一偏移狀態(tài)，代表了優(yōu)化讀取電壓是往大于預設讀取電壓的方向偏移，存儲控制器104選擇大于預設讀取電壓的額外檢測讀取電壓。
[0096]綜上所述，本發(fā)明的固態(tài)存儲裝置及其讀取電壓設定方法可以根據(jù)存儲單元的劣化程度動態(tài)地調(diào)整適當?shù)淖x取電壓由此避免數(shù)據(jù)的遺失。除此之外，本發(fā)明可通過施予少量檢測電壓來獲取最佳的優(yōu)化讀取電壓，使之在實際應用狀況中可更容易據(jù)以實施，在本發(fā)明中，由4?5個檢測電壓就可獲得最佳的優(yōu)化讀取電壓。由此，固態(tài)存儲裝置可以最佳的讀取電壓來辨別以存儲的數(shù)據(jù)，降低讀取數(shù)據(jù)時的位判別錯誤率。
[0097]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種固態(tài)存儲裝置的讀取電壓設定方法，其中所述固態(tài)存儲裝置包括用于存儲數(shù)據(jù)的一閃存模塊，所述閃存模塊具有多個存儲單元，且每一所述存儲單元具有第一存儲狀態(tài)與第二存儲狀態(tài)，所述讀取電壓設定方法包括: 調(diào)整所述存儲單元的一預設讀取電壓以獲得多個檢測讀取電壓； 分別地施予所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓至所述存儲單元，以讀取分別關聯(lián)于所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓的多個驗證數(shù)據(jù)； 根據(jù)關聯(lián)于所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓的所述驗證數(shù)據(jù)，計算并記錄相互相鄰的所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓之間的多個統(tǒng)計參量；以及 根據(jù)所述統(tǒng)計參量來獲取一優(yōu)化讀取電壓。
2.如權利要求1所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，調(diào)整所述存儲單元的所述預設讀取電壓以獲得所述檢測讀取電壓的步驟包括: 以所述預設讀取電壓作為基準，根據(jù)所述預設讀取電壓以及多個預設區(qū)間而獲得所述檢測讀取電壓，其中所述檢測讀取電壓的數(shù)目與所述預設區(qū)間的數(shù)目相等。
3.如權利要求2所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，根據(jù)關聯(lián)于所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓的所述驗證數(shù)據(jù)，計算并記錄相互相鄰的所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓之間的所述統(tǒng)計參量的步驟包括: 計算關聯(lián)于所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓的所述驗證位數(shù)據(jù)之中被識別為所述第一狀態(tài)的位數(shù)據(jù)的多個變動量；以及 依據(jù)所述預設讀取電壓與所述檢測讀取電壓各自對應的所述變動量以及所述預設區(qū)間，計算以獲取相互相鄰的所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓之間的所述統(tǒng)計參量。
4.如權利要求1所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，在根據(jù)所述統(tǒng)計參量來獲取所述優(yōu)化讀取電壓的步驟之前，還包括: 施予一額外檢測讀取電壓至所述存儲單元，并計算與所述額外檢測讀取電壓相鄰的所述檢測讀取電壓其中之一以及所述額外檢測讀取電壓之間的一額外統(tǒng)計參量；以及 將所述額外統(tǒng)計參量記錄為所述統(tǒng)計參量其中之一。
5.如權利要求1所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，根據(jù)所述統(tǒng)計參量來獲取所述優(yōu)化讀取電壓的步驟包括: 根據(jù)當前記錄的所述統(tǒng)計參量來建立一多項式方程式，以通過所述多項式方程式近似所述統(tǒng)計參量；以及 根據(jù)所述多項式方程式尋找一最小估測值，并依據(jù)所述最小估測值獲取所述優(yōu)化讀取電壓。
6.如權利要求5所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，在根據(jù)當前記錄的所述統(tǒng)計參量來建立所述多項式方程式，以近似所述統(tǒng)計參量的步驟之前，還包括: 判斷是否可從所述統(tǒng)計參量搜尋到一局部最小值；以及 若無法從所述統(tǒng)計參量搜尋到所述局部最小值，施予一額外檢測讀取電壓至所述存儲單元，以獲取所述額外統(tǒng)計參量并將所述額外統(tǒng)計參量記錄為所述統(tǒng)計參量其中之一。
7.如權利要求6所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，在施予所述額外檢測讀取電壓至所述存儲單元，以獲取所述額外統(tǒng)計參量并將所述額外統(tǒng)計參量記錄為所述統(tǒng)計參量其中之一的步驟之前，還包括: 判斷一讀取次數(shù)是否大于一預設次數(shù)，其中所述讀取次數(shù)為施予所述檢測讀取電壓、施予所述預設讀取電壓至所述存儲單元的次數(shù)以及施予所述額外檢測讀取電壓至所述存儲單元的次數(shù)的總和；以及 若所述讀取次數(shù)大于所述預設次數(shù)，根據(jù)當前記錄的所述統(tǒng)計參量來獲取所述優(yōu)化讀取電壓。
8.如權利要求4所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，在根據(jù)當前記錄的所述統(tǒng)計參量來建立所述多項式方程式，以通過所述多項式方程式近似所述統(tǒng)計參量的步驟之后，還包括: 依據(jù)所述多項式方程式以及所述統(tǒng)計參量，判斷所述多項式方程與所述統(tǒng)計參量是否屬于一正常狀態(tài)；以及 當所述多項式方程與所述統(tǒng)計參量并非屬于所述正常狀態(tài)，施予所述額外檢測讀取電壓至所述存儲單元，以獲取所述額外統(tǒng)計參量并將所述額外統(tǒng)計參量記錄為所述統(tǒng)計參量其中之一。
9.如權利要求4所述的讀取電壓設定方法，其特征在于，還包括: 依據(jù)一參數(shù)模型辨別所述統(tǒng)計參量屬于一第一偏移狀態(tài)或一第二偏移狀態(tài)； 當所述統(tǒng)計參量屬于所述第一偏移狀態(tài)，選擇大于所述預設讀取電壓的所述額外檢測讀取電壓；以及 當所述統(tǒng)計參量屬于所述第二偏移狀態(tài)，選擇小于所述預設讀取電壓的所述額外檢測讀取電壓。
10.一種固態(tài)存儲裝置，包括: 一閃存模塊，具有多個存儲單元，且每一所述存儲單元具有第一存儲狀態(tài)與第二存儲狀態(tài)；以及 一存儲控制器，耦接至所述閃存模塊，且所述存儲控制器用于調(diào)整所述存儲單元的一預設讀取電壓以獲得多個檢測讀取電壓， 其中所述存儲控制器還用于分別地施予所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓至所述存儲單元，以讀取分別關聯(lián)于所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓的多個驗證數(shù)據(jù)， 其中所述存儲控制器還用于根據(jù)關聯(lián)于所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓的所述驗證數(shù)據(jù)，計算并記錄相互相鄰的所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓之間的多個統(tǒng)計參量， 其中所述存儲控制器還用于根據(jù)所述統(tǒng)計參量來獲取一優(yōu)化讀取電壓。
11.如權利要求10所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，固態(tài)存儲裝置以所述預設讀取電壓作為基準，根據(jù)所述預設讀取電壓以及多個預設區(qū)間而獲得所述檢測讀取電壓，其中所述檢測讀取電壓的數(shù)目與所述預設區(qū)間的數(shù)目相等。
12.如權利要求10所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，所述存儲控制器還用于計算關聯(lián)于所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓的所述驗證位數(shù)據(jù)之中被識別為所述第一狀態(tài)的位數(shù)據(jù)的多個變動量，且所述存儲控制器還用于依據(jù)所述預設讀取電壓與所述檢測讀取電壓各自對應的所述變動量以及所述預設區(qū)間，計算以獲取相互相鄰的所述預設讀取電壓以及所述檢測讀取電壓之間的所述統(tǒng)計參量。
13.如權利要求10所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，所述存儲控制器還用于施予一額外檢測讀取電壓至所述存儲單元，并計算與所述額外檢測讀取電壓相鄰的所述檢測讀取電壓其中之一以及所述額外檢測讀取電壓之間的一額外統(tǒng)計參量，以及將所述額外統(tǒng)計參量記錄為所述統(tǒng)計參量其中之一。
14.如權利要求10所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，所述存儲控制器還用于根據(jù)當前記錄的所述統(tǒng)計參量來建立一多項式方程式，以通過所述多項式方程式近似所述統(tǒng)計參量，以及根據(jù)所述多項式方程式尋找一最小估測值，并依據(jù)所述最小估測值獲取所述優(yōu)化讀取電壓。
15.如權利要求14所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，所述存儲控制器還用于判斷是否可從所述統(tǒng)計參量搜尋到一局部最小值，若無法從所述統(tǒng)計參量搜尋到所述局部最小值，所述存儲控制器還用于施予一額外檢測讀取電壓至所述存儲單元，以獲取所述額外統(tǒng)計參量并將所述額外統(tǒng)計參量記錄為所述統(tǒng)計參量其中之一。
16.如權利要求15所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，所述存儲控制器還用于判斷一讀取次數(shù)是否大于一預設次數(shù)，其中所述讀取次數(shù)為施予所述檢測讀取電壓、施予所述預設讀取電壓至所述存儲單元的次數(shù)以及施予所述額外檢測讀取電壓至所述存儲單元的次數(shù)的總和， 其中，若所述讀取次數(shù)大于所述預設次數(shù)，所述存儲控制器還用于根據(jù)當前記錄的所述統(tǒng)計參量來獲取所述優(yōu)化讀取電壓。
17.如權利要求14所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，所述存儲控制器還用于依據(jù)所述多項式方程式以及所述統(tǒng)計參量，判斷所述多項式方程與所述統(tǒng)計參量是否屬于一正常狀態(tài)， 其中，當所述多項式方程與所述統(tǒng)計參量并非屬于所述正常狀態(tài)，所述存儲控制器還用于施予一額外檢測讀取電壓至所述存儲單元，以獲取所述額外統(tǒng)計參量并將所述額外統(tǒng)計參量記錄為所述統(tǒng)計參量其中之一。
18.如權利要求13所述的固態(tài)存儲裝置，其特征在于，所述存儲控制器還用于依據(jù)一參數(shù)模型辨別所述統(tǒng)計參量屬于一第一偏移狀態(tài)或一第二偏移狀態(tài)， 其中，當所述統(tǒng)計參量屬于所述第一偏移狀態(tài)，所述存儲控制器還用于選擇大于所述預設讀取電壓的所述額外檢測讀取電壓，當所述統(tǒng)計參量屬于所述第二偏移狀態(tài)，所述存儲控制器還用于選擇小于所述預設讀取電壓的所述額外檢測讀取電壓。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種固態(tài)存儲裝置及其讀取電壓設定方法，所述讀取電壓設定方法包括下列步驟：調(diào)整存儲單元的預設讀取電壓以獲得多個檢測讀取電壓。分別地施予預設讀取電壓以及這些檢測讀取電壓至存儲單元，以讀取分別關聯(lián)于預設讀取電壓以及這些檢測讀取電壓的多個驗證數(shù)據(jù)。根據(jù)關聯(lián)于預設讀取電壓以及這些檢測讀取電壓的驗證數(shù)據(jù)，計算并記錄相互相鄰的預設讀取電壓以及這些檢測讀取電壓之間的多個統(tǒng)計參量。根據(jù)這些統(tǒng)計參量來獲取優(yōu)化讀取電壓。
【IPC分類】G11C16-34, G11C16-26
【公開號】CN104616695
【申請?zhí)枴緾N201310542369
【發(fā)明人】曾士家, 傅仁杰, 吳郁姍, 張錫嘉
【申請人】光寶科技股份有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2013年11月5日
【公告號】US9129698, US20150124533