Nor型flash數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。對于閃存(FlashMemory)，簡稱FLASH，一般而言，數(shù)據(jù)保持能力、耐久力、抗干擾能力等是評價(jià)閃存可靠性的重要參數(shù)，其中，數(shù)據(jù)保持力指的是閃存存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)經(jīng)過一段時(shí)間之后沒有失真或丟失，仍可以有效讀出的能力。
[0003]對于FLASH，隨著時(shí)間的推移，F(xiàn)LASH中存儲(chǔ)單元的閾值電壓會(huì)發(fā)生變化。圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中NOR型FLASH中存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化示意圖；參考圖1，對于FLASH中存儲(chǔ)單元而言，浮柵中存儲(chǔ)的電荷量決定了存儲(chǔ)單元的閾值電壓，而存儲(chǔ)單元的閾值電壓則決定了存儲(chǔ)單元是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)0，還是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)I。隨著時(shí)間的推移，外界條件會(huì)不斷作用于存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元，致使浮柵中儲(chǔ)存的電荷通過存儲(chǔ)單元的溝道流失；隨著存儲(chǔ)單元浮柵中電荷的減少會(huì)引起存儲(chǔ)單元的閾值電壓的降低，當(dāng)存儲(chǔ)單元的閾值電壓減小到一定值后，就難以判斷出存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是O還是1，從而在讀操作中引起數(shù)據(jù)的誤讀，使得NOR型FLASH可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，以恢復(fù)NOR型FLASH中存儲(chǔ)單元中的閾值電壓，進(jìn)而恢復(fù)存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，提高NOR型FLASH的可靠性。
[0005]在第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，包括:
[0006]步驟la、NOR型FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令；
[0007]步驟2a、根據(jù)所述全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令，記錄所述存儲(chǔ)塊中閾值電壓大于第一閾值的存儲(chǔ)單元；
[0008]步驟3a、記錄所述存儲(chǔ)塊中閾值電壓小于第二閾值的存儲(chǔ)單元，其中，所述第二閾值大于第一閾值；
[0009]步驟4a、對所述存儲(chǔ)塊中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)；所述數(shù)據(jù)恢復(fù)為提高閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
[0010]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，重復(fù)執(zhí)行步驟2a至步驟4a，以使存儲(chǔ)陣列中各個(gè)存儲(chǔ)塊都實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)。
[0011]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述對所述存儲(chǔ)塊中閾值電壓小于第二閾值的存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，包括:
[0012]在所述閾值電壓小于第二閾值的存儲(chǔ)單元的柵極施加第一電壓值，漏極施加第二電壓值，源極連接于接地極。
[0013]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述第一電壓值為8V至12V和所述第二電壓值為2V至6V。
[0014]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，還包括:根據(jù)所述NOR型FLASH的使用時(shí)間，向所述NOR型FLASH發(fā)送一個(gè)數(shù)據(jù)恢復(fù)指令。
[0015]在第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，包括:
[0016]步驟lb、NOR型FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令；
[0017]步驟2b、根據(jù)所述全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令，記錄所述存儲(chǔ)陣列中閾值電壓大于第一閾值的存儲(chǔ)單元；
[0018]步驟3b、記錄所述存儲(chǔ)陣列中閾值電壓小于第二閾值的存儲(chǔ)單元，其中，所述第二閾值大于第一閾值；
[0019]步驟4b、依次對所述存儲(chǔ)陣列中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)；所述數(shù)據(jù)恢復(fù)為提高閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
[0020]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，還包括:重復(fù)執(zhí)行步驟2b至步驟4b，以使所述存儲(chǔ)陣列中各個(gè)存儲(chǔ)單元都實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)。
[0021]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述依次對所述存儲(chǔ)陣列中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，包括:
[0022]依次在所述閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲(chǔ)單元的柵極施加第一電壓值，漏極施加第二電壓值，源極連接于接地極。
[0023]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述第一電壓值為8V至12V和所述第二電壓值為2V至6V。
[0024]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，還包括:根據(jù)所述NOR型FLASH的使用時(shí)間，向所述NOR型FLASH發(fā)送一個(gè)數(shù)據(jù)恢復(fù)指令。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，當(dāng)FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令后，通過數(shù)據(jù)恢復(fù)操作，提高FLASH中閾值電壓小于第二閾值存儲(chǔ)單元的閾值電壓。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，當(dāng)FLASH接收全數(shù)據(jù)接收指令后，通過將存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的閾值電壓與第一閾值電壓比較，判斷出可能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)O的存儲(chǔ)單元，進(jìn)而通過第二閾值確定需要進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)的存儲(chǔ)單元，進(jìn)而對FLASH存儲(chǔ)陣列中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)。通過數(shù)據(jù)恢復(fù)操作，將其閾值電壓恢復(fù)到一定值，進(jìn)而使得NOR型FLASH中閾值電壓較低，數(shù)據(jù)讀取不準(zhǔn)確的存儲(chǔ)單元，可能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)O的存儲(chǔ)單元，恢復(fù)到能準(zhǔn)確讀取數(shù)據(jù)的閾值電壓，恢復(fù)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，進(jìn)而在對FLASH進(jìn)行讀取時(shí)，提高了讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確型，提升了 FLASH的可靠性。
【附圖說明】
[0026]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0027]圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)單元電荷流失結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法流程示意圖；
[0029]圖2a示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2b示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中存儲(chǔ)單元增強(qiáng)電荷結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖3示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)與完整的說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0033]NOR型FLASH由存儲(chǔ)單元(cell)組成。通常情況下，一個(gè)存儲(chǔ)單元包括源極(source, S),漏極(drain, D),控制柵極(controlling gate, CG),以及浮動(dòng)?xùn)艠O(floatinggate,FG),控制柵極可用于接參考電壓VG。若漏極接參考電壓VD，控制柵極CG施加電壓VG以及源極S連接于接地極后，存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)溝道熱電子注入方式的編程操作。擦除則可以在襯底施加一正電壓，在控制柵極CG施加負(fù)電壓，進(jìn)而利用浮動(dòng)?xùn)艠OFG與溝道之間的隧穿效應(yīng)，把注入浮動(dòng)?xùn)艠OFG的電子吸引到溝道。存儲(chǔ)單元cell數(shù)據(jù)是O或I取決與浮動(dòng)?xùn)艠OFG中是否有電子。如浮動(dòng)?xùn)艠OFG有電子，需要高的控制柵極電壓才能使界面處感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，表示存入O。若浮動(dòng)?xùn)艠OFG中無電子，則較低的控制柵極電壓就能使界面處感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入I。
[0034]圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法流程示意圖；參考圖2，本實(shí)施例中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法包括:
[0035]步驟la、NOR型FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令。
[0036]全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令是指應(yīng)用NOR型FLASH的外部處理器設(shè)備或者FLASH中內(nèi)部控制邏輯單元而設(shè)定，觸發(fā)NOR型FLASH進(jìn)入數(shù)據(jù)恢復(fù)程序或?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)的指令。
[0037]步驟2a、根據(jù)全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令，記錄存儲(chǔ)塊中閾值電壓大于第一閾值的存儲(chǔ)單元。
[0038]對于存儲(chǔ)單元，浮柵中的電荷量反映著存儲(chǔ)單元閾值電壓的大小。
[0039]圖2a是本發(fā)明實(shí)施例一中存儲(chǔ)陣列中一存儲(chǔ)塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]參考圖2a，圖2a中11為一存儲(chǔ)單元，12為進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)的一存儲(chǔ)塊。當(dāng)確定存儲(chǔ)塊12后,記錄存儲(chǔ)塊12中閾值電壓大于第一閾值的存儲(chǔ)單元。
[0041]隨著使用時(shí)間的延續(xù)，F(xiàn)LASH存儲(chǔ)陣列中數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元的閾值電壓會(huì)不斷的減少，當(dāng)減少到一定值，就很難讀取到正確數(shù)據(jù)了。但當(dāng)存儲(chǔ)單元中的閾值電壓減少到一定值時(shí)，雖不能讀取到數(shù)據(jù)，或很難讀取到存儲(chǔ)單元記錄的數(shù)據(jù)，但是這時(shí)的閾值電壓相對于數(shù)據(jù)為I的存儲(chǔ)單元的閾值電壓仍有一定的區(qū)別，進(jìn)而可以通過選定一定的閾值通過和參考單元比較將其判定出來。
[0042]具體的，本實(shí)施例中，選定第一參考存儲(chǔ)單元，并預(yù)先設(shè)定第一閾值。其中，設(shè)定的第一閾值是指當(dāng)存儲(chǔ)單元的閾值電壓大于第一閾值時(shí)該存儲(chǔ)單元能夠被作為數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元。具體的，對于存儲(chǔ)塊中的每個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)通過內(nèi)部的地址依次將其選中，在其柵極和漏極加合適的電壓，并與第一參考存儲(chǔ)單元進(jìn)行比較，若其閾值大于第一參考存儲(chǔ)單元的第一閾值，則認(rèn)為該存儲(chǔ)單元是被編程的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為O ;進(jìn)一步記錄下存儲(chǔ)塊中被認(rèn)為是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)O的存儲(chǔ)單元，例如記錄存儲(chǔ)單元地址信息。
[0043]步驟3a、記錄存儲(chǔ)塊中閾值電壓小于第二閾值的存儲(chǔ)單元，其中第二閾值大于第一閾值。
[0044]對于在步驟3a中記錄的閾值電壓大于第一閾值的存儲(chǔ)單元，在本步驟中實(shí)現(xiàn)的是對在步驟3a中記錄的這些存儲(chǔ)單元進(jìn)行處理。
[0045]對于能被作為數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元中，并非全部都需進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。對于一部分?jǐn)?shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元，其為存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)O時(shí)的正常閾值電壓或大于正常閾值電壓，此時(shí)就不需要進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，節(jié)約恢復(fù)數(shù)據(jù)操作程序。只有被作為數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元中低于一定的閾值電壓才需進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)。
[0046]具體的，本實(shí)施例中，選定第二參考存儲(chǔ)單元，并預(yù)先設(shè)定第二閾值。其中，第二閾值的設(shè)定指當(dāng)數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元的閾值高于第二閾值時(shí)，則此數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元隨著浮柵中電荷的流失等原因還不會(huì)影響對其的正確讀?。划?dāng)數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元的閾值低于第二閾值時(shí)，則此數(shù)據(jù)為O的存儲(chǔ)單元隨著浮柵中電荷的流失等原因很快就會(huì)影響對其的正確讀取，或者已經(jīng)影響對數(shù)據(jù)為O存儲(chǔ)單元的正確讀取。具體的，對于存儲(chǔ)塊中的每個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)通過內(nèi)部的地址依次將其選中，在其柵極和漏極加合適的電壓，并與第二參考存儲(chǔ)單元進(jìn)行比較，若其閾值小于第二參考存儲(chǔ)單元的第二閾值，記錄下閾值電壓小于第二參考存儲(chǔ)單元的第二閾值的存儲(chǔ)單元。并且這些存儲(chǔ)單元的閾值低于第二閾值存儲(chǔ)單元中閾值電壓較低，在以后的使用過程中隨著浮柵中電荷的流失，會(huì)很快不能正確讀取其中記錄的數(shù)據(jù)O。