率變化;圖4是一個圖形,說明與圖1中光盤記錄功率對應(yīng)的CNR變化。
      參照圖1,圖1說明對應(yīng)本發(fā)明最佳實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu),光記錄介質(zhì)包括基片10、金屬記錄層20、緩沖層30、反射層40和保護(hù)層50,其中后四層順序疊加在基片10上。
      在具有以上結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)中,在光記錄期間,激光束加熱金屬記錄層20,同時,熱量傳送到基片10和緩沖層30。與金屬記錄層20的受熱區(qū)域相鄰的基片10的區(qū)域膨脹變形,由于基片的張力,金屬記錄層20的受熱區(qū)域朝緩沖層30膨脹。
      圖2是一剖面圖,詳細(xì)說明記錄區(qū)和非記錄區(qū),這些區(qū)域建立在對應(yīng)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)上。如圖2所示,在記錄區(qū),由于受熱基片向上膨脹,緩沖層變形,所以反射層也變形。這里,變形度與金屬記錄層產(chǎn)生的熱量成正比,并依賴于金屬記錄層和緩沖層的材料及其厚度。
      在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中,與非記錄區(qū)相比,在記錄期間記錄區(qū)的反射率增加以下部分。
      如圖2所示,第一,由于在記錄期間基片的張力,緩沖層的厚度由d1變薄到d2。這里,反射率根據(jù)圖3所示的緩沖層厚度改變,所以反射率增加了緩沖層厚度的減少量。即,通過記錄緩沖層的初始厚度由d1減少到d2,所以,在記錄之后反射率增加。這里,反射率的增加量依賴于金屬層的厚度。
      第二,在記錄期間,由于基片的張力使預(yù)槽底部膨脹,所以減少了預(yù)槽的深度,從而減少了從預(yù)槽側(cè)壁散射的反射光Rw。反之,增加了從反射層底部反射的反射光Rr或者從預(yù)槽底部反射的反射光Rg。因此,在記錄之后反射率增加。
      第三,增加了金屬記錄層記錄區(qū)的透光度。即,記錄區(qū)的中心膨脹最大,所以金屬記錄層中心的厚度可能變薄或者形成一個孔,從而,在記錄區(qū)增加了反射率。
      根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)和在記錄區(qū)增加的上述部分的反射率,為了改進(jìn)記錄特性,如CNR、串?dāng)_即抖動,綜合考慮基片預(yù)槽的尺寸和形狀以及緩沖層材料。
      即,由于基片的張力,緩沖層材料朝凸區(qū)伸展,從而改變了凸區(qū)的形狀。這里,凸區(qū)形狀變化作為記錄信號噪聲,所以增加了抖動。為了防止抖動,預(yù)槽斜面角(圖2中的θ)應(yīng)控制在30°-90°之內(nèi),最好接近90°,并且應(yīng)增加預(yù)槽的底部區(qū)域。另外,緩沖層應(yīng)具有適宜的粘度,以防止將緩沖層推出。
      此外,在記錄期間,由金屬(該金屬在激光波長具有光譜吸收)構(gòu)成的金屬記錄層20產(chǎn)生熱量,以加熱基片和緩沖層,從而使基片和緩沖層變形。另一方面,利用金屬記錄層反射的反射光Rg′重放記錄信息。所以,為了能夠充分傳播和具有較低的熱導(dǎo)率,金屬記錄層最好由高反射率、高吸收系數(shù)的金屬構(gòu)成。更可取的是,采用其復(fù)數(shù)折射率的虛部系數(shù)為k的金屬,其中,k大于等于0.01。(這里,折射率表示復(fù)數(shù)折射率,用“n-ki”表示,其中,n是實(shí)部系數(shù),k是虛部系數(shù),在某一波長,k=0表示不吸收。)以下,將詳細(xì)說明與本發(fā)明相對應(yīng)的光記錄介質(zhì)的各要素層的所需特性。
      根據(jù)本發(fā)明,在光記錄介質(zhì)基片10的一面,作出用于在記錄期間引導(dǎo)光線的預(yù)槽,其中,預(yù)槽的形狀是影響反射率和跟蹤特性的因素。
      預(yù)槽的深度最好為30-450nm。如果預(yù)槽的深度小于等于30nm,則在緩沖層反射的預(yù)槽深度(凹線圖象(groove image))較小,所以在凸面與預(yù)槽面之間的反射率之差減小,從而使得跟蹤不穩(wěn)定。反之,如果預(yù)槽的深度大于等于450nm,則緩沖層和反射層之間的邊界在預(yù)槽面(深凹線圖象)深深凹進(jìn),引起光線散射。因此,在記錄之前反射率很低,所以不可能記錄其自身。
      此外,預(yù)槽底部的寬度最好為10-450nm,預(yù)槽最高處的寬度最好為400-1,000nm,預(yù)槽斜面的角度(θ)最好為30°-90°,更可取的是接近90°。為了防止基片的張力使預(yù)槽輕易變形,減小記錄信號噪聲,相對于預(yù)槽底部,預(yù)槽的兩面應(yīng)接近正交,并且預(yù)槽的底部應(yīng)該較寬。
      基片材料最好采用聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、環(huán)氧樹脂、聚酯或非晶聚烯烴(polyolefin),這些材料相對激光束是透明的,并且受熱能使其膨脹變形,具有優(yōu)良的緩沖強(qiáng)度和80-120℃(更可取的是100-200℃)的玻璃臨界溫度(Tg)。
      根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的金屬記錄層20,通過吸收記錄激光束作為熱量產(chǎn)生層,同時,記錄層還作為部分鏡象用于提供記錄前后的對比度差異。因此,金屬記錄層的厚度最好為30-300埃其透射率最好為5-95%,其反射率最好為5-95%。如果其厚度小于等于30埃,則對于記錄而言,通過光譜吸收產(chǎn)生的熱量不足以使基片變形。反之,如果其厚度超過300埃,則對于記錄而言,金屬記錄層將妨礙基片膨脹,所以,記錄部分的變形較小。當(dāng)金屬記錄層變厚時,則在金屬記錄層產(chǎn)生顯著反射以使光線散射。因此,很難獲得較高的反射率。此外,金屬記錄層的熱導(dǎo)率最好小于等于4W/cm℃。如果金屬記錄層的熱導(dǎo)率超過4W/cm℃,則由激光束加熱的記錄層不能容納熱量,而記錄層的熱量很快傳遞到周圍環(huán)境,所以很難將記錄層加熱到所需溫度或更高。即使將記錄層加熱到設(shè)計溫度,由于增加了記錄凹坑的尺寸,相鄰磁道也可能變形。此外,金屬記錄層的熱力線膨脹系數(shù)最好大于等于3×10-6/℃。如果線膨脹系數(shù)小于以上標(biāo)準(zhǔn),對記錄而言,由基片變形而引起的張力將使金屬記錄層裂解,所以不能得到好的記錄信號值。采用真空淀積法、電子束法或?yàn)R射法,由金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鐵(Fe)或其合金組成金屬記錄層。
      緩沖層幾乎不吸收記錄光線,并將緩沖基片的張力以減少緩沖層的變形。該緩沖層由能夠輕易變形并具有適宜流度的材料構(gòu)成,以緩沖基片和金屬記錄層的變形。
      因此,對于緩沖層材料而言,其在140℃的溶解粘度最好為10-50,000Pa.S。如果其溶解粘度小于等于10Pa.S,則由于基片的張力,緩沖層將嚴(yán)重變形,引起其凸面的顯著變形,從而產(chǎn)生劣質(zhì)記錄信號。反之,如果其溶解粘度超過50,000Pa.S,則緩沖層將不能執(zhí)行其固有的緩沖功能。
      此外,緩沖層材料的玻璃臨界溫度(Tg)最好為70-130℃,更可取的是,低于基片的玻璃臨界溫度。如果緩沖層的玻璃臨界溫度(Tg)小于等于70℃,則將降低數(shù)據(jù)的長期穩(wěn)定性。反之,如果其玻璃臨界溫度(Tg)大于等于130℃,則將妨礙基片變形,降低記錄感光性。
      緩沖層至少由一種樹脂組成,該樹脂可以從以下樹脂組中選擇,該樹脂組包括乙烯醇樹脂、乙烯基乙酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂、纖維素樹脂、脂肪酸樹脂。
      此外,緩沖層可能包括具有較高折射率的材料,如染料,以增加記錄后的對比度。這里,染料含量最好小于等于30wt%。如果含量超過30wt%,則反射率將減少光譜吸收量,同時造成經(jīng)濟(jì)損失。通常,通過在有機(jī)溶液中溶解緩沖材料,然后用該溶液進(jìn)行旋轉(zhuǎn)鍍膜以產(chǎn)生緩沖層。這里,必須采用能夠輕易溶解緩沖材料而不損壞基片的有機(jī)溶液。
      如圖3所示,緩沖層的厚度最好設(shè)置為d1,即50-1,000nm,以提供不低于40%的反射率。
      可以從以下金屬,即,Au、Al、Ag、Cu、Pd、Pt、Ti、Ta、Cr、Ni、Fe及其合金組成的組中選擇一種金屬,最好從Au、Al、Cu、Cr及其合金組成的組中選擇該金屬,通過真空淀積法或?yàn)R射法,構(gòu)造厚度為50-1,500埃的反射層。
      保護(hù)層50保護(hù)光記錄介質(zhì)的其他要素層。可用一般方法構(gòu)造保護(hù)層50。例如,通過用環(huán)氧丙烯酸酯樹脂旋轉(zhuǎn)鍍膜,然后通過照射紫外線固化旋轉(zhuǎn)鍍膜產(chǎn)品,以構(gòu)造保護(hù)層50,其中環(huán)氧丙烯酸酯樹脂是透明的、能夠用紫外線固化并具有很大的緩沖強(qiáng)度。
      根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有以上結(jié)構(gòu),熱量產(chǎn)生部分(通過吸收激光束產(chǎn)生熱量)受限于金屬記錄層,所以,不使用染料,通過綜合基片預(yù)槽特性和緩沖層特性改進(jìn)記錄特性,提高產(chǎn)量。此外,由于當(dāng)波長大于等于600nm時,具有較高的反射率,所以該種光記錄介質(zhì)能夠與CD兼容。
      以下,將參照如下示例詳細(xì)說明本發(fā)明。但本發(fā)明并不限于以下示例。
      示例1在厚度為1.2mm的聚碳酸酯(PC)基片上,疊加通過真空離解厚度為10nm的鋁(Al)記錄層,其中基片上預(yù)槽的深度為153nm,預(yù)槽最上部的寬度為0.5μm,其底部寬度為0.25μm,其斜面角度(θ)為50°并且其磁道間距為1.6μm。隨后,通過在10ml雙丙酮醇(DAA)中溶解0.9g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,MW=9,000,在140℃的溶解粘度為20,000Pa.S)得到鍍膜液,利用以上鍍膜液,以2,000rpm的速度在Al記錄層上旋轉(zhuǎn)鍍膜制作緩沖層。這里,與預(yù)槽面相對應(yīng)的緩沖層的厚度(由掃描式電子顯微鏡測得),大約為220nm。在真空爐中以40℃的溫度烘干以上合成裝置之后,將Al真空淀積到大約1,000以制作反射層。然后,在反射層上旋轉(zhuǎn)鍍膜能由紫外線固化的環(huán)氧丙烯酸鹽樹脂,并固化形成保護(hù)層,最終形成與本發(fā)明相對應(yīng)的光盤類型的光記錄介質(zhì)。
      對以上獲得的光盤的檢測(使用的檢測設(shè)備采用780nm的激光束)結(jié)果為,對于采用8mW記錄功率、720kHz調(diào)諧、以1.3m/sec的記錄速度記錄的光盤,在記錄之前的反射率為45%,最大反射率Rtop為66%,采用0.7mW的記錄激光功率,CNR為55dB。在以上記錄條件下,如圖4所示,用不小于4mW的記錄功率重放47dB或更大CNR的記錄信號。此外,使用CD-R記錄器(先鋒RPD-1000)在光盤上記錄音頻信號之后,能夠使用CD播放器(飛利浦Mark II)重放所記錄的音頻信號。根據(jù)該光盤的記錄特性,通過用CD-CATS(Audio Development Co.,瑞典)檢測,所有檢測項(xiàng)目滿足CD標(biāo)準(zhǔn)。此外,當(dāng)波長為650nm時,該光盤的反射率為54%,同時,通過通用數(shù)字光盤播放器(DVDP)可以重放記錄在該光盤上的信息。
      示例2除了用厚度為11m的CuAl材料替代金屬記錄層外,按照例1所示的相同方法生產(chǎn)光盤類型的光記錄介質(zhì),同時,檢測該光盤的性能。
      對于采用8mW記錄功率、720kHz調(diào)諧、以1.3m/sec的記錄速度記錄的光盤,在記錄之前的反射率為47%,平均反射率和最大反射率Rtop分別為59%和66%,采用0.7mW的記錄激光功率,CNR為57dB。此外,使用CD-R記錄器(先鋒RPD-1000)在光盤上記錄音頻信號之后,能夠使用CD播放器(飛利浦Mark II)重放所記錄的音頻信號。根據(jù)該光盤的記錄特性,通過用CD-CATS(Audio Development Co.,瑞典)檢測,所有檢測項(xiàng)目滿足CD標(biāo)準(zhǔn)。此外,當(dāng)波長為650nm時,該光盤的反射率為51%,同時,通過DVDP可以重放記錄在該光盤上的信息。
      示例3除了向緩沖層添加0.5wt%染料(Red CV-S 300,ICI Co.,當(dāng)波長為780nm時其折射率為(n)=2.2)外,按照例1所示的相同方法生產(chǎn)光盤類型的光記錄介質(zhì)。
      對于采用8mW記錄功率、720kHz調(diào)諧、以1.3m/sec的記錄速度記錄的光盤,在記錄之前的反射率為43%,平均反射率和最大反射率Rtop分別為59%和65%,采用0.7mW的記錄激光功率,CNR為59dB。在以上記錄條件下,如圖4所示,用不小于4mW的記錄功率重放47dB或更大CNR的記錄信號。此外,使用CD-R記錄器(先鋒RPD-1000)在光盤上記錄音頻信號之后,能夠使用CD播放器(飛利浦Mark II)重放所記錄的音頻信號。根據(jù)該光盤的記錄特性,通過用CD-CATS(Audio Development Co.,瑞典)檢測,所有檢測項(xiàng)目滿足CD標(biāo)準(zhǔn)。此外,當(dāng)波長為650nm時,該光盤的反射率為47%,同時,通過DVDP可以重放記錄在該光盤上的信息。
      示例4除了其基片上預(yù)槽的深度為250nm,預(yù)槽最上部的寬度為0.6μm,其底部寬度為0.3μm,其斜面角度(θ)為61°,并且通過在10ml雙丙酮醇(DAA)中溶解1.3g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,MW=9,000,在140℃的溶解粘度為20,000Pa.S)準(zhǔn)備鍍膜液外,按照例1所示的相同方法生產(chǎn)光盤類型的光記錄介質(zhì)??梢杂肅DP和DVDP重放采用CD-R記錄器在該光盤上記錄的音樂。當(dāng)波長為780nm時,最大反射率Rtop為71%,當(dāng)波長為650nm時,反射率為51%。
      對比示例1通過在100ml DAA中溶解4.4g N,N′-2,5-環(huán)己二烯-1,4-雙內(nèi)鎓鉍[4-(二丁基氨基)-N-[4-(二丁基氨基)苯基]-雙[(OC-6-11)-六氟-銻酸鹽(10)](N,N′-2,5-cyclohexadien-1,4-diylidenbis[4-(dibutylamino)-N-[4-(dibutylamino)phenyl]-bis[(OC-6-11)-hexafluoro-antimonate(10)])(NK-3219,Nippon Kanko Shinko Kenkusho CO.,Ltd.,λmax=720nm)獲得染料溶液,如示例1所示,將以上溶液使用旋轉(zhuǎn)鍍膜(依次以50rpm的速度持續(xù)5秒,以1,500rpm的速度持續(xù)15秒,以4,000rpm的速度持續(xù)30秒)淀積到相同基片上,隨后,徹底烘干。然后,采用濺射法制作厚度為100nm的Au反射層。在Au反射層淀積紫外線固化樹脂之后,通過照射紫外線固化以上合成裝置,制作厚度為10μm的保護(hù)層。對于采用8mW記錄功率、720kHz調(diào)諧、以1.3m/sec的記錄速度記錄的光盤,最大反射率Rtop為66%,采用0.7mW的記錄激光功率,CNR為65dB。然而,當(dāng)波長為650nm時,反射率為15%,所以,不能通過DVDP播放該光盤。
      對比示例2除了其基片上預(yù)槽的深度為90nm,預(yù)槽最上部的寬度為0.6μm,其底部寬度為0.08μm,其斜面角度(θ)為19°并且其磁道間距為1.6μm外,按照示例1所示的相同方法生產(chǎn)光盤類型的光記錄介質(zhì)。采用檢測設(shè)備(Apex)檢測的結(jié)果為,對于采用8mW記錄功率、以1.3m/sec的記錄速度記錄的光盤,在記錄之前的反射率為50%,CNR和平均反射率分別為50dB和66%。在使用EFM進(jìn)行記錄之后,由于其凸面嚴(yán)重變形,所以不能觀測到清晰的視圖,同時,也不能回放所記錄的音頻信號。
      對比示例3除了使用0.6g PMMA(MW=38,000,在140℃的溶解粘度為200,000Pa.S)制作緩沖層外,按照示例1所示的相同方法生產(chǎn)光盤類型的光記錄介質(zhì),并在示例1所示的相同條件下進(jìn)行記錄。記錄之前的反射率為52%,記錄之后的平均反射率和CNR分別為55%和45dB。此外,圖形不清晰,并且不能回放使用CD-R記錄器記錄的音頻信號。
      如上所述,本發(fā)明的光記錄介質(zhì)能夠與CD兼容,并且,由于當(dāng)波長為650nm或更長時,其具有較高的反射率,所以通過DVDP能夠重放記錄在光記錄介質(zhì)上的信息。此外,由于很少使用染料,借助較高產(chǎn)量降低了生產(chǎn)成本。
      權(quán)利要求
      1.一種光記錄介質(zhì),包括具有預(yù)槽的基片、金屬記錄層、緩沖層和反射層,后三層順序疊加在基片上,其中預(yù)槽斜面的角度(θ)為30-90°,并且緩沖層在140℃的溶解粘度為10-50,000Pa.S。
      2.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中預(yù)槽底部的寬度為10-450nm,預(yù)槽最高處的寬度為400-1,000nm,預(yù)槽的深度為30-450nm。
      3.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中當(dāng)波長為600-800nm時,該光記錄介質(zhì)的反射率為40%或更高。
      4.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中在反射層之上制作保護(hù)層。
      5.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中基片是從以下樹脂組中選擇一種樹脂制作的,該樹脂組包括聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂和非晶聚烯烴樹脂。
      6.權(quán)利要求5的光記錄介質(zhì),其中基片的玻璃臨界溫度(Tg)為80-200℃。
      7.權(quán)利要求6的光記錄介質(zhì),其中基片的玻璃臨界溫度(Tg)為100-200℃。
      8.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中在記錄之后,光記錄介質(zhì)的反射率增加。
      9.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中至少基片、金屬記錄層和緩沖層三者之一具有變形部分。
      10.權(quán)利要求9的光記錄介質(zhì),其中基片和金屬記錄層具有變形部分,與變形部分相對應(yīng)的緩沖層部分的厚度降低。
      11.權(quán)利要求9的光記錄介質(zhì),其中基片、金屬記錄層和緩沖層具有相互對應(yīng)的變形部分。
      12.權(quán)利要求11的光記錄介質(zhì),其中反射層具有與緩沖層變形部分相對應(yīng)的變形部分。
      13.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中金屬記錄層的厚度為30-300埃,其復(fù)數(shù)折射率的虛部系數(shù)k大于等于0.01。
      14.權(quán)利要求13的光記錄介質(zhì),其中金屬記錄層是由熱導(dǎo)率小于等于4W/cm℃的金屬制作的。
      15.權(quán)利要求14的光記錄介質(zhì),其中該金屬包括從以下金屬組中選擇的一種金屬,該金屬組包括金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鐵(Fe)及其合金。
      16.權(quán)利要求1的光記錄層,其中緩沖層的厚度為50-1,000nm。
      17.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中緩沖層的玻璃臨界溫度(Tg)為70-130°。
      18.權(quán)利要求17的光記錄介質(zhì),其中緩沖層至少包括一種從以下樹脂組中選擇的樹脂,該樹脂組包括乙烯醇樹脂、乙烯基乙酸酯樹脂、丙烯酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂、纖維素樹脂、脂肪酸樹脂及其共聚物。
      19.權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì),其中,根據(jù)緩沖層的重量,緩沖層包括不超過30wt%的染料。
      全文摘要
      提供一種光記錄介質(zhì)。該光記錄介質(zhì)包括具有預(yù)槽的基片、金屬記錄層、緩沖層、反射層和保護(hù)層,后四層順序疊加在基片上,其中預(yù)槽斜面的角度(θ)為30—90°,并且緩沖層在140℃的溶解粘度為10—50,000Pa·S。由于當(dāng)波長大于600nm時,具有較高的反射率,因此,該光記錄介質(zhì)能夠與CD兼容,可以由DVDP播放,同時不使用染料,以較低的成本進(jìn)行生產(chǎn)。
      文檔編號G11B7/0045GK1180225SQ9711581
      公開日1998年4月29日 申請日期1997年8月14日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月10日
      發(fā)明者閔慶璇, 李修衡, 許永宰 申請人:三星電子株式會社
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