專利名稱：：光信息記錄介質(zhì)、其制造方法以及利用該介質(zhì)的信息記錄再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種使用激光等的光學(xué)手段，能夠以高密度和高速度進(jìn)行信息記錄和再現(xiàn)的光學(xué)記錄信息介質(zhì)及其制造方法，以及利用該介質(zhì)的光學(xué)信息記錄再現(xiàn)方法。作為能夠大容量記錄信息，并且能夠高速度地進(jìn)行再現(xiàn)和改寫(xiě)的介質(zhì)，已知的有光磁記錄介質(zhì)和相變型記錄介質(zhì)。這些便攜的大容量記錄介質(zhì)在高度信息化的社會(huì)中被認(rèn)為在今后將有日益增長(zhǎng)的需求。另外，隨著應(yīng)用上的高功能化、操作上的圖象信息高性能化可望高容量化和高速度化。這些光記錄介質(zhì)是通過(guò)使用激光進(jìn)行局部照射來(lái)使記錄材料發(fā)生光學(xué)特性的差異，然后利用這種差異來(lái)進(jìn)行記錄的。例如，光磁記錄介質(zhì)是通過(guò)不同的磁化狀態(tài)來(lái)使反射光偏振面的旋轉(zhuǎn)角發(fā)生差異，然后利用這種差異來(lái)進(jìn)行記錄的。相變型記錄介質(zhì)是利用特定波長(zhǎng)的光所產(chǎn)生的反射光量來(lái)使結(jié)晶狀態(tài)和非晶體狀態(tài)發(fā)生差異，然后利用這種差異來(lái)進(jìn)行記錄的。相變型記錄介質(zhì)能夠通過(guò)調(diào)節(jié)激光的輸出功率來(lái)同時(shí)地進(jìn)行記錄擦除與記錄改寫(xiě)，因此具有能高速地改寫(xiě)信息信號(hào)的優(yōu)點(diǎn)。圖5和圖6中示出了光記錄介質(zhì)的層狀結(jié)構(gòu)的實(shí)例。作為基板101，可以使用聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的樹(shù)脂、玻璃等。有時(shí)在基板上形成一種能夠引導(dǎo)激光的導(dǎo)溝。作為記錄層103，可以使用一種能夠改變光學(xué)特性不同的狀態(tài)之間的材料，例如，在改寫(xiě)型的相變型光記錄介質(zhì)的情況下，可以使用以Te、Se為主成分的硫化物類材料。保護(hù)層102、104、106能夠起防止記錄層材料的氧化、蒸發(fā)或變型等記錄層的保護(hù)功能。另外，由于可以通過(guò)調(diào)節(jié)保護(hù)層的膜厚來(lái)調(diào)節(jié)光學(xué)介質(zhì)的吸收率以及記錄部分與擦除部分之間的反射率差異，因此它也具有調(diào)節(jié)介質(zhì)光學(xué)特性的功能。作為構(gòu)成保護(hù)層材料的條件，不但要滿足上述目的，并且與記錄材料或基板都要有良好的粘合性，而且必須要求保護(hù)層本身是一種不產(chǎn)生裂紋的和耐氣候性良好的覆膜。作為保護(hù)層的材料，人們提出使用ZnS等硫化物；SiO2、Ta2O5、Al2O3等氧化物；Si3N4、AlN等氮化物；SiON、AlON等氮氧化物；碳化物；氟化物等電介質(zhì)或這些物質(zhì)的適當(dāng)?shù)慕M合。過(guò)去，特別適用的材料是膜應(yīng)力小而且它與記錄層的粘附性優(yōu)良的ZnS-SiO2。如圖5所示，保護(hù)層102和104通常配置在記錄層的兩側(cè)。另外，如圖6所示，也有人提出將保護(hù)層分成102和106兩層，通過(guò)使用不同的材料來(lái)構(gòu)成這兩層保護(hù)層來(lái)改善與基板的粘合性和信息反復(fù)記錄的特性。在記錄層103上介于保護(hù)層104形成反射層105。反射層105是為了達(dá)到散熱效果和使記錄層能有效地進(jìn)行光吸收的目的而設(shè)置的，并不是必需的膜層。對(duì)于反射層，可以使用Au、Al、Cr等金屬或者這些金屬的合金。另外，雖然圖中沒(méi)有示出，但是，為了達(dá)到防止光學(xué)信息記錄介質(zhì)氧化和防止塵埃等物質(zhì)附著的目的，一般采用在反射層105上形成表面覆蓋層的結(jié)構(gòu)，或者采用以紫外線固化樹(shù)脂作為粘合劑來(lái)粘合樣品基板的結(jié)構(gòu)。在適用于記錄層103的材料之中，Ge-Sb-Te類材料具有優(yōu)良的改寫(xiě)特性和耐氣候性，因此人們一直對(duì)它進(jìn)行積極的研究開(kāi)發(fā)。例如，在特開(kāi)昭61-89889號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種以通式Ge(1-x)Sb4-xTe(1-5x)(其中，0＜X＜1)表示的記錄材料。這種記錄材料在被光束照射時(shí)會(huì)發(fā)生由非晶狀態(tài)向結(jié)晶狀態(tài)的相變，因此顯示出較大的反射率變化。另外，這種記錄材料，其結(jié)晶化轉(zhuǎn)變溫度低，而且結(jié)晶化所需的光能也小，因此它是一種可以使記錄高靈敏度化的材料。然而在該公報(bào)中沒(méi)有考慮到伴隨著在結(jié)晶狀態(tài)與非晶狀態(tài)之間的相變對(duì)信息信號(hào)進(jìn)行反復(fù)記錄的情況。另外，在特開(kāi)昭62-53886號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種以通式(SbxTe(1-x))Ge(1-y)(其中，x=0.05～0.7,y=0.4～0.8)表示的記錄材料。另外，其中還公開(kāi)了將激光照射到由上述材料構(gòu)成的記錄層上可引起透過(guò)率減少量的變化的實(shí)例。然而，即使在該公報(bào)中也沒(méi)有討論到上述的變化是否為可逆的，以及記錄的擦除是否反復(fù)。另外，在特開(kāi)昭62-196181號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種使用Ge-Sb-Te類記錄材料來(lái)進(jìn)行記錄內(nèi)容改寫(xiě)的技術(shù)。該公報(bào)公開(kāi)了這樣的事實(shí)，也就是形成一種以Ge23Sb46Te31為中心組成的GeSbTe層，再在該膜層上覆蓋SiO2、AlN等的保護(hù)層，然后通過(guò)改變照射到其上面的半導(dǎo)體激光(830nm)的功率，就能使反射率發(fā)生可逆的變化，然而，在該報(bào)告中也沒(méi)有討論到反復(fù)記錄的情況。而且也沒(méi)有記載在使激光波長(zhǎng)改變成680mnm以下那樣的短波長(zhǎng)時(shí)是否限定記錄層的組成。然而，在將以Ge-Sb-Te為主成分的材料作為記錄層使用的情況下，隨著激光波長(zhǎng)的縮短，使該記錄層在非晶狀態(tài)下的光學(xué)常數(shù)與在結(jié)晶狀態(tài)下的光學(xué)常數(shù)之差變小，從而使得反射率等光學(xué)特性的差異也變小了。結(jié)果，由于信號(hào)的調(diào)制度變小而使可能寫(xiě)入的密度受到限制，這是該材料存在的問(wèn)題。過(guò)去，通常作為Ge-Sb-Te類記錄膜材料使用的組成是在化學(xué)理論量為Ge2Sb2Te2附近的組成中添加了適量的Sb而構(gòu)成的。這是由于，當(dāng)時(shí)人們認(rèn)為，如果采用接近于化學(xué)理論量的組成，當(dāng)然記錄的重復(fù)特性就優(yōu)良。另一方面，為了提高信號(hào)的調(diào)制度，在使用一種在GeTe-Sb2Te3直線上靠近GeTe一側(cè)組成的情況下，確實(shí)可以使其在非晶狀態(tài)下的光學(xué)常數(shù)與在結(jié)晶狀態(tài)下的光學(xué)常數(shù)之差增大。然而，在使用符合化學(xué)理論量并靠近GeTe一側(cè)的組成時(shí)，記錄反復(fù)進(jìn)行的性能變差。一般可以認(rèn)為，這就是造成采用偏離上述化學(xué)理論量的組成之起因。本發(fā)明的目的是要解決上述的問(wèn)題和達(dá)到高密度的記錄，為此提供一種即使在激光短波長(zhǎng)化的情況下，也能使調(diào)制度增大并能有效地進(jìn)行記錄再現(xiàn)，而且其重復(fù)特性也優(yōu)良的光學(xué)信息記錄介質(zhì)及其制造方法，以及一種使用該光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息記錄再現(xiàn)方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的特征在于，含有光學(xué)特性能夠可逆地變化的記錄層和緊接在上述記錄層上的防擴(kuò)散層，上述記錄層至少含有Ge、Te和Sb三種元素，而且上述三種元素的組成比在GeSbTe的三元組成圖中處于被A(Ge50Te50)、B(Ge22.5Sb22.0Te55.5)、C(Ge17.0Sb41.5Te41.5)、D(Ge48.0Sb26.0Te26.0)、E(Ge65Te35)各點(diǎn)包圍的范圍內(nèi)(其中，各元素符號(hào)之后的數(shù)據(jù)表示原子％)。上述的防擴(kuò)散層含有從氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物和氟化物中選擇的至少一種物質(zhì)作為主成分。這樣就能使非晶態(tài)部與結(jié)晶部的光學(xué)特性差異增大，并且能夠獲得一種信息記錄的反復(fù)次數(shù)優(yōu)良的介質(zhì)。這種記錄介質(zhì)由于在其記錄層中使用的材料具有上述范圍的組成，這種組成不同于過(guò)去多數(shù)采用的在化學(xué)理論量組成Ge2Sb2Te2附近的組成，同時(shí)，由于將具有這種組成的記錄層與具有上述特定成分的防擴(kuò)散層組合起來(lái)，因此使得這種記錄介質(zhì)成為一種光學(xué)特性的差異大，同時(shí)其記錄的重復(fù)特性也優(yōu)良的記錄介質(zhì)。這樣，按照本發(fā)明，由于合并使用一種具有與過(guò)去被認(rèn)為是優(yōu)良的組成不同組成的記錄層和使用不容易引起硫擴(kuò)散的成分作為主成分的防擴(kuò)散層，因此即使在激光短波長(zhǎng)化的情況下也能實(shí)現(xiàn)一種調(diào)制度大而且可以有效地進(jìn)行重復(fù)記錄的記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法的特征在于，該方法包含形成一層光學(xué)特性可逆變化的記錄層的成膜工序，以及形成緊接于上述記錄層的防擴(kuò)散層的成膜工序，在形成上述的記錄層時(shí)，使用至少含有Ge、Te和Sb三種元素，并且它們的組成比在GeTeSb的三元組成圖中處于被上述A、B、C、D、E各點(diǎn)包圍內(nèi)的材料作為靶子通過(guò)濺射來(lái)成膜，在形成上述防擴(kuò)散層時(shí)，使用含有從氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物和氟化物中選擇的至少一種物質(zhì)作為主成分的材料來(lái)成膜。這樣就能制造一種非晶態(tài)部和結(jié)晶部的光學(xué)特性差異大，并且反復(fù)記錄特性優(yōu)良的介質(zhì)。另外，本發(fā)明的信息記錄再現(xiàn)方法是一種使用下述光學(xué)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行信息記錄再現(xiàn)的方法，所說(shuō)光學(xué)信息介質(zhì)含有光學(xué)特性能夠可逆地變化的記錄層和緊接在上述記錄層上的防擴(kuò)散層，上述的記錄層至少含有Ge、Te和Sb三種元素，上述三種元素的組成比在GeTeSb的三元組成圖中處于被上述A、B、C、D、E各點(diǎn)包圍的范圍內(nèi)；上述的防擴(kuò)散層含有從氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物和氟化物中選擇的至少一種物質(zhì)作為主成分，其特征在于，通過(guò)使用一種由光學(xué)系統(tǒng)縮小至微小光斑的激光來(lái)照射時(shí)，以能夠使上述記錄層中局部的一部分發(fā)生朝向非晶態(tài)進(jìn)行可逆變化的非晶態(tài)生成功率級(jí)作為P1，通過(guò)上述激光照射以能夠使其朝向結(jié)晶態(tài)進(jìn)行可逆變化的結(jié)晶態(tài)生成功率級(jí)作為P2，以一種比上述P1、P2中任一個(gè)功率級(jí)都低，并且不會(huì)由于上述的激光照射而使上述記錄層的光學(xué)狀態(tài)受到影響，而且為了使其通過(guò)照射而使記錄再現(xiàn)獲得足夠反射的再現(xiàn)功率級(jí)作為P3，在此定義下，通過(guò)使上述激光的功率在P1和P2之間變動(dòng)來(lái)進(jìn)行信息的記錄，擦除或?qū)懮?，通過(guò)照射一種功率級(jí)為P3的激光來(lái)進(jìn)行信息的再現(xiàn)。這樣，利用上述光學(xué)信息記錄介質(zhì)的特性，可以在高密度記錄的條件下進(jìn)行記錄再現(xiàn)和改寫(xiě)。下面根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行更具體的解釋。圖1中示出了作為本發(fā)明光學(xué)信息記錄介質(zhì)一種方案的光盤層狀結(jié)構(gòu)的例子，如圖1所示，所說(shuō)的光盤是在基板1上面順次地層疊保護(hù)層2、第一防擴(kuò)散層7、記錄層3、第二防擴(kuò)散層8和反射層5而構(gòu)成。防擴(kuò)散層7、8是為了防止記錄層3和與其相鄰的膜層之間的原子擴(kuò)散而設(shè)。按照?qǐng)D1所示的方案，防擴(kuò)散層7、8緊接在記錄層3的兩個(gè)側(cè)面上形成。但是也可以將防擴(kuò)散層只在記錄層3的任一側(cè)表面上形成。在只設(shè)置一層防擴(kuò)散層的情況下，最好是在熱負(fù)荷較大的記錄層界面上，也就是在符號(hào)的形成或擦除時(shí)溫升較高的記錄層界面上設(shè)置。所說(shuō)的這個(gè)界面多數(shù)是激光入射側(cè)的界面。但是，為了更有效地抑制在記錄層與保護(hù)層之間的原子擴(kuò)散，最好是將防擴(kuò)散層設(shè)置在記錄層的兩側(cè)。另外，在保護(hù)層中含有硫或硫化物的情況下，防擴(kuò)散層的防擴(kuò)散效果特別顯著。另外，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)不限定于上述那樣的層狀結(jié)構(gòu)，它可以適用于各種層狀結(jié)構(gòu)。作為這樣的層狀結(jié)構(gòu)，例如可以舉出在圖1所示的層狀結(jié)構(gòu)中，在防擴(kuò)散層8與反射層5之間設(shè)置有由其他材料(例如第二保護(hù)層)組成的膜層的結(jié)構(gòu)、保護(hù)層2完全被防護(hù)散層7的材料置換的結(jié)構(gòu)、在基板1和保護(hù)層2之間設(shè)置有新膜層的結(jié)構(gòu)、將反射層5做為雙層的結(jié)構(gòu)等、作為基板1，可以使用聚碳酸酯、PMMA等的樹(shù)脂、玻璃等。也可以在基板上形成用于引導(dǎo)激光的導(dǎo)溝。設(shè)置保護(hù)層2的目的是為了保護(hù)記錄膜、提高與基板的粘合性、調(diào)節(jié)介質(zhì)的光學(xué)特性等。作為保護(hù)層2的材料，可以使用ZnS等的硫化物；SiO2、Ta2O5、Al2O3等的氧化物；GeN、Si3N4、AlN等的氮化物；GeON、SiON、AlON等的氮氧化物；碳化物；氟化物等的電介質(zhì)或者它們的適當(dāng)組合物(例如ZnS-SiO2)等。作為反射層5，可以使用Au、Al、Cr、Ni等金屬或這些金屬的合金。作為記錄層3，可以使用以Ge、Sb和Te為主成分的材料，其組成比在GeTeSb三元組成圖中處于被圖2中所示的各組成點(diǎn)A(Ge50Te50)、B(Ge22.5Sb22.0Te55.5)、C(Ge17.0Sb41.5Te41.5)、D(Ge48.0Sb26.0Te26.0)、E(Ge65Te35)包圍著的范圍內(nèi)的材料。當(dāng)Ge含量多于圖2所示的范圍時(shí)，記錄材料的結(jié)晶化溫度升高，難以進(jìn)行結(jié)晶化，因此不能有效地進(jìn)行改寫(xiě)。另外，當(dāng)Sb含量多于上述范圍時(shí)，非晶狀態(tài)下的穩(wěn)定性過(guò)于增加，因此不容易進(jìn)行朝向結(jié)晶狀態(tài)的狀態(tài)變化。另外，當(dāng)Ge含量少于上述范圍時(shí)，難以提高在非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)之間的調(diào)制度。記錄層的材料組成比最好是處于被圖2所示組成點(diǎn)A(Ge50Te50)、B(Ge22.5Sb22.0Te55.5)、F(Ge18.0Sb37.6Te44.4)、E(Ge65Te35)所包圍的范圍內(nèi)。在記錄層中有時(shí)可能含有Ar、Kr等濺射用氣體成分或H、C、H2O等雜質(zhì)。另外，為了種種目的，有時(shí)可以向記錄層的主成分GeSbTe材料中添加微量(約10原子％以下)的其他物質(zhì)。然而，即使含有這些微量成分，只要不妨礙本發(fā)明的目的，就可以包含在本發(fā)明的記錄層中。記錄層3的膜厚最好是在5nm以上至25nm以下。這是因?yàn)楫?dāng)膜厚不足5nm時(shí)，記錄材料難以做成層狀，而當(dāng)膜厚大于25nm時(shí)，記錄層表面內(nèi)的熱擴(kuò)散增大，因此在進(jìn)行高密度的記錄時(shí)容易發(fā)生相鄰區(qū)域的擦除(交叉擦除)。防擴(kuò)散層7、8可以由氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或氟化物作為主成分的材料構(gòu)成，防擴(kuò)散層最好不含硫或硫化物。沒(méi)有特別限定，但是一般可以使用例如作為氧化物的Si、Al、Cr、Ta等的氧化物；作為氮化物的Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Fe、Ti、Zr等的氮化物；作為氮氧化物的Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo的氮氧化物；作為碳化物的Cr、Si、Al、Ti、Ta、Zr等的碳化物。另外，也可以使用這些物質(zhì)的適當(dāng)?shù)幕旌衔铩？傊鳛榉罃U(kuò)散層的材料，最好還是使用那些難以引起與記錄層擴(kuò)散的材料，或者那些即使在記錄層中擴(kuò)散也難以妨礙記錄層的光學(xué)變化的材料。另外，最好使用那些與記錄層的粘合性優(yōu)良的材料。作為這樣的防擴(kuò)散層7、8的材料，可以舉出以GeN、GeON、GeXN或GeXON(其中，X是選自Ⅲa族元素、Ⅳa族元素、Ⅴa族元素、Ⅵa族元素、Ⅶa族元素、Ⅷ族元素、Ⅰb族元素、Ⅱb族元素和C中的至少1種元素)為主成分的材料。使用這樣的含有Ge材料的含Ge層，可以獲得優(yōu)良的反復(fù)操作特性。添加元素X的主要目的是提高GeN膜或GeON膜的耐氣候性。元素X最好選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Fe、Co、Ni、Y、La和Au中的至少一種元素，如果選自Cr、Mo、Mn、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、Y和La中的至少一種元素則更好，X選自Cr、Mo、Mn、Ni、Co和La中的至少一種元素則為特好。關(guān)于添加X(jué)可以提高介質(zhì)耐久性的理由尚未被明確地認(rèn)定，但是可以認(rèn)為，添加的X能夠抑制水分侵入防擴(kuò)散層?？梢钥紤]的機(jī)理之一是存在于GeN或GeON層中的Ge-N鍵在高溫高濕條件下會(huì)向Ge-O鍵或Ge-OH鍵變化，從而變成容易腐蝕的狀態(tài)，但是通過(guò)添加比較容易氧化的X，就能夠抑制Ge的氧化或氫氧化的現(xiàn)象發(fā)生。也可以認(rèn)為，在GeN或GeON層中存在的Ge鍵可以通過(guò)添加X(jué)來(lái)抑制其生成，從而能夠抑制Ge-OH鍵的形成。作為X之所以首選Cr、Mo、Mn、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、Y、La(特別是Cr、Mo、Mn、Ni、Co、La)，就是根據(jù)這樣的理由考慮的。防擴(kuò)散層7、8可以用(Ge1-xXx)aObNc(其中，X是上面示出的元素，0≤X＜1,0＜A＜1,0≤b＜1,0＜c＜1,a+b+c=1)表示，其組成比在(GeX)、O、N、的三元組成圖中，優(yōu)選處于被圖3所示組成點(diǎn)G((GeX)90.0N10.0)、H((GeX)35.0N65.0)、I((GeX)31.1O55.1N13.8)、J((GeX)83.4O12.3N3.3)包圍的范圍內(nèi)，同樣地，更優(yōu)選是處于被圖2所示各組成點(diǎn)K((GeX)65.0N35.0)、H((GeX)35.0N65.0)、I((GeX)31.1O55.1N13.8)、L((GeX)53.9O36.9N9.20)包圍的范圍內(nèi)。其中，(GeX)是指Ge和X的合計(jì)量。之所以說(shuō)上述范圍較好，這是由于在此范圍內(nèi)，沒(méi)有與氮或氧結(jié)合的剩余Ge或X較少，或者沒(méi)有與Ge或X結(jié)合的剩余氮或氧較少的緣故。剩余的原子會(huì)向記錄層中擴(kuò)散，而成為妨礙記錄層光學(xué)變化的主要原因。第一防擴(kuò)散層7在進(jìn)行反復(fù)記錄時(shí)容易受到熱負(fù)荷，因此在該層中的上述組成比最好是在KLHI的范圍(換言之，在上述三元組成圖中，接近于在Ge3N4-GeO3直線附近的化學(xué)當(dāng)量的組成范圍)。另一方面，第二防擴(kuò)散層的組成比，從與記錄層的粘合性方面考慮，最好是沒(méi)有剩余的N或O。因此，最好是比上述的Ge3N4-GeO2直線稍微偏向GeX一側(cè)的范圍。這樣，在第一防擴(kuò)散層7具有由(Ge1-mXm)aObNc(a＞0,b≥0,c＞0,0＜m＜1，優(yōu)選0＜m≤0.5)表示的組成，夾著記錄層并處于記錄層相反一側(cè)的第二防擴(kuò)散層8具有由(Ge1-nXn)dOeNf(d＞0,e≥0,f＞0,0＜n＜1，優(yōu)選0＜n≤0.5)表示的組成的情況下，最好是m＜n。另外，在將防擴(kuò)散層與基板連接設(shè)置的情況下，為了提高基板與防擴(kuò)散層之間的粘合性，最好的方法是，或者在防擴(kuò)散層中使用含氧的材料，或者在防擴(kuò)散層朝向基板的界面處增加氧的含量。從減少剩余原子的觀點(diǎn)考慮，在防擴(kuò)散層7、8中所含的(GeX)的組成比最好是使得X的含有量相對(duì)于Ge和X的合計(jì)量為50原子％以下(即，在Ge1-kXk中，0＜K≤0.5)。根據(jù)同樣的理由，X的含有量相對(duì)于Ge和X的合計(jì)量，最好在40原子％以下，特別在30原子％以下則更好。另一方面，X的含有量相對(duì)于Ge和X的合計(jì)量最好在10原子％以上。當(dāng)X的含有量少于10原子％時(shí)，有時(shí)會(huì)使物質(zhì)X的添加效果變得不顯著。防擴(kuò)散層的膜厚最好在1nm以上，因?yàn)楫?dāng)膜厚不足1nm時(shí)，作為防擴(kuò)散層的效果變差。作為防擴(kuò)散層膜厚的上限，例如關(guān)于比記錄層更接近激光入射側(cè)的防擴(kuò)散層，其厚度應(yīng)在該記錄層可以獲得能夠進(jìn)行記錄成再現(xiàn)的激光強(qiáng)度的范圍內(nèi)。另外，激光的強(qiáng)度可以根據(jù)激光的功率或者適用的記錄層材料來(lái)適宜地設(shè)定。另外，在防擴(kuò)散層7、8或保護(hù)層2中，與記錄層3一樣，即使含有Ar、Kr等濺射氣體成分或H、C、H2O等雜質(zhì)也不要緊。下面描述本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法。作為制作構(gòu)成上述光學(xué)信息記錄介質(zhì)的多層膜的方法，可以使用濺射法、真空淀積法、CVD等方法，但是在這里只解釋使用濺射法的例子。在圖4中示出了這種成膜裝置一個(gè)實(shí)例的概略圖。真空容器9通過(guò)排氣口15而與一臺(tái)真空泵(圖中省略)相連接，從而使真空容器9內(nèi)能夠保持高真空。通過(guò)氣體供給口14供入一定流量的Ar、氮、氧或它們的混合氣體?；?0與一個(gè)能帶動(dòng)它旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置11相連接。多個(gè)濺射靶12分別與陰極13相連接。靶子的形狀例如是直徑為10cm和厚度為6mm左右的圓盤狀。陰極13通過(guò)開(kāi)關(guān)而與直流電源或高頻電源相連接(圖中省略)。另外，通過(guò)將真空容器9接地，可以將真空容器9和基板10作為陽(yáng)極利用。記錄層3可以通過(guò)使用GeTeSb靶子的濺射法來(lái)成膜。靶子的平均組成比，在GeTeSb三無(wú)組成圖中，最好處于被圖2所示上述組成點(diǎn)A、B、C、D、E包圍的范圍內(nèi)，處于在被A、B、F、E包圍的范圍內(nèi)則更好。在使用這樣的裝置來(lái)實(shí)施光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造工序中，在緊接于形成記錄層3的成膜工序之前和/或之后形成防擴(kuò)散層。在形成防擴(kuò)散層7、8的情況下，使用反應(yīng)濺射法可以獲得膜質(zhì)良好的膜層。對(duì)于濺射靶子，最好是使用Ge和X的合金或Ge和X的混合物。另外，在靶子中也可以含有氮。例如，在形成GeCrN作為防擴(kuò)散層的情況下，可以使用GeCr靶，或者在此基礎(chǔ)上含有N的靶。另外，作為成膜氣體(濺射氣體)，最好使用稀有氣體和氮(N2)的混合氣。也可以使用含有N2O、NO2、NO、N2、它們的混合物等含氮原子的氣體與稀有氣體的混合物。另外，在膜質(zhì)過(guò)硬或膜應(yīng)力過(guò)大的情況下，最好向成膜氣體中混入微量的氧，因?yàn)檫@樣可以獲得良好的膜質(zhì)。成膜氣體的總壓力在1.0毫托以上為好。另外，在利用反應(yīng)濺射來(lái)形成氮化物膜層的情況下，最好是使氮?dú)夥謮赫汲赡怏w總壓力的10％以上。如果氮?dú)夥謮哼^(guò)低，則難以形成氮化物，從而難以形成具有所需組成的氮化物。另外，氮?dú)夥謮旱膬?yōu)選上限值應(yīng)處于能夠獲得穩(wěn)定放電的范圍內(nèi)，例如為60％左右。另外，在緊接基板形成防擴(kuò)散層的情況下，最好是在形成防擴(kuò)散層中的基板界面時(shí)，使成膜氣體中含有氧。下面描述利用上述方法獲得的本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)和的擦除方法。為了進(jìn)行信號(hào)的記錄再現(xiàn)和擦除，使用了半導(dǎo)體激光光源，裝載物鏡的激光頭，將照射激光的位置引導(dǎo)到所定位置的驅(qū)動(dòng)裝置、用于控制軌跡方向和垂直于膜面方向的位置的軌跡控制裝置和聚集控制裝置、用于調(diào)節(jié)激光功率的激光驅(qū)動(dòng)裝置，以及用于旋轉(zhuǎn)介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)控制裝置。信號(hào)的記錄和擦除是通過(guò)將被光學(xué)系統(tǒng)縮小成微小斑點(diǎn)的激光用旋轉(zhuǎn)控制裝置照射到旋轉(zhuǎn)的介質(zhì)上來(lái)進(jìn)行的。將用激光照射使記錄層中的一部分發(fā)生朝向非晶態(tài)進(jìn)行可逆變化的非晶態(tài)生成功率級(jí)定為P1，同樣地，將用激光照射能夠使其朝向結(jié)晶態(tài)進(jìn)行可逆變化的結(jié)晶態(tài)生成功率級(jí)作為P2，通過(guò)使激光功率在P1和P2之間變動(dòng)來(lái)形成記錄符號(hào)或記錄的擦除部分，如此進(jìn)行信息的記錄、擦除或書(shū)寫(xiě)記錄。功率級(jí)P1的激光可用在功率級(jí)P1和P2之間變動(dòng)形成的2個(gè)以上脈沖的脈沖系列來(lái)照射。但是也可以利用不使用這種所謂多脈沖的脈沖來(lái)照射。另外，比上述P1、P2中任一個(gè)功率級(jí)都低，并且不會(huì)由于被該功率級(jí)的激光照射而使記錄符號(hào)的光學(xué)狀態(tài)受到影響，而且能夠通過(guò)上述照射而獲得可使記錄符號(hào)再現(xiàn)的充分反射的功率級(jí)定為再現(xiàn)功率級(jí)P3，將功率級(jí)P3的激光照射所獲介質(zhì)用檢測(cè)器讀取其信號(hào)，從而進(jìn)行信息符號(hào)再現(xiàn)。各種條件的例子如下。激光的波長(zhǎng)為650nm，所用物鏡的孔徑為0.60，信號(hào)方式為(8-16)調(diào)制方式，最短比特(位)長(zhǎng)度為0.28μm，沿激光軌跡方向的掃描速度(線速度)為12m/s。使用軌跡間距為1.20μm，即由溝部(也稱溝槽)和脊部(溝部與溝部之間)各為0.60μm而共同形成軌跡的基板。當(dāng)然，溝部和脊部的寬度比不是1∶1的基板也可以使用。本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的再現(xiàn)條件并不限定于上述條件。本發(fā)明的介質(zhì)不僅適用于波長(zhǎng)在680nm以下的激光，它也可以用于最短比特(位)長(zhǎng)度為0.40μm/比特以下和/或軌跡間距在1.40μm以下的高密度的記錄。另外，它也可以用于激光掃描軌跡方向的線速度為8m/s以上的高速記錄。其中，最短比特(位)長(zhǎng)度是指沿著導(dǎo)溝方向測(cè)得的記錄符號(hào)的最短長(zhǎng)度，而軌跡間距是指在垂直于導(dǎo)溝方向上測(cè)得的溝部和脊部的總寬度在全部介質(zhì)表面上的平均值。這樣，在上述的記錄再現(xiàn)方法中，最好是所使用激光波長(zhǎng)在680nm以下的激光。這是因?yàn)橐话慵す獍唿c(diǎn)的尺寸與波長(zhǎng)的比例大，所以在使用波長(zhǎng)大于680nm的激光時(shí)，不利于高密度的記錄。另外，沿著溝方向記錄的最短比特長(zhǎng)度最好在0.40μm/比特以下。雖然在最短比特長(zhǎng)度大于0.40μm/比特的記錄密度下也可以進(jìn)行記錄，但是在使用本發(fā)明的介質(zhì)的情況下，在沿著溝方向記錄的最短比特長(zhǎng)度為0.40μm/比特以下時(shí)可以記錄和擦除，因此可以獲得更大容量的介質(zhì)。另外，在上述記錄再現(xiàn)方法中，激光照射軌跡方向的掃描速度(線速度)最好在8m/s以上。因?yàn)楸景l(fā)明的介質(zhì)可以進(jìn)行高密度的記錄，因此，為了實(shí)現(xiàn)更高性能的介質(zhì)，最好是在高密度化的同時(shí)進(jìn)行高速的記錄和再現(xiàn)。如果可以獲得高密度的記錄，就可以容易地操作影像、圖像信息等大容量存檔，在此情況下，同時(shí)要求加快交傳送速度。當(dāng)然，在低速度下也可以進(jìn)行記錄和再現(xiàn)，不一定要很快的傳送，例如以8m/s以下的線速度進(jìn)行記錄和再現(xiàn)也行。另外，在激光處于藍(lán)色波長(zhǎng)區(qū)域的條件下進(jìn)行記錄再現(xiàn)時(shí)，為了進(jìn)行更高密度的記錄，即使以較低的線速度也能獲得很好的傳送速度時(shí)，在此情況下通常可以使用低線速的條件。另外，可以利用導(dǎo)溝內(nèi)的溝部分和脊部分二者來(lái)進(jìn)行信息信號(hào)的記錄、再現(xiàn)和擦除，不言而喻，這種所謂脊和溝的記錄有利于大容量化。但是在此情況下，為了防止發(fā)生交叉串音和交叉擦除的現(xiàn)象，必須調(diào)整導(dǎo)溝的深度或形狀、介質(zhì)的反射率結(jié)構(gòu)等。另外，軌跡間距最好在1.40μm以下。雖然間距超過(guò)1.40μm也可以記錄，但是使用1.40μm以下的溝進(jìn)行高密度記錄，高密度化的效果變得更顯著。實(shí)施例下面根據(jù)示出的實(shí)施例更詳細(xì)地解釋本發(fā)明。作為本發(fā)明的實(shí)施例之一，制造了具有與圖1相同結(jié)構(gòu)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。其中，使用厚度為0.6mm，直徑為120mm的圓盤狀聚碳酸酯樹(shù)脂作為基板1。另外，使用在ZnS中混合有20mol％SiO2的材料作為保護(hù)層2，使用Au作為反射層5，使用GeCrN作為防擴(kuò)散層7、8。記錄層3的組成為Ge50Sb17Te33。將該記錄介質(zhì)稱為介質(zhì)(1)。為了進(jìn)行比較，在一個(gè)介質(zhì)中設(shè)置GeCrN層作為防擴(kuò)散層7、8，但其記錄層組成仍為過(guò)去的組成Ge21Sb25Te54，將此介質(zhì)稱為介質(zhì)(2)；在另一個(gè)介質(zhì)中，不設(shè)置防擴(kuò)散層，與圖5相同的結(jié)構(gòu)，其保護(hù)層102、104做成一種在ZnS中混合有20mol％SiO2的材料，記錄層3的組成為Ge30Sb17Te53，將此介質(zhì)稱為介質(zhì)(3)；在另一個(gè)介質(zhì)中，不設(shè)置防擴(kuò)散層，與圖5相同的結(jié)構(gòu)，其記錄層3的組成為過(guò)去的組成Ge21Sb25Te54，將此介質(zhì)稱為介質(zhì)(4)。介質(zhì)(1)～(4)中各層的膜厚如下。即，所有記錄層3的膜厚皆為15nm，所有反射層5的膜厚皆為30nm。關(guān)于介質(zhì)(1)和(2)，防擴(kuò)散層7、8的膜厚分別為10nm、20nm，保護(hù)層2的厚度為120nm，除了記錄層的組成以外，其他條件均相同。同樣地，關(guān)于介質(zhì)(3)和(4)，保護(hù)層102的厚度為130nm，保護(hù)層104的厚度為20nm，除了記錄層的組成以外，其他條件均相同。另外，關(guān)于保護(hù)層2的膜厚，以所用光波的波長(zhǎng)定為λ，以保護(hù)層2的光學(xué)常數(shù)為n，當(dāng)將膜厚按照λ/(2n)的整數(shù)倍增加時(shí)，有時(shí)仍可獲得同樣的光學(xué)特性。但是，在此情況下，當(dāng)入射的激光由基板1到達(dá)記錄層3時(shí)，被記錄層吸收的光很少，因此，保護(hù)層2的膜度只能在不妨礙記錄層吸收入射光的范圍內(nèi)。另外，在形成各層時(shí)使用了與圖4同樣的成膜裝置。在形成記錄層3和保護(hù)層2時(shí)，按一定流量提供在Ar中混有2.5％氮的混合氣，使其總壓力分別為1.0毫托和0.5毫托，施加于陰極上的功率分別為DC1.27W/cm2和RF5.10W/cm2。在形成反射層5時(shí)，按照總壓為3.0毫托供入Ar氣，輸入的功率為DC4.45W/cm2。另外，作為濺射氣體中的稀有氣體，除Ar之外，還可以使用Kr等可以濺射的氣體。在形成GeCrN層時(shí)，使用GeCr作為靶材料，要使得在所獲GeCrN膜中所含的Cr原子數(shù)對(duì)Ge原子數(shù)之比為20原子％。在形成防擴(kuò)散層7、8時(shí)所用的濺射氣體均為Ar與氮的混合氣，濺射氣體壓力均為10毫托，濺射氣體中的氮?dú)夥謮壕鶠?0體積％，濺射功率密度均為6.37W/cm2。使用介質(zhì)(1)和(2)的記錄膜組成，對(duì)其進(jìn)行光學(xué)常數(shù)測(cè)定，結(jié)果表明，在波長(zhǎng)為650nm時(shí)，介質(zhì)(1)和(2)在結(jié)晶狀態(tài)下的光學(xué)常數(shù)分別為nc1-ikc1和nc2-ikc2，在非晶狀態(tài)下的光學(xué)常數(shù)分別為na1-ika1和na2-ika2時(shí)，Δn1=nc1-na1=0.5；ΔK1=Kc1-Ka1=2.3；Δn2=nc2-na2=0.2；ΔK2=Kc2-Ka2=1.5。另外，在石英基板上形成一層厚度為15nm的記錄層而制成的樣品，使用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。從這些結(jié)果可以看出，介質(zhì)(1)的記錄層組成要比介質(zhì)(2)的組成具有更大的光學(xué)特性差異。另外，如果比介質(zhì)(1)中所用的組成更靠近GeTe一側(cè)的組成，則可以獲得更大的調(diào)制度。為了在進(jìn)行高密度記錄時(shí)獲得充分的調(diào)制，當(dāng)記錄層為結(jié)晶態(tài)時(shí)與非晶態(tài)時(shí)的折射率之差為Δn，吸收系數(shù)之差為ΔK時(shí)，最好是滿足Δn≥0.25和ΔK≥1.70的條件。表1示出了對(duì)以上的介質(zhì)(1)～(4)進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。特性評(píng)價(jià)是指記錄符號(hào)的C/N比和記錄反復(fù)的特性。記錄再現(xiàn)時(shí)使用的激光波長(zhǎng)為650nm。C/N比的評(píng)價(jià)是在線速為12m/s，以(8-16)調(diào)制方式下的最短符號(hào)3T為0.41μm的密度(最短比特為0.28μm/比特的密度)條件下，利用溝部和脊部進(jìn)行3T符號(hào)的記錄，以溝部和脊部飽和C/N比的平均值超過(guò)50dB者作為A，以在50dB以下并在47dB以上者作為B，以小于47dB者作為C。記錄的反復(fù)特性同樣地是按(8-16)的調(diào)制方式，在最短符號(hào)長(zhǎng)度為0.41μm的情況下，在溝部記錄從3T至11T長(zhǎng)度的符號(hào)，將符號(hào)的前端部分和后端部分的偏差值除以窗口的寬度T時(shí)所獲的數(shù)值(以下簡(jiǎn)稱為“偏差值”)，評(píng)價(jià)該偏差值在反復(fù)記錄后的增加百分?jǐn)?shù)。即，在進(jìn)行10萬(wàn)次的反復(fù)記錄后，與10次記錄時(shí)的偏差值作比較，以前端部分、后端部分偏差值的增值百分?jǐn)?shù)平均在3％以下者作為A，以大于3％并小于5％者作為B，以大于5％者作為C。表1<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="656">介質(zhì)序號(hào)記錄層組成防擴(kuò)散層7防擴(kuò)散層8C/N比反復(fù)特征(1)Ge30Sb17Te53GeCrNGeCrNAA(2)Ge21Sb25Te54GeCrNGeCrNCA(3)Ge30Sb17Te53無(wú)無(wú)AC(4)Ge21Sb25Te54無(wú)無(wú)CC</table></tables>由表1的結(jié)果可以看出，象介質(zhì)(1)和(3)那樣，當(dāng)使用富GeTe的組成作為記錄層組成時(shí)，記錄符號(hào)的C/N比可以提高。然而，在不設(shè)置防擴(kuò)散層的介質(zhì)(3)的情況下，反復(fù)記錄的特性不好。對(duì)于以富GeTe組成作為記錄層組成而且設(shè)置有防擴(kuò)散層的介質(zhì)(1)來(lái)說(shuō)，可以實(shí)現(xiàn)充分的調(diào)制度和良好的反復(fù)特性。然后，記錄層3的組成做成Ge27Sb20Te53、Ge35Sb13Te52、Ge40Sb9Te51、Ge27Sb25Te48、Ge35Sb20Te45、Ge30Sb30Te40的介質(zhì)。將這些介質(zhì)分別稱為介質(zhì)(5)、(6)、(7)、(8)、(9)、(10)。這些介質(zhì)的層狀結(jié)構(gòu)與介質(zhì)(1)相同，記錄層3的膜厚為12nm，反射層5是厚度為30nm的AlCr層，防擴(kuò)散層7是厚度為20nm的GeCrN層。保護(hù)層2使用在ZnS中混有20mol％SiO2的混合材料，防擴(kuò)散層8為GeCrN。保護(hù)層2和防擴(kuò)散層8的膜厚可以分別地根據(jù)記錄層組成的具體情況進(jìn)行適宜的調(diào)節(jié)，使得溝部與脊部的光學(xué)相位差盡可能小而且結(jié)晶部與非晶部的反射率差盡可能大。另外，對(duì)于介質(zhì)(11)來(lái)說(shuō)，除了防擴(kuò)散層7為GeN和防擴(kuò)散層8為ZrC之外，其余構(gòu)成同介質(zhì)(1)。同樣地，對(duì)于介質(zhì)(12)來(lái)說(shuō)，除了防擴(kuò)散層7為GeNiN和防擴(kuò)散層8為CrC之外，其余構(gòu)成同介質(zhì)(1)。另外，對(duì)于介質(zhì)(13)來(lái)說(shuō)，除了防擴(kuò)散層7、8均為SiO2之外，其余構(gòu)成同介質(zhì)(1)。對(duì)于介質(zhì)(14)來(lái)說(shuō)，除了防擴(kuò)散層7、8均為Cr2O3之外，其余構(gòu)成同介質(zhì)(1)。另外，對(duì)于介質(zhì)(15)來(lái)說(shuō)，除了在基板1和保護(hù)層2之間設(shè)置10nm的Au層，保護(hù)層2的厚度為77nm和防擴(kuò)散層8的厚度為50nm之外，其余構(gòu)成同介質(zhì)(1)。另外，對(duì)于介質(zhì)(16)來(lái)說(shuō)，除了記錄層3的厚度為12nm，保護(hù)層2的厚度為40nm，防擴(kuò)散層8的厚度為77nm和反射層5的厚度為40nm之外，其余構(gòu)成同介質(zhì)(1)。表2中示出了對(duì)以上介質(zhì)(5)～16的特性評(píng)價(jià)結(jié)果。表2<tablesid="table2"num="002"><tablewidth="657">介質(zhì)序號(hào)記錄層組成防擴(kuò)散層7防擴(kuò)散層8C/N比反復(fù)特征(5)Ge27Sb20Te53GeCrNGeCrNAA(6)Ge35Sb13Te52GeCrNGeCrNAA(7)Ge40Sb9Te51GeCrNGeCrNAA(8)Ge27Sb25Te48GeCrNGeCrNAA(9)Ge35Sb20Te45GeCrNGeCrNAA(10)Ge30Sb30Te40GeCrNGeCrNBB(11)Ge30Sb17Te53GeNZrCAB(12)Ge30Sb17Te53GeNiNCrCAB(13)Ge30Sb17Te53SiO2SiO2AA(14)Ge30Sb17Te53Cr2O3Cr2O3AA(15)Ge30Sb17Te53GeCrNGeCrNAA(16)Ge30Sb17Te53GeCrNGeCrNAA</table></tables>由表2可以看出，與介質(zhì)(2)～(4)相比，表2中的任一種情況皆能獲得良好的C/N比和重復(fù)性能。介質(zhì)(1)～(14)做成在非晶狀態(tài)下的反射率低于結(jié)晶狀態(tài)下的反射率，而介質(zhì)(15)、(16)做成在非晶狀態(tài)下的反射率高于結(jié)晶狀態(tài)下的反射率。對(duì)于具有后者的反射率構(gòu)成的介質(zhì)來(lái)說(shuō)，當(dāng)以非晶部的吸收率為Aa，以結(jié)晶部的吸收率為Ac時(shí)，如果使Ac/Aa保持在大于1的一定范圍內(nèi)，就能提高其擦除特性，具有可以進(jìn)行所謂吸收補(bǔ)正和容易設(shè)計(jì)其構(gòu)成的巨大優(yōu)點(diǎn)。然而，這時(shí)的非晶部與結(jié)晶部的反射率之和，與具有前者的反射率構(gòu)成的情況相比，其數(shù)值較大，因此信號(hào)再現(xiàn)時(shí)的噪音會(huì)增大，這是其缺點(diǎn)。而在具有前者的反射率構(gòu)成的情況下則難以產(chǎn)生這種缺點(diǎn)。作為其他的構(gòu)成，結(jié)晶狀態(tài)與非晶狀態(tài)的反射率相等，也可以構(gòu)成相位差大的介質(zhì)。另外，按照?qǐng)D1的結(jié)構(gòu)制成介質(zhì)(17)，除了記錄層3的組成為Ge30Sb19Te51，記錄層的膜厚為10nm，反射層為10nm厚的Au，防擴(kuò)散層7、8皆為10nm厚的CrON之外，其余構(gòu)成同介質(zhì)(1)。對(duì)于這個(gè)介質(zhì)，與上述情況一樣，使用波長(zhǎng)為650nm的激光，對(duì)C/N比和重復(fù)特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。記錄條件為線速8m/s，線密度以(8-16)調(diào)制方式獲得的作為最短符號(hào)的3T符號(hào)具有0.41μm的密度，即最短比特值為0.28μm/比特。對(duì)C/N的評(píng)價(jià)如下，以適當(dāng)?shù)牡墓β试跍喜亢图共坑涗?T符號(hào)，按此方式測(cè)定這種3T信號(hào)的C/N值。所獲的結(jié)果表明，溝部和脊部皆獲得了在53dB以上的高C/N值。另外，關(guān)于重復(fù)記錄的特性，在與上述同樣的線速度，線密度的條件下記錄隨機(jī)信號(hào)，與上述同樣地測(cè)定在10萬(wàn)次重復(fù)記錄后偏差值增加的百分?jǐn)?shù)。其結(jié)果，偏差的增加百分?jǐn)?shù)在3％以下，即使在線速為8m/s的上述記錄條件下也能獲得良好的重復(fù)記錄特性。如上所述，按照本發(fā)明，通過(guò)形成GeSbTe記錄層，使其組成比在GeSbTe三元組成圖中處于被A(Ge50Te50)、B(Ge22.5Sb22.0Te55.5)、C(Ge17.0Sb41.5Te41.5)、D(Ge48.0Sb26.0Te26.0)、E(Ge65Te35)各點(diǎn)包圍的范圍內(nèi)，并且在緊接記錄層的至少一側(cè)設(shè)置以氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物為主成分的防擴(kuò)散層，就能獲得一種即使在激光波長(zhǎng)為短波長(zhǎng)的情況下，其記錄材料的光學(xué)特性之差也較大，而且對(duì)信息信號(hào)記錄擦除的重復(fù)特性也優(yōu)良的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。另外，按照本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，可以高效率地制得具有上述特性的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。另外，按照本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)方法，可以進(jìn)行高密度的信息的記錄、再現(xiàn)和改寫(xiě)。圖1是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)疊層結(jié)構(gòu)實(shí)例的概略截面圖。圖2是表示本發(fā)明的記錄層組成范圍和優(yōu)選組成范圍的GeTeSb三元組成圖。圖3是表示本發(fā)明防擴(kuò)散層優(yōu)選組成范圍的(GeX)ON三元組成圖。圖4是表示本發(fā)明光學(xué)信息記錄介質(zhì)的成膜裝置實(shí)例的概略截面圖。圖5是表示過(guò)去的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的疊層結(jié)構(gòu)實(shí)例的概略截面圖。圖6是表示過(guò)去的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的疊層結(jié)構(gòu)另一實(shí)例的概略截面圖。符號(hào)說(shuō)明1-基板；2-保護(hù)層；3記錄層；4保護(hù)層；5-反射層；6-保護(hù)層；7-防擴(kuò)散層；8-防擴(kuò)散層；9-真空容器；10-基板；11-基板驅(qū)動(dòng)裝置；12-靶子；13-陰板；14-氣體供給口；15-排氣口。權(quán)利要求1.光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于，含有光學(xué)特性可逆變化的記錄層和緊接在上述記錄層上的防擴(kuò)散層，上述記錄層至少含有Ge、Te、Sb三種元素，而且上述三種元素的組成比在GeTeSb的三元組成圖中處于被A(Ge50Te50)、B(Ge22.5Sb22.0Te55.5)、C(Ge17.0Sb41.5Te41.5)、D(Ge48.0Sb26.0Te26.0)、E(Ge65Te35)各點(diǎn)包圍的范圍內(nèi)(其中，各元素符號(hào)之后的數(shù)值表示原子％)，上述的防擴(kuò)散層含有從氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物和氟化物中選擇的至少一種物質(zhì)作為主成分。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的記錄層膜厚在5nm以上至25nm以下。3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中還含有與防擴(kuò)散層相鄰接的保護(hù)層。4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的防擴(kuò)散層膜厚在1nm以上。5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的防擴(kuò)散層是含Ge層。6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的含Ge層是以選自GeN、GeON、GeXN或GeXON(其中，X是從Ⅲa族元素、Ⅳa族元素、Ⅴa族元素、Ⅵa族元素、Ⅶa族元素、Ⅷ族元素、Ⅰb族元素、Ⅱb族元素和C中選擇的至少1種元素)中的至少一種物質(zhì)作為主成分。7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的含Ge層是以(Ge1-xXx)aObNc(其中，X是與上述相同的元素，而且，0≤x＜1,0＜a＜1,0≤b＜1,0＜c＜1,a+b+c=1)表示，其組成比在(GeX)、O、N的三元組成圖中，處于被G((GeX)90.0N10.0)、H((GeX)35.0N65.0)、I((GeX)31.1O55.1N13.8)、J((GeX)83.4O12.3N3.3)包圍的范圍內(nèi)(其中，各元素符號(hào)之后的數(shù)值表示原子％)，8.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，在其含Ge層中的Ge與X之組成比以Ge1-kXk(其中，0≤K≤0.5)表示。9.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的X是從Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Fe、Co、Ni、Y、La和Au中選擇的至少一種元素。10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的X是從Cr、Mo、Mn、Co、Ni和La中選擇的至少一種元素，11.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中的記錄層是可以在結(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)之間進(jìn)行可逆變化的膜層，當(dāng)它是上述結(jié)晶態(tài)時(shí)的反射率低于它是上述非晶態(tài)時(shí)的反射率。12.光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，它包含形成光學(xué)特性能夠可逆地變化的記錄層的成膜工序，以及形成緊接于上述記錄層的防擴(kuò)散層的成膜工序，在形成上述記錄層時(shí)，使用至少含有Ge、Te和Sb三種元素，并且它們的組成比在GeTeSb的三元組成圖中處于被A(Ge50Te50)、B(Ge22.5Sb22.0Te55.5)、C(Ge17.0Sb41.5Te41.5)、D(Ge48.0Sb26.0Te26.0)、E(Ge65Te35)各點(diǎn)包圍的范圍內(nèi)(其中，各元素符號(hào)之后的數(shù)值表示原子％)的材料作為靶子進(jìn)行濺射來(lái)成膜，在形成上述防擴(kuò)散層時(shí)，使用含有從氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物和氟化物中選擇的至少一種物質(zhì)作為主成分的材料來(lái)成膜。13.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其中的記錄層在含有稀有氣體與氮的混合氣中成膜。14.信息的記錄再現(xiàn)方法，它是一種使用下述光學(xué)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行信息記錄再現(xiàn)的方法，所說(shuō)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)含有光學(xué)特性能夠可逆變化的記錄層和緊接在上述記錄層上的防擴(kuò)散層，上述的記錄層至少含有Ge、Te和Sb三種元素，上述三種元素的組成比在GeTeSb的三元組成圖中處于被A(Ge50Te50)、B(Ge22.5Sb22.0Te55.5)、C(Ge17.0Sb41.5Te41.5)、D(Ge48.0Sb26.0Te26.0)、E(Ge65Te35)各點(diǎn)包圍的范圍內(nèi)(其中，各元素符號(hào)之后的數(shù)值表示原子％)，上述的防擴(kuò)散層含有從氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物和氟化物中選擇的至少一種物質(zhì)作為主成分，其特征在于，通過(guò)使用一種由光學(xué)系統(tǒng)縮小至微小光斑的激光來(lái)照射時(shí)，以能夠使上述記錄層中局部的一部分發(fā)生朝向非晶態(tài)進(jìn)行可逆變化的非晶態(tài)生成功率級(jí)作為P1，通過(guò)上述激光照射以能夠使其朝向結(jié)晶態(tài)進(jìn)行可逆變化的結(jié)晶態(tài)生成功率級(jí)作為P2，以一種比上述P1、P2中任一個(gè)功率級(jí)都低，并且不會(huì)由于上述的激光照射而使上述記錄層的光學(xué)狀態(tài)受到影響，而且為了使其通過(guò)照射而使記錄再現(xiàn)獲得足夠反射的再現(xiàn)功率級(jí)作為P3，在此定義下，通過(guò)使上述激光的功率在P1和P2之間變動(dòng)來(lái)進(jìn)行信息的記錄，擦除或?qū)懮希ㄟ^(guò)照射一種功率級(jí)為P3的激光來(lái)進(jìn)行信息的再現(xiàn)。15.如權(quán)利要求14所述的信息的記錄再現(xiàn)方法，其中的激光波長(zhǎng)在680nm以下。16.如權(quán)利要求14所述的信息的記錄再現(xiàn)方法，其中的激光照射的線速度在8m/s以上。17.如權(quán)利要求14所述的信息的記錄再現(xiàn)方法，其中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)具有用于掃描激光的導(dǎo)溝，在沿著被上述激光記錄有記錄符號(hào)的上述導(dǎo)溝的方向上最短的比特長(zhǎng)度在0.40μm/比特以下。18.如權(quán)利要求14所述的信息的記錄再現(xiàn)方法，其中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)具有用于掃描激光的導(dǎo)溝，在上述的導(dǎo)溝內(nèi)和上述導(dǎo)溝之間的脊部?jī)蓚€(gè)區(qū)域形成記錄符號(hào)，在垂直于上述導(dǎo)溝的方向上，上述導(dǎo)溝與上述脊部二者的寬度之和的平均值在1.40μm以下。全文摘要提供了一種即使在激光為短波長(zhǎng)的情況下,也能使調(diào)制度增大并能實(shí)現(xiàn)高密度的信息記錄再現(xiàn),而且其重復(fù)記錄特性也優(yōu)良的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。該介質(zhì)具有:光學(xué)上透明的基板1、含有ZnO和SiO文檔編號(hào)G11B7/24085GK1213822SQ9811831公開(kāi)日1999年4月14日申請(qǐng)日期1998年8月12日優(yōu)先權(quán)日1997年8月12日發(fā)明者宇野真由美,山田升,河原克已申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社